TW201541545A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • B05B12/122—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature position or movement of the target relative to the spray apparatus responsive to presence or shape of target
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    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays

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Abstract

本發明中，旋轉保持裝置繞旋轉軸旋轉，控制部基於自線感測器取得之位置資料算出旋轉方向偏移量、X偏移量及Y偏移量。X方向可動部及Y方向可動部以X偏移量及Y偏移量成為0之方式移動，且旋轉保持裝置以旋轉方向偏移量成為0之方式旋轉。X方向可動部一面於X方向移動且膜厚測定器依序測定基板上膜之厚度。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於對基板進行處理之基板處理裝置及基板處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板等各種基板進行各種處理，使用基板處理裝置。
於記載於日本特開2003-151893號公報之基板處理裝置，設置有基板處理單元，該基板處理單元包含：周邊曝光功能，其係進行基板上抗蝕劑膜周邊區域(周緣部)之曝光；及膜厚測定功能，其係測定基板上抗蝕劑膜之厚度。該基板處理單元包含曝光頭部及膜厚測定裝置。曝光頭部及膜厚測定裝置設為藉由XY驅動機構而可XY移動。
於曝光動作時，藉由旋轉卡盤保持之基板旋轉並藉由邊緣感測器檢測自旋轉卡盤之旋轉軸至基板外周部之距離，並基於其檢測結果檢測基板中心與旋轉卡盤之旋轉軸之位置關係及基板相對旋轉卡盤之位置。藉此，特定出應被曝光之基板周邊區域。使藉由旋轉卡盤保持之基板旋轉並藉由XY驅動機構使曝光頭部之曝光用光之照射位置變化，藉此，進行基板周邊區域之曝光。
於膜厚測定動作時，藉由旋轉卡盤保持之基板旋轉並藉由邊緣 檢測器檢測自旋轉卡盤之旋轉軸至基板外周部之距離，並基於該檢測結果檢測基板中心與旋轉卡盤之旋轉軸之位置關係及基板相對旋轉卡盤之位置。藉此，特定出應測定之基板之測定點位置。藉由XY驅動機構使膜厚測定裝置之曝光頭之光學頭移動至對應於基板測定點之位置，藉此，測定測定點之膜厚。
尋求增加自1片基板可獲得之晶片數。因此，必須以較高精度進行基板周緣部之曝光等處理。
於上述日本特開2003-151893號公報之處理單元中，即使於基板中心相對於旋轉卡盤之旋轉軸偏心之情形，亦可對基板之周緣部進行曝光等處理。
然而，於基板中心偏心之狀態對基板之特定區域進行處理之情形時，處理之精度存在極限。例如，於基板中心相對於旋轉中心偏心之狀態對基板周緣部一定角度之區域進行處理時，處理之開始點及結束點之位置容易偏差。因此，期望於基板中心與旋轉中心一致之狀態對基板之特定區域進行處理。
因此，於記載於日本特開2008-60302號公報之基板處理裝置中，為了精度良好地去除形成於基板周緣部之膜，於複數個塗佈單元各者設置2個導引臂。於各塗佈單元中，於將自外部搬入之基板載置於旋轉卡盤上之狀態，2個導引臂朝著旋轉卡盤上之軸心移動。於旋轉卡盤上藉由以2個導引臂夾持基板，修正旋轉卡盤上基板之位置。於該狀態，藉由旋轉卡盤吸著保持基板。其後，對藉由旋轉卡盤保持之基板供給塗佈液，於基板上形成膜。接著，自針狀噴嘴朝著基板周緣部供給去除液。藉此，除去形成於基板周緣部之膜。
然而，於記載於上述日本特開2008-60302號公報之構成中，導引臂接觸於基板之外周端部。因此，有可能因形成於基板端部之膜剝離 等導致產生微粒。因此，期望不接觸基板之端部而將基板之位置對位至特定之位置。
本發明之目的在於提供一種不接觸基板端部而可以較高精度對位基板之基板處理裝置及基板處理方法。
(1)按照本發明一態樣之基板處理裝置係對基板進行處理之基板處理裝置，且包含：旋轉保持裝置，其保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；移動裝置，其係使旋轉保持裝置於垂直於旋轉軸之二維方向移動；位置檢測器，其檢測藉由旋轉保持裝置旋轉之基板外周部之位置；及控制部，其係基於藉由位置檢測器檢測出之位置，以藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之基準軸一致之方式控制移動裝置。
於該基板處理裝置中，藉由位置檢測器檢測藉由旋轉保持裝置旋轉之基板外周部之位置，並基於檢測出之位置，以藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之基準軸一致之方式藉由移動裝置於二維方向移動旋轉保持裝置。藉此，可不接觸基板端部而高精度對位基板。
(2)亦可為，控制部基於藉由位置檢測器檢測出之位置，算出藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與旋轉保持裝置之旋轉軸之偏差量，並基於算出之偏差量，以藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與基準軸一致之方式控制移動裝置。
於該情形時，即使於保持於旋轉保持裝置之基板之中心相對於旋轉保持裝置之旋轉軸偏心之情形，亦可使基板之中心與基準軸一致。
(3)亦可為，控制部基於藉由位置檢測器檢測出之位置，算出藉由旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向，並基於算出之方向，以藉由旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向與預先規定之基準方向一致之方 式控制旋轉保持裝置及移動裝置。
於該情形時，即使於藉由旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向與基準方向不一致之情形，亦可使基板之凹口方向與基準方向一致。
(4)亦可為，控制部基於算出之偏差量，以藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之測定位置一致之方式控制移動裝置，並以基板於藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與測定位置一致之狀態而旋轉之方式控制旋轉保持裝置及移動裝置，於基板之中心與測定位置一致之狀態基於藉由位置檢測器檢測出之位置算出基板凹口之方向，並基於算出之方向，以藉由旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向與預先規定之基準方向一致之方式控制旋轉保持裝置及移動裝置。
於該情形時，於藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與測定位置一致之狀態算出基板凹口之方向。藉此，準確地算出凹口方向。因此，可使基板之凹口方向準確地與基準方向一致。
(5)亦可為，控制部藉由旋轉保持裝置使基板繞旋轉軸旋轉且移動裝置使旋轉保持裝置移動，以維持旋轉之基板之中心與基準軸一致之狀態之方式控制旋轉保持裝置及移動裝置。
於該情形時，即使於藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心相對於旋轉保持裝置之旋轉軸偏心之情形，亦可於基板之中心與旋轉中心一致之狀態使基板旋轉。
(6)亦可為，更包含升降機構，其係於藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與基準軸一致後，使基板與旋轉保持裝置隔開並支持於旋轉保持裝置上方，控制部於藉由升降機構支持基板時，以旋轉保持裝置之旋轉軸與基板之中心一致之方式控制移動裝置，升降機構係於旋轉保持裝置之旋轉軸與基板之中心一致後，使基板下降，旋轉保持裝置保持藉由升降機構而下降之基板，並使基板繞旋轉軸旋轉。
於該情形時，即使於藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心相對 於旋轉保持裝置之旋轉軸偏心之情形，亦可藉由升降機構之簡單動作以基板之中心與旋轉保持裝置之旋轉軸一致之方式藉由旋轉保持裝置再配置基板。藉此，不需要藉由移動裝置進行旋轉保持裝置之向二維方向之移動，而可於基板之中心與旋轉中心一致之狀態使基板旋轉。
(7)亦可為，基板處理裝置更包含第1處理部，該第1處理部對藉由旋轉保持裝置而旋轉之基板之上表面之周緣部進行處理。
於該情形時，由於係於基板之中心與旋轉中心一致之狀態旋轉基板，故可對基板上表面之周緣部中一定寬度之區域準確地進行處理。
(8)亦可為，基板處理裝置更包含第2處理部，該第2處理部對藉由旋轉保持裝置旋轉之基板之外周端部進行處理。
於該情形時，由於係於基板之中心與旋轉中心一致之狀態旋轉基板，故可對基板之外周端部均一地進行處理。
(9)亦可為，基板處理裝置進而包含測定裝置，該測定裝置測定基板之預先規定之位置之狀態，控制部係於藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與基準軸一致後，以測定藉由測定裝置預先規定之位置之狀態之方式控制旋轉保持裝置及移動裝置之至少一者，藉此，使藉由旋轉保持裝置保持之基板移動。
於該情形時，由於係於基板之中心與基準軸一致後移動基板，故可準確地測定基板之預先規定之位置之狀態。
(10)按照本發明另一態樣之基板處理裝置係對基板進行處理之基板處理裝置，且包含：旋轉保持裝置，其係以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；搬送機構，其係以基板之中心與旋轉保持裝置之旋轉軸隔開之方式將基板搬送至旋轉保持裝置；移動裝置，其係使旋轉保持裝置於垂直於旋轉軸之二維方向移動；位置檢測器，其檢測藉由旋轉保持裝置而旋轉之基板外周部之位置；基板保持部，其係以水 平姿勢保持基板且具有鉛垂方向之基準軸；及控制部，其係以旋轉保持裝置將基板傳送於基板保持部之方式控制移動裝置及旋轉保持裝置；且控制部係基於藉由位置檢測器檢測出之位置，以傳送後之基板之中心與基板保持部之基準軸一致之方式控制旋轉保持裝置及移動裝置。
於該基板處理裝置中，以基板之中心與旋轉保持裝置之旋轉軸隔開之方式藉由搬送機構將基板搬送至旋轉保持裝置。於該狀態，藉由旋轉保持裝置以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉，並檢測旋轉之基板之外周部位置。其後，自旋轉保持裝置將基板傳送至基板保持部。此時，基於如上述般檢測出之外周部之位置，以傳送後之基板之中心與基板保持部之基準軸一致之方式，藉由移動裝置於二維方向移動旋轉保持裝置。傳送後之基板係藉由基板保持部以水平姿勢保持。
藉此，於基板之中心與基準軸一致之狀態藉由基板保持部保持。因此，可不接觸基板端部而高精度對位基板。
(11)亦可為，預先設定與旋轉保持裝置之旋轉軸隔開之設想位置，控制部基於藉由位置檢測器檢測出之位置，算出藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與設想位置之偏差量，並基於算出之偏差量，以傳送後之基板之中心與基板保持部之基準軸一致之方式控制移動裝置。
