TW201606184A - 車輛及ｖ型多缸四衝程引擎單元 - Google Patents

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Masato Nishigaki
Yuuji Araki
Kazuhiro Ishizawa
Makoto Wakimura
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Abstract

本發明之目的在於提供一種裝載有可進一步提昇排氣中之氧濃度之檢測精度之V型多缸四衝程引擎單元之車輛。 單一燃燒室用前主觸媒39F係設置於前上游彎曲部34cF與集合部33a之間之單一燃燒室用前排氣通道部36F內。單一燃燒室用前主觸媒39F係於自1個前燃燒室29F至釋出口35e為止之排氣路徑，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF係相較單一燃燒室用前主觸媒39F配置於排氣之流動方向之上游。本發明具備同樣地構成之單一燃燒室用後主觸媒39Re及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF。

Description

車輛及V型多缸四衝程引擎單元
本發明係關於一種車輛及V型多缸四衝程引擎單元。
先前，存在有裝載有多缸四衝程引擎單元之車輛。V型多缸四衝程引擎單元係具備集合部、觸媒及氧檢測構件。自引擎本體之各缸之燃燒室所排出之排氣係於集合部中集合。觸媒係將集合部中所集合之排氣進行淨化。氧檢測構件係檢測集合部之排氣中之氧濃度。基於該氧檢測構件之信號，進行燃燒控制。具體而言，基於氧檢測構件之信號，控制燃料噴射量或點火正時等。可藉由基於氧檢測構件之信號，進行燃燒控制，而促進觸媒所進行之排氣之清潔化。(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-091999號公報
近年來，即便裝載有V型多缸四衝程引擎單元之車輛中，亦要求排氣之淨化性能之提昇。
本發明之目的在於提供一種裝載有具備觸媒及氧檢測構件且可進一步提昇排氣之淨化性能之V型多缸四衝程引擎單元之車輛及V型多缸四衝程引擎單元。
對集合部中所集合之排氣之氧濃度詳細地進行分析後，明確了如下情況。若將氧檢測構件之位置錯開，則存在自該氧檢測構件所輸出之信號較大地產生變化之情形。即，集合部中之氧濃度並非始終均勻，且因部位不同而不同。因此，對各種位置進行測試，尋找接近實際之氧濃度之位置，從而決定氧檢測構件之位置。於持續進行測試之過程中，可知為進一步提昇排氣淨化性能，而必須使氧濃度之檢測精度提昇。
進而，已明確V型多缸引擎存在各缸之排氣之氧濃度不同之情形。尤其，已明確具備於車輛之前後方向上燃燒室之位置不同，且自燃燒室所排出之排氣所流經之各缸之排氣通道部之排氣路徑之長度不同之複數個缸之V型多缸引擎最為顯著。
因此，考量檢測各缸之排氣之氧濃度而並非檢測先前一直進行之集合而成之排氣中之氧濃度，藉此便可解決。
然而，已明確存在有新問題。該問題藉由對各缸之排氣之狀態詳細進行分析而明確。自燃燒室所排出之時間點之排氣係包含氣體之未燃燃料與氧。排氣係於排氣路徑中一邊繼續進行未燃燃料之氧化一邊進行移動。隨著進行氧化，排氣中之氧濃度減少。
多缸四衝程引擎單元係自複數個燃燒室以不同之時序將排氣排出。自不同之燃燒室所排出之排氣因於排氣路徑中集合而混合或撞擊。因排氣進行混合或撞擊而導致排氣之流速下降。另外，未燃燃料與氧變得容易混合。藉此，促進未燃燃料之氧化。繼而，檢測該未燃燃料之氧化得到促進之集合部之排氣之氧濃度。相對於此，於自V型多缸四衝程引擎單元之各缸之燃燒室所排出之排氣集合之前已分別進行檢測之情形時，則產生如下之作用。自V型多缸四衝程引擎單元之各缸之燃燒室所排出之排氣被間歇性排出。因此，自V型多缸四衝程 引擎單元之各缸之燃燒室所排出之排氣於在每一缸中獨立之排氣路徑中流動時，不易產生排氣之混合或撞擊。因此，集合前之排氣係不同於集合後之排氣，更多地含有未被氧化之燃料。
於排氣路徑中氧化之進度較低之部位，排氣中之氧濃度變得不穩定。因此，本發明者考慮藉由設計排氣路徑、及觸媒及氧檢測構件之配置位置，而更穩定地檢測排氣中之氧濃度。
本發明係關於一種裝載有V型多缸四衝程引擎單元之車輛之發明。該V型多缸四衝程引擎單元係具備引擎本體。該引擎本體具有：曲軸箱部，其包含曲軸；1個前汽缸部，其係形成有至少一部分相較曲軸之中心線配置於車輛之前後方向之前方之1個前燃燒室、及供自1個前燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排氣通道部；1個後汽缸部，其係形成有至少一部分相較曲軸之中心線配置於車輛之前後方向之後方之1個後燃燒室、及供自1個後燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部。又，該V型多缸四衝程引擎單元具備單一燃燒室用前排氣通道部，該單一燃燒室用前排氣通道部具有於排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流入至車輛之前後方向之前方後使排氣流向上下方向之下方之前上游彎曲部、及前後端口，且使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流至前後端口。該V型多缸四衝程引擎單元係包含單一燃燒室用後排氣通道部，該單一燃燒室用後排氣通道部具有於排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流入至車輛之前後方向之後方後使排氣流向上下方向之下方之後上游彎曲部、及後後端口，且使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流至後後端口。因此，存在自1個前燃燒室所排出之排氣之性狀與自1個後燃燒室所排出之排氣之性狀不同之情形。因此，即便使排氣單純地集合，亦存在集合部中之氧濃度並非始終達到均勻，且因部位而不同之情形。於檢測集合部中之氧濃度之 情形時，該檢測精度之提昇較為困難。
然而，本發明可藉由檢測自集合前之各燃燒室所排出之排氣，而使檢測精度提昇。該V型多缸四衝程引擎單元係具備自單一燃燒室用前排氣通道部之前後端口及單一燃燒室用後排氣通道部之後後端口之兩者流入排氣之集合部。該V型多缸四衝程引擎單元將自1個前燃燒室及1個後燃燒室所排出之排氣經由集合部釋出至大氣之釋出口。該V型多缸四衝程引擎單元係包含單一燃燒室用前主觸媒，該單一燃燒室用前主觸媒係配置於前上游彎曲部與集合部之間之單一燃燒室用前排氣通道部內，且於自1個前燃燒室至釋出口為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化。因此，單一燃燒室用前主觸媒成為排氣流動之阻力。並且，因於該單一燃燒室用前主觸媒之上游設置有前上游彎曲部，且於該單一燃燒室用前主觸媒之下游設置有集合部，故而，於相較單一燃燒室用前主觸媒之更上游，排氣之流速進一步下降。又，相較單一燃燒室用前主觸媒更上游之排氣路徑內之壓力因自1個前燃燒室間歇性排出之排氣而進行脈動。所謂壓力進行脈動係指壓力週期性地進行變動。於排氣路徑中設置有單一燃燒室用前主觸媒。因此，藉由單一燃燒室用前主觸媒而產生壓力脈動之反射。藉此，於單一燃燒室用前主觸媒之上游，自1個前燃燒室所排出之排氣與該反射波進行撞擊。因該撞擊，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。由此，於相較單一燃燒室用前主觸媒之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由上述撞擊，而於單一燃燒室用前主觸媒之上游，使排氣之流速進一步下降。因而，可於相較單一燃燒室用前主觸媒之更上游，使排氣之流速進一步下降。該V型多缸四衝程引擎單元係包含單一燃燒室用後主觸媒，該單一燃燒室用後主觸媒係配置於後上游彎曲部與集合部之間之單一燃燒室用後排氣通道部內，且於自1個後燃燒室至釋出口為止之排氣路徑中，將自1個 後燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化。因此，單一燃燒室用後主觸媒成為排氣流動之阻力。並且，因於該單一燃燒室用後主觸媒之上游設置有後上游彎曲部，且於單一燃燒室用後主觸媒之下游設置有集合部，故於相較單一燃燒室用後主觸媒之更上游，排氣之流速進一步下降。又，相較單一燃燒室用後主觸媒更上游之排氣路徑內之壓力因自1個後燃燒室間歇性排出之排氣而進行脈動。所謂壓力進行脈動係指壓力週期性地進行變動。於排氣路徑配置有單一燃燒室用後主觸媒。因此，藉由單一燃燒室用後主觸媒而產生壓力脈動之反射。藉此，於單一燃燒室用後主觸媒之上游，自1個後燃燒室所排出之排氣與該反射波進行撞擊。因該撞擊，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。由此，於單一燃燒室用後主觸媒之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由上述撞擊，而於單一燃燒室用後主觸媒之上游，使排氣之流速進一步下降。因而，可於相較單一燃燒室用後主觸媒之更上游，使排氣之流速進一步下降。於將自V型多缸四衝程引擎單元之各缸之燃燒室所排出之排氣集合之前已分別進行檢測之情形時，未燃燃料容易未經氧化便到達相較排氣路徑更下游之位置。然而，於本發明中，在相較單一燃燒室用前主觸媒及單一燃燒室用後主觸媒之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。除此以外，可使排氣之流速下降。其結果，可於排氣路徑之接近燃燒室之位置，促進未燃燃料之氧化。該V型多缸四衝程引擎單元係具備於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或單一燃燒室用後排氣通道部，相較單一燃燒室用前主觸媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件。因此，單一燃燒室用前上游氧檢測構件可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，單一燃燒室用前上游氧檢測構件可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。該V型多缸四衝程引擎 單元係具備於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部或單一燃燒室用後排氣通道部，相較單一燃燒室用後主觸媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用後上游氧檢測構件。因此，單一燃燒室用後上游氧檢測構件可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，單一燃燒室用後上游氧檢測構件可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。該V型多缸四衝程引擎單元係包含對單一燃燒室用前上游氧檢測構件及單一燃燒室用後上游氧檢測構件之信號進行處理之控制裝置。因可對能夠更穩定地檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件及單一燃燒室用後上游氧檢測構件之信號進行處理，故可提昇檢測精度，從而可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛中，較佳為以如下之方式構成。V型多缸四衝程引擎單元係包含單一燃燒室用前下游氧檢測構件，該單一燃燒室用前下游氧檢測構件係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或單一燃燒室用前排氣通道部，相較單一燃燒室用前主觸媒配置於排氣之流動方向之下游，且相較集合部配置於排氣之流動方向之上游，檢測排氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元係包含單一燃燒室用後下游氧檢測構件，該單一燃燒室用後下游氧檢測構件係於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部或單一燃燒室用後排氣通道部中，相較單一燃燒室用後主觸媒配置於排氣之流動方向之下游，且相較集合部配置於排氣之流動方向之上游，檢測排氣中之氧濃度。控制裝置係對單一燃燒室用前上游氧檢測構件、單一燃燒室用後上游氧檢測構件、單一燃燒室用前下游氧檢測構件及單一燃燒室用後下游氧檢測構件之信號進行處理。
因此，本發明不僅具備可更穩定地檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件及單一燃燒室用後上游氧檢測構件，而且具備對通過單一燃燒室用前主觸媒之排氣及通過單一燃燒室用後主觸 媒之排氣之氧濃度進行檢測之單一燃燒室用前下游氧檢測構件及單一燃燒室用後下游氧檢測構件。可藉由處理該等信號而進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛中，較佳為以如下之方式構成。V型多缸四衝程引擎單元係包含單一燃燒室用前副觸媒，該單一燃燒室用前副觸媒係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或單一燃燒室用前排氣通道部，配置於單一燃燒室用前主觸媒之排氣之流動方向之上游或下游，將自1個前燃燒室所排出之排氣淨化。V型多缸四衝程引擎單元係包含單一燃燒室用後副觸媒，該單一燃燒室用後副觸媒係於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部或單一燃燒室用後排氣通道部，配置於單一燃燒室用後主觸媒之排氣之流動方向之上游或下游，將自1個後燃燒室所排出之排氣淨化。集合副觸媒係將通過單一燃燒室用前主觸媒之排氣及通過單一燃燒室用後主觸媒之排氣之兩者之排氣進行淨化。
