TW201543609A - 恒定質量流多層次冷卻劑路徑之靜電式夾具 - Google Patents

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Abstract

一種工件支撐件，其具有容器，該容器具有頂部內壁及底部內壁。在該頂部內壁與底部內壁之間界定內部腔體，其中支撐表面經配置以支撐工件。板件定位於該內部腔體內，該板件將該內部腔體劃分為頂部腔體及底部腔體。該頂部腔體及底部腔體圍繞該板件之周邊流體耦接。在該頂部內壁及該板件之頂部部分中之一或多者中界定的第一錐體跨於該頂部腔體之徑向橫截面提供實質上恒定容積。在該底部內壁及該板件之底部部分中之一或多者中界定的第二錐體跨於該底部腔體之徑向橫截面提供實質上恒定容積。第一埠及第二埠將該頂部腔體及底部腔體流體耦接至各別的第一流體通道及第二流體通道。

Description

恒定質量流多層次冷卻劑路徑之靜電式夾具
本揭露內容大體係關於工件載具，且更特定而言係關於靜電式夾具，該靜電式夾具經配置以使冷卻劑以大體恒定質量流率穿過其流動。
在半導體工業中常常利用工件支撐件來在基於電漿或基於真空之半導體製程(諸如離子佈植、蝕刻、化學氣相沉積(CVD)等等)期間支撐及夾緊工件或基板。例如，靜電夾板(ESC)在工件與ESC之間施加靜電夾緊力，以在處理期間將工件靜電吸引至ESC之夾緊表面。往往合乎需要的是，在處理期間冷卻或加熱工件，其中使流體流過ESC內之流體路徑，以便在工件駐留於ESC上的同時提供對工件之冷卻或加熱。
本揭露內容詳述一種用於在半導體處理系統中均勻地冷卻和/或加熱定位於工件支撐件上之工件的系統、設備以及方法。因此，以下提出本揭露內容之簡化要旨，以便提供對本發明之一些觀點的基本理解。此要旨並非本發明之詳盡綜述。其既不欲認定本發明之重要或關鍵要素，亦不欲描繪本發明之範疇。該要旨之目的係以簡化形式提出本發明之一些概念，以作為稍後提出的更詳細描述下序部。
根據一個示範性觀點，提供一種工件支撐件，其中該工件支 撐件包含容器，該容器具有頂部內壁及底部內壁。該頂部內壁係安置為與該底部內壁相對，其中在該頂部內壁與該底部內壁之間界定內部腔體。該容器進一步包含支撐表面，該支撐表面經配置以支撐其上之工件。
板件定位於內部腔體內，其中該板件將該內部腔體大體劃分 為：頂部腔體，其界定於該板件與該頂部內壁之間；以及底部腔體，其界定於該板件與該底部內壁之間。在一個實例中，該頂部腔體與底部腔體圍繞該板件之周邊彼此流體耦接。
第一錐體進一步界定於該頂部內壁及板件之頂部部分中之 一或多者中，其中該第一錐體跨於該頂部腔體之徑向橫截面提供實質上恒定容積。在一個實例中，第二錐體亦界定於該底部內壁及該板件之底部部分中之一或多者中，其中該第二錐體跨於該底部腔體之徑向橫截面提供實質上恒定容積。
第一埠界定於該板件之中心部分中，其中該第一埠將該頂部 腔體流體耦接至第一流體通道。第二埠進一步界定於該容器之底部部分中，其中該第二埠將該底部腔體流體耦接至第二流體通道。
在一個實例中，亦提供一種泵，其中該泵之進口流體耦接至 該第一流體通道及該第二流體通道中之一者，且其中該泵之出口流體耦接至該第一流體通道及該第二流體通道中之另一者。熱單元進一步流體耦接至該第一流體通道及該第二流體通道中之一者，其中該熱單元包含加熱器及冷卻器中之一或多者，其經配置以分別加熱即冷卻安置於該第一流體通道及第二流體通道內之流體。
在另一實例中，控制器經進一步配置來基於對該泵及該熱單 元中之一或多者的控制，控制該工件與該容器之間的熱傳遞。
以上要旨僅意欲給出對本發明之一些實施例之一些特徵的 簡要綜述，且其他實施例可包含除上述特徵外及/或與之不同的特徵。詳言之，此要旨不應解釋為限制本申請案之範疇。
因此，為實現前述及相關目的，本發明包含下文描述且尤其在申請專利範圍中指出的特徵。以下描述以及附加圖式詳細闡述本發明之某些說明性實施例。然而，此等實施例指示的是可使用本發明之原理的各種方式中之一些方式。當結合圖式來考慮時，本發明之其他目的、優點及新穎特徵將自本發明之以下詳述變得顯而易見。