於該情形時，即使於保持於旋轉保持裝置之基板之中心相對於旋轉保持裝置之旋轉軸偏心之情形，亦可使基板之中心與基板支持部之基準軸一致。
(12)亦可為，控制部基於藉由位置檢測器檢測出之位置，算出藉由旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向，並基於算出之方向，以傳送後之基板之凹口方向與預先規定之基準方向一致之方式控制旋轉保持 裝置及移動裝置。
於該情形時，即使於保持於旋轉保持裝置之基板之中心相對於旋轉保持裝置之旋轉軸偏心之情形，亦可使基板支持部之基板之中心與基準方向一致。
(13)亦可為，基板保持部構成為以水平姿勢保持基板並使基板繞基準軸旋轉。
於該情形時，可於基板支持部中基板之中心與基準軸一致之狀態使基板旋轉。
(14)亦可為，基板處理裝置更包含第1處理部，該第1處理部對藉由基板保持部而旋轉之基板之上表面之周緣部進行處理。
於該情形時，由於係於基板之中心與旋轉中心一致之狀態旋轉基板，故可對基板之上表面之周緣部中一定寬度之區域準確地進行處理。
(15)亦可為，基板處理裝置更包含第2處理部，該第2處理部對藉由基板保持部而旋轉之基板外周端部進行處理。
於該情形時，由於係於基板之中心與旋轉中心一致之狀態旋轉基板，故可對基板外周端部均一地進行處理。
(16)按照本發明之又一態樣之基板處理方法係對基板進行處理之基板處理方法，且包含以下步驟：藉由旋轉保持裝置保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；檢測藉由旋轉保持裝置而旋轉之基板外周部之位置；及基於檢測出之位置，以藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之基準軸一致之方式使旋轉保持裝置移動至垂直於旋轉軸之二維方向。
於該基板處理方法中，檢測藉由旋轉保持裝置旋轉之基板外周部之位置，並基於檢測出之位置以藉由旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之基準軸一致之方式藉由移動裝置於二維方向移動旋轉 保持裝置。藉此，可不接觸基板端部而高精度對位基板。
(17)按照本發明又一態樣之基板處理方法係對基板進行處理之基板處理方法，且包含以下步驟：以基板之中心與旋轉保持裝置之旋轉軸隔開之方式藉由搬送機構將基板搬送至旋轉保持裝置；藉由旋轉保持裝置以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；檢測藉由旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周部之位置；自旋轉保持裝置將基板傳送於基板保持部；及藉由基板保持部以水平姿勢保持傳送後之基板；且傳送步驟包含：基於檢測出之位置，以傳送後之基板之中心與基板保持部之基準軸一致之方式，藉由移動裝置使旋轉保持裝置於垂直於旋轉軸之二維方向移動。
於該基板處理方法中，以基板之中心與旋轉保持裝置之旋轉軸隔開之方式藉由搬送機構將基板搬送至旋轉保持裝置。於該狀態，藉由旋轉保持裝置以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉，並檢測旋轉之基板外周部之位置。其後，自旋轉保持裝置將基板傳送於基板保持部。此時，基於如上述般檢測出之外周部位置，以傳送後之基板之中心與基板保持部之基準軸一致之方式，藉由移動裝置於二維方向移動旋轉保持裝置。傳送後之基板係藉由基板保持部以水平姿勢保持。
藉此，於基板之中心與基準軸一致之狀態藉由基板保持部保持。因此，可不接觸基板端部而高精度對位基板。
11‧‧‧分度區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧介面區塊
14A‧‧‧清洗乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21~24‧‧‧塗佈處理室
25‧‧‧旋轉卡盤
27‧‧‧杯體
28‧‧‧處理液噴嘴
28a‧‧‧處理液供給系統
29‧‧‧噴嘴搬送機構
31~34‧‧‧顯影處理室
35‧‧‧旋轉卡盤
37‧‧‧杯體
38‧‧‧搬送機構
39‧‧‧移動機構
50‧‧‧流體箱部
60‧‧‧流體箱部
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載具載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載具
114‧‧‧控制部
115‧‧‧搬送機構
116‧‧‧機械手
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬送室
126‧‧‧下段搬送室
127‧‧‧搬送機構
128‧‧‧搬送機構
129‧‧‧塗佈處理單元
131‧‧‧顯影處理部
132‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上段搬送室
136‧‧‧下段搬送室
138‧‧‧搬送機構
139‧‧‧顯影處理單元
141‧‧‧搬送機構
142‧‧‧搬送機構
146‧‧‧搬送機構
161‧‧‧清洗乾燥處理部
162‧‧‧清洗乾燥處理部
163‧‧‧搬送部
302‧‧‧下段熱處理部
303‧‧‧上段熱處理部
304‧‧‧下段熱處理部
500‧‧‧移動裝置
501‧‧‧支持構件
502‧‧‧X方向可動部
503‧‧‧Y方向可動部
503a‧‧‧Y方向可動部
504‧‧‧旋轉保持裝置
505‧‧‧線感測器
506‧‧‧曝光單元
507‧‧‧膜厚測定器
508‧‧‧固定構件
510‧‧‧控制部
510a‧‧‧控制部
520‧‧‧邊緣淋洗噴嘴
520a‧‧‧淋洗液供給系統
530‧‧‧升降銷
531‧‧‧端部清洗裝置
550‧‧‧旋轉驅動部
551‧‧‧第1臂
552‧‧‧第2臂
553‧‧‧第1關節
554‧‧‧第2關節
555‧‧‧第3關節
560‧‧‧區段
610‧‧‧旋轉卡盤
610a‧‧‧液供給管
611‧‧‧旋轉馬達
611a‧‧‧旋轉軸
612‧‧‧旋轉板
613‧‧‧平板支持構件
614a‧‧‧磁體平板
614b‧‧‧磁體平板
615‧‧‧夾盤銷
615a‧‧‧軸部
615b‧‧‧銷支持部
615c‧‧‧保持部
616‧‧‧磁體
620‧‧‧基板交接機構
621‧‧‧升降旋轉驅動部
622‧‧‧旋轉軸
623‧‧‧臂
624‧‧‧保持銷
630‧‧‧清洗刷子
631‧‧‧刷子保持構件
633‧‧‧清洗噴嘴
635‧‧‧槽
a‧‧‧距離
A‧‧‧旋轉軸
AP‧‧‧設想位置
b‧‧‧距離
B‧‧‧旋轉軸
C‧‧‧旋轉軸
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
H1‧‧‧機械手
H2‧‧‧機械手
mp‧‧‧測定點
MP‧‧‧測定位置
mr‧‧‧測定區域
mra‧‧‧圓弧/圓環狀區域
N‧‧‧N極
NT‧‧‧凹口
PA0~PA3‧‧‧位置資料
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
PASS1~PASS9‧‧‧基板載置部
PB0~PB3‧‧‧位置資料
P-BF1‧‧‧載置兼緩衝部
P-BF2‧‧‧載置兼緩衝部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧熱處理單元
Pn‧‧‧位置資料
R1‧‧‧外側區域
R2‧‧‧外側區域
Ra‧‧‧旋轉軸
RA‧‧‧旋轉軸
RB‧‧‧保持位置
RR‧‧‧基準軸
S‧‧‧S極
SD1‧‧‧清洗乾燥處理單元
SD2‧‧‧清洗乾燥處理單元
TR‧‧‧搬送機構
W‧‧‧基板
WC‧‧‧中心
X、Y、Z‧‧‧座標系統
Xoff‧‧‧X偏移量
Yoff‧‧‧Y偏移量
Z-U-V‧‧‧座標系統
θoff‧‧‧旋轉方向偏移量
圖1係顯示基板處理裝置之構成之示意性俯視圖。
圖2係主要顯示圖1之塗佈處理部、顯影處理部及清洗乾燥處理部之基板處理裝置之示意性側視圖。
圖3係主要顯示圖1之熱處理部、及清洗乾燥處理部之基板處理裝置之示意性側視圖。
圖4係主要顯示圖1之搬送部之側視圖。
圖5(a)~(b)係顯示邊緣曝光部之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖6係顯示邊緣曝光部之控制系統之構成之方塊圖。
圖7(a)~(b)係用以說明圖5(a)~(b)之邊緣曝光部之動作之模式圖。
圖8(a)~(c)係用以說明圖5(a)~(b)之邊緣曝光部之動作之模式圖。
圖9(a)~(b)係用以說明圖5(a)~(b)之邊緣曝光部之動作之模式圖。
圖10(a)~(b)係用以說明圖5(a)~(b)之邊緣曝光部之動作之模式圖。
圖11(a)~(b)係用以說明圖5(a)~(b)之邊緣曝光部之動作之模式圖。
圖12(a)~(b)係用以說明圖5(a)~(b)之邊緣曝光部之動作之模式圖。
圖13係顯示基於線感測器之輸出信號取得之位置資料之一例之圖。
圖14(a)~(b)係顯示膜厚測定器之膜厚測定方法之一例之示意性俯視圖。
圖15(a)~(b)係顯示膜厚測定器之膜厚測定方法之另一例之示意性俯視圖。
圖16(a)~(b)係顯示曝光單元之基板邊緣曝光方法之示意性俯視圖。
圖17(a)~(b)係顯示塗佈處理單元之第1例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖18係顯示塗佈處理單元之控制系統之構成之方塊圖。
圖19(a)~(b)係用以說明圖17(a)~(b)之塗佈處理單元之動作之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖20(a)~(b)係用以說明圖17(a)~(b)之塗佈處理單元之動作之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖21(a)~(b)係用以說明圖17(a)~(b)之塗佈處理單元之動作之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖22(a)~(b)係用以說明圖17(a)~(b)之塗佈處理單元之動作之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖23(a)~(b)係顯示塗佈處理單元之第2例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖24係用以說明圖23(a)~(b)之塗佈處理單元之移動裝置之動作之示意性俯視圖。
圖25(a)~(b)係顯示塗佈處理單元之第3例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖26(a)~(b)係用以說明圖25(a)~(b)之塗佈處理單元之移動裝置之動作之示意性俯視圖。
圖27(a)~(b)係用以說明圖25(a)~(b)之塗佈處理單元之移動裝置之動作之示意性俯視圖。
圖28(a)~(b)係用以說明圖25(a)~(b)之塗佈處理單元之移動裝置之動作之示意性俯視圖。
