TW201603193A - 增強用於離子佈植的施體基板的發射性 - Google Patents

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Abstract

本發明所公開之實施例係關於增強用於離子佈植的施體基板的發射性。根據本發明之實施例，結晶材料之施體基板係設置而具有前表面和背表面，其中，指向該施體基板之前表面之離子束係設置，以佈植離子至該施體基板。發射性塗層係施加在該施體基板之背表面，其增強該施體基板的發射性。此外，根據本發明的實施例，結晶材料的施體基板係設置而具有前表面和背表面，且發射性塗層係施加在該施體基板之背表面，其增強了該施體基板的發射性。離子束係產生且指向該施體基板之前表面，且離子用劑係被佈植於該施體基板內。

Description

增強用於離子佈植的施體基板的發射性
本發明係關於增強用於離子佈植的施體基板的發射性，尤其是用於藍寶石的離子佈植。
離子佈植係一種材料工程工藝，藉由此工藝，原材料的離子係於電場中加速並擊入固體標的材料。此工藝係用於改變固體的物理、化學、或電性質。離子佈植通常係用於半導體裝置製造和金屬加工(metal finishing)，以及在材料科學中的各種應用。離子佈植裝置基本上係由後述者所組成：離子源(所欲之離子成份於此產生)、加速器(離子係於其中，加速至特定之能量)、和標的腔室(離子係於其中，撞擊標的，該標的即為將被佈植之材料)。該離子的能量，以及離子的種類和該標的之組成，決定了離子於該固體中的穿透深度，也就是離子的範圍(range)。
離子佈植具有各種用途，如半導體中的摻雜物(如硼、磷和、砷)的引入。例如，半導體的修飾(如矽晶圓)通常係經由離子佈植機佈植，於其中，表面係均勻地 由特定種類及預定的能量的離子束或分子束照射。另一種離子佈植的用途係用於切割(cleaving)(exfoliating，剝離)硬結晶材料(如矽、藍寶石等)的薄板(lamina，薄層)。如第1圖所示，一般而言，此工藝涉及佈植光離子20至施體基板10，而其將停止於該層的表面之下。接著，該材料可被加熱，使在被佈植層上的材料被切掉或剝離而為薄層或薄板40。
在一些情況下，將會希望使用較厚的「操柄」(handle)基板以提供薄板機械支撐，且可在剝離前或後接合至此支撐。舉例而言，可在切割前與施體本體(donor body)(於將成為薄板處)產生暫時地接合，從而形成複合結構。當從該施體本體切割(剝離)該薄板時，該薄板和該支撐基板/操柄係從該施體本體被切掉。在剝離前的接合對於非常薄而精巧的薄板是特別地有利，以在後續的處理和加工中進行支撐。
一般而言，產生有品質的剝離結果係取決於保持在離子佈植時施體基板中高水準的溫度均勻性。舉例而言，當佈植離子至由藍寶石所製的施體基板時，該最佳佈植溫度發生於高的溫度範圍，其中，一般活性晶圓冷卻技術並不適於用以達到該所欲的溫度，而同時保持優異的溫度均勻性。因此，經由輻射冷卻該基板(如冷卻至周圍環境的溫度)可通常是最實際的冷卻方式，其允許所欲的溫度與溫度均勻性。
然而，當僅經由輻射冷卻，該熱傳率(如經 由散熱的熱能量交換)可高度地取決於欲將熱散離之物體的發射性(如物體表面經由輻射散發能量的能力)，以及較冷而欲將熱所吸收的周圍環境之發射性。舉例而言，在高溫下，藍寶石具有相對低等級的發射性，從而導致低的熱傳速率。因此，使用較高的束功率(beam power)而佈植離子於藍寶石基板中的能力是被限制的，以為了保持該基板於所欲的佈植溫度，其反過來也限制了該離子佈植器的生產率。
本公開的實施例係關於用於增加用於離子佈植的施體基板的發射性。特別是增加施體基板的發射性的發射性塗層(emissivity coating)，其可施加於該施體基板的背表面。施加該用於離子佈植的發射性塗層對於由結晶材料(其在所欲的佈植溫度下具有低發射性，如藍寶石)所製的基板可為特別地有用。
根據本公開的實施例，結晶材料的施體基板係設置有前表面和背表面，其中，指向該施體基板的前表面的離子束係設置以佈植離子至該施體基板中。
此外，根據本公開的實施例，結晶材料的施體基板係設置有前表面和背表面，且發射性塗層係施加在背表面上，而增強該施體基板的發射性。離子束係產生且指向該施體基板的前表面，且該離子用劑係佈植至該施體基板。
應理解的是，如所請求的，前述的廣義說 明和後方的細節說明係僅為示例和說明性的，且意在提供本發明進一步的說明。
10‧‧‧施體基板
20‧‧‧光離子、離子束
