TW201602106A - 化合物、有機光電裝置以及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種由化學式1表示之化合物、包含所述化合物之有機光電裝置以及包含所述有機光電裝置之顯示裝置。 化學式1與實施方式中所定義的相同。

Description

化合物、有機光電裝置以及顯示裝置
本發明揭示化合物、有機光電裝置以及顯示裝置。
有機光電裝置為將電能轉換成光能之裝置，且亦為將光能轉換成電能之裝置。
有機光電裝置可根據其驅動原理分類如下。一種為光電裝置，其中激子藉由光能產生，分離成電子及電洞且電子及電洞傳遞至不同電極以產生電能；且另一種為發光裝置，其中將電壓或電流供應至電極以自電能產生光能。
有機光電裝置之實例可為有機光電裝置、有機發光二極體、有機太陽能電池以及有機感光鼓。
其中，有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)近來已由於對平板顯示器之要求增加而獲得關注。此類有機發光二極體藉由施加電流至有機發光材料而將電能轉換成光。其具有在陽極與陰極之間插入有機層之結構。在本文中，有機層可包含發射層及視情況存在之輔助層，且輔助層可包含例如選自 電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及電洞阻擋層中之至少一者以便增加有機發光二極體之效率及穩定性。
有機發光二極體之效能可受有機層之特徵影響，且其中，可主要受有機層之有機材料的特徵影響。
具體言之，需要開發能夠增加電洞及電子遷移率且同時增加電化學穩定性的有機材料，使得有機發光二極體可應用於大規模平板顯示器。
提供用於有機光電裝置之化合物，所述化合物能夠實現有機光電裝置具有諸如高效率、長使用壽命以及其類似物之特徵。
提供有機光電裝置及包含用於有機光電裝置之化合物的顯示裝置。
在本發明之一個實施例中，提供由以下化學式1表示之化合物。
在化學式1中，X1至X10獨立地為N、C或CRa， X1至X10中之至少一者為N，Z為N-L4-Rb、O、S、C-L4-RcRd或Si-L4-ReRf，L1至L4獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、經取代或未經取代之C3至C30環伸烷基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30伸烷氧基(alkoxylene group)、經取代或未經取代之C1至C30伸芳氧基(aryloxylene group)、經取代或未經取代之C2至C30伸烯基、經取代或未經取代之C2至C30伸炔基或其組合，R1至R3以及Ra至Rf獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧羰基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧基羰基氨基(alkoxycarbonylamino group)、經取代或未經取代之C7至C30芳氧基羰基氨基(aryloxycarbonylamino group)、經取代或未經取代之C1至C30胺磺醯基氨基(sulfamoylamino group)、經取代或未經取代之C2至C30烯基、經取代或未經取代之C2至C30炔基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷氧基(silyloxy group)、經取代或未經取代之C1至C30醯基、經取代或未經取代之C1至C20醯氧基、經取代或未經取代之C1至C20醯氨基(acylamino group)、經取代或未經取代之C1至C30磺醯基、經取代或未經取代之C1至C30烷基硫 醇基、經取代或未經取代之C6至C30芳基硫醇基、經取代或未經取代之C1至C30醯脲基(ureide group)、經取代或未經取代之C5至C40稠環、鹵素、含鹵素基、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或其組合，以及R1至R3獨立地存在，或R1至R3之相鄰基團彼此稠合以得到環。
根據本發明之一個實施例之化合物可用於有機光電裝置。
在本發明之另一實施例中，有機光電裝置包含彼此面對的陽極及陰極以及位於陽極與陰極之間的至少一個有機層，其中所述有機層包含所述化合物。
在本發明之又另一實施例中，提供包含所述有機光電裝置之顯示裝置。
可實現具有高效率及長使用壽命的有機光電裝置。
100‧‧‧有機發光二極體
105‧‧‧有機層
110‧‧‧陰極
120‧‧‧陽極
130‧‧‧發射層
140‧‧‧電洞輔助層
200‧‧‧有機發光二極體
230‧‧‧發射層
圖1及圖2為展示根據各種實施例之有機發光二極體的截面視圖。