圖29(a)~(b)係顯示基板載置部之例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖30(a)~(b)係顯示清洗乾燥處理單元之第1例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖31(a)~(b)係顯示清洗乾燥處理單元之第2例之構成之示意性俯 視圖及示意性側視圖。
圖32(a)~(c)係用以說明清洗乾燥處理單元之動作之示意圖。
圖33(a)~(b)係用以說明清洗乾燥處理單元之動作之示意圖。
圖34(a)~(e)係顯示作為移動裝置所使用之搬送機構之主要部之構成及動作之示意性俯視圖。
圖35係顯示使用遞增型編碼器時用以調整原點位置之構成之示意性俯視圖。
圖36(a)~(e)係用以說明使用遞增型編碼器時原點位置之調整方法之示意性俯視圖。
以下，對本發明實施形態之基板處理裝置使用圖式進行說明。另，於以下之說明中，所謂基板指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等。
(1)整體構成
圖1係顯示基板處理裝置100之構成之示意性俯視圖。於圖1及後述之圖2~圖4，為了明確位置關係而標註表示互相正交之U方向、V方向及Z方向之箭頭。U方向及V方向係於水平面內互相正交，Z方向相當於鉛垂方向。
如圖1所示，基板處理裝置100包含分度區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。藉由清洗乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B，構成介面區塊14。以鄰接搬入搬出區塊14B之方式配置曝光裝置15。於曝光裝置15中，藉由液浸法對基板W進行曝光處理。
分度區塊11包含複數個載具載置部111及搬送部112。於各載具載置部111，載置多段收容複數個基板W之載具113。
於搬送部112，設置控制部114及搬送機構115。控制部114控制基板處理裝置100之各種構成要素。搬送機構115包含用以保持基板W之機械手116。搬送機構115係藉由機械手116保持基板W並搬送該基板W。
第1處理區塊12包含塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係以隔開搬送部122對向之方式設置。如後述般，於搬送部122與搬送部112之間，設置載置基板W之基板載置部PASS1、PASS2、PASS3、PASS4(參照圖4)。於本實施形態中，基板載置部PASS1~PASS4具有基板W對位之功能。所謂基板W之對位功能係指使形成於基板W之凹口方向關於基板W中心與特定方向一致並使基板W中心與特定位置一致。關於基板載置部PASS1~PASS4之詳細於後述。於搬送部122，設置搬送基板W之搬送機構127及後述之搬送機構128(參照圖4)。
第2處理區塊13包含顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。顯影處理部131及熱處理部133係以隔開搬送部132對向之方式設置。於搬送部132與搬送部122之間，設置載置基板W之基板載置部PASS5~PASS8(參照圖4)。於搬送部132，設置搬送基板W之搬送機構137及後述之搬送機構138(參照圖4)。
清洗乾燥處理區塊14A包含清洗乾燥處理部161、162及搬送部163。清洗乾燥處理部161、162係以隔開搬送部163對向之方式設置。於搬送部163，設置搬送機構141、142。於搬送部163與搬送部132之間，設置載置兼緩衝部P-BF1及後述之載置兼緩衝部P-BF2(參照圖4)。載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2係構成為可收納複數個基板W。
又，於搬送機構141、142之間，以鄰接搬入搬出區塊14B之方式，設置基板載置部PASS9及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖4)。載置兼冷卻部P-CP具備冷卻基板W之功能。於載置兼冷卻部P-CP中，將 基板W冷卻至適合曝光處理之溫度。
於搬入搬出區塊14B，設置搬送機構146。搬送機構146進行基板W之相對於曝光裝置15之搬入及搬出。於曝光裝置15，設置用以搬入基板W之基板搬入部15a及用以搬出基板W之基板搬出部15b。
(2)塗佈處理部及顯影處理部之構成
圖2係主要顯示圖1之塗佈處理部121、顯影處理部131及清洗乾燥處理部161之基板處理裝置100之示意性側視圖。
如圖2所示，於塗佈處理部121，分層地設置塗佈處理室21、22、23、24。於顯影處理部131，分層地設置顯影處理室31、32、33、34。於塗佈處理室21~24各者，設置塗佈處理單元129。於顯影處理室31~34各者，設置顯影處理單元139。
各塗佈處理單元129包含：旋轉卡盤25，其保持基板W；及杯體27，其係以覆蓋旋轉卡盤25周圍之方式設置。於本實施形態中，於各塗佈處理單元129設置2組旋轉卡盤25及27。旋轉卡盤25係藉由未圖示之驅動裝置(例如，電動馬達)旋轉驅動。又，如圖1所示，各塗佈處理單元129包含噴出處理液之複數個處理液噴嘴28及使其等處理液噴嘴28移動之噴嘴搬送機構29。
於塗佈處理單元129中，旋轉卡盤25藉由未圖示之驅動裝置旋轉，且藉由噴嘴搬送機構29將複數個處理液噴嘴28中任一個之處理液噴嘴28移動至基板W之上方，自其處理液噴嘴28噴出處理液。藉此，於基板W上塗佈處理液。又，自未圖示之邊緣淋洗噴嘴，對基板W之周緣部噴出淋洗液。藉此，去除附著於基板W周緣部之處理液。於本實施形態中，各塗佈處理單元129具有基板W之對位功能。關於塗佈處理單元129之詳細於後述。
於塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中，自處理液噴嘴28對基板W供給抗反射膜用之處理液。於塗佈處理室21、23之塗佈處理單 元129中，自處理液噴嘴28對基板W供給抗蝕劑膜用之處理液(以下，稱為抗蝕劑液)。
顯影處理單元139與塗佈處理單元129相同，包含旋轉卡盤35及杯體37。於本實施形態中，於各顯影處理單元139設置3組旋轉卡盤35及杯體37。旋轉卡盤35係藉由未圖示之驅動裝置(例如，電動馬達)旋轉驅動。又，如圖1所示，顯影處理單元139包含噴出顯影液之2個顯影噴嘴38及使該顯影噴嘴38於V方向移動之移動機構39。
於顯影處理單元139中，藉由未圖示之驅動裝置將旋轉卡盤35旋轉，且一顯影噴嘴38於V方向移動並將顯影液供給至各基板W，其後，另一顯影噴嘴38移動並將顯影液供給至各基板W。於該情形時，藉由對基板W供給顯影液，進行基板W之顯影處理。又，於本實施形態中，自2個顯影噴嘴38噴出互不相同之顯影液。藉此，可對各基板W供給2種顯影液。
於清洗乾燥處理部161，設置複數個(本例中為4個)清洗乾燥處理單元SD1。於清洗乾燥處理單元SD1中，進行曝光處理前之基板W之清洗及乾燥處理。於本實施形態中，清洗乾燥處理單元SD1具有基板W對位功能。關於清洗乾燥處理單元SD1之詳細於後述。
如圖1及圖2所示，於塗佈處理部121中以與顯影處理部131相鄰之方式設置流體箱部50。相同地，於顯影處理部131中以與清洗乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置流體箱部60。於流體箱部50及流體箱部60內，收容有對塗佈處理單元129及顯影處理單元139供給之藥液以及來自塗佈處理單元129及顯影處理單元139之廢液及排氣等相關之導管、接頭、閥門、流量計、調節器、泵、溫度調節器等流體關聯機器。
(3)熱處理部之構成
圖3係主要顯示圖1之熱處理部123、133及清洗乾燥處理部162之 基板處理裝置100之示意性側視圖。
如圖3所示，熱處理部123包含設置於上方之上段熱處理部301及設置於下方之下段熱處理部302。於上段熱處理部301及下段熱處理部302各者，設置複數個熱處理單元PHP、複數個密著強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。
於熱處理單元PHP中，進行基板W之加熱處理及冷卻處理。以下，將熱處理單元PHP之加熱處理及冷卻處理簡單稱為熱處理。於密著強化處理單元PAHP中，進行用以提高基板W與抗反射膜之密著性之密著強化處理。具體而言，於密著強化處理單元PAHP中，對基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等密著強化劑，並對基板W進行加熱處理。於冷卻單元CP中，進行基板W之冷卻處理。
熱處理部133包含設置於上方之上段熱處理部303及設置於下方之下段熱處理部304。於上段熱處理部303及下段熱處理部304各者，設置冷卻單元CP、邊緣曝光部EEW及複數個熱處理單元PHP。於邊緣曝光部EEW中，進行測定基板W上膜厚度之膜厚測定處理，並進行基板W周緣部之曝光處理(邊緣曝光處理)。於本實施形態中，邊緣曝光部EEW具有基板W對位功能。關於邊緣曝光部EEW之詳細於後述。於上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以與清洗乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置之熱處理單元PHP係構成為可搬入來自清洗乾燥處理區塊14A之基板W。
於清洗乾燥處理部162，設置複數個(本例中係4個)清洗乾燥處理單元SD2。於清洗乾燥處理單元SD2中，進行曝光處理後之基板W之清洗及乾燥處理。
(4)搬送部之構成
圖4係主要顯示圖1之搬送部122、132、163之側視圖。如圖4所示，搬送部122包含上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132包含 上段搬送室135及下段搬送室136。於上段搬送室125設置搬送機構127。於下段搬送室126設置搬送機構128。又，於上段搬送室135設置搬送機構137。於下段搬送室136設置搬送機構138。
於搬送部112與上段搬送室125之間，設置基板載置部PASS3及基板載置部PASS1，於搬送部112與下段搬送室126之間，設置基板載置部PASS4及基板載置部PASS2。於上段搬送室125與上段搬送室135之間，設置基板載置部PASS5、PASS6，於下段搬送室126與下段搬送室136之間，設置基板載置部PASS7、PASS8。
於上段搬送室135與搬送部163之間，設置載置兼緩衝部P-BF1，於下段搬送室136與搬送部163之間設置載置兼緩衝部P-BF2。於搬送部163中以與介面區塊14鄰接之方式，設置基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。基板載置部PASS9具有基板W對位功能。複數個載置兼冷卻部P-CP各者亦可具有基板W對位功能。
搬送機構127係構成為可於基板載置部PASS3、PASS1、PASS5、PASS6、塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)之間搬送基板W。搬送機構128係構成為可於基板載置部PASS4、PASS2、PASS7、PASS8、塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)之間搬送基板W。
搬送機構137係構成為可於基板載置部PASS5、PASS6、載置兼緩衝部P-BF1、顯影處理室31、32(圖2)及上段熱處理部303(圖3)之間搬送基板W。搬送機構138係構成為可於基板載置部PASS7、PASS8、載置兼緩衝部P-BF2、顯影處理室33、34(圖2)及下段熱處理部304(圖3)之間搬送基板W。