因此，可不僅利用單一燃燒室用前主觸媒及單一燃燒室用後主觸媒，而且利用單一燃燒室用前副觸媒及單一燃燒室用後副觸媒，將自1個前燃燒室及1個後燃燒室所排出之排氣淨化。藉此，可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛中，較佳為，以如下之方式構成。單一燃燒室用前排氣通道部之排氣路徑之總路徑長度係形成為與單一燃燒室用後排氣通道部之排氣路徑之總路徑長度相同或長於單一燃燒室用後排氣通道部之排氣路徑之總路徑長度。單一燃燒室用前主觸媒及單一燃燒室用後主觸媒係以自1個前燃燒室至單一燃燒室用前主觸媒之上游端為止之路徑長度與自1個後燃燒室至單一燃燒室用後主觸媒之上游端為止之路徑長度相同或長於自1個後燃燒室至單一燃燒室用後主觸媒之上游端為止之路徑長度之方式設置。因此，可依照供自各燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用排氣通道部，將主觸媒配置於最佳之 位置。藉此，便可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛中，較佳為，以如下之方式構成。單一燃燒室用前主觸媒係設置為自1個前燃燒室至單一燃燒室用前主觸媒之上游端為止之路徑長度與自單一燃燒室用前主觸媒之下游端至前後端口為止之路徑長度相同或短於自單一燃燒室用前主觸媒之下游端至前後端口為止之路徑長度。藉此，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛中，較佳為，以如下之方式構成。單一燃燒室用後主觸媒係設置為自1個後燃燒室至單一燃燒室用後主觸媒之上游端為止之路徑長度與自單一燃燒室用後主觸媒之下游端至後後端口為止之路徑長度相同或長於自單一燃燒室用後主觸媒之下游端至後後端口為止之路徑長度。藉此，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛中，較佳為，以如下之方式構成。單一燃燒室用前主觸媒於車輛之左右方向上，設置於與單一燃燒室用後主觸媒不同之位置，且於車輛之前後方向上，設置於與單一燃燒室用後主觸媒不同之位置。藉此，可對於單一燃燒室用前主觸媒及單一燃燒室用後主觸媒，一邊抑制相互干涉一邊將其等設為最佳之形狀、大小。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
本發明之車輛中所能裝載之V型多缸四衝程引擎單元，較佳為以如下之方式構成。V型多缸四衝程引擎單元具備引擎本體，該引擎本體具有：曲軸箱部，其包含曲軸；1個前汽缸部，其係形成有至少一部分相較曲軸之中心線配置於車輛之前後方向之前方之1個前燃燒室、及供自1個前燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排 氣通道部；及1個後汽缸部，其係形成有至少一部分相較曲軸之中心線配置於車輛之前後方向之後方之1個後燃燒室、及供自1個後燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部。V型多缸四衝程引擎單元係具備單一燃燒室用前排氣通道部，該單一燃燒室用前排氣通道部具有使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流入車輛之前後方向之前方之後使排氣流向上下方向之下方之前上游彎曲部與前後端口，且使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流入前後端口。V型多缸四衝程引擎單元係具備單一燃燒室用後排氣通道部，該單一燃燒室用後排氣通道部具有使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流入車輛之前後方向之後方之後使排氣流向上下方向之下方之後上游彎曲部與後後端口，且使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流入後後端口。V型多缸四衝程引擎單元係具備自單一燃燒室用前排氣通道部之前後端口及單一燃燒室用後排氣通道部之後後端口之兩者流入排氣之集合部。V型多缸四衝程引擎單元係具備使通過單一燃燒室用前主觸媒之排氣及通過單一燃燒室用後主觸媒之排氣經由集合部釋出至大氣之釋出口。V型多缸四衝程引擎單元係具備單一燃燒室用前主觸媒，該單一燃燒室用前主觸媒係配置於前上游彎曲部與集合部之間之單一燃燒室用前排氣通道部內，且於自1個前燃燒室至釋出口為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化。V型多缸四衝程引擎單元係具備單一燃燒室用後主觸媒，該單一燃燒室用後主觸媒係配置於後上游彎曲部與集合部之間之單一燃燒室用後排氣通道部內，且於自1個後燃燒室至釋出口為止之排氣路徑中，將自1個後燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化。V型多缸四衝程引擎單元係具備單一燃燒室用前上游氧檢測構件，該單一燃燒室用前上游氧檢測構件係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或單一燃燒室用後排氣通道部中，相較單一燃燒室用前主觸 媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元係具備單一燃燒室用後上游氧檢測構件，該單一燃燒室用後上游氧檢測構件係於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部或單一燃燒室用後排氣通道部中，相較單一燃燒室用後主觸媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元係具備對單一燃燒室用前上游氧檢測構件及單一燃燒室用後上游氧檢測構件之信號進行處理之控制裝置。藉此，便可提昇氧濃度之檢測精度，從而可進一步提昇排氣之淨化性能。
根據本發明，可於裝載有具備觸媒及氧檢測構件之V型多缸四衝程引擎單元之車輛及V型多缸四衝程引擎單元中，進一步提昇排氣之淨化性能。
1‧‧‧機車(車輛)
2‧‧‧車體框架
3‧‧‧頭管
4‧‧‧主框架
4a‧‧‧托架
4b‧‧‧螺栓
5‧‧‧座軌
6‧‧‧一對前叉
7‧‧‧把手
8‧‧‧前輪
8a‧‧‧車軸
9‧‧‧座部
14‧‧‧後臂
14a‧‧‧樞軸
15‧‧‧後輪
19‧‧‧V型多缸四衝程引擎單元
20‧‧‧引擎本體
21‧‧‧曲軸箱部
22F‧‧‧前汽缸部
22Re‧‧‧後汽缸部
24aF‧‧‧前汽缸孔
24aRe‧‧‧後汽缸孔
24F‧‧‧前汽缸體
24Re‧‧‧後汽缸體
25F‧‧‧前汽缸頭
25Re‧‧‧後汽缸頭
26F‧‧‧前汽缸頭外殼
26Re‧‧‧後汽缸頭外殼
27‧‧‧曲軸
29F‧‧‧前燃燒室
29Re‧‧‧後燃燒室
31F‧‧‧前汽缸排氣通道部
31Re‧‧‧後汽缸排氣通道部
33‧‧‧集合裝置
33a‧‧‧集合室(集合部)
34aF‧‧‧前上游排氣管
34aRe‧‧‧後上游排氣管
34bF‧‧‧前下游排氣管
34bRe‧‧‧後下游排氣管
34dF‧‧‧前下游彎曲部
34F‧‧‧前排氣管
34cF‧‧‧前上游彎曲部
34cRe‧‧‧後上游彎曲部
34Re‧‧‧後排氣管
35‧‧‧消音器
35e‧‧‧釋出口
36F‧‧‧前排氣通道部
36Re‧‧‧後排氣通道部
37‧‧‧上游氧檢測構件
37C‧‧‧集合氧檢測構件
37FF‧‧‧前上游氧檢測構件
37FRe‧‧‧前下游氧檢測構件
37ReF‧‧‧後上游氧檢測構件
37ReRe‧‧‧後下游氧檢測構件
38F‧‧‧前觸媒單元
38Re‧‧‧後觸媒單元
39C‧‧‧集合副觸媒
39F‧‧‧前主觸媒
39FF‧‧‧前上游副觸媒
39FRe‧‧‧前下游副觸媒
39Re‧‧‧後主觸媒
39ReF‧‧‧後上游副觸媒
39ReRe‧‧‧後下游副觸媒
40F‧‧‧前套管
40Re‧‧‧後套管
41F‧‧‧前排氣路徑
41Fe‧‧‧前後端口
41Re‧‧‧後排氣路徑
41Ree‧‧‧後後端口
45‧‧‧電子控制單元(控制裝置)
a1F、b1F、c1F、d1F‧‧‧路徑長度
a1Re、b1Re、c1Re、d1Re‧‧‧路徑長度
Cr1‧‧‧曲軸之中心線
Cy1F‧‧‧前汽缸軸線
Cy1Re‧‧‧後汽缸軸線
F‧‧‧前
L‧‧‧左
Lo‧‧‧下
R‧‧‧右
Re‧‧‧後
U‧‧‧上
w1F、w1Re‧‧‧最大寬度
圖1係本發明之實施形態1之機車之側視圖。
圖2係本發明之實施形態1之排氣系統零件之側視圖。
圖3係本發明之實施形態1之排氣系統零件之俯視圖。
圖4係本發明之實施形態1之排氣系統零件之A-A剖視圖。
圖5係本發明之實施形態1之排氣系統零件之模式圖。
圖6係本發明之實施形態1之機車之控制方塊圖。
圖7係表示本發明之實施形態1之變化例之模式圖。
以下，對於本發明之實施形態，參照圖式，詳細地進行說明。對本發明之車輛適用於機車之例進行說明。於以下之說明中，前、後、左、右係分別表示自機車之騎乘者觀察所得之前、後、左、右。但，機車係設為配置於水平之地面者。各圖式中所附之符號F、Re、L、R、U、Lo係分別表示前、後、左、右、上、下。
(實施形態1)
〔整體構成〕
圖1係本發明之實施形態1之機車之側視圖。圖2係本發明之實施形態1之排氣系統零件之側視圖。圖3係本發明之實施形態1之排氣系統零件之俯視圖。圖4係本發明之實施形態1之排氣系統零件之A-A剖視圖。
實施形態1之車輛係機車1。機車1係具備車體框架2。車體框架2係具備頭管3、及主框架4。主框架4係自頭管3朝向後方延伸。座軌5係自主框架4之中途部朝向後上方延伸。
於頭管3中，被插入有轉向軸且使其可旋轉。於轉向軸之上部，設置有把手7(參照圖1)。於把手7之附近，配置有顯示裝置(未圖示)。於顯示裝置中顯示有車速、引擎轉速、及各種警告等。
於轉向軸之下部，支持著左右一對前叉6。於前叉6之下端部，固定有車軸8a。於該車軸8a，安裝有前輪8且使其可旋轉。
於座軌5，支持著座部9(參照圖1)。後臂14之前部係經由樞軸14a連結於車體框架2。後臂14係以樞軸14a為中心可上下地擺動。於後臂14之後部，支持著後輪15。
於主框架4之下方，配置有引擎本體20。引擎本體20係支持於車體框架2上。具體而言，引擎本體20之上部係相對於設置於主框架4之托架4a由螺栓4b所固定。又，引擎本體20之後部亦被固定於車體框架2中所設置之其他托架。於主框架4之下方且引擎本體20之上方，配置有空氣清潔器(未圖示)。
機車1係具有V型2缸四衝程引擎單元19。V型2缸四衝程引擎單元19具備：引擎本體20、前排氣管34F、後排氣管34Re、集合裝置33、消音器35、前主觸媒39F(單一燃燒室用前主觸媒)、前上游氧檢測構件37FF(單一燃燒室用前上游氧檢測構件)、後主觸媒39Re(單一燃燒 室用後主觸媒)、及後上游氧檢測構件37ReF(單一燃燒室用後上游氧檢測構件)。
引擎本體20係V型2缸之四衝程引擎。引擎本體20係具備曲軸箱部21、前汽缸部22F、及後汽缸部22Re。前汽缸部22F係自曲軸箱部21延伸至前方且上方。後汽缸部22Re係自曲軸箱部21延伸至後方且上方。
曲軸箱部21具有曲軸箱本體、與收容於曲軸箱本體之曲軸27及變速機構等。以下，將曲軸27之中心線Cr1稱為曲軸線Cr1。曲軸線Cr1係於機車1之左右方向上延伸。於曲軸箱本體內，儲存有潤滑用之機油。此種機油係藉由機油泵(未圖示)而搬送，且於引擎本體20內進行循環。
前汽缸部22F具有前汽缸體24F、前汽缸頭25F、前汽缸頭外殼26F、及收容於該等之內部之零件。如圖2所示，前汽缸體24F係連接於曲軸箱部21之前部。前汽缸頭25F係連接於前汽缸體24F之上部。前汽缸頭外殼26F係連接於前汽缸頭25F之上部。後汽缸部22Re具有後汽缸體24Re、後汽缸頭25Re、後汽缸頭外殼26Re、及收容於該等之內部之零件。如圖2所示，後汽缸體24Re係連接於曲軸箱部21之後部。後汽缸頭25Re係連接於後汽缸體24Re之上部。後汽缸頭外殼26Re係連接於後汽缸頭25Re之上部。
於前汽缸體24F，形成有前汽缸孔24aF。於前汽缸孔24aF內，收容有前活塞(未圖示)且使其可往復移動。活塞係經由連桿連結於曲軸27。以下，將前汽缸孔24aF之中心線Cy1F稱為前汽缸軸線Cy1F。引擎本體20係以前汽缸軸線Cy1F沿上下方向(鉛垂方向)延伸之方式配置。更詳細而言，前汽缸軸線Cy1F之自曲軸箱部21朝向前汽缸部22F之方向係朝前向上。前汽缸軸線Cy1F之相對於鉛垂方向之傾斜角度為0度以上45度以下。於後汽缸體24Re，形成有後汽缸孔24aRe。於 後汽缸孔24aRe內，收容有後活塞(未圖示)且使其可往復移動。活塞係經由連桿連結於曲軸27。以下，將後汽缸孔24aRe之中心線Cy1Re稱為後汽缸軸線Cy1Re。引擎本體20係以後汽缸軸線Cy1Re沿上下方向(鉛垂方向)延伸之方式配置。更詳細而言，後汽缸軸線Cy1Re之自曲軸箱部21朝向後汽缸部22Re之方向係朝後向上。後汽缸軸線Cy1Re之相對於鉛垂方向之傾斜角度為0度以上45度以下。
於前汽缸部22F之內部，形成有1個前燃燒室29F。1個前燃燒室29F係藉由前汽缸體24F之前汽缸孔24aF之內面、前汽缸頭25F、及前活塞而形成。即，1個前燃燒室29F之一部分係由前汽缸孔24aF之內面而劃分。於1個前燃燒室29F，配置有火星塞(未圖示)之前端部。火星塞係於1個前燃燒室29F內，在燃料與空氣之混合氣體中進行點火。1個前燃燒室29F係位於相較曲軸線Cr1之更前方。此情況可以如下之方式換言之。自左右方向觀察，1個前燃燒室29F配置於相較穿過曲軸線Cr1且與上下方向平行地延伸之直線之更前方。於後汽缸部22Re之內部，形成有1個後燃燒室29Re。1個後燃燒室29Re係藉由後汽缸體24Re之後汽缸孔24aRe之內面、後汽缸頭25Re、及後活塞而形成。即，1個後燃燒室29Re之一部分係由後汽缸孔24aRe之內面而劃分。於1個後燃燒室29Re，配置有火星塞(未圖示)之前端部。火星塞係於1個後燃燒室29Re內，在燃料與空氣之混合氣體中進行點火。1個後燃燒室29Re係位於相較曲軸線Cr1之更後方。此情況可以如下之方式換言之。自左右方向觀察，1個後燃燒室29Re係配置於相較穿過曲軸線Cr1且與上下方向平行地延伸之直線之更後方。
於前汽缸頭25F，配置有前汽缸進氣通道部(未圖示)、及前汽缸排氣通道部31F(單一燃燒室用前汽缸排氣通道部)。於本說明書中，所謂「通道部」係指形成氣體等所通過之空間(路徑)之結構物。於前汽缸頭25F中形成1個前燃燒室29F之壁部，形成有前進氣埠及前排氣 埠。前汽缸進氣通道部係自前進氣埠延伸至形成於前汽缸頭25F之外表面之前吸入口。前汽缸排氣通道部31F係自前排氣埠延伸至形成於前汽缸頭25F之外表面之前排出口。供給至1個前燃燒室29F之空氣係通過前汽缸進氣通道部內。自1個前燃燒室29F所排出之排氣係通過前汽缸排氣通道部31F。於後汽缸頭25Re，形成有後汽缸進氣通道部(未圖示)、及後汽缸排氣通道部31Re(單一燃燒室用後汽缸排氣通道部)。於後汽缸頭25Re中形成1個後燃燒室29Re之壁部，形成有後進氣埠及後排氣埠。後汽缸進氣通道部係自後進氣埠延伸至形成於後汽缸頭25Re之外表面之後吸入口。後汽缸排氣通道部31Re係自後排氣埠延伸至形成於後汽缸頭25Re之外表面之後排出口。供給至1個後燃燒室29Re之空氣係通過後汽缸進氣通道部內。自1個後燃燒室29Re所排出之排氣係通過後汽缸排氣通道部31Re。
於前汽缸進氣通道部配置有前進氣閥(未圖示)。於前汽缸排氣通道部31F配置有前排氣閥(未圖示)。前進氣閥及前排氣閥係藉由與曲軸27連動之閥動機構(未圖示)而作動。前進氣埠係藉由前進氣閥之運動而開閉。前排氣埠係藉由前排氣閥之運動而開閉。於前汽缸進氣通道部之端部(前吸入口)連接有前進氣管(未圖示)。於前汽缸排氣通道部31F之端部(前排出口)連接有前排氣管34F。於後汽缸進氣通道部配置有後進氣閥(未圖示)。於後汽缸排氣通道部31Re配置有後排氣閥(未圖示)。後進氣閥及後排氣閥係藉由與曲軸27連動之閥動機構(未圖示)而作動。後進氣埠係藉由後進氣閥之運動而開閉。後排氣埠係藉由後排氣閥之運動而開閉。於後汽缸進氣通道部之端部(後吸入口)連接有後進氣管(未圖示)。於後汽缸排氣通道部31Re之端部(後排出口)連接有後排氣管34Re。
