TW201604981A - 表面改質銀鈀合金線的結構 - Google Patents

表面改質銀鈀合金線的結構 Download PDF

Info

Publication number
TW201604981A
TW201604981A TW104123525A TW104123525A TW201604981A TW 201604981 A TW201604981 A TW 201604981A TW 104123525 A TW104123525 A TW 104123525A TW 104123525 A TW104123525 A TW 104123525A TW 201604981 A TW201604981 A TW 201604981A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mass
silver
wire
palladium alloy
palladium
Prior art date
Application number
TW104123525A
Other languages
English (en)
Inventor
Michitaka Mikami
Bin Liu
Kazuhiko Yasuhara
Jun Chiba
Junichi Okazaki
Nanako Maeda
Original Assignee
Tanaka Electronics Ind
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Electronics Ind filed Critical Tanaka Electronics Ind
Publication of TW201604981A publication Critical patent/TW201604981A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45644—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45664—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45663—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45669—Platinum (Pt) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details

Abstract

【課題】本發明之目的在提供一種即使表面改質銀鈀合金線的被覆材或芯材的種類或線徑被變更，亦無須個別設定接合條件，即可穩定地進行超音波接合且超音波接合時的製程視窗寬度寬的表面改質銀鈀合金線的結構。 【構成】本發明之表面改質銀鈀合金線的結構係由芯材和表面改質層構成的表面改質銀鈀合金線的結構，該芯材由純度99.99質量%以上的銀(Ag)及金(Au)、及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之Ag-1~5質量%Pd合金或Ag-1~5質量%Pd-0.05~10質量%(Au或Pt)合金構成，該表面改質層由純度99.99質量%以上的金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)或其合金構成，該表面改質銀鈀合金線的結構的特徵在於，該線表面係連同該芯材的晶界在該線的長邊方向以二十~三十μm寬度的間隔形成交叉的深色環，並且在該芯材的大小的縱長溝內埋設有該表面改質層的表面形態。

Description

表面改質銀鈀合金線的結構
本發明係關於適於半導體裝置中使用之IC晶片電極與外部引線等的基板連接的表面改質銀鈀合金接合線，尤其係關於車載用途、功率半導體、或高速設備用途等在高溫環境下被使用的超音波連接用接合及凸塊線、或者即使為15μm以下的極細線亦可使用的無空氣焊球(FAB)用表面改質銀接合線。
自以往以來，已開發出各式各樣種類的將半導體裝置的IC晶片電極與外部引線相連接的銀鈀合金接合線。例如，「使Ag含有1~30wt%的Pd而成」者(日本特開昭57-021830號公報)、「在Ag中添加合計500~3000重量ppm的Pd等中至少1種而成」者(日本特開昭64-087736號公報)、「以0.005~7質量%的範圍包含Pd等中的至少一種，且剩餘部分由銀及銀之不可避免雜質構成之銀合金」(日本特開平9-275120號公報)、「Pd為10質量%以下、…，進一步含有40質量%以下的Au，剩餘部分由Ag及不可避免的雜質構成」者(日本特開平11-288962號公報)、「由純度99.99質量%以上的銀(Ag)、純度99.999質量%以上的金(Au)、及純度99.99質量%以上的鈀(Pd)構成之三元合金系接合線，其中金(Au)為4~10質量%、鈀(Pd)為2~5質量%、氧化性非貴金屬添加元素為15~70質量ppm及剩餘部分由銀(Ag)構成」，「作為氧化性非貴金屬添加元素，有鈣(Ca)，稀土類元素(Y、La、 Ce、Eu、Gd、Nd及Sm)、鈹(Be)、鎂(Mg)、錫(Sn)、銦(In)、鉍(Bi)。 較佳為鈣(Ca)及稀土類元素，尤其以鑭(La)、鈹(Be)為佳(0013段落)」者((日本特開2012-169374號公報)後述的專利文獻1)、「複合銀線含有該金4質量%以上且8質量%以下並且含有鈀2~4質量%」者(日本特開2013-21280號公報)等。