搬送機構127、128、137、138、141、142、146各者均包含機械手H1、H2，其吸附保持基板W之背面並搬送基板W。藉此，於基板W之搬送時，防止機械手H1、H2上基板W之位置偏差及凹口NT之關於 基板W中心之位置變化。
(5)動作
參照圖1~圖4說明基板處理裝置100之動作。於分度區塊11之載具載置部111(圖1)，載置收納有未處理之基板W之載具113。搬送機構115係將未處理之基板W自載具113搬送至基板載置部PASS3、PASS4(圖4)。此時，於基板載置部PASS3、PASS4中，進行基板W之對位。又，搬送機構115係將載置於基板載置部PASS1、PASS2(圖4)之已處理之基板W搬送至載具113。
於第1處理區塊12中，搬送機構127(圖4)係藉由基板載置部PASS3(圖4)將已對位之基板W依序搬送至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)、塗佈處理室22(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)、塗佈處理室21(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖4)。
於該情形，於密著強化處理單元PAHP中，對基板W進行密著強化處理後，於冷卻單元CP中，將基板冷卻至適合形成抗反射膜之溫度。接著，於塗佈處理室22中，藉由塗佈處理單元129(圖2)，進行基板W之對位後，於基板W上形成抗反射膜。接著，於熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理後，於冷卻單元CP，將基板W冷卻至適合形成抗蝕劑膜之溫度。接著，於塗佈處理室21中，藉由塗佈處理單元129(圖2)，進行基板W之對位後，於基板W上形成抗蝕劑膜，並進行邊緣淋洗處理。其後，於熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理，並將此基板W載置於基板載置部PASS5。
又，搬送機構127係將載置於基板載置部PASS6(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS1(圖4)。
搬送機構128(圖4)係藉由基板載置部PASS4(圖4)將已對位之基板W依序搬送至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)、塗佈 處理室24(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)、塗佈處理室23(圖2)、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS7(圖4)。又，搬送機構128(圖4)係將載置於基板載置部PASS8(圖4)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖4)。塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)中基板W之處理內容係與上述之塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)中基板W之處理內容相同。
於第2處理區塊13中，搬送機構137(圖4)係將載置於基板載置部PASS5(圖4)之抗蝕劑膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF1(圖4)。於該情形時，於邊緣曝光部EEW中，進行基板W之對位後，進行膜厚測定及邊緣曝光處理。
又，搬送機構137(圖4)係自與清洗乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP(圖3)取出曝光處理後且熱處理後之基板W，並將此基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室31、32(圖2)中任一者、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS6(圖4)。
於該情形時，於冷卻單元CP中，將基板W冷卻至適合顯影處理之溫度後，於顯影處理室31、32之任一者中，藉由顯影處理單元139進行基板W之顯影處理。其後，於熱處理單元PHP中，進行基板W之熱處理，並將此基板W載置於基板載置部PASS6。
搬送機構138(圖4)係將載置於基板載置部PASS7(圖4)之抗蝕劑膜形成後之基板W依序搬送至邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼緩衝部P-BF2(圖4)。又，搬送機構138(圖4)係自與清洗乾燥處理區塊14A鄰接之熱處理單元PHP(圖3)取出曝光處理後且熱處理後之基板W，並將此基板W依序搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室33、34(圖2)之任一者、熱處理單元PHP(圖3)及基板載置部PASS8(圖4)。顯影處理室33、34及下段熱處理部304中基板W之處理內容係與上述之顯影處理室31、32及上段熱處理部303中基板W之處理內容相同。
於清洗乾燥處理區塊14A中，搬送機構141(圖1)係將載置於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2(圖4)之基板W依序搬送至清洗乾燥處理部161之清洗乾燥處理單元SD1(圖2)及載置兼冷卻部P-CP(圖4)。於該情形時，於清洗乾燥處理單元SD1中，進行基板W之對位，進行基板W之清洗及乾燥處理後，於載置兼冷卻部P-CP中，將基板W冷卻至適合曝光裝置15(圖1~圖3)之曝光處理之溫度。
搬送機構142(圖1)係將載置於基板載置部PASS9(圖4)之曝光處理後之基板W搬送至清洗乾燥處理部162之清洗乾燥處理單元SD2(圖3)，並將清洗及乾燥處理後之基板W自清洗乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部303之熱處理單元PHP(圖3)或下段熱處理部304之熱處理單元PHP(圖3)。於該情形時，於基板載置部PASS9中，進行基板W之對位。於熱處理單元PHP中，進行曝光後烘烤(PEB)處理。
於介面區塊14中，搬送機構146(圖1)係將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖4)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖1)。又，搬送機構146(圖1)係自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖1)取出曝光處理後之基板W，並將此基板W搬送至基板載置部PASS9(圖4)。
另，於曝光搬送部200無法容納基板W之情形時，將曝光處理前之基板W暫時收納於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。又，於第2處理區塊13之顯影處理單元139(圖2)無法容納曝光處理後之基板W之情形時，將曝光處理後之基板W暫時收納於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2。於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2中，可進行基板W之對位。
於本實施形態中，可並行進行設置於上段之塗佈處理室21、22、顯影處理室31、32及上段熱處理部301、303中基板W之處理，與設置於下段之塗佈處理室23、24、顯影處理室33、34及下段熱處理部302、304中基板W之處理。藉此，不用增加佔據面積，便可提高產 能。
(6)邊緣曝光部EEW之構成及動作
圖5(a)、(b)係顯示邊緣曝光部EEW之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。於圖5及以後之圖中，將水平面內互相正交之2個方向定義為X方向及Y方向，將鉛垂方向定義為Z方向。於本實施形態中，將Y方向設為基準方向。於以下之說明中，所謂X方向係指箭頭X之方向或其相反方向，所謂Y方向係指箭頭Y方向或其相反方向。
如圖5所示，邊緣曝光部EEW包含移動裝置500、旋轉保持裝置504、線感測器505、曝光單元506及膜厚測定器507。移動裝置500包含支持構件501、X方向可動部502及Y方向可動部503。
X方向可動部502係構成為可相對支持構件501於X方向移動。Y方向可動部503係構成為可相對X方向可動部502於Y方向移動。旋轉保持裝置504固定於X方向可動部502。旋轉保持裝置504係例如包含吸附式旋轉卡盤，吸附基板W之背面並以水平姿勢保持基板W。該旋轉保持裝置504係藉由設置於Y方向可動部503之馬達(未圖示)繞鉛垂方向之旋轉軸RA旋轉驅動。藉此，基板W繞旋轉軸RA旋轉。
作為線感測器505，例如使用CCD(電荷耦合元件)線感測器。線感測器505係以於Y方向延伸之方式配置。線感測器505係用於測定Y方向中基板W之外周部位置。
曝光單元506係用於曝光形成於基板W上之抗蝕劑膜等膜之周緣部。膜厚測定器507係用於測定基板W上膜之厚度。曝光單元506及膜厚測定器507固定於固定構件508。
於機械手H1、H2(參照圖1及圖4)與旋轉保持裝置504之間設定用以交接基板W之設想位置AP。於設想位置AP與膜厚測定器507之間設定測定位置MP。線感測器505係以於通過測定位置MP之直線上延伸之方式設置。測定位置MP及設想位置AP排列於X方向之直線上。設 想位置AP與測定位置MP之間之距離係a。
於初始狀態中，X方向可動部502及Y方向可動部503位於使旋轉保持裝置504之旋轉軸RA與設想位置AP一致之位置。
圖6係顯示邊緣曝光部EEW之控制系統之構成之方塊圖。如圖6所示，邊緣曝光部EEW進而包含控制部510。控制部510係藉由CPU(中央運算處理裝置)及記憶體等構成。控制部510係基於線感測器505之輸出信號，控制移動裝置500之X方向可動部502、Y方向可動部503及旋轉保持裝置504。又，控制部510控制曝光單元506及膜厚測定器507之動作，並取得膜厚測定器507之測定結果。
圖7~圖12係用以說明圖5之邊緣曝光部EEW之動作之模式圖。圖7~圖12之(a)係示意性俯視圖，圖7~圖12之(b)係示意性側視圖。圖8(c)係基板W之放大俯視圖。
首先，如圖7所示，藉由搬送機構137(圖4)或搬送機構138(圖4)之機械手H1將基板W搬入至邊緣曝光部EEW內。於該情形時，如箭頭所示，保持基板W之機械手H1進入邊緣曝光部EEW內。亦可藉由機械手H2將基板W搬入至邊緣曝光部EEW內。基板W係於外周部之一部分具有凹口NT。
接著，如圖8(a)、(b)所示，機械手H1係將基板W載置於旋轉保持裝置504之上表面，且如箭頭所示，自邊緣曝光部EEW退出。此處，如圖8(c)所示，將連結基板W中心WC與凹口NT之直線之方向稱為凹口NT方向。又，將凹口NT方向相對於基準方向(Y方向)所成之角度稱為旋轉方向偏移量θoff。於圖8之例中，凹口NT方向與基準方向不一致。又，將X方向中自旋轉軸RA至基板W中心WC之偏差量稱為X偏移量Xoff，將Y方向中自旋轉軸RA至基板W中心WC之偏差量稱為Y偏移量Yoff。於圖8之例中，基板W中心WC係與旋轉保持裝置504之旋轉軸RA不一致。即，基板W中心WC相對於旋轉軸RA偏心。
