TW201611053A - 複合磁性元件 - Google Patents

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Abstract

本發明係為一種複合磁性元件，其包含：一磁通量導引單元；一第一線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第一磁通由已纏繞完成之該第一線圈構件的一側開口處出發沿著一第一磁路徑回到該第一線圈構件的另一側開口處；以及一第二線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第二磁通由已纏繞完成之該第二線圈構件的一側開口處出發沿著一第二磁路徑回到該第二線圈構件的另一側開口處，其中，沿著該第一磁路徑的該第一磁通的方向與沿著該第二磁路徑的該第二磁通的方向於該磁通量導引單元內部彼此正交。

Description

複合磁性元件
本發明係關於一種磁性元件，尤指一種複合磁性元件。
局部區域網路(LAN)目前被應用於連接龐大數量的個人電腦、工作站、印表機及檔案伺服器等電子設備，而資料訊號則通過LAN電纜進行傳輸， 一般LAN電纜與網路設備連接的介面處需要使用脈波變壓器（ Pu l s e t r an s f o rme r ） 以及共模濾波器（Commo n -mo d e f i l t e r ） 這兩個元件。
請參閱圖1，其係為脈波變壓器與共模濾波器連接之等效電路圖，如圖所示，脈波變壓器11a的作用係為：a.在代表網路設備的實體（PHY）端與接入的LAN電纜之間作直流隔絕；b.維持高速數位訊號的傳輸品質，貢獻最低限度的失真。
上述a點主要係因為電子設備與網路設備接取點導體之間可能存在電位差，直接接觸可能會造成設備工作異常，因此需隔絕兩者的直流電位，使訊號以交流形式在LAN電纜上傳輸。再者，實體端包含有調變解調變及訊號處理等功能的微電子電路，這些敏感的電子電路經不起高電壓或高電流(Surge current)的衝擊，若經高電壓或高電流的衝擊則容易造成工作異常、電路毀損甚至於引發火災。另外，LAN電纜處於外在環境，容易因為溫度變化、電擊、配線施工等因素產生上述的電衝擊，因此使用脈波變壓器進行直流隔絕可對電子設備提供有效的保護。
至於，上述c點中所述之共模雜訊的成因主要為：外界干擾訊號經由輻射方式同時在差動對(Differential pair)線路的兩導體上感應而產生相位(Phase)相同之雜訊；以及外界干擾訊號經由共同接地或電源端以直流方式引入，如此也會同時在此兩導體上引發此類雜訊。
而共模濾波器12a的作用是加強對共模雜訊的壓制，因為脈波變壓器兩側線圈之間存在雜散電容，當共模雜訊頻率升高時，進入脈波變壓器其中一側的雜訊容易經由此雜散電容耦合到另一側形成洩漏，使用共模濾波器可加強壓制這種的高頻雜訊洩漏。
請再參閱圖1，如圖所示，脈波變壓器11a及共模濾波器12a於訊號路徑上係處於相鄰的位置，而且兩元件皆以導體線圈繞鐵磁材料製成，雖然使用脈波變壓器11a及共模濾波器12a這兩個元件確實可達到直流隔絕保護以及壓制共模雜訊的功效，但是，隨著電子設備朝微小化發展以及生產成本降低的發展趨勢下，習知技術中脈波變壓器11a及共模濾波器12a是以各自的導體線圈繞在兩個各自獨立的鐵磁材料製成的實施態樣將增加生產成本。再者，脈波變壓器11a及共模濾波器12a為各自獨立的元件將使得生產完成後的電子設備體積過大，而無法符合微小化的發展趨勢。
再者，使用時，兩個各自獨立的磁性元件需要距離一特定的間距以上，才可以防止彼此間相互磁耦合的干擾所造成的電性不正確或不良，所以不利產品小型化。尤其是在1GB以上乙太網路的高頻及4通道同時運作時，例如100~400 M Hz，彼此間相互磁耦合更是嚴重。
因此，如何發展一種複合磁性元件，實為目前迫切需要解決之問題。
本案之主要目的在於提供一種複合磁性元件，俾解決習知例如脈波變壓器及共模濾波器等磁性元件是以各自的導體線圈繞在各自獨立的鐵磁材料製成，將增加生產成本，以及例如脈波變壓器及共模濾波器等磁性元件為各自獨立的元件在使用時需要距離一特定的間距以上，才可以防止彼此間相互磁耦合的干擾，將使得生產完成後的電子設備體積過大，而無法符合微小化的發展趨勢等缺點。
本案之另一目的在於提供一種複合磁性元件，可將兩個單獨功用之磁性元件的線圈組繞設於同一個磁通量導引單元上，可達到節省生產成本及減少元件數量的效能。
為達上述目的，本案之一較廣義實施態樣為提供一種複合磁性元件，其包含：一磁通量導引單元；一第一線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第一磁通由已纏繞完成之該第一線圈構件的一側開口處出發沿著一第一磁路徑回到該第一線圈構件的另一側開口處；以及一第二線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第二磁通由已纏繞完成之該第二線圈構件的一側開口處出發沿著一第二磁路徑回到該第二線圈構件的另一側開口處，其中，沿著該第一磁路徑的該第一磁通的方向與沿著該第二磁路徑的該第二磁通的方向於該磁通量導引單元內部彼此正交。
為達上述目的，本案之另一較廣義實施態樣為提供一種複合磁性元件，其包含：一磁通量導引單元；一第一線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第一磁通由已纏繞完成之該第一線圈構件的一側開口處出發沿著一第一磁路徑回到該第一線圈構件的另一側開口處；以及一第二線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第二磁通由已纏繞完成之該第二線圈構件的一側開口處出發沿著一第二磁路徑回到該第二線圈構件的另一側開口處，其中，沿著該第一磁路徑的該第一磁通的方向與沿著該第二磁路徑的該第二磁通的方向於該磁通量導引單元內部之相互交會處彼此交會，於該相互交會處，至少部分之該第一磁通的方向與至少部分之該第二磁通的方向彼此正交。
體現本案特徵與優點的一些典型實施例將在後段的說明中詳細敘述。應理解的是本案能夠在不同的態樣上具有各種的變化，其皆不脫離本案的範圍，且其中的說明及圖示在本質上係當作說明之用，而非用以限制本案。
本案之複合磁性元件可由磁通量導引單元、第一線圈構件以及第二線圈構件所組成，其中，磁通量導引單元、第一線圈構件以及第二線圈構件可整合於一電路基板(本圖未示出)中，第一線圈構件以及第二線圈構件分別纏繞於磁通量導引單元的不同部份上，以使第一線圈構件與第二線圈構件分別與磁通量導引單元構成在電性上彼此獨立的第一磁性元件及第二磁性元件，除了可將兩個單獨功用之磁性元件的線圈構件繞設於同一個磁通量導引單元上外，本案僅使用單一個磁通量導引單元可達到節省生產成本，以及減少元件數量之功效。
本案之複合磁性元件所包含之第一線圈構件以及第二線圈構件可分別由單一線圈或是複數個線圈所構成，且磁通量導引單元的結構亦有多種不同的實施態樣，以下將進一步提出說明。
請參閱圖2，其係為本案第一較佳實施例之複合磁性元件之等效電路圖，如圖所示，本實施例之第一線圈構件W21 具有第一線圈W211 及第二線圈W212 ，而第二線圈構件W22 則具有第三線圈W221 及第四線圈W222 ，第一線圈W211 的兩端分別與一第一側第一端P21 及一第一側第二端P22 連接，而第二線圈W212 的兩端則分別與一第一連接點N21 及一第二連接點N22 連接，第三線圈W221 的一端與第一連接點N21 連接，另一端與一第二側第一端CM21 連接，第四線圈W222 之一端與第二連接點N22 連接，另一端則與一第二側第二端CM22 連接。例如，第一線圈W211 及第二線圈W212 可以是脈波變壓器的初級線圈及次級線圈。
請參閱圖3A，其係為適用於圖2之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，本實施例之複合磁性元件3包含磁通量導引單元31、第一線圈構件W21 及第二線圈構件W22 ，於本實施例中，磁通量導引單元31為一環狀導磁芯311，其截面為圓形、方形或其他多邊形，其中，第一線圈構件W21 與第二線圈構件W22 分別與磁通量導引單元31構成彼此獨立的一第一磁性元件及一第二磁性元件，第一磁性元件可為但不限為一脈波變壓器，而第二磁性元件可為但不限為一共模濾波器，且第一線圈構件W21 具有第一線圈W211 及第二線圈W212 ，而第二線圈構件W22 具有第三線圈W221 及第四線圈W222 ，第一線圈構件W21 及第二線圈構件W22 均纏繞於環狀導磁芯311的不同部位上，以分別產生一第一磁通32及一第二磁通33。第一側兩端的訊號(port 1)與第二側兩端的訊號(port 2)是第一磁性元件及第二磁性元件各獨立運作的結果。
