TW201535577A - 用於扁平物件之固持及翻轉裝置 - Google Patents

用於扁平物件之固持及翻轉裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201535577A
TW201535577A TW103135090A TW103135090A TW201535577A TW 201535577 A TW201535577 A TW 201535577A TW 103135090 A TW103135090 A TW 103135090A TW 103135090 A TW103135090 A TW 103135090A TW 201535577 A TW201535577 A TW 201535577A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
holding
distance
ultrasonic
plane
array
Prior art date
Application number
TW103135090A
Other languages
English (en)
Inventor
Felix Moellmann
Dietrich Drews
Holger Wenz
Original Assignee
Rudolph Technologies Germany Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rudolph Technologies Germany Gmbh filed Critical Rudolph Technologies Germany Gmbh
Publication of TW201535577A publication Critical patent/TW201535577A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/02—Mechanical
    • G01N2201/023—Controlling conditions in casing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明係關於一種用於扁平物件之固持及翻轉裝置，該等扁平物件界定一物件平面，該固持及翻轉裝置具有可繞著一旋轉軸旋轉之一夾持裝置，該夾持裝置具有複數個邊緣夾具且經配置以將該物件固定於界定於所有三個空間方向上之一位置，其中該物件平面經引導垂直於該旋轉軸；及與該夾持裝置耦合之一旋轉驅動器，該旋轉驅動器經配置以使該夾持裝置與該物件繞著該旋轉軸旋轉。本發明之特徵在於一距離定位裝置經配置以在不涉及接觸之情況下對該物件施加經引導垂直於該物件平面之一支撐力。

Description

用於扁平物件之固持及翻轉裝置
本發明係關於一種用於扁平物件(尤其係半導體晶圓)之固持及翻轉裝置，該等扁平物件界定一物件平面，該固持及翻轉裝置具有可繞著一旋轉軸旋轉之一夾持裝置，該夾持裝置具有複數個邊緣夾具且經設定以將該物件或該晶圓固定於界定於所有三個維度中之一位置，其中該物件平面經對準垂直於該旋轉軸；及與該夾持裝置耦合之一旋轉驅動器，該旋轉驅動器經設計以使固持該物件之夾持裝置繞著該旋轉軸旋轉。特定言之，本發明係關於一種具有此一固持及翻轉裝置以及安置於接達側上且經引導朝向該物件之一檢查單元之晶圓檢查系統。
本發明亦係關於一種用於固持及翻轉扁平物件(尤其係半導體晶圓)之方法，其具有下列特徵：使用一夾持裝置於一物件之邊緣區域中夾持該物件，其中該物件固定於界定於所有三個維度中之一位置；及繞著經定向垂直於由該物件所界定之一物件平面之一旋轉軸翻轉該夾持裝置連同該物件。
在下文中，座標「x」及「y」亦將用於指定物件平面，且因此將使用術語「x-y平面」。垂直於x-y平面之旋轉軸之方向亦將被稱為「z方向」。
例如，從專利申請公開案DE 10 2004 036 435 A1已知相關類別之夾持裝置。該夾持裝置具有已提及之該複數個邊緣夾具，其等之各者包括一支撐元件及一施壓元件，該物件以其邊緣區域夾持在該支撐元 件與該施壓元件之間。該夾持裝置亦具有包含一致動器之一致動機構，亦稱為夾持機構，可運用該致動機構來致動邊緣夾具以夾持或釋放該物件。
具有複數個邊緣夾具之夾持裝置夾持物件使得物件之位置固定不動且完全界定於固持及翻轉裝置內且因此相對於該固持及翻轉裝置界定於所有三個空間方向上。出於此目的，例如在盤狀物件(諸如半導體晶圓)之情況下，較佳提供複數個(三個或更多個)邊緣夾具。
正如所知，夾持機構連同旋轉驅動器配置於物件平面之一側(「固持件側」)上，使得除邊緣夾具接合於物件之邊緣區域中之部分(通常係支撐元件)外，可自由接達相對「接達側」。
前文在前述半導體晶圓之情況下所述之物件之邊緣區僅被定義為從頂部側及底部側之扁平表面至周圍邊緣(「頂點」)之一過渡區。在此區中，晶圓具有技術術語被稱為「斜角」之一倒角。避免與扁平表面接觸，此係因為不得受損或受污染之可用晶圓面積從此處開始。
在前述晶圓檢查系統中，在一高解析度檢查程序中檢測可自由接達的接達側之晶圓表面之缺陷及/或污染。亦可在該檢查中判定晶圓之表面粗糙度。檢查結果首先用於定性地判定所檢查之物件之品質。此外，所發現之任何缺陷或污染可經參數化且傳遞至後續處理模組用於程序控制。依此方式，可連續監測製程品質且昂貴的生產缺陷可從一開始就被避免。
