TW201615760A - 放熱構件用組成物、放熱構件、電子裝置、放熱構件的製造方法 - Google Patents

放熱構件用組成物、放熱構件、電子裝置、放熱構件的製造方法 Download PDF

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Abstract

本案發明是一種可形成具有高導熱性的放熱構件的組成物及放熱構件。本申請案的放熱構件用組成物包含：與偶合劑的一端鍵結的導熱性的第1無機填料；及與偶合劑的一端鍵結且於鍵結有所述偶合劑的另一端進而鍵結有2官能以上的聚合性化合物的導熱性的第2無機填料；且藉由硬化， 所述第1無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與所述第2無機填料的所述聚合性化合物鍵結。

Description

放熱構件用組成物、放熱構件、電子裝置、放熱構件的製造方法
本發明是有關於一種放熱構件用組成物。特別是有關於一種可形成藉由效率良好地傳導、傳遞產生於電子裝置內部的熱而放熱，且可控制熱膨脹率的放熱構件的放熱構件用組成物。
近年來，對於混合動力車（hybrid vehicle）或電動汽車（electric automobile）等電力控制用的半導體元件、或高速電腦（high speed computer）用的中央處理單元（central processing unit，CPU）等，為了不使內部的半導體的溫度變得過高，而期望封裝（package）材料的高導熱化。即，使自半導體晶片（semiconductor chip）產生的熱有效地釋出至外部的能力變得重要。另外，由於動作溫度的上昇，因用於封裝內的材料間的熱膨脹率的差而產生熱應變，由配線的剝離等引起的壽命的降低成為問題。
解決此種放熱問題的方法可列舉使高導熱性材料（放熱構件）接觸於發熱部位，將熱導出至外部而進行放熱的方法。導熱性高的材料可列舉金屬或金屬氧化物等無機材料。特別是氮化鋁等的熱膨脹率與矽相近而較佳地使用。然而，此種無機材料在加工性或破損容易度等方面存在問題，不能說作為封裝內的基板材料會具有充分的特性。因此，業界正在進行使該些無機材料與樹脂複合化而高導熱化的放熱構件的開發。
樹脂複合材的高導熱化通常是藉由如下方式而進行：在矽酮樹脂、聚醯胺樹脂、聚苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂等通用樹脂中添加大量金屬填充材料或無機填充材料。然而，無機填充材料的導熱率為物質固有的值而上限已確定。因此，廣泛嘗試提高樹脂的導熱率來提昇（bottom up）複合材的導熱率的方法。 專利文獻1中揭示有一種藉由如下方式而獲得的放熱構件，該方式作為提高樹脂的導熱率的方法，藉由配向控制添加劑或摩擦處理法（rubbing treatment method）等對液晶組成物進行配向控制而使其聚合。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-265527號公報
[發明所欲解決之課題]
如上所述，隨著電子裝置的發展，對放熱構件時常期望效果更高的導熱化與熱膨脹率的控制性。 因此，本發明的課題在於提供一種可形成具有高導熱性且可控制熱膨脹率的放熱構件的組成物及放熱構件。 [解決課題之手段]
本發明者等人發現，在有機材料與無機材料的複合化中，藉由並非將無機材料添加至樹脂中而是使無機材料彼此連接的實施方式，即經由偶合劑與2官能以上的反應性有機化合物而使無機材料直接鍵結（參照圖1、圖2），或者經由偶合劑而使無機材料彼此直接鍵結（參照圖1、圖3），可實現導熱率極高、且可控制熱膨脹率的複合材，從而完成本發明。
本發明的第1實施方式的放熱構件用組成物例如如圖2所示，包含：與偶合劑3的一端鍵結的導熱性的第1無機填料1；及與偶合劑4的一端鍵結且於鍵結有偶合劑4的另一端進而鍵結有2官能以上的聚合性化合物5的導熱性的第2無機填料2；且藉由硬化，第1無機填料所鍵結的偶合劑3的另一端與第2無機填料2的聚合性化合物5鍵結。所謂「一端」及「另一端」，只要為分子形狀的邊緣或端部即可，可為分子的長邊的兩端亦可不為分子的長邊的兩端。 若如此構成，則可經由偶合劑及聚合性化合物使無機填料彼此直接鍵結而形成放熱構件。因此，可直接傳播作為導熱的主要要素的聲子（phonon），硬化後的放熱構件不僅在水平方向而且在厚度方向亦可具有極高的導熱性。
本發明的第2實施方式的放熱構件用組成物例如如圖3所示，包含：與偶合劑3的一端鍵結的導熱性的第1無機填料1；及與偶合劑4的一端鍵結的導熱性的第2無機填料2；且所述第1無機填料所鍵結的偶合劑與所述第2無機填料所鍵結的偶合劑分別具有使偶合劑彼此鍵結的官能基，藉由硬化，第1無機填料1所鍵結的偶合劑3的另一端與第2無機填料2所鍵結的偶合劑4的另一端鍵結。 若如此構成，則可經由偶合劑使無機填料彼此直接鍵結而形成放熱構件。因此，可直接傳播作為導熱的主要要素的聲子，硬化後的放熱構件不僅在水平方向而且在厚度方向亦可具有極高的導熱性。
本發明的第3實施方式的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1實施方式或第2實施方式的放熱構件用組成物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為氮化物、或碳材料。 若如此構成，則放熱構件用組成物可含有作為無機填料進而較佳的化合物。
本發明的第4實施方式的放熱構件用組成物是如所述本發明的第3實施方式的放熱構件用組成物，其中所述第1無機填料與所述第2無機填料為選自氮化硼、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維、及碳奈米管中的至少一種。 若如此構成，則無機填料的導熱率高，熱膨脹率非常小或為負，藉由與該些進行複合化，可獲得目標放熱構件用組成物。
本發明的第5實施方式的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1實施方式至第4實施方式的任一實施方式的放熱構件用組成物，其進而包含：第3無機填料，所述第3無機填料具有與所述第1無機填料及所述第2無機填料不同的熱膨脹率，且為與偶合劑的一端鍵結、或與鍵結有聚合性化合物的偶合劑的一端鍵結的導熱性的第3無機填料。 若如此構成，則為如下所述：在所述第1無機填料與所述第2無機填料為二維的板狀或一維的線狀的情況下，若僅將該些複合化，則經複合化的放熱構件用組成物的物性亦產生大的各向異性，藉由添加第3填料，有第1無機填料、第2無機填料的配向性得以緩和，各向異性變少的優點。進而，當第1無機填料、第2無機填料的熱膨脹率非常小或為負時，藉由添加熱膨脹率為正的第3無機填料，利用其混合比率而可更精確地對熱膨脹率進行由負至正的控制。第3無機填料中所使用的無機填料並無限制，理想的是導熱率高的無機填料。
本發明的第6實施方式的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1實施方式至第5實施方式的任一實施方式的放熱構件用組成物，其進而包含：所述第1無機填料及所述第2無機填料所未鍵結的有機化合物或高分子化合物。 若如此構成，則為如下所述：於將第1無機填料、第2無機填料直接連接而使其硬化的放熱構件用組成物中，隨著為了提高導熱率而增大填料的粒徑，空隙率將與其相對應地提高，藉由利用未鍵結的化合物來填充其空隙，可使導熱率或水蒸氣阻斷性能等提高。
本發明的第7實施方式的放熱構件用組成物是如所述本發明的第1實施方式的放熱構件用組成物，其中所述2官能以上的聚合性化合物為於兩末端具有包含氧雜環丙基或氧雜環丁基的結構的聚合性化合物。 若如此構成，則可耐熱性良好地進行導熱率高的矽烷偶合劑與有機分子間的鍵結。進而，特別是在重視耐熱性的情況下，於即便稍微降低導熱率，亦最好具有醯亞胺鍵、醯胺鍵等耐熱性高的結構的情況等中可適當選擇所述構成。
本發明的第8實施方式的放熱構件用組成物是所述本發明的第7實施方式的放熱構件用組成物，其中所述2官能以上的聚合性化合物為下述式（1-1）所表示的至少一種聚合性液晶化合物。   Ra1 -Z-(A-Z)m1 -Ra1 ･･･（1-1）   [所述式（1-1）中， Ra1 分別為下述式（2-1）～式（2-2）的任一者所表示的聚合性基； A為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、四氫萘-2,6-二基、茀-2,7-二基、雙環[2.2.2]辛-1,4-二基、或雙環[3.1.0]己-3,6-二基， 該些環上，任意的-CH2 -可被-O-取代，任意的-CH=可被-N=取代，任意的氫可被鹵素、碳數1～10的烷基、或碳數1～10的鹵化烷基取代， 該烷基中，任意的-CH2 -可被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、或-C≡C-取代； Z分別獨立地為單鍵、或碳數1～20的伸烷基， 該伸烷基中，任意的-CH2 -可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-N(O)=N-、或-C≡C-取代，任意的氫可被鹵素取代； m1為1～6的整數] [化1][式（2-1）～式（2-2）中，Rb 為氫、鹵素、-CF3 、或碳數1～5的烷基，q為0或1]。 若如此構成，則放熱構件用組成物可含有作為聚合性化合物的聚合性液晶化合物。該些化合物為熱硬化性且可不受填料的量影響而硬化，進而耐熱性優異。另外，分子結構具有對稱性、直線性，因此可認為對聲子的傳導有利。