請參閱圖3B，其係為圖3A之A-A剖面移除第二線圈構件後之結構示意圖，如圖所示，第一磁通32由已纏繞於環狀導磁芯311上之第一線圈構件W21 的一側開口341處出發沿著第一磁路徑35回到第一線圈構件W21 的另一側開口342處，其中，第一磁路徑35可以由磁通量導引單元31，即環狀導磁芯311的形狀以及其對應之第一線圈構件W21 的纏繞位置決定，其在磁通量導引單元31內的路徑形狀與磁通量導引單元31的環形狀外邊線實質上相似，如圖3B所示，第一磁路徑35在環狀導磁芯311內的路徑形狀與環狀導磁芯311的環形狀外邊線實質上相似，且第一磁路徑35為一封閉路徑，其全部的路徑都在環狀導磁芯311的內部，亦即第一磁通32的方向沿著環狀導磁芯311的圓周方向。
請再參閱圖3B及圖3A，第一線圈構件W21 係沿著磁通量導引單元31的第一纏繞處312之一第一軸線Ax1 徑向纏繞，且第一軸線Ax1 與第一磁路徑35經過第一線圈構件W21 之開口341、342處的方向實質上相同。本說明書中所稱「軸線」為一假想線，通過線圈（構件）內每一圈的中心點，可以是直線或曲線，於此例中，第一軸線Ax1 沿著環狀導磁芯311的切線方向（圓周方向），整個第一軸線Ax1 位於環狀導磁芯311內部，呈現環狀。
請參閱圖3C，其係為圖3A之A-A剖面移除第一線圈構件後之結構示意圖，如圖所示，第二磁通33由已纏繞於環狀導磁芯311上之第二線圈構件W22 的一側開口361處出發沿著第二磁路徑37回到第二線圈構件W22 的另一側開口362處，其中，第二磁路徑37可以由磁通量導引單元31，即環狀導磁芯311的環形狀以及其對應之第二線圈構件W22 的纏繞位置決定，如圖3C所示，第二磁路徑37為一封閉路徑，其局部的路徑在環狀導磁芯311的內部。
請再參閱圖3C及圖3A，第二線圈構件W22 沿著磁通量導引單元31的第二纏繞處313之一第二軸線Ax2 纏繞，且第二軸線Ax2 與第二磁路徑37經過第二線圈構件W22 之開口361、362處的方向實質上相同。
請再參閱圖3A、3B、圖3C及圖3D，其中圖3D係為結合圖3B及圖3C的磁通方向示意圖，如圖3B、圖3C所示，磁通量導引單元31的第一纏繞處312及第二纏繞313處分別為環狀導磁芯311的一環狀主體3111及一環狀圓周3112，第一軸線Ax1 為環狀主體3111的環狀軸線，其方向可視為環狀導磁芯311的切線方向（圓周方向），而第二軸線Ax2 則垂直經過環狀導磁芯311，可視為環狀導磁芯311的對稱軸。第一磁路徑35會經過環狀導磁芯311且呈現環狀形，第二磁路徑37會垂直經過環狀導磁芯311，第二磁通33沿著第二磁路徑37垂直通過環狀導磁芯311，使第一磁通32的方向與第二磁通33的方向在環狀導磁芯311內部彼此正交（如圖3D所示），即沿著第一磁路徑35的第一磁通32的方向與沿著第二磁路徑37的第二磁通33的方向於磁通量導引單元31內部彼此正交，可使得第一線圈構件W21 與第二線圈構件W22 上的訊號之間有最小程度的干擾，利用上述正交特性，可使第一線圈構件W21 與第二線圈構件W22 產生的磁通彼此間的影響或磁耦合率小於1%~20%的比率，因此第一線圈構件W21 與第二線圈構件W22 可以維持習知分別環繞於不同且互為獨立的兩個磁通量導引單元的相同電性功能，而此等同於電磁波的傳播特性，當兩電磁波極化方向互為正交時，則在兩個線圈組同時運作時彼此之間有最小程度的干擾，且本案僅使用單一個磁通量導引單元31可達到節省生產成本，以及減少元件數量之功效。
於本實施例中，如圖3A、3B所示，第一線圈構件W21 之第一線圈W211 與第二線圈W212 環繞在環狀主體3111之環狀軸線上，即第一軸線Ax1 上，且該環狀軸線為該環狀主體3111的環狀形，而如圖3A、圖3C所示，第二線圈構件W22 之第三線圈W221 與第四線圈W222 則環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112之外壁上，但不以此為限，於不同的實施態樣中，第三線圈W221 與第四線圈W222 亦可環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的內壁上。
當然，圖3A所示之第一線圈W211 、第二線圈W212 、第三線圈W221 以及第四線圈W222 環繞於環狀導磁芯311的實施態樣並不限於圖3A所示，請參閱圖4，其係為適用於圖2之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，於另一些實施例中，第二線圈構件W22 之第三線圈W221 與第四線圈W222 環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的外壁上，但不以此為限，第三線圈W221 與第四線圈W222 亦可環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的內壁上，而第一線圈構件W21 的第一線圈W211 與第二線圈W212 則環繞在環狀主體3111之環狀軸線及第三線圈W221 與第四線圈W222 上。至於，圖4所揭露之複合磁性元件4的其它結構特徵均與圖3A相似，於此不再重複提出說明。
請參閱圖5A、5B及5C，其中圖5A係為適用於圖2之複合磁性元件之結構示意圖，圖5B係為圖5A所示之柱狀結構及第一線圈構件之結構示意圖，圖5C係為圖5A所示之矩形環狀結構及第二線圈構件之結構示意圖，如圖5A所示，本實施例之複合磁性元件5的實施態樣為磁通量導引單元51具有一柱狀結構511及一矩形環狀主體512，柱狀結構511與矩形環狀主體512之內壁連接，第一纏繞處5111及第二纏繞處5121分別為柱狀結構511及矩形環狀主體512之表面，第一線圈構件W21 之第一線圈W211 與第二線圈W212 環繞在柱狀結構511之第一纏繞處5111上，具有第一軸線Ax3 ，第二線圈構件W22 之第三線圈W221 與第四線圈W222 則環繞於矩形環狀主體512之外壁上，具有第二軸線Ax4 ，如圖5B所示，第一磁路徑55係與柱狀結構511及矩形環狀主體512呈現水平狀態，如圖5C所示，第二磁路徑57則垂直穿透過柱狀結構511及矩形環狀主體512，使得第一磁通52由已於柱狀結構511之第一纏繞處5111上纏繞完成之第一線圈構件W21 的一側開口541處出發沿著第一磁路徑55回到第一線圈構件W21 的另一側開口542處，而第二磁通53則沿著第二磁路徑57垂直穿透過柱狀結構511及矩形環狀主體512，即第二磁通53由已於矩形環狀主體512之第二纏繞處5121纏繞完成之第二線圈構件W22 的一側開口561處出發沿著第二磁路徑57回到第二線圈構件W22 的另一側開口562處，如圖5A所示，使得第一磁通52的方向與第二磁通53的方向在磁通量導引單元51內部彼此正交。
請參閱圖6，其係為本案第二較佳實施例之複合磁性元件之等效電路圖，如圖所示，本實施例之第一線圈構件W61 具有第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 及第四線圈W614 ，第二線圈構件W62 則具有第五線圈W621 及第六線圈W622 ，且第一線圈構件W61 上設置有第一中央抽頭CT1及第二中央抽頭CT2，第一線圈W611 之兩端分別與第一側第一端P61 及第一中央抽頭CT1連接，第二線圈W612 之兩端分別與第一側第二端P62 及第一中央抽頭CT1連接，第三線圈W613 之兩端則分別與第一連接點N61 及第二中央抽頭CT2連接，第四線圈W614 之兩端分別與第二連接點N62 及第二中央抽頭CT2連接，第五線圈621之兩端與第一連接點N61 及第二側第一端CM61 連接，第六線圈W622 之兩端與第二連接點N62 及第二側第二端CM62 連接。例如，第一線圈W611 及第二線圈W612 可以是脈波變壓器的初級線圈；第三線圈W613 及第四線圈W614 可以是脈波變壓器的次級線圈。
其中圖6所示之第一線圈W611 與第二線圈W612 的繞線方向係相同，第三線圈W613 與第四線圈W614 的繞線方向相同，至於，第一線圈W611 、第三線圈W613 、第五線圈W621 及第六線圈W622 的繞線方向則可以根據不同的實施態樣選擇以相同或相異的方向進行纏繞。
請參閱圖7，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，本實施例中，第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 係依序環繞在環狀導磁芯311的環狀主體3111之環狀軸線上且該環狀軸線為環狀主體3111的環狀形，而第五線圈W621 與第六線圈W622 則環繞於環狀導磁芯311的環狀圓周3112的外壁上，但不以此為限，第五線圈W621 與第六線圈W622 亦可環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的內壁上。至於，圖7所揭露之複合磁性元件的其它結構特徵均與圖3A相似，於此不再重複提出說明。