圖1為根據本揭露內容之若干觀點的示範性工件支撐件之橫截面圖。
圖2為圖1之示範性工件支撐件之平面圖。
圖3為根據本揭露內容之一些觀點的包含離子佈植系統之示範性處理系統之方塊圖。
圖4為根據本揭露內容之若干觀點的示範性工件支撐件之方塊圖。
圖5為根據本揭露內容之若干觀點的另一示範性工件支撐件之橫截面圖。
圖6為圖5之示範性工件支撐件之平面圖。
圖7為根據本揭露內容之若干觀點的又一示範性工件支撐件之橫截面圖。
圖8為圖7之示範性工件支撐件之平面圖。
在一些半導體製程(諸如離子佈植製程)中，合乎需要可為在工件(例如，半導體晶圓)與在處理期間固持工件之支撐件之間提供熱路徑(例如，冷卻路徑或加熱路徑)，以便在工件處維持預定溫度。本揭露內容提供工件支撐件，其具有安置於其中之流體，其中當流體相對於工件之表面行進時，流體於工件支撐件內之流動係維持於實質上恒定質量流率下。
因此，本揭露內容大體係關於在半導體處理系統中用於支撐工件且在工件與工件支撐件之間傳遞熱能之系統、裝置及方法。因此，現在將參考圖式對本發明進行描述，其中相同參考數字可始終用於指代相同元件。應瞭解，對此等觀點之描述僅僅為說明性的且其不應以限制性意義來解釋。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述許多特定細節以便提供對本發明之透徹理解。然而，對熟悉該項技術者而言顯然的是，本發明可在沒有此等具體細節的情況下實施。此外，本發明之範疇不意欲由下文參考隨附圖式描述的實施例或實例限制，而意欲僅由隨附申請專利範圍及其等效物限制。
亦應注意，提供圖式以給出對本揭露內容之實施例之一些觀點的圖解說明，且因此該等圖式僅視為示意性的。詳言之，在圖式中所示的元件未必相互按比例繪製，且圖式中各種元件之佈置係選擇來提供對各別實施例之清楚理解，而不欲解釋為對根據本發明之實施例的實行方式中各種組件之實際相對位置的必要表示。此外，除非另外具體說明，否則本 文所述的各種實施例及實例之特徵可彼此組合。
亦應理解的是，在以下描述中，在圖式中所示或本文所述的功能方塊、裝置、組件、電路元件或其他實體或功能單元之間的任何直接連接或耦接亦可藉由間接連接或耦接來實行。此外，應瞭解，圖式中所示的功能方塊或單元可在一個實施例中作為單獨特徵或電路來實行，且可另外或替代地在另一實施例中以共同特徵或電路來完全或部分地實行。例如，若干功能方塊可實行為通用處理器(諸如訊號處理器)上運行之軟體。 除非有相反說明，否則在以下說明書中描述為基於導線的任何連接亦可實行為無線通訊。
現參考圖式，圖1至2例示根據本揭露內容的具有多層次冷卻劑流之示範性工件支撐件100，其中圖1例示圖2之工件支撐件之橫截面圖101。例如，工件支撐件100經配置以在圖1中所例示的工件102經歷半導體處理的同時支撐該工件。因此，本揭露內容之工件支撐件100經配置以在半導體處理的同時在工件102與工件支撐件之間傳熱，諸如在離子佈植或向工件提供熱的其他處理的同時自工件移除熱。或者，工件支撐件100可經配置以在半導體處理之前、期間或之後將向工件102提供熱。因而，工件支撐件100經配置以在工件102與工件支撐件之間提供熱傳遞。
為獲得對本揭露內容之進一步理解，圖3例示示範性處理系統104。在本實例中之處理系統104包含離子佈植系統106，然而亦涵蓋各種其他類型之處理系統，諸如電漿處理系統、反應性離子蝕刻(RIE)系統或其他半導體處理系統。離子佈植系統106例如包含終端108、射束線總成110及末端站112。