本發明的第9實施方式的放熱構件用組成物是如所述本發明的第8實施方式的放熱構件用組成物，其中所述式（1-1）中，A為1,4-伸環己基、任意的氫被鹵素取代的1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、任意的氫被鹵素或甲基取代的1,4-伸苯基、茀-2,7-二基、或任意的氫被鹵素或甲基取代的茀-2,7-二基。 若如此構成，則放熱構件用組成物可含有作為聚合性液晶化合物更佳的化合物。該些化合物的分子的直線性更高，可認為對聲子的傳導更有利。
本發明的第10實施方式的放熱構件用組成物是如所述本發明的第8實施方式或第9實施方式的放熱構件用組成物，其中所述式（1-1）中，Z為單鍵、-(CH2 )a -、-O(CH2 )a -、-(CH2 )a O-、-O(CH2 )a O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-CH2 CH2 -COO-、-OCO-CH2 CH2 -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-OCF2 -或-CF2 O-，該a為1～20的整數。 若如此構成，則放熱構件用組成物可含有作為聚合性液晶化合物尤佳的化合物。該些化合物的物性、易製造性、或易操作性優異，故而較佳。
本發明的第11實施方式的放熱構件是使如所述本發明的第1實施方式至第10實施方式的任一實施方式的放熱構件用組成物硬化而獲得。 若如此構成，則放熱構件於無機填料間具有鍵結且可具有極高的導熱性。
本發明的第12實施方式的電子裝置包括如所述本發明的第11實施方式的放熱構件、及具有發熱部的電子元件，且將所述放熱構件以接觸於所述發熱部的方式配置於所述電子元件。 若如此構成，則可藉由具有高導熱性的放熱構件而效率良好地傳導產生於電子元件的熱。另外，藉由使面方向的熱膨脹率與安裝於放熱構件的銅配線或矽、氮化矽等的半導體元件的熱膨脹率相近，可製作不易因熱循環而剝離的元件。
本發明的第13實施方式的放熱構件的製造方法包括：使導熱性的第1無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟；使導熱性的第2無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟；使所述第2無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與2官能以上的聚合性化合物鍵結的步驟；及使所述第1無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與所述第2無機填料的所述2官能以上的聚合性化合物鍵結的步驟。 若如此構成，則無機填料彼此經由偶合劑及聚合性化合物而直接鍵結，成為包含此種實施方式的填料的放熱構件的製造方法。
本發明的第14實施方式的放熱構件的製造方法包括：使導熱性的第1無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟；使導熱性的第2無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟；及使所述第1無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與所述第2無機填料所鍵結的偶合劑的另一端鍵結的步驟。 若如此構成，則無機填料彼此經由偶合劑而直接鍵結，成為包含此種實施方式的填料的放熱構件的製造方法。 [發明的效果]
由本發明的放熱構件用組成物形成的放熱構件具有極高的導熱性與熱膨脹率的控制性。進而，亦具有化學穩定性、耐熱性、硬度及機械強度等優異的特性。該放熱構件例如適於放熱基板、放熱板（面狀散熱片）、放熱片（sheet）、放熱塗膜、放熱接著劑等。
本申請案是基於在日本2014年8月27日提出申請的日本專利特願2014-173316號，且使其內容形成為本申請案的內容的一部分。本發明藉由以下的詳細說明而可更完全地理解。本發明的進一步的應用範圍藉由以下的詳細說明而變得明確。然而，詳細的說明及特定的實例為本發明的理想的實施方式，僅為了說明而記載。根據該詳細的說明，在本發明的精神與範圍內，業者明瞭各種變更、改變。申請人並未意圖將所記載的任一實施方式均呈獻給公眾，改變、代替案中語句上可能不包含於申請專利範圍內者亦設為均等論下的發明的一部分。
以下，參照圖式對本發明的實施方式進行說明。此外，在各圖中對相互相同或相當的部分標附相同或類似的符號，且省略重複的說明。另外，本發明並不限制於以下實施方式。
本說明書中的用語的用法如下所述。 「液晶化合物」「液晶性化合物」是表現向列相或層列相等液晶相的化合物。
以下述一例表示「烷基中的任意的-CH2 -可被-O-等取代」或「任意的-CH2 CH2 -可被-CH=CH-等取代」等語句的含義。例如，C4 H9 -中的任意的-CH2 -被-O-或-CH=CH-取代的基團為C3 H7 O-、CH3 -O-(CH2 )2 -、CH3 -O-CH2 -O-等。同樣地，C5 H11 -中的任意的-CH2 CH2 -被-CH=CH-取代的基團為H2 C=CH-(CH2 )3 -、CH3 -CH=CH-(CH2 )2 -等，進而任意的-CH2 -被-O-取代的基團為CH3 -CH=CH-CH2 -O-等。如此「任意的」這一用語意指「未區分而選擇的至少一個」。此外，考慮化合物的穩定性，則相較於氧與氧鄰接的CH3 -O-O-CH2 -，氧與氧不鄰接的CH3 -O-CH2 -O-較佳。
另外，關於環A，「任意的氫可被鹵素、碳數1～10的烷基、或碳數1～10的鹵化烷基取代」這一語句意指例如1,4-伸苯基的2,3,5,6位的至少一個氫被氟或甲基等取代基取代的情況下的實施方式，另外，取代基為「碳數1～10的鹵化烷基」的情況下的實施方式包含如2-氟乙基或3-氟-5-氯己基的例子。
「化合物（1-1）」意指後述的下述式（1-1）所表示的液晶化合物，另外，亦有意指下述式（1-1）所表示的化合物的至少一種的情況。「放熱構件用組成物」意指含有選自所述化合物（1-1）或其他聚合性化合物中的至少一種化合物的組成物。在一個化合物（1-1）具有多個A時，任意的2個A可相同亦可不同。在多個化合物（1-1）具有A時，任意的2個A可相同亦可不同。該規則亦適用於Ra1 或Z等其他記號、基團等。
[放熱構件用組成物] 本申請案的放熱構件用組成物為藉由硬化，使無機填料彼此經由偶合劑及2官能以上的聚合性化合物而直接鍵結從而可形成放熱構件的組成物。圖1為使用作為無機填料的氮化硼時的例子。若利用矽烷偶合劑對氮化硼（h-BN）進行處理，則在氮化硼的情況下，由於在粒子的平面無反應基，故而僅在其周圍鍵結偶合劑。經偶合劑處理的氮化硼可與聚合性化合物形成鍵。因此，使經偶合處理的氮化硼的偶合劑的另一端，與經偶合處理進而利用聚合性化合物進行修飾的氮化硼的聚合性化合物的另一端鍵結（參照圖2），藉此使氮化硼彼此如圖1所示般相互鍵結。 如此，藉由使無機填料彼此經由偶合劑及聚合性化合物而鍵結，可直接傳播聲子，因此硬化後的放熱構件具有極高的導熱，從而可製作直接反映無機成分的熱膨脹率的複合材料。
本發明的第1實施方式的放熱構件用組成物例如如圖2所示，包含：與偶合劑3的一端鍵結的導熱性的第1無機填料1；及與偶合劑4的一端鍵結且於鍵結有偶合劑4的另一端進而鍵結有2官能以上的聚合性化合物5的導熱性的第2無機填料2。 如圖2所示，若使本申請案的放熱構件用組成物硬化，則第1無機填料1所鍵結的偶合劑3的另一端與第2無機填料2的聚合性化合物5鍵結。如此，形成無機填料間的鍵。此外，在本發明中重要的是實現此種無機填料間的鍵，亦可在鍵結於無機填料之前，預先使用有機合成技術而使矽烷偶合劑與聚合性化合物反應。
＜2官能以上的聚合性化合物＞ 2官能以上的聚合性化合物較佳為使用聚合性液晶化合物。 聚合性液晶化合物較佳為下述式（1-1）所表示的液晶化合物，具有液晶骨架及聚合性基，具有高聚合反應性、寬廣的液晶相溫度範圍、良好的混和性等。該化合物（1-1）在與其他液晶性化合物或聚合性化合物等混合時，容易易於變得均勻。   Ra1 -Z-(A-Z)m1 -Ra1 （1-1）
藉由適當選擇所述化合物（1-1）的末端基Ra1 、環結構A及鍵結基Z，可任意地調整液晶相表現區域等的物性。以下說明末端基Ra1 、環結構A及鍵結基Z的種類對化合物（1-1）的物性產生的效果、以及該些的較佳例。
·末端基Ra1 在所述化合物（1-1）的Ra1 為直鏈狀烷基的情況下，液晶相的溫度範圍寬廣，且黏度小。另一方面，在Ra1 為支鏈狀烷基的情況下，與其他液晶性的化合物的相容性良好。在Ra1 為氰基、鹵素、-CF3 、-OCF3 的情況下，亦顯示良好的液晶相溫度範圍，介電常數各向異性高，具有適度的相容性。