此外，作為塗膜銀接合線，有被覆金(Au)者(日本特公 昭54-23794號公報、日本特開昭56-021354號公報)、被覆鈀(Pd)、鉑(Pt)或鎳(Ni)者(日本特開2004-14884號公報)、被覆金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)等者(日本特開2007-123597號公報)、「在芯材的外側具有：以銀、金、鈀、鉑、鋁中的一種以上為主成分元素的芯材、及以與該主成分元素為不同的導電性金屬為主成分的外皮層的接合線，且該外皮層的厚度為0.001~0.09μm的範圍」者((日本特開2007-123597號公報)後述的專利文獻2)等。
另外，在塗膜銀接合線亦已知有：「藉由AES分析之有機被 膜的厚度經SiO2換算為0.5~3nm」，「金屬製線的材質為Au、Au合金、Au-Ag合金、Ag、Cu中之任一者」者((日本特開2012-109356號公報)後述的專利文獻3)。
這些銀接合線的線徑，亦若為無空氣焊球(FAB)用銀接合 線的情形，則一般為十數μm至數十μm的線徑者，若為功率系半導體用粗線的情形，則一般為數十μm至數百μm者。
在此，FAB係指一邊將氮氣或氮氣-氫氣等非氧化性氣體或還原氣體朝由接合工具前端延伸的接合線的前端噴吹一邊進行火花放電，而形成在接 合線的前端的熔融球。若為FAB，則保持不活潑氣體環境或還原性氣體環境，至接合線的熔融球被第一接合為止，因此不會有銀鈀合金接合線本身在第一接合時亦硫化的情形。
另外，即使為如上所示之接合線，亦有如下所示之接合法： 不製作熔融球，直接藉由超音波，將第一接合及第二接合僅以超音波法相連接的楔形接合法；或藉由夾具扯掉該經楔形接合的塗膜銀線的柱形凸塊法等藉由超音波之接合法。另外，為使超音波接合更加容易，將銀線壓毀而形成為平坦的矩形剖面形狀的帶式線亦可進行超音波接合。接著，以該等方法予以超音波接合的線係在之後藉由壓模樹脂予以密封而形成半導體裝置。其中，鋁墊大多使用純鋁(Al)金屬或在該鋁(Al)金屬添加0.3~2.0質量%的銅(Cu)、矽(Si)、鎳(Ni)等的合金，通常藉由真空蒸鍍等乾式電鍍而形成。
但是，上述銀鈀合金接合線至目前為止並未被實用化作為接 合線。銀鈀合金接合線未被實用化的理由如下所示。
首先，純的高純度銀接合線由於具有在接合連接前，表面硫化而形成硫化銀膜這樣的致命性的缺點，因此考慮利用銀鈀合金接合線。但是，鈀(Pd)的含量為5質量%以下的銀鈀合金接合線在耐硫化性方面與高純度銀接合線沒有太大的差別，需要進行塗膜。但是，經塗膜的銀鈀合金接合線，FAB的熔融球形狀不均，接合性不穩定。
另一方面，開發原料金屬價格比銀更為廉價的銅接合線，即使為在高溫環境下使用的超音波連接用接合及凸塊線，亦使用廉價的銅接合線。
另外，若金價沉滯化，則將比銅接合線更為昂貴的鈀(Pd) 的含量超過5質量%的銀鈀合金接合線置換成接合性能良好的金接合線。結果，由於不需要銀鈀合金接合線，因此其尚未被開發為實際情況。
而且，接合線由20μm變細為18μm、接著由18μm變細為15μm 時，銀鈀合金接合線會變得較硬而難以進行拉線加工。因此，若進行塗膜，雖然不會對第一接合的接合條件造成影響，但是藉由第二接合之超音波產生之接合區域會變少。另外，依照超音波的條件，具有完全可接合的接合區域消失等，利用超音波之第二接合越漸不穩定的技術上的課題。該課題係無論利用超音波之第一接合、或柱形接合，大多為與超音波接合有關的課題。
這是因為，基於超音波裝置之細線用接合線的接合條件依頻 率(數十~數百kHz左右)、輸出(最大數W左右)、及加壓力(數~數十gf左右)而定，因此，相較於第一接合的接合條件，限制較多。第二接合的最適的超音波條件除了芯材的成分組成以外，認為亦受到芯材的表面形態及表面被覆層的材質或膜厚所影響。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2012-169374號公報
【專利文獻2】日本特開2007-123597號公報
【專利文獻3】日本特開2012-109356號公報
本發明係為解決利用超音波所致之接合性變得不穩定的該 課題所完成者，目的在於提供藉由成形模形成的表面改質銀鈀合金線的剖面形狀接近正圓者，而使超音波接合時的製程視窗寬度寬且廉價的表面改質銀鈀合金線，尤其提供車載用途、功率半導體或高速設備用途等在高溫環境下被使用的超音波連接用接合線的結構。
