TW201604132A - 安全製備光氣的方法 - Google Patents

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Abstract

在光氣容量低於10t/hr之工廠中，在根據反應流程CO(g)+Cl2(g)->COCl2(g)由一氧化碳及氯氣安全製備光氣(COCl2)之方法中，該CO由主要基於CO2之原料就地製備。該工廠較佳包含製備CO之固體氧化物電解池(SOEC)堆疊系統，該CO連同氯氣一起用於光氣合成中。此製備光氣之方式係基於使用初級原材料，其大於1000ppm或甚至大於10000ppm或10%之逸出濃度將不會導致任何健康風險。

Description

安全製備光氣的方法
本發明係關於一種安全製備光氣之方法。更特定言之，其係關於一種在較小型工廠，亦即名牌容量低於每小時10噸，較佳低於每小時1噸之工廠中，根據以下反應流程由一氧化碳及氯氣製備光氣之方法CO(g)+Cl2(g)->COCl2(g) (1)
其中氣態反應物CO及Cl2由與COCl2、CO及Cl2相比危害小許多的原材料就地製備。
光氣(碳醯二氯)為具有式COCl2之無色有毒氣體。其為幾乎所有化學分支中製備中間物及最終產物之重要化學製品。其用作大量藥物及其他有機化合物合成過程中之工業試劑及構建塊。就量而言最大的應用領域為製備聚胺基甲酸酯化學之二異氰酸酯，尤其二異氰酸甲苯酯及4,4'-亞甲基二苯基二異氰酸酯。因此，在美國，約80%之總光氣產物用於製備各種異氰酸酯產物，其轉而用於製備聚胺基甲酸酯樹脂及各種農藥。約10%之光氣產物用於製備聚碳酸酯，而剩餘部分用於製備有機碳酸酯化合物及酸氯化物。
工業上，光氣藉由使經純化之一氧化碳及氯氣傳送通過用作催化劑之多孔活性炭床來製備。反應展示於以上反應式(1)中。
光氣之此基礎製造方法自20世紀20年代起就未明顯改變，且該方法包含原材料氯氣及一氧化碳之製備及純化、此等材料之計量及混合、經混合之氣體在活性炭上之反應及光氣產物之冷凝及純化。
該方法通常連續操作，採用高度自動化。由於光氣之毒性，廣泛的安全性措施構成工廠設計之完整部分。反應迅速且相對於兩種試劑幾乎為定量的。在大規模工廠中，光氣在穩態操作下製備，且產物需要下游儲存。工廠配備有安全吸收系統，藉以用循環苛性鹼溶液吸收且破壞任何過剩光氣。
對於小型及中型規模使用者，例如低於每小時1噸，製備諸如化學製品中間物、殺生物劑及醫藥中間物之下游光氣產物通常以製備週期進行或在需要較大調節比之情況下進行，因為由於儲存過於危險而需要立即消耗所製備之所有光氣，且出於此原因光氣受嚴格控制。因此，若可接受略微較低的光氣品質，則製備容量低於每小時1噸之典型光氣工廠可適應降至30%且甚至降至10%之調節比。
許多專利及專利申請案描述藉由以上反應製備光氣。舉例而言，DE 19 916 856 A1描述由CO、Cl2及金屬鹵化物(Al或Ga氯化物)催化劑製備光氣。在WO 98/28227 A1中，使用活性金屬含量1000ppm之碳催化劑，且JP 10120410 A2使用含有至多6莫耳% H2之Cl2及CO。藉由減小CO中之H2含量來防止光氣產物變黃。根據US 4,073,806 B，藉由複數個階段催化相互反應由氯氣及一氧化碳製備光氣，其中將所有氯氣需要量及至少一些(但不到全部)一氧化碳需要量引入第一階段反應區中，將剩餘所需一氧化碳引入串聯連接至該第一階段反應區之下游反應區中。最後， US 2013/0072717描述用於藉由在固體催化劑存在下CO與Cl2之氣相反應製備光氣之反應器，該反應器具有一束呈複雜設計圖案形式之在反應器之縱向方向上排列之並聯催化劑管。
該反應為強放熱的；生成焓為-107.6千焦/莫耳，且因此必須冷卻反應器。典型地，反應在50℃與150℃之間進行，因為在高於200℃之溫度下光氣會恢復成一氧化碳及氯氣。使用略微過量一氧化碳以確保所有氯氣反應且獲得不含氯氣之光氣。反應可在大氣壓下或在超大氣壓力下，常常在2巴至3巴下進行，因此光氣可藉助於冷卻水而冷凝。估計光氣之全球產量為約3百萬噸/年。