較佳的Ra1 可列舉：氫、氟、氯、氰基、-N=C=O、-N=C=S、烷基、烷氧基、烷氧基烷基、烷氧基烷氧基、烷硫基、烷硫基烷氧基、烯基、烯氧基、烯氧基烷基、烷氧基烯基、炔基、炔氧基等。該些基團中，亦較佳為至少一個氫被鹵素取代的基團。較佳的鹵素為氟、氯，進而較佳為氟。具體例為單氟烷基、聚氟烷基、全氟烷基、單氟烷氧基、聚氟烷氧基、全氟烷氧基等。關於該些基團，就聲子的易傳導性、即熱的易傳遞性的觀點而言，相較於支鏈，直鏈較佳。
進而較佳的Ra1 可列舉：氫、氟、氯、氰基、-CF3 、-CF2 H、-CFH2 、-OCF3 、-OCF2 H、碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基、碳數2～10的烷氧基烷基等。所述烷基、烷氧基及烷氧基烷基例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、甲氧基甲基、甲氧基乙基等。尤佳的Ra1 為碳數1～10的烷基、碳數1～10的烷氧基。
·環結構A 在所述化合物（1-1）的環結構A中的至少一個環為1,4-伸苯基的情況下，配向秩序參數（orientational order parameter）及磁化各向異性大。另外，在至少兩個環為1,4-伸苯基的情況下，液晶相的溫度範圍寬廣，進而透明點高。在1,4-伸苯基環上的至少一個氫被取代為氰基、鹵素、-CF3 或-OCF3 的情況下，介電常數各向異性高。另外，在至少兩個環為1,4-伸環己基的情況下，透明點高，且黏度小。
較佳的A可列舉：1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、2,2-二氟-1,4-伸環己基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、2,5-二氟-1,4-伸苯基、2,6-二氟-1,4-伸苯基、2,3,5-三氟-1,4-伸苯基、吡啶-2,5-二基、3-氟吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、噠嗪-3,6-二基、萘-2,6-二基、四氫萘-2,6-二基、茀-2,7-二基、9-甲基茀-2,7-二基、9,9-二甲基茀-2,7-二基、9-乙基茀-2,7-二基、9-氟茀-2,7-二基、9,9-二氟茀-2,7-二基等。
關於1,4-伸環己基及1,3-二噁烷-2,5-二基的立體配置，相較於順式（cis），反式（trans）較佳。由於2-氟-1,4-伸苯基及3-氟-1,4-伸苯基結構相同，故而未例示後者。該規則亦適用於2,5-二氟-1,4-伸苯基與3,6-二氟-1,4-伸苯基的關係等。
進而較佳的A為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,3-二噁烷-2,5-二基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、2,5-二氟-1,4-伸苯基、2,6-二氟-1,4-伸苯基等。尤佳的A為1,4-伸環己基及1,4-伸苯基。
·鍵結基Z 在所述化合物（1-1）的鍵結基Z為單鍵、-(CH2 )2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-或-(CH2 )4 -的情況下，特別是為單鍵、-(CH2 )2 -、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-或-(CH2 )4 -的情況下，黏度變小。另外，在鍵結基Z為-CH=CH-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-或-CF=CF-的情況下，液晶相的溫度範圍寬廣。另外，在鍵結基Z為碳數4～10左右的烷基的情況下，熔點降低。
較佳的Z可列舉：單鍵、-(CH2 )2 -、-（CF2 ）2 -、-COO-、-OCO-、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-(CH2 )4 -、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-(CH2 )2 COO-、-OCO(CH2 )2 -、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-等。
進而較佳的Z可列舉：單鍵、-(CH2 )2 -、-COO-、-OCO-、-CH2 O-、-OCH2 -、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、-C≡C-等。尤佳的Z為單鍵、-(CH2 )2 -、-COO-或-OCO-。
在所述化合物（1-1）具有3個以下的環時，黏度低，在具有3個以上的環時，透明點高。此外，在本說明書中，基本上將六員環及包含六員環的縮合環等視為環，例如單獨的三員環或四員環、五員環並不被視為環。另外，萘環或茀環等縮合環被視為1個環。
所述化合物（1-1）可為光學活性，亦可為光學惰性。當化合物（1-1）為光學活性時，該化合物（1-1）有具有不對稱碳的情況與具有不對稱軸的情況。不對稱碳的立體配置可為R亦可為S。不對稱碳可位於Ra1 或A的任一者，若具有不對稱碳，則化合物（1-1）的相容性良好。在化合物（1-1）具有不對稱軸的情況下，扭曲誘導力大。另外，施光性可為任一種。 如上所述，藉由適當選擇末端基Ra1 、環結構A及鍵結基Z的種類、環的個數，可獲得具有目標物性的化合物。
·化合物（1-1） 化合物（1-1）亦可如下述式（1-a）或式（1-b）般表示。   P-Y-(A-Z)m -Ra （1-a） P-Y-(A-Z)m -Y-P     （1-b）
所述式（1-a）及式（1-b）中，A、Z、Ra 與由所述式（1-1）定義的A、Z、Ra1 含義相同，P表示所述式（2-1）～式（2-2）所表示的聚合性基，Y表示單鍵或碳數1～20的伸烷基、較佳為碳數1～10的伸烷基，該伸烷基中，任意的-CH2 -可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-或-CH=CH-取代。尤佳的Y為碳數1～10的伸烷基的單末端或兩末端的-CH2 -被-O-取代的伸烷基。m為1～6的整數，較佳為2～6的整數，進而較佳為2～4的整數。
較佳的化合物（1-1）的例子可列舉以下所示的化合物（a-1）～化合物（g-20）。
[化2]
[化3]
[化4]
[化5]
[化6]
[化7]
[化8]
[化9]
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
所述化學式（a-1）～化學式（g-20）中，Ra 、P及Y如所述式（1-a）及式（1-b）中所定義。 Z1 分別獨立地為單鍵、-(CH2 )2 -、-(CF2 )2 -、-(CH2 )4 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-(CH2 )2 COO-、-OCO(CH2 )2 -、-C≡C-、-C≡C-COO-、-OCO-C≡C-、-C≡C-CH=CH-、-CH=CH-C≡C-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-OCF2 -或-CF2 O-。此外，多個Z1 可相同亦可不同。
Z2 分別獨立地為-(CH2 )2 -、-(CF2 )2 -、-(CH2 )4 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-(CH2 )3 O-、-O(CH2 )3 -、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-(CH2 )2 COO-、-OCO(CH2 )2 -、-C≡C-、-C≡C-COO-、-OCO-C≡C-、-C≡C-CH=CH-、-CH=CH-C≡C-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-OCF2 -或-CF2 O-。
Z3 分別獨立地為單鍵、碳數1～10的烷基、-(CH2 )a -、-O(CH2 )a O-、-CH2 O-、-OCH2 -、-O(CH2 )3 -、-(CH2 )3 O-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、-CH=CHCOO-、-OCOCH=CH-、-(CH2 )2 COO-、-OCO(CH2 )2 -、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-OCF2 -或-CF2 O-，多個Z3 可相同亦可不同。a為1～20的整數。
X為任意的氫可被鹵素、烷基、氟化烷基取代的1,4-伸苯基及茀-2,7-二基的取代基，表示鹵素、烷基或氟化烷基。
對所述化合物（1-1）的更佳的實施方式進行說明。更佳的化合物（1-1）可以下述式（1-c）或式（1-d）表示。   P1 -Y-(A-Z)m -Ra （1-c） P1 -Y-(A-Z)m -Y-P1 （1-d）   所述式中，A、Y、Z、Ra 及m如上文所定義，P1 表示下述式（2-1）～式（2-2）所表示的聚合性基。在所述式（1-d）的情況下，2個P1 表示相同的聚合性基（2-1）～聚合性基（2-2），2個Y表示相同的基，2個Y是以成為對稱的方式鍵結。
