TW201539605A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供基板處理裝置及基板處理方法。基板處理裝置包括：製程腔室；及排氣單元，其具有連接於製程腔室之排氣管線及佈置於排氣管線並調節製程腔室內之壓力的泵。而且，排氣管線由高速配管及多個低速配管構成。本發明復提供一種基板處理方法，該方法將製程腔室內部減壓至製程壓力以對基板進行處理，該減壓係於使製程腔室內部達到設定壓力之前關閉高速閥，打開低速閥中選擇的低速閥；達到設定壓力後，關閉該低速閥中選擇的低速閥，打開高速閥。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於一種基板處理裝置及方法，特定而言，本發明係關於一種具有排氣單元之基板處理裝置及方法。

為製造半導體元件，伴隨有諸如沈積、曝光、灰化及洗滌之多種製程。其中，諸如沈積、蝕刻及灰化等之製程係於真空狀態下執行處理。在此種半導體製程中，在基板上形成諸如線(line)或間隔(space)圖案等各種微細迴路圖案，或在離子植入(ion implantation)製程中，將用作遮罩(mask)的光刻膠主要藉由灰化(ashing)製程自基板移除。灰化製程係於與外部隔離的製程腔室內進行，灰化製程時產生的反應氣體及未反應氣體以及反應副產物等由連接於製程腔室的排氣管線排出至外部。排氣管線除排出反應副產物等的功能之外，亦發揮調節製程腔室內之製程壓力的功能。

執行該灰化製程之一般基板處理裝置具有製程腔室及排氣單元。排氣單元包括高速配管及低速配管。打開低速配管，關閉高速配管直至製程腔室內部達到設定壓力時為止，達到設定壓力後，關閉低速配管，打開高速 配管，減壓至製程壓力。此時，若迅速排出製程腔室內之氣體直至達到設定壓力時為止，則存在晶片位置變形等問題。若緩慢排出氣體，則存在達到設定壓力需要較長時間的問題。一般排氣單元具有1個低速配管，因而存在無法根據晶片之種類提供最佳排氣速度直至設定壓力的問題。

本發明之一個技術課題為提供一種針對基板高效進行製程處理的基板處理裝置及方法。

本發明之另一個技術課題為提供一種縮短排氣時間並防止晶片位置變形的基板處理裝置及方法。

本發明之又一個技術課題為根據基板特性而提供最佳排氣狀態直至達到設定壓力。

本發明提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置包括：製程腔室；以及排氣單元，其具有連接於製程腔室之排氣管線及佈置於排氣管線並調節製程腔室內之壓力的泵。該排氣管線包括：高速配管，其佈置有針對流體通路內部進行開閉的高速閥；以及與高速配管連接的多個低速配管，其具有小於高速配管之直徑，佈置有針對其內部進行開閉的低速閥。

根據一個示例，低速配管中之一部分或全部的直徑彼此相異。

根據另一示例，低速配管可具有直徑彼此相 同的板，以調節低速配管各自的流體通路之大小。低速配管可在高速配管之第一位點分支，在較第一位點更下游的高速配管之第二位點再次連接，該第二位點位於較泵更上游處。

亦可提供控制部，其控制高速閥及多個低速閥；該控制部於製程腔室內之壓力達到設定壓力之前關閉高速閥，打開低速閥中選擇的低速閥，達到設定壓力後，打開高速閥。此時，當高速配管打開時，低速配管可關閉。選擇的低速閥可根據晶片之種類預先設置。

根據一個示例，多個低速配管中僅一個低速配管可供打開。

另外，根據另一示例，多個低速配管中一或多個低速配管可供打開。

根據一個示例，基板之厚度愈厚，可選擇具有愈大流體通路之低速配管。根據另一示例，基板之硬度愈大，可選擇具有愈大流體通路之低速配管。

另外，本發明提供一種基板處理方法。根據該基板處理方法，將製程腔室內部減壓至製程壓力以對基板進行處理，該減壓係於使製程腔室內部達到設定壓力之前關閉高速閥，打開低速閥中選擇的低速閥。達到設定壓力後，打開高速閥。高速配管直徑可分別提供成大於多個低速配管。選擇的低速閥可根據基板之種類決定。