光氣為劇毒氣體，其在第一次世界大戰期間作為毒氣而聲名狼藉。因此光氣列於化學武器公約(Chemical Weapons Convention)之目錄3上，且其又被視為切實可行的化學戰劑。光氣為隱伏毒物，因為氣味可能不會被察覺到且症狀可能緩慢出現。光氣之氣味偵測臨限值為0.4ppm，為低限值(threshold limit value；TLV)之四倍，且因此光氣之生產者以及消費者主要聚焦於與光氣參與之任何過程相關的安全性。典型地遵循之兩個安全準則為- 避免儲存大量有毒化學製品，其為自1984年印度博帕爾(Bhopal)災難中學到的極其重要的教訓，及- 儘可能避免人工操作具有劇毒化學製品之容器。已知已發生與操作光氣容器相關之致命事故。
為遵守以上準則，光氣典型地在同一工業工廠內製備及使用。在美國，超過99%之光氣產物在製備其之場所使用。
然而，為確保安全的光氣製備，避免儲存及操作光氣並不夠。避免儲存及操作用於製備方法之大量危險原材料亦極其重要。在此方面，特別言之，氯氣及一氧化碳構成嚴重的健康風險。
氯氣在以約1ppm之濃度存在時構成健康風險。更特定言之，作為短期曝露限值(short-term exposure limit；STEL)之低限值(TLV)為1ppm，且以8小時時間加權平均值(8-hour time weighted average；TWA)計，其為0.5ppm。相比而言，光氣在以氯氣濃度之十分之一，亦即以TWA計0.1ppm之濃度存在時構成健康風險。與光氣製備相關，氯氣將典型地在同一場所製備。此可例如在可用於較大及較小體積氯氣之方法中由鹽(NaCl)及水以電解方式進行：2 NaCl+2 H2O->Cl2+H2+2 NaOH (2)
可使用氯化鉀(KCl)替代NaCl：2 KCl+2 H2O->Cl2+H2+2 KOH (3)
關於一氧化碳，此化合物在以低於100ppm，以STEL計TLV100ppm及以TWA計25ppm之濃度存在時呈現健康風險，且在較大工廠(>1噸/小時)中，其通常在製備光氣之同一場所製備。在此情況下，一氧化碳可例如藉由裂解甲醇來製備：CH3OH->2 H2+CO (4)
或藉由重組天然氣來製備：CH4+H2O->3 H2+CO (5)
在兩種情形下均必須分離H2及CO。此方法以較小規模進行時為成本極高的程序，且因此其對於較小CO體積而言為不適合的。在小型 光氣工廠中，CO將典型地在管道拖車中輸送，通常自中心CO製備單元運輸幾百公里。CO管道拖車必須頻繁更換，通常一日更換若干次，此對與光氣製備相關之人員造成極其實質性風險。因此，關於較小型光氣製備工廠，CO之運輸、操作及儲存對製備場所構成嚴重的安全風險且與較大體積CO之普通運輸相關。對於較遠位置之小型光氣工廠，CO管道拖車之可用性亦為問題。在一些情況下，當無法實現CO輸送時，工廠必須使用其他方法來產生CO，諸如原生碳之次化學計算量燃燒，然而其為效率較低且污染較多的方法。此外，以此方式製備之CO氣體中可能有痕量O2。此並非所需，因為O2將與碳催化劑組合形成CO2，從而消耗催化劑。
因此，本發明係關於一種製備光氣之新穎概念，其在較小型工廠中進行時亦為安全的。在本發明上下文中，較小型工廠為每小時製備小於10噸光氣(較佳每小時小於1噸光氣)之工廠。此新穎製備概念之實施例展示於圖1中，其中在根據以上反應式(2)之反應器A中以電解方式由鹽(NaCl)及水製備氯氣。不同於CO，二氧化碳(CO2)為相對無害氣體，其在根據反應之反應器B中本地轉化成一氧化碳。
2 CO2->2 CO+O2 (6)
隨後，光氣合成在反應器C中藉由根據以上反應式(1)之CO與Cl2之反應進行。
此製備光氣之新穎概念係基於使用逸出濃度大於1000ppm或甚至大於10000ppm或10%將不會導致任何健康風險之初級原材料。