在下文中，詳細描述本發明之實施例。然而，這些實施例為例示性的，且本發明不限於這些實施例。
如本文所用，當不另外提供定義時，術語「經取代」是 指經選自氘、鹵素、羥基、氨基(amino group)、經取代或未經取代之C1至C30胺基、硝基、經取代或未經取代之C1至C40矽烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基矽烷基、C3至C30環烷基、C6至C30芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(諸如三氟甲基及其類似基團)或氰基之取代基取代而代替取代基或化合物之至少一個氫。
在本說明書中，當不另外提供特定定義時，「雜」是指在一個官能基中包含1至3個選自N、O、S、P以及Si之雜原子，且其餘為碳。
在本說明書中，當不另外提供定義時，「烷基」是指脂族烴基。烷基可為無任何雙鍵或三鍵之「飽和烷基」。
烷基可為C1至C20烷基。更特定言之，烷基可為C1至C10烷基或C1至C6烷基。舉例而言，C1至C4烷基可在烷基鏈中具有1至4個碳原子，其可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基以及第三丁基。
烷基之特定實例可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基以及其類似基團。
如本文所用，術語「芳基」是指包含具有形成共軛之p-軌域之環之全部元素的取代基，且可為單環或稠環多環(亦即共用相鄰碳原子對之環)官能基。
如本文所用，術語「雜環基」可指代在一個官能基中包含1至3個選自N、O、S、P以及Si之雜原子且其餘為碳的芳基或環烷基。具體言之，當芳基包含雜原子時，其可稱為「雜芳基」。
當雜環基為稠環時，雜環基之全部環或每一環可包含雜原子。
更特定言之，經取代或未經取代之C6至C30芳基及/或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基可為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之伸菲基(phenanthrylene group)、經取代或未經取代之稠四苯基(naphthacenyl group)、經取代或未經取代之芘基(pyrenyl group)、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之對聯三苯基(p-terphenyl group)、經取代或未經取代之間聯三苯基、經取代或未經取代之屈基(chrysenyl group)、經取代或未經取代之聯伸三苯基(triphenylenyl group)、經取代或未經取代之苝基(perylenyl group)、經取代或未經取代之茚基(indenyl group)、經取代或未經取代之呋喃基、經取代或未經取代之噻吩基、經取代或未經取代之吡咯基、經取代或未經取代之吡唑基、經取代或未經取代之咪唑基、經取代或未經取代之三唑基、經取代或未經取代之噁唑基、經取代或未經取代之噻唑基、經取代或未經取代之噁二唑基、經取代或未經取代之噻二唑基(thiadiazolyl group)、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之吡嗪基(pyrazinyl group)、經取代或未經取代之三嗪基(triazinyl group)、經取代或未經取代之苯并呋喃基(benzofuranyl group)、經取代或未經取代之苯并噻吩基(benzothiophenyl group)、經取代或未經取代之苯并咪唑基(benzimidazolyl group)、經取代或未經取代之吲哚基(indolyl group)、經取代或未經取代之喹啉基(quinolinyl group)、經取代 或未經取代之異喹啉基(isoquinolinyl group)、經取代或未經取代之喹唑啉基(quinazolinyl group)、經取代或未經取代之喹噁啉基(quinoxalinyl group)、經取代或未經取代之萘啶基(naphthyridinyl group)、經取代或未經取代之苯并噁嗪基(benzoxazinyl group)、經取代或未經取代之苯并噻嗪基(benzthiazinyl group)、經取代或未經取代之吖啶基(acridinyl group)、經取代或未經取代之啡嗪基(phenazinyl group)、經取代或未經取代之啡噻嗪基(phenothiazinyl group)、經取代或未經取代之啡噁嗪基(phenoxazinyl group)、經取代或未經取代之茀基(fluorenyl group)、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之二苯并呋喃基、經取代或未經取代之二苯并噻吩基(dibenzothiophenyl group)或其組合，但不限於這些基團。