出於完整性考量，應注意，在晶圓檢查期間，出於與處置相關之原因，頂部、底部及邊緣之檢查將不同。此有關於以下事實：在水平對準中晶圓通常從一個程序步驟傳送至下一程序步驟且晶圓翻轉被避免。因此，晶圓之相同側經定向始終朝上或朝下。本發明係用於檢查頂部側及底部側兩者。
在物件已藉由夾持裝置牢固地夾持於邊緣區中並被固定之後， 使用旋轉驅動器使該夾持裝置連同該物件旋轉，其中該物件相對於引導於物件平面處之檢查單元移動。依此方式，可由檢查單元掃描該物件之表面。出於此目的，該檢查單元較佳具有一掃描頭，該掃描頭相對於該物件沿一路徑移動，該路徑相對於旋轉移動基本上係徑向的且平行於物件平面。取決於該掃描頭之操控方法，該路徑較佳係直線路徑或曲線路徑。整個物件表面之掃描藉由在掃描頭沿該路徑(例如沿一螺旋狀或一弧狀路徑)移動上疊加物件之旋轉移動來完成。
隨著半導體晶圓製造之逐步發展，其大小在增加，從而自然希望具有亦可運用其來檢查對應增大的表面之檢查裝置。然而，此並非無關緊要。由於半導體晶圓之厚度不隨直徑成比例增加且尤其不隨表面積成比例增加，故剛性隨增加的大小而顯著減少。此導致夾持於邊緣處之一水平配置晶圓之大幅變形。因此，在具有一(例如)450mm直徑及一(例如)925μm厚度之一晶圓之情況下，即使在靜置狀態下，亦可觀察到在z方向上約600μm之一重力引發之垂度。量測平面實際上係二維且扁平之平面，而該物件具有一彎曲表面。從其邊緣至其中心之距離變更通常共計約600μm且因此大至足以使晶圓表面移離一習知光學檢查系統之焦點，使得在此條件下可靠缺陷檢查不可行。
應注意，此時「物件平面」在此處被定義為理論平面，其中夾持於夾持裝置中之一理想化物件將經定向。在「理想晶圓」之情況下，此平面係二維且扁平之平面。所描述之實際半導體晶圓與此理想晶圓有上述偏差程度。此外，本發明不限於此二維扁平物件，但亦可應用於具有一固有彎曲的(理想的)表面之扁平物件。
此外，已在半導體晶圓之情況下觀察到：由於在夾持裝置及物件之旋轉期間產生離心力，故圍封於該夾持裝置與該物件之固持件側之間的空氣向外徑向加速，從而在該物件之固持件側與夾持側之間導致一壓力差。若該夾持裝置係配置於晶圓頂部上，則起因於該壓力差 之一力與作用於該晶圓之重力對抗且可抵消該重力。然而，該壓力差取決於該物件之旋轉速度。基於對使檢查程序儘可能快速之一般期望，吾人將希望能夠選擇最高可行旋轉速度。在此情況下，壓力差可基於半導體晶圓之大小同時增加而產生，該等差產生比重力大很多之一力。此外，在給定叢集下，晶圓將相對於重力在固持件側之方向上機械扭曲，且因此將向上拱起。在於晶圓下側上配置固持件側之情況下，該變形將甚至更大，使得重力及壓力將增大。
此外，在諸多情況下，產生一高度差異化的變形圖案。除垂度外，尤其係由夾持裝置所引發之夾持力致使物件之一非旋轉對稱變形，其疊加於該垂度上。
最終，由於旋轉移動，該變形並非靜態。若此變形並非相對於旋轉軸對稱或若存在物件之偏心固定或若大體上旋轉衝力、夾持裝置及物件之組合致使失衡，則此亦將導致物件在z方向上振動。
在此時間及位置相依變形之情況下，掃描頭難以達成追蹤來抵消該掃描頭與物件表面之間的距離變更。
因此，本發明之目的係進一步發展一種固持及翻轉裝置、一種使用此固持及翻轉裝置之晶圓檢查系統及一種前述類型之方法，使得例如晶圓檢查可依一簡單方式進行且無需追蹤掃描頭。
該目的運用根據技術方案1之固持及翻轉裝置、根據技術方案17之晶圓檢查系統及根據技術方案18之方法來完成。
根據本發明之前述類型之固持及翻轉裝置包括一距離定位裝置，該距離定位裝置經配置以在無接觸之情況下對物件施加經引導垂直於物件平面之一支撐力。
對應地，本發明之方法提供在無接觸之情況下由該距離定位裝置對物件施加垂直於物件平面之一支撐力。
該支撐力充當來自距離定位裝置之一排斥力(「對物件」)。借助 於該支撐力，可阻止在z方向上發生之任何物件振動及/或使物件平穩使得其表面與(理想的)物件平面一致，但幾乎可忽略的偏差除外。此處，「非接觸式」意謂在距離定位機構之部分與物件之間無實體接觸以儘可能防止污染、損壞或摩擦。理論上，可在根本上基於不同作用原理之懸浮(例如超音波懸浮或一氣墊)之所有有效方法出於此目的被納入考量。
從專利申請公開案DE 10 2006 045 866 A1已知一種具有一非接觸式距離定位裝置之固持及翻轉裝置。此處，然而，相比於本發明，避免與物件頂部及底部之任何接觸且因此避免與邊緣夾具之任何接觸。根據本發明之邊緣夾具之特徵在於其等強加一固持力或夾持力至物件上以用於將該物件固定於該固持及翻轉裝置中，使得其位置相對於該固持及翻轉裝置界定於所有三個空間維度中。有效方向藉此並非主要相關。固持力或夾持力可例如經引發至物件平面之一徑向方向上，藉此藉由正鎖定或摩擦鎖定連接來實現z方向上之固定。然而，夾持力較佳在z方向上(即，在如例如前文所述之文件DE 10 2004 036 435 A1得知之旋轉軸之方向上)具有一分量。不出現歸因於在DE 10 2006 045 866 A1之情況下夾持力減小所致之或多或少複雜的物件變形及/或振動之現存問題。