請參閱圖8，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，於另一些實施例中，第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 依序環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的外壁上，但不以此為限，第五線圈W621 與第六線圈W622 亦可環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的內壁上，其軸線均為環狀導磁芯311之對稱軸，而第一線圈構件W61 的第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 則依序環繞在環狀主體3111之環狀軸線及第五線圈W621 與第六線圈W622 上，其軸線方向為環狀導磁芯311之切線方向（圓周方向）。至於，圖8所揭露之複合磁性元件的其它結構特徵均與圖3A相似，於此不再重複提出說明。
當本案複合磁性元件所包含之第一線圈構件或第二線圈構件由複數個線圈構成時，複數個線圈的繞設方式可為：如圖3A、圖4、圖7及圖8所示，將複數個線圈依照第一線圈、第二線圈至第n線圈的順序繞設於磁通量導引單元上；或是如圖9所示，先將第一線圈構件W61 的第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 同時繞設於環狀導磁芯311上，以及將第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 同時繞設於環狀導磁芯311上後，再依照各線圈之間的關係進行連線。
另外，於一些實施例中，請參閱圖10A，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，可先將第一線圈構件W61 所包含的所有線圈彼此之間先繞在一起，及將第二線圈構件W62 所包含的所有線圈彼此之間先繞在一起後，再將繞設完成之第一線圈構件W61 繞設於環狀導磁芯311之環狀主體3111上，然後，再將繞設完成之第二線圈構件W62 環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的外壁上，後續則根據各線圈之間的關係進行連接。當然，第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 所自所包含的線圈均纏繞在一起後，亦可先將第二線圈構件W62 先環繞於環狀導磁芯311之環狀圓周3112的外壁上後，再將第一線圈構件W61 繞設於環狀導磁芯311之環狀主體3111及第二線圈構件W62 上(如圖10B所示)。
請參閱圖10C及圖10D，其中圖10C係為圖10B所示之複合磁性元件與組裝構件之示意圖，圖10D係為圖10C之部分組裝結構示意圖，如圖10C所示，本實施例所揭露之組裝構件10可包含一下殼體101、一上殼體102以及複數個電極接腳103 ，其中下殼體101具有容置空間1011，環狀導磁芯311設置於容置空間1011內部，待第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 繞設於環狀導磁芯311上且設置於容置空間1011內部（如圖10D所示）後，即可透過複數個電極接腳103的一端與第一側第一端P61 、第一側第二端P62 、第一中央抽頭CT1、第二中央抽頭CT2、第二側第一端CM61 及第二側第二端CM62 連接（本圖未示出），後續將下殼體101與上殼體102相連接以形成一殼體結構後即可完成組裝步驟，而複數個電極接腳103的另一端可與對應之系統電路板（本圖未示出）進行連接。
請參閱圖11A，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，於本實施例中，複合磁性元件11包含磁通量導引單元111、第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 ，於本實施例中，磁通量導引單元111為一柱狀導磁芯1111，其中，第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 分別與磁通量導引單元111構成彼此獨立的一第一磁性元件及一第二磁性元件，第一磁性元件可為但不限為一脈波變壓器，而第二磁性元件可為但不限為一共模濾波器，且第一線圈構件W61 具有第一線圈W611 及第二線圈W612 、第三線圈W613 及第四線圈W614 ，而第二線圈構件W62 具有第五線圈W621 及第六線圈W622 。
請參閱圖11A、圖11B及圖11C，其中圖11B係為圖11A中移除第二線圈構件之結構示意圖，圖11C係為圖11A中移除第一線圈構件之結構示意圖，如圖所示，第一纏繞處112及第二纏繞處113分別為柱狀導磁芯1111中的第一相對邊1112與第二相對邊1113，而第一軸線Ax5 為柱狀導磁芯1111之一水平軸線X1 ，第二軸線Ax6 為柱狀導磁芯1111之一垂直軸線Y1 ，而第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 環繞於柱狀導磁芯1111之第一相對邊1112的水平軸線X1 上，第五線圈W621 與第六線圈W622 環繞於柱狀導磁芯1111之第二相對邊1113的垂直軸線Y1 上，其中第一相對邊1112與第二相對邊1113呈正交。
請再參閱圖11A及11B，第一線圈構件W61 纏繞於柱狀導磁芯1111的第一纏繞處112之上，以產生一第一磁通114，第一磁通114由已纏繞於柱狀導磁芯1111上之第一線圈構件W61 的一側開口1151處出發沿著第一磁路徑116回到第一線圈構件W61 的另一側開口1152處。
請再參閱圖11A及11C，第二線圈構件W62 纏繞於柱狀導磁芯1111的第二纏繞處113上，以產生一第二磁通117，第二磁通117由已纏繞於柱狀導磁芯1111上之第二線圈構件W62 的一側開口1181處出發沿著第二磁路徑119回到第二線圈構件W62 的另一側開口1182處，使得第一磁通114的方向與第二磁通117的方向在柱狀導磁芯1111內部彼此正交（如圖11A所示），即沿著第一磁路徑116的第一磁通114的方向與沿著第二磁路徑119的第二磁通117的方向於磁通量導引單元111內部彼此正交。
請參閱圖12A及圖12B，其中圖12A係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，圖12B係為適用於圖12A之電極單元之示意圖，如圖12A所示，複合磁性元件12之磁通量導引單元121具有柱狀結構1211及矩形環狀主體1212，於本實施例中，矩形環狀主體1212更具有複數個電極單元1213，可作為如圖6所示之第一側第一端P61 、第一中央抽頭CT1、第一側第二端P62 、第二側第一端CM61 、第二中央抽頭CT2、第二側第二端CM62 ，主要用來供第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 及第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 之間電性連接。
請再參閱圖12B，如圖所示，複數個電極單元1213(L形)係與矩形環狀主體1212連接，而第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 及第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 之間主要透過每一線圈兩終端的線頭122與電極單元1213連接，以透過電極單元1213來完成第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 之間的連接關係。連接方式可為錫焊、雷射或電極等加熱式之高溫熔接。至於，圖12A及12C所揭露之複合磁性元件與圖5A的差異點在於第一線圈構件所包含的線圈數量，即圖12A及12C所揭露之第一線圈構件W61 包含第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 且環繞在柱狀結構1211上，圖5A所揭露之第一線圈構件W21 則包含第一線圈W211 及第二線圈W212 ，而圖12A及12C所揭露之複合磁性元件的其它結構特徵均與圖5A相似，於此不再重複提出說明。