製備必要一氧化碳所必需的二氧化碳可在本地製備，例如藉由如上文所提及之重組以及水煤氣轉移反應自天然氣或各種其他烴製備。一氧化碳亦可自流出物氣體之醱酵，自發電廠或引擎煙道氣捕獲，自合成氣體移除或自天然地下CO2來源捕獲。
良好確立之技術可用於此目的且典型地係基於各種洗滌技術，其中CO2在含有例如胺之液相中捕獲且隨後釋放至大氣中或用於各種方法中。其亦可由大氣中所含有之二氧化碳製備。
對於小型至中型規模一氧化碳製備而言，CO2典型地在諸如上文所提及之彼等來源處捕獲，經純化以符合技術或食品級品質，且隨後在卡車上以液態形式運輸。卡車將CO2輸送至本地儲存槽，其中CO2以液態形式儲存。該槽單元配備有蒸發器，且將CO2自儲存槽輸送至產生一氧化碳之工廠。
如上文所提及，CO2至CO之轉化較佳以電解方式在如圖2中所展示之SOEC堆疊系統中進行。
用所施加之電流將二氧化碳饋入至SOEC系統之燃料側以將CO2轉化成CO且將過剩氧氣運輸至SOEC系統之氧氣側。空氣、氮氣或CO2可用於沖洗氧氣側。沖洗SOEC系統之氧氣側具有兩個優勢：- 降低氧濃度及相關腐蝕作用，及 - 提供將能量饋入SOEC系統中之方法，從而以吸熱方式操作SOEC系統。
來自SOEC系統之產物流含有經混合之CO及CO2。此可直接饋入光氣製備中，或可在分離方法中提高CO濃度，該方法諸如變壓吸附(pressure swing adsorption；PSA)、變溫吸附(temperature swing adsorption；TSA)、薄膜分離、低溫分離或液體洗滌器技術，例如使用N-甲基二乙醇胺(MDEA)洗滌。
關於光氣製備，使用SOEC系統提供CO之兩個重要優勢：
- 氧氣副產物穿過薄膜且因此CO產物流中將不存在氧氣。
- 產物流中之CO2之剩餘內容物在光氣合成方法中實際上為惰性的且將不會導致在光氣合成方法中產生非所需副產物。
SOEC中之電解方法需要650℃與850℃之間的操作溫度。視特定操作條件、堆疊組態及堆疊之完整性而定，總體操作可消耗熱量(亦即吸熱)，其可為熱中性的或其可產生熱量(亦即放熱)。在該等高溫下進行之任何操作亦導致顯著熱量損耗。因此，其將典型地需要外部加熱以達到且維持所需操作溫度。
藉由在本地由二氧化碳製備CO，有可能製備光氣- 而無需儲存大量有毒化學製品，- 而無需將有毒化學製品運輸至光氣工廠中或遠離光氣工廠，及- 而無需連續更換具有有毒化學製品之容器或槽。
相比於自天然氣重組或甲醇裂解製備CO，在本地由二氧化碳製備CO亦具有一些關鍵優勢。極其重要的是，光氣製備之CO原料不含 甲烷，因為任何存在的甲烷將形成有害雜質CCl4(四氯化碳)。此雜質非常難以避免及移除，且其將造成最終產物，尤其聚碳酸酯產物之光學退化。藉由自CO2本地製備獲得之CO將不含甲烷，因為市售CO2原料不含甲烷且甲烷不會在轉化期間形成。亦極其重要的是，確保原料中不存在H2或H2O，因為此將導致形成造成腐蝕問題之HCl。藉由天然氣重組或甲醇裂解製備之CO將含有此等雜質，而在本地由CO2製備之CO避免此等雜質，藉以降低腐蝕風險且提高該方法安全性。典型所需之產物品質為CCl4<20ppm至80ppm。CO原料之最低需求為CH4<0.1體積%且H2<0.5體積%，但視實際產物品質需求而定，其可更嚴格。對於氧氣之限制更多為關於饋入光氣反應器中之CO饋料中之任何氧氣的操作問題。CO饋料中之任何氧氣使位於光氣反應器中之活性碳催化劑氧化，從而消耗光氣催化劑且形成CO2。
為避免來自SOEC單元之CO產物氣體中之CH4及H2，重要的是向SOEC單元饋入足夠純的CO2原料。尤其重要的是，避免將CO2中之H2及H2O饋入SOEC中，因為H2O將轉化成H2，其轉而可與CO2組合形成CH4。因此，原料之H2及H2O含量應均遠低於0.5%。可例如用如歐洲工業氣體協會(European Industrial Gases Association；EIGA)標準70/08/E中所定義之「食品級CO2」滿足此需求，其相對於濕氣(水)、氨、氧氣、NOX、揮發性烴、乙醛、苯、一氧化碳、甲醇、氰化氫及總硫之含量，為CO2設定極低限值。