如從DE 10 2004 036 435 A1已知，根據本發明之固持及翻轉裝置之夾持裝置較佳具有致動邊緣夾具之一夾持機構且且該夾持機構連同旋轉驅動器配置於物件平面之一固持件側上，使得除該等邊緣夾具之部分外，可自由接達該物件平面之一相對接達側。
此配置簡化至物件之一側之接達以便操控(檢查、量測及/或運轉)該物件。基本上，可自由選擇夾持裝置在空間中之定向。實際上，然而，出於在用於半導體晶圓之檢查裝置之情況下之已述處置原因，該晶圓之相同側經定位始終向上或向下。面向上之側通常係所謂 前側，且面向下之側係後側，且因此亦在前側檢查與後側檢查之間作出一區別。因此，夾持裝置之定向可判定該裝置經設定是用於在定位在頂部處的接達側之情況下進行前側檢查還是用於在定位在底部之接達側的情況下進行後側檢查。然而，根據本發明之固持及翻轉裝置亦可經設計使得前側及後側之檢查可同時進行且無需翻轉，如下文中將進一步說明。
距離定位裝置較佳係配置於物件平面之固持件側上。
此具有下列優點：接達側亦擺脫距離定位設備之部分且因此保持可完全自由接達。若作用於物件之支撐力意欲於抵消作用於固持件側之方向上且使該物件變形之一力(例如在面向上之接達側之情況下之重力；在快速旋轉物件之情況下，在旋轉期間形成之前述壓力差)，則此配置將納入考量。
例如，基於旋轉速度相關或物件相關的非接觸操作條件，可更有利地調整支撐力。
較佳地，根據本發明之固持及翻轉裝置具有一距離感測器，該距離感測器經設定以判定由夾持裝置所固定且繞著旋轉軸旋轉之一物件與平行於物件平面之一量測平面相距之距離。尤其較佳地，此距離感測器經設定以依一空間解析方式判定該距離。
例如，在前述晶圓檢查系統中，該距離感測器可藉由與物件平面自身對準之檢查單元形成。替代地，其亦可被設計為一單獨感測器或一輪廓儀，其具體經提供用於判定關於物件表面之拓撲資訊。該距離感測器可例如依至少一電容感測器、一雷射三角量測感測器或一共焦距離中心之形式體現。該距離感測器較佳適於且經對準以判定任何物件振動之振幅及頻率兩者。
該感測器可係相對於夾持裝置設定於一固定位置之一個別感測器，運用該感測器來判定物件中點處之距離或判定該感測器是否相對 於旋轉軸偏心地配置於一圓形路徑上。作為一檢查單元之掃描頭，其亦可相對於夾持裝置可移動地提供於一路徑上。若干個感測器亦可分佈於量測表面上以同時判定中點處及/或若干個圓形路徑上之距離且因此產生一差異化三維影像。
依此方式設計之固持及翻轉裝置之一進一步較佳發展提供一種控制單元，該控制單元與距離感測器及非接觸式距離定位裝置耦合且經設定以導引該距離定位裝置使得所判定之物件與量測平面相距之距離具有最小空間及/或時間變動。
該感測器及該控制器單元可經組態使得在物件之檢查或處理程序(操控)開始之前判定距離或在物件旋轉期間判定距離一次、若干次，間歇地或連續地判定距離。第一種情況下之距離信號用於校正固持及翻轉裝置，接著在控制距離定位裝置之設定之情況下單一地考量與一理論值之一距離偏差。在一連續距離量測之情況下，該距離信號可用作一回饋信號用於調節該距離。在重複距離量測之中間情況下，該距離信號可用作一回饋信號用於調節該距離。在重複距離量測之中間情況下，該距離信號可用於調整控制資料以用於在必要時設定距離定位。
為達成物件之最佳可行振動阻尼及整平，非接觸式距離定位裝置較佳經設定以在選定區中運用支撐力壓抵於物件。
在最簡單情況下，此可依一三維恆定方式實施。若待操控物件之形狀始終相同(例如一恆定直徑之盤狀晶圓)，則可足以依以下方式選擇具有一固定的預定幾何形狀之一非接觸式距離定位裝置：使得相對於平穩化及振動阻尼依一固定(最大)旋轉速度(在操作狀態下)最佳化裝置之作用。例如，此一幾何形狀可係一環形形狀或一盤形狀，其較佳經配置對稱於旋轉軸。
在本發明之一三維可調整變體實施例中，非接觸式距離定位裝 置可具有用於供應支撐力之若干個作用區，該等作用區可獨立於彼此受控制且因此例如適於空間地或系統地抑制或抵消更複雜的物件振動模式及/或變形。
根據本發明之一尤其較佳實施例，非接觸式空間定位裝置具有一超音波焊極陣列，該超音波焊極陣列具有至少一超音波產生器及與該超音波產生器耦合且對準於物件平面上之至少一超音波焊極。
此處，一超音波焊極被定義為其中藉由超音波產生器可引發一高頻機械振動且具有一輻射表面之一機構，該機械振動經由該輻射表面發射至環境。根據本發明，該輻射表面接著經配置使得發射至環境之振動(空氣較佳被納入考量作為耦合媒介)對準至物件平面上。藉由此振動，產生推動物件之一力場。此非接觸式距離定位方法利用超音波懸浮之原理，其亦已在專利申請公開案DE 10 2006 045 866 A1中予以描述。更確切言之，此涉及用於一超音波氣墊之原理。在此程序中，藉由超音波壓縮周圍空氣或周圍程序氣體。此原理之一明顯優點在於：無需外部空氣供應，例如，外部空氣供應可存在一污染風險。
此原理意謂超音波焊極裝置之輻射表面相對於物件平面配置在近場距離中。在此近場區中，力場在z方向上具有一大梯度，使得懸浮力與待抵消之力(重力及/或升力)之間的力均衡將物件固定於一有明顯界限的三維區中。
近場被定義為超音波焊極之輻射表面前方之中間區，其明顯小於耦合媒介(較佳係空氣)之振動波長。對於低於100kHz之範圍中之振動，輻射表面與物件平面或物件表面相距之距離係至多幾毫米，且對於1GHz之範圍中之振動係在幾微米之範圍中。較佳地，超音波焊極陣列之輻射表面經定位成與物件平面或物件表面相距之一距離介於50μm與500μm之間。用於達成適當程度之功效之一較佳超音波頻率較佳在20kHz至100kHz之範圍中。