在本說明書中，單鍵指示直接連接鍵而不經由碳或除碳以外之雜原子，且特定言之，當L為單鍵時，連接至L之取代基直接連接至核心。換言之，單鍵在本說明書中不指示亞甲基及經由碳之類似基團。
在本說明書中，電洞特徵是指當施加電場時能夠供給電子以形成電洞之特徵，及由於根據HOMO能階之導電特徵，在陽極中形成的電洞易於注入發射層中且在發射層中傳輸的特徵。
另外，電子特徵是指當施加電場時能夠接受電子以形成電洞的特徵，及由於根據LUMO能階之導電特徵，在陰極中形成之電子易於注入發射層中且在發射層中傳輸的特徵。
在下文中，描述根據一個實施例之化合物。
在本發明之一個實施例中，提供由以下化學式1表示之 化合物。
在化學式1中，X1至X10獨立地為N、C或CRa，X1至X10中之至少一者為N，Z為N-L4-Rb、O、S、C-L4-RcRd或Si-L4-ReRf，L1至L4獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、經取代或未經取代之C3至C30環伸烷基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C3至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30伸烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30伸芳氧基、經取代或未經取代之C2至C30伸烯基、經取代或未經取代之C2至C30伸炔基或其組合，R1至R3以及Ra至Rf獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C3至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧羰基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧基羰基氨基、經取代或未經取代之C7至C30芳氧基羰基氨基、經取代或未經取代之C1至C30胺磺醯基氨基、經取代或未經取代之 C2至C30烯基、經取代或未經取代之C2至C30炔基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30醯基、經取代或未經取代之C1至C20醯氧基、經取代或未經取代之C1至C20醯氨基、經取代或未經取代之C1至C30磺醯基、經取代或未經取代之C1至C30烷基硫醇基、經取代或未經取代之C6至C30芳基硫醇基、經取代或未經取代之C1至C30醯脲基、經取代或未經取代之C5至C40稠環、鹵素、含鹵素基、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或其組合，以及R1至R3獨立地存在，或R1至R3之相鄰基團彼此稠合以得到環。
根據本發明之一個實施例的化合物具有吖啶衍生物與6員環稠合之結構，且因此可調整分子內部電洞及電子之流動，且藉由使用所述化合物製造之有機光電裝置可在低電壓下操作以及具有高效率及長使用壽命。
詳言之，所述化合物具有極好的電荷傳輸且與摻雜劑之吸收光譜充分重疊，且因此可使諸如高效率、長使用壽命以及在低電壓下操作之特徵最大化。
特定言之，X2至X10中之至少一者可為N。
化學式1可例如由以下化學式2至化學式14中之一者表示。
在化學式2至化學式14中，X1至X10為C或CRa，Z為N-L4-Rb，L1至L4、R1至R3、Ra以及Rb與上文所述相同。
當X1至X10中之至少兩者為N時，電洞及電子變得較平衡且因此，藉由使用由以上化學式2至化學式5表示之每一化合物製造之有機光電裝置尤其在效率及驅動電壓方面展示極好的特徵。
化學式1可例如由以下化學式15至化學式27中之一者表示，但不限於這些化學式。
在化學式15至化學式27中，Z為N-L4-Rb，L1及L4獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基或其組合，以及R1及Rb獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷 基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C5至C40稠環或其組合。
L1及L4獨立地為單鍵或選自以下群組I中列出的經取代或未經取代之基團的基團，但不限於此。
在群組I中，*指示連接點。
R1及Rb獨立地為氫、氘或選自以下群組II中列出的經取代或未經取代之基團的基團，但不限於此。
在群組II中，R及R'獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之 C2至C30雜芳基或其組合，且*為連接點。