本發明人發現若將藉由純度99.99質量%以上的銀(Ag)及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之銀鈀合金進行縮徑，則該線的結晶粒徑會變細，在該線的長邊方向以數十μm寬度的間隔形成交叉的深色環。亦即，以掃描電子顯微鏡觀察線時，將在線上看起來環狀深色的部位稱為深色環。該深色環在批間為不均，但是若在銀鈀合金中添加微量元素，則深色環會有變深的傾向。另外，若在銀鈀合金中含有金(Au)元素，則該深色環會有變淺的傾向。由狀態圖來看，銀鈀合金或銀鈀金合金，完全固溶，但是在一連串連續拉線步驟中的線的強加工中，銀鈀合金的晶格內部的無法跟隨的線狀轉移網等的變形被認為明顯存在於合金表面者。
本發明人認為在深色環的批間呈不均的原因是因拉線模不均一性所致。亦即，一連串拉線模係因摩損等而形成為不均一形狀，在線表面的長邊方向形成大小的縱長的溝。成形模係使用較為正圓形狀的模，但是由於被拉線的銀鈀合金較硬，因此並不能填埋大小不規則的縱長溝。因此，為第一接合時的FAB不穩定、或第二接合時的製程視窗寬度較窄者。本發明係耐硫化性及耐氧化性高，在高熔點的貴金屬層或貴金屬合金層將該不均一大小的縱長溝進行填坑，藉此使銀鈀合金線的接合性提升者。
用以解決本發明之課題的表面改質銀鈀合金線的結構之一 係由芯材和表面改質層構成的銀鈀合金線的結構，所述芯材由純度99.99質量%以上的銀(Ag)、及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之Ag-1~5重量%(意指1重量%以上且5重量%以下。以下同。)Pd合金構成，該表面改質層由純度99.99質量%以上的金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)或其合金構成，，該表面改質銀鈀合金線的構造的其特徵在於，該線表面係連同該芯材的晶界在該線的長邊方向以二十~三十μm寬度的間隔形成交叉的深色環，並且在該芯材的大小的縱溝內埋設有該表面改質層的表面形態。
另外，用以解決本發明之課題的表面改質銀鈀合金線的結構 之一係由芯材和表面改質層構成的銀鈀合金線的結構，所述芯材由純度99.99質量%以上的銀(Ag)、及金(Au)或鉑(Pt)、及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之Ag-1~5質量%Pd-0.05~10質量%(Au或Pt)合金構成，該表面改質層由純度99.99質量%以上的金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)或其合金構成，該表面改質銀鈀合金線的構造的其特徵在於，該芯材表面係連同該芯材的晶界在該線的長邊方向以二十~三十μm寬度的間隔形成交叉的深色環，而且，在該芯材的大小的縱溝內埋設有該表面改質層的表面形態。
本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中較佳的實施態樣如 以下所示。
在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，較佳為芯材在Ag-1~5質量%Pd合金中進一步含有總量為10~90質量ppm的Ca、La、Y、Eu、Ce或Ge中的至少1種。
另外，在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，較佳為芯材在Ag-1~5質量%Pd-0.05~10質量%(Au或Pt)合金中進一步含有總量為10~90 質量ppm的Ca、La、Y、Eu、Ce或Ge中的至少1種。
另外，在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，較佳為上述被覆材為純度99.99質量%以上的金(Au)。
另外，在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，較佳為上述表面改質層的厚度為由線整體的質量分析的結果算出的0.5~8nm的理論膜厚。
另外，在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，較佳為在上述表面改質銀鈀合金線的最上層進一步存在總有機碳量(TOC值)為50~3,000μg/m2的有機碳層。
本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中的用語的定義如以下所示。