在第一減壓步驟中，可僅打開多個低速配管中之一個低速配管。在第一減壓步驟中，可打開多個低速 配管中之一或多個低速配管。根據一個示例，基板之厚度愈厚，可打開具有愈大流體通路之低速配管。根據另一示例，基板之硬度愈大，可打開具有愈大流體通路之低速配管。

根據本發明之一個實施例，可高效地對基板進行製程處理。

根據本發明之一個實施例，可縮短排氣時間以防止晶片位置變形。

根據本發明之一個實施例，可根據基板之種類來提供最佳排氣狀態直至達到設定壓力。

1‧‧‧基板處理裝置

10‧‧‧處理單元

50‧‧‧排氣單元

51‧‧‧高速閥

52‧‧‧低速閥

53‧‧‧低速閥

54‧‧‧低速閥

100‧‧‧製程處理腔室

110‧‧‧製程腔室

111‧‧‧下壁

112‧‧‧側壁

114‧‧‧空間

116‧‧‧出入口

118‧‧‧門

119‧‧‧排氣孔

120‧‧‧密閉蓋

122‧‧‧引導空間

124‧‧‧流入口

200‧‧‧基座

210‧‧‧卡盤

220‧‧‧支撐軸

300‧‧‧電漿產生構件

301‧‧‧電漿源部

302‧‧‧氣體供應管

303‧‧‧磁控管

304‧‧‧波導管

400‧‧‧擋板

402‧‧‧噴射孔/孔

510‧‧‧高速配管

520‧‧‧低速配管

610‧‧‧高速配管

611‧‧‧高速閥

620‧‧‧低速配管

621‧‧‧第一低速配管

622‧‧‧第二低速配管

623‧‧‧第三低速配管

630‧‧‧低速閥

640‧‧‧板

641‧‧‧板

642‧‧‧板

643‧‧‧板

710‧‧‧高速配管

711‧‧‧高速閥

720‧‧‧低速配管

721‧‧‧第一低速配管

722‧‧‧第二低速配管

723‧‧‧第三低速配管

730‧‧‧低速閥

810‧‧‧高速配管

811‧‧‧高速閥

820‧‧‧低速配管

821‧‧‧第一低速配管

822‧‧‧第二低速配管

823‧‧‧第三低速配管

830‧‧‧低速閥

P1‧‧‧第一位點

P2‧‧‧第二位點

W‧‧‧晶片

A1‧‧‧第一流體通路

A2‧‧‧第二流體通路

A3‧‧‧第三流體通路

圖1為簡要展示本發明實施例之基板處理裝置的圖。

圖2為展示圖1所示處理單元之一個示例的剖面圖。

圖3為簡要展示圖1所示排氣單元的立體圖。

圖4為展示圖1之排氣單元之一個示例的俯視圖。

圖5至圖7為展示圖4之排氣單元中排氣方法的圖。

圖8為展示圖1之排氣單元之另一示例的俯視圖。

圖9至圖11為展示圖8之排氣單元中排氣方法的圖。

圖12為展示圖1之排氣單元之又一示例的俯視圖。

圖13與圖14為展示圖12之排氣單元中排氣方法的圖。

圖15為展示排氣方法的流程圖。

參照隨後與附圖一同詳細說明的實施例，本發明之優點及特徵以及實現其之方法將會明確。但是，本發明並非限定於以下揭示的實施例，可以彼此不同的多種形態來體現，本發明實施例僅提供用於使本發明之揭示內容更全面，以使本發明所屬技術之技藝人士更完全地瞭解本發明之範疇，本發明僅由申請專利範圍的範疇而定義。說明書通篇中，相同元件符號指代相同構成要素。