30‧‧‧離子
40‧‧‧薄層、薄板
50‧‧‧發射性塗層
60‧‧‧熱輻射
500‧‧‧程序
505‧‧‧步驟
510‧‧‧步驟
515‧‧‧步驟
520‧‧‧步驟
600‧‧‧程序
605‧‧‧步驟
610‧‧‧步驟
615‧‧‧步驟
620‧‧‧步驟
625‧‧‧步驟
本文所公開的實施例之前述的和其他的目的、特徵、態樣、和優點在後續的細節說明搭配後方的附圖將變得更為明顯。
第1圖所示為一般的離子佈植和在其之後的剝離。
第2圖所示為具有發射性塗層之施體基板之示例之示意圖；而第3圖所示為離子佈植至具有發射性塗層之施體基板之示例之示意圖。
第4A和4B圖分別示出在標準施體基板和具有發射性塗層的施體基板中的發射性水準的示例之示意圖。
第5圖所示為施加發射性塗層至施體基板之示例之簡化程序。
第6圖所示為佈植離子用劑至具有發射性塗層之施體基板之示例之簡化程序。
應理解的是，上述所提及的圖示並非必須為成比例的，而係呈現了本發明的基本的原則中，各種較佳的特徵的部份簡化的表示圖。本發明的具體的設計特徵(其包括有如具體的尺寸、方向、位置、和形狀)，將部分地由特定的所欲之應用和使用的環境所決定。
本發明係關於具有發射性塗層之結晶材料之佈植和剝離。
根據本發明，本方法包括提供結晶材料之施體基板之步驟，該施體基板具有前表面及背表面，離子透過該前表面佈植，該背表面包括發射性塗層，該步驟將於後方進行詳細的描述。該施體基板可為任何材料，包括有如藍寶石、矽、碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、氮化鋁、鑽石、或鍺，且可為具有任何實際厚度(如從約10微米至約10毫米)以及任意尺寸和形狀(包括方型、矩型、或圓形)的材料，其取決於所欲之生成之結晶薄層之尺寸和形狀。較佳地，該施體基板包括藍寶石。
該方法復包括佈植至少一離子用劑而穿透該施體基板的頂表面，以形成在該頂表面下以及在該施體基板中的切割面。該離子用劑可包括如氫、氦、或其組合。整體的佈植條件可根據需求變化，以於所需提供給具有所欲厚度之結晶薄層之深度生成所欲之切割面。舉例而言，總佈植用劑可為約在1.0×1014和1.0×1018H/cm2(如0.5-3.0×1017H/cm2)的任意用劑。總用劑能量也可以變化，如大於或等於約50KeV，包括約500keV至約3KeV。在一些實施例中，該離子佈植溫度可保持在200和950℃之間，如在300和800℃之間，或在550和750℃之間，且此可取決於具體的施體本體(donor body)之類型而進行變化。舉例而言，當該施體基板為藍寶石時，該離子佈植溫度可為在500和800℃之間。
如上所述，在本發明之方法中，該施體基板復包括施加在背表面的發射性塗層。值得注意的是，該發射性塗層已被發現對於包含結晶材料(如藍寶石)的施體基板係特別地有用，該結晶材料係在所欲之佈植溫度(由於高離子束功率，其可能為高溫)具有低發射性水準。也就是說，在被加熱至所欲之離子佈植溫度後，該結晶材料可能花上長時間進行冷卻。舉例而言，大致上，在所欲的佈植溫度下，這樣的材料可能典型地具有低於0.6的發射性。根據以上，這些材料對於紅外光也可能係透明的(如用於紅外線窗)和/或可穿透長波長光。此外，該施體基板可為單側研磨或雙側研磨，其可進一步影響晶圓的發射性。
第2圖所示為具有發射性塗層於其被表面之施體基板之示例之示意圖。如第2圖所示，發射性塗層50係可施加在該施體基板50上。該發射性塗層50增強該施體基板10的發射性。也就是說，該發射性塗層50增加了該施體基板10的表面經由輻射發射能量的相對能力。經由增加該施體基板10的發射性，該基板的熱傳效率也可跟著增加。因此，考慮到基板的優異的熱均勻性的冷卻方法(如經由輻射冷卻)即使在高溫下，仍可被使用。此外，離子佈植可發生在有較高水準的生產率下(如經由使用更高功率的離子束)。
發射性塗層可包括各種經設計的物質和/或以顯著地改善該施體基板的熱效率。舉例而言，該發射性塗層可包括含碳物質(carbonaceous substance)、石墨物質、 金屬物質、和/或其組合。此外，該發射性塗層可包括無電(electroless)鎳化合物和/或黑無電鎳化合物。再者，該發射性塗層可被氧化，以具有在施體基板的發射性上進一步有益的效果。