作為「表面改質層」，為純度99.99質量%以上的金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)或其合金。在「其合金」亦包含由上述高純度貴金屬1~40質量%、及剩餘部分為純度99.99質量%以上的銅(Cu)所構成的銅合金。純度99.99質量%以上的金(Au)的表面改質層比芯材更為柔軟，因此被填充在芯材的大小的縱溝內，剩餘的金(Au)形成極薄的透明的表面改質層，但是若膜厚較厚，則FAB的熔融條件會變得不一致。另一方面，鈀(Pd)或鉑(Pt)的表面改質層比芯材更容易加工硬化。因此，若表面改質層的膜厚變厚，則膜的應力變高，表面改質層會由芯材剝離。此外，與金(Au)同樣地，若鈀(Pd)或鉑(Pt)的膜厚較厚，則FAB的熔融條件會變得不一致。如上所示之現象在被均一表面改質的膜中觀察不到，而在比鑽石模內面的凹凸溝更薄的表面改質膜中被觀察到的現象。
其中，存在「透明的表面改質層」，係由於若將純的銀鈀合金線的一側面進行削取而形成FAB時，可形成正球形的熔融球，相對於此，同樣地將表面改質銀鈀合金線的一側面進行削取而形成FAB時，可形成偏心的熔融球。
若使用純度變得更高，尤其99.999%以上的高純度的金 (Au)、鈀(Pd)、或鉑(Pt)時，其延展性增加，可得透明的極薄表面改質層。尤其，由延展性的觀點來看，以純度99.999質量%以上的金(Au)為更佳。
在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，提出「0.5~8nm 的理論膜厚」是由於，由第二圖可明顯得知，過薄會無法直接觀察透明的極薄表面改質層。「理論膜厚」係將線整體溶解，藉由高頻感應耦合電漿發光分光分析法(ICP-AES)，求出該溶液中的表面改質層的濃度，由該濃度算出作為接合線的線徑中的均一膜厚者。上述表面改質層的厚度較佳為由線整體的質量分析的結果算出的0.5~8nm的理論膜厚。其中，該「理論膜厚」係在可測定的數十nm的膜厚的範圍中，與由線的縮徑率所算出的表面改質層的膜厚顯示出充分一致。
另外，在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，較佳為總 有機碳量(TOC值)為200~1,000μg/m2。
在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，較佳為該表面改 質銀鈀合金線為無空氣焊球(FAB)用接合線。
在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，將上述芯材的成 分組成形成為由純度99.99質量%以上的銀(Ag)及純度99.9質量%以上的鈀 (Pd)構成之Ag-1~5質量%Pd合金、或藉由純度99.99質量%以上的銀(Ag) 及金(Au)或鉑(Pt)、及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之Ag-1~5重量%Pd-0.05~10質量%(Au或Pt)合金是由於，在純度99.99質量%以上的銀(Ag)線，表面會硫化，此外，因氧的侵入，雜質會形成氧化物。此外是由於，該等合金線係作為接合線能在形成第一接合的FAB時形成正球球體，而使迴圈特性穩定化。另外是由於，當與純鋁(Al)墊或Al-1質量%Si合金等墊相連接時，不會產生鋁飛濺。
另外，在上述超音波接合用銀鈀合金線的情況下，較佳為將 貴金屬以外的微量金屬成分，亦即Ca、La、Y、Eu、Ce或Ge中的至少1種設為10~90質量ppm。將下限設為10質量ppm是由於，即使氧或硫溶存在銀鈀合金基質中，該等預定金屬成分亦將氧或硫固定化之故。若將銀鈀合金基質形成為缺氧狀態，則與表面改質層互相結合而可使線表面中的銀(Ag)與硫(S)的反應(Ag‧S反應)、及在芯材內部的氧化性金屬與氧的反應延遲。
另一方面，將上限設為90質量ppm以下係由於與表示「9999純金」的純金合金接合線相符合。其中，若金屬成分為90質量ppm以下，則在表面改質銀鈀合金線的表面層附近不會有微量添加金屬或金屬雜質以高濃度或低濃度偏析的情形。
在本發明中之表面改質銀鈀合金線的結構中，之所以將理論 膜厚設為預定的極薄層，係由於在超音波接合時，將被覆材的整體(bulk)性質除外。在本發明中，由於表面改質層為極薄層，因此在第一接合及第二接合的接合界面，可忽略表面改質層的影響。另一方面，在大氣中，作 為貴金屬的耐硫化性及耐氧化性的性質得到發揮，相較於不具表面改質層的銀鈀合金線，耐硫化性及耐氧化性提升。另外，由於表面改質層極薄，因此即使為加工硬化性的鈀(Pd)，由較為柔軟的芯材進行吸收，結果是不會有如以往的鈀被覆接合線般，鑽石模在拉線中異常摩損的情形。
其中，將由線整體的質量分析的結果算出的理論膜厚設為 0.5~8nm係基於以下理由。亦即，若理論膜厚為未達0.5nm的情況，在線表面形成有多數縱長溝時，有完全填埋該溝的量變得不足之虞。另外，若理論膜厚超過8nm的情況，超音波接合受到被覆材的影響，有第二視窗試驗的可接合區域明顯減少之虞。因此，若理論膜厚為該範圍內，可使超音波的接合性穩定，且可加寬超音波的設定條件，有可得穩定接合強度的效果。
另外，在本發明之表面改質銀鈀合金線中，若藉由FAB來形 成熔融球時，相較於第二接合的超音波接合，較不受極薄的表面改質層的影響，因此與已知的芯材組成同樣地，熔融球形成為正球形狀而被接合至墊。