於前汽缸進氣通道部或前進氣管，配置有前噴射器(未圖示)。前噴射器係用以對1個前燃燒室29F供給燃料者。更具體而言，前噴射器 係於前汽缸進氣通道部或前進氣管內噴射燃料。再者，前噴射器亦可以對1個前燃燒室29F噴射燃料之方式配置。又，於前進氣管內，配置有前節流閥(未圖示)。於後汽缸進氣通道部或後進氣管，配置有後噴射器(未圖示)。後噴射器係用以對1個後燃燒室29Re供給燃料者。更具體而言，後噴射器係於後汽缸進氣通道部或後進氣管內噴射燃料。再者，後噴射器亦可以對1個後燃燒室29Re噴射燃料之方式配置。又，於後進氣管內，配置有後節流閥(未圖示)。
前進氣管係自前汽缸頭25F之外表面延伸至上方。前進氣管係連接於空氣清潔器。後進氣管係自後汽缸頭25Re之外表面延伸至上方。後進氣管係連接於空氣清潔器。空氣清潔器係將供給至引擎本體20之空氣淨化。藉由通過空氣清潔器而淨化之空氣係通過前進氣管及後進氣管供給至引擎本體20。
〔排氣系統之構成〕
以下，對實施形態1之機車1之排氣系統進行說明。於本說明書之排氣系統之說明中，所謂上游係指排氣之流動方向之上游。又，所謂下游係指排氣之流動方向之下游。又，於本說明書之排氣系統之說明中，所謂路徑方向係指排氣之流動之方向。
如上所述，V型2缸四衝程引擎單元19具有：引擎本體20、前排氣管34F、後排氣管34Re、集合裝置33、消音器35、前主觸媒39F、後主觸媒39Re、前上游氧檢測構件37FF及後上游氧檢測構件37ReF。消音器35具有面向大氣之釋出口35e。前排氣通道部36F(單一燃燒室用排氣通道部)係包含前排氣管34F。前排氣通道部36F係使排氣自前汽缸排氣通道部31F之下游端流向前排氣管34F之前後端口41Fe為止。將自1個前燃燒室29F至前後端口41Fe之路徑設為前排氣路徑41F。前排氣路徑41F係由前汽缸排氣通道部31F與前排氣通道部36F所形成。前排氣路徑41F係排氣所通過之空間。後排氣通道部36Re(單一燃燒室 用排氣通道部)係包含後排氣管34Re。後排氣通道部36Re係使排氣自後汽缸排氣通道部31Re之下游端流向後排氣管34Re之後後端口41Ree為止。將自1個後燃燒室29Re至後後端口41Ree之路徑設為後排氣路徑41Re。後排氣路徑41Re係由後汽缸排氣通道部31Re與後排氣通道部36Re所形成。後排氣路徑41Re係排氣所通過之空間。
前排氣管34F之上游端部係連接於前汽缸排氣通道部31F之下游端部。前排氣管34F之下游端部係連接於集合裝置33。前排氣管34F之前後端口41Fe係於集合裝置33中開口。於前排氣管34F之中途，設置有前觸媒單元38F。將前排氣管34F之相較前觸媒單元38F更上游之部分設為前上游排氣管34aF。將前排氣管34F之相較前觸媒單元38F更下游之部分設為前下游排氣管34bF。後排氣管34Re之上游端部係連接於後汽缸排氣通道部31Re之下游端部。後排氣管34Re之下游端部係連接於集合裝置33。後排氣管34Re之後後端口41Ree係於集合裝置33中開口。於後排氣管34Re之中途，設置有後觸媒單元38Re。將後排氣管34Re之相較後觸媒單元38Re更上游之部分設為後上游排氣管34aRe。將後排氣管34Re之相較後觸媒單元38Re更下游之部分設為後下游排氣管34bRe。再者，圖5中將排氣管簡化。
前排氣管34F之一部分係位於曲軸線Cr1之下方。前排氣管34F具有2個彎曲部。將2個彎曲部中之上游之彎曲部簡稱為前上游之彎曲部34cF。將2個彎曲部中之下游之彎曲部簡稱為前下游之彎曲部34dF。前上游之彎曲部34cF係自左右方向觀察，使排氣之流動方向自沿前後方向延伸之方向變為沿上下方向延伸之方向。更具體而言，前上游之彎曲部34cF係自左右方向觀察，使排氣之流動方向由朝前變為朝下。前下游之彎曲部34dF係自左右方向觀察，使排氣之流動方向由朝下變為朝後。相較前下游之彎曲部34dF少許下游之部分係位於曲軸線Cr1之下方。前主觸媒39F係配置於2個彎曲部之間。後排氣管34Re之一 部分係位於曲軸線Cr1之下方。後排氣管34Re具有1個彎曲部34cRe。將該彎曲部34cRe稱為後上游之彎曲部34cRe。後上游之彎曲部34cRe係自左右方向觀察，使排氣之流動方向由沿前後方向延伸之方向變為沿上下方向延伸之方向。更具體而言，後上游之彎曲部34cRe係自左右方向觀察，使排氣之流動方向由朝後變為朝下。後主觸媒39Re係配置於後上游之彎曲部34cRe之下游。
前排氣管34F及後排氣管34Re之下游端部係連接於集合裝置33。集合裝置33具備前排氣管34F之前後端口41Fe及後排氣管34Re之後後端口41Ree所開口之集合室33a(集合部)。亦可於集合裝置33，設置有集合副觸媒39C。於該情形時，自前排氣管34F之前後端口41Fe及後排氣管34Re之後後端口41Ree流入至集合室33a中之排氣通過集合副觸媒39C。通過集合副觸媒39C之排氣係流入至消音器35。再者，亦可不設置集合副觸媒39C。於該情形時，流入至集合室33a中之排氣不流經集合副觸媒39C而流入至消音器35。
消音器35係以抑制排氣之脈動波之方式構成。藉此，消音器35可降低因排氣而產生之聲音(排氣聲)之音量。於消音器35內，設置有複數個膨脹室、及將膨脹室彼此連通之複數個管。於消音器35之下游端，設置有面向大氣之釋出口35e。通過消音器35之排氣係自釋出口35e向大氣釋出。釋出口35e係位於相較曲軸線Cr1之更後方。
前主觸媒39F係配置於前排氣管34F(前排氣通道部36F)內。前觸媒單元38F具有筒狀之前套管40F、及前主觸媒39F。前套管40F之上游端係連接於前上游排氣管34aF。前套管40F之下游端係連接於前下游排氣管34bF。前套管40F係構成前排氣管34F(前排氣通道部36F)之一部分。前主觸媒39F係固定於前套管40F之內部。排氣係藉由通過前主觸媒39F而淨化。於前主觸媒39F，通過有自1個前燃燒室29F之前排氣埠所排出之所有排氣。前主觸媒39F係於前排氣路徑41F中，將自 1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。又，前主觸媒39F係於自1個前燃燒室29F至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。後主觸媒39Re係配置於後排氣管34Re(後排氣通道部36Re)內。後觸媒單元38Re具有筒狀之後套管40Re、及後主觸媒39Re。後套管40Re之上游端係連接於後上游排氣管34aRe。後套管40Re之下游端係連接於後下游排氣管34bRe。後套管40Re係構成後排氣管34Re(後排氣通道部36Re)之一部分。後主觸媒39Re係固定於後套管40Re之內部。排氣係藉由通過後主觸媒39Re而淨化。於後主觸媒39Re中，通過有自1個後燃燒室29Re之後排氣埠所排出之所有排氣。後主觸媒39Re係於後排氣路徑41Re中，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣最大程度地淨化。又，後主觸媒39Re係於自1個後燃燒室29Re至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣最大程度地淨化。再者，將前主觸媒39F及後主觸媒39Re總稱為主觸媒。將具備與前主觸媒39F及後主觸媒39Re同樣之功能之觸媒總稱為主觸媒。又，前主觸媒39F、後主觸媒39Re、集合副觸媒39C、以及下述之前上游副觸媒39FF、後上游副觸媒39ReF、前下游副觸媒39FRe及後下游副觸媒39ReRe總稱為觸媒。將除了主觸媒以外之觸媒、集合副觸媒39C、前上游副觸媒39FF、後上游副觸媒39ReF、前下游副觸媒39FRe及後下游副觸媒39ReRe總稱為副觸媒。將如集合副觸媒39C般通過有自複數個燃燒室所排出之排氣之觸媒總稱為集合排氣觸媒。
本發明中之觸媒係所謂之三元觸媒。所謂三元觸媒係將排氣中所含之烴、一氧化碳、及氮氧化物之3物質藉由進行氧化或還原而去除。三元觸媒係氧化還原觸媒之1種。觸媒具有基材、及附著於該基材之表面之觸媒物質。觸媒物質具有載體與貴金屬。載體係設置於貴金屬與基材之間。載體係擔載貴金屬。該貴金屬係將排氣淨化。作為 貴金屬，例如可列舉將烴、一氧化碳、及氮氧化物分別去除之鉑、鈀、銠等。
本發明之觸媒具有多孔結構。所謂多孔結構係指於與排氣流動之方向垂直之剖面形成有多孔之結構。多孔結構之一例係蜂巢結構。於觸媒中，在與被設置觸媒之排氣管之排氣所流動之方向垂直之剖面形成有較細小之複數個孔。
本發明之觸媒既可為金屬基材觸媒，亦可為陶瓷基材觸媒。所謂金屬基材觸媒係基材為金屬製之觸媒。所謂陶瓷基材觸媒係基材為陶瓷製之觸媒。金屬基材觸媒之基材係例如藉由將金屬製之波形板與金屬製之平板交替重疊地捲繞而形成。陶瓷基材觸媒之基材係例如蜂巢結構體。
如圖5所示，將前主觸媒39F之路徑方向之長度設為c1F。將與前主觸媒39F之路徑方向垂直之方向之最大寬度設為w1F。前主觸媒39F之長度c1F係長於前主觸媒39F之最大寬度w1F。前主觸媒39F之與路徑方向正交之剖面形狀係例如圓形狀。剖面形狀亦可為左右方向長度長於上下方向長度之形狀。將後主觸媒39Re之路徑方向之長度設為c1Re。將後主觸媒39Re之與路徑方向垂直之方向之最大寬度設為w1Re。後主觸媒39Re之長度c1Re係長於後主觸媒39Re之最大寬度w1Re。後主觸媒39Re之與路徑方向正交之剖面形狀係例如圓形狀。剖面形狀亦可為左右方向長度長於上下方向長度之形狀。
前套管40F及後套管40Re具有觸媒配置通道部、上游通道部、及下游通道部。於觸媒配置通道部，配置有主觸媒。於路徑方向上，觸媒配置通道部之上游端及下游端係與主觸媒之上游端及下游端分別相同之位置。觸媒配置通道部之與路徑方向正交之剖面之面積係於路徑方向上大致固定。上游通道部係連接於觸媒配置通道部之上游端。下游通道部係連接於觸媒配置通道部之上游端。
上游通道部係至少一部分形成為錐形狀。該錐形部係朝向下游，內徑變大。下游通道部係至少一部分形成為錐形狀。該錐形部係朝向下游，內徑變小。將觸媒配置通道部之與路徑方向正交之剖面之面積設為S1。上游通道部之至少一部分之與路徑方向正交之剖面之面積小於面積S1。於此處之上游通道部之至少一部分，包含有上游通道部之上游端。下游通道部之至少一部分之與路徑方向正交之剖面之面積小於面積S1。於此處之下游通道部之至少一部分，包含有下游通道部之下游端。
前上游氧檢測構件37FF係配置於前排氣管34F(前排氣通道部36F)。前上游氧檢測構件37FF係配置於相較前主觸媒39F之更上游。前上游氧檢測構件37FF係檢測排氣中所含之氧濃度之感測器。前上游氧檢測構件37FF亦可為檢測氧濃度係高於抑或是低於特定值之氧感測器。又，前上游氧檢測構件37FF亦可為將以複數個階段或線性地表示氧濃度之檢測信號輸出之感測器(例如A/F感測器：Air Fuel ratio sensor(空氣-燃料比感測器))。前上游氧檢測構件37FF係一端部(檢測部)配置於前排氣管34F內，另一端部配置於前排氣管34F之外。前上游氧檢測構件37FF之檢測部係於被加熱至高溫而達到活化狀態時，可檢測氧濃度。前上游氧檢測構件37FF之檢測結果係輸出至電子控制單元45。後上游氧檢測構件37ReF係配置於後排氣管34Re(後排氣通道部36Re)。後上游氧檢測構件37ReF係配置於相較後主觸媒39Re之更上游。後上游氧檢測構件37ReF係檢測排氣中所含之氧濃度之感測器。後上游氧檢測構件37ReF亦可為檢測氧濃度係高於抑或是低於特定值之氧感測器。又，後上游氧檢測構件37ReF亦可為將以複數個階段或線性地表示氧濃度之檢測信號輸出之感測器(例如A/F感測器：Air Fuel ratio sensor)。後上游氧檢測構件37ReF係一端部(檢測部)配置於後排氣管34Re內，另一端部配置於後排氣管34Re之外。後上游氧檢 測構件37ReF之檢測部係於被加熱至高溫而達到活化狀態時，可檢測氧濃度。後上游氧檢測構件37ReF之檢測結果係輸出至電子控制單元45。
將自前汽缸排氣通道部31F之上游端至前上游氧檢測構件37FF為止之排氣之路徑長度設為a1F。將自前上游氧檢測構件37FF至前主觸媒39F之上游端為止之路徑長度設為b1F。將前主觸媒39F之路徑長度設為c1F。將自前主觸媒39F之下游端至前排氣管34F之前後端口41Fe為止之路徑長度設為d1F。自1個前燃燒室29F至前排氣管34F之前後端口41Fe為止之路徑長度為a1F+b1F+c1F+d1F。此數值為前排氣路徑41F之路徑長度。前排氣路徑41F係基本而言除了逆流以外，僅自1個前燃燒室29F排出之排氣所流動之排氣路徑。前排氣路徑41F係用以實質上使自1個前燃燒室29F所排出之排氣流動之專用之排氣路徑。將自後汽缸排氣通道部31Re之上游端至後上游氧檢測構件37ReF為止之排氣之路徑長度設為a1Re。將自後上游氧檢測構件37ReF至後主觸媒39Re之上游端為止之路徑長度設為b1Re。將後主觸媒39Re之路徑長度設為c1Re。將自後主觸媒39Re之下游端至後排氣管34Re之後後端口41Ree為止之路徑長度設為d1Re。自1個後燃燒室29Re至後排氣管34Re之後後端口41Ree為止之路徑長度為a1Re+b1Re+c1Re+d1Re。此數值係後排氣路徑41Re之路徑長度。後排氣路徑41Re係基本而言除了逆流以外，僅自1個後燃燒室29Re排出之排氣所流動之排氣路徑。後排氣路徑41Re係用以實質上使自1個後燃燒室29Re所排出之排氣流動之專用之排氣路徑。
於實施形態1中，前上游氧檢測構件37FF係設置於路徑長度b1F變得短於路徑長度a1F之位置。前主觸媒39F係設置於路徑長度d1F變得長於路徑長度a1F+b1F之位置。後上游氧檢測構件37ReF係設置於路徑長度b1Re變得短於路徑長度a1Re之位置。後主觸媒39Re係設置 於路徑長度d1Re變得短於路徑長度a1Re+b1Re之位置。前主觸媒39F及後主觸媒39Re係設置於路徑長度a1F+b1F變得長於路徑長度a1Re+b1Re之位置。再者，路徑長度a1F+b1F亦可與路徑長度a1Re+b1Re相同。前上游氧檢測構件37FF及後上游氧檢測構件37ReF係設置於路徑長度a1F變得長於路徑長度a1Re之位置。路徑長度b1F係長於路徑長度b1Re。路徑長度c1F係與路徑長度c1Re相同。然而，路徑長度c1F亦可短於路徑長度c1Re。路徑長度d1F係長於路徑長度d1Re。再者，於本發明之範圍中，可變更路徑長度。
其次，對V型多缸四衝程引擎單元19之控制進行說明。圖6係實施形態1之機車之控制方塊圖。
V型多缸四衝程引擎單元19係如圖6所示具有引擎轉速感測器46a、節流閥開度感測器46b(節流閥位置感測器)、引擎溫度感測器46c、進氣壓感測器46d、及進氣溫度感測器46e。引擎轉速感測器46a係檢測曲軸27之轉速、即引擎轉速。節流閥開度感測器46b係藉由檢測節流閥(未圖示)之位置而檢測節流閥之開度(以下，稱為節流閥開度)。引擎溫度感測器46c係檢測引擎本體之溫度。進氣壓感測器46d係檢測進氣管內之壓力(進氣壓)。進氣溫度感測器46e係檢測進氣管內之空氣之溫度(進氣溫度)。