該發射性塗層可使用任何適當的沉積方法施加在該施體基板上。舉例而言，該發射性塗層可經由從來源(如磁控管(magnetron))噴射該發射性塗層在該基板上，而濺鍍在施體基板上。可以使用各種濺鍍發射性塗層的方法，如RF濺鍍、離子束濺鍍、氣流濺鍍等等。當濺鍍發射性塗層於該施體基板上時，黏合層(未示出)可作為在施體基板和發射性塗層之間的中介層。此時，該黏合層可直接地使用至該施體基板，以為了輔助發射性塗層和基板之間的接合。值得注意的是，該黏合層本身可能影響施體基板的發射性水準。也就是說，除了發射性塗層外，黏合層也可能發射輻射而因此作為另一發射性塗層。因此，當施加黏合層至基板上時，施體基板的發射性水準(其透過發射性塗層而增加)可進一步地變化。
此外，該發射性塗層可經由將該塗層覆蓋該基板以及施加熱與壓力等兩者融合，或經由氣相沉積(vapor deposition)，而佈植至施體基板上。更進一步，該發射性塗層可使用蒸氣技術而佈植至施體基板上，其中，持有該發射性塗層的源材料係於真空中蒸發，且該真空容許蒸氣粒子直接遷至該基板，使該粒子凝結回固態並使該源材料轉移至該基板的表面，因而形成該塗層。再更進一步， 該發射性塗層可使用習知的塗刷(painting)技術(包括將塗層噴塗(spraying)至該基板)，而塗至該施體基板上。
該發射性塗層應是均勻地沉積在該施體基板上，從而確保均勻的導電性和整體的熱效能。該被沉積的發射性塗層的厚度可根據該塗層的組成，以及構成該基板的結晶材料而變化。較佳地，該發射性塗層可施加在該基板的背表面，以使該塗層具有足夠的厚度而呈現光學上不透明之狀態。
第3圖所示為離子佈植至具有發射性塗層之施體基板之示例之示意圖。如第3圖所示，離子束20可直接指向施體基板10的前表面，以佈植離子30至該施體基板10中。反之，該發射性基板50可施加在該施體基板的反面上(如該基板10的背表面)。施加發射性基板50在該施體基板10的背表面上可增加在離子佈植時的輻射熱傳率。換言之，熱係以高速率從施體基板10傳遞，因此允許該基板經由輻射冷卻，其進一步允許晶圓中更高水準的熱均勻性。
在離子佈植時，施體基板可被收容在外殼中(未示出)。離子束20可經由離子束產生器(即離子源)生成，且離子束控制器係可設置來控制該離子束的生成，從而佈植離子至施體基板10中。離子用劑可包括氫離子、氦離子、或兩者。此外，施體基板可包括在其前表面下的切割面，且該切割面也可包括被佈植的離子用劑。
第4A和4B圖分別示出在標準基板施體和 具有發射性塗層的基板施體中的發射性水準的示例之示意圖。如第4A和4B圖所示，熱輻射60穿透了施體基板10的前表面和背表面。如上所提及的細節，發射性塗層50增強施體基板的發射性。也就是說，該發射性塗層50增加由施體基板10表面所發射的輻射能量的量，從而增加基板的熱傳率。舉例而言，其中，在施體基板10為藍寶石(其在高溫下具有低發射性水準)，而未施加發射性塗層時，僅有相對低的熱輻射60量從晶圓表面發射，其如第4A圖所示。相反地，如第4B圖所示，當施加發射性塗層於藍寶石施體基板10的背表面上，會有相對高的熱輻射60量從晶圓表面發射。也就是說，施體基板10的熱產率係大幅地上升，而晶圓也能夠更快速地冷卻，特別是在高溫下。值得注意的是，沉積發射性塗層50在施體基板10上可導致基板溫度一致地下降，與發射性增加最高至三到四倍。
第5圖所示為施加發射性塗層至施體基板之示例之簡化程序。如第5圖所示，程序500可從步驟505開始，而至步驟510，依此類推。雖然第5圖係以特定的順序描述這些步驟，但應理解的是，該描述的實施例並非僅限於此，且此特定的順序亦僅用以說明之意圖。
於步驟510中，結晶材料的施體基板係設置有前表面和背表面。因為施體基板係將經歷離子佈植，指向施體基板的前表面的離子束係設置以佈植離子至該施體基板。接著，在步驟515中，增強施體基板發射性的發射性塗層係施加在該施體基板的背表面上。如此一來，該 發射性塗層便增加了由該施體基板的表面發射的輻射能量的量，從而增加該基板的熱傳率。該程序係示例性地結束於步驟520。
第6圖所示為佈植離子用劑至具有發射性塗層之施體基板之示例之簡化程序。如第6圖所示，該程序600可起始於步驟605，而至步驟610，依此類推。雖然第6圖係以特定的順序描述這些步驟，但應理解的是，該描述的實施例並非僅限於此，且此特定的順序亦僅用以說明之意圖。
於步驟610中，結晶材料的施體基板係設置有前表面、背表面、和施加在該背表面上之發射性塗層，其增強該施體基板的發射性。接著，在步驟615中，指向施體基板的前表面的離子束被產生(如經由離子束產生器)。該離子束的生成係可經由離子束控制器進行控制。在步驟620中，離子用劑佈植至該施體基板中。該程序係示例性地結束於步驟625。