接著，如圖9箭頭所示，X方向可動部502與Y方向可動部503及旋轉保持裝置504一併朝向測定位置MP於X方向移動距離a。藉此，旋轉保持裝置504之旋轉軸RA與測定位置MP一致。
於該狀態，如圖10箭頭所示，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉。當旋轉保持裝置504旋轉360°時，基板W返回至圖9之狀態。於基板W之旋轉中心，圖6之控制部510係將線感測器505之輸出信號作為位置資料取得。位置資料表示基板W外周部之Y方向之位置。
此處，參照圖13對基板W中心WC及凹口NT方向之算出方法進行說明。圖13係顯示基於線感測器505之輸出信號取得之位置資料之一例之圖。圖13之縱軸表示位置資料，橫軸表示基板W之旋轉角度。
於基板W中心WC相對於旋轉軸RA偏心之情形時，如圖13所示，隨著基板W之旋轉位置資料之值變化。控制部510係例如取得基板W之每旋轉0.1度之位置資料。於該情形時，取得合計3600個位置資料。控制部510係基於位置資料之變化檢測對應於凹口NT之位置資料Pn，並基於對應於位置資料Pn之旋轉角度算出凹口NT之旋轉方向偏移量θoff。
又，控制部510係基於位置資料之變化算出基板W中心WC相對於旋轉軸RA之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
分別將基板W之旋轉角度為0°、90°、180°及270°時之位置資料設為PA0、PA1、PA2及PA3。於該情形時，藉由下式算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
Xoff=(PA1-PA3)/2......(1)
Yoff=(PA0-PA2)/2......(2)
又，分別將基板W之旋轉角度為45°、135°、225°及315°時之位置資料設為PB0、PB1、PB2及PB3。於該情形時，藉由下式算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
Xoff=(PB1-PB3)/2×cos45°-(PB0-PB2)/2×sin45°......(3)
Yoff=(PB1-PB3)/2×sin45°-(PB0-PB2)/2×cos45°......(4)
於凹口NT為旋轉角度45°、135°、225°及315°中任一個或位於其附近位置之情形時，使用上式(1)、(2)算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。又，於凹口NT為旋轉角度0°、90°、180°及270°中任一個或位於其附近位置之情形時，使用上式(3)、(4)算出X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
接著，X方向可動部502及Y方向可動部503以X偏移量及Y偏移量成為0之方式移動。藉此，基板W中心WC與測定位置MP一致。此時，亦可旋轉保持裝置504以旋轉方向偏移量θoff成為0之方式旋轉。於該狀態，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉，且控制部510算出旋轉方向偏移量θoff、X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
接著，如圖11所示，X方向可動部502及Y方向可動部503以X偏移量及Y偏移量成為0之方式移動，且旋轉保持裝置504以旋轉方向偏移量θoff成為0之方式旋轉。藉此，基板W中心WC與測定位置MP一致，且凹口NT方向與基準方向一致。
於本實施形態中，藉由基板W之對位動作，基板W中心WC與測定位置MP一致且凹口NT方向與基準方向一致。可複數次反覆基板W之對位動作。藉此，可準確地使基板W中心WC與測定位置MP一致且準確地使凹口NT方向與基準方向一致。
其後，如圖12所示，X方向可動部502於X方向移動且膜厚測定器507依序測定基板W上之膜厚。圖14係顯示膜厚測定器507之膜厚測定方法之一例之示意性俯視圖。
於圖12所示之X方向可動部502之移動中，如圖14(a)所示，依序測定垂直於通過基板W中心WC與凹口NT之直線之直線上之複數個測定點mp之膜厚。接著，於旋轉保持裝置504旋轉90°後，X方向可動部 502於X方向移動且膜厚測定器507依序測定基板W上之膜厚。藉此，如圖14(b)所示，測定通過基板W中心WC與凹口NT之直線上之複數個測定點mp之膜厚。
圖15係顯示膜厚測定器507之膜厚測定方法之另一例之示意性俯視圖。
旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA旋轉且膜厚測定器507連續地測定基板W上之膜厚。此時，為了不移動基板W中心WC，旋轉保持裝置504每旋轉一定角度，X方向可動部502及Y方向可動部503使旋轉保持裝置504於X方向及Y方向移動。於該情形時，如圖15(a)所示，將為了不移動基板W中心WC，X方向可動部502及Y方向可動部503使旋轉保持裝置504於X方向及Y方向移動之動作稱為XY修正動作。
於圖15(a)中，以實線描出旋轉保持裝置504之軌跡。藉此，測定基板W上圓弧狀之測定區域mr之膜厚。藉由基板W 360°旋轉，如圖15(b)所示，測定圓環狀之測定區域mr之膜厚。
圖16係顯示曝光單元506之基板W之邊緣曝光方法之示意性俯視圖。
以圖12之曝光單元506位於基板W上表面之周緣部上方之方式使X方向可動部502於X方向移動。此時，基板W中心WC與預先規定之基準軸RR一致。其後，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA旋轉且曝光單元506使曝光用之光照射於基板W上表面之周緣部。此時，為了不移動基板W中心WC，旋轉保持裝置504每旋轉一定角度，X方向可動部502及Y方向可動部503使旋轉保持裝置504於X方向及Y方向移動。於該情形時，旋轉保持裝置504係如圖16(a)所示，藉由XY修正動作而移動。於該情形時，於基板W中心WC與基準軸RR一致之狀態旋轉基板W。藉此，於基板W上之膜周緣部之圓弧狀區域mra照射光。藉由基板W 360°旋轉，如圖16(b)所示，於基板W上之膜周緣部之圓環狀區域 mra照射光。
於本實施形態之邊緣曝光部EEW中，以基板W中心WC與預先設定之測定位置MP一致且凹口NT方向與基準方向一致之方式進行對位動作後測定膜厚。藉此，可準確地測定基板W上膜預先規定之位置之厚度。
又，由於邊緣曝光處理時於基板W中心WC與基準軸RR一致之狀態旋轉基板W，故可準確地曝光基板W上膜周緣部一定寬度之區域。
此外，藉由圖11之對位動作基板W中心WC與測定位置MP一致，藉此，線感測器505於基板W之半徑方向延伸。於該狀態，當再次檢測凹口NT方向時，於基板W之旋轉中基板W之外周部通過線感測器505之幾乎相同部分。藉此，可降低依存於線感測器505受光面位置之測定誤差之影響。又，於基板W之旋轉中線感測器505垂直地交叉於基板W之外周部。結果，可準確地檢測凹口NT方向。
(7)塗佈處理單元129之第1例
圖17(a)、(b)係顯示塗佈處理單元129之第1例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
如圖17所示，塗佈處理單元129包含移動裝置500、旋轉保持裝置504、線感測器505、旋轉卡盤25、處理液噴嘴28及邊緣淋洗噴嘴520。移動裝置500係除了代替圖5之Y方向可動部503而包含Y方向可動部503a之點外，具有與圖5之移動裝置500相同之構成。Y方向可動部503a係構成為可相對於X方向可動部502於Y方向移動且可於Z方向移動。
旋轉卡盤25吸附基板W之背面以水平姿勢保持基板W，並繞鉛垂方向之旋轉軸Ra旋轉驅動。該旋轉卡盤25係構成為可比旋轉保持裝置504以更高速旋轉。
處理液噴嘴28係用於對基板W上供給抗蝕劑液等處理液。邊緣淋 洗噴嘴520係用於對基板W上膜之周緣部供給淋洗液。於圖17，僅顯示1個旋轉卡盤25，但對應於圖2之複數個旋轉卡盤25設置有複數個移動裝置500及複數個線感測器505。另，於圖17中，省略杯體27之圖示。
關於測定位置MP於與旋轉卡盤25之旋轉軸Ra相反側設定設想位置AP。旋轉軸Ra、測定位置MP及設想位置AP係排列於X方向之直線上。設想位置AP與測定位置MP間之距離係a，測定位置MP與旋轉軸Ra間之距離係b。於初始狀態中，旋轉保持裝置504之旋轉軸RA位於與設想位置AP隔開之位置。
圖18係顯示塗佈處理單元129之控制系統之構成之方塊圖。如圖18所示，塗佈處理單元129進而包含控制部510a、處理液供給系統28a及淋洗液供給系統520a。處理液供給系統28a及淋洗液供給系統520a設置於流體箱部50(圖2)。處理液供給系統28a係對處理液噴嘴28供給抗蝕劑液等處理液。淋洗液供給系統520a係對邊緣淋洗噴嘴520供給使抗蝕劑膜等膜溶解之淋洗液。控制部510a係基於線感測器505之輸出信號，控制移動裝置500之X方向可動部502、Y方向可動部503a及旋轉保持裝置504。又，控制部510a控制旋轉卡盤25、處理液供給系統25a及淋洗液供給系統520a。
圖19(a)、(b)~圖22(a)、(b)係用以說明圖17之塗佈處理單元129之動作之示意性俯視圖及示意性側視圖。
首先，如圖19所示，圖4之搬送機構127或搬送機構128之機械手H1或機械手H2將基板W載置於旋轉保持裝置504之上表面。於該情形時，基板W係以中心WC與旋轉保持裝置504之旋轉軸RA隔開之方式被載置。藉此，藉由旋轉保持裝置504保持接近於基板W外周部之部分。理想而言，期望凹口NT方向與基準方向一致且中心WC與設想位置AP一致之方式將基板W載置於旋轉保持裝置504之上表面。然而， 於圖19之例中，凹口NT方向與基準方向不一致，且基板W中心WC與設想位置AP不一致。
接著，如圖20之箭頭所示，X方向可動部502與Y方向可動部503a及旋轉保持裝置504一併朝著測定位置MP而於X方向移動距離a。於圖20之例中，凹口NT方向與基準方向不一致，且基板W中心WC與測定位置MP不一致。
於該狀態，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉。於基板W之旋轉中，圖18之控制部510a係將線感測器505之輸出信號作為位置資料取得。於該情形時，由於藉由旋轉保持裝置504保持接近於基板W外周部之部分，故基板W外周部之位置於較大範圍移動。因此，以基板W外周部位於線感測器505可檢測之範圍內之方式，X方向可動部502及Y方向可動部503a使基板W於X方向及Y方向移動且旋轉保持裝置504旋轉。控制部510a基於旋轉保持裝置504每旋轉一定角度之X方向移動量、Y方向移動量及自線感測器505取得之位置資料，算出旋轉方向偏移量θoff，並算出基板W中心WC相對於測定位置MP之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
接著，X方向可動部502及Y方向可動部503以X偏移量及Y偏移量成為0之方式移動。藉此，基板W中心WC與測定位置MP一致。此時，旋轉保持裝置504亦可以旋轉方向偏移量θoff成為0之方式旋轉。於該狀態，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉，且控制部510a算出旋轉方向偏移量θoff、X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