根據一較佳實施例，超音波焊極陣列展現經對準平行於物件平面之一平坦輻射表面。
要求平行度，此係因為已完全由夾持裝置判定(理想的)物件平面之事實。為使排斥力不試圖迫使物件至不同於此之一位置，首先要求精確平行度。此要求越甚，超音波焊極陣列之輻射表面變得越大。因此，有利的是提供可與物件之表面積相比之一小輻射表面。在一圓形表面之情況下，超音波焊極陣列之輻射表面之直徑因此不應大於物件直徑之一半。
另一較佳實施例提供超音波焊極陣列之輻射表面細分成至少兩個部分表面且尤其較佳的是提供對應數目之超音波產生器，該等超音波產生器經設定以個別地驅動該超音波焊極陣列之至少兩個部分表面。
「部分表面」可界定輻射表面之一任意區段，其可依此方式致動或驅動。實際上，此設計意謂超音波焊極陣列包括在下文中亦被稱為「個別超音波焊極」之至少兩個超音波焊極及指派至各超音波焊極之至少一超音波產生器。此外，超音波焊極陣列之最小部分表面對應於一個別超音波焊極之輻射表面。然而，超音波焊極陣列亦可展現複數個個別超音波焊極及超音波產生器。在此一情況下，組合成一群集之單個或若干個(並非所有)超音波焊極可形成不同形狀及大小之部分表面。
運用複數個可個別供能之超音波焊極，整個超音波焊極陣列之輻射表面之平面平行陣列之一近似缺乏可依一簡單方式予以電子抵消，其中例如超音波信號之振幅依使得產生抵消距離變更之一傾斜電位平面之方式依一位置相依方式變化。
然而，此不是具有若干可單獨控制的部分表面之一超音波焊極陣列之唯一優點。例如，依此方式，亦可依一定標方式抵消物件之對 稱變形及/或若結合上文所論述之距離感測器另加控制單元使用至少兩個單獨可供能的部分表面，則依一定標方式阻止更高階振動。
在本發明之一額外有利實施例中，超音波焊極陣列具有經配置對稱於旋轉軸之一輻射表面。此配置將旋轉移動之對稱性納入考量。
非接觸式距離定位裝置之一替代實施例包括一流體流產生器及與該流體流產生器耦合且經引導朝向物件表面之一噴嘴配置。
運用此一裝置，對著物件吹送空氣或另一程序氣體，物件依此方式經歷一斥力。換言之，在噴嘴配置與物件之間形成一氣墊且該物件在此氣墊上浮動。此類型之配置亦在專利申請公開案DE 10 2006 045 866 A1中予以描述。
對用於定標抑制變形物件之振動及整平之一差異化控制及感測器系統之所有前述考量在此同樣適用。例如，該噴嘴配置可具有若干個噴嘴，各噴嘴可運用不同強度之流體流進行控制，使得一定標局部不同的斥力作用於物件以抵消更複雜的物件變形。然而，歸因於作用原理之反應速率低於超音波氣墊之反應速率之事實，此配置及此方法具有自然限制。因此，例如依物件之高旋轉速度，此設備之使用可係不利的。
在圖1至圖3中，展示一夾持裝置10，其係根據本發明之用於扁平物件(尤其係半導體晶圓)之固持及翻轉裝置之一組件。圖3中展示放置於該夾持裝置中之一半導體晶圓12。夾持裝置10係展示為在架空位置，使得半導體晶圓12具有基本上可從下方自由接達之一接達側14及面向夾持裝置10之一固持件側16。在正常晶圓處置中，向下指向之側係夾持側且向上指向之側係晶圓前側，使得此處被展示為在架空位置之夾持裝置10用於檢查後側。然而，夾持裝置10亦可用於旋轉定向而不受限制。
夾持裝置10具有一中心懸置件18，中心懸置件18同時覆蓋旋轉軸件20，夾持裝置10之旋轉移動經由旋轉軸件20起始且使用此軸件傳遞至半導體晶圓12。在旋轉軸件20之頂部處，一連接桿22從旋轉軸件20突出，且係夾持機構之部分。此外，該夾持機構之部分係四個固持臂24，其等可依一未展示之方式在該夾持機構之一外殼25內樞轉且可藉由連接桿22致動。固持件臂24在其等自由外端上具有圓柱形施壓元件26，該等圓柱形施壓元件26在致動時將連接桿從如所展示之釋放位置樞轉至一夾持位置。在該夾持位置，圓柱形施壓元件26經定位使得其等之施壓表面抵著半導體晶圓12之上邊緣區而位於下端處且以使半導體晶圓12之下邊緣區抵著分別指派的支撐元件28而對該上邊緣區施壓。在支撐元件28上方，提供傾斜的定心表面，該半導體晶圓可在放置於夾持裝置10中時沿該定心表面滑動至一定心位置。如前文所描述，施壓元件及支撐元件確保僅半導體晶圓12之邊緣區被接觸(較佳僅倒角或斜角之區被接觸)且同時被固定於相對於夾持裝置10界定於所有空間方向(x,y,z)中之一位置。
施壓元件26之施壓表面及支撐元件28之施壓表面較佳由相對於半導體晶圓材料(聚矽氧、鎵、亞砷酸鹽等)不反應之一材料製成，使 得該材料在晶圓表面上不留下任何殘餘物或顆粒。此外，施壓元件26及支撐元件28之材料在接觸區中軟於半導體晶圓之材料。
若夾持裝置10連同固定半導體晶圓12被設定成旋轉，則由於摩擦效應，定位於中間空間30中之氣體(通常係空氣)同樣被設定成旋轉。因此，產生離心力，其使空氣在徑向方向上向外加速，使得取決於旋轉速率，在中間空間30中之空氣與外部空間32中(尤其在半導體晶圓12下方)之空氣之間形成一或多或少較大差壓。