SOEC一氧化碳產生器之一個特殊特徵為可適應極低調節比，以使得在各情況下CO製備可與光氣製備之所需原料相匹配。特別言之，小型及中型規模生產者需要降至10%之較高調節比。SOEC工廠可適應 此，且甚至在某種程度上以最佳方式保持堆疊壽命。調節藉由僅操作堆疊之子集來實現，從而保持未操作之堆疊之壽命。
另外，將有可能在製備氯氣時採用來自SOEC系統之副產物，且反之亦然，亦即，在SOEC系統中採用來自氯氣製備之副產物，即：- 氯氣可獲自HCl及氧氣：4 HCl+O2->2 Cl2+2 H2O (7)
其中可使用來自SOEC系統之氧氣，及- SOEC堆疊亦可以反向模式用作燃料電池堆疊。只要不需要CO工廠之全部容量，因此有可能使用SOEC單元之部分自氯氣工廠中所製備之氫氣產生電能。

Claims (14)

  1. 一種根據以下反應流程由一氧化碳及氯氣製備光氣(COCl2)之方法CO(g)+Cl2(g)->COCl2(g) (1)其中該CO由主要基於CO2之原料就地製備。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其在光氣之名牌容量(nameplate capacity)低於每小時10噸，較佳低於每小時1噸之工廠中進行。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該CO由對於該光氣方法而言惰性的原材料製備。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該CO根據以下反應式由二氧化碳(CO2)就地製備：2 CO2->2 CO+O2 (6)其中CO出口與CO2出口分開。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該CO在固體氧化物電解池(SOEC)堆疊系統中以電解方式由CO2就地製備。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中用於製備CO之該CO2含有小於0.5%之H2及小於0.5%之H2O，H2+H2O之總濃度較佳低於0.5%。
  7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中製備CO之該SOEC堆疊系統適應低於30%，較佳低於10%之調節比。
  8. 如申請專利範圍第5項之方法，其中來自該SOEC堆疊系統之氧氣全部或部分用於製備氯氣。
  9. 如申請專利範圍第3項或第5項之方法，其中該CO由來自天然氣、液烴或引擎廢氣之CO2或大氣中所含有的CO2就地製備。
  10. 如前述申請專利範圍中任一項之方法，其中SOEC單元之部分用於在不需要CO工廠之全部容量時自氯氣工廠中所製備之氫氣產生電能。
  11. 一種藉由如前述申請專利範圍中任一項之方法由一氧化碳及氯氣製備光氣之工廠，該工廠具有低於每小時10噸光氣，較佳低於每小時1噸光氣之名牌容量。
  12. 如申請專利範圍第11項之工廠，其包含製備CO之固體氧化物電解池(SOEC)堆疊系統，該CO連同氯氣一起用於光氣合成中。
  13. 如申請專利範圍第11項之工廠，其具有低於每小時1噸光氣之名牌容量，該工廠適應降至30%，較佳降至10%之調節比。
  14. 如申請專利範圍第11項或第12項之工廠，其中光氣之該製備係基於使用初級原材料，其大於1000ppm或甚至大於10000ppm或10%之逸出濃度將不會導致任何健康風險。
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