V型多缸四衝程引擎單元19具備進行引擎本體20之控制之電子控制單元(ECU：Electronic Control Unit)45。電子控制單元45係相當於本發明之控制裝置。電子控制單元45係與引擎轉速感測器46a、引擎溫度感測器46c、節流閥開度感測器46b、進氣壓感測器46d、進氣溫度感測器46e、及車速感測器等各種感測器連接。又，電子控制單元45係與點火感應線圈47、噴射器48、燃料泵49、及顯示裝置(未圖示)等連接。電子控制單元45具有控制部45a、及作動指示部45b。作動指示部45b具備點火驅動電路45c、噴射器驅動電路45d、及泵驅動電路 45e。
點火驅動電路45c、噴射器驅動電路45d、及泵驅動電路45e係接收來自控制部45a之信號，分別將點火感應線圈47、噴射器48、燃料泵49驅動。若點火感應線圈47被驅動，則於火星塞中產生火花放電，從而將混合氣體點火。燃料泵49係經由燃料軟管連接於噴射器48。若將燃料泵49驅動，則將燃料槽(未圖示)內之燃料朝向噴射器48泵送。
控制部45a係例如微電腦。控制部45a係基於上游氧檢測構件37之信號、及引擎轉速感測器46a等之信號，控制點火驅動電路45c、噴射器驅動電路45d、及泵驅動電路45e。控制部45a係藉由控制點火驅動電路45c而控制點火之時序。再者，上游氧檢測構件37係包含前上游氧檢測構件37FF及後上游氧檢測構件37ReF。控制部45a係藉由控制噴射器驅動電路45d及泵驅動電路45e而控制燃料噴射量。
為提昇燃燒效率、及主觸媒39F、39Re之淨化效率，各燃燒室29F、29Re內之混合氣之空燃比較佳為理論空燃比(化學計量)。控制部45a係視需要，使燃料噴射量進行增減。
以下，對控制部45a所進行之燃料噴射量之控制(燃燒控制)之一例進行說明。
控制部45a首先基於引擎轉速感測器46a、節流閥開度感測器46b、引擎溫度感測器46c、及進氣壓感測器46d之信號，運算基本燃料噴射量。具體而言，使用對於節流閥開度及引擎轉速將吸入空氣量建立對應關係之映射表、及對於進氣壓及引擎轉速將吸入空氣量建立對應關係之映射表，求出吸入空氣量。而且，基於自映射表所求出之吸入空氣量，決定可達成目標空燃比之基本燃料噴射量。於節流閥開度較小之情形時，使用對於進氣壓及引擎轉速將吸入空氣量建立對應關係之映射表。另一方面，於節流閥開度較大之情形時，使用對於節流閥開度及引擎轉速將吸入空氣量建立對應關係之映射表。
又，控制部45a係基於上游氧檢測構件37之信號，運算用以修正基本燃料噴射量之回饋修正值。具體而言，首先，基於上游氧檢測構件37之信號，判定混合氣為稀抑或是濃。再者，所謂濃係指相對於理論空燃比而言，燃料過量之狀態。所謂稀係指相對於理論空燃比而言，空氣過量之狀態。控制部45a判定混合氣為稀後，則以下一次之燃料噴射量增加之方式，運算回饋修正值。另一方面，控制部45a判定混合氣為濃後，則以下一次之燃料噴射量減少之方式，求出回饋修正值。
又，控制部45a係基於引擎溫度、外部大氣溫度、外部大氣壓等，運算用以修正基本燃料噴射量之修正值。進而，控制部45a運算與加速及減速時之過渡特性相對應之修正值。
控制部45a係基於基本燃料噴射量與回饋修正值等修正值，運算燃料噴射量。基於以此方式求出之燃料噴射量，將燃料泵49及噴射器48驅動。以此方式，電子控制單元45(控制裝置)處理上游氧檢測構件37之信號。又，電子控制單元45(控制裝置)係基於上游氧檢測構件37之信號，進行燃燒控制。於實施形態1中，V型多缸四衝程引擎單元19亦可具備集合氧檢測構件37C。集合氧檢測構件37C係檢測流入至集合部33a內之排氣之氧濃度。電子控制單元45(控制裝置)係處理上游氧檢測構件37及集合氧檢測構件37C之信號。再者，亦可不設置集合氧檢測構件37C。
以上，對實施形態1之機車1之構成進行了說明。實施形態1之機車1具有以下之特徵。該V型多缸四衝程引擎單元19係具備引擎本體20。該引擎本體20具有：曲軸箱部21，其包含曲軸27；1個前汽缸部22F，其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之前方之1個前燃燒室29F、及供自1個前燃燒室29F所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F；1個後汽缸部22Re， 其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之後方之1個後燃燒室29Re、及供自1個後燃燒室29Re所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re。又，該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前排氣通道部36F，該單一燃燒室用前排氣通道部36F具有於使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F之下游端流入至車輛1之前後方向之前方之後使排氣流向上下方向之下方之前上游彎曲部34cF、及前後端口41Fe，且使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F之下游端流入至前後端口41Fe為止。該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後排氣通道部36Re，該單一燃燒室用後排氣通道部36Re具有於使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re之下游端流入至車輛1之前後方向之後方之後使排氣流向上下方向之下方之後上游彎曲部34cRe、及後後端口41Ree，且使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re之下游端流入至後後端口41Ree為止。因此，存在自1個前燃燒室29F所排出之排氣之性狀與自1個後燃燒室29Re所排出之排氣之性狀不同之情形。因此，即便將排氣單純地集合，亦存在集合部33a(集合裝置33之一部分)中之氧濃度並非始終達到均勻，且因部位而不同之情形。於檢測集合部33a(集合裝置33之一部分)中之氧濃度之情形時，該檢測精度之提昇較為困難。
然而，本發明可藉由檢測自集合前之各燃燒室所排出之排氣而提昇檢測精度。該V型多缸四衝程引擎單元19具備自單一燃燒室用前排氣通道部36F之前後端口41Fe及單一燃燒室用後排氣通道部36Re之後後端口41Ree之兩者流入排氣之集合部33a(集合裝置33之一部分)。該V型多缸四衝程引擎單元19具備釋出口35e，該釋出口35e係使通過單一燃燒室用前主觸媒39F之排氣及通過單一燃燒室用後主觸媒39Re之排氣經由集合部33a(集合裝置33之一部分)釋出至大氣。V型多缸四衝程引擎單元19具備釋出口35e，該釋出口35e係使自1個前燃燒室29F 及1個後燃燒室29Re所排出之排氣經由集合部33a(集合裝置33之一部分)釋出至大氣。該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前主觸媒39F，該單一燃燒室用前主觸媒39F係配置於前上游彎曲部34cF與集合部33a(集合裝置33之一部分)之間之單一燃燒室用前排氣通道部36F內，且於自1個前燃燒室29F至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。因此，單一燃燒室用前主觸媒39F成為排氣流動之阻力。並且，因於該單一燃燒室用前主觸媒39F之上游設置有前上游彎曲部34cF，且於該單一燃燒室用前主觸媒39F之下游設置有集合部33a(集合裝置33之一部分)，故而，於相較單一燃燒室用前主觸媒39F之更上游，排氣之流速進一步下降。又，相較單一燃燒室用前主觸媒39F更上游之排氣路徑內之壓力因自1個前燃燒室29F間歇性排出之排氣而進行脈動。所謂壓力進行脈動係指壓力週期性地進行變動。於排氣路徑配置有單一燃燒室用前主觸媒39F。藉此，於單一燃燒室用前主觸媒39F之上游，自1個前燃燒室29F所排出之排氣與該反射波進行撞擊。因該撞擊，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。由此，於相較單一燃燒室用前主觸媒39F之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由上述撞擊而於單一燃燒室用前主觸媒39F之上游，使排氣之流速進一步下降。因而，可於相較單一燃燒室用前主觸媒39F之更上游，使排氣之流速進一步下降。該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後主觸媒39Re，該單一燃燒室用後主觸媒39Re係配置於後上游彎曲部34cRe與集合部33a(集合裝置33之一部分)中之間之單一燃燒室用後排氣通道部36Re內，且於自1個後燃燒室29Re至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣最大程度地淨化。因此，單一燃燒室用後主觸媒39Re成為排氣流動之阻力。並且，因於該單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游設置有後上游彎曲部34cRe，且於該單一 燃燒室用後主觸媒39Re之下游設置有集合部33a(集合裝置33之一部分)，故而，於相較單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，排氣之流速進一步下降。又，相較單一燃燒室用後主觸媒39Re更上游之排氣路徑內之壓力，因自1個後燃燒室29Re間歇性排出之排氣而進行脈動。所謂壓力進行脈動係指壓力週期性地進行變動。於排氣路徑配置有單一燃燒室用後主觸媒39Re。因此，藉由單一燃燒室用後主觸媒39Re而產生壓力脈動之反射。因此，藉由單一燃燒室用前主觸媒39F而產生壓力脈動之反射。藉此，於單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游，自1個後燃燒室29Re所排出之排氣與該反射波進行撞擊。因該撞擊，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。由此，於相較單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由上述撞擊，而於單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游，使排氣之流速進一步下降。因而，可於相較單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，使排氣之流速進一步下降。於將自V型多缸四衝程引擎單元19之各缸之燃燒室所排出之排氣集合之前已分別進行檢測之情形時，未燃燃料容易未經氧化便到達相較排氣路徑更下游之位置。然而，於本發明中，在相較單一燃燒室用前主觸媒39F及單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。除此以外，可使排氣之流速下降。其結果，可於排氣路徑之接近燃燒室之位置，促進未燃燃料之氧化。該V型多缸四衝程引擎單元19係具備於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F或單一燃燒室用前排氣通道部36F，相較單一燃燒室用前主觸媒39F配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF。因此，單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。該 V型多缸四衝程引擎單元19係具備於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re或單一燃燒室用後排氣通道部36Re，相較單一燃燒室用後主觸媒39Re配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF。因此，單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。該V型多缸四衝程引擎單元19係包含對單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF之信號進行處理之控制裝置45。因可對能夠更穩定地檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF之信號進行處理，故可提昇檢測精度，從而可進一步提昇排氣之淨化性能。
本發明係關於一種裝載有V型多缸四衝程引擎單元19之車輛1者。該V型多缸四衝程引擎單元19具備引擎本體20。該引擎本體20具有：曲軸箱部21，其包含曲軸27；1個前汽缸部22F，其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之前方之1個前燃燒室29F、及供自1個前燃燒室29F所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F；及1個後汽缸部22Re，其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之後方之1個後燃燒室29Re、及供自1個後燃燒室29Re所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re。又，該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前排氣通道部36F，該單一燃燒室用前排氣通道部36F具有相對於前燃燒室29F設置於車輛1之前後方向之不同之位置之前後端口41Fe，且使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31F之下游端流入至前後端口41Fe為止。該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後排氣通道部36Re，該單一燃燒室用後排氣通道部36Re具有相對 於後燃燒室29Re設置於車輛1之前後方向之不同之位置之後後端口41Ree，且使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re之下游端流入至後後端口41Ree為止。後後端口41Ree係於車輛1之前後方向上，設置於與前後端口41Fe之間之距離短於1個前燃燒室29F與1個後燃燒室29Re之間之距離之位置。再者，後後端口41Ree亦可於車輛1之前後方向上，設置於與前後端口41Fe相同之位置。因此，存在自1個前燃燒室29F所排出之排氣之性狀與自1個後燃燒室29Re所排出之排氣之性狀不同之情形。因此，排氣之集合部中之氧濃度並非始終均勻，且因部位而不同。於檢測排氣之集合部中之氧濃度之情形時，該檢測精度之提昇較為困難。