[化15]
以下表示所述化合物（1-1）的更佳的具體例。
[化16]
[化17]
[化18]
·化合物（1-1）的合成方法 所述化合物（1-1）可藉由組合有機合成化學中公知的方法而合成。將目標末端基、環結構及鍵結基導入至起始物質的方法例如在霍本-維勒（Houben-Wyle, 有機化學方法（Methods of Organic Chemistry）, 格奧爾格蒂梅出版社（Georg Thieme Verlag）, 斯圖加特（Stuttgart））、有機合成（Organic Syntheses, 約翰威立父子出版社（John Wily & Sons, Inc.））、有機反應（Organic Reactions, 約翰威立父子出版社（John Wily & Sons Inc.））、綜合有機合成（Comprehensive Organic Synthesis,培格曼出版社（Pergamon Press））、新實驗化學講座（丸善）等成書中有所記載。另外，亦可參照日本專利特開2006-265527號公報。
2官能以上的聚合性化合物（以下有時簡稱為「聚合性化合物」）亦可為除所述式（1-1）所表示的聚合性液晶化合物以外的不顯示液晶性的聚合性化合物。例如可列舉：聚醚的二縮水甘油醚、雙酚A的二縮水甘油醚、雙酚F的二縮水甘油醚、雙酚的二縮水甘油醚、或式（1-1）的化合物中直線性不足且未表現出液晶性的化合物等。 所述聚合性化合物可藉由組合有機合成化學中公知的方法而合成。
本發明中所使用的聚合性化合物較佳為具有2官能以上的官能基，並包含3官能以上或4官能以上的情況。進而，在聚合性化合物的長邊的兩端具有官能基的化合物可形成直線性鍵，故而較佳。
＜無機填料＞ 第1無機填料、第2無機填料及第3無機填料可列舉氮化物、碳化物或碳材料等。第1無機填料及第2無機填料可相同亦可不同。 具體而言，在第1無機填料、第2無機填料中可列舉氮化硼、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維及碳奈米管作為高導熱性且熱膨脹率非常小或為負的無機填料。或者，亦可在第1無機填料或第2無機填料的任一者中使用下述導熱率高且熱膨脹率為正的無機填料。 第3填料可列舉導熱率高且熱膨脹率為正的碳化矽、氮化鋁、氮化矽、金剛石（diamond）、矽、氧化鈹（beryllia）、氧化鎂、氧化鋁、氧化鋅、氧化矽、氧化銅、氧化鈦、氧化鈰、氧化釔、氧化錫、氧化鈥、氧化鉍、氧化鈷、氧化鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋁、金、銀、銅、鉑、鐵、錫、鉛、鎳、鋁、鎂、鎢、鉬、不鏽鋼（stainless）等無機填充材料及金屬填充材料。 聚合性化合物的結構理想的是具有該些無機填料間可效率良好地直接鍵結的形狀及長度。無機填料的種類、形狀、大小、添加量等可根據目的而適當選擇。在所獲得的放熱構件需要絕緣性的情況下，只要可保持所期望的絕緣性，則亦可為具有導電性的無機填料。無機填料的形狀可列舉板狀、球狀、無定形、纖維狀、棒狀、筒狀等。
較佳為氮化硼、氮化鋁、氮化矽、碳化矽、石墨、碳纖維及碳奈米管。尤佳為六方晶系的氮化硼（h-BN）或石墨。氮化硼、石墨由於平面方向的導熱率非常高，且氮化硼的介電常數亦低，絕緣性亦高，故而較佳。例如，若使用板狀結晶的氮化硼，則在成型及硬化時，因原料的流動或壓力，板狀結構容易沿模具配向，故而較佳。
無機填料的平均粒徑較佳為0.1 μm～200 μm。更佳為1 μm～100 μm。若為0.1 μm以上，則導熱率良好，若為200 μm以下，則可提高填充率。 此外，在本說明書中，平均粒徑是基於利用雷射（laser）繞射·散射法的粒度分佈測定。即，利用基於夫朗和斐（Fraunhofer）繞射理論及米氏（Mie）散射理論的解析，藉由濕式法，將粉體自某粒徑分為兩者時，將大側與小側成為等量（體積基準）的直徑設為中值粒徑。 無機填料與偶合劑及有機化合物的比例依存於與所使用的無機填料鍵結的偶合劑的量。用作第1無機填料及第2無機填料的化合物（例如氮化硼）如上所述於表面無反應基，僅於側面存在反應基。較佳為使盡可能多的偶合劑鍵結於所述少的反應基，從而使與所述反應基的個數相等或稍多的有機化合物進行鍵結。偶合劑對無機填料的反應量主要根據無機填料的大小或所使用的偶合劑的反應性而變化。例如無機填料越大，則無機填料的側面的面積比越減小，故而修飾量少。雖欲使盡可能多的偶合劑反應，但若減小粒子，則產物的導熱率將變低，因此較佳為取得平衡。
＜偶合劑＞ 鍵結於無機填料的偶合劑由於較佳為與聚合性化合物所具有的官能基（氧雜環丙基等）反應，故而較佳為在末端具有胺系反應基。例如可列舉捷恩智（JNC）股份有限公司製造的塞拉艾斯（Sila-Ace）S310、Sila-Ace S320、Sila-Ace S330、Sila-Ace S360、信越化學工業股份有限公司製造的KBM903、KBE903等。 此外，在聚合性化合物的末端為胺的情況下，較佳為在末端具有氧雜環丙基等的偶合劑。例如可列舉捷恩智（JNC）股份有限公司製造的Sila-Ace S510、Sila-Ace S530等。此外，利用偶合劑的無機填料的修飾越多則鍵越增多，故而較佳。
第2無機填料使用經偶合劑處理後進而利用聚合性化合物進行表面修飾者。例如，使聚合性化合物進而鍵結於經矽烷偶合劑處理的無機填料（與偶合劑鍵結的無機填料）的該偶合劑，藉此利用聚合性化合物對無機填料進行表面修飾。如圖2所示，利用聚合性化合物進行表面修飾的第2無機填料可經由聚合性化合物及偶合劑而與第1無機填料形成鍵，認為該鍵顯著有助於導熱。 此外，第2無機填料亦可使用利用預先與聚合性化合物鍵結的偶合劑進行了偶合處理者。 聚合性化合物較佳為所述式（1-1）所表示的聚合性液晶化合物。但是，亦可為其以外的聚合性液晶化合物，亦可為無液晶性的聚合性化合物。利用聚合性液晶化合物等的表面修飾越多則鍵越增多，故而較佳。
＜其他構成要素＞ 本申請案的放熱構件用組成物可進而包含第1無機填料及第2無機填料所未鍵結的、即未有助於鍵結的有機化合物（例如聚合性化合物或高分子化合物），亦可包含聚合起始劑或溶劑等。
＜未鍵結的聚合性化合物＞ 放熱構件用組成物亦可以無機填料所未鍵結的聚合性化合物（此時亦可不必為2官能以上）作為構成要素。此種聚合性化合物較佳為不會使膜形成性及機械強度降低的化合物。該聚合性化合物分類為不具有液晶性的化合物與具有液晶性的化合物。不具有液晶性的聚合性化合物可列舉：乙烯衍生物、苯乙烯衍生物、(甲基)丙烯酸衍生物、山梨酸（sorbic acid）衍生物、富馬酸衍生物、衣康酸衍生物等。關於含量，理想的是首先製作不含未鍵結的聚合性化合物的放熱構件用組成物，測定其空隙率，從而添加可填埋其空隙率的量的聚合性化合物。
＜未鍵結的高分子化合物＞ 放熱構件用組成物（1）亦可以無機填料所未鍵結的高分子化合物作為構成要素。此種高分子化合物較佳為不會使膜形成性及機械強度降低的化合物。該高分子化合物只要為不與第1無機填料、第2無機填料、第3無機填料等無機填料以及聚合性化合物反應的高分子化合物即可，例如可列舉：聚烯烴樹脂、聚乙烯系樹脂、聚醯胺樹脂、聚衣康酸系樹脂等。關於含量，理想的是首先製成不含未鍵結的聚合性化合物的放熱構件用組成物，測定其空隙率，從而添加可填埋其空隙率的量的高分子化合物。
＜非聚合性的液晶性化合物＞ 放熱構件用組成物亦可以不具有聚合性基的液晶性化合物作為構成要素。此種非聚合性的液晶性化合物的例子在作為液晶性化合物的資料庫（date base）的液晶資料庫（LiqCryst, LCI 出版社（Publisher GmbH）, 漢堡市（Hamburg）, 德國（Germany））等中有所記載。可藉由使含有非聚合性的液晶性化合物的該組成物聚合而獲得例如化合物（1-1）的聚合物與液晶性化合物的複合材料（composite materials）。此種複合材料中，在如高分子分散型液晶的高分子網狀結構中存在非聚合性的液晶性化合物。理想的是理想的是具有如在所使用的溫度範圍中無流動性般的特性的液晶性化合物。可使第1填料、第2填料及第3填料等填料硬化後，以在顯示各向同性相的溫度範圍注入其空隙的方法進行複合化，亦可在第1填料、第2填料及第3填料等填料中混合預先以填埋空隙的方式計算的分量的液晶性化合物，從而使填料聚合。
＜聚合起始劑＞ 放熱構件用組成物亦可以聚合起始劑作為構成要素。聚合起始劑只要根據該組成物的構成要素及聚合方法使用例如光自由基聚合起始劑、光陽離子聚合起始劑、熱自由基聚合起始劑等即可。 熱自由基聚合用的較佳的起始劑例如可列舉：過氧化苯甲醯、過氧化二碳酸二異丙酯、過氧化-2-乙基己酸第三丁酯、過氧化特戊酸第三丁酯、二-第三丁基過氧化物（DTBPO）、過氧化二異丁酸第三丁酯、過氧化月桂醯、2,2'-偶氮雙異丁酸二甲酯（MAIB）、偶氮雙異丁腈（AIBN）、偶氮雙環己烷碳腈（ACN）等。