接著，X方向可動部502及Y方向可動部503以X偏移量及Y偏移量成為0之方式移動，且旋轉保持裝置504以旋轉方向偏移量θoff成為0之方式旋轉。藉此，基板W中心WC與測定位置MP一致，且凹口NT方向與基準方向一致。
又，如圖21所示，X方向可動部502朝向旋轉軸Ra於X方向移動距 離b，藉此，藉由旋轉保持裝置504保持之基板W之中心WC與旋轉卡盤25之旋轉軸Ra一致。
接著，如圖22所示，旋轉保持裝置504解除基板W之吸附，且Y方向可動部503a朝下方移動。藉此，將基板W載置於旋轉卡盤25上。其後，X方向可動部502與Y方向可動部503a及旋轉保持裝置504一併於X方向移動，返回至圖17之初始狀態之位置。
於該狀態，旋轉卡盤25吸附保持基板W，並繞旋轉軸Ra旋轉。於旋轉之基板W上自處理液噴嘴28供給抗蝕劑液等處理液。藉此，於基板W上形成抗蝕劑膜等膜。其後，自邊緣淋洗噴嘴520對旋轉之基板W上之膜之周緣部供給淋洗液。藉此，去除基板W上膜之周緣部。
於本實施形態之塗佈處理單元129中，由於以基板W之中心WC與旋轉卡盤25之旋轉軸Ra一致且凹口NT方向與基準方向一致之方式進行對位動作，故可於基板W之上表面整體形成均勻之膜。又，可對基板W上之膜周緣部之一定寬度之區域準確地進行邊緣淋洗處理。
(8)塗佈處理單元129之第2例
圖23(a)、(b)係顯示塗佈處理單元129之第2例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖23之塗佈處理單元129之構成與圖17之塗佈處理單元129之構成之不同係以下之點。於圖23之塗佈處理單元129中，不設置圖17之旋轉卡盤25。移動裝置500係與圖5之移動裝置500相同，包含支持構件501、X方向可動部502及Y方向可動部503。於初始狀態中，旋轉保持裝置504之旋轉軸RA係位於測定位置MP。
圖4之搬送機構127或搬送機構128之機械手H1或機械手H2係將基板W載置於旋轉保持裝置504之上表面。於圖23之例中，凹口NT方向與基準方向不一致，且基板W中心WC與測定位置MP不一致。旋轉保持裝置504吸附基板W之背面且以水平姿勢保持基板W。
於該狀態，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉。於基板W之旋轉中，控制部510a(圖18)係將線感測器505之輸出信號作為位置資料取得。控制部510a基於旋轉保持裝置504每旋轉一定角度之X方向移動量、Y方向移動量及自線感測器505取得之位置資料，算出旋轉方向偏移量θoff，並算出基板W中心WC相對於測定位置MP之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
圖24係顯示圖23之塗佈處理單元129之移動裝置500之動作之示意性俯視圖。如圖24所示，控制部510a基於基板W中心WC相對於測定位置MP之X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff，以維持基板W中心WC與測定位置MP一致之狀態且基板W旋轉之方式，控制X方向可動部502、Y方向可動部503及旋轉保持裝置504。於該情形時，為了基板W中心WC與測定位置MP一致，旋轉保持裝置504每旋轉一定角度，X方向可動部502及Y方向可動部503使旋轉保持裝置504於X方向及Y方向移動。藉此，旋轉保持裝置504係如圖24所示，藉由XY修正動作移動。於圖24中，以實線描出旋轉保持裝置504之軌跡。
於旋轉之基板W上自處理液噴嘴28供給抗蝕劑液等處理液。藉此，於基板W上形成抗蝕劑膜等膜。其後，自邊緣淋洗噴嘴520對旋轉之基板W上膜之周緣部供給淋洗液。藉此，去除基板W上膜之周緣部。
於本實施形態之塗佈處理單元129中，由於維持基板W中心WC與測定位置MP一致之狀態且基板W旋轉，故可於基板W上表面整體形成均一之膜。又，可對基板W上膜周緣部一定寬度之區域準確地進行邊緣淋洗處理。
(9)塗佈處理單元129之第3例
圖25(a)、(b)~圖28(a)、(b)係顯示塗佈處理單元129之第3例之構成及動作之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖25之塗佈處理單元129之構成與圖23之塗佈處理單元129之構成之不同係以下之點。於圖25之塗佈處理單元129中，進而設置3個以上升降銷530。
於初始狀態中，升降銷530與基板W之背面隔開至下方。首先，圖4之搬送機構127或搬送機構128之機械手H1或機械手H2將基板W載置於旋轉保持裝置504之上表面。於圖25之例中，凹口NT方向與基準方向不一致，且基板W中心WC與測定位置MP不一致。旋轉保持裝置504吸附基板W之背面並以水平姿勢保持基板W。
於該狀態，如圖26所示，與圖23之塗佈處理單元129相同，基於自線感測器505取得之位置資料算出旋轉方向偏移量θoff，X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。以旋轉方向偏移量θoff、X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff分別成為0之方式，X方向可動部502及Y方向可動部503移動且旋轉保持裝置504旋轉。藉此，基板W中心WC與測定位置MP一致。
接著，如圖27所示，旋轉保持裝置504解除基板W之吸附，且升降銷530上升。藉此，基板W與旋轉保持裝置504隔開，並於旋轉保持裝置504之上方被支持。其後，以旋轉保持裝置504之旋轉軸RA與基板W中心WC一致之方式，X方向可動部502及Y方向可動部503移動。
接著，如圖28所示，升降銷530下降，旋轉保持裝置504吸附基板W之背面。藉此，於基板W中心WC與旋轉保持裝置504之旋轉軸RA一致之狀態，藉由旋轉保持裝置504保持基板W。
基板W與旋轉保持裝置504一併旋轉，且於旋轉之基板W上自處理液噴嘴28供給抗蝕劑液等處理液。藉此，於基板W上形成抗蝕劑膜等膜。其後，自邊緣淋洗噴嘴520對旋轉之基板W上膜之周緣部供給淋洗液。藉此，去除基板W上膜之周緣部。
於本實施形態之塗佈處理單元129中，由於維持基板W中心WC與旋轉軸RA及測定位置MP一致之狀態並旋轉基板W，故可於基板W上 表面整體形成均一之膜。又，可對基板W上膜周緣部一定寬度之區域準確地進行邊緣淋洗處理。
(10)基板載置部PASS3
圖29(a)、(b)係顯示基板載置部PASS3之例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。另，基板載置部PASS1、PASS2、PASS4~PASS9之構成係與基板載置部PASS3之構成相同。
圖29之基板載置部PASS3包含移動裝置500、旋轉保持裝置504及線感測器505。於初始狀態中，旋轉保持裝置504之旋轉軸RA位於測定位置MP之位置。基板載置部PASS3之控制系統之構成係除了不包含旋轉卡盤25、處理液供給系統28a及淋洗液供給系統520a之點以外均與圖18之塗佈處理單元129之控制系統之構成相同。
於圖29之基板載置部PASS3中，圖4之搬送機構115之機械手116將基板W載置於旋轉保持裝置504之上表面。於圖29之例中，基板W中心WC與測定位置MP不一致，且基板W之凹口NT方向與基準方向不一致。旋轉保持裝置504吸附基板W之背面並以水平姿勢保持基板W。於該狀態，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉，控制部510a(圖18)算出旋轉方向偏移量θoff、X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
接著，X方向可動部502及Y方向可動部503以X偏移量及Y偏移量成為0之方式移動。藉此，基板W中心WC與測定位置MP一致。此時，亦可旋轉保持裝置504以旋轉方向偏移量θoff成為0之方式旋轉。於該狀態，旋轉保持裝置504繞旋轉軸RA 360°旋轉，且控制部510a(圖18)算出旋轉方向偏移量θoff、X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff。
接著，X方向可動部502及Y方向可動部503以X偏移量及Y偏移量成為0之方式移動，且旋轉保持裝置504以旋轉方向偏移量θoff成為0之方式旋轉。藉此，基板W中心WC與測定位置MP一致，且凹口NT方向與基準方向一致。其後，旋轉保持裝置504解除基板W之吸附。
於該狀態，圖4之搬送機構127或搬送機構128之機械手H1或機械手H2接收旋轉保持裝置504上表面上之基板W，並依序搬送至密著強化處理單元PAHP及冷卻單元CP。
於本實施形態之基板載置部PASS1~PASS9中，由於凹口NT方向與基準方向一致且基板W中心WC與測定位置MP一致，故於密著強化處理單元PAHP、冷卻單元CP及熱處理單元PHP各者中可以凹口NT方向與一定之基準方向一致之方式將基板W載置於相同位置。藉此，可以相同溫度分佈條件處理複數個基板W。
又，於使用溫度測定用基板測定密著強化處理單元PAHP、冷卻單元CP及熱處理單元PHP內之溫度分佈之情形時，當凹口NT方向不同時，測定之溫度分佈不同。根據本實施形態之基板載置部PASS1~PASS9，可於密著強化處理單元PAHP、冷卻單元CP及熱處理單元PHP內以凹口NT方向與一定之基準方向一致之方式將基板W載置於相同位置。藉此，可準確地測定溫度分佈。
另，於載置兼緩衝部P-BF1、P-BF2，亦使用與圖29之基板載置部PASS3相同之構成。
(11)清洗乾燥處理單元SD1之第1例
圖30(a)、(b)係顯示清洗乾燥處理單元SD1之第1例之構成之示意性俯視圖及示意性側視圖。
圖30之清洗乾燥處理單元SD1係用於清洗基板W外周端部(斜面部)。圖30之清洗乾燥處理單元SD1與圖7之塗佈處理單元129之不同在於代替處理液噴嘴28及邊緣淋洗噴嘴520，而設置端部清洗裝置531及移動機構532之點。移動機構532係使端部清洗裝置531移動。
端部清洗裝置531包含殼體及大致圓筒形狀之刷子。刷子係可於殼體內旋轉地被支持。殼體包含插入有基板W外周端部之開口。對端部清洗裝置531之殼體內供給清洗液。作為清洗液，例如可使用純 水，使用溶解錯合物(經離子化者)之純水，亦可使用碳酸水、氫水、電解離子水或HFE(氫氟醚)。
於基板W之端部清洗處理時，移動機構532使端部清洗裝置531移動至基板W之外周端部。藉此，藉由旋轉卡盤25旋轉之基板W之外周端部與端部清洗裝置531之刷子接觸。藉此，藉由刷子清洗基板W之外周端部。又，朝著於殼體內與刷子接觸之基板W之外周端部自上下方向噴射清洗液。藉此，有效地清洗基板W之外周端部。
於本實施形態之清洗乾燥處理單元SD1中，以基板W中心WC與旋轉軸RA一致之方式藉由移動裝置500將基板W載置於旋轉卡盤25上。藉此，可均一地清洗基板W之外周端部。
(12)清洗乾燥處理單元SD1之第2例
圖31(a)、(b)係顯示清洗乾燥處理單元SD1之第2構成之示意性側視圖及示意性俯視圖。清洗乾燥處理單元SD2可具有與圖31之清洗乾燥處理單元SD1相同之構成。
如圖31(a)所示，清洗乾燥處理單元SD1包含旋轉卡盤610，該旋轉卡盤610水平地保持基板W並使基板W繞垂直方向之旋轉軸611a旋轉。旋轉卡盤610包含：旋轉馬達611、圓板狀旋轉板612、平板支持構件613、磁體板614a、614b及複數個夾盤銷615。