一般而言，在終端108中之離子源114耦接至電源116，以將摻雜劑氣體離子化成複數個離子且形成離子束118。本實例中之離子束118經導向穿過束操控設備120，且朝向末端站112穿出孔口122。本揭露內容之離子束118可採取各種形式，諸如筆形束或點束、帶狀束、掃描束或將離子導向末端站112之各種其他形式，且預期所有此類形式落入本揭露內容之範疇內。在末端站112中，離子束118轟擊駐留於工件支撐件100上之工件102(例如，諸如矽晶圓、顯示面板等之半導體)。一旦嵌入工件102之晶格中，經佈植離子即改變工件之物理和/或化學性質。因此，離子佈植係用於半導體裝置製作及金屬表面精整(metal finishing)以及材料科學研究中之各種應用。
在離子佈植期間，在帶電離子與工件碰撞時，能量可以熱的形式堆積於工件102上。若缺少對策，則此種熱可潛在地使工件102翹曲或開裂，在一些實行方式中，此可致使工件無價值(或價值顯著地更低)。例如，過量熱及伴隨溫度上升會對其中需要精確溫度控制之製程有害。在一個實例中，過量熱可另外引起遞送至工件102之離子的劑量不同於所要劑量，因而潛在地改變工件的所要功能性。或者，合乎需要的可為在低於或高於周圍溫度之溫度下佈植離子，諸如以允許達成工件102之表面的所要非晶化，從而促成先進CMOS積體電路裝置製造中之超淺結面形成。在此類狀況下，工件102之冷卻為合乎需要的。在其他情況下，合乎需要的是，在佈植或其他處理期間進一步加熱工件102，以便輔助處理(例如，諸如向碳化矽中之高溫佈植)。
因此，根據本揭露內容，工件支撐件100經配置以在工件之 處理之前、期間及/或之後(諸如，在工件經受離子束118的同時)支撐工件102且選擇性地冷卻、加熱或以其他方式維持工件上之預定溫度。因而，本實例中之工件支撐件100因此可經配置以支撐且冷卻和/或加熱工件102。在一個實例中，工件支撐件100進一步包含靜電夾板124，其經配置以維持工件102之位置(例如，將工件靜電地夾緊至工件支撐件)，其中工件支撐件進一步經配置以在處理的同時冷卻和/或加熱工件。
根據一個實例，工件支撐件100包含容器130，其經配置以提供流體穿過其之流動。例如，流體可包含液體或氣體，且可在需要時予以冷卻或加熱，如下文中進一步詳細論述。如圖1-2所示，工件支撐件100提供有利的流體流(例如，由箭頭131所示)，其中在不同平面上發生供應流及返回流。因此，可達成流體之實質上徑向流，其中返回路徑係於與供應路徑不同的層次上徑向導向(例如，高於或低於供應路徑)。本揭露內容有利地提供一種流體質量流率，在流體穿過工件支撐件流動全程，該流體質量流率經流體路徑之可變橫截面積為實質上恒定的，現將進一步詳細論述。
根據一個實例，容器130經配置以提供流體穿過其中的流動。在一個實例中，容器130為大體中空的並包含頂部內壁132及底部內壁134，其中頂部內壁係安置為與底部內壁大體相對，其中在頂部內壁與底部內壁之間界定內部腔體136。例如，容器130進一步包含支撐表面138，其經配置以支撐其上的工件102，其中支撐表面經配置以促進工件與容器之間的熱傳遞。因而，工件支撐件100經配置以將工件102與流體之間的熱經由熱傳導路徑傳遞穿過頂部內壁132傳至支撐表面138。
根據一個實例，板件140定位於容器104之內部腔體136內，其中板件將內部腔體大體劃分為：頂部腔體142，其界定於板件與頂部內壁132之間；以及底部腔體144，其界定於板件與底部內壁134之間。在本實例中，如在圖2中進一步詳細所示，頂部腔體142及底部腔體144圍繞板件140之周邊146彼此流體耦接。可提供一或多個支撐結構148(諸如桿、銷、翅片或其他結構)來將板件140大體緊固且支撐於容器130之內部腔體136內。
根據另一實例，圖1之工件支撐件100包括與其熱耦接之靜電夾板124，其中靜電夾板之夾緊表面150大體界定支撐表面138。如熟悉該項技術者將理解的，靜電夾板124例如包含一或多個電極152，該等電極152經配置以將工件102靜電吸引至支撐表面138。本實例之支撐表面138大體為平面的，然而，本揭露內容亦涵蓋包含紋理化或凹陷表面之支撐表面，其中可將導電氣體引入工件102與支撐表面之間，從而輔助工件支撐件100與工件之間的熱傳導。