＜溶劑＞ 放熱構件用組成物亦可含有溶劑。在該組成物中包含必須聚合的構成要素的情況下，聚合可在溶劑中進行，亦可在無溶劑下進行。藉由例如旋塗法（spin coat method）等將含有溶劑的該組成物塗佈於基板上後，去除溶劑後使其進行光聚合。另外，亦可在光硬化後加溫至適當的溫度，藉由熱硬化而進行後處理。 較佳的溶劑例如可列舉：苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、四氫呋喃、γ-丁內酯、N-甲基吡咯啶酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、環己烷、甲基環己烷、環戊酮、環己酮、丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA）等。所述溶劑可單獨使用一種，亦可混合使用兩種以上。 此外，限定聚合時的溶劑的使用比例並無太大意義，只要考慮聚合效率、溶劑成本（cost）、能量（energy）成本等而按各事例（case）分別決定即可。
＜其他＞ 為了使操作變得容易，亦可在放熱構件用組成物中添加穩定劑。此種穩定劑可無限制地使用公知者，例如可列舉對苯二酚（hydroquinone）、4-乙氧基苯酚及3,5-二-第三丁基-4-羥基甲苯（BHT）等。 進而，亦可為了調整放熱構件用組成物的黏度或顏色而添加添加劑（氧化物等）。例如可列舉：用以形成白色的氧化鈦、用以形成黑色的碳黑（carbon black）、用以調整黏度的二氧化矽（silica）的微粉末。另外，亦可為了進一步增加機械強度而添加添加劑。例如可列舉：玻璃（glass）、碳纖維（carbon fiber）等無機纖維或布（cloth）、或作為高分子添加劑的聚乙烯甲醛、聚乙烯丁醛、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺等纖維或長分子。
[製造方法] 以下，對製造放熱構件用組成物的方法及根據放熱構件用組成物製造放熱構件的方法進行具體說明。 ＜實施偶合處理＞ 將對無機填料實施偶合處理而使偶合劑的一端與無機填料鍵結者設為第1無機填料。偶合處理可使用公知的方法。 作為一例，首先，將無機填料與偶合劑添加至溶劑中。使用攪拌器（stirrer）等加以攪拌後進行乾燥。在溶劑乾燥後，使用真空乾燥機等在真空條件下進行加熱處理。向該無機填料中添加溶劑，藉由超音波處理進行粉碎。使用離心分離機對該溶液進行分離精製。捨棄上清液後，添加溶劑進行多次同樣的操作。使用烘箱（oven）使精製後的實施了偶合處理的無機填料乾燥。 ＜利用聚合性化合物進行修飾＞ 使2官能以上的聚合性化合物鍵結於實施了偶合處理的無機填料（可與所述第1無機填料相同，亦可為不同的無機填料）的偶合劑的另一端。將如此利用聚合性化合物進行了修飾的無機填料設為第2無機填料。 作為一例，使用瑪瑙研缽等將經偶合處理的無機填料與聚合性化合物混合後，使用雙軸輥等進行混練。其後，藉由超音波處理及離心分離進行分離精製。 ＜進行混合＞ 例如以僅無機填料的重量成為1：1的方式秤量第1無機填料與第2無機填料，使用瑪瑙研缽等將其混合。然後，使用雙軸輥等進行混合，獲得放熱構件用組成物。 關於第1無機填料與第2無機填料的混合比例，在形成第1無機填料與第2無機填料的鍵的鍵結基分別為胺：環氧基的情況下，僅無機填料的重量例如較佳為1：1～1：30，更佳為1：3～1：20。混合比例由形成第1無機填料與第2無機填料的鍵的末端的鍵結基的個數決定，例如，若為二級胺，則可與2個氧雜環丙基進行反應，因此與氧雜環丙基側相比可為少量，亦有氧雜環丙基側開環的可能性，從而較佳為增大根據環氧當量所計算的量而使用。 ＜製造放熱構件＞ 作為一例，對使用放熱構件用組成物製造作為放熱構件的膜的方法進行說明。使用壓縮成形機將放熱構件用組成物夾於加熱板中，藉由壓縮成形進行配向·硬化成形。進而，使用烘箱等進行後硬化，獲得本發明的放熱構件。此外，壓縮成形時的壓力較佳為50 kgf/cm2 ～200 kgf/cm2 ，更佳為70 kgf/cm2 ～180 kgf/cm2 。硬化時的壓力基本上以高為佳。但是，較佳為根據模具的流動性或目標物性（重視哪一方向的導熱率等）而適當變更，施加適當的壓力。
以下，對使用含有溶劑的放熱構件用組成物製造作為放熱構件的膜的方法進行具體說明。 首先，在基板上塗佈該組成物並將溶劑乾燥去除而形成膜厚均勻的塗膜層。塗佈方法例如可列舉：旋塗、輥塗（roll coat）、簾塗（curtain coat）、流塗（flow coat）、印刷（print）、微凹版塗佈（microgravure coat）、凹版塗佈（gravure coat）、線棒塗佈（wire bar coat）、浸漬塗佈（dip coat）、噴塗（spray coat）、彎月面塗佈法（meniscus coat method）等。 溶劑的乾燥去除例如可藉由在室溫下的風乾、利用加熱板（hot plate）的乾燥、利用乾燥爐的乾燥、溫風或熱風的吹送等進行。溶劑去除的條件並無特別限定，只要乾燥至將溶劑大致去除，塗膜層的流動性消失即可。
所述基板例如可列舉：銅、鋁、鐵等金屬基板；矽、氮化矽、氮化鉀、氧化鋅等無機半導體基板；鹼玻璃（alkali glass）、硼矽酸玻璃、火石玻璃（flint glass）等玻璃基板；氧化鋁、氮化鋁等無機絕緣基板；聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚醯胺、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚酮、聚酮硫醚、聚醚碸、聚碸、聚苯硫醚、聚苯醚、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚縮醛、聚碳酸酯、聚芳酯、丙烯酸樹脂、聚乙烯醇、聚丙烯、纖維素、三乙醯纖維素或其部分皂化物、環氧樹脂、酚樹脂、降冰片烯樹脂等塑膠膜（plastic film）基板等。
所述膜基板可為單軸延伸膜，亦可為雙軸延伸膜。所述膜基板亦可預先實施皂化處理、電暈處理（corona treatment）、電漿處理（plasma treatment）等表面處理。此外，亦可在該些膜基板上形成不會被所述放熱構件用組成物中所含的溶劑侵蝕的保護層。用作保護層的材料可列舉例如聚乙烯醇。進而，亦可形成增黏塗層（anchor coat layer）以提高保護層與基板的密著性。此種增黏塗層只要為提高保護層與基板的密著性者，則可為無機系及有機系的任一種材料。
以上，對由經偶合處理的無機填料與經偶合處理進而利用聚合性化合物進行修飾的無機填料構成無機填料彼此的鍵的情況進行了說明。具體而言，例如利用具有胺基的矽烷偶合劑對第1無機填料進行偶合處理。利用具有胺基的矽烷偶合劑對第2無機填料進行偶合處理後，使胺基與在兩末端具有環氧基的聚合性化合物的一端鍵結。最後，使第1無機填料側的胺基與第2無機填料側的聚合性化合物所具有的環氧基的另一者鍵結（參照圖2）。此外，亦可為無機填料側具有環氧基、聚合性化合物側具有環氧基的組合。
作為其他方法，亦可使用預先利用聚合性化合物進行修飾的偶合劑。例如利用具有胺基的矽烷偶合劑對第1無機填料進行偶合處理。其次，利用在末端分別具有乙烯基與環氧基的聚合性化合物對具有乙烯基的矽烷偶合劑進行修飾後，利用經修飾的矽烷偶合劑對第2無機填料進行偶合處理。最後，使第1無機填料側的胺基與第2填料側的聚合性化合物所具有的環氧基鍵結（參照圖2）。
作為其他方法，亦可不使用聚合性化合物，而經由偶合劑彼此的鍵使無機填料彼此鍵結。例如利用具有胺基的矽烷偶合劑對第1無機填料進行偶合處理。利用具有環氧基的矽烷偶合劑對第2無機填料進行偶合處理。最後，使第1無機填料側的胺基與第2無機填料側的環氧基鍵結（參照圖3）。如此，鍵結於第1無機填料的偶合劑與鍵結於第2無機填料的偶合劑分別具有使偶合劑彼此鍵結的官能基。第1無機填料側的官能基與第2無機填料側的官能基只要可形成偶合劑彼此的鍵，則可為不同官能基的組合，亦可為相同官能基的組合。 形成偶合劑彼此的鍵的官能基的組合例如可列舉氧雜環丙基與胺基、乙烯基彼此、甲基丙烯醯氧基彼此、羰基或羧酸二酐與胺基、咪唑基與氧雜環丙基等組合，但並不限定於該些。更佳為耐熱性高的組合。
如此，藉由適當選擇偶合劑及聚合性化合物，可連接第1無機填料與第2無機填料，可由本發明的放熱構件用組成物獲得具有極高的導熱性與熱膨脹率的控制性的放熱構件。此外，所述官能基為例示，只要可獲得本案發明的效果則並不限定於所述官能基。
[放熱構件] 本發明的第2實施方式的放熱構件是根據用途而成形使所述第1實施方式的放熱構件用組成物硬化而成的硬化物所得者。該硬化物具有高導熱性，並且熱膨脹率為負或為非常小的正，化學穩定性、耐熱性、硬度及機械強度等優異。此外，所述機械強度是指楊氏模數（Young's modulus）、拉伸強度、撕裂強度、彎曲強度、彎曲彈性模數、衝擊強度等。 本發明的放熱構件可用於放熱板、放熱片、放熱膜、放熱接著材、放熱成形品等。
作為藉由熱聚合而使放熱構件用組成物硬化的條件，熱硬化溫度為室溫～350℃、較佳為室溫～250℃、更佳為50℃～200℃的範圍，硬化時間為5秒～10小時、較佳為1分鐘～5小時、更佳為5分鐘～1小時的範圍。聚合後較佳為進行緩冷以抑制應力應變等。另外，亦可進行再加熱處理而緩和應變等。
本申請案的放熱構件由所述放熱構件用組成物形成，以片、膜、薄膜、纖維、成形體等形狀使用。較佳的形狀為板、片、膜及薄膜。此外，本說明書中的片的膜厚為1mm以上，膜的膜厚為5 μm以上，較佳為10 μm～500 μm，更佳為20 μm～300 μm，薄膜的膜厚小於5 μm。膜厚只要根據用途而適當變更即可。