然而，本發明可藉由檢測自集合前之各燃燒室所排出之排氣而提昇檢測精度。該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前主觸媒39F，該單一燃燒室用前主觸媒39F係配置於自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F內或單一燃燒室用前排氣通道部36F內，且於1個前燃燒室29F至前後端口41Fe為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。因此，單一燃燒室用前主觸媒39F成為排氣之流動之阻力。藉此，於相較單一燃燒室用前主觸媒39F之更上游，排氣之流速下降。又，相較單一燃燒室用前主觸媒39F更上游之排氣路徑內之壓力因自1個前燃燒室29F間歇性排出之排氣而進行脈動。所謂壓力進行脈動係指壓力週期性地進行變動。於排氣路徑配置有單一燃燒室用前主觸媒39F。因此，藉由單一燃燒室用前主觸媒39F而產生壓力脈動之反射。藉此，於單一燃燒室用前主觸媒39F之上游，自1個前燃燒室29F所排出之排氣與該反射波進行撞擊。因該撞擊，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。由此，於相較單一燃燒室用前主觸媒39F之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由上述撞擊而於單一燃燒室用前主觸媒39F之上游，使排氣 之流速進一步下降。因而，可於相較單一燃燒室用前主觸媒39F之更上游，使排氣之流速進一步下降。
該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後主觸媒39Re，該單一燃燒室用後主觸媒39Re係配置於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re內或單一燃燒室用後排氣通道部36Re內，且於自1個後燃燒室29Re至後後端口41Ree為止之排氣路徑中，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣最大程度地淨化。因此，單一燃燒室用後主觸媒39Re成為排氣流動之阻力。藉此，於相較單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，排氣之流速下降。又，相較單一燃燒室用後主觸媒39Re更上游之排氣路徑內之壓力因自1個後燃燒室29Re間歇性排出之排氣而進行脈動。所謂壓力進行脈動係指壓力週期性地進行變動。於排氣路徑配置有單一燃燒室用後主觸媒39Re。因此，藉由單一燃燒室用後主觸媒39Re而產生壓力脈動之反射。藉此，於單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游，自1個後燃燒室29Re所排出之排氣與該反射波進行撞擊。因該撞擊，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。由此，於相較單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由上述撞擊而於單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游，使排氣之流速進一步下降。因而，可於相較單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，使排氣之流速進一步下降。於將自V型多缸四衝程引擎單元19之各缸之燃燒室所排出之排氣集合之前已分別進行檢測之情形時，未燃燃料容易未經氧化便到達排氣路徑之更下游之位置。然而，於本發明中，在相較單一燃燒室用前主觸媒39F及單一燃燒室用後主觸媒39Re之更上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。除此以外，可使排氣之流速下降。其結果，可於排氣路徑之接近燃燒室之位置，促進未燃燃料之氧化。
該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前上游氧檢測構 件37FF，該單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F或單一燃燒室用前排氣通道部36F中相較單一燃燒室用前主觸媒39F配置於排氣之流動方向之上游之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF，且配置於自1個前燃燒室29F至單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF為止之路徑長度變得長於自單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF至單一燃燒室用前主觸媒39F之上游端為止之路徑長度之位置，且檢測排氣中之氧濃度。因此，單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。
該V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF，該單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF係於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re或單一燃燒室用後排氣通道部36Re中相較單一燃燒室用後主觸媒39Re配置於排氣之流動方向之上游之單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF，且配置於自1個後燃燒室29Re至單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF為止之路徑長度變得長於自單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF至單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游端為止之路徑長度之位置，且檢測排氣中之氧濃度。因此，單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。
該V型多缸四衝程引擎單元19具備對單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF之信號進行處理之控制裝置45。因對可更穩定地檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF之信號 進行處理，故而，可提昇檢測精度，從而可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛1中，較佳為以如下之方式構成。V型多缸四衝程引擎單元19具備：自單一燃燒室用前排氣通道部36F之前後端口41Fe及單一燃燒室用後排氣通道部36Re之後後端口41Ree之兩者流入排氣之集合部33a、及將通過單一燃燒室用前主觸媒39F之排氣及通過單一燃燒室用後主觸媒39Re之排氣釋出至大氣之釋出口35e。單一燃燒室用前主觸媒39F、單一燃燒室用後主觸媒39Re、單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF係相較集合部33a設置於排氣之流動方向之上游。單一燃燒室用前主觸媒39F係於自1個前燃燒室29F至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。單一燃燒室用後主觸媒39Re係於自1個後燃燒室29Re至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣最大程度地淨化。
因此，單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。因對可更穩定地檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF之信號進行處理，故可提昇檢測精度，從而可進一步提昇排氣之淨化性能。
V型多缸四衝程引擎單元19亦可具備檢測流入至集合部33a內之排氣之氧濃度之集合氧檢測構件37C。控制裝置45係對單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF、單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF及集合氧檢測構件37C之信號進行處理。
因此，不僅具備可更穩定地檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF，而且具備檢測流入至集合部33a內之排氣之氧濃度之集合氧檢測構件37C。可藉由對該等信號進行處理而進一步提昇排氣之淨化性能。
V型多缸四衝程引擎單元19亦可具備將自集合部33a(集合裝置33之一部分)所排出之排氣淨化之集合副觸媒39C。集合副觸媒39C係將通過單一燃燒室用前主觸媒39F之排氣及通過單一燃燒室用後主觸媒39Re之排氣之兩者之排氣作為淨化對象。
因此，除了單一燃燒室用前主觸媒39F及單一燃燒室用後主觸媒39Re以外，可使通過該等觸媒之排氣集合，進而利用集合副觸媒39C將該集合而成之排氣淨化。藉此，可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛1中，較佳為以如下之方式構成。單一燃燒室用前排氣通道部36F之排氣路徑之總路徑長度形成為與單一燃燒室用後排氣通道部36Re之排氣路徑之總路徑長度相同、或長於單一燃燒室用後排氣通道部36Re之排氣路徑之總路徑長度。單一燃燒室用前主觸媒39F及單一燃燒室用後主觸媒39Re設置為自1個前燃燒室29F至單一燃燒室用前主觸媒39F之上游端為止之路徑長度與自1個後燃燒室29Re至單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游端為止之路徑長度相同、或長於自1個後燃燒室29Re至單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游端為止之路徑長度。因此，可依照供自各燃燒室29F、29Re所排出之排氣流動之單一燃燒室用排氣通道部36F、36Re，於最佳之位置配置主觸媒。藉此，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛1中，較佳為以如下之方式構成。單一燃燒室用前主觸媒39F設置為自1個前燃燒室29F至單一燃燒室用前主觸媒39F之上游端為止之路徑長度a1F+b1F與自單一燃燒室用前主觸媒39F之 下游端至前後端口41Fe為止之路徑長度d1F相同、或短於自單一燃燒室用前主觸媒39F之下游端至前後端口41Fe為止之路徑長度d1F。藉此，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛1中，較佳為以如下之方式構成。單一燃燒室用後主觸媒39Re設置為自1個後燃燒室29Re至單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游端為止之路徑長度a1Re+b1Re與自單一燃燒室用後主觸媒39Re之下游端至後後端口41Ree為止之路徑長度d1Re相同、或長於自單一燃燒室用後主觸媒39Re之下游端至後後端口41Ree為止之路徑長度d1Re。藉此，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛1中，較佳為以如下之方式構成。單一燃燒室用前主觸媒39F於車輛1之左右方向上，設置於與單一燃燒室用後主觸媒39Re不同之位置，且於車輛1之前後方向上，設置於與單一燃燒室用後主觸媒39Re不同之位置。藉此，可將單一燃燒室用前主觸媒39F及單一燃燒室用後主觸媒39Re一邊抑制相互干涉一邊分別設為最佳之形狀、大小。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度，故可進一步提昇排氣之淨化性能。
V型多缸四衝程引擎單元19具備引擎本體20，該引擎本體20具有：曲軸箱部21，其包含曲軸27；1個前汽缸部22F，其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之前方之1個前燃燒室29F、及供自1個前燃燒室29F所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F；1個後汽缸部22Re，其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之後方之1個後燃燒室29Re、及供自1個後燃燒室29Re所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室 用前排氣通道部36F，該單一燃燒室用前排氣通道部36F具有於使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F之下游端流入至車輛之前後方向之前方之後使排氣流向上下方向之下方之前上游彎曲部34cF、及前後端口41Fe，且使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F之下游端流入至前後端口41Fe為止。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後排氣通道部36Re，該單一燃燒室用後排氣通道部36Re具有於使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re之下游端流入至車輛1之前後方向之後方之後使排氣流向上下方向之下方之後上游彎曲部34cRe、及後後端口41Ree，且使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re之下游端流入至後後端口41Ree為止。V型多缸四衝程引擎單元19具備自單一燃燒室用前排氣通道部36F之前後端口41Fe及單一燃燒室用後排氣通道部36Re之後後端口41Ree之兩者流入排氣之集合部33a。V型多缸四衝程引擎單元19具備使通過單一燃燒室用前主觸媒39F之排氣及通過單一燃燒室用後主觸媒39Re之排氣經由集合部33a釋出至大氣之釋出口35e。V型多缸四衝程引擎單元19具備使自1個前燃燒室29F及1個後燃燒室29Re所排出之排氣經由集合部33a釋出至大氣之釋出口35e。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前主觸媒39F，該單一燃燒室用前主觸媒39F係配置於前上游彎曲部34cF與集合部33a之間之單一燃燒室用前排氣通道部36F內，且於自1個前燃燒室29F至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後主觸媒39Re，該單一燃燒室用後主觸媒39Re係配置於後上游彎曲部34cRe與集合部33a之間之單一燃燒室用後排氣通道部36Re內，且於自1個後燃燒室29Re至釋出口35e為止之排氣路徑中，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣最大程度地淨化。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF，該單一燃燒室用前上游氧檢 測構件37FF係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F或單一燃燒室用後排氣通道部36Re中，相較單一燃燒室用前主觸媒39F配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF，該單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF係於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re或單一燃燒室用後排氣通道部36Re，相較單一燃燒室用後主觸媒39Re配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元19具備對單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF之信號進行處理之控制裝置45。藉此，便可提昇氧濃度之檢測精度，從而可進一步提昇排氣之淨化性能。