在圖4中，展示具有一示意性簡化的固持及翻轉裝置42及一檢查單元44之一晶圓檢查系統40之一截面。固持及翻轉裝置42再次經架空配置，使得夾持於其中之一晶圓46可從其下側自由接達用於接達至檢查單元44。檢查單元44包括一臂48，其中配置例如呈一雷射二極體之形式之用於產生一出射光束之一光源50。光束依使其照射半導體晶圓46下側之方式在一第一偏轉鏡54上偏轉。若在表面上或在表面中存在例如呈一劃痕、一刻痕、一壓痕或一顆粒之形式之一缺陷，則光從此缺陷散射。散射光59藉由一光學聚光系統(在此情況下藉由鏡56及額外偏轉鏡58)依使得初始光束之直接反射不照射其之方式偏轉至臂48中之一偵測器單元60。因此，在此情況下亦例如藉由暗場量測進行缺陷辨識。
相比於圖4之簡化表示，額外光學元件(尤其係透鏡系統)可配置於光束路徑內。特定言之，聚光鏡56之配置可部分或全部由透鏡系統取代。
如可見，基於散射光59之光束進程，基本上僅源自聚光光學裝置56之焦點62之光束偏轉至偵測器單元60。該裝置通常經配置使得該焦點在z方向上定位於物件平面中，或更確切言之，定位至一理想的扁平夾持晶圓46之表面上。
一方面基於重力且另一方面基於在旋轉期間建立於晶圓46上方 與下方之間的壓力差，取決於旋轉速度，一所得力作用於該晶圓，其使該晶圓在一個方向或另一方向上變形。依一低旋轉速度，該晶圓將歸因於重力而下垂且將具有由底部虛線所展示之曲線64。依高旋轉速度，該晶圓將由於壓力差而向上凸出且顯示具有上曲線66之一輪廓。在兩種極端情況下，待檢測之晶圓46之表面將相異地定位於焦點62之外，使得在此等條件下散射光將僅依大幅減小之強度成像於偵測器單元60上。此可導致誤解偵測到缺陷或導致忽視所有缺陷。因此，甚至必需取決於半導體晶圓46在z方向上之變形重新調整焦點62之位置或正如本發明確保半導體晶圓46儘可能精確地固持於物件平面中。
臂48連接於具有一外殼(未展示)之一活節接頭68上，在活節接頭68上亦懸置固持及翻轉裝置。在該臂之上端處係掃描頭70，掃描頭70形成該臂48之部分且其中定位用於導引光之基本光學組件。該臂可旋轉地懸置於活節接頭68上，使得在該臂之一樞轉移動期間，掃描頭70沿基本上徑向於固持及翻轉裝置42之旋轉軸之一圓弧區段移動。在半導體晶圓46之旋轉移動上疊加此樞轉移動使得可掃描半導體晶圓下側之整個表面。
例如，在圖5中，展示具有一450mm直徑及一925μm厚度之一大的盤狀半導體晶圓80之重力變形，半導體晶圓80於共4個近似點狀的位置82處夾持於根據圖1至3之夾持裝置10中。顯然，基於輪廓線83，半導體晶圓80依一鞍形形狀從其最高高度84變形至其最低壓痕86且因此達到大於600μm之一高度差。
與圖5中所展示之變形的偏差在於，例如在圓周方向上等距之三個邊緣夾具之一配置中，發生具有三重對稱性之物件變形。基本上，可假定隨著邊緣夾具之數目增加，物件邊緣之位置被更精確地判定且執行物件在一個方向或另一方向上之撓曲。然而，應注意，基本上期望最小化邊緣夾具之接觸及邊緣夾具與物件表面之間的總接觸表面， 其將干擾可能由邊緣夾具對物件位置之最精確界定的判定。
下文圖6至圖9中之呈現依一示意高度簡化方式展示一固持及翻轉裝置之一側視圖，其中在各種操作狀態下一物件90夾持於其中。圖6中又展示在夾持裝置靜止不動時一下垂物件90之狀態。在此側視圖中，將物件90展示為在兩個徑向相對的邊緣夾具92之間，其中由於重力，故其相對於物件平面94低垂。誠然，出於圖解說明目的已擴大偏差程度。除重力引發之晶圓下垂外，亦疊加副效應。例如，將述及施加於物件90之邊際區上之夾持力，其首先在邊緣夾具附近基本上水平地夾持該物件。大致上，在足夠小的夾持點下，一均勻垂度很好地表示實際情況。
此外，為圖解說明起見，圖6中將一掃描頭96展示為在半導體晶圓90下方；掃描頭96可在平行於物件平面94之一量測平面中依x及/或y方向移動。應認知，下垂物件90以其下側接近於掃描頭96之量測平面且在邊際區域中遠離該量測平面而延伸於邊緣夾具92之間的中心中。實際上，在真實檢查裝置之情況下，一下垂晶圓之高度差將處於掃描頭與待檢查表面相距之正常距離之量級，使得存在晶圓下側接觸掃描頭之一風險，其可導致損壞半導體晶圓90且因此導致相當大的材料損失。
在圖7中，再次依一簡化方式展示一物件由於繞著旋轉軸98之一旋轉移動而向上凸出之情況。該變形歸因於上文所說明物件90與夾持裝置之間的壓力差，此處未展示。此處亦指示由於藉由邊緣夾具92之固定，邊際區中之晶圓最初經夾持基本上平行於物件平面94且僅在與邊緣夾具92相距一定距離處開始展示朝向中心之彈性變形。
在圖8中，第一次將固持及翻轉裝置展示為具有一距離定位配置100。半導體晶圓90繞著中心旋轉軸98旋轉。根據圖7所得且使此處所展示之本發明之實施例中之晶圓變形之升力憑藉距離定位裝置100由 一相反支撐力抵消。在不接觸中心區之情況下從上方對半導體晶圓90施加此排斥支撐力，如將由物件平面94與距離定位設備100之一有效表面103之間的間隙102闡明。此處，「有效表面」指定在一超音波焊極陣列作為一距離定位裝置之情況下輻射表面之泛化。
支撐力(取決於夾持裝置之旋轉速度)經調整使得在理想情況下其相等地抵消壓力差之力效應，使得半導體晶圓90與物件平面94一致。
在此處所展示之實例中，距離定位裝置100在x-y方向上具有明顯小於物件90之一直徑(50%)。在多數情況下，該組態適於對晶圓施加抵消升力之一反力。然而，在其中晶圓展示一朝較不對稱變形及/或較高階振動之傾向之實例中，可能必需在物件90之一較大表面部分上施加向上引導之支撐力及/或將局部及/或時序可變的支撐力作用於物件表面以使此物件變成一扁平形狀。