[電子裝置] 本發明的第3實施方式的電子裝置包括所述第2實施方式的放熱構件、及具有發熱部的電子元件。放熱構件是以接觸於所述發熱部的方式配置於電子元件。放熱構件的形狀可為放熱電子基板、放熱板、放熱片、放熱膜、放熱接著材、放熱成形品等任一種。 例如電子元件可列舉半導體元件。本申請案的放熱構件除高導熱性以外亦具有高耐熱性、高絕緣性。因此，半導體元件中，對於因高電力而需要更有效率的放熱機構的絕緣閘雙極電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）特別有效。IGBT是半導體元件之一，是將金氧半導體場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）組入至閘極（gate）部而成的雙極電晶體（bipolar transistor），可用於電力控制的用途。具備IGBT的電子裝置可列舉大電力反相器（inverter）的主轉換元件、無停電電源裝置、交流電動機的可變電壓可變頻率控制裝置、鐵道車輛的控制裝置、混合動力汽車、電車（electric car）等的電動輸送裝置、感應加熱（induction heat，IH）調理器等。
以上，以如下方式對本發明進行了說明：使經偶合處理的第1無機填料與經偶合處理後進而利用聚合性化合物進行了修飾的第2無機填料鍵結，在無機填料間形成鍵，從而獲得具有高導熱性的放熱構件，但本發明並不限定於此。當然，亦可使經偶合處理後進而利用聚合性化合物進行了修飾的第1無機填料與經偶合處理的第2無機填料鍵結，在無機填料間形成鍵。 另外，本申請案的放熱構件用組成物亦可進而含有如第3無機填料及第4無機填料般的多種無機填料。例如，亦可進而含有第3無機填料，所述第3無機填料具有與第1無機填料及第2無機填料不同的熱膨脹率，且為與偶合劑的一端鍵結、或與聚合性化合物所鍵結的偶合劑的一端鍵結的導熱性的第3無機填料。 進而，可僅使用經偶合處理後進而利用聚合性化合物進行了修飾的無機填料，藉由適當的偶合起始劑等使聚合性化合物彼此鍵結，在無機填料間形成鍵。 即，本發明為在無機材料與有機化合物的複合化中，利用有機化合物在無機材料間形成鍵，從而使導熱性顯著提高，進而控制熱膨脹率者。 [實施例]
以下，使用實施例對本發明進行詳細說明。但是，本發明並不限定於以下實施例中所記載的內容。
本發明的實施例中所使用的構成放熱構件的成分材料如下所述。 ＜聚合性液晶化合物＞ ·液晶性環氧樹脂：下述式（3-1）～式（6-1）（捷恩智（JNC）股份有限公司製造） 可利用日本專利第5084148號公報中所記載的方法進行合成。 [化19]＜聚合性化合物＞ ·環氧樹脂：jER828（商品名，三菱化學股份有限公司製造） [化20]（7-1）   ·1,4-丁二醇二縮水甘油醚（東京化成工業股份有限公司製造） [化21]（8-1）   ＜填充材料＞ ·氮化硼：h-BN粒子（邁圖高新材料日本（Momentive Performance Materials Japan）（合）製造，（商品名）帕拉姆（PolarTherm）PTX-25） ＜矽烷偶合劑＞ ·3-胺基丙基三甲氧基矽烷（信越化學股份有限公司製造，（商品名）KBM-903） [化22]（9-1）   ·N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（捷恩智（JNC）股份有限公司製造，（商品名）S320） [化23]（10-1）   ·3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（捷恩智（JNC）股份有限公司製造，（商品名）S510） [化24]（11-1）   ·2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷（捷恩智（JNC）股份有限公司製造，（商品名）S530） [化25]（12-1）
[實施例1] ＜放熱構件的製備＞ 以下，表示放熱構件的製備例。 ·經偶合劑處理的氮化硼粒子的準備 將氮化硼粒子（PTX25，以下簡稱為BN）5.0 g與3-胺基丙基三甲氧基矽烷0.75 g添加至甲苯（無水）50 mL，使用攪拌器以750 rpm攪拌1小時，將所獲得的混合物在40℃下乾燥5小時，在室溫下乾燥19小時。進而，在溶劑乾燥後使用設定為125℃的真空乾燥機在真空條件下進行5小時加熱處理。 將該經偶合劑修飾的BN粒子移至樣品（sample）管並添加四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）（那卡萊（Nacalai Tesque）股份有限公司製造）50 mL後，藉由超音波處理（必能信（BRANSON）股份有限公司製造的型號（MODEL）450）進行粉碎。進而，使用離心分離機（日立工機股份有限公司製造的CT6E）以6000 rpm對該溶液進行10分鐘分離精製。捨棄上清液後，添加丙酮50 mL進行兩次同樣的操作。將精製後的經修飾的BN粒子在60℃的烘箱中乾燥24小時。將所獲得的粒子設為第1無機填料A。
秤量第1無機填料A與液晶性環氧樹脂（3-1）分別2 g與4 g（BN的調配比為19體積%）置於藥包紙上，使用研缽進行混合後，使用雙軸輥（日東反應機股份有限公司製造的HR-3）在120℃下混練10分鐘。其後，藉由超音波處理及離心分離進行分離精製，獲得去除了未反應成分的經偶合劑修飾的BN粒子。將該粒子設為第2無機填料B。
第1無機填料A及第2無機填料B的矽烷偶合劑或液晶性環氧樹脂對BN的被服量是使用熱重-差熱分析（Thermogravimetry-Differential Thermal Analysis，TG-DTA）裝置（精工電子（Seiko Instruments）股份有限公司（現在的日立先端科技（Hitachi High-Technologies）股份有限公司））製造的艾科斯塔（EXSTAR）TG/DTA5200），根據其在600℃下的加熱減量而算出。
·第1無機填料A與第2無機填料B的混合 秤量所製作的第1無機填料A 0.5972 g與第2無機填料B 1.4812 g，使用瑪瑙研缽進行混合後，使用雙軸輥在55℃下混合10分鐘。該重量比以第1無機填料A的NH（KBM903的反應基為NH2 ，因此將NH換算成2個）與第2無機填料B的環氧環的個數為1：1的方式而算出。
·聚合及成形 將所獲得的混合物夾於不鏽鋼製板中，使用設定為150℃的壓縮成形機（神藤金屬工業所股份有限公司製造的F-37）加壓至9.8 MPa，持續15分鐘加熱狀態，藉此進行配向處理與預硬化。即，在使混合物在不鏽鋼板之間擴展時，因BN為板狀粒子，故粒子與不鏽鋼板以平行的方式配向。另外，以試樣的厚度成為約200 μm的方式調整試樣的量。進而，使用烘箱在80℃下進行1小時後硬化，在150℃下進行3小時後硬化，製成成為目標的本發明的放熱構件。此外，在該狀態下將矽烷偶合劑與聚合性液晶化合物合計後的成分為約15體積%。
·導熱率及熱擴散率的評價 關於導熱率，預先求出放熱構件的比熱（利用精工電子股份有限公司（現在的日立先端科技（Hitachi High-Technologies）股份有限公司））製造的示差掃描熱量計（differential scanning calorimetry，DSC）型輸入補償型示差掃描熱量測定裝置艾科斯塔艾科斯塔（EXSTAR）6000而測定）與比重（藉由梅特勒-托利多（Mettler Toledo）製的比重計AG204密度測定套組（kit）而測定），將其值與藉由真空理工（Ulvac Riko）股份有限公司製造的TC7000熱擴散率測定裝置所求出的熱擴散率相乘，藉此求出導熱率。此外，厚度方向的熱擴散率是使用碳噴霧（carbon spray）對試樣進行黑化處理，使用標準的樣品固持器（holder）而測定。另外，平面方向的熱擴散率是製作使照射雷射的光點（spot）與檢測紅外線的光點之間相距5 mm的配接器（adapter），對試樣照射雷射，根據直至出現紅外線的時間與該距離而算出。
·熱膨脹率的評價 自所獲得的試樣切出5 mm×20 mm的試驗片，於室溫～250℃的範圍下求出熱膨脹率（利用現在的日立先端科技（Hitachi High-Technologies）股份有限公司製造的TMA7000型熱機械分析裝置進行測定）。溫度的範圍是根據所測定的試樣的耐熱性適當調整。
[實施例2] 使用不顯示液晶性的市售的雙酚A型聚合性化合物（jER828）代替聚合性液晶化合物（3-1）來作為聚合性化合物，且使用第1無機填料A 0.5687 g及第2無機填料C 1.5084 g，除此以外，與實施例1同樣地製成試樣並加以評價。將其結果設為實施例2。
[比較例1] 以樹脂成分（液晶性環氧樹脂成分＋二胺成分）成為15體積%的方式秤量與實施例1中所使用者相同的聚合性液晶化合物（3-1）、第1無機填料A及硬化劑中的胺系硬化劑（4,4'-二胺基-1,2-二苯基乙烷（和光純藥工業股份有限公司製造））置於藥包紙上，使用研缽進行混合後，使用雙軸輥（日東反應機股份有限公司製造的HR-3）在120℃下混練10分鐘。與實施例1同樣地將混合物夾於不鏽鋼板中，藉由加熱加壓進行聚合及成形。