請再參閱圖12A，本實施例之第一線圈構件W61 的第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 及第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 的繞設方式為，依照第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 、第四線圈W614 、第五線圈W621 與第六線圈W622 的順序繞設於磁通量導引單元121上，舉例而言，第一線圈W611 一端的線頭122先與電極單元1213，即第一側第一端P61 ，連接後在繞設於柱狀結構1211上，繞設完成後再將第一線圈W611 另一端的線頭122連接至對應的電極單元1213，即第一中央抽頭CT1，以完成第一線圈W611 的連接，後續則將第二線圈W612 一端的線頭122連接至對應的電極單元1213，即第一中央抽頭CT1，連接後再繞設於柱狀結構1211上，繞設完成後再將第二線圈W612 另一端的線頭122連接至對應的電極單元1213，即第一側第二端P61 ，以完成第二線圈W612 的連接，後續則依照上述的方式將第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 分別繞設於磁通量導引單元121之柱狀結構1211及矩形環狀主體1212上。
當然，第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 繞設於磁通量導引單元121纏繞方式並不侷限於圖12A所揭露的方式，請參閱圖12C，於其它實施例中，可先將第一線圈構件W61 的第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 同時先繞設於柱狀結構1211上，以及將第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 同時繞設於矩形環狀主體1212上後，再依照各線圈之間的關係進行連線。如圖6及圖12C所示，舉例而言，將第一線圈W611 一端的線頭122與電極單元1213，即第一側第一端P61 ，連接，而第一線圈W611 另一端的線頭122則連接至對應的電極單元1213，即第一中央抽頭CT1，以完成第一線圈W611 的連接，至於，第二線圈W612 一端的線頭122連接至對應的電極單元1213，即第一中央抽頭CT1，另一端的線頭122則連接至對應的電極單元1213，即第一側第二端P62 ，後續則依照將第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 所含之線圈的兩端線頭122分別連接至對應的電極單元1213，即可將第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 繞設於磁通量導引單元121上。
請參閱圖13A，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，本實施例之複合磁性元件13具有磁通量導引單元131、第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 ，其中磁通量導引單元131具有一H形主體132及一板形結構133，而H形主體132具有一柱狀部1321以及於柱狀部1321之兩側邊分別具有一凸出部1322，柱狀部1321的截面可為圓形、方形或其他多邊形，第一纏繞處13211及第二纏繞處13221分別為柱狀部1321及凸出部1322，第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 及第四線圈W614 環繞在柱狀部1321之第一纏繞處13211上，具有沿著柱狀部1321長度方向的第一軸線Ax7 ，第五線圈W621 與第六線圈W622 跨設環繞於兩凸出部1322之第二纏繞處13221外壁上，具有與第一軸線Ax7 垂直的第二軸線Ax8 。第一磁路徑135係與H形主體132及板形結構133呈現水平狀態，第二磁路徑137會沿著H形主體132的寬度方向（即第二軸線Ax8 ）垂直穿透過H形主體132及板形結構133，第一磁通134於H形主體132及板形結構133內部沿著第一磁路徑135，第二磁通136則沿著第二磁路徑137垂直穿透過H形主體132及板形結構133，使該第一磁通134的方向與第二磁通136的方向在磁通量導引單元131內部彼此正交。
請參閱圖6、圖13A及13B，其中圖13B係為圖13A所示之第一線圈構件與第二線圈構件之間藉由電極單元連接之示意圖，如13A及13B所示，複合磁性元件13之磁通量導引單元131之H形主體132的凸出部1322上更可設置有複數個電極單元138，可作為如圖6所示之第一側第一端P61 、第一中央抽頭CT1、第一側第二端P62 、第二側第一端CM61 、第二中央抽頭CT2、第二側第二端CM62 ，主要用來供第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 及第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 之間電性連接。
請再參閱圖13B，第一線圈W611 之兩端分別與作為第一側第一端P61 及第一中央抽頭CT1之電極單元138連接，第二線圈W612 之兩端分別與作為第一側第二端P62 及第一中央抽頭CT1之電極單元138連接，第三線圈W613 之一端與作為第二中央抽頭CT2之電極單元138連接，另一端則與第一連接點N61 連接，第四線圈W614 之一端與作為第二中央抽頭CT2之電極單元138連接，另一端則與第二連接點N62 連接，第五線圈621之一端與第一連接點N61 連接，另一端則與作為第二側第一端CM61 之電極單元138連接，第六線圈W622 之一端與第二連接點N62 連接，另一端則與作為第二側第二端CM62 之電極單元138連接。
請再參閱圖13A，第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 係以跨設環繞於兩凸出部1322之外壁上的方式進行纏繞，但是，第二線圈構件W62 的繞設方式並不以此為限，請參閱圖14，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，於一些實施例中，複合磁性元件14之磁通量導引單元131的第一纏繞處13211為柱狀部1321，而第二纏繞處141則為板形結構133及凸出部1322的部分外壁上，第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 及第四線圈W614 環繞在柱狀部1321之第一纏繞處13211上，而具有平行於柱狀部1321長度方向的第一軸線Ax7 ，於H形主體132及板形結構133組裝後（例如板形結構133以水平狀態與兩個凸出部1322接合），第五線圈W621 與第六線圈W622 跨設環繞於兩凸出部1322及板形結構133外壁的第二纏繞處141上，而具有與第一軸線Ax7 垂直的第二軸線Ax8 。第一磁路徑135係與H形主體132及板形結構133呈現水平狀態，第二磁路徑137會垂直穿透過H形主體132及板形結構133，第一磁通134於H形主體132及板形結構133內部沿著第一磁路徑135環繞，第二磁通136則沿著第二磁路徑137垂直穿透過H形主體132及板形結構133，使該第一磁通134的方向與第二磁通136的方向在磁通量導引單元131內部彼此正交。至於，第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 所包含的複數個線圈之間利用電極單元138進行連接的關係已詳述於圖13B及其對應的說明中，於此不再重複提出說明。另外，圖14所揭露之複合磁性元件14的其它結構特徵均與圖13A相似，於此不再重複提出說明。
