CN103578695A - 环形电感器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种环形电感器,包括第一线圈、第二线圈、闭磁路环形磁芯和固定支座,所述固定支座包括底座和垂直所述底座的竖向支架,所述磁芯外包覆有绝缘层,所述支架沿所述磁芯直径方向套固于所述环形磁芯上,所述第一线圈和所述第二线圈对称卷绕在所述支架两侧的环形磁芯上,所述底座上设有四引脚,所述第一线圈和第二线圈的两出线端分别与所述引脚相连接,本发明具有结构简单,体积小,电感量高,价格低,能够满足大功率放大器输出电路耐压要求,能够除去传输中产生的杂波,且性能稳定等多重优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种电感器,具体是涉及一种环形电感器。
背景技术
在许多的电子设备中,其电路或者装置本身都会产生一定数量的电磁干扰,特别是电子设备逐渐趋向小型化,多个电子元件紧密地靠挤在一起,更容易发生电磁干扰问题,而该电子设备产生过量的电磁干扰会干扰其他周围的电子设备的正常工作,或者与其他电子装置产生相互干扰。在电子设备中,经常用到电感器,它是电子电路中常用的抗干扰元件,对于高频噪声有很好的屏蔽作用,但是,电子设备小型化趋势的延伸,以及大功率放大器的输出滤波电路的应用,对电感器的体积、耐压等高性能都提出了新的要求,此外,现有的电感器通常包括磁芯和直接卷绕在磁芯上的线圈,不利于电感器直接安装固定在电子线路中。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出一种环形电感器,具有结构简单,体积小,电感量高,价格低,能够满足大功率放大器输出电路耐压要求,能够除去传输中产生的杂波,且性能稳定等多重优点。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种环形电感器,包括第一线圈、第二线圈、闭磁路环形磁芯和固定支座,所述固定支座包括底座和垂直所述底座的竖向支架,所述磁芯外包覆有绝缘层,所述支架沿所述磁芯直径方向套固于所述环形磁芯上,所述第一线圈和所述第二线圈对称卷绕在所述支架两侧的环形磁芯上,所述底座上设有四引脚,所述第一线圈和第二线圈的两出线端分别与所述引脚相连接。
作为本发明的进一步改进,对应所述第一线圈和第二线圈的两出线端,所述支架上设有挡片,所述挡片能够定位所述第一线圈和所述第二线圈的出现端。
作为本发明的进一步改进,所述环形磁芯为铁氧体磁芯。
作为本发明的进一步改进,所述环形磁芯为圆环磁芯、方环形磁芯和椭圆环形磁芯的一种。
本发明的有益效果是:与现有技术电感器相比,本发明环形电感器有结构简单,体积小,电感量高,价格低,能够满足大功率放大器输出电路耐压要求,能够除去传输中产生的杂波,且性能稳定等多重优点,此外,本发明磁芯为铁氧体磁芯,具有高耐压性能及形状性能稳定等特点,从而保证了产品质量的稳定性。
附图说明
图1为本发明结构示意图;
结合附图,作以下说明:
1——第一线圈 2——第二线圈
3——环形磁芯 4——固定支座
41——底座 42——支架
421——挡片 5——引脚
具体实施方式
如图1所示,一种环形电感器,其特征在于:包括第一线圈1、第二线圈2、闭磁路环形磁芯3和固定支座4,所述固定支座包括底座41和垂直所述底座的竖向支架42,所述磁芯外包覆有绝缘层,所述支架沿所述磁芯直径方向套固于所述环形磁芯上,所述第一线圈和所述第二线圈对称卷绕在所述支架两侧的环形磁芯上,所述底座上设有四引脚5,所述第一线圈和第二线圈的两出线端分别与所述引脚相连接。
优选的,对应所述第一线圈和第二线圈的两出线端,所述支架上设有挡片421,所述挡片能够定位所述第一线圈和所述第二线圈的出现端。
优选的,所述环形磁芯为铁氧体磁芯。
优选的,所述环形磁芯为圆环磁芯、方环形磁芯和椭圆环形磁芯的一种。
以上实施例是参照附图,对本发明的优选实施例进行详细说明,本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更,但不背离本发明的实质的情况下,都落在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种环形电感器,其特征在于:包括第一线圈(1)、第二线圈(2)、闭磁路环形磁芯(3)和固定支座(4),所述固定支座包括底座(41)和垂直所述底座的竖向支架(42),所述磁芯外包覆有绝缘层,所述支架沿所述磁芯直径方向套固于所述环形磁芯上,所述第一线圈和所述第二线圈对称卷绕在所述支架两侧的环形磁芯上,所述底座上设有四引脚(5),所述第一线圈和第二线圈的两出线端分别与所述引脚相连接。
2.一种环形电感器,其特征在于:对应所述第一线圈和第二线圈的两出线端,所述支架上设有挡片(421),所述挡片能够定位所述第一线圈和所述第二线圈的出现端。
3.一种环形电感器,其特征在于:所述环形磁芯为铁氧体磁芯。
4.一种环形电感器,其特征在于:所述环形磁芯为圆环磁芯、方环形磁芯和椭圆环形磁芯的一种。
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PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
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