[比較例2] 以樹脂成分成為15體積%的方式秤量與實施例2中所使用者相同的不顯示液晶性的市售的雙酚A型聚合性化合物（jER828）、第1無機填料A及硬化劑中的胺系硬化劑（4,4'-二胺基-1,2-二苯基乙烷（和光純藥工業股份有限公司製造））置於藥包紙上，使用研缽進行混合後，使用雙軸輥（日東反應機股份有限公司製造的HR-3）在120℃下混練10分鐘。與實施例1同樣地將混合物夾於不鏽鋼板中，藉由加熱加壓進行聚合及成形。
將對實施例1、實施例2與比較例1、比較例2的導熱率進行測定的結果示於表1中。 [表1] 表1：BN複合材料的導熱率
根據實施例1、實施例2及比較例1、比較例2判明，雖存在若干組成的不同，但在依據本發明的方法的藉由矽烷偶合劑與聚合性化合物使填料彼此直接鍵結的方法中，與使用二胺作為硬化劑的情況相比，具有平面方向的導熱率顯示大致相同的性能，在此種狀態下使厚度方向的導熱率提高至2倍以上的效果。認為其原因在於：藉由聚合性分子使並行堆積而成的板狀的BN的邊緣部分（具有反應性的部分）直接鍵結，經由該分子並藉由聲子振動而傳遞熱。
[實施例3] 作為聚合性化合物，使用將聚合性液晶化合物與不顯示液晶性的市售的雙酚A型聚合性化合物兩者以莫耳比成為1：1的方式混合而成的物質，除此以外，與實施例1同樣地製成試樣，評價熱膨脹率。將其結果設為實施例3。
[實施例4] 使用不顯示液晶性的市售的1,4-丁二醇二縮水甘油醚（東京化成工業股份有限公司製造）作為聚合性化合物，除此以外，與實施例1同樣地製成試樣，評價熱膨脹率。將其結果設為實施例4。
對實施例1、實施例2、實施例4、比較例1的試樣的熱膨脹率進行測定。將其結果示於表2（a）～表2（d）。 [表2]                   表2
根據該些結果可知：本發明的複合材料在耐熱溫度以下的溫度範圍顯示負的熱膨脹率。認為該負的熱膨脹率是由無機填料所具有的熱膨脹特性引起。另外可知：藉由使用液晶性的聚合性化合物，耐熱溫度或溫度循環的重複穩定性變佳。關於所述情況認為，液晶性的聚合性化合物直線性地傳播聲子，因此導熱良好，不僅如此，具有較多的環狀結構從而分子鏈自身的耐熱性高亦為大的因素。另一方面，在硬化劑中使用二胺的情況下，若為液晶性的聚合性化合物，則亦在100℃以下的溫度範圍中觀察到負的熱膨脹率，在100℃以上顯示正的熱膨脹率。放熱材料通常在高的溫度下使用，因此在100℃附近熱膨脹率發生變化的情況欠佳。 在一部分陶瓷或石墨的材料中發現具有負的熱膨脹率的材料，但在有機·無機混合材料中並無此種例子，因此認為適合用於如放熱與熱膨脹成為問題般的元件的部位。
藉由直至實施例4的研究發現，本發明的放熱構件具有負的熱膨脹率。在實際的電子元件中，與矽或碳化矽等半導體的熱膨脹率相近的情況下由熱變化所致的應變變少，因此進而藉由與具有正的熱膨脹率的填料複合化，可嘗試調整熱膨脹率。
[實施例5] 在聚合性化合物中使用聚合性液晶化合物（3-1），秤量與第1無機填料A同樣地藉由矽烷偶合劑對球狀氧化鋁（龍森股份有限公司製造的TS-6（LV））進行修飾的粉末、及第2無機填料B（藉由矽烷偶合劑與聚合性液晶化合物對BN進行修飾的粉末）分別0.5954 g與1.6400 g並加以混合。與實施例1同樣地對該粉末進行聚合·成形，並評價其導熱率與熱膨脹率。
[實施例6] 在聚合性化合物中使用聚合性液晶化合物（3-1），秤量與第1無機填料A同樣地藉由矽烷偶合劑對板狀氧化鋁（金生興業（kinseimatec）股份有限公司製造的塞拉夫（seraph）YFA02025）進行修飾的粉末、及第2無機填料B（藉由矽烷偶合劑與聚合性液晶化合物對BN進行修飾的粉末）分別0.5954 g與1.6400 g並加以混合。與實施例1同樣地對該粉末進行聚合·成形，並評價其導熱率與熱膨脹率。
[實施例7] 在聚合性化合物中使用聚合性液晶化合物（3-1），秤量與第1無機填料A同樣地藉由矽烷偶合劑對氮化鋁粉末（德山（Tokuyama）股份有限公司製造的H級（Grade））進行修飾的粉末、及第2無機填料B（藉由矽烷偶合劑與聚合性液晶化合物對BN進行修飾的粉末）分別0.0396 g與0.4035 g並加以混合。與實施例1同樣地對該粉末進行聚合·成形，並評價其導熱率與熱膨脹率。
[實施例8] 在聚合性化合物中使用聚合性液晶化合物（3-1），秤量與第1無機填料A同樣地藉由矽烷偶合劑對氮化鋁粉末（德山（Tokuyama）股份有限公司製造的H級（Grade））進行修飾的粉末、及第2無機填料B（藉由矽烷偶合劑與聚合性液晶化合物對BN進行修飾的粉末）分別0.1230 g與0.3510 g並加以混合。與實施例1同樣地對該粉末進行聚合·成形，並評價其導熱率與熱膨脹率。
將實施例5～實施例8的測定結果示於表3中。 [表3] 表3
根據表3可知：藉由追加適量的具有正的熱膨脹率的無機填料（氧化鋁、AIN等），可根據其添加量將熱膨脹率調整為負→正。另外，作為無機填料，相較於氧化鋁，添加氮化鋁的情況下的導熱率高。認為這是因為依存於無機填料自身的導熱率。另外判明，藉由追加無機填料，面方向的導熱率與厚度方向的導熱率的平衡發生變化。認為這是因為氮化硼的板狀粒子的配向狀態因所追加的無機填料而混亂。理想的是導熱率與熱膨脹率的平衡根據所使用的元件而適當調整。
實施例1～實施例8中是使用式（3-1）的液晶性環氧樹脂，實施例9是使用式（4-1）的液晶性環氧樹脂，實施例10是使用式（5-1）的液晶性環氧樹脂，實施例11是使用式（6-1）的液晶性環氧樹脂，並進行與實施例1相同的實驗。此外，僅將實施例11的硬化溫度提高至180℃。這是因為與氧雜環丙基相比，氧雜環丁基的反應性低，在相同的反應溫度下未能充分地進行聚合而成為非常脆弱的試樣。
將實施例9～實施例11的測定結果示於表4中。 [表4] 表4
若將實施例1與實施例9加以比較，則期待苯環越多導熱越良好，但認為所鍵結的酯鍵對所述情況帶來的負面影響大。另外，在實施例9與實施例10的比較中認為，若仍為相同的結構，則具有剛直且大的環結構的情況下聲子傳導快，導熱亦快。另外，在實施例10與實施例11的比較中認為，氧雜環丙基的反應性高，無機填料間的鍵數變多，因此導熱率良好。此外，在表4中，與實施例10相比，實施例11的平面方向的導熱率成為高的數值，認為這是因為實施例11的硬化溫度高20度，因此硬化時的空隙減少而導熱變高。 另外，在使用最偏離實施例1的結構的液晶性環氧樹脂的實施例11中觀察到負的熱膨脹率。認為這是因為相較於環氧樹脂，負的熱膨脹率承繼無機填料的特性。若亦鑒於實施例2的結果，則本發明中所使用的環氧化合物的選定理想的是與偶合劑的反應性高、具有耐熱性者，若為液晶性環氧樹脂，則進而導熱率亦高，因其結構耐熱性亦提高，因此理想的是根據所使用的元件所需的特性而適當選擇。
根據本發明可實現如下放熱構件，所述放熱構件的導熱率高，可將熱膨脹率調整為負～正，具有絕緣性，熱硬化性及加工性良好。藉由使用該放熱構件，可製作對放熱性與熱循環的可靠性高的元件。
[實施例12、實施例13] ＜放熱構件的製備＞ 與實施例1同樣地，將BN粒子（PTX25，邁圖（Momentive）製造）5.0 g與N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷（S320，捷恩智（JNC）股份有限公司製造）2.00 g添加至甲苯（無水）50 mL，使用攪拌器以750 rpm攪拌1小時，在40℃下放置5小時，在室溫下放置19小時。在溶劑乾燥後使用設定為125℃的真空乾燥機在真空條件下進行5小時加熱處理。 將該經偶合劑修飾的BN粒子移至樣品管並添加四氫呋喃（tetrahydrofuran，THF）（那卡萊（Nacalai Tesque）股份有限公司製造）50 mL後，藉由超音波處理（必能信（BRANSON）股份有限公司製造的型號（MODEL）450）進行粉碎。進而，使用離心分離機（日立工機股份有限公司製造的CT6E）以6000 rpm、10分鐘的條件對該溶液進行分離精製。捨棄上清液後，添加丙酮50 mL進行兩次同樣的操作。將精製後的BN粒子在60℃的烘箱中放置24小時來加以乾燥。將所獲得的粒子設為第1無機填料D。 進而，使用3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷（S510，捷恩智（JNC）股份有限公司製造）並進行同樣的操作而獲得第2無機填料E。 進而，使用2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷（S530，捷恩智（JNC）股份有限公司製造）並進行同樣的操作而獲得第2無機填料F。 所述無機填料D～無機填料F對矽烷偶合劑的被服量是分別與實施例1同樣地，使用TG-DTA裝置根據600℃下的加熱減量而算出。
＜試驗片的製作＞ 以規定的調配比秤量第1無機填料D與第2無機填料E，使用瑪瑙研缽進行混合後，與實施例1同樣地混練10分鐘。使用壓縮成形機將所得的混合物放入至在150℃下經加熱的模具中，進行20分鐘配向處理，在180℃下進行3小時後硬化而製成試樣。該試樣的BN的比例為92體積%（實施例12）。 同樣地對第1無機填料D與第2無機填料F亦進行配向處理與後硬化而獲得試樣。該試樣的BN的比例為90%（實施例13）。
將實施例12與實施例13的試樣的導熱率與熱膨脹率示於表5中。
[表5] 表5