本發明中之線表面的深色環模樣係藉由將由高純度的單體 元素構成之預定範圍的銀鈀合金線的芯材進行拉線而形成。在拉線中的線上，將貴金屬的被覆材進行表面改質，即使將積層結構縮徑至理論膜厚為數奈米(nm)為止，亦形成該深色環模樣。亦即，深色環模樣不會被極薄的透明的貴金屬層的有無所影響。
即使拉線至最終線徑後再將貴金屬的被覆材進行表面改 質，亦無法達成本發明之目的。原因在於無法以表面改質層填埋縱長溝之故。為形成本發明之透明的極薄表面模樣，亦取決於芯材與被覆材的組合 的種類，但是一般而言，需要以線的直徑為1/10以上的縮徑。其中，如上所示，若在芯材的表面形成極薄表面模樣，由於表面改質層極薄，因此不會有依一般的拉線速度及縮徑率，該透明的表面模樣崩壞的情形。
另外，在本發明之表面改質銀鈀合金線的結構中，之所以將 該總有機碳量(TOC值)設為50~3,000μg/m2的有機碳層是由於，儘可能使包圍芯材周圍的被覆材的厚度變薄。為了防止銀鈀合金線的硫化，總有機碳量愈多愈好，但在形成FAB的情況下，會在毛細管以碳粉的形式殘留，故較不理想。
若可求出總有機碳量(TOC值)，則可由球接合用線的線徑 一般為15~25μm，因此可從總有機碳量(TOC值)輕易地以計算求出有機碳層的理論的厚度。因此，以由表面改質層較厚時的最適值、至較薄時的最適值為止的較佳範圍而言，設為50~3,000μg/m2的有機碳層。更佳為200μg/m2至1,000μg/m2的範圍。
其中，極薄碳層並無法直接測定，因此求出表面改質銀鈀合 金線的表面的總有機碳量(TOC值)。該總有機碳量(TOC值)係可依芯材與被覆材的種類及超音波接合的半導體的用途來適當選擇。
有機碳層係以在表面改質銀鈀合金接合線的全面設置極薄 的有機碳層為佳。第一目的在於，大氣中的硫或氧不易附著於線表面的金屬層，即使在表面改質銀鈀合金接合線的表面存在硫層，亦未使其擴展至硫化銀層。在50~3,000μg/m2，更佳為200~1,000μg/m2的範圍內時，可藉由利用純水之熱水洗淨或超音波洗淨、或藉由有機高分子化合物的超稀薄溶液的浸漬來進行控制。更佳為以藉由稀薄溶液所為之浸漬為佳。這是因為， 總有機碳量(TOC值)的變動較少。
作為有機高分子化合物，亦可使用日本特開平6-151497號所 揭示之石蠟系烴、環烷系烴、芳香族系烴等礦油系、聚烯烴、烷基苯、脂肪酸、高級醇、脂肪酸皂、聚乙二醇、聚苯醚、脂肪酸二酯、聚醇酯、聚氧乙烯烷基醚、磺酸鹽、胺、胺鹽、聚矽氧、磷酸酯、氟碳、氟聚醚、氟甘醇等合成油系、牛油、豬油、棕櫚油、大豆油、菜籽油、蓖麻籽油、松香油等天然油脂系。另外，亦可為該等數成分的混合系。或者，亦可為日本特開2002-241782號所揭示之非離子系界面活性劑，亦即選自由聚乙二醇、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯聚氧丙烯乙二醇、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚乙二醇脂肪酸酯、聚氧乙烯脫水山梨醇脂肪酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、及聚氧乙烯甘油脂肪酸酯所構成群組之1種或2種以上。又，亦可為乙醇、甲醇、1-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇、乙烯甘醇、丙三醇等水溶性醇。
在本發明之拉線加工面的全面形成有機碳層是由於，若在一 部分有未形成的部位時，大氣中的硫(S)會自該處與表面的銀(Ag)結合而向芯材內部擴展之虞。
本發明中之線表面的隔著間隔的深色環模樣、或透明的極薄 的表面改質層、及有機碳層係均在第一接合的FAB接合時消失，另外，在第二接合的超音波接合時亦消失。
藉由本發明之表面改質銀鈀合金線的結構，芯材上隔著間隔 的深色環係伴隨芯材的高純度金屬者，因此可穩定地形成銀鈀合金線，且可利用在接合線的品質檢查。因此，適度間隔的深色環係可使不均較大的超音波的接合性穩定，且可採取較寬的超音波設定條件，具有可得接合線穩定接合強度的效果。因此，可將表面改質銀鈀合金線更加細線化。另一方面，在形成熔融球的接合線的情形下，不會受到被覆材的厚度的影響，不論被覆材的材質如何都可得穩定的正球球體。另外，藉由本發明之表面改質銀鈀合金線的結構，即使在經細線化的情形下，也不會受到被覆材的影響，因此可將適於用途的微量成分添加在芯材而使迴圈形成等更為良好。此外，本發明之表面改質銀鈀合金線表面改質層以固相的形式存在，因此可阻止芯材的硫化或氧化。另外，本發明之線係於第二接合的超音波的接合性穩定，可保證至使用開始為止作為接合線的製品壽命。
另外，若在表面改質銀鈀合金線的表面形成有機碳層的情 況，作為附帶效果，與習知之接合線同樣地，可改善對毛細管的線表面的滑順。另外，藉由本發明之表面改質銀鈀合金線的結構，即使反覆接合，亦不會有毛細管污染的情形。
第一圖係顯示本發明之表面改質銀鈀合金線的平面結構。
第二圖係顯示本發明之表面改質銀鈀合金線的側面的結構。