請參閱圖15A，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，本實施例之複合磁性元件15具有磁通量導引單元151、第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 ，其中，磁通量導引單元151具有一雙H形主體152、一第一板形結構153及一第二板形結構154，雙H形主體152具有柱狀部1521以及於柱狀部1521之兩側邊分別具有第一凸出部1522，且於兩該第一凸出部1522之間具有一第二凸出部1523，以將柱狀部1521分隔為第一繞線區域15211及第二繞線區域15212，第二板形結構154可與第二凸出部1523及一第一凸出部1522直接接觸，或是未接觸但透過黏合劑（binder，未繪示）連接，第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 及第四線圈W614 環繞在第一繞線區域15211上，第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 則環繞於第二繞線區域15212上，第一磁路徑155會經過雙H形主體152之第一凸出部1522、第一繞線區域15211與第二凸出部1523及第一板形結構153，而第二磁路徑157則經過雙H形主體152之第二凸出部1523、第二繞線區域15212、雙H形主體152另一側之第一凸出部1522及第二板形結構154，第一磁通156沿著第一磁路徑155環繞，第二磁通158則沿著第二磁路徑157環繞，使第一磁通156的方向與第二磁通158的方向在該磁通量導引單元151內部之相互交會處彼此正交，即如圖15A所示，第一磁通156的方向與第二磁通158的方向在該磁通量導引單元151內部之相互交會處係位於第二凸出部1523，於第二凸出部1523之第一磁通156的磁通方向Y2 與第二磁通158的磁通方向Z1 彼此之間係呈現正交的關係，可使得第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 上的訊號之間有最小程度的干擾，因此第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 可以維持習知分別環繞於不同磁通量導引單元的功能，且僅使用單一個磁通量導引單元151即可分別與第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 構成彼此獨立的第一磁性元件及第二磁性元件，可達到節省生產成本以及減少元件數量之功效。
如果第二板形結構154的高度與第一板形結構153有重疊到，則第二磁路徑157會經過第一板形結構153、雙H形主體152之第二凸出部1523、第二繞線區域15212、雙H形主體152另一側之第一凸出部1522及第二板形結構154，第一磁通156的方向與第二磁通158的方向在該磁通量導引單元151內部之相互交會處係位於第二凸出部1523以及第一板形結構153之相對區域1531處，於第二凸出部1523以及第一板形結構153之相對區域1531內，大部分（例如超過80~99%）第一磁通156的磁通方向為Y2 ，大部分（例如超過80~99%）第二磁通158的磁通方向Z1 ，彼此之間係呈現正交的關係，只有少部分於相對區域1531內的磁通沒有正交，例如針對磁通量導引單元151內的所有相互交會處，沒有與第二磁通158彼此正交的第一磁通156少於1%~20%，反之亦然，磁通彼此間的影響或磁耦合率小於1%~20%的比率，因此第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 上的訊號之間仍能保持最小程度的干擾，第一磁性元件及第二磁性元件仍可視為彼此獨立。
請參閱圖6、圖15A及15B，其中圖15B係為圖15A所示之第一線圈構件與第二線圈構件之間藉由電極單元連接之示意圖，如圖15B所示，磁通量導引單元151之雙H形主體152兩側的第一凸出部1522及中間的第二凸出部1523上更可設置有複數個電極單元159，可作為如圖6所示之第一側第一端P61 、第一中央抽頭CT1、第一側第二端P62 、第二側第一端CM61 、第二中央抽頭CT2、第二側第二端CM62 、第一連接點N61 及第二連接點N62 ，主要用來供第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 及第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 之間電性連接。
請再參閱圖15B，第一線圈W611 之兩端分別與作為第一側第一端P61 及第一中央抽頭CT1之電極單元159連接，第二線圈W612 之兩端分別與作為第一側第二端P62 及第一中央抽頭CT1之電極單元159連接，第三線圈W613 之兩端分別與作為第二中央抽頭CT2及第一連接點N61 之電極單元159連接，第四線圈W614 之兩端分別與作為第二中央抽頭CT2及第二連接點N62 之電極單元159連接，第五線圈W621 之兩端分別與作為第一連接點N61 及第二側第一端CM61 之電極單元159連接，第六線圈W622 之兩端分別與作為第二連接點N62 及第二側第二端CM62 之電極單元159連接。
請參閱圖16A，其係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，本實施例之複合磁性元件16具有磁通量導引單元161、第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 ，其中，該磁通量導引單元161為一柱狀導磁芯162，具有一柱狀主體1621及複數個繞線通道，本實施例具有第一繞線通道1622及第二繞線通道1623，第一繞線通道1622與第二繞線通道1623的開口方向彼此之間呈正交關係，第一繞線通道1622被外壁結構1624（U形）及中間側壁結構1626包圍，而第二繞線通道1623被外壁結構1625（U形）及中間側壁結構1626包圍。第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 及第四線圈W614 貫穿對應之第一繞線通道1622且環繞於第一繞線通道1622周圍之該柱狀主體1621上，即環繞於外壁結構1624上，第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 則貫穿對應之第二繞線通道1623且環繞於第二繞線通道1623周圍之柱狀主體1621上，即環繞於外壁結構1625上，繞線完成之第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 分別於第一繞線通道1622與第二繞線通道1623周圍之柱狀主體1621上所產生的磁通方向，在第一繞線通道1622周圍之柱狀主體1621與第二繞線通道1623周圍之柱狀主體1621彼此之間於相互交會處係呈現正交的關係，如圖16A所示，第一線圈構件W61 所產生之第一磁通163與第二線圈構件W62 所產生之第二磁通164於相互交會處中間側壁結構1626的磁通方向分別為Z2 與Y3 ，由圖中可知，第一磁通163的磁通方向Z2 與第二磁通164的磁通方向Y3彼此之間係呈現正交的關係，可使得第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 上的訊號之間有最小程度的干擾，因此第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 可以維持習知分別環繞於不同磁通量導引單元的功能，且僅使用單一個磁通量導引單元161即可分別與第一線圈構件W61 及第二線圈構件W62 構成彼此獨立的第一磁性元件及第二磁性元件，可達到節省生產成本以及減少元件數量之功效。
至於，圖16A所示之磁通量導引單元161上同樣可設置有複數個電極單元（本圖未示出），以用來供第一線圈構件W61 之第一線圈W611 、第二線圈W612 、第三線圈W613 與第四線圈W614 及第二線圈構件W62 之第五線圈W621 與第六線圈W622 之間電性連接，其中，第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 所包含之線圈與電極單元之間的連接關係與圖13B所揭露之示意圖相似，於此不再重複提出說明。
請參與圖16B，其係為另一複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，複合磁性元件16更包含一連接支架16a，該磁通量導引單元16c係設置於連接支架16a之上方，且可透過連接支架16a所包含之複數個導接腳16b與第一側第一端P61 、第一側第二端P62 、第一中央抽頭CT1、第二中央抽頭CT2、第二側第一端CM61 及第二側第二端CM62 連接（本圖未示出），以使複合磁性元件可透過連接支架16a與對應之系統電路板（本圖未示出）連接。
請參閱圖17，其係為本案第三較佳實施例之複合磁性元件之等效電路圖，如圖所示，本實施例之第一線圈構件W171 具有第一線圈W1711 ，第二線圈構件W172 具有第二線圈W1721 ，第一線圈W1711 的兩端分別與第一側第一端P171 及第一側第二端P172 ，而第二線圈W1721 的兩端分別與第二側第一端CM171 及第二側第二端CM172 連接。