本發明之車輛1中可裝載之V型多缸四衝程引擎單元19較佳為以如下之方式構成。V型多缸四衝程引擎單元19具備引擎本體20，該引擎本體20具有：曲軸箱部21，其包含曲軸27；1個前汽缸部22F，其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之前方之1個前燃燒室29F、及供自1個前燃燒室29F所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F；1個後汽缸部22Re，其形成有至少一部分相較曲軸27之中心線Cr1配置於車輛1之前後方向之後方之1個後燃燒室29Re、及供自1個後燃燒室29Re所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前排氣通道部36F，該單一燃燒室用前排氣通道部36F具有相對於前燃燒室29F設置於車輛1之前後方向之不同之位置之前後端口41Fe，且使排氣自單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F之下游端流入至前後端口41Fe為止。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後排氣通道部36Re，該單一燃燒室用後排氣通道部36Re具有相對於後燃燒室29Re設置於車輛1之前後方向之不同之位置之後後端口41Ree，且使排氣自單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re之下游端流 入至後後端口41Ree為止。後後端口41Ree係於車輛1之前後方向上，設置於與前後端口41Fe之間之距離短於1個前燃燒室29F與1個後燃燒室29Re之間之距離之位置。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前主觸媒39F，該單一燃燒室用前主觸媒39F係配置於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F內或單一燃燒室用前排氣通道部36F內，且於自1個前燃燒室29F至前後端口41Fe為止之排氣路徑中，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣最大程度地淨化。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後主觸媒39Re，該單一燃燒室用後主觸媒39Re係配置於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re內或單一燃燒室用後排氣通道部36Re內，且於自1個後燃燒室29Re至後後端口41Ree為止之排氣路徑中，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣最大程度地淨化。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF，該單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F或單一燃燒室用前排氣通道部36F相較單一燃燒室用前主觸媒39F配置於排氣之流動方向之上游之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF，且配置於自1個前燃燒室29F至單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF為止之路徑長度a1F變得長自於單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF至單一燃燒室用前主觸媒39F之上游端為止之路徑長度b1F之位置，檢測排氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF，該單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF係於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re或單一燃燒室用後排氣通道部36Re相較單一燃燒室用後主觸媒39Re配置於排氣之流動方向之上游之單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF，且配置於自1個後燃燒室29Re至單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF為止之路徑長度a1Re變得長於自單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF至單一燃燒室用後主觸媒39Re之上游端為止之路徑長度b1Re之位置，檢測排 氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元19具備對單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF之信號進行處理之控制裝置45。藉此，便可提昇氧濃度之檢測精度，從而可進一步提昇排氣之淨化性能。
根據本發明，於裝載有具備觸媒及氧檢測構件之V型多缸四衝程引擎單元之車輛及V型多缸四衝程引擎單元中，可進一步提昇排氣之淨化性能。
前套管40F之上游通道部之至少一部分之與排氣之流動方向正交之剖面之面積係小於前主觸媒39F之剖面之面積S1。後套管40Re之上游通道部之至少一部分之與排氣之流動方向正交之剖面之面積係小於後主觸媒39Re之剖面之面積S1。面積S1係前套管40F及後套管40Re之觸媒配置通道部之與排氣之流動方向正交之剖面之面積。藉此，於主觸媒39F、39Re之上游，排氣路徑之剖面積產生變化。因此，可使排氣之流動產生變化。由此，未燃燃料與氧變得容易混合。因而，於主觸媒39F、39Re之上游，未燃燃料之氧化得以促進。藉此，上游氧檢測構件37FF、37ReF可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，上游氧檢測構件37FF、37ReF可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更進一步穩定地檢測排氣中之氧濃度。
(實施形態1之變化例1)
圖7係實施形態1之變化例1之機車之側視圖。圖7係表示實施形態1之變化例1之引擎本體及排氣系統之模式圖。於變化例1中，對於與實施形態1相同之構成要素，標註相同之符號，且將詳細之說明省略。
如圖7所示，前上游副觸媒39FF(單一燃燒室用前上游副觸媒)(單一燃燒室用前副觸媒)係設置於前主觸媒39F之路徑方向之上游，且前上游氧檢測構件37FF之下游。前上游副觸媒39FF係配置於前排氣管 34F。後上游副觸媒39ReF(單一燃燒室用後上游副觸媒)(單一燃燒室用後副觸媒)係設置於後主觸媒39Re之路徑方向之上游，且後上游氧檢測構件37ReF之下游。後上游副觸媒39ReF係配置於後排氣管34Re。前下游副觸媒39FRe(單一燃燒室用前下游副觸媒)係配置於前主觸媒39F之路徑方向之下游，且相較前排氣管34F之前後端口41Fe之更上游。後下游副觸媒39ReRe(單一燃燒室用後下游副觸媒)係配置於後主觸媒39Re之路徑方向之下游，且相較後排氣管34Re之後後端口41Ree之更上游。亦可不具備前上游副觸媒39FF及後上游副觸媒39ReF，而具備前下游副觸媒39FRe及後下游副觸媒39ReRe。亦可不具備前下游副觸媒39FRe及後下游副觸媒39ReRe，而具備前上游副觸媒39FF及後上游副觸媒39ReF。亦可不設置集合副觸媒39C。
於本發明中，副觸媒亦可僅由附著於排氣管等之內壁之貴金屬構成。於該情形時，副觸媒之附著有貴金屬之基材係排氣管等之內壁。又，副觸媒亦可具有配置於排氣管等之內側之基材。於該情形時，副觸媒包含基材與貴金屬。副觸媒之基材係例如板狀。板狀之基材之與路徑方向正交之剖面之形狀既可為S字狀，亦可為圓形狀，亦可為C字狀。又，基本性構成亦可與主觸媒相同。副觸媒亦為本發明之觸媒之一。主觸媒係於排氣路徑中，將自1個燃燒室排出之排氣最大程度地淨化。即，主觸媒係於排氣路徑中，相較副觸媒更將自1個燃燒室所排出之排氣淨化。換言之，副觸媒係與主觸媒相比，將排氣淨化之貢獻度較低。因此，副觸媒係與主觸媒相比，產生排氣造成之壓力脈動之反射之作用較小。又，副觸媒係與主觸媒相比，排氣流動之阻力較小。
本發明之主觸媒與副觸媒之各自之淨化之貢獻度可利用以下之方法測定。於測定方法之說明中，將配置於上游之觸媒稱為前觸媒，將配置於下游之觸媒稱為後觸媒。例如，於測定前上游副觸媒39FF及 後上游副觸媒39ReF、前主觸媒39F及後主觸媒39Re之淨化之貢獻度之情形時，前上游副觸媒39FF及後上游副觸媒39ReF為前觸媒，且前主觸媒39F及後主觸媒39Re為後觸媒。
將變化例1之引擎單元進行運轉，於暖機狀態時，測定自釋出口35e排出之排氣中所含之有害物質之濃度。排氣之測定方法設為例如按照歐州規制之測定方法。於暖機狀態下，前觸媒與後觸媒達到高溫而被活化。因此，前觸媒與後觸媒於暖機狀態時，可充分地發揮淨化性能。
繼而，將試驗中所用之引擎單元之後觸媒取出，取而代之地僅配置不含有貴金屬之後觸媒之基材。將該狀態之引擎單元設為測定用引擎單元A。而且，同樣地，於暖機狀態時，測定自釋出口35e排出之排氣中所含之有害物質之濃度。
又，將該測定用引擎單元A之前觸媒取出，取而代之地僅配置不含有貴金屬之前觸媒之基材。將該狀態之引擎單元設為測定用引擎單元B。而且，同樣地，於暖機狀態時，測定自釋出口35e排出之排氣中所含之有害物質之濃度。再者，於副觸媒為使貴金屬直接附著於排氣管之內壁之構成之情形時，排氣管相當於基材。所謂取代如此之副觸媒而僅配置不含有貴金屬之副觸媒之基材係指不使貴金屬附著於排氣管之內壁。
測定用引擎單元A係具有前觸媒，而不具有後觸媒。測定用引擎單元B係不具有前觸媒與後觸媒。因此，根據測定用引擎單元A之測定結果與測定用引擎單元B之測定結果之差，運算前觸媒之淨化之貢獻度。又，根據測定用引擎單元A之測定結果與變化例1之引擎單元之測定結果之差，運算後觸媒之淨化之貢獻度。可藉由應用該測定方法，亦測定主觸媒、上游副觸媒、下游副觸媒之淨化之貢獻度。
於實施形態1之變化例1中，前上游副觸媒39FF之淨化之貢獻度 係小於前主觸媒39F之淨化之貢獻度。所謂前上游副觸媒39FF之淨化之貢獻度小於前主觸媒39F之淨化之貢獻度係指於上述測定方法中，僅於前上游副觸媒39FF設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率小於僅於前主觸媒39F設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率。後上游副觸媒39ReF之淨化之貢獻度係小於後主觸媒39Re之淨化之貢獻度。所謂後上游副觸媒39ReF之淨化之貢獻度小於後主觸媒39Re之淨化之貢獻度係指於上述測定方法中，僅於後上游副觸媒39ReF設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率小於僅於後主觸媒39Re設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率。又，於設置集合副觸媒39C之情形時，前上游副觸媒39FF及後上游副觸媒39ReF之淨化之貢獻度大於集合副觸媒39C之淨化之貢獻度。
於實施形態1之變化例1中，前下游副觸媒39FRe之淨化之貢獻度係小於前主觸媒39F之淨化之貢獻度。所謂前下游副觸媒39FRe之淨化之貢獻度小於前主觸媒39F之淨化之貢獻度係指於上述測定方法中，僅於前下游副觸媒39Fre設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率小於僅於前主觸媒39F設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率。後下游副觸媒39ReRe之淨化之貢獻度係小於後主觸媒39Re之淨化之貢獻度。所謂後下游副觸媒39ReRe之淨化之貢獻度小於後主觸媒39Re之淨化之貢獻度係指於上述測定方法中，僅於後下游副觸媒39ReRe設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率小於僅於後主觸媒39Re設置貴金屬之情形時之排氣之淨化率。又，於設置集合副觸媒39C之情形時，前下游副觸媒39FRe及後下游副觸媒39ReRe之淨化之貢獻度大於集合副觸媒39C之淨化之貢獻度。
再者，於實施形態1中，前主觸媒39F及後主觸媒39Re之淨化之貢獻度係大於集合副觸媒39C之淨化之貢獻度。
再者，觸媒係若使用時間變長則劣化。上述淨化之貢獻度之關 係存在因觸媒之劣化而變化之情形。因此，上述測定方法較佳為儘量於觸媒之劣化進行之前實施。又，若至少於觸媒之劣化進行之前，成為上述淨化之貢獻度之關係，則可獲得與本發明相同之效果。
再者，觸媒之淨化之貢獻度與觸媒之淨化性能不同。即便觸媒之淨化性能變低，亦存在淨化之貢獻度因觸媒之配置而變高之情形。又，亦存在與之相反之情形。
再者，所謂於排氣路徑中將自燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化之觸媒係於排氣路徑中自燃燒室所排出之排氣之淨化之貢獻度最高之觸媒。