在本發明實施例中，流體通路之大小意味著在板(圖4之640)所在區域流體能夠流動之面積。另外，在不提供板(圖4之640)的情況下，流體通路之大小意味著低速配管之截面積。

在本發明實施例中，在基板為晶片的情況下進行說明。但是，與此不同，基板可為諸如玻璃基板等其他種類的基板。在本發明實施例中，以灰化製程為例進行說明。但是，與此不同，製程可為蝕刻、沈積、蝕刻與乾式清潔等製程。

圖1為簡要展示本發明實施例之基板處理裝置的圖。

如圖1所示，基板處理裝置(1)包括處理單元(10)及排氣單元(50)。處理單元(10)提供對晶片進行處理之空間(圖2之114)，排氣單元(50)在進行製程時將處理單元(10)之空間內的反應氣體、未反應氣體及反應副產物排出至外部。另外，排氣單元(50)發揮調節處理單元(10)之空間 (圖2之114)內的製程壓力的功能。

圖2為展示圖1所示處理單元(10)之一個示例的剖面圖。

如圖2所示，處理單元(10)包括製程處理腔室(100)、基座(200)、電漿產生構件(300)及擋板(400)。

製程處理腔室(100)包括製程腔室(110)及密閉蓋(120)。

製程腔室(110)包括下壁(111)及側壁(112)。製程腔室(110)提供藉助於所供應氣體執行對晶片(w)之製程處理的內部空間(114)。在側壁(112)上形成有供晶片(w)出入的出入口(116)，出入口(116)藉助於門(118)而開閉。在製程腔室(110)之下壁(111)上形成有排氣孔(119)，在排氣孔(119)處接合有高速配管(190)。在晶片(w)處理過程中，在內部空間(114)產生的反應副產物與流入內部空間(114)的氣體經由排氣孔(119)及高速配管(190)排出至外部。在高速配管(190)上可連接有泵(30)，藉助於泵(30)可調節製程處理腔室(100)內部之壓力。

基座(200)位於內部空間(114)，對提供給製程處理之晶片(w)進行支撐。基座(200)包括卡盤(210)及支撐軸(220)。

卡盤(210)以圓盤形狀提供，晶片(w)置放於其頂部。卡盤(210)由支撐軸(220)支撐。晶片(w)可藉助於靜電力及機械性夾持而固定於卡盤(210)。較佳為晶片(w)可無需固定而置放於卡盤(210)上。

在卡盤(210)內部，可提供加熱構件(未圖示)。例如，加熱構件可包括加熱線圈。在卡盤(210)內部，可提供冷卻構件(未圖示)。冷卻構件可以冷卻水流動的冷卻管線提供。加熱構件將晶片(w)加熱至設置的溫度。冷卻構件使晶片(w)強制冷卻。與此不同，加熱構件或冷卻構件皆可省略。

在卡盤(210)上形成有上下貫通的孔(未圖示)。孔可形成為3個。在各個孔中提供升降銷(未圖示)。升降銷沿著孔向上下方向移動以將晶片(w)裝載至卡盤(210)頂部或自頂部卸載晶片(w)。

電漿產生構件(300)位於密閉蓋(120)之上部以產生電漿，並向密閉蓋(120)內之引導空間(122)提供電漿。電漿產生部(300)包括電漿源部(301)、氣體供應管(302)、磁控管(303)及波導管(304)。

電漿源部(301)與密閉蓋(120)接合。在電漿源部(301)內部，藉助於自氣體供應管(302)供應的反應氣體及自磁控管(303)提供的微波而產生電漿。電漿源部(301)產生的電漿提供給密閉蓋(120)之引導空間(122)，藉由檔板(400)的噴射孔(402)向置放於基座(200)之晶片(w)噴射。