請參閱圖18A，其係為適用於圖17之複合磁性元件之結構示意圖，如圖所示，本實施例之複合磁性元件18具有磁通量導引單元181、第一線圈構件W171 及第二線圈構件W172 ，其中，磁通量導引單元181具有一雙H形主體182、一第一板形結構183及一第二板形結構184，雙H形主體182具有柱狀部1821以及於柱狀部1821之兩側邊分別具有第一凸出部1822，且於兩該第一凸出部1822之間具有一第二凸出部1823，以將柱狀部1821分隔為第一繞線區域18211及第二繞線區域18212，第二板形結構184可與第二凸出部1823及一第一凸出部1822直接接觸，或是未接觸但透過黏合劑（未繪示）連接，第一線圈構件W171 之第一線圈W1711 環繞在第一繞線區域18211上，第二線圈構件W172 之第二線圈W1721 則環繞於第二繞線區域18212上，第一磁路徑185會經過雙H形主體182之第一凸出部1822、第一繞線區域18211與第二凸出部1823及第一板形結構183，而第二磁路徑187則經過雙H形主體182之第二凸出部1823、第二繞線區域18212、雙H形主體182另一側之第一凸出部1822及第二板形結構184，第一磁通186沿著第一磁路徑185，第二磁通188則沿著第二磁路徑187，使第一磁通186的方向與第二磁通188的方向在該磁通量導引單元181內部之相互交會處彼此正交，即如圖18A所示，第一磁通186與第二磁通188在該磁通量導引單元181內部之相互交會處係位於第二凸出部1823，於第二凸出部1823之第一磁通186的磁通方向Y4 與第二磁通188的磁通方向Z3 彼此之間係呈現正交的關係，可使得第一線圈構件W171 與第二線圈構件W172 上的訊號之間有最小程度的干擾，因此第一線圈構件W171 與第二線圈構件W172 可以維持習知分別環繞於不同磁通量導引單元的功能，且僅使用單一個磁通量導引單元181即可分別與第一線圈構件W171 及第二線圈構件W172 構成彼此獨立的第一磁性元件及第二磁性元件，本實施例為電感器，可達到節省生產成本以及減少元件數量之功效。
如果第二板形結構184的高度與第一板形結構183有重疊到，則第二磁路徑187會經過第一板形結構183、雙H形主體182之第二凸出部1823、第二繞線區域18212、雙H形主體182另一側之第一凸出部1822及第二板形結構184，第一磁通186的方向與第二磁通188的方向在該磁通量導引單元181內部之相互交會處係位於第二凸出部1823以及第一板形結構183之相對區域1831處，於第二凸出部1823以及第一板形結構183之相對區域1831內，大部分（例如超過80~99%）第一磁通186的磁通方向為Y4 ，大部分（例如超過80~99%）第二磁通188的磁通方向Z3 ，彼此之間係呈現正交的關係，只有少部分於相對區域1831內的磁通沒有正交，例如針對磁通量導引單元181內的所有相互交會處，沒有與第二磁通188彼此正交的第一磁通186少於1%~20%，反之亦然，磁通彼此間的影響或磁耦合率小於1%~20%的比率，因此第一線圈構件W61 與第二線圈構件W62 上的訊號之間仍能保持最小程度的干擾，第一磁性元件及第二磁性元件仍可視為彼此獨立。
請參閱圖17、圖18A及18B，其中圖18B係為圖18A所示之第一線圈構件與第二線圈構件之間藉由電極單元連接之示意圖，如圖18B所示，磁通量導引單元181之雙H形主體182的第一凸出部1822及第二凸出部1823上更可設置有複數個電極單元189，可作為如圖17所示之第一側第一端P171 、第一側第二端P172 、第二側第一端CM171 及第二側第二端CM172 ，主要用來供第一線圈構件W171 之第一線圈W1711 及第二線圈構件W172 之第二線圈W1721 之間電性連接。
請再參閱圖18B，第一線圈W1711 之兩端分別與作為第一側第一端P171 及第一側第二端P172 之電極單元189連接，第二線圈W1721 之兩端分別與作為第二側第一端CM171 及第二側第二端CM172 之電極單元189連接。
於上述實施例中，本案之第一線圈構件與磁通量導引單元可用以完成一脈波變壓器，該第二線圈構件與磁通量導引單元則可用以完成一共模濾波器，而脈波變壓器與共模濾波器則用以完成一乙太網路線接入介面單元，但不以此為限。第一線圈組構件更可用以完成一第一輸出電感，第二線圈構件則可用以完成一第二輸出電感，而該等輸出電感則可用以完成一多相位直流-直流轉換器，至於，該等輸出電感可為但不限為單線圈電感或是雙線圈共模電感。
綜上所述，本案之複合磁性元件將第一線圈構件與第二線圈構件分別環繞於同一個磁通量導引單元的不同部份上，且第一線圈構件纏繞於該磁通量導引單元上所產生的一第一磁通由已纏繞完成之該第一線圈構件的一側開口處出發沿著一第一磁路徑回到該第一線圈構件的另一側開口處，而第二線圈構件纏繞於該磁通量導引單元上所產生的一第二磁通由已纏繞完成之該第二線圈構件的一側開口處出發沿著一第二磁路徑回到該第二線圈構件的另一側開口處，以使沿著該第一磁路徑的該第一磁通的方向與沿著該第二磁路徑的該第二磁通的方向於該磁通量導引單元內部彼此正交，或是於該磁通量導引單元內部之相互交會處大致會彼此正交（約80%~100%），除了可維持第一線圈構件與第二線圈構件分別環繞於磁通量導引單元的不同部分的功能外，本案僅使用單一個磁通量導引單元可達到節省生產成本，以及減少元件數量、元件尺寸、元件佔用的空間等功效。
本案得由熟知此技術之人士任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。
11a‧‧‧脈波變壓器
12a‧‧‧共模濾波器
W21、W61、W171‧‧‧第一線圈構件
W211、W611、W1711‧‧‧第一線圈
W212、W612、W1721‧‧‧第二線圈
W22、W62、W172‧‧‧第二線圈構件
W221、W613‧‧‧第三線圈
W222、W614‧‧‧第四線圈
W621‧‧‧第五線圈
W622‧‧‧第六線圈
P21、P61、P171‧‧‧第一側第一端
P22、P62、P172‧‧‧第一側第二端
N21、N61‧‧‧第一連接點
N22、N62‧‧‧第二連接點
CT1‧‧‧第一中央抽頭
CT2‧‧‧第二中央抽頭
CM21、CM61、CM171‧‧‧第二側第一端
CM22、CM62、CM172‧‧‧第二側第二端
3、4、5、11、12、13、14、15、16、18‧‧‧複合磁性元件
31、51、111、121、131、151、161、181‧‧‧磁通量導引單元
311‧‧‧環狀導磁芯
3111‧‧‧環狀主體
3112‧‧‧環狀圓周
312、5111、112、13211‧‧‧第一纏繞處
141、313、5121、113、13221‧‧‧第二纏繞處
32、52、114、134、156、163、186‧‧‧第一磁通
33、53、117、136、158、164、188‧‧‧第二磁通
341、342、361、362、541、542、561、562、115 1、1152、1181、1182‧‧‧口
35、55、116、135、155、185‧‧‧第一磁路徑
37、57、119、137、157、187‧‧‧第二磁路徑
Ax1、Ax3、Ax5、Ax7‧‧‧第一軸線
Ax2、Ax4、Ax6、Ax8‧‧‧第二軸線
511‧‧‧柱狀結構
512‧‧‧矩形環狀主體
10‧‧‧組裝構件
16c‧‧‧磁通量導引單元
16a‧‧‧連接支架
16b‧‧‧導接腳
101‧‧‧下殼體
102‧‧‧上殼體
103‧‧‧電極接腳
1011‧‧‧容置空間
1111‧‧‧柱狀導磁芯
1112‧‧‧第一相對邊
1113‧‧‧第二相對邊
X1‧‧‧水平軸線
Y1‧‧‧垂直軸線
1211‧‧‧柱狀結構
1212‧‧‧矩形環狀主體
1213、138、159、189‧‧‧電極單元
122‧‧‧線頭
132‧‧‧H形主體
152、182‧‧‧雙H形主體
1321、1521、1821‧‧‧柱狀部
15211、18211‧‧‧第一繞線區域
15212、18212‧‧‧第二繞線區域
1522、1822‧‧‧第一凸出部
1523、1823‧‧‧第二凸出部
1322‧‧‧凸出部
133‧‧‧板形結構
153、183‧‧‧第一板形結構
1531、1831‧‧‧區域
154、184‧‧‧第二板形結構
Y2、Y3、Y4、Z1、Z2、Z3‧‧‧磁通方向
162‧‧‧柱狀導磁芯
1621‧‧‧柱狀主體
1622‧‧‧第一繞線通道
1623‧‧‧第二繞線通道
1624、1625‧‧‧外壁結構
1626‧‧‧中間側壁結構