化學式1之Z可為N-L4-Rb，其中Rb為氫、氘、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C5至C40稠環或其組合。
所述化合物可為例如以下群組III中列出的化合物，但不限於這些化合物。
所述化合物可用於有機光電裝置。
在下文中，描述應用所述化合物之有機光電裝置。
在本發明之另一實施例中，有機光電裝置包含彼此面對的陽極及陰極以及插入於陽極與陰極之間的至少一個有機層，其中所述有機層包含所述化合物。
有機層可包含發射層，且發射層可包含本發明之化合物。
特定言之，可包含所述化合物作為發射層之主體。
另外，在本發明之一個實施例中，有機層包含至少一個選自電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及電洞阻擋層之輔助層，其中所述輔助層可包含所述化合物。
有機光電裝置可為將電能轉換成光能且將光能轉換成電能而無特別限制的任何裝置，且可為例如有機光電裝置、有機發光二極體、有機太陽能電池以及有機感光鼓。
在本文中，參照圖式描述作為有機光電裝置之一個實例的有機發光二極體。
圖1及圖2為根據一個實施例之各有機發光二極體的截面視圖。
參照圖1，根據一個實施例之有機光電裝置100包含彼此面對的陽極120及陰極110以及插入於陽極120與陰極110之間的有機層105。
陽極120可由具有大功函數之導體製成以有助於電洞注入，且可為例如金屬、金屬氧化物及/或導電聚合物。陽極120可為例如金屬鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、金以及其類似物或其合金； 金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)以及其類似物；金屬及氧化物之組合，諸如ZnO及Al或SnO2及Sb；導電聚合物，諸如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩)(poly(3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene)；PEDT)、聚吡咯以及聚苯胺，但不限於此。
陰極110可由具有小功函數之導體製成以有助於電子注入，且可為例如金屬、金屬氧化物及/或導電聚合物。陰極110可為例如金屬或其合金，諸如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇以及其類似物；多層結構材料，諸如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al以及BaF2/Ca，但不限於此。
有機層105包含包括所述化合物之發射層130。
發射層130可包含例如僅所述化合物、至少兩種類型之所述化合物之混合物或所述化合物與另一化合物之混合物。當使用所述化合物與另一化合物之混合物時，例如可包含所述化合物與另一化合物作為主體及摻雜劑，且所述化合物可充當例如主體。主體可為例如磷光主體或螢光主體，且例如磷光主體。
當所述化合物用作主體時，摻雜劑可選自無機、有機、有機/無機化合物，且可選自熟知摻雜劑。
參照圖2，有機發光二極體200更包含電洞輔助層140以及發射層230。電洞輔助層140增加陽極120與發射層230之間的電洞注入及/或電洞遷移率，且阻斷電子。電洞輔助層140可為例如電洞傳輸層(hole transport layer；HTL)、電洞注入層(hole injection layer；HIL)及/或電子阻擋層，且可包含至少一個層。 所述化合物可包含在發射層230及/或電洞輔助層140中。
儘管圖1或圖2中未展示，但有機層105可更包含電子注入層(electron injection layer；EIL)、電子傳輸層(electron transport layer；ETL)、電子傳輸層(ETL)、輔助電洞傳輸層(HTL)、輔助電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)或其組合。本發明之化合物可包含在這些有機層中。有機發光二極體100及200可藉由在基板上形成陽極或陰極，根據乾式塗佈法(諸如蒸發、濺鍍、電漿電鍍以及離子電鍍)或濕式塗佈法(諸如旋塗、浸漬、淋塗)形成有機層，以及在上面形成陰極或陽極來製造。
有機發光二極體可應用於有機發光二極體(OLED)顯示器。
在下文中，參照實例更詳細地說明實施例。然而，這些實例在任何意義上均不解釋為限制本發明之範疇。
(化合物之製備) 實例1：化合物B-17之合成
作為根據本發明之化合物之特定實例的化合物B-17經由以下四個步驟來合成。
第一步：合成中間產物(L-1)