如圖31(a)所示，於旋轉馬達611之旋轉軸之下端部安裝平板支持構件613。藉由平板支持構件613水平地支持旋轉板612。旋轉板612藉由旋轉馬達611繞鉛垂方向之旋轉軸611a旋轉。
於旋轉馬達611及平板支持構件613，插通液供給管610a。通過液供給管610a，可將清洗液供給至藉由旋轉卡盤610保持之基板W上。作為清洗液，例如使用純水。
於旋轉板612之周緣部，關於旋轉軸611a等角度間隔地設置4個以上(本例中係4個)夾盤銷615。
各夾盤銷615包含軸部615a、銷支持部615b、保持部615c及磁體616。以貫通旋轉板612之方式設置軸部615a，於軸部615a之下端部連接有水平方向延伸之銷支持部615b。以自銷支持部615b之前端部突出於下方之方式設置保持部615c。又，於旋轉板612之上表面側中，於軸部615a之上端部安裝磁體616。
各夾盤銷615係可以軸部615a為中心繞鉛垂軸旋轉，可切換保持部615c抵接於基板W外周端部之封閉狀態、與保持部615c與基板W外周端部隔開之打開狀態。於本例中，於磁體616之N極位於內側之情形時各夾盤銷615為關閉狀態，於磁體616之S極位於內側之情形時各夾盤銷615為打開狀態。
於旋轉板612之上方，沿著以旋轉軸611a為中心之周方向配置磁體板614a、614b。磁體板614a、614b係於外側具有S極，於內側具有N極。磁體板614a、614b係藉由磁體升降機構(未圖示)分別獨立地升降，且於高於夾盤銷615之磁體616之上方位置與和夾盤銷615之磁體616幾乎相等高度之下方位置間移動。藉由磁體板614a、614b之升降，如後述般，將各夾盤銷615切換為打開狀態與關閉狀態。
如圖31(a)所示，於清洗乾燥處理單元SD1之下部，設置用以清洗藉由旋轉卡盤610保持之基板W之外周端部及背面之清洗刷子630。清洗刷子630具有大致圓柱形狀，且於外周面形成剖面V字狀之槽635。清洗刷子630係藉由刷子保持構件631保持。刷子保持構件631藉由刷子移動機構(未圖示)驅動，藉此，清洗刷子630於水平方向及鉛垂方向移動。
於清洗刷子630之附近於刷子保持構件631部分安裝清洗噴嘴633。於清洗噴嘴633連接供給清洗液之液供給管(未圖示)。清洗噴嘴633之噴出口朝向清洗刷子630周邊，且自噴出口朝向清洗刷子630周邊噴出清洗液。
如圖31(b)所示，以旋轉卡盤610之旋轉軸611a為中心等角度間隔配置3個以上(本例中係3個)基板交接機構620。各基板交接機構620包含：升降旋轉驅動部621、旋轉軸622、臂623及保持銷624。以自升降旋轉驅動部621於上方延伸之方式設置旋轉軸622，以自旋轉軸622之上端部於水平方向延伸之方式連結臂623。於臂623之前端部，設置用以保持基板W外周端部之保持銷624。
藉由升降旋轉驅動部621，旋轉軸622進行升降動作及旋轉動作。藉此，保持銷624於水平方向及上下方向移動。
接著，參照圖31~圖33說明清洗乾燥處理單元SD1之動作。圖32及圖33係用以說明清洗乾燥處理單元SD1之動作之模式圖。圖32(a)、(b)、(c)及圖33(a)係示意性剖面圖，圖33(b)係示意性俯視圖。
首先，於圖31(a)所示，於複數個保持銷624上藉由圖1之搬送機構141載置基板W。
此時，磁體板614a、614b位於上方位置。於該情形時，磁體板614a、614b之磁力線B於夾盤銷615之磁體616之高度自內側朝向外側。藉此，於內側吸引各夾盤銷615之磁體616之S極。因此，各夾盤銷615為開放狀態。於該情形時以基板W之凹口NT不位於複數個夾盤銷615下方之方式，預先藉由圖4之載置兼緩衝部P-BF1或載置兼緩衝部P-BF2進行基板W之對位。接著，複數個保持銷624於保持基板W之狀態上升。藉此，基板W移動至複數個夾盤銷615之保持部615c之間。
接著，如圖32(a)所示，磁體板614a、614b移動至下方位置。於該情形時，於內側吸引各夾盤銷615之磁體616之N極。藉此，各夾盤銷615為關閉狀態，藉由各夾盤銷615之保持部615c保持基板W之外周端部。其後，複數個保持銷624移動至軌道618之外側。
於基板W之表面清洗處理時，如圖32(b)所示，於基板W藉由旋轉 卡盤610旋轉之狀態，通過液供給管610a對基板W之表面供給清洗液。清洗液藉由離心力擴散至基板W表面整體，飛散至外側。藉此，沖洗附著於基板W表面之塵埃等。又，基板W上抗蝕劑膜等膜之成分之一部分溶析於清洗液中被沖洗掉。
於基板W之背面清洗處理時，如圖32(c)所示，於基板W藉由旋轉卡盤610旋轉之狀態，清洗刷子630移動至基板W之下方。接著，於清洗刷子630之上表面與基板W之背面接觸之狀態，清洗刷子630於基板W之中心部下方與周緣部下方之間移動。對基板W與清洗刷子630之接觸部分，自清洗噴嘴633供給清洗液。藉此，藉由清洗刷子630清洗基板W之背面整體，並去除附著於基板W之污染物。
於基板W之端部清洗處理時，如圖33(a)、(b)所示，將磁體板614a配置於下方位置，將磁體板614b配置於上方位置。於該狀態，基板W藉由旋轉卡盤610旋轉。
於該情形時，於磁體板614a之外側區域R1(參照圖33(b))中各夾盤銷615為關閉狀態，於磁體板614b之外側區域R2(參照圖33(b))中各夾盤銷615為打開狀態。即，各夾盤銷615之保持部615c係於通過磁體板614a之外側區域R1時維持與基板W之外周端部接觸之狀態，於通過磁體板614b之外側區域R2時與基板W之外周端部隔開。
於本例中，4個夾盤銷615中至少3個夾盤銷615位於磁體板614a之外側區域R1。於該情形時，藉由至少3個夾盤銷615保持基板W。藉此，確保基板W之穩定性。
於該狀態，清洗刷子630於外側區域R2中於夾盤銷615之保持部615c與基板W之外周端部之間移動。且，清洗刷子630之槽635抵接於基板W之外周端部。對清洗刷子630與基板W之接觸部分，自清洗噴嘴633(圖32(c))供給清洗液。藉此，清洗基板W外周端部整體，去除附著於基板W外周端部之污染物。
於上述表面清洗處理、背面清洗處理及端部清洗處理後，進行基板W之乾燥處理。於該情形時，將磁體板614a、615b配置於下方位置，藉由全部夾盤銷615保持基板W。於該狀態，基板W藉由旋轉卡盤610以高速旋轉。藉此，甩掉附著於基板W之清洗液，乾燥基板W。
於本實施形態之基板處理裝置100中，藉由圖4之載置兼緩衝部P-BF1或載置兼緩衝部P-BF2以凹口NT方向與一定之基準方向一致之方式進行基板W之對位。因此，可防止任一個夾盤銷615位於凹口NT部分。藉此，藉由使用最低4個夾盤銷615可確實地保持基板W。
(13)旋轉保持裝置之其他例
可代替上述實施形態之移動裝置500，而使用搬送機構。圖34係顯示作為移動裝置使用之搬送機構之主要部之構成及動作之示意性俯視圖。
圖34(a)~(e)所示之搬送機構TR包含旋轉驅動部550、第1臂551、第2臂552及機械手H1。
於旋轉驅動部550藉由第1關節553連接第1臂551之一端。於第1臂551之另一端藉由第2關節554連接第2臂552之一端。於第2臂552之另一端藉由第3關節555連接機械手H1。旋轉驅動部550係設為可於X方向及Y方向移動。
於旋轉驅動部550上設置第1關節553。第1關節553係使第1臂551相對於旋轉驅動部550繞鉛垂方向之旋轉軸A旋轉。第2關節554係使第2臂552相對於第1臂551繞鉛垂方向之旋轉軸B旋轉。第3關節555係使機械手H1相對於第2臂552繞鉛垂方向之旋轉軸C旋轉。機械手H1吸附保持基板W之背面。於機械手H1，設定保持位置RB。
如圖34(a)~(e)所示，第1關節553係於固定旋轉軸A位置之狀態，使第1臂551相對於旋轉驅動部550旋轉。又，於固定機械手H1之 保持位置RB之狀態，第2關節554及第3關節555以機械手H1之保持位置RB為中心第3關節555之旋轉軸C描圓之方式使第2臂552及機械手H1旋轉。又，即使於基板W中心WC自保持位置RB偏離之情形，亦可於基板W中心WC與特定之基準軸一致之狀態使基板W旋轉。
因此，藉由代替圖1之搬送機構127、128、137、138、141、142、146各者而使用圖34之搬送機構TR，可將搬送機構TR代替上述實施形態之移動裝置500使用。於該情形時，搬送基板W之搬送機構TR可兼作移動裝置500之功能。
(14)編碼器之例
為了檢測移動裝置500之旋轉軸RA之位置使用編碼器及計數器。編碼器係有絕對型編碼器及增量型編碼器。當使用絕對型編碼器時，可長時間檢測以原點位置為基準之旋轉軸RA之位置。然而，絕對型編碼器與增量型編碼器相比價格較高。另一方面，當使用增量型編碼器時，可檢測旋轉軸RA之移動量。然而，於停止對增量型編碼器及計數器供給電源電壓之情形時，表示旋轉軸RA之位置之資訊消失。於該情形時，再次供給電源電壓時之旋轉軸RA位置為原點位置。藉此，基板處理裝置100之固定座標系統之原點位置與移動裝置500之座標系統之原點位置偏離。
圖35係顯示用以調整使用增量型編碼器時之原點位置之構成之示意性俯視圖。圖36(a)~(e)係用以說明使用增量型編碼器時原點位置之調整方法之示意性俯視圖。於圖36，僅顯示移動裝置500之一部分。
如圖35所示，於Y方向可動部503安裝於Y方向延伸之區段560。首先，如圖36(a)所示，Y方向可動部503與區段560一併於Y方向移動。接著，如圖36(b)所示，X方向可動部502以Y方向可動部503及區段560均暫時與線感測器505遠離之方式於X方向移動。此時，將藉由 計數器獲得之X方向之值(以下，稱為X座標)及Y方向之值(以下，稱為Y座標)復位為0。
接著，如圖36(c)所示，X方向可動部502以Y方向可動部503及區段560均通過線感測器505之方式於X方向移動。將藉由線感測器505最初檢測到區段560之時點之計數器之值設為Y1。又，將藉由線感測器505最後檢測到區段560時間之計數器之值設為Y2。
接著，如圖36(d)所示，以區段560位於計數器之值為(Y1+Y2)/2之位置(線感測器505之中心)之方式，X方向可動部502與Y方向可動部503及區段560一併移動。此時，將計數器之X座標復位為0。
接著，如圖36(e)所示，Y方向可動部503以遠離線感測器505之方式與區段560一併於Y方向移動。於藉由線感測器505檢測出之區段560之端部位置與預先規定之位置一致時將計數器之Y座標復位為0。並決定將該時點之旋轉軸RA之位置作為移動裝置500之原點位置。或，亦可X方向可動部502及Y方向可動部503進而於X方向及Y方向移動預先規定之距離，並將計數器之X座標及Y座標復位為0。於該情形時，決定將移動後之旋轉軸RA之位置作為移動裝置500之原點位置。
(15)效果
於本實施形態之基板處理裝置100之圖5之邊緣曝光部EEW中，即使於載置於旋轉保持裝置504上之基板W中心WC與旋轉軸RA不一致且基板W之凹口NT方向與基準方向不一致之情形，亦可以基板W中心WC與測定位置MP一致且基板W之凹口NT方向與基準方向一致之方式移動旋轉保持裝置504。藉此，可測定基板W之預先規定之位置之膜厚，並可對基板W上膜周緣部一定寬度之區域準確地進行邊緣曝光。
又，於圖17之塗佈處理單元129中，即使於載置於旋轉保持裝置504上之基板W中心WC與旋轉軸RA不一致之情形，亦可以基板W中 心WC與旋轉卡盤25之旋轉軸Ra一致之方式自旋轉保持裝置504將基板W傳送至旋轉卡盤25。藉此，可於基板W上形成均一之膜，且可對基板W上膜周緣部一定寬度之區域準確地進行邊緣處理。