圖1係為脈波變壓器與共模濾波器連接之等效電路圖。 圖2係為本案第一較佳實施例之複合磁性元件之等效電路圖。 圖3A係為適用於圖2之複合磁性元件之結構示意圖。 圖3B係為圖3A之A-A剖面移除第二線圈構件後之結構示意圖。 圖3C係為圖3A之A-A剖面移除第一線圈構件後之結構示意圖。 圖3D係為結合圖3B及圖3C的磁通方向示意圖。 圖4係為適用於圖2之複合磁性元件之結構示意圖。 圖5A係為適用於圖2之複合磁性元件之結構示意圖。 圖5B係為圖5A所示之柱狀結構及第一線圈構件之結構示意圖。 圖5C係為圖5A所示之矩形環狀結構及第二線圈構件之結構示意圖。 圖6係為本案第二較佳實施例之複合磁性元件之等效電路圖。 圖7係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖8係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖9係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖10A係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖10B係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖10C係為圖10B所示之複合磁性元件與組裝構件之示意圖。 圖10D係為圖10C之部分組裝結構示意圖。 圖11A係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖11B係為圖11A中移除第二線圈構件之結構示意圖。 圖11C係為圖11A中移除第一線圈構件之結構示意圖。 圖12A係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖12B係為適用於圖12A之電極單元之示意圖。 圖12C係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖13A係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖13B係為圖13A所示之第一線圈構件與第二線圈構件之間藉由電極單元連接之示意圖。 圖14係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖15A係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖15B係為圖15A所示之第一線圈構件與第二線圈構件之間藉由電極單元連接之示意圖。 圖16A係為適用於圖6之複合磁性元件之結構示意圖。 圖16B係為另一複合磁性元件之結構示意圖。 圖17係為本案第三較佳實施例之複合磁性元件之等效電路圖。 圖18A係為適用於圖17之複合磁性元件之結構示意圖。 圖18B係為圖18A所示之第一線圈構件與第二線圈構件之間藉由電極單元連接之示意圖。
3‧‧‧複合磁性元件
31‧‧‧磁通量導引單元
311‧‧‧環狀導磁芯
32‧‧‧第一磁通
33‧‧‧第二磁通
35‧‧‧第一磁路徑
W21‧‧‧第一線圈構件
W211‧‧‧第一線圈
W212‧‧‧第二線圈
W22‧‧‧第二線圈構件
W221‧‧‧第三線圈
W222‧‧‧第四線圈
P21‧‧‧第一側第一端
P22‧‧‧第一側第二端
N21‧‧‧第一連接點
N22‧‧‧第二連接點
CM21‧‧‧第二側第一端
CM22‧‧‧第二側第二端

Claims (30)

  1. 一種複合磁性元件，其包含： 一磁通量導引單元； 一第一線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第一磁通由已纏繞完成之該第一線圈構件的一側開口處出發沿著一第一磁路徑回到該第一線圈構件的另一側開口處；以及 一第二線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第二磁通由已纏繞完成之該第二線圈構件的一側開口處出發沿著一第二磁路徑回到該第二線圈構件的另一側開口處，其中，沿著該第一磁路徑的該第一磁通的方向與沿著該第二磁路徑的該第二磁通的方向於該磁通量導引單元內部彼此正交。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之複合磁性元件，其中該第一磁路徑、該第二磁路徑係以該磁通量導引單元的形狀以及所對應之該第一線圈構件、該第二線圈構件的纏繞位置決定，其在該磁通量導引單元內的路徑形狀與該磁通量導引單元的形狀外邊線實質上相似。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之複合磁性元件，其中該第一磁路徑及該第二磁路徑為一封閉路徑，且該第一磁路徑及該第二磁路徑的全部或局部的路徑在該磁通量導引單元內部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件與該第二線圈構件分別與該磁通量導引單元構成彼此獨立的一第一磁性元件及一第二磁性元件。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件與該第二線圈構件係分別由單一線圈或是複數個線圈所構成。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件或該第二線圈構件由該複數個線圈構成時，該複數個線圈係依序繞設於該磁通量導引單元上、同時繞設於該磁通量導引單元上或是彼此之間先繞在一起後再繞設於該磁通量導引單元上。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之複合磁性元件，其中該複合磁性元件更具有複數個電極單元，其係設置於該磁通量導引單元上，用以供該第一線圈構件及該第二線圈構件所包含之該複數個線圈之間連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件沿著該磁通量導引單元之一第一纏繞處之一第一軸線纏繞，且該第一軸線與該第一磁路徑經過該第一線圈構件之該開口處的方向實質上相同，該第二線圈構件沿著該磁通量導引單元之一第二纏繞處之一第二軸線纏繞，且該第二軸線與該第二磁路徑經過該第二線圈構件之該開口處的方向實質上相同。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件係具有一第一線圈及一第二線圈，該第二線圈構件係具有一第三線圈及一第四線圈，該第一線圈之兩端係分別與一第一側第一端及一第一側第二端連接，該第二線圈之兩端係分別與一第一連接點及一第二連接點連接，該第三線圈之一端係與該第一連接點連接，另一端係與一第二側第一端連接，該第四線圈之一端係與該第二連接點連接，另一端係與一第二側第二端連接。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元為一環狀導磁芯，該第一纏繞處及該第二纏繞處分別為該環狀導磁芯之一環狀主體及一環狀圓周，該第一軸線為該環狀主體之一環狀軸線，該第二軸線係垂直經過該環狀導磁芯，該第一磁路徑會經過該環狀導磁芯且呈現環狀形，該第二磁路徑垂直經過該環狀導磁芯，該第二磁通沿著該第二磁路徑通過該環狀導磁芯，使該第一磁通的方向與該第二磁通的方向在該環狀導磁芯內部彼此正交。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈與該第二線圈係環繞在該環狀主體之該環狀軸線上且該環狀軸線為該環狀主體的環狀形，該第三線圈與該第四線圈環繞於該環狀導磁芯之該環狀圓周之外壁或內壁上。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之複合磁性元件，其中該第三線圈與該第四線圈環繞於該環狀導磁芯之該環狀圓周之外壁或內壁上，該第一線圈與該第二線圈係環繞在該環狀主體之該環狀軸線及該第三線圈與該第四線圈上。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元具有一矩形環狀主體及一柱狀結構，該柱狀結構係與該矩形環狀主體之內壁連接，該第一纏繞處及該第二纏繞處分別為該柱狀結構及該矩形環狀主體，該第一線圈與該第二線圈係環繞在該柱狀結構上，該第三線圈與該第四線圈係環繞於該矩形環狀主體之外壁上，該第一磁路徑係與該柱狀結構及該矩形環狀主體呈現水平狀態，該第二磁路徑係垂直穿透過該柱狀結構及該矩形環狀主體，該第一磁通沿著該第一磁路徑形成於該柱狀結構及該矩形環狀主體內部，該第二磁通沿著該第二磁路徑垂直穿透過該柱狀結構及該矩形環狀主體，使該第一磁通的方向與該第二磁通的方向在該磁通量導引單元內部彼此正交。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件係具有一第一線圈、一第二線圈、一第三線圈及一第四線圈，該第二線圈構件係具有一第五線圈及一第六線圈，且該第一線圈構件上設置有一第一中央抽頭及一第二中央抽頭，該第一線圈之兩端係分別與一第一側第一端及該第一中央抽頭連接，該第二線圈之兩端係分別與一第一側第二端及該第一中央抽頭連接，該第三線圈之兩端係分別與一第一連接點及該第二中央抽頭連接，該第四線圈之兩端係分別與一第二連接點及該第二中央抽頭連接，該第五線圈之兩端係與該第一連接點及一第二側第一端連接，該第六線圈之兩端係與該第二連接點及一第二側第二端連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈與該第二線圈的繞線方向係相同，該第三線圈與該第四線圈的繞線方向係相同，該第一線圈、該第三線圈、該第五線圈及該第六線圈的繞線方向係相同或相異。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元為一環狀導磁芯，該第一纏繞處及該第二纏繞處分別為該環狀導磁芯之一環狀主體及一環狀圓周，該第一軸線為該環狀主體之一環狀軸線，該第二軸線係經過該環狀導磁芯的中心處，該第一磁路徑會經過該環狀導磁芯且呈現環狀形，該第二磁路徑經過該環狀導磁芯的中心處，該第二磁通沿著該第二磁路徑通過該環狀導磁芯，使該第一磁通的方向與該第二磁通的方向在該環狀導磁芯內部彼此正交。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈與該第四線圈係環繞在該環狀主體之該環狀軸線上且該環狀軸線為該環狀主體的環狀形，該第五線圈與該第六線圈環繞於該環狀導磁芯之該環狀圓周之外壁或內壁上。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之複合磁性元件，其中該第五線圈與該第六線圈環繞於該環狀導磁芯之該環狀圓周之外壁或內壁上，該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈及該第四線圈係環繞在該環狀主體之該環狀軸線及該第五線圈與該第六線圈上。