氣體供應管(302)連接氣體儲存部(未圖示)與電漿源部(301)，以將氣體儲存部儲存的反應氣體供應至電漿源部(301)。磁控管(303)藉由波導管(304)與電漿源部(301)連接，以使得產生供產生電漿所需的微波(microwave)。波導管(304)連接磁控管(303)與電漿源部(301)，以將磁控管 (303)產生的微波導向電漿源部(301)。

在該實施例中，電漿產生構件(300)係以遠程方式的電漿產生為例進行說明。但是，作為另一實施例，電漿產生構件(300)可以電感耦合型電漿或電容耦合型電漿方式等多種方法提供。

在製程腔室(110)上部佈置有密閉蓋(120)及擋板(400)。

密閉蓋(120)與製程腔室(110)之上部壁接合，以密閉製程腔室(110)的敞開上部。密閉蓋(120)與電漿產生構件(300)接合，以將電漿產生構件(300)產生的電漿提供給擋板(400)。在密閉蓋(120)上，形成供電漿產生構件(300)產生的電漿流入的流入口(124)，且將流入的電漿提供給擋板(400)之引導空間(122)。引導空間(122)在流入口(124)之下部形成以與流入口(124)連接。根據實施例，引導空間(122)可具有下部敞開的倒漏斗(inverted funnel)形狀。

擋板(400)與基座(200)相向地位於基座(200)之上部。具體而言，擋板(400)在基座(200)與電漿產生構件(300)之間，與密閉蓋(120)之引導空間(122)鄰接佈置。擋板(400)以圓盤形狀提供。擋板(400)對處理腔室(120)之內部空間(114)與密閉蓋(120)之引導空間(122)進行劃分。亦即，擋板(400)之頂部與引導空間(122)相接，擋板(400)之底部與基座(200)所在的內部空間(114)相接。擋板(400)可使藉由多個孔(402)自引導空間(122)提供至內部空間(114)的電漿組分選擇性地透過。例如，擋板(400)可主要將電漿 之自由基組分供應至內部空間(114)。

圖3為簡要展示圖1所示排氣單元(50)的立體圖。

如圖3所示，排氣單元(50)具有高速配管(510)及多個低速配管(520)。作為一個實施例，低速配管(520)可提供成3個。

低速配管(520)主要在製程腔室(110)內之壓力達到設定壓力之前使用，高速配管(510)主要在製程腔室(110)內之壓力達到設定壓力之後使用，直至達到製程壓力時為止。作為一個示例，製程壓力為製程進行時的壓力，設定壓力為初始壓力與製程壓力之間的壓力。低速配管(520)之流體通路大小可彼此相異。高速配管(510)直徑大於低速配管(520)。低速配管(520)在位於高速配管(510)上游之第一位點(P1)分支，在較第一位點(P1)更下游的高速配管(510)之第二位點(P2)再次連接。第二位點(P2)位於較泵(圖1之60)更上游處。在低速配管(520)上提供對配管進行打開/關閉的低速閥(52、53、54)。在高速配管(510)之第一位點(P1)與第二位點(P2)之間提供對高速配管(510)之內部通路進行打開/關閉的高速閥(51)。在高速配管(510)之下游連接有泵(圖1之60)，以排出製程腔室(110)內之氣體。

圖4為展示圖1之排氣單元的一個示例的俯視圖。

如圖4所示，排氣單元(50)包括1個高速配管(610)及多個低速配管(620)。低速配管(620)提供成3個。 3個低速配管(620)之直徑彼此相同。在3個低速配管中分別提供有板(641、642、643)。板(640)調節低速配管(620)之流體通路之大小。由板(640)決定的低速配管(620)之流體通路的大小可由操作者手動調節。在低速配管(620)中提供有對低速配管(620)進行打開/關閉的低速閥(630)。在高速配管(610)之第一位點(P1)與第二位點(P2)之間，提供有對配管進行打開/關閉的高速閥(611)。