將39.0克(195.9毫莫耳)2,4-二氯喹唑啉、53.7克(215.5毫莫耳)4,4,5,5-四甲基-2-(2-硝基苯基)1,3,2-二氧雜硼戊烷、67.7克(489.9毫莫耳)碳酸鉀以及11.3克(9.8毫莫耳)四(三苯基膦)鈀添加至2000毫升燒瓶中之650毫升1,4-二噁烷及300毫升水中，且隨後在氮氣流下，在60℃下加熱混合物12小時。將所獲得之混合物添加至2000毫升甲醇中，將其中結晶之固體過濾且隨後溶解於單氯苯中並用矽膠/矽藻土再次過濾，且在自其中移除適量有機溶劑後，使用甲醇進行再結晶，獲得中間物L-1(29.1克，51%之產率)。
C14H8ClN3O2之計算值：C,58.86；H,2.82；Cl,12.41；N,14.71；O,11.20；實驗值：C,58.30；H,2.92；Cl,12.13；N,14.21；O,10.82
第二步：合成中間產物(L-2)
將29.0克(101.5毫莫耳)中間物L-1、14.2克(116.73毫莫耳)苯硼酸、35.1克(253.7毫莫耳)碳酸鉀以及5.9克(5.1毫莫耳)四(三苯基膦)鈀添加至1000毫升燒瓶中之350毫升1,4-二噁烷及150毫升水，且隨後在氮氣流下，在60℃下加熱混合物12小時。將所獲得之混合物添加至1000毫升甲醇中，將其中結晶之固體過濾、溶解於單氯苯中且用矽膠/矽藻土再次過濾，且隨後在自其中移除適量有機溶劑後，使用甲醇進行再結晶，獲得中間物L-2(23.6克，71%之產率)。
C20H13N3O2之計算值：C,73.38；H,4.00；N,12.84；O,9.78；實驗值：C,72.99；H,3.96；N,12.81；O,9.77
第三步：合成中間產物(L-3)
將26.0克(79.43毫莫耳)中間物L-2添加至500毫升燒瓶中之200毫升亞磷酸三乙酯中，且在氮氣流下，在170℃下加熱混合物12小時。所獲得之混合物經分餾以移除溶劑且隨後經由管柱層析處理，獲得中間物L-3(14.1克，60.0%之產率)。
C20H13N3之計算值：C,81.34；H,4.44；N,14.23；實驗值：C,81.12；H,4.39；N,14.16
第四步：合成化合物B-17
將8.4克(28.5毫莫耳)中間物L-3、8.0克(29.97毫莫耳)1-氯-3,5-二苯基嘧啶、5.5克(57.1毫莫耳)第三丁醇鈉、0.6克(2.9毫莫耳)三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)、2.3毫升三第三丁基膦(50%於甲苯中)添加至500毫升圓形燒瓶之200毫升二甲苯中，且在氮氣流下加熱混合物並回流15小時。接著，將500毫升甲醇添加至所獲得之混合物，將其中結晶之固體過濾，溶解於二氯苯中且用矽膠/矽藻土過濾，並使用甲醇進行再結晶以移除適量有機溶劑，獲得化合物B-17(10.0克，67%之產率)。
C36H23N5之計算值：C,82.26；H,4.41；N,13.32；實驗值：C,82.25；H,4.34；N,13.02
實例2：化合物B-33之合成
作為根據本發明之化合物之特定實例的化合物B-33經由以下一個步驟來合成。
第一步：合成化合物B-33
將8.3克(28.3毫莫耳)中間物L-3、11.5克(29.7毫莫耳)2-(3-溴苯基)-4,6-二苯基嘧啶、5.4克(56.5毫莫耳)第三丁醇鈉、0.6克(2.8毫莫耳)三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)以及2.3 毫升三第三丁基膦(50%於甲苯中)添加至500毫升圓形燒瓶中之200毫升二甲苯中，且在氮氣流下加熱混合物並回流15小時。將所獲得之混合物添加至500毫升甲醇中，將其中結晶之固體過濾，溶解於二氯苯中且用矽膠/矽藻土過濾，且在自其中移除適量有機溶劑後，使用甲醇進行再結晶，獲得化合物B-33(11.2克，66%之產率)。
C42H27N5之計算值：C,83.84；H,4.52；N,11.64；實驗值：C,83.57；H,4.44；N,11.51
實例3：化合物A-105之合成
作為根據本發明之化合物之特定實例的化合物A-105經由以下一個步驟來合成。
第一步：合成化合物A-105
將8.3克(28.0毫莫耳)中間物L-3、10.8克(29.4毫莫耳)9-苯基-3-溴-咔唑、5.4克(56.0毫莫耳)第三丁醇鈉、1.6克(2.8毫莫耳)三(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)以及2.3毫升三第三丁基膦(50%於甲苯中)添加至500毫升圓形燒瓶中之190毫升二甲苯中，且在氮氣流下加熱混合物並回流15小時。將所獲得之混合物添加至500毫升甲醇中，將其中結晶之固體過濾，溶解於二氯苯中且用矽膠/矽藻土過濾，且隨後在自其中移除適量有機溶劑後，使用甲醇進行再結晶，獲得化合物A-105(9.5克，63%之產率)。