本發明的方法可進一步包括從該施體基板剝離結晶薄層步驟。任何已知的方法都可用於切割或剝離該薄層，包括熱切割或機械切割，並且具體的切割條件(如剝離溫度、加熱速度、暴露時間、和剝離壓力)係可變化的，其可取決於，例如所使用的薄層厚度以及佈植條件。舉例而言，藍寶石的薄層其具有小於100微米的厚度(如小於50微米、小於30微米、小於25微米、小於15微米)，係可使用約在400至約1200℃下(如約600至約1000℃)的溫 度，和於約1至約60分鐘之間(如約5至約30分鐘之間)的時間，而從該施體本體剝離。一般來說，較高的剝離溫度，將需要較短的時間。此外，也可採用熱溫斜坡上升(thermal temperature ramp up)，以為了減少花在剝離溫度上的時間。經由調整佈植和剝離條件，可以最大化產出的薄層(其實質上沒有物理缺陷)的面積。可選地，施體基板可在剝離前經歷熱處理。舉例而言，該施體基板係可加熱到該剝離溫度之下，以造成在切割層中的傷害演化(damage evolution)，如奧斯瓦特熟成(Oswalt ripening)。熱處理可減少用於整個薄層的剝離所需的時間和溫度，且可產生夠平順的切割表面。若欲移除或減少任何可能因佈植所導致的損傷，也可選擇性地在剝離後使用額外或選擇性的短期熱處理，以退火該結晶薄層。
對於結晶薄層，像是具有小於50微米厚度的薄層，會希望在剝離前，將支撐基板(如玻璃或塑膠)接合至經佈植的施體基板，以改善生成的薄層的操作。可以使用任何接合技術暫時或永久地接合兩材料，以形成經接合的複合物，其包括使用各種用於接合薄層至該支撐基板的黏合劑(例如玻璃熔塊、聚合物黏合劑、陰極接合、和原子(融合)接合(atom(fusion)bonding))。值得注意的是，暫時的接合可在切割之前與施體基板(將成為薄層的部份)建立，從而形成複合結構。當薄層從該施體基板切割(剝離)，薄層和支撐基板/操柄兩者皆從該施體基板割離。如果想要的話，剩下的施體基板可再使用在後續的佈植程序。支撐 基板可被使用以可選地進一步處理該經切割的薄層，如研磨該經切割的表面或施加額外的塗層或層在薄層上，並且接著被移除，以生成獨立的(free-standing)薄層。可選的，該支撐基板可為永久地接附的，其對於各種經切割的薄層的應用是有利的。例如，維持與該被剝離的薄層永久地接合的支撐基板可為透明材料(如玻璃)，而該產生的多層複合物可被作為電子裝置的螢幕使用。不透明的基板對於如加入保護層至裝飾玻璃或塑膠等應用也可能是有用的。
本發明進一步涉及薄的結晶薄層(膜)，或也涉及了經由黏合結晶薄層至基板(如玻璃或塑膠)形成的複合材料。這樣的薄層或複合材料可為透明的，且可用於消費品的螢幕(玻璃蓋)，如手錶、手機、和其他各種電子產品，以及其他的用途。
在一個具體的實施例中，本發明可用於製備電子產品的蓋板。舉例而言，現在有許多的可用的行動電子產品其包括有至少部份透明的顯示窗組件。其包括，例如手持電子裝置，像是媒體播放器、行動電話(手機)、個人數據助理(PDA)、呼叫器、和筆記型電腦。該顯示窗組件可包括多個組件層，如視覺顯示層(例如液晶顯示器、供使用者輸入的觸控感應層、和至少一用於保護視覺顯示器外罩層)。這些層之各者通常係層壓並接合在一起的。
許多現今使用的行動電子裝置會承受過度的機械和/或化學傷害，尤其是因操作不慎和/或掉落、螢幕與物體(如鑰匙)在使用者的口袋或錢包中的觸碰、或頻 繁地使用觸控螢幕。舉例而言，智慧型手機和PDA可經由因刮傷和凹損所導致的磨損而傷害，而這些缺陷可能成為應力集中部位其使螢幕和/或底部組件更容易在機械活動或其他衝擊中破損。此外，來自使用者身上的油脂和碎屑可能塗覆在該表面上而促使裝置的劣化。這樣的磨損和化學反應可造成底層的電子顯示裝置組件的視覺清晰度的下降，因而可能妨礙了使用和裝置的樂趣，並限制了使用壽命。
根據以上，本文所述的複合材料可包括塑膠或玻璃支撐基板(如透明的)，其接合至具有小於100微米之厚度(如小於100微米、小於50微米、小於30微米、小於25微米、和小於15微米)的硬結晶材料(如藍寶石)的薄層(如也為透明的)。該薄層使用前述的多階段的佈置方法所製造。
應理解的是，於第5和6圖所示的步驟僅為用於說明的示例，且某些步驟可根據需要包括或排除。此外，所示出的具體步驟之順序僅為示意性的，且任何適當步驟的安排係可以被採用而不背離本案之實施例的範疇。再者，第5和6圖所示的步驟係可以互換的，且該程序係可以部份或完全地合併。