圖5至圖7為展示圖4之排氣單元中排氣方法的圖。

如圖5至圖7所示，根據晶片之種類，預先選擇要使用的低速配管(620)之種類。在控制部(未圖示)中，可按晶片之種類儲存與要使用的低速配管(620)對應的資料。以下將3個低速配管定義為第一低速配管(621)、第二低速配管(622)以及第三低速配管(623)。第一低速配管(621)、第二低速配管(622)、第三低速配管(623)調節板(640)之位置，以使得各自流體通路之大小具有第一流體通路(A1)、第二流體通路(A2)、第三流體通路(A3)。此時，第二流體通路(A2)大於第一流體通路(A1)，第三流體通路(A3)大於第二流體通路(A2)。根據一個示例，控制部(未圖示)根據晶片之厚度控制低速配管(620)，以使得所使用的低速配管(620)相異。控制部(未圖示)根據晶片之厚度，預先設置所使用的低速配管(620)。例如，當晶片之厚度為t1時，使用第一低速配管(621)，當晶片之厚度為t2時，使用第二低速配管(622)，當晶片之厚度為t3時，使用第三低速配管 (623)。就晶片之厚度而言，t2厚於t1，t3厚於t2。因此，直至達到設定壓力時為止，厚度為t1之晶片如圖5所示經由第一低速配管(621)排出氣體，厚度為t2之晶片如圖6所示經由第二低速配管(622)排出氣體，厚度為t3之晶片如圖7所示經由第三低速配管(623)排出氣體。

根據本發明之另一示例，控制部(未圖示)根據晶片之硬度控制低速配管(620)，以使得所使用的低速配管(620)相異。控制部(未圖示)根據晶片之硬度預先設置所使用的低速配管(620)。例如，當晶片之硬度為h1時，使用第一低速配管(621)，當晶片之硬度為h2時，使用第二低速配管(622)，當晶片之硬度為h3時，使用第三低速配管(623)。就晶片之硬度而言，h2大於h1，h3大於h2。因此，直至達到設定壓力時為止，硬度為h1之晶片如圖5所示經由第一低速配管(621)排出氣體，硬度為h2之晶片如圖6所示經由第二低速配管(622)排出氣體，硬度為h3之晶片如圖7所示經由第三低速配管(623)排出氣體。

在該實施例中，僅打開1個低速配管(620)。根據另一示例，可同時打開1或多個低速配管(620)。此時，當使用3個低速配管(620)時，可對7種厚度或硬度之晶片、以彼此相異的排氣速度排氣至設定壓力。

圖8為展示圖1之排氣單元之另一示例的俯視圖。

如圖8所示，排氣單元(50)包括1個高速配管(710)及多個低速配管(720)。低速配管(720)提供成3個。 3個低速配管(720)之直徑彼此相異。根據晶片之種類，在控制部(未圖示)預先設置，以使得不同地打開直徑相異的低速配管(720)，或使所打開低速配管(720)之數量不同。因此，流體通路之打開率不同。在低速配管(720)中提供對配管進行打開/關閉的低速閥(730)。在高速配管(710)之第一位點與第二位點之間，提供對配管進行打開/關閉的高速閥(711)。

圖9至圖11為展示圖8之排氣單元中排氣方法的圖。

如圖9至圖11所示，根據晶片之種類，預先選擇要使用的低速配管(720)之種類。在控制部(未圖示)中，可按晶片之種類儲存與要使用的低速配管(720)對應的資料。以下將3個低速配管定義為第一低速配管(721)、第二低速配管(722)以及第三低速配管(723)。根據一個示例，控制部(未圖示)根據晶片之厚度控制低速配管(720)，以使得所使用的低速配管(720)相異。控制部(未圖示)根據晶片之厚度，預先設置所使用的低速配管(720)。例如，當晶片之厚度為t1時，使用第一低速配管(721)，當晶片之厚度為t2時，使用第二低速配管(722)，當晶片之厚度為t3時，使用第三低速配管(723)。就晶片之厚度而言，t2厚於t1，t3厚於t2。直至達到設定壓力時為止，厚度為t1之晶片如圖9所示經由第一低速配管(721)排出氣體，厚度為t2之晶片如圖10所示經由第二低速配管(722)排出氣體，厚度為t3之晶片如圖11所示經由第三低速配管(723)排出氣體。