【實施例】
具有表1的芯材及被覆材的成分組成的銀鈀合金(銀(Ag)、金(Au)及銅(Cu)係純度99.9999質量%以上，其他鈀(Pd)與鉑(Pt) 的合金化成分係分別將純度99.999質量%以上)均一地進行熔融鑄造，一邊進行中間熱處理(600℃×0.5小時)一邊壓延，之後進行拉線而得被覆被覆材之前的粗線(直徑0.5mm)。
將由表1的編號1所示之Ag-3.5質量%Pd合金所構成之芯材 拉線至直徑0.5mm，在該粗線的外周以0.1μm左右表面被覆金(Au)。之後，以濕式藉由鑽石模進行連續拉線，最終獲得直徑15μm的超音波接合用線。 藉由掃描電子顯微鏡來觀察該線的外觀的平面結構顯示於第一圖，進一步放大觀察側面的結構顯示於第二圖。其中，雖未圖示，但若以低倍率觀察，則在線的表面係看到在線的長邊方向呈交叉的深色環。該深色環係以20μm左右的長度得間隔相連。
將實施品1~實施品16的線進行化學性溶解，藉由高頻感應 耦合電漿發光分光分析法(島津製作所股份有限公司的ICPS-8100)，求出該溶液中的表面改質層的濃度，由該濃度算出作為接合線的線徑中的均一膜厚，結果作為線的理論膜厚全部為5nm。另外，平均縮徑率為6~20%、最終線速為100-300m/分鐘。其中，供後述的實施品的第二視窗試驗與表面形態的攝影用的線係另外製作。
(第二視窗試驗)
藉由超音波裝置所為之第二視窗試驗係在X軸由10mA至130mA以每隔10mA將超音波電流設置13階段，在Y軸由10gf至100gf以每隔10gf將加壓力設置10階段，在全部130的區域中求出可接合區域的個數的試驗。在表2所示之例中，關於具有實施例1之成分組成之剛製造後的直徑30μm的線，利用K&S公司製造的全自動帶式接合器ICONN型超音波裝置，在經Ag電鍍的引線框架(QFP-200)上，以120kHz的頻率及接合溫度顯示為「200deg」，按各視窗進行1,000個第二視窗試驗者。表2所示之例之情形下之可接合區域(黑格)的個數為71個。未接合或接合器停止的區域(白格)的個數為29個。由該試驗結果可知，若再線徑粗而超音波輸出為較大的線的情況，則適當選擇粗線的線徑或被覆材的種類等即可。
之後，在將表1所示之表面改質銀鈀合金線(實施品1~實施 品16)連續浸漬在純水或各個濃度的有機化合物溶液中之後，以各自的最適溫度進行調質熱處理而得本發明之表面改質銀鈀合金線(實施品1~實施品16)。
(總有機碳量(TOC)的測定)
總有機碳量(TOC)的測定如下進行。
總有機碳量的測定係分別對10,000m的純銀合金連接線進行秤量，添加200g的0.1N-NaOH水溶液，在水浴中煮沸30分鐘來進行萃取，冷卻後，添加2.5ml的8N-HCl，輕輕振盪，以高純度空氣起泡15分鐘。將此供給島津製作所製造的TOC-5000型有機碳測定機，來測定有機碳濃度，且由該值計算總有機碳重量，除以20μm直徑的純銀合金連接線的表面積，作為表面的非離子性界面活性劑的總有機碳量。
(實施品的第二視窗試驗)
接著，在將上述本發明之球接合用純銀合金連接線(實施品1~實施品16)在20℃×濕度50%的清淨室內保管96小時的前後，進行表2所示之第二視窗試驗，獲得表3的結果。
其中，關於第二視窗試驗之好壞的判定係在全部100個區域 中可接合區域為60個以上設為○記號，40~59個設為●記號，39個以下設為×記號。另外，作為第二接合性試驗的合格水平，將最佳等級者設為○記號，將優秀等級者設為●記號，不合格水平的等級設為×來進行判斷。但是，藉由超音波裝置之輸出係按照接合線的線徑，以最適頻率(40~120kHz左右) 及最適輸出(0.1~5W左右)來適當設定。
【比較例】
與實施例同樣地，由直徑1mm的粗線分別獲得直徑15μm的線，連續浸漬在表1所示之各個濃度的有機化合物溶液，獲得比較例的球接合用純銀合金連接線(比較品1~比較品3)。但是，比較品1及比較品2係進行與實施例相同的中間熱處理(600℃×0.5小時)。比較品3係進行與實施例不同的中間熱處理(600℃×0.5小時及700℃×0.5小時)。其中，平均縮徑率為6~20%、最終線速為100~300m/分鐘。
比較品1係包圍銀鈀合金的芯材的周圍的鈀(Pd)表面改質層的理論膜厚為0.05nm。
比較品2係包圍銀鈀合金的芯材的周圍的金(Au)表面改質層的理論膜厚為20nm。表面改質層為透明，但是如後述的表3所示，視窗數少。
比較品3係包圍銀鈀合金的芯材周圍的金(Au)表面改質層的理論膜厚為5nm。但是，如後述表3所示，視窗數少。這是因為，表面改質層因高溫的700℃的調質熱處理而消失之故。
接著，針對將該比較品1~比較品3在20℃×濕度50%的清淨室內保管96小時之前後的比較例的球接合用銀鈀合金連接，進行表2所示之第二視窗試驗，得到表3的結果。
由超音波的第二視窗試驗明顯可知，球接合用銀鈀合金連接(實施品1~實施品16)係可接合區域全部有40個以上，即使接合條件稍微改變，亦可得穩定的超音波接合。另一方面，比較例的球接合用銀鈀合金 連接(比較品1~比較品3)係即使為製造不久後的接合線，任一均僅有18個以下。而且，可知製造後在20℃×濕度50%的清淨室內保管96小時者係全部僅有10個以下，僅些微變動接合條件，沒有可接合區域，從而無法獲得良好的接合。