  19. 如申請專利範圍第14項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元為一柱狀導磁芯，其中該第一纏繞處及該第二纏繞處分別為該柱狀導磁芯中之一第一相對邊與一第二相對邊，該第一軸線為該柱狀導磁芯之一水平軸線，該第二軸線為該柱狀導磁芯之一垂直軸線，而該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈與第四線圈環繞於該柱狀導磁芯之該水平軸線上，該第五線圈與該第六線圈環繞於該柱狀導磁芯之該垂直軸線上，該第一相對邊與該第二相對邊呈正交。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元具有一矩形環狀主體及一柱狀結構，該柱狀結構係與該矩形環狀主體之內壁連接，該第一纏繞處及該第二纏繞處分別為該柱狀結構及該矩形環狀主體，該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈及該第四線圈係環繞在該柱狀結構上，該第五線圈與該第六線圈係環繞於該矩形環狀主體之外壁上，該第一磁路徑係與該柱狀結構及該矩形環狀主體呈現水平狀態，該第二磁路徑係垂直穿透過該柱狀結構及該矩形環狀主體，該第二磁通沿著該第二磁路徑通過該柱狀結構及該矩形環狀主體，使該第一磁通的方向與該第二磁通的方向在該磁通量導引單元內部彼此正交。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元具有一H形主體及一板形結構，該H形主體具有一柱狀部以及於該柱狀部之兩側邊具有一凸出部，該第一纏繞處及該第二纏繞處分別為該柱狀部及該凸出部，該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈及該第四線圈係環繞在該柱狀部上，該第五線圈與該第六線圈係跨設環繞於兩該凸出部之外壁上，該第一磁路徑係與該H形主體及該板形結構呈現水平狀態，該第二磁路徑垂直穿透該H形主體及該板形結構，該第二磁通沿著該第二磁路徑通過該H形主體及該板形結構，使該第一磁通的方向與該第二磁通的方向在該磁通量導引單元內部彼此正交。
  22. 如申請專利範圍第14項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元具有一H形主體及一板形結構，該H形主體具有一柱狀部以及於該柱狀部之兩側邊具有一凸出部，該第一纏繞處為該柱狀部，該第二纏繞處為該板形結構及該凸出部，該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈及該第四線圈係環繞在該柱狀部上，於該H形主體及該板形結構組裝後，該第五線圈與該第六線圈係環繞於兩該凸出部及該板形結構之外壁上，該第一磁路徑與該H形主體及該板形結構呈現水平狀態，該第二磁路徑會垂直穿透過該H形主體及該板形結構，該第二磁通沿著該第二磁路徑通過該H形主體及該板形結構，使該第一磁通的方向與該第二磁通的方向在該磁通量導引單元內部彼此正交。
  23. 一種複合磁性元件，其包含： 一磁通量導引單元； 一第一線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第一磁通由已纏繞完成之該第一線圈構件的一側開口處出發沿著一第一磁路徑回到該第一線圈構件的另一側開口處；以及 一第二線圈構件，其纏繞於該磁通量導引單元上，產生的一第二磁通由已纏繞完成之該第二線圈構件的一側開口處出發沿著一第二磁路徑回到該第二線圈構件的另一側開口處，其中，沿著該第一磁路徑的該第一磁通的方向與沿著該第二磁路徑的該第二磁通的方向於該磁通量導引單元內部之相互交會處彼此交會，於該相互交會處，至少部分之該第一磁通的方向與至少部分之該第二磁通的方向彼此正交。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件係具有一第一線圈、一第二線圈、一第三線圈及一第四線圈，該第二線圈構件係具有一第五線圈及一第六線圈，且該第一線圈構件上設置有一第一中央抽頭及一第二中央抽頭，該第一線圈之兩端係分別與一第一側第一端及該第一中央抽頭連接，該第二線圈之兩端係分別與一第一側第二端及該第一中央抽頭連接，該第三線圈之兩端係分別與一第一連接點及該第二中央抽頭連接，該第四線圈之兩端係分別與一第二連接點及該第二中央抽頭連接，該第五線圈之兩端係與該第一連接點及一第二側第一端連接，該第六線圈之兩端係與該第二連接點及一第二側第二端連接。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈與該第二線圈的繞線方向係相同，該第三線圈與該第四線圈的繞線方向係相同，該第一線圈、該第三線圈、該第五線圈及該第六線圈的繞線方向係相同或相異。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元具有一雙H形主體、一第一板形結構及一第二板形結構，該雙H形主體具有一柱狀部以及於該柱狀部之兩側邊分別具有一第一凸出部，且於兩該第一凸出部之間係具有一第二凸出部，以將該柱狀部分隔為第一繞線區域及第二繞線區域，該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈及該第四線圈係環繞在該第一繞線區域上，該第五線圈與該第六線圈係環繞於該第二繞線區域上，該第一磁路徑會經過該雙H形主體之該第一凸出部、該第一繞線區域、該第二凸出部與該第一板形結構，該第二磁路徑經過該第一板形結構、該雙H形主體之該第二凸出部、該第二繞線區域、該雙H形主體之該第一凸出部及該第二板形結構，使該至少部分第一磁通的方向與該至少部分第二磁通的方向在該磁通量導引單元內部之相互交會處彼此正交。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元為一柱狀導磁芯，具有一柱狀主體及複數個繞線通道，該複數個繞線通道係彼此呈正交，該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈及該第四線圈係貫穿對應之該繞線通道而環繞於該繞線通道周圍之該柱狀主體上，該第五線圈與該第六線圈係貫穿對應之該繞線通道而環繞於該繞線通道周圍之該柱狀主體上，該磁通量導引單元中該複數個繞線通道周圍之該柱狀主體的磁通方向，在該複數個繞線通道周圍之該柱狀主體之相互交會處彼此正交。
  28. 如申請專利範圍第23項所述之複合磁性元件，其中該第一線圈構件係具有一第一線圈，該第二線圈構件係具有一第二線圈，該第一線圈之兩端係分別與一第一側第一端及一第一側第二端，該第二線圈之兩端係分別與一第二側第一端及一第二側第二端連接。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之複合磁性元件，其中該磁通量導引單元具有一雙H形主體、一第一板形結構及一第二板形結構，該雙H形主體具有一柱狀部以及於該柱狀部之兩側邊分別具有一第一凸出部，且於兩該第一凸出部之間係具有一第二凸出部，以將該柱狀部分隔為第一繞線區域及第二繞線區域，該第一線圈係環繞在該第一繞線區域上，該第二線圈係環繞於該第二繞線區域上，該第一磁路徑會經過該第一板形結構、該雙H形主體之該第一凸出部、該第一繞線區域與該第二凸出部，該第二磁路徑經過該第一板形結構、該第二板形結構、該雙H形主體之該第一凸出部、該第二繞線區域與該第二凸出部，使該至少部分第一磁通的方向與該至少部分第二磁通的方向在該磁通量導引單元內部之相互交會處彼此正交。
  30. 如申請專利範圍第23項所述之複合磁性元件，其中該至少部分的範圍介於80%~100%之間。
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