作為本發明之另一實施例，控制部(未圖示)根據晶片之硬度控制低速配管(720)，使得所使用的低速配管(720)相異。控制部(未圖示)根據晶片之硬度預先設置所使用的低速配管(720)。例如，當晶片之硬度為h1時，使用第一低速配管(721)，當晶片之硬度為h2時，使用第二低速配管(722)，當晶片之硬度為h3時，使用第三低速配管(723)。就晶片之硬度而言，h2大於h1，h3大於h2。因此，直至達到設定壓力時為止，硬度為h1的晶片如圖9所示經由第一低速配管(721)排出氣體，硬度為h2之晶片如圖10所示經由第二低速配管(722)排出氣體，硬度為h3之晶片如圖11所示經由第三低速配管(723)排出氣體。

在該實施例中，僅打開1個低速配管(720)。根據另一示例，可同時打開1或多個低速配管(720)。此時，當使用3個低速配管(720)時，可對7種厚度或硬度之晶片、以彼此相異的排氣速度排氣至設定壓力。

圖12為展示圖1之排氣單元之又一示例的俯視圖。

如圖12所示，排氣單元(50)包括1個高速配管(810)及多個低速配管(820)。低速配管(820)提供成3個。低速配管(820)之直徑彼此相同。在控制部(未圖示)，根據晶片之種類，預先不同地設置打開低速配管(820)之數量。在低速配管(820)中，提供對配管進行打開/關閉的低速閥(830)。在高速配管(810)之第一位點與第二位點之間，提供對配管進行打開/關閉的高速閥(811)。

圖13及圖14為展示圖12之排氣單元中排氣方法的圖。

如圖13及圖14所示，根據晶片之種類，預先選擇要使用的低速配管(820)之種類。在控制部(未圖示)，可按晶片之種類儲存與要使用的低速配管(820)對應之資料。以下將3個低速配管定義為第一低速配管(821)、第二低速配管(822)以及第三低速配管(823)。根據一個示例，控制部(未圖示)根據晶片之厚度控制低速配管(820)，使得所使用的低速配管(820)相異。控制部(未圖示)根據晶片之厚度，預先設置所使用的低速配管(820)。例如，當晶片之厚度為t1時，使用第一低速配管(821)，當晶片之厚度為t2時，同時使用第一低速配管(821)及第二低速配管(822)。就晶片之厚度而言，t2厚於t1。直至達到設定壓力時為止，厚度為t1之晶片如圖13所示經由第一低速配管(821)排出氣體，厚度為t2之晶片如圖14所示同時打開第一低速配管(821)及第二低速配管(822)排出氣體。

作為本發明之另一實施例，控制部(未圖示)根據晶片之硬度控制低速配管(820)，以使得所使用的低速配管(820)相異。控制部(未圖示)根據晶片之硬度預先設置所使用的低速配管(820)。例如，當晶片之硬度為h1時，使用第一低速配管(821)，當晶片之硬度為h2時，同時使用第一低速配管(821)及第二低速配管(822)。就晶片之硬度而言，h2厚於h1。直至達到設定壓力時為止，硬度為h1之晶片如圖13所示經由第一低速配管(821)排出氣體，硬 度為h2之晶片如圖14所示同時打開第一低速配管(821)及第二低速配管(822)排出氣體。

在該實施例中，僅打開2個低速配管(820)。根據另一示例，當使用3個低速配管(820)時，可對3種厚度及硬度之晶片、以彼此相異的排氣速度排氣至設定壓力。

在該示例中，作為晶片之種類相異之情形，以晶片之厚度或硬度為例進行說明。但是，與此不同，晶片之種類相異可為晶片之重量或晶片薄膜之種類相異。

不同於圖4至圖14所述的實施例，低速配管(620、720、820)之直徑亦可為僅一部分直徑相異的情形。例如，3個低速配管(620、720、820)中，可為2個直徑相同，剩餘1個直徑相異。由此可應對多樣的晶片種類。