C38H24N4之計算值：C,85.05；H,4.51；N,10.44；實驗值：C,85.01；H,4.47；N,10.32
比較例1：CBP之合成
以與國際公開案WO 2013032035中所揭示相同之方法合成由以下化學式a表示之化合物。
(所製備化合物之模擬特徵比較)
藉由使用超級電腦GAIA(IBM power 6)以高斯09方法(Gaussian 09 method)計算各材料之能階，且結果提供於下表1中。
如表1中所示，由於模擬中所需HOMO/LUMO能階(HOMO為-5.0至-5.5且LUMO為-1.4至-2.2)充分展示電子傳輸特徵，比較例1滿足HOMO能階但未滿足LUMO能階，且因此與實例1、實例2以及實例3相比，展示電洞與電子之間的不平衡。
本發明之化合物與比較例1相比具有適當能階，且因此預期展示極好的效率及使用壽命。
(有機發光二極體之製造) 實例4
藉由使用實例1之化合物B-17作為主體及(piq)2Ir(acac)作為摻雜劑來製造有機發光二極體。
使用1000埃厚的ITO作為陽極，且使用1000埃厚的鋁 (Al)作為陰極。特定言之，說明一種製造有機發光二極體之方法，陽極是藉由將具有15歐姆/平方公分薄層電阻之ITO玻璃基板切割成50毫米×50毫米×0.7毫米之尺寸，將其分別在丙酮、異丙醇以及純水中超音波清潔15分鐘且將其紫外線臭氧清潔30分鐘來製造。
在基板上，藉由在650×10-7帕真空度下以0.1至0.3奈米/秒之沈積速率沈積N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-二苯基聯苯-4,4'-二胺(NPB)形成800埃厚的電洞傳輸層(HTL)。隨後，藉由在相同真空沈積條件下使用實例1之化合物B-17形成300埃厚的發射層，且在本文中，同時沈積磷光摻雜劑(piq)2Ir(acac)。在本文中，以發射層總重量之100重量%計，藉由調節沈積速率沈積3重量%磷光摻雜劑。
在發射層上，藉由在相同真空沈積條件下沈積雙(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(BAlq)形成50埃厚的電洞阻擋層。隨後，藉由在相同真空沈積條件下沈積Alq3形成200埃厚的電子傳輸層(ETL)。在電子傳輸層(ETL)上，藉由依次沈積LiF及Al形成陰極，從而製造有機光電裝置。
有機光電裝置之結構為ITO/NPB(80奈米)/EML(B-17(97重量%)+(piq)2Ir(acac)(3重量%)，30奈米)/Balq(5奈米)/Alq3 20奈米/LiF(1奈米)/Al(100奈米)。
實例5
除使用實例2之化合物B-33代替實例4之化合物B-17以外，根據與實例4相同之方法製造有機發光二極體。
實例6
除使用實例3之化合物A-105代替實例4之化合物B-17以外，根據與實例4相同之方法製造有機發光二極體。
比較例2
除使用以下結構之CBP代替實例4之化合物B-17以外，根據與實例4相同之方法製造有機發光二極體。
用於製造有機發光二極體之NPB、BAlq、CBP以及(piq)2Ir(acac)之結構如下。
(有機發光二極體之效能量測)
量測根據實例4、實例5、實例6以及比較例2之各有機發光二極體視電壓及發光效率而定的電流密度及亮度變化。
特定言之，在以下方法中進行量測，且結果提供於下表2中。
(1)量測視電壓變化而定的電流密度變化
使用電流-電壓計(吉時利2400(Keithley 2400))在使電壓自0伏增加至10伏的同時，量測所製造之有機發光二極體的單元裝置中流動的電流值，且所量測之電流值除以面積，得出結果。
(2)量測視電壓變化而定的亮度變化
使用亮度計(美能達Cs-1000A(Minolta Cs-1000A))在使電壓自0伏增加至10伏的同時，關於亮度量測所製造之有機發光二極體的亮度。
(3)量測發光效率
藉由使用項目(1)及(2)之亮度、電流密度以及電壓(伏)計算在相同電流密度(10毫安/平方公分)下之電流效率(cd/A)。
(4)量測使用壽命
藉由在亮度(cd/m2)保持在5000cd/m2的同時量測直至電流效率(cd/A)降至90%消耗的時間來獲得使用壽命。
參照表2，根據實例4至實例6之綠色有機發光二極體與比較例2相比，展示明顯改良的驅動電壓、發光效率及/或功率效率。
儘管已結合目前視為實用例示性實施例之內容來描述本發明，但應理解本發明不限於所揭示之實施例，而相反地，本發明意欲涵蓋包含在所附申請專利範圍之精神及範疇內的各種修改及等效配置。因此，上述實施例應理解為例示性的但不以任何方式限制本發明。
100‧‧‧有機發光二極體
105‧‧‧有機層
110‧‧‧陰極
120‧‧‧陽極
130‧‧‧發射層

Claims (15)