於實施形態1之變化例1中，前下游氧檢測構件37FRe(單一燃燒室用前下游氧檢測構件)係配置於前主觸媒39F之路徑方向之下游，且相較前排氣管34F之前後端口41Fe之更上游。前下游氧檢測構件37FRe係配置於相較前下游副觸媒39FRe之更上游。後下游氧檢測構件37ReRe(單一燃燒室用後下游氧檢測構件)係配置於後主觸媒39Re之路徑方向之下游，且相較後排氣管34Re之後後端口41Ree之更上游。後下游氧檢測構件37ReRe係配置於相較後下游副觸媒39ReRe之更上游。
於本發明之車輛1中，較佳為以如下之方式構成。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前副觸媒(前上游副觸媒39FF及前下游副觸媒39FRe)，該單一燃燒室用前副觸媒(前上游副觸媒39FF及前下游副觸媒39FRe)係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F或單一燃燒室用前排氣通道部36F中，配置於單一燃燒室用前主觸媒39F之排氣之流動方向之上游或下游，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣淨化。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後副觸媒(後上游副觸媒39ReF及後下游副觸媒39ReRe)，該單一燃燒室用後副觸媒(後上游副觸媒39ReF及後下游副觸媒39ReRe)係於單一燃燒室用後汽缸排氣通 道部31Re或單一燃燒室用後排氣通道部36Re中，配置於單一燃燒室用後主觸媒39Re之排氣之流動方向之上游或下游，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣淨化。
因此，不僅可利用單一燃燒室用前主觸媒39F，而且可利用單一燃燒室用前副觸媒(前上游副觸媒39FF及前下游副觸媒39FRe)，將自1個前燃燒室29F所排出之排氣淨化。又，不僅可利用單一燃燒室用後主觸媒39Re，而且可利用單一燃燒室用後副觸媒(後上游副觸媒39ReF及後下游副觸媒39ReRe)，將自1個後燃燒室29Re所排出之排氣淨化。藉此，可進一步提昇排氣之淨化性能。
於本發明之車輛1中，較佳為以如下之方式構成。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用前下游氧檢測構件37FRe，該單一燃燒室用前下游氧檢測構件37FRe係於單一燃燒室用前汽缸排氣通道部31F或單一燃燒室用前排氣通道部36F中，配置於相較單一燃燒室用前主觸媒39F之排氣之流動方向之更下游且相較集合部33a之排氣之流動方向之更上游，且檢測排氣中之氧濃度。V型多缸四衝程引擎單元19具備單一燃燒室用後下游氧檢測構件37ReRe，該單一燃燒室用後下游氧檢測構件37ReRe係於單一燃燒室用後汽缸排氣通道部31Re或單一燃燒室用後排氣通道部36Re中，配置於相較單一燃燒室用後主觸媒39Re之排氣之流動方向之更下游且相較集合部33a之排氣之流動方向之更上游，檢測排氣中之氧濃度。控制裝置45係對單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF、單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF、單一燃燒室用前下游氧檢測構件37FRe及單一燃燒室用後下游氧檢測構件37ReRe之信號進行處理。
因此，本發明不僅具備可更穩定地檢測排氣中之氧濃度之單一燃燒室用前上游氧檢測構件37FF及單一燃燒室用後上游氧檢測構件37ReF，而且具備檢測通過單一燃燒室用前主觸媒39F之排氣及通過 單一燃燒室用後主觸媒39Re之排氣之氧濃度之單一燃燒室用前下游氧檢測構件37FRe及單一燃燒室用後下游氧檢測構件37ReRe。可藉由對該等信號進行處理，而進一步提昇排氣之淨化性能。
以上，對本發明之較佳之實施之形態進行了說明，但本發明不僅限於上述實施形態，只要記載於申請專利之範圍中則可進行各種變更。又，下述變更例可適當地組合實施。
於上述實施形態1中，前排氣管34F係將前上游排氣管34aF、前觸媒單元38F及前下游排氣管34bF接合而形成。又，各構件亦將複數個零件接合而形成。然而，可視需要改變將各零件接合之構成。後排氣管34Re係將後上游排氣管34aRe、後觸媒單元38Re及後下游排氣管34bRe接合而形成。又，各構件亦將複數個零件接合而形成。然而，可視需要改變將各零件接合之構成。
上述實施形態1之前排氣管34F及後排氣管34Re之形狀可按照車輛而變形。又，集合裝置33及消音器35之內部結構若能滿足功能，則可進行變形。
於上述實施形態1中，主觸媒為三元觸媒。然而，本發明之單一燃燒室用主觸媒亦可並非為三元觸媒。單一燃燒室用主觸媒可為將烴、一氧化碳、及氮氧化物之任1個或2個去除之觸媒。又，單一燃燒室用主觸媒亦可為氧化還原觸媒。主觸媒亦可為僅藉由氧化或還原之任一者將有害物質去除之氧化觸媒或還原觸媒。作為還原觸媒之一例，存在有藉由還原反応而將氮氧化物去除之觸媒。該變化例亦可適用於副觸媒。
於上述實施形態1中，主觸媒39F、39Re係路徑方向之長度c1F、c1Re大於最大寬度w1F、w1Re。然而，本發明之單一燃燒室用主觸媒亦可路徑方向之長度短於與路徑方向垂直之方向之最大寬度。但，本發明之單一燃燒室用主觸媒係構成為於排氣路徑中，將排氣最大程度 地淨化。此處所謂之排氣路徑係自燃燒室至面向大氣之釋出口之路徑。
本發明之單一燃燒室用主觸媒亦可設為將複數片之觸媒接近地配置之構成。各片具有基材與觸媒物質。此處，所謂接近係指片彼此之相隔距離短於各片之路徑方向之長度之狀態。複數片之基材之組成既可為一種類，亦可為複數個種類。複數片之觸媒之觸媒物質之貴金屬既可為一種類，亦可為複數個種類。觸媒物質之載體之組成既可為一種類，亦可為複數個種類。該變化例亦可適用於副觸媒。
於上述實施形態1之變化例1中，副觸媒不具有多孔結構。然而，副觸媒亦可具有多孔結構。因副觸媒為多孔結構而獲得以下之效果。多孔結構之副觸媒成為排氣流動之阻力。藉此，可於副觸媒之上游，使排氣之流速下降。又，多孔結構之副觸媒可產生壓力脈動之反射。因此，於副觸媒之上游，自燃燒室所排出之排氣與該反射波產生撞擊。藉此，於副觸媒之上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由該撞擊而於副觸媒之上游，使排氣之流速進一步下降。
由此，於主觸媒之上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。進而，可於主觸媒之上游，使排氣之流速進一步下降。
因而，上游氧檢測構件可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，上游氧檢測構件可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更進一步穩定地檢測排氣中之氧濃度。
主觸媒之配置位置並非限定於各圖中所示之位置。以下，說明主觸媒之配置位置之具體變更例。
主觸媒係配置於排氣管。然而，主觸媒亦可配置於汽缸部之汽缸排氣通道部。
於下游副觸媒並非為多孔結構之情形時，可獲得以下之效果。 下游副觸媒係對排氣流動之阻力小於主觸媒。又，於該情形時，下游副觸媒係產生排氣造成之壓力脈動之反射之作用小於主觸媒。因此，即便設置下游副觸媒，亦不會對排氣之流動造成較大之影響。由此，不會阻礙藉由主觸媒與上游氧檢測構件之配置所得之效果。
於下游副觸媒為多孔結構之情形時，可獲得以下之效果。多孔結構之下游副觸媒成為排氣流動之阻力。藉此，可於下游副觸媒之上游，使排氣之流速下降。又，多孔結構之下游副觸媒將產生壓力脈動之反射。因此，於下游副觸媒之上游，自燃燒室所排出之排氣與該反射波產生撞擊。藉此，於下游副觸媒之上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。又，可藉由該撞擊而於下游副觸媒之上游，使排氣之流速進一步下降。
上游氧檢測構件係配置於相較下游副觸媒之更上游。因而，上游氧檢測構件可將氧化已進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，上游氧檢測構件可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更進一步穩定地檢測排氣中之氧濃度。
於在主觸媒之下游設置有下游副觸媒之情形時，主觸媒之劣化之進展快於下游副觸媒。因此，存在若累積行駛距離變長，則主觸媒與下游副觸媒之淨化之貢獻度之大小關係進行反轉之情形。本發明之單一燃燒室用主觸媒係於排氣路徑中，將自燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化。此情況係指產生如上所述之反轉現象之前之狀態。即，此情況係指累積行駛距離未達到特定距離(例如1000km)之狀態。
於本發明中，設置於V型多缸四衝程引擎單元中之副觸媒之數既可為零，亦可為1個，且可為複數個。於觸媒為複數個情形時，在排氣路徑中將自燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化之觸媒相當於本發明之單一燃燒室用主觸媒。於觸媒為1個之情形時，該1個觸媒係本發明之單一燃燒室用主觸媒。於主觸媒之上游與下游亦可設置上游副觸 媒與下游副觸媒。於相較主觸媒之更上游亦可設置2個以上之上游副觸媒。又，於相較主觸媒之更下游亦可設置2個以上之下游副觸媒。
於本發明中，V型多缸四衝程引擎單元亦可具備2個或多於2個之缸。
於上述實施形態1中，上游氧檢測構件係配置於排氣管。然而，上游氧檢測構件亦可配置於汽缸部之汽缸排氣通道部。
上游氧檢測構件係配置於相較上游副觸媒之更上游。然而，於在主觸媒之上游設置有上游副觸媒之情形時，上游氧檢測構件之配置位置亦可為以下之位置。上游氧檢測構件亦可配置於相較上游副觸媒之更下游。又，於上游副觸媒之上游與下游亦可設置2個上游氧檢測構件。上游氧檢測構件係設置於上游副觸媒之上游。上游氧檢測構件係設置於相較上游副觸媒之更下游且相較主觸媒之更上游。
於上游氧檢測構件設置於相較上游副觸媒之更上游之情形時，可獲得以下之效果。於上游副觸媒為多孔結構之情形時，在上游副觸媒之上游，排氣中之未燃燃料與氧變得容易混合。進而，於上游副觸媒之上游，排氣之流速下降。因此，上游氧檢測構件可將氧化已更進一步進行之狀態之排氣作為檢測對象。換言之，上游氧檢測構件可將氧濃度更穩定之排氣作為檢測對象。因而，可更進一步穩定地檢測排氣中之氧濃度。
於在主觸媒之下游設置有下游副觸媒之情形時，下游氧檢測構件之配置位置可為以下之2個位置之任一者。下游氧檢測構件亦可設置於相較主觸媒之更下游且相較下游副觸媒之更上游。又，下游氧檢測構件亦可設置於相較下游副觸媒之更下游。又，於下游副觸媒之上游與下游亦可分別設置下游氧檢測構件。
於在相較主觸媒之更下游設置有下游氧檢測構件之情形時，電子控制單元(控制裝置)處理下游氧檢測構件之信號。電子控制單元(控 制裝置)亦可基於下游氧檢測構件之信號，判定主觸媒之淨化能力。又，電子控制單元(控制裝置)亦可基於上游氧檢測構件與下游氧檢測構件之信號，判定主觸媒之淨化能力。又，電子控制單元(控制裝置)亦可基於上游氧檢測構件與下游氧檢測構件之信號，進行燃燒控制。
對基於下游氧檢測構件之信號判定主觸媒之淨化能力之具體方法之一例進行說明。首先，以固定期間(數秒鐘)內，混合氣體重複濃與稀之方式，控制燃料噴射量。繼而，檢測下游氧檢測構件之信號之變化相對於燃料噴射量之變化之延遲。於下游氧檢測構件之信號之變化之延遲較大之情形時，判定為主觸媒之淨化能力相較特定之等級更低。於該情形時，將信號自電子控制單元傳送至顯示裝置。繼而，顯示裝置之警告燈(未圖示)被點亮。藉此，提醒騎乘者進行主觸媒之更換。
可藉由以此方式，利用配置於主觸媒之下游之下游氧檢測構件之信號而偵測主觸媒之劣化。因此，可於主觸媒之劣化達到特定之等級之前發出通知，提醒進行主觸媒之更換。藉此，便可更長期地維持車輛之與排氣淨化相關之初始性能。
對基於上游氧檢測構件與下游氧檢測構件之信號判定主觸媒之淨化能力之具體方法之一例進行說明。例如，亦可上游氧檢測構件之信號之變化與下游氧檢測構件之信號之變化進行比較，判定主觸媒之淨化能力。可藉由使用配置於主觸媒之上游與下游之2個氧檢測構件之信號，而精度更佳地檢測主觸媒之劣化之程度。因此，與僅使用下游氧檢測構件之信號，判定主觸媒之劣化之情形相比，能夠以更適當之時序提醒主觸媒之更換。由此，便可一邊維持與車輛之排氣淨化性能相關之初始性能，一邊更長期地使用1個主觸媒。
對基於上游氧檢測構件與下游氧檢測構件之信號進行燃燒控制之具體方法之一例進行說明。首先，與上述實施形態1同樣地，基於 上游氧檢測構件之信號修正基本燃料噴射量，使燃料自噴射器中噴射。利用下游氧檢測構件偵測因該燃料之燃燒而產生之排氣。繼而，基於下游氧檢測構件之信號，修正燃料噴射量。藉此，便可更降低混合氣體之空燃比相對於目標空燃比之偏差。
可藉由使用配置於主觸媒之上游與下游之2個氧檢測構件之信號，而掌握主觸媒之實際之淨化狀況。因此，於基於2個氧檢測構件之信號進行燃料控制之情形時，可提昇燃料控制之精度。又，上游氧檢測構件可穩定地檢測排氣中之氧濃度。因而，可更進一步提昇燃料控制之精度。藉此，便可使主觸媒之劣化之進展延遲，故可更長期地維持與車輛之排氣淨化相關之初始性能。
上述實施形態1係基於上游氧檢測構件之信號，控制點火正時及燃料噴射量。然而，基於上游氧檢測構件之信號之控制處理並無特別限制，亦可僅為點火正時及燃料噴射量中之任一者。又，基於上游氧檢測構件之信號之控制處理亦可包含上述以外之控制處理。
氧檢測構件亦可內置有加熱器。氧檢測構件之檢測部可於被加熱至高溫而成為活化狀態時偵測氧濃度。因此，若氧檢測構件內置加熱器，則可與開始運轉同時地藉由加熱器而將檢測部加熱，藉此，可使氧檢測之開始提前。
排氣管之相較主觸媒更上游之至少一部分亦可包含多重管。多重管係包含內管、及將內管覆蓋之至少1個外管。二重管係包含內管、及將內管覆蓋之外管。內管與外管亦可僅兩端部相互接觸。多重管之內管與外管亦可於除了兩端部以外之部分接觸。例如，於彎曲部中，亦可內管與外管接觸。所接觸之面積較佳為小於未接觸之面積。又，內管與外管亦可整體地接觸。於排氣管具有多重管之情形時，較佳為將上游氧檢測構件配置於多重管之中途或相較多重管之更下游。可藉由設置多重管而抑制排氣之溫度下降。藉此，可於引擎起動時， 使上游氧檢測構件更早期地上升至活化溫度。因而，可更穩定地檢測排氣中之氧濃度。
本發明亦可具備將觸媒單元之外表面之至少一部分覆蓋之觸媒保護器。可藉由設置觸媒保護器而保護觸媒單元及主觸媒。進而，可藉由設置觸媒保護器而提昇外觀性。又，可藉由設置觸媒保護器而調整對周圍之熱影響。
於上述實施形態1中，引擎驅動時在排氣路徑中流動之氣體僅為自燃燒室所排出之排氣。然而，本發明之V型多缸四衝程引擎單元亦可具備將空氣供給至排氣路徑之二次空氣供給機構。二次空氣供給機構之具體構成係採用公知之構成。二次空氣供給機構亦可為藉由空氣泵而將空氣強制性地供給至排氣路徑之構成。又，二次空氣供給機構亦可為藉由排氣路徑之負壓而將空氣吸入至排氣路徑之構成。於該情形時，二次空氣供給機構具備相應於排氣造成之壓力脈動進行開閉之簧片閥。於設置二次空氣供給機構之情形時，上游氧檢測構件之配置位置亦可相較空氣所流入之位置設置於更上游或設置於更下游。