圖15為展示排氣方法的流程圖。

如圖15所示，為排出製程腔室內之氣體而打開出入口，首先打開低速配管，關閉高速配管。製程腔室內之壓力達到中間壓力後，關閉低速配管，打開高速配管。藉由打開高速配管而達到最終壓力。

根據另一示例，亦可在打開低速配管的同時打開高速配管。例如，當晶片之厚度很厚時，可全部打開低速配管與高速配管，迅速地排出製程腔室內之氣體。在晶片之硬度很大或晶片之重量重等情形下，亦可全部打開低速配管及高速配管，從而更迅速地排出氣體。

1‧‧‧基板處理裝置

10‧‧‧處理單元

50‧‧‧排氣單元

51‧‧‧高速閥

52‧‧‧低速閥

53‧‧‧低速閥

54‧‧‧低速閥

P1‧‧‧第一位點

P2‧‧‧第二位點

Claims (18)

1. 一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括：製程腔室；以及排氣單元，該排氣單元具有連接於該製程腔室之排氣管線及佈置於該排氣管線並調節該製程腔室內之壓力的泵；該排氣管線包括：高速配管，該高速配管佈置有對流體通路內部進行開閉的高速閥；以及與該高速配管連接的多個低速配管，該低速配管具有小於該高速配管之直徑，且該低速配管佈置有針對其內部進行開閉的低速閥。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該等低速配管中之一部分或全部的直徑彼此相異。
3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該等低速配管進一步包括直徑彼此相同的板，該板調節該等低速配管各自的流體通路之大小。
4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該等低速配管在該高速配管之第一位點分支，在較該第一位點更下游的該高速配管之第二位點再次連接，該第二位點位於較該泵更上游處。
5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該基板處理裝置進一步包括控制部，該控制部控制該高速閥及多個該低速閥； 該控制部於該製程腔室內之該壓力達到設定壓力之前關閉該高速閥，打開該等低速閥中選擇的低速閥，達到該設定壓力後，打開該高速閥。
6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，該高速配管打開時，該等低速配管關閉。
7. 如請求項5之基板處理裝置，其中，該選擇的低速閥根據該基板之種類預先設置。
8. 如請求項5之基板處理裝置，其中，該多個低速配管中僅一個低速配管打開。
9. 如請求項5之基板處理裝置，其中，該多個低速配管中一個或多個低速配管打開。
10. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該基板之厚度愈厚，選擇具有愈大流體通路之低速配管。
11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，該基板之硬度愈大，選擇具有愈大流體通路之低速配管。
12. 一種基板處理方法，該基板處理方法包括以下步驟：第一減壓步驟，將製程腔室內部減壓至製程壓力以對基板進行處理，且該減壓係於該製程腔室內部達到設定壓力之前關閉高速閥，打開低速閥中選擇的低速閥；以及第二減壓步驟，達到該設定壓力後，打開該高速閥。
13. 如請求項12之基板處理方法，其中，高速配管直徑分別大於多個低速配管。
14. 如請求項12之基板處理方法，其中，該選擇的低速閥根據基板之種類決定。
15. 如請求項12之基板處理方法，其中，在該第一減壓步驟中，僅打開多個低速配管中的一個低速配管。
16. 如請求項12之基板處理方法，其中，在該第一減壓步驟中，打開多個低速配管中的一個或多個低速配管。
17. 如請求項12之基板處理方法，其中，該基板之厚度愈厚，選擇具有愈大流體通路之低速配管。
18. 如請求項12之基板處理方法，其中，該基板之硬度愈大，選擇具有愈大流體通路之低速配管。