  1. 一種由以下化學式1表示之化合物， 其中，在所述化學式1中，X1至X10獨立地為N、C或CRa，X1至X10中之至少一者為N，Z為N-L4-Rb、O、S、C-L4-RcRd或Si-L4-ReRf，L1至L4獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、經取代或未經取代之C3至C30環伸烷基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30伸烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30伸芳氧基、經取代或未經取代之C2至C30伸烯基、經取代或未經取代之C2至C30伸炔基或其組合，R1至R3以及Ra至Rf獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧羰基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧基羰基胺基、經取代或未經取代之C7至C30芳氧基羰基胺基、經取 代或未經取代之C1至C30胺磺醯基胺基、經取代或未經取代之C2至C30烯基、經取代或未經取代之C2至C30炔基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30醯基、經取代或未經取代之C1至C20醯氧基、經取代或未經取代之C1至C20醯氨基、經取代或未經取代之C1至C30磺醯基、經取代或未經取代之C1至C30烷基硫醇基、經取代或未經取代之C6至C30芳基硫醇基、經取代或未經取代之C1至C30醯脲基、經取代或未經取代之C5至C40稠環、鹵素、含鹵素基、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或其組合，以及R1至R3獨立地存在，或R1至R3之相鄰基團彼此稠合以得到環。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之由化學式1表示之化合物，其中X2至X10中之至少一者為N。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之由化學式1表示之化合物，其中所述化學式1由以下化學式2至化學式5中之一者表示： 其中，在所述化學式2至化學式5中，X1至X10獨立地為C或CRa，Z為N-L4-Rb，L1至L4獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、經取代或未經取代之C3至C30環伸烷基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30伸烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30伸芳氧基、經取代或未經取代之C2至C30伸烯基、經取代或未經取代之C2至C30伸炔基或其組合，R1至R3、Ra以及Rb獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧羰基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧基羰基氨基、經取代或未經取代之C7至C30芳氧基羰基氨基、經取代或未經取代之C1至C30胺磺醯基氨基、經取代或未經取代之C2至C30烯基、經取代或未經取代之C2至C30炔基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30醯基、經取代或未經取代之C1至C20醯氧基、經取代或未經取代之C1至C20醯氨基、經取代或未經取代之C1至C30磺醯基、經取代或未經取代之C1至C30烷基硫醇基、經取代或未經取代之C6至C30芳基硫醇基、經 取代或未經取代之C1至C30醯脲基、經取代或未經取代之C5至C40稠環、鹵素、含鹵素基、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或其組合，以及R1至R3獨立地存在，或R1至R3之相鄰基團彼此稠合以得到環。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之由化學式1表示之化合物，其中所述化學式1由以下化學式6至化學式14中之一者表示： 其中，在所述化學式6至14中，X1至X10獨立地為C或CRa，Z為N-L4-Rb，L1至L4獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C1至C30伸烷基、經取代或未經取代之C3至C30環伸烷基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳胺基、經取代或未經取代之C1 