根據本揭露內容，工件支撐件100因此提供流體之流動，該流動穿過至少藉由容器130之內部腔體136界定的通道154而發生在單獨層次上，其中在一個層次上供應流體且在另一層次上返回流體。如圖1之實例中所示，提供供應路徑156及返回路徑158，其中供應路徑及返回路徑係連接成鄰近於內部腔體136之邊緣160及中心162中之一或多者，以便允許流體自供應路徑流動至返回路徑。應注意，基於工件支撐件100之所要效能，供應路徑156及返回路徑158可反向。
如圖1所示，通道154之高度164a至164d為隨半徑而變的 變數，其中高度之變化有利地補償增大的橫截面積。在本實例中，工件支撐件100及板件140為實質上圓形及盤形，其中沿供應路徑156及返回路徑158之流動流將經由對流熱傳遞來在流體與工件102之間傳熱。對流傳熱係數hx如下取決於藉由雷諾數Re表示之流速： 穿過工件支撐件100之質量流可由以下描述：
其中ρ為流過通道154之流體之密度，V為流體流之速度，且A為通道之橫截面積。在具有實質上徑向流之近似為圓盤的通道154中，通道154之橫截面積A將如下隨半徑而增加：A=2 π r h (3),其中r為該通道於該圓盤中之徑向距離，且h為通道之高度。在一個實例中，可藉由設定通道154之大小來獲得實質上恒定的橫截面積及質量流，以使得高度與半徑成反比(l/r)。然而，事實上，考慮到內部腔體136之中心162可導致無限高度，此種設計可能難以達成。當流體自內部腔體136之中心162徑向向外流動時，本揭露內容有利地針對越來越小的高度提供錐形或階梯狀之通道154。
因此，根據本揭露內容之一些實例，在頂部內壁132及板件140之頂部部分168中之一或多者中界定第一錐體166，其中第一錐體跨於頂部腔體142之徑向橫截面提供實質上恒定容積。因此，有利地跨於內部腔體136之半徑獲得流體之實質上恒定質量流。在一個實例中，如圖1-2所示，第一錐體166為大體線性的，且界定於容器130之頂部內壁132中，其 中頂部腔體142為大體圓錐狀。
第一埠170進一步界定於板件140之中心部分172中，其中第一埠將頂部腔體142流體耦接至第一流體通道174。第二埠176亦界定於容器130之底部部分178中，其中第二埠將底部腔體144流體耦接至第二流體通道180。如圖3-4所示，泵182及熱單元184進一步流體耦接至第一流體通道174及第二流體通道180。熱單元184經配置以加熱和/或冷卻流體，其中流體經由泵182循環穿過工件支撐件100及熱單元，其中經由流過工件支撐件100之實質上恒定質量流有利地加熱和/或冷卻工件102。在圖3-4中進一步提供控制器186，其中控制器經配置以控制熱單元184、工件支撐件100(例如，靜電夾板124)、泵182及/或圖3之處理系統104之各種其他特徵中之一或多者。
根據另一實例，第二錐體188界定於板件140之底部內壁134及底部部分190中之一或多者中，其中第二錐體進一步跨於內部腔體136之徑向橫截面提供實質上恒定容積。因此，有利地跨於內部腔體136之半徑進一步獲得流體之實質上恒定質量流。例如，第二錐體188亦為大體線性的，其中底部腔體144為大體圓錐狀。在一個實例中，第一錐體166及第二錐體188大體彼此成鏡像。
根據另一實例，如圖5-6所示，第一錐體166(在圖5之橫截面192中所示)為大體線性的且由板件140之頂部部分168界定，且第二錐體188由板件之底部部分190界定。與圖1-2之實例類似，在圖5-6之實例中，第一埠170亦界定於板件140之中心部分172中且將頂部腔體142流體耦接至第一流體通道174。第二埠176亦界定於容器130之底部部分178 中，其中第二埠將底部腔體144流體耦接至第二流體通道180。然而，如圖5-6所示，第一流體通道174與第二流體通道180同軸。在同軸的情況下，可獲得流體穿過頂部腔體142及底部腔體144與第一流體通道174及第二流體通道180之有利流動。