如前述，具有大於物件直徑之50%之一直徑之一距離定位裝置甚至已係不利的，此係因為其作用表面103相對於垂直於旋轉軸98之物件平面94之一稍微不正確定位導致一非期望的不均勻力作用於物件90上，物件90之位置藉由其固定於邊際區中來另外界定。因此，距離定位裝置100之大小在理想情況下應儘可能小但足夠大以能夠在期望操控所需之精度之架構內支撐半導體晶圓90。
圖9中展示距離定位裝置100'之一替代實施例。此圖展示具有一中心開口104之一可旋轉的對稱環形幾何形狀。開口104提供接達一距離感測器106至半導體晶圓90之頂部之可能性。距離感測器106固定於圖9中所展示之實施例中之位置且與物件90之中心對準。距離感測器106經設定以在旋轉期間監測其中心至物件表面之一相對距離且記錄一距離變更。所獲得之距離信號可發送至一控制單元且用於驅動距離定位裝置110使得所求得至晶圓中心之距離對應於物件90之中心落於物件平面94中時之一預定目標值。在諸多應用中，此定位可已足夠精 確。振動阻尼亦可依此方式實現。距離感測器106之量測信號可經連續判定且供應至控制單元作為一控制變數使得隨時間之變更亦可被納入考量。依此方式，例如，一速率相依物件變形及個別物件變形行為將自動被納入考量。例如，該感測器僅可在旋轉運動加速期間永久地或間歇地用於依一受控制方式使此階段中之空間定位裝置適於旋轉移動。一旦達到目標速度且依某種其他方式保證半導體晶圓90不暴露於任何波動負載，控制迴路即可被中斷且距離定位裝置110可運用恆定支撐力來操作。
圖10展示根據本發明之用於一扁平物件112(例如一半導體晶圓)之固持及翻轉裝置110之另一示意表示。固持及翻轉裝置110具有一夾持裝置114，該夾持裝置114在其邊際區中具有用於夾持物件112之邊緣夾具116。在物件112上側上係夾持機構，其基本上由一可旋轉且垂直固定的支撐件118以及用於施壓元件124之一同樣可旋轉且垂直可移動的致動機構122組成，其中支撐元件120位於支撐件118之端部，且使用施壓元件124將物體112壓抵於支撐元件120。一中空軸件125連接至支撐件118，其係用於旋轉移動之一直接驅動器(未展示)之部分。一固定超音波焊極128之一圓柱形區段(即，不連同中空軸件125旋轉)穿過中空軸件125。同時，可使該超音波焊極在z方向上移動以能夠從遠離物件112之一載入及卸載點移動至接近於物件112之一操作狀態並回移。將超音波焊極128展示為在與物件112之頂部相距一小段距離130之操作位置，該距離130較佳介於50μm與500μm之間。在此範圍中，在20kHz至100kHz之較佳超音波頻率下之超音波焊極相對於物件112定位在近場距離內。在操作期間亦可考量該超音波焊極之一距離變更以機械地改變支撐力之強度，如下文中將進一步詳細說明。
在近場中，超音波焊極128之輻射表面134之突出區中之一排斥向下引導之支撐力132作用於物件112上。在此處所展示之固持及翻轉 裝置之架空配置之情況下，支撐力132之作用方向與重力136一致，其同樣向下牽拉物件112。支撐力132及重力136經引導與一升力或柏努利(Bernoulli)力138相反，其可歸因於上文所描述物件112上方與下方之間的壓力差。在理想狀況下，藉由選擇一合適距離130、一合適超音波焊極幾何形狀、一合適超音波頻率及一合適振幅，支撐力132依以下方式進行調整：使得連同重力作用，在理想狀況下於物件112之各點處但至少針對實際用途，支撐力132抵消升力128使得該物件之實際位置對應於低至可容忍偏差之物件平面中的理論位置，例如低於一檢查機構之量測靈敏度。
若距離定位裝置128如此處所展示般固定，換言之不同時翻轉，則此對圍封於夾持裝置114與物件112之間的氣體之流動動力產生一影響。同樣地，超音波焊極幾何形狀之影響將被納入考量，此係因為例如圖9中所展示之環形超音波焊極具有不同於一封閉的圓形超音波焊極且亦不同於例如具有一矩形輻射表面之一超音波焊極之流動動力。因此，在設計距離定位裝置之尺寸以及所需平行度時且除部分判定輻射表面大小之所需支撐力外，此等形狀態樣係待考量之額外設計參數。
在圖11中，展示固持及翻轉裝置140之一替代實施例，其中呈一超音波焊極142之形式之距離定位裝置配置於物件144下方，但夾持裝置146保持安置於物件144上方。可在以下情況下使用此配置：當由於構造設計，升力無效或此升力依另一方式被抵消時或者若在任何情況下升力足夠小使得其無法抵消物件144之重力引發之垂度或若出於其他原因，例如僅需阻止物件振動。
在此實例中，z方向上之一可變距離148提供於超音波焊極142之輻射表面150與物件144下側之間，其可借助於致動器進行調整，如下文中將說明。距離148之調整依一受控制方式為改變超音波振幅且因 此改變該超音波焊極之支撐力及因此改變物件144之位置提供一額外或替代選項。出於此目的，提供一控制單元152，其例如使夾持裝置146之旋轉速度或一距離感測器信號與超音波焊極142之z位置相關。
同時，對於超音波焊極142位於物件144下方且夾持裝置146位於物件144上方之配置，接達至夾持裝置146變得困難，而超音波焊極142之輻射表面150之z移位容許更佳地接達至夾持裝置146。否則，由於超音波焊極142之操作位置之小段距離，實際上無法將物件144移交至夾持裝置146或將物件144放置在夾持裝置146中。