至C30伸烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30伸芳氧基、經取代或未經取代之C2至C30伸烯基、經取代或未經取代之C2至C30伸炔基或其組合，R1至R3、Ra以及Rb獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧羰基、經取代或未經取代之C2至C30烷氧基羰基氨基、經取代或未經取代之C7至C30芳氧基羰基氨基、經取代或未經取代之C1至C30胺磺醯基氨基、經取代或未經取代之C2至C30烯基、經取代或未經取代之C2至C30炔基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷氧基、經取代或未經取代之C1至C30醯基、經取代或未經取代之C1至C20醯氧基、經取代或未經取代之C1至C20醯氨基、經取代或未經取代之C1至C30磺醯基、經取代或未經取代之C1至C30烷基硫醇基、經取代或未經取代之C6至C30芳基硫醇基、經取代或未經取代之C1至C30醯脲基、經取代或未經取代之C5至C40稠環、鹵素、含鹵素基、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基或其組合，以及R1至R3獨立地存在，或R1至R3之相鄰基團彼此稠合以得到環。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之由化學式1表示之化合物，其中所述化學式1為以下化學式15至化學式27中之一者： 其中，在所述化學式15至化學式27中，Z為N-L4-Rb，L1及L4獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基或其組合，以及R1及Rb獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷基、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C5至C40稠環或其組合。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之由化學式1表示之化合物，其中所述L1及L4獨立地為單鍵或選自以下群組I中列出的經取代或未經取代之基團的基團： 其中，在群組I中，*指示連接點。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之由化學式1表示之化合物，其中所述R1及Rb獨立地為氫、氘或選自以下群組II中列出的經取代或未經取代之基團的基團： 其中，在群組II中，R及R'獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C30烷 基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基或其組合，以及*為連接點。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之由化學式1表示之化合物，其中所述化學式1之Z為N-L4-Rb，其中所述Rb為氫、氘、經取代或未經取代之C2至C30雜環基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C5至C40稠環或其組合。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之由化學式1表示之化合物，其為以下群組III中列出的化合物中之一者：
  10. 如申請專利範圍第1項至申請專利範圍第9項中任一項所述之由化學式1表示之化合物，其中所述化合物用於有機光電裝置。
  11. 一種有機光電裝置，包括彼此面對的陽極及陰極，以及至少一個位於所述陽極與所述陰極之間的有機層，其中，所述有機層包括如申請專利範圍第1項至申請專利範圍第9項中任一項所述之由化學式1表示之化合物。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機光電裝置，其中所述有機層包括發射層，其中所述發射層包括所述化合物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機光電裝置，其中包含所述化合物作為所述發射層之主體。
  14. 如申請專利範圍第11項之有機光電裝置，其中所述有機層包括至少一個選自電洞注入層、電洞傳輸層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層以及電洞阻擋層之輔助層，其中所述輔助層包括所述化合物。
  15. 一種顯示裝置，包括如申請專利範圍第11項所述之有機光電裝置。
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