圖7-8例示第一錐體166之另一實例(以圖7之橫截面194所示)，其為大體階梯狀且由容器130之頂部內壁132界定，且第二錐體188亦為大體階梯狀且由容器之底部內壁134界定。應注意，第一錐體166及第二錐體188亦可以大體階梯狀方式提供於板件140中。
根據本揭露內容之另一實例，傳熱係數為大體恒定的或以有利方式變化，以便在處理期間補償非均勻溫度或電力負荷。在一個實例中，第一流體通道174及第二流體通道180(例如，包括頂部腔體142及底部腔體144)可成形為彼此相似的，進而達成有利的流體流。替代地，頂部腔體142及底部腔體144可彼此不同，以便在預定徑向位置處提供變化流體流(例如，當對另外加熱或冷卻特定區域之需要為合乎需要時)。此外，雖然在圖式中例示流動之一個方向，但應理解，流體之流動可按需要反向。
儘管已就某一或某些實施例而言展示並描述本發明，但應注意，上述實施例僅用作用於本發明之一些實施例之實行方式的實例，且本發明之應用不限於此等實施例。尤其就由上述組件(總成、裝置、電路等等)執行的各種功能而言，除非另外指示，否則用於描述此等組件之術語(包括對「手段」之提及)意欲對應於執行所述組件之規定功能(即，功能上等效)的任何組件，即便在結構上不等效於執行本文所示的本發明之示範性實施例之功能的揭露結構亦是如此。此外，雖然本發明之特定特徵可僅 就若干實施例中之一來揭露，但此特徵可在需要時且對任何給定或特定應用為有利時與其他實施例之一或多個其他特徵組合。因此，本發明不限於上述實施例，而意欲僅由隨附申請專利範圍及其等效物限制。

Claims (20)

  1. 一種工件支撐件，其包含：一容器，其包含一頂部內壁及一底部內壁，其中該頂部內壁係安置為與該底部內壁相對，其中在該頂部內壁與該底部內壁之間界定一內部腔體，其中該容器進一步包含一支撐表面，該支撐表面經配置以支撐其上之一工件；一板件，其位於該內部腔體內，其中該板件將該內部腔體大體劃分為：一頂部腔體，其界定於該板件與該頂部內壁之間；以及一底部腔體，其界定於該板件與該底部內壁之間；且其中該頂部腔體及該底部腔體圍繞該板件之一周邊彼此流體耦接；一第一錐體，其界定於該頂部內壁及該板件之一頂部部分中之一或多者中，其中該第一錐體跨於該頂部腔體之一徑向橫截面提供一實質上恒定容積；一第二錐體，其界定於該底部內壁及該板件之一底部部分中之一或多者中，其中該第二錐體跨於該底部腔體之一徑向橫截面提供一實質上恒定容積；一第一埠，其界定於該板件之一中心部分中，其中該第一埠將該頂部腔體流體耦接至一第一流體通道；以及一第二埠，其界定於該容器之底部部分中，其中該第二埠將該底部腔體流體耦接至一第二流體通道。
  2. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中該第一錐體為線性的。
  3. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中該頂部腔體大體上為圓錐 狀。
  4. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中該支撐表面大體上為平面的。
  5. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中該容器包含與其熱耦接的一靜電夾板，其中該靜電夾板之一夾緊表面大體上界定該支撐表面。
  6. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中該第一錐體及該第二錐體中之一或多者為階梯狀。
  7. 如申請專利範圍第6項之工件支撐件，其中該第二錐體大體上為線性的。
  8. 如申請專利範圍第6項之工件支撐件，其中該底部腔體大體上為圓錐狀的。
  9. 如申請專利範圍第6項之工件支撐件，其中該第一錐體及該第二錐體彼此成鏡像。
  10. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中一熱傳導路徑界定於該支撐表面與該內部腔體之間。