本案所述的組件、佈局、和技術，因此係提供用於增強施體基板的發射性，尤其是用於離子佈植的藍寶石薄層。如前所述，施加發射性塗層至施體基板允許了更高的輻射熱傳率而保持了優異的基板溫度均勻性。因 此，允許了較高的束電流(beam currents)，從而導致離子佈植器的吞吐量的增加。
本公開較佳的實施例於前方所呈現的說明係用於說明和解釋的目的。其並非窮盡或意在限制實施例於所公開的確切的形式。依據上方的教示，修正和變化係可能的，或也可能從實踐本發明的實施例中得到。舉例而言，用於增加在離子佈植時的熱傳率的方法和用於佈植離子用劑至施體基板的方法，以及用於佈植離子用劑至施體基板和藍寶石施體基板的系統是可以設想到的。實施例是被選擇與說明以為了解釋本發明之原理和其實際的應用，以使本技術領域中具有通常知識者可以利用本發明於具有各種調整各種實施例而適於所設想的具體用途。本發明所意欲的範圍經由後方所附的申請專利範圍和其同等物所界定。
10‧‧‧施體基板
20‧‧‧光離子、離子束
30‧‧‧離子
50‧‧‧發射性塗層

Claims (30)

  1. 一種用於在離子佈植時增加熱傳率的方法，包括：提供結晶材料的施體基板，該施體基板具有前表面和背表面，其中，指向該施體基板的該前表面的離子束係設置以佈植離子至該施體基板；施加發射性塗層至該施體基板的該背表面，該發射性塗層增強該施體基板的發射性。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該結晶材料為藍寶石、矽、碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、砷化鋁、鑽石、或鍺。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該發射性塗層係經由濺鍍、塗刷、電鍍、或蒸鍍而施加在該施體基板的該背表面上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該發射性塗層包括含碳物質、石墨物質、金屬物質、或其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該發射性塗層包括無電鎳化合物或黑無電鎳化合物。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該發射性塗層係被氧化的。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該發射性塗層增強該施體基板在經由輻射冷卻時的過程的發射性。
  8. 一種佈植離子至施體基板的方法，包括：提供結晶材料的施體基板，該施體基板具有前表 面、背表面、及發射性塗層，該發射性塗層係施加在該背表面上，該發射性塗層增強該施體基板的發射性；產生離子束，其指向該施體基板的該前表面，以及佈植離子用劑至該施體基板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該結晶材料為藍寶石、矽、碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、砷化鋁、鑽石、或鍺。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該發射性塗層係經由濺鍍、塗刷、電鍍、或蒸鍍而施加在該施體基板的該背表面上。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該發射性塗層包括含碳物質、石墨物質、金屬物質、或其組合。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該發射性塗層包括無電鎳化合物或黑無電鎳化合物。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該發射性塗層係被氧化的。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中，該發射性塗層增強該施體基板在經由輻射冷卻時的過程的發射性。