就此而言，吾人參考圖12及圖13。如此處所展示，整個超音波焊極142可在z方向上依不同方式遠離物件平面移動。出於此目的，例如除用於在z方向上進行微調之一裝置154外，亦可提供一粗調裝置156，其中運用該裝置154可使距離148受控制地適於支撐力之移位，且運用該粗調裝置156該超音波焊極可從一釋放或載入及卸載位置(在圖12中被展示為一實線)移動一較大量至一運轉或操作位置(在圖12中被展示為一虛線)。該粗調裝置可具有例如具一螺旋驅動器或一前向操作的圓柱形活塞配置之一電動馬達驅動器，且該微調裝置可具有一壓電致動器及/或一柱塞線圈或振盪器線圈致動器。
在該粗調裝置之一替代運動學實施例中，超音波焊極142可繞著一旋轉軸158從在圖13中被展示為一實線之運轉位置樞轉至被展示為一虛線之一載入及卸載位置。
圖14及圖15各依一高度簡化的示意視圖展示一超音波焊極陣列之一前視圖。圖14中之超音波焊極陣列160具有由四個相同且對稱配置的矩形個別超音波焊極162形成之一四部分輻射表面。個別超音波焊極162係成對地、彼此遠離且相距相等距離，且因此一起形成一同樣呈矩形的輻射表面。
圖15中之超音波焊極裝置170具有一圓形輻射表面且同樣對稱地 分成四個相等的部分表面，該等表面之各者由被設計為圓形片段之一超音波焊極172形成。相比於超音波焊極陣列160，超音波焊極172在x方向及y方向上不分隔。一基本差異係超音波焊極陣列之旋轉對稱性，其通常在快速翻轉物件之情況下有利，此係因為其不引發由於其形狀引起之任何不想要之振盪激發。
此外，部分表面162及172分別各具有選用孔徑164及174，若需要，則一流體流(較佳係一空氣流)可對著物件表面以推動或吸入方式引導穿過孔徑164及174。因此，此涉及一額外距離定位裝置，其效應可在需要時支援超音波焊極之效應。
細分成若干個部分表面可用於各種用途。若一超音波產生器個別地指派至超音波焊極162及172之各者，則可個別地控制超音波焊極162及172之各者。依此方式，例如支撐力可對稱地施加至物件表面之預定部分區以便例如能夠更對稱地抵消由邊緣夾具不規則引發之夾持力。
基於展示來自圖14之超音波焊極陣列160之圖16，經細分之輻射表面之另一態樣將變得明顯。在此視圖中，除超音波焊極陣列160外，亦展示一檢查裝置或一距離感測器之一盤狀晶圓166及一掃描頭168，一盤狀晶圓166及一掃描頭168可移動地配置在物件平面之相同側上，超音波焊極陣列160亦在該相同側上旋轉。部分表面或個別超音波焊極162之間的距離之尺寸係使得掃描頭168安裝至其中。因此，不管超音波焊極為何，掃描頭168皆可接達至物件表面且甚至可在徑向方向上移動。此使例如結合根據圖11之一配置從物件之向下指向之後側掃描物件表面成為可行。
圖17展示一替代超音波焊極陣列180之另一示意視圖，其具有一單塊輻射表面，因此具有一個別超音波焊極，該個別超音波焊極具有一基本上呈圓形或盤狀的輪廓且其中心與定位於其下方之一物件182 之旋轉軸一致。此外，展示一檢查裝置之一掃描頭184，其配置於相同於超音波焊極180之物件平面側上。在超音波焊極180之輻射表面中，提供一足夠大的窗口186，其中掃描頭184可在掃描程序期間相對於及平行於物件表面移動，使得可偵測物件182之整個表面。掃描頭之此相對移動可替代地沿一弧狀路徑188或一直線路徑189發生，其兩者基本上相對於旋轉軸徑向地延伸。
在超音波焊極陣列或超音波焊極180之一修改中，在圖18中展示輪廓相同但具有複數個個別超音波焊極192之一超音波焊極陣列190。該等個別超音波焊極各具有個別圓形部分表面，該等部分表面一起形成超音波焊極陣列190之輻射表面。若個別超音波焊極192具有分別指派至其等之超音波產生器，則此等超音波焊極可獨立於彼此被供能。此使得可在整個輻射表面上產生一均勻支撐力且可在需要時局部地改變此支撐力。依此方式，總體上可產生一傾斜力場或一力施加點或可發生在該等個別超音波焊極之格柵內部任意個別超音波焊極組合成具有任意幾何形狀之部分表面。傾斜力場尤其對超音波焊極陣列與物件平面之任何可能的非平行度進行可行的簡單電抵消。
圖19展示輪廓與前述相同之一超音波焊極陣列190，其中將具有不同幾何形狀之部分表面194圖解說明成一對稱配置。此等部分表面可係虛擬的，換言之部分表面194之各者可例如由來自圖18之個別超音波焊極192之一操作組合(群集)形成。自然地，若應用要求，則部分表面之配置及幾何形狀亦可實體上不對稱。然而，自然地，此設計相對於來自圖18之實例的設計基本上係較不靈活。
圖20中展示來自圖18之超音波焊極陣列之一進一步發展。此圖不同之處僅在於若干個距離感測器200配置於個別超音波焊極192之間，且此等距離感測器200可在超音波焊極表面上展現一均勻或不均勻分佈(在此情況下，係不均勻)。複數個距離感測器200使得可判定 物件與複數個分佈點上之量測平面之間的距離或在物件旋轉期間判定物件與複數個圓形路徑上之量測平面之間的距離，使得獲得物件變形之一實際上完整的影像且在空間及時間方面此變形之一非常系統的抵消可行。在此情況下，可免除用於移動距離感測器之一機構，其減小設備成本。
如在其他實例中，距離感測器200可例如係雷射-光學三角量測感測器、電容感測器或共焦距離感測器。