  11. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中一流體路徑界定於該內部腔體內，其中該第一錐體及該第二錐體大體上提供一流體穿過該內部腔體之一恒定質量流。
  12. 如申請專利範圍第1項之工件支撐件，其中該第一流體通道及該第二流體通道同軸。
  13. 一種工件支撐件，其包含：一容器，其中該容器大體上為圓柱形，且包含一頂部內壁及一底部內 壁，其中在該頂部內壁與該底部內壁之間界定一內部腔體，且其中一支撐表面與該容器之一頂部外部部分相關聯，其中該支撐表面經配置以支撐其上之一工件；一板件，其界定於該內部腔體內，其中該板件大體上界定：在該板件之一頂部部分與該頂部內壁之間的一頂部腔體；以及在該板件之一底部部分與該底部內壁之間的一底部腔體；且其中該頂部腔體及該底部腔體圍繞該板件之一周邊彼此流體耦接；一第一錐體，其界定於該頂部內壁及該板件之頂部部分中之一或多者中，其中該第一錐體跨於該頂部腔體之一徑向橫截面提供一實質上恒定容積；一第二錐體，其界定於該底部內壁及該板件之底部部分中之一或多者中，其中該第二錐體跨於該底部腔體之一徑向橫截面提供一實質上恒定容積；一第一埠，其界定於該板件之一中心部分中，其中該第一埠將該頂部腔體流體耦接至一第一流體通道；以及一第二埠，其界定於該容器之一底部部分中，其中該第二埠將該頂部腔體流體耦接至一第二流體通道。
  14. 如申請專利範圍第13項之工件支撐件，其進一步包含一靜電夾板，其中該靜電夾板之一夾緊表面大體上界定該支撐表面。
  15. 如申請專利範圍第13項之工件支撐件，其中該第一錐體及該第二錐體中之一或多者為階梯狀。
  16. 一種熱工件支撐系統，其包含： 一容器，其包含一頂部內壁及一底部內壁，其中在該頂部內壁與該底部內壁之間界定一內部腔體，其中該容器進一步包含一支撐表面，該支撐表面經配置以支撐其上之一工件；一板件，其位於該內部腔體內，其中該板件將該內部腔體大體上劃分為：一頂部腔體，其界定於該板件與該頂部內壁之間；以及一底部腔體，其界定於該板件與該底部內壁之間；且其中該頂部腔體及該底部腔體圍繞該板件之一周邊彼此流體耦接；一第一錐體，其界定於該頂部內壁及該板件之一頂部部分中之一或多者中，其中該第一錐體跨於該頂部腔體之一徑向橫截面提供一實質上恒定容積；一第二錐體，其界定於該底部內壁及該板件之一底部部分中之一或多者中，其中該第二錐體跨於該底部腔體之一徑向橫截面提供一實質上恒定容積；一第一埠，其界定於該板件之一中心部分中，其中該第一埠將該頂部腔體流體耦接至一第一流體通道；一第二埠，其界定於該容器之底部部分中，其中該第二埠將該底部腔體流體耦接至一第二流體通道；一泵，其中該泵之一進口流體耦接至該第一流體通道及該第二流體通道中之一者，且其中該泵之一出口流體耦接至該第一流體通道及該第二流體通道中之另一者；以及一熱單元，其流體耦接至該第一流體通道及該第二流體通道中之一者，其中該熱單元包含一加熱器及冷卻器中之一或多者，其經配置以分別 地加熱及冷卻安置於該第一流體通道及該第二流體通道內之一流體。
  17. 如申請專利範圍第16項之熱工件支撐系統，其進一步包含一控制器，該控制器經配置以基於對該泵及該熱單元中之一或多者之控制，控制該工件及該容器之間的一熱傳遞。
  18. 如申請專利範圍第16項之熱工件支撐系統，其中該容器進一步包含一靜電夾板，其中該靜電夾板之一夾緊表面大體上界定該支撐表面。
  19. 如申請專利範圍第16項之熱工件支撐系統，其中該第一錐體及該第二錐體中之一或多者為階梯狀。
  20. 如申請專利範圍第16項之熱工件支撐系統，其中一流體路徑界定於該內部腔體內，其中該第一錐體及該第二錐體大體上提供一流體穿過該內部腔體之一恒定質量流。
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