其中，可知本發明及比較例的球接合用銀鈀合金連接(實施 品1~實施品16及比較品1~比較品3)即使超過1萬m，亦不會發生毛細管堵塞，與至目前為止同樣地，毛細管的潤滑性良好。
【產業上可利用性】
本發明之表面改質銀鈀合金線係除了通用IC、離散式IC、記憶體IC之外，有為高溫高濕的用途的同時，也有被要求低成本的LED用IC封裝體、汽車半導體用IC封裝體等半導體用途。

Claims (8)

  1. 一種表面改質銀鈀合金線的結構，其係由芯材和表面改質層構成的表面改質銀鈀合金線的結構，該芯材由純度99.99質量%以上的銀(Ag)、及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之Ag-1~5質量%Pd合金構成，，該表面改質層由純度99.99質量%以上的金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)或其合金構成，該表面改質銀鈀合金線的結構的特徵在於，該線表面係連同該芯材的晶界在該線的長邊方向以二十~三十μm寬度的間隔形成交叉的深色環，並且在該芯材的大小的縱長溝內埋設有該表面改質層的表面形態。
  2. 一種表面改質銀鈀合金線的結構，其係由芯材和表面改質層構成的表面改質銀鈀合金線的結構，該芯材由純度99.99質量%以上的銀(Ag)、及金(Au)或鉑(Pt)、及純度99.9質量%以上的鈀(Pd)所得之Ag-1~5質量%Pd-0.05~10質量%(Au或Pt)合金構成，該表面改質層由純度99.99質量%以上的金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)或其合金構成，該表面改質銀鈀合金線的結構的特徵在於，該線表面係連同該芯材的晶界在該線的長邊方向以二十~三十μm寬度的間隔形成交叉的深色環，並且在該芯材的大小的縱長溝內埋設有該表面改質層的表面形態。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之表面改質銀鈀合金線的結構，其中該芯材進一步包含總量為10~90質量ppm的Ca、La、Y、Eu、Ce或Ge其中至少1種。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之表面改質銀鈀合金線的結構，其中該表面改質層為純度99.999質量%以上的金(Au)。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之表面改質銀鈀合金線的結構，其中該表面改質層的厚度為由線整體的質量分析的結果算出的0.5~8nm的理論膜厚。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之表面改質銀鈀合金線的結構，其中在該表面改質銀鈀合金線的最上層進一步存在總有機碳量(TOC值)為50~3,000μg/m2的有機碳層。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項之表面改質銀鈀合金線的結構，其中該總有機碳量(TOC值)為200~1,000μg/m2。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項之表面改質銀鈀合金線的結構，其中該表面改質銀鈀合金線為用於無空氣焊球的接合線。
TW104123525A 2014-07-25 2015-07-21 表面改質銀鈀合金線的結構 TW201604981A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014151766A JP2016029691A (ja) 2014-07-25 2014-07-25 表面改質銀パラジウム合金ワイヤの構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201604981A true TW201604981A (zh) 2016-02-01

Family

ID=55248996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104123525A TW201604981A (zh) 2014-07-25 2015-07-21 表面改質銀鈀合金線的結構

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2016029691A (zh)
CN (1) CN105321917A (zh)
SG (1) SG10201505546YA (zh)