此外，於圖23及圖25之塗佈處理單元129中，即使於載置於旋轉保持裝置504上之基板W中心WC與旋轉軸RA不一致之情形，亦可於基板W中心WC與測定位置MP一致之狀態旋轉基板W。藉此，可於基板W上形成均一之膜，亦可對基板W上膜周緣部一定寬度之區域準確地進行邊緣處理。
又，於圖29之基板載置部PASS3中，即使於載置於旋轉保持裝置504上之基板W中心WC與旋轉軸RA不一致且基板W之凹口NT方向與基準方向不一致之情形，亦可以基板W中心WC與測定位置MP一致且基板W之凹口NT方向與基準方向一致之方式移動旋轉保持裝置504。藉此，於基板載置部PASS3中，可將基板W之位置修正至一定位置且將基板W之凹口NT方向修正至一定之基準方向。
又，於圖30之清洗乾燥處理單元SD1中，即使於載置於旋轉保持裝置504之基板W中心WC與旋轉軸RA不一致之情形，亦可於基板W中心WC與測定位置MP一致之狀態旋轉基板W。藉此，可均一地清洗基板W之外周端部。
(16)其他實施形態
(a)於本實施形態之基板處理裝置100中，可於圖5之邊緣曝光部EEW、圖17之塗佈處理單元129、圖23之塗佈處理單元129、圖25之塗佈處理單元129、圖29之基板載置部PASS3及圖30之清洗乾燥處理單元SD1之用以對位之構成中設置1個或任意複數個構成。
(b)可將圖5之邊緣曝光部EEW中用以對位之構成設置於塗佈處理單元129、基板載置部PASS1~PASS9、清洗乾燥處理單元SD1、D2或其他部分。
(c)可將圖17之塗佈處理單元129中用以對位之構成設置於邊緣曝光部EEW、基板載置部PASS1~PASS9、清洗乾燥處理單元SD1、SD2或其他部分。
(d)可將圖23或圖25之塗佈處理單元129中用以對位之構成設置於邊緣曝光部EEW、基板載置部PASS1~PASS9、清洗乾燥處理單元SD1、SD2或其他部分。
(e)可將圖29基板載置部PASS3中用以對位之構成設置於其他部分。
(e)可於對基板W之外周端部(斜面部)供給蝕刻液並進行基板W之斜面蝕刻之基板處理裝置設置如圖30之用以對位之機構。
(17)請求項各構成要素與實施形態各構成要素之對應
以下，對請求項各構成要素與實施形態各構成要素之對應例進行說明，但本發明係不限定於下述之例。
於上述實施形態中，旋轉保持裝置504、504a為旋轉保持裝置之例，移動裝置500為移動裝置之例，線感測器505為位置檢測器之例，控制部510、510a為控制部之例。又，旋轉軸RA為旋轉軸之例，測定位置MP、基準軸RR或旋轉軸Ra為基準軸之例，X偏移量Xoff及Y偏移量Yoff為偏差量之例，Y方向為基準方向之例，測定位置MP為測定位置之例。此外，升降銷530為升降機構之例，邊緣曝光部EEW或塗佈處理單元129為第1處理部之例，清洗乾燥處理單元SD1為第2處理部之例，膜厚測定器507為測定裝置之例，旋轉卡盤25為基板保持部之例，設想位置AP為設想位置之例。
作為申請專利範圍之各構成要素，亦可使用具有記載於申請專利範圍之構成或功能之其他各種要素。
[產業上之可利用性]
本發明係可有效地利用於各種基板之處理。
501‧‧‧支持構件
502‧‧‧X方向可動部
503‧‧‧Y方向可動部
504‧‧‧旋轉保持裝置
505‧‧‧線感測器
506‧‧‧曝光單元
507‧‧‧膜厚測定器
508‧‧‧固定構件
AP‧‧‧設想位置
EEW‧‧‧邊緣曝光部
H1‧‧‧機械手
MP‧‧‧測定位置
NT‧‧‧凹口
RA‧‧‧旋轉軸
W‧‧‧基板
WC‧‧‧中心
X、Y、Z‧‧‧座標系統
Xoff‧‧‧X偏移量
Yoff‧‧‧Y偏移量
θoff‧‧‧旋轉方向偏移量

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包含：旋轉保持裝置，其保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；移動裝置，其係使上述旋轉保持裝置於垂直於上述旋轉軸之二維方向移動；位置檢測器，其檢測藉由上述旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周部位置；及控制部，其係基於藉由上述位置檢測器檢測出之位置，以藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之基準軸一致之方式控制上述移動裝置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述控制部係基於藉由上述位置檢測器檢測出之位置，算出藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與上述旋轉保持裝置之上述旋轉軸之偏差量，並基於算出之偏差量，以藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與上述基準軸一致之方式控制上述移動裝置。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述控制部係基於藉由上述位置檢測器檢測出之位置，算出藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向，並基於算出之方向，以藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向與預先規定之基準方向一致之方式控制上述旋轉保持裝置及上述移動裝置。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述控制部係基於上述算出之偏差量，以藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之測定位置一致之方式控制上述移動裝置，並以基板於藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與上述測定位置一致之狀態旋轉之方式控制上述旋轉保持裝置及上述移動裝置，且 於基板之中心與上述測定位置一致之狀態基於藉由上述位置檢測器檢測出之位置算出基板之凹口方向，並基於算出之方向，以藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之凹口方向與預先規定之基準方向一致之方式控制上述旋轉保持裝置及上述移動裝置。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中藉由上述旋轉保持裝置使基板繞上述旋轉軸旋轉且上述移動裝置使旋轉保持裝置移動，藉此，以維持上述旋轉之基板之中心與上述基準軸一致之狀態之方式控制上述旋轉保持裝置及上述移動裝置。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中更包含：升降機構，其係於藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與上述基準軸一致後，使基板與上述旋轉保持裝置隔開並於上述旋轉保持裝置之上方支持基板，且上述控制部於藉由上述升降機構支持基板時，以上述旋轉保持裝置之上述旋轉軸與基板之中心一致之方式控制上述移動裝置，上述升降機構係於上述旋轉保持裝置之上述旋轉軸與基板之中心一致後，使基板下降，上述旋轉保持裝置保持藉由上述升降機構而下降之基板，並使基板繞上述旋轉軸旋轉。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中更包含第1處理部，該第1處理部對藉由上述旋轉保持裝置而旋轉之基板之上表面之周緣部進行處理。
  8. 如請求項5之基板處理裝置，其中更包含第2處理部，該第2處理部對藉由上述旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周端部進行處理。
  9. 如請求項5之基板處理裝置，其中更包含： 測定裝置，其測定上述基板之預先規定之位置之狀態，且上述控制部係於藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與上述基準軸一致後，以藉由上述測定裝置測定上述預先規定之位置狀態之方式控制上述旋轉保持裝置及移動裝置之至少一者，藉此使藉由上述旋轉保持裝置保持之基板移動。
  10. 一種基板處理裝置，其係對基板進行處理者，且包含：旋轉保持裝置，其以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；搬送機構，其係以基板之中心與上述旋轉保持裝置之上述旋轉軸隔開之方式將基板搬送至上述旋轉保持裝置；移動裝置，其係使上述旋轉保持裝置於垂直於上述旋轉軸之二維方向移動；位置檢測器，其檢測藉由上述旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周部之位置；基板保持部，其係以水平姿勢保持基板且具有鉛垂方向之基準軸；及控制部，其係以上述旋轉保持裝置將基板傳送至上述基板保持部之方式控制上述移動裝置及上述旋轉保持裝置。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中預先設定與上述旋轉保持裝置之上述旋轉軸隔開之設想位置，且上述控制部係基於藉由上述位置檢測器檢測出之位置，算出藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與上述設想位置之偏差量，並基於算出之偏差量，以上述傳送後之基板之中心與上述基板保持部之上述基準軸一致之方式控制上述移動裝置。
  12. 如請求項10或11之基板處理裝置，其中上述控制部係基於藉由上述位置檢測器檢測出之位置，算出藉由上述旋轉保持裝置保持 之基板之凹口方向，並基於算出之方向，以上述傳送後之基板之凹口方向與預先規定之基準方向一致之方式控制上述旋轉保持裝置及上述移動裝置。
  13. 如請求項10或11之基板處理裝置，其中上述基板保持部係構成為以水平姿勢保持基板並使基板繞上述基準軸旋轉。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中更包含第1處理部，該第1處理部對藉由上述基板保持部而旋轉之基板之上表面之周緣部進行處理。
  15. 如請求項13之基板處理裝置，其中更包含第2處理部，該第2處理部對藉由上述基板保持部而旋轉之基板之外周端部進行處理。
  16. 一種基板處理方法，其係對基板進行處理者，且包含以下步驟：藉由旋轉保持裝置保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；檢測藉由上述旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周部之位置；及基於上述檢測出之位置，以藉由上述旋轉保持裝置保持之基板之中心與預先規定之基準軸一致之方式使上述旋轉保持裝置於垂直於上述旋轉軸之二維方向移動。
  17. 一種基板處理方法，其係對基板進行處理者，且包含以下步驟：以基板之中心與旋轉保持裝置之旋轉軸隔開之方式藉由搬送機構將基板搬送至上述旋轉保持裝置；藉由上述旋轉保持裝置以水平姿勢保持基板並使基板繞旋轉軸旋轉；檢測藉由上述旋轉保持裝置而旋轉之基板之外周部之位置； 將基板自上述旋轉保持裝置傳送至上述基板保持部；及藉由基板保持部以水平姿勢保持傳送後之基板；且上述傳送之步驟包含：基於上述檢測出之位置，以上述傳送後之基板之中心與上述基板保持部之上述基準軸一致之方式，藉由移動裝置使上述旋轉保持裝置於垂直於上述旋轉軸之二維方向移動。
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