  15. 一種用於佈植離子用劑至施體基板的系統，包括：外殼，其係設置以收容結晶材料的施體基板，該施體基板具有前表面、背表面、及發射性塗層，該發射性塗層係施加至該背表面，該發射性塗層增強該施 體基板的發射性；離子束產生器，其係設置以產生指向該施體基板的該前表面的離子束；以及離子束控制器，其係設置以控制該離子束產生器，從而佈植離子至該施體基板。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中，該結晶材料為藍寶石、矽、碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、砷化鋁、鑽石、或鍺。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中，該發射性塗層係經由濺鍍、塗刷、電鍍、或蒸鍍而施加在該施體基板的該背表面上。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中，該發射性塗層包括含碳物質、石墨物質、金屬物質、或其組合。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中，該發射性塗層包括無電鎳化合物或黑無電鎳化合物。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中，該發射性塗層係被氧化的。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中，該發射性塗層增強該施體基板在經由輻射冷卻時的過程的發射性。
  22. 一種藍寶石施體基板，包括：施體基板，其係由藍寶石結晶材料所製的，並具有前表面和背表面；發射性塗層，其係施加於該背表面，該發射性塗 層可增強該施體基板的發射性。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之基板，其中，該發射性塗層係經由濺鍍、塗刷、電鍍、或蒸鍍而施加在該施體基板的該背表面上。
  24. 如申請專利範圍第22項所述之基板，其中，該發射性塗層包括含碳物質、石墨物質、金屬物質、或其組合。
  25. 如申請專利範圍第22項所述之基板，其中，該發射性塗層包括無電鎳化合物或黑無電鎳化合物。
  26. 如申請專利範圍第22項所述之基板，其中，該發射性塗層係被氧化的。
  27. 如申請專利範圍第22項所述之基板，其中，該發射性塗層增強該施體基板在經由輻射冷卻時的過程的發射性。
  28. 如申請專利範圍第22項所述之基板，復包括在該施體基板中而在該前表面下的切割面。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之基板，其中，該切割面包括被植入的離子用劑。
  30. 如申請專利範圍第22項所述之基板，其中，該離子用劑包括氫離子、氦離子、或兩者。
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US7229533B2 (en) * 2004-06-25 2007-06-12 Guardian Industries Corp. Method of making coated article having low-E coating with ion beam treated and/or formed IR reflecting layer
US7811900B2 (en) * 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
CN101521155B (zh) * 2008-02-29 2012-09-12 信越化学工业株式会社 制备具有单晶薄膜的基板的方法
FR2974944B1 (fr) * 2011-05-02 2013-06-14 Commissariat Energie Atomique Procédé de formation d'une fracture dans un matériau
US9336989B2 (en) * 2012-02-13 2016-05-10 Silicon Genesis Corporation Method of cleaving a thin sapphire layer from a bulk material by implanting a plurality of particles and performing a controlled cleaving process

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