根據實施例12與實施例13的結果可知：使經具有胺基的偶合劑修飾的BN與經具有環氧基的偶合劑修飾的BN反應，藉此可製作具有負的熱膨脹率且導熱率高的材料。關於所述情況，與如實施例1般使2官能以上的環氧樹脂進而與經具有胺基的偶合劑修飾的BN（無機填料A、無機填料D）反應而獲得具有環氧基的無機填料B等的情況相比，就不需要過剩的環氧樹脂及減少乾燥或精製步驟的觀點而言，不僅製成試樣變得簡便，而且原料的損耗亦少。另外，為了使導熱率亦並不遜色於實施例1而從事大量生產，認為凖備相互具有反應性的無機填料的情況下的效率良好。
針對本說明書中所引用的刊物、及包含日本專利申請案及日本專利的所有文獻，分別具體地表示各文獻並將其併入本案供參考、與在本說明書中敍述其全部內容均是以相同限度併入本發明中供參考。
關聯於本發明的說明（特別是關聯於以下的申請專利範圍）而使用的名詞及同樣的指示語的使用只要在本說明書中未特別指出或未明顯與文脈矛盾則可理解為涉及單數及複數兩者。語句「包括」、「具有」、「含有」及「包含」只要未特別說明則可理解為開放式術語（open end term）（即，「包含～但不限定」的含義）。本說明書中的數值範圍的詳細說明只要在本說明書中未特別指出，則僅意圖發揮作為用以逐個言及屬於該範圍內的各值的略記法的作用，如將各值在本說明書中逐個列舉般被組入至說明書中。本說明書中所說明的全部方法只要在本說明書中未特別指出或未明顯與文脈矛盾，則可以所有適當的順序進行。本說明書中所使用的所有例子或例示性措辭（例如「等」）只要未特別主張，則僅意圖更好地說明本發明，而並非設置對本發明的範圍的限制。不能將說明書中的任何措辭均理解為表示對實施本發明而言不可或缺的申請專利範圍中未記載的要素者。
在本說明書中，為了實施本發明，包括本發明者所知的最良好的實施方式在內，對本發明的較佳的實施方式進行說明。對於業者而言，在讀過所述說明後，可明確該些較佳的實施方式的變形。本發明者預想熟練者適當應用此種變形，預定利用除本說明書中具體地說明以外的方法實施本發明。因此，如基準法所容許般，本發明包含隨附於本說明書的申請專利範圍中記載的內容的變更及均等物的全部。進而，只要在本說明書中未特別指出或未與文脈矛盾，則全部的變形中的所述要素的任一組合均包含於本發明中。
1‧‧‧第1無機填料
2‧‧‧第2無機填料
3、4‧‧‧偶合劑
5‧‧‧聚合性化合物
圖1是在本申請案的放熱構件中，以氮化硼為例來表示無機填料彼此的鍵結的概念圖。 圖2是表示藉由放熱構件用組成物的硬化，第1無機填料1所鍵結的偶合劑3的另一端與第2無機填料2的聚合性化合物5鍵結的狀態的概念圖。 圖3是表示藉由放熱構件用組成物的硬化，第1無機填料1所鍵結的偶合劑3的另一端與第2無機填料2的偶合劑4鍵結的狀態的概念圖。

Claims (14)

  1. 一種放熱構件用組成物，其包含： 與偶合劑的一端鍵結的導熱性的第1無機填料；及 與偶合劑的一端鍵結且於鍵結有所述偶合劑的另一端進而鍵結有2官能以上的聚合性化合物的導熱性的第2無機填料；且 藉由硬化，所述第1無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與所述第2無機填料的所述聚合性化合物鍵結。
  2. 一種放熱構件用組成物，其包含： 與偶合劑的一端鍵結的導熱性的第1無機填料；及 與偶合劑的一端鍵結的導熱性的第2無機填料；且 所述第1無機填料所鍵結的偶合劑與所述第2無機填料所鍵結的偶合劑分別具有使偶合劑彼此鍵結的官能基， 藉由硬化，所述第1無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與所述第2無機填料所鍵結的偶合劑的另一端鍵結。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放熱構件用組成物，其中 所述第1無機填料與所述第2無機填料為氮化物、或碳材料。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的放熱構件用組成物，其中 所述第1無機填料與所述第2無機填料為選自氮化硼、碳化硼、硼碳氮、石墨、碳纖維、及碳奈米管中的至少一種。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放熱構件用組成物，其進而包含： 第3無機填料，所述第3無機填料具有與所述第1無機填料及所述第2無機填料不同的熱膨脹率，且為與偶合劑的一端鍵結、或與鍵結有聚合性化合物的偶合劑的一端鍵結的導熱性的第3無機填料。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的放熱構件用組成物，其進而包含： 所述第1無機填料及所述第2無機填料所未鍵結的有機化合物或高分子化合物。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的放熱構件用組成物，其中 所述2官能以上的聚合性化合物為於兩末端具有包含氧雜環丙基或氧雜環丁基的結構的聚合性化合物。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的放熱構件用組成物，其中 所述2官能以上的聚合性化合物為下述式（1-1）所表示的至少一種聚合性液晶化合物，   Ra1 -Z-(A-Z)m1 -Ra1 ･･･（1-1）   [所述式（1-1）中， Ra1 分別為下述式（2-1）～式（2-2）的任一者所表示的聚合性基； A為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、四氫萘-2,6-二基、茀-2,7-二基、雙環[2.2.2]辛-1,4-二基、或雙環[3.1.0]己-3,6-二基， 該些環上，任意的-CH2 -可被-O-取代，任意的-CH=可被-N=取代，任意的氫可被鹵素、碳數1～10的烷基、或碳數1～10的鹵化烷基取代， 所述烷基中，任意的-CH2 -可被-O-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、或-C≡C-取代； Z分別獨立地為單鍵、或碳數1～20的伸烷基， 所述伸烷基中，任意的-CH2 -可被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-N(O)=N-、或-C≡C-取代，任意的氫可被鹵素取代； m1為1～6的整數][式（2-1）～式（2-2）中，Rb 為氫、鹵素、-CF3 、或碳數1～5的烷基，q為0或1]。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的放熱構件用組成物，其中 所述式（1-1）中，A為1,4-伸環己基、任意的氫被鹵素取代的1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、任意的氫被鹵素或甲基取代的1,4-伸苯基、茀-2,7-二基、或任意的氫被鹵素或甲基取代的茀-2,7-二基。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的放熱構件用組成物，其中 所述式（1-1）中，Z為單鍵、-(CH2 )a -、-O(CH2 )a -、-(CH2 )a O-、-O(CH2 )a O-、-CH=CH-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、-CH2 CH2 -COO-、-OCO-CH2 CH2 -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-OCF2 -、或-CF2 O-，所述a為1～20的整數。
  11. 一種放熱構件， 其是使如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述的放熱構件用組成物硬化而獲得。
  12. 一種電子裝置，其包括： 如申請專利範圍第11項所述的放熱構件；及 具有發熱部的電子元件；且 將所述放熱構件以接觸於所述發熱部的方式配置於所述電子元件。
  13. 一種放熱構件的製造方法，其包括： 使導熱性的第1無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟； 使導熱性的第2無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟； 使所述第2無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與2官能以上的聚合性化合物鍵結的步驟；及 使所述第1無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與所述第2無機填料的所述2官能以上的聚合性化合物鍵結的步驟。
  14. 一種放熱構件的製造方法，其包括： 使導熱性的第1無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟； 使導熱性的第2無機填料與偶合劑的一端鍵結的步驟；及 使所述第1無機填料所鍵結的偶合劑的另一端與所述第2無機填料所鍵結的偶合劑的另一端鍵結的步驟。
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