TW (1) TW201604981A (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102471720B1 (ko) * 2016-07-20 2022-11-29 삼성전자주식회사 본딩 와이어 및 이를 이용한 와이어 본딩
SG10201607523RA (en) * 2016-09-09 2018-04-27 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Coated wire
CN114502754B (zh) * 2019-10-01 2023-11-17 田中电子工业株式会社 引线接合结构和其中使用的接合线及半导体装置
KR20230112722A (ko) * 2021-02-05 2023-07-27 헤라우스 매터리얼즈 싱가포르 피티이 엘티디 코팅된 와이어

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8940403B2 (en) * 2012-01-02 2015-01-27 Wire Technology Co., Ltd. Alloy wire and methods for manufacturing the same
JP5507730B1 (ja) * 2013-04-02 2014-05-28 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用貴金属希薄銀合金ワイヤ
JP5399581B1 (ja) * 2013-05-14 2014-01-29 田中電子工業株式会社 高速信号用ボンディングワイヤ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016029691A (ja) 2016-03-03
SG10201505546YA (en) 2016-02-26
CN105321917A (zh) 2016-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103155130B (zh) Ag-Au-Pd三元合金接合线
JP5399581B1 (ja) 高速信号用ボンディングワイヤ
CN107004610B (zh) 半导体装置用接合线
KR102013214B1 (ko) 반도체 장치용 본딩 와이어
US8101030B2 (en) Manufacturing method for composite alloy bonding wire
TWI490995B (zh) High-speed signal line with bonding wire
JP5668087B2 (ja) 半導体装置接合用銅希薄ニッケル合金ワイヤの構造
TW201604981A (zh) 表面改質銀鈀合金線的結構
KR20120031005A (ko) 반도체용 구리 합금 본딩 와이어
KR101536554B1 (ko) 본딩용 와이어
JP5546670B1 (ja) 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造
TW201603220A (zh) 半導體裝置用接合導線
TWI738695B (zh) 球焊用銅合金線
US20090297391A1 (en) Manufacturing method for a silver alloy bonding wire and products thereof
JP2001284792A (ja) 半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法
TW201446980A (zh) 球焊用貴金屬薄銀合金絲
KR100514312B1 (ko) 반도체 소자용 본딩 와이어
TWI510652B (zh) Construction of thin copper alloy wire for copper alloy for joining semiconductor device
TWI722593B (zh) 用於電連接電子組件之接觸表面的方法
TWI509089B (zh) Sectional Structure of Pure Copper Alloy Wire for Ultrasonic Jointing
US11456271B2 (en) Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same
JP2003059964A (ja) ボンディングワイヤ及びその製造方法
JP5669335B1 (ja) 銀金合金ボンディングワイヤ
Murali et al. Alloyed copper bonding wire with homogeneous microstructure
JP2003023029A (ja) 半導体素子接続用金線及びその製造方法