於上述實施形態1中，為將燃料供給至燃燒室而使用噴射器。將燃料供給至燃燒室之燃料供給裝置不僅限於噴射器。例如，亦可設置藉由負壓而將燃料供給至燃燒室之燃料供給裝置。
於上述實施形態1中，對於1個燃燒室，僅設置有1個排氣埠。然而，亦可對於1個燃燒室設置複數個排氣埠。例如，具備可變埠機構之情形係相當於該變化例。但，自複數個排氣埠所延伸之排氣路徑係於相較主觸媒之更上游集合。自複數個排氣埠所延伸之排氣路徑較佳為於汽缸部中集合。
本發明之燃燒室可為具有主燃燒室、及與主燃燒室相連之副燃燒室之構成。於該情形時，藉由主燃燒室與副燃燒室而形成1個燃燒室。
於上述實施形態1中，曲軸箱部與汽缸體係獨立個體。然而，曲軸箱部與汽缸體亦可一體成形。又，於上述實施形態1中，汽缸體、汽缸頭、汽缸頭外殼為獨立個體。然而，汽缸體、汽缸頭、汽缸頭外殼之任1個、任2個或任3個亦可一體成形。
適用本發明之V型多缸四衝程引擎單元不僅限於V型2缸四衝程引擎單元。例如，亦可為V型4缸四衝程引擎單元。又，亦可為V型6缸四衝程引擎單元。該等V型多缸四衝程引擎單元具有複數個前燃燒室與複數個後燃燒室。而且，於每一前燃燒室設置有前主觸媒與前上游氧檢測構件。又，於每一後燃燒室設置有前主觸媒與前上游氧檢測構件。
上述實施形態係以具備V型多缸四衝程引擎單元之車輛例示了機車。然而，本發明之車輛若為以V型多缸四衝程引擎單元之動力進行移動之車輛，則可為任何之車輛。本發明之車輛亦可為除了機車以外之跨坐型車輛。所謂跨坐型車輛係指騎乘者以跨坐之狀態乘坐之車輛之整體。跨坐型車輛中，包含機車、三輪機車、四輪越野車(ATV：All Terrain Vehicle(全地形型車輛))、水上機車、雪上摩托車等。本發明之車輛亦可並非為跨坐型車輛。又，本發明之車輛亦可為並非騎乘者所乘坐者。又，本發明之車輛亦可為能夠不載人而行駛者。於該等情形時，所謂車輛之前方向係指車輛之前進方向。
於本說明書及本發明中，所謂主觸媒之上游端係指於主觸媒中，與燃燒室相距之路徑長度變為最短之端。所謂主觸媒之下游端係指於主觸媒中，與燃燒室相距之路徑長度變為最長之端。對於除了主觸媒以外之要素之上游端及下游端，亦可適用同樣之定義。
於本說明書及本發明中，所謂通道部係指將路徑包圍而形成路徑之壁體等，且所謂路徑係指對象所通過之空間。所謂排氣通道部係指將排氣路徑包圍而形成排氣路徑之壁體等。再者，所謂排氣路徑係 指排氣所通過之空間。
於本說明書及本發明中，所謂排氣路徑之路徑長度係指排氣路徑之中央之線路之路徑長度。又，消音器之膨脹室之路徑長度係指自膨脹室之流入口之中央最短地連結膨脹室之流出口之中央而成之路徑之長度。
於本說明書中，所謂路徑方向係指通過排氣路徑之中央之路徑之方向且排氣流動之方向。
於本說明書中，採用了通道部之與路徑方向正交之剖面之面積之表現手法。又，於本說明書及本發明中，採用了通道部之與排氣之流動之方向正交之剖面之面積之表現手法。此處之通道部之剖面之面積既可為通道部之內周面之面積，亦可為通道部之外周面之面積。
又，於本說明書及本發明中，所謂構件或直線沿A方向延伸並非僅表示構件或直線與A方向平行地配置之情形。所謂構件或直線沿A方向延伸係包含構件或直線相對於A方向以±45°之範圍傾斜之情形。再者，A方向並非指特定之方向。亦可將A方向置換為水平方向或前後方向。
本發明亦包含可基於本說明書之揭示由業者所認識之包括均等之要素、修正、刪除、組合(例如，跨及各種實施形態之特徵之組合)、改良及/或變更之所有實施形態。申請專利範圍之限定事項應基於該申請專利範圍中所用之術語而廣義地解釋。申請專利範圍之限定事項並非限定於本說明書或本申請案之審查中記載之實施形態。如此之實施形態應解釋為非排他性。例如，本說明書中，「較佳為」或「可」之類之術語係非排他性者，表示「較佳但並非限於此」或「可但並非限於此」。
21‧‧‧曲軸箱部
22F‧‧‧前汽缸部
22Re‧‧‧後汽缸部
24aF‧‧‧前汽缸孔
24aRe‧‧‧後汽缸孔
24F‧‧‧前汽缸體
24Re‧‧‧後汽缸體
25F‧‧‧前汽缸頭
25Re‧‧‧後汽缸頭
26F‧‧‧前汽缸頭外殼
26Re‧‧‧後汽缸頭外殼
27‧‧‧曲軸
29F‧‧‧前燃燒室
29Re‧‧‧後燃燒室
31F‧‧‧前汽缸排氣通道部
31Re‧‧‧後汽缸排氣通道部
33‧‧‧集合裝置
33a‧‧‧集合室(集合部)
34aF‧‧‧前上游排氣管
34aRe‧‧‧後上游排氣管
34bF‧‧‧前下游排氣管
34bRe‧‧‧後下游排氣管
34dF‧‧‧前下游彎曲部
34F‧‧‧前排氣管
34cF‧‧‧前上游彎曲部
34cRe‧‧‧後上游彎曲部
34Re‧‧‧後排氣管
35‧‧‧消音器
35e‧‧‧釋出口
36F‧‧‧前排氣通道部
36Re‧‧‧後排氣通道部
37C‧‧‧集合氧檢測構件
37FF‧‧‧前上游氧檢測構件
37ReF‧‧‧後上游氧檢測構件
38F‧‧‧前觸媒單元
38Re‧‧‧後觸媒單元
39C‧‧‧集合副觸媒
39F‧‧‧前主觸媒
39Re‧‧‧後主觸媒
40F‧‧‧前套管
40Re‧‧‧後套管
41F‧‧‧前排氣路徑
41Re‧‧‧後排氣路徑
41Fe‧‧‧前後端口
41Ree‧‧‧後後端口
a1F、b1F、c1F、d1F‧‧‧路徑長度
a1Re、b1Re、c1Re、d1Re‧‧‧路徑長度
Cr1‧‧‧曲軸之中心線
Cy1F‧‧‧前汽缸軸線
Cy1Re‧‧‧後汽缸軸線
w1F、w1Re‧‧‧最大寬度

Claims (8)

  1. 一種車輛，其特徵在於：其係裝載有V型多缸四衝程引擎單元之車輛，上述V型多缸四衝程引擎單元包含：引擎本體，其具有：包含曲軸之曲軸箱部、形成有至少一部分相較上述曲軸之中心線配置於上述車輛之前後方向之前方之1個前燃燒室與供自上述1個前燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之1個前汽缸部、及形成有至少一部分相較上述曲軸之中心線配置於車輛之前後方向之後方之1個後燃燒室與供自上述1個後燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之1個後汽缸部；單一燃燒室用前排氣通道部，其具有於排氣自上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流入至車輛之前後方向之前方之後使排氣流向上下方向之下方之前上游彎曲部、及前後端口，且使排氣自上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流至上述前後端口；單一燃燒室用後排氣通道部，其具有於排氣自上述單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流入至車輛之前後方向之後方之後使排氣流向上下方向之下方之後上游彎曲部、及後後端口，且使排氣自上述單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流至上述後後端口；集合部，其係自上述單一燃燒室用前排氣通道部之上述前後端口及上述單一燃燒室用後排氣通道部之上述後後端口之兩者流入排氣； 釋出口，其係將自上述1個前燃燒室及上述1個後燃燒室所排出之排氣經由上述集合部釋出至大氣；單一燃燒室用前主觸媒，其係配置於上述前上游彎曲部與上述集合部之間之上述單一燃燒室用前排氣通道部內，且於自上述1個前燃燒室至上述釋出口為止之排氣路徑中，將自上述1個前燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化；單一燃燒室用後主觸媒，其係配置於上述後上游彎曲部與上述集合部之間之上述單一燃燒室用後排氣通道部內，且於上述自1個後燃燒室至上述釋出口為止之排氣路徑中，將自上述1個後燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化；單一燃燒室用前上游氧檢測構件，其係於上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用前排氣通道部中，相較上述單一燃燒室用前主觸媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度；單一燃燒室用後上游氧檢測構件，其係於上述單一燃燒室用後汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用後排氣通道部中，相較上述單一燃燒室用後主觸媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度；及控制裝置，其係對上述單一燃燒室用前上游氧檢測構件及上述單一燃燒室用後上游氧檢測構件之信號進行處理。
  2. 如請求項1之車輛，其中上述V型多缸四衝程引擎單元具備：單一燃燒室用前下游氧檢測構件，其係於上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用前排氣通道部中，相較上述單一燃燒室用前主觸媒配置於排氣之流動方向之下游，且相較上述集合部配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度；及 單一燃燒室用後下游氧檢測構件，其係於上述單一燃燒室用後汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用後排氣通道部中，相較上述單一燃燒室用後主觸媒配置於排氣之流動方向之下游，且相較上述集合部配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度；上述控制裝置係處理上述單一燃燒室用前上游氧檢測構件、上述單一燃燒室用後上游氧檢測構件、上述單一燃燒室用前下游氧檢測構件及上述單一燃燒室用後下游氧檢測構件之信號。
  3. 如請求項1或2之車輛，其中上述V型多缸四衝程引擎單元具備：單一燃燒室用前副觸媒，其係於上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用前排氣通道部中，配置於上述單一燃燒室用前主觸媒之排氣之流動方向之上游或下游，且將自上述1個前燃燒室所排出之排氣淨化；及單一燃燒室用後副觸媒，其係於上述單一燃燒室用後汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用後排氣通道部中，配置於上述單一燃燒室用後主觸媒之排氣之流動方向之上游或下游，且將自上述1個後燃燒室所排出之排氣淨化。
  4. 如請求項1至3中任一項之車輛，其中上述單一燃燒室用前排氣通道部之排氣路徑之總路徑長度係形成為與上述單一燃燒室用後排氣通道部之排氣路徑之總路徑長度相同或長於上述單一燃燒室用後排氣通道部之排氣路徑之總路徑長度，上述單一燃燒室用前主觸媒及上述單一燃燒室用後主觸媒係設置為自上述1個前燃燒室至上述單一燃燒室用前主觸媒之上游端為止之路徑長度與自上述1個後燃燒室至上述單一燃燒室用後主觸媒之上游端為止之路徑長度相同、或長於自上述1個後燃燒室至上述單一燃燒室用後主觸媒之上游端為止之路徑長度。
  5. 如請求項1至4中任一項之車輛，其中上述單一燃燒室用前主觸媒係設置為自上述1個前燃燒室至上述單一燃燒室用前主觸媒之上游端為止之路徑長度與自上述單一燃燒室用前主觸媒之下游端至上述前後端口為止之路徑長度相同、或短於自上述單一燃燒室用前主觸媒之下游端至上述前後端口為止之路徑長度。
  6. 如請求項1至5中任一項之車輛，其中上述單一燃燒室用後主觸媒係設置為自上述1個後燃燒室至上述單一燃燒室用後主觸媒之上游端為止之路徑長度與自上述單一燃燒室用後主觸媒之下游端至上述後後端口為止之路徑長度相同、或長於自上述單一燃燒室用後主觸媒之下游端至上述後後端口為止之路徑長度。
  7. 如請求項1至6中任一項之車輛，其中上述單一燃燒室用前主觸媒係於上述車輛之左右方向上，設置於與上述單一燃燒室用後主觸媒不同之位置，且於上述車輛之前後方向上，設置於與上述單一燃燒室用後主觸媒不同之位置。
  8. 一種V型多缸四衝程引擎單元，其特徵在於：其係可裝載於如請求項1之上述車輛之V型多缸四衝程引擎單元，且包含：引擎本體，其具有：包含曲軸之曲軸箱部、形成有至少一部分相較上述曲軸之中心線配置於上述車輛之前後方向之前方之1個前燃燒室與供自上述1個前燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之1個前汽缸部、及形成有至少一部分相較上述曲軸之中心線配置於上述車輛之前後方向之後方之1個後燃燒室與供自上述1個後燃燒室所排出之排氣流動之單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之1個後汽缸部；單一燃燒室用前排氣通道部，其具有於排氣自上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流入至車輛之前後方向之前方 之後使排氣流向上下方向之下方之前上游彎曲部、及前後端口，且使排氣自上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部之下游端流至上述前後端口；單一燃燒室用後排氣通道部，其具有於排氣自上述單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流入至車輛之前後方向之後方之後使排氣流向上下方向之下方之後上游彎曲部、及後後端口，且使排氣自上述單一燃燒室用後汽缸排氣通道部之下游端流向上述後後端口；集合部，其係自上述單一燃燒室用前排氣通道部之上述前後端口及上述單一燃燒室用後排氣通道部之上述後後端口之兩者流入排氣；釋出口，其係將自上述1個前燃燒室及上述1個後燃燒室所排出之排氣經由上述集合部釋出至大氣；單一燃燒室用前主觸媒，其係配置於上述前上游彎曲部與上述集合部之間之上述單一燃燒室用前排氣通道部內，且於自上述1個前燃燒室至上述釋出口為止之排氣路徑中，將自上述1個前燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化；單一燃燒室用後主觸媒，其係配置於上述後上游彎曲部與上述集合部之間之上述單一燃燒室用後排氣通道部內，且於自上述1個後燃燒室至上述釋出口為止之排氣路徑中，將自上述1個後燃燒室所排出之排氣最大程度地淨化；單一燃燒室用前上游氧檢測構件，其係於上述單一燃燒室用前汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用前排氣通道部中，相較上述單一燃燒室用前主觸媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度；單一燃燒室用後上游氧檢測構件，其係於上述單一燃燒室用 後汽缸排氣通道部或上述單一燃燒室用後排氣通道部中，相較上述單一燃燒室用後主觸媒配置於排氣之流動方向之上游，且檢測排氣中之氧濃度；及控制裝置，其係對上述單一燃燒室用前上游氧檢測構件及上述單一燃燒室用後上游氧檢測構件之信號進行處理。
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