合適操作參數(在其中超音波焊極陣列作為一空間定位裝置之檢查機構之情況下，例如由物件旋轉速度、超音波焊極陣列或個別超音波焊極之超音波之振幅及頻率及在調整可行之情況下，輻射表面與物件平面相距之距離)之建立可根據經驗發生，前提係首先根據該等參數之各者判定物件表面之全部拓撲(例如使用前述距離量測)且可反覆判定所判定之拓撲與理想物件平面之一最小偏差。此一校正程序之結果係可被視作所使用之物件類型之基礎之一靜態參數集。然而，若定期檢驗距離資訊(即，關於物件表面拓撲之資訊)，則亦可定期地或連續地完善該參數集。隨著時間變化，此可導致一改良參數集。此兩種方法描述根據本發明之裝置之控制。
額外改良可藉由在物件之操控期間所監測之距離資訊之回饋耦合，因此藉由操作參數之調節來實現。依此方式，可原位抵消甚微差異，例如物件之材料的微小尺寸偏差或內部應力差異或固定在夾持裝置中的物件之細微位置差異，該等甚微差異亦可在恆定物件類型之情況下發生。
根據本發明之裝置及根據本發明之方法使得可建立各物件類型之特殊操作條件，該等操作條件依此一初始參數集之形式傳送至控制單元。例如，此可依整合形式作為一獨立檔案或作為一附件傳輸至其他操作參數，例如檢查系統或檢查方法之控制變數。例如，其可以單 獨地或被添加至既有XML操作資料集之一XML操作資料集的形式被控制單元存取。
初始參數集以及所判定之拓撲資訊可電子輸入至控制單元(例如一電腦)，該控制單元接著在程式化之後執行系統之控制或調節且亦視需要再次轉錄並輸出該參數集。
如前文中已述，可單獨供能的若干個個別超音波焊極無論如何可用於阻止翻轉物件之振動、更高階振盪模式及任何變形或抵消其等。在一些實例中，使物件旋轉之夾持裝置的弱振動或失衡可能引發翻轉物件之有節奏的垂直變形或振動。由於物件之固定邊緣區，此類型之振動理論上可依具有固定點之一撓性薄膜之形式模型化。上文所描述之距離感測器或檢查單元自身之一輪廓儀可用於直接量測此振動。
一旦判定振動，即可根據本發明之方法採取複數項措施來對抗該振動。在最簡單情況下(即，在超音波焊極陣列之情況下)，此措施可係在超音波焊極之整個輻射表面上全面施加一空間及時序恆定的支撐力。在差異化應用中，該支撐力亦可依一有規律或時序可變的方式施加。在此程序中，並非始終抵消所有振動或變形。在各情況下，其取決於應用(檢查、量測或處理)以判定可容忍之物件振動或變形程度。
若感測器(所論述之距離感測器或加速感測器)判定一不可容忍之振動程度，則此資訊亦可用於經由控制單元產生一錯誤信號，其迫使旋轉驅動器或整個裝置之一自動停止或至少發射可引導一使用者停止程序之一警報信號。
否則，所判定之振動資料(振幅及/或頻率)可依任一所描述之方式用於變更旋轉速度使得夾持裝置在一諧振頻率外與物件一起移動或依其他方式控制距離定位裝置，因此在一動力基礎上操作其。因此， 超音波焊極之輸出功率例如可增大或減小一定程度以更佳地阻止振動。
一或多個超音波焊極之超音波焊極功率可取決於旋轉速度例如依一線性、指數或正弦方式連續地，或例如依方波脈衝之形式間斷地地變化。此外，一或多個超音波焊極之超音波焊極功率可依例如可將物件之若干種振動模式納入考量之一複雜函數之形式進行調節。
例如在圖21中展示一簡單控制曲線，且在圖22中展示兩個更複雜的控制曲線。在此等圖中，超音波焊極/超音波焊極陣列之各自輸出功率經展示為夾持裝置之旋轉速度或旋轉速率或者其旋轉驅動力之一函數。該等表示本質上係純定性的。定性控制主要取決於該等裝置及該等物件之幾何細節以及電子組件之效率。
若一物件或具有一物件之一夾持裝置例如在加速期間展示依特定旋轉速度經歷一或多個離散諧振且因此超過預定振動限制之一趨向，則超音波焊極效能之變更可有助於阻止或有效抑制此等諧振。因此，控制單元可經設定以在一特定持續時間內或一定旋轉速度頻帶內修改超音波焊極之輸出功率，同時具有物件之該夾持裝置之超音波焊極經歷諧振，如根據圖21之控制信號曲線中所展示。在經歷諧振之後，超音波焊極返回至原始輸出功率。
操作參數(尤其係判定超音波焊極之輸出功率之操作參數)之任何變更較佳依一特定速度發生以避免系統狀態之一突然變更且保護物件。此在根據圖22之控制曲線中被納入考量。作為一實例，此展示根據旋轉速度增大之單一超音波焊極或複數個超音波焊極之一複雜的非線性控制信號曲線(實線)及根據旋轉速度減小之另一控制曲線(虛線)。該等曲線意欲於對抗其中物件依可變旋轉速度經歷若干種振動模式之一複雜振動行為。
由於個別超音波焊極之同時供能之差異，可例如遵循物件之旋 轉運動組態一時序及局部變化的對稱或不對稱力場。若干個部分表面或個別超音波焊極之此一不對稱供能可例如用於甚至在旋轉期間系統地對抗物件之一預定或原位觀察之振動或變形，即，依一局部精確方式。
因此，總言之，可產生距離定位裝置隨著時間及空間兩者變化之輸出功率且因此可依一極高差異化方式對物件之高度複雜之變形及振動進行回應以便抑制變形及振動或依一適當方式整平該物件。
儘管所有上文所描述之例示性實施例係關於具有一理想的二維物件平面之物件，但本發明不排除其中處置具有三維彎曲物件平面之扁平物件之裝置。此外，對應地，例如超音波焊極陣列可具有一同樣彎曲的輻射表面。
儘管本發明在前文中已基於來自晶圓檢查之實例予以進一步說明，但根據本發明及本發明程序之固持及翻轉裝置亦可用於其他程序。例如，固持及翻轉裝置亦可用於量測物件或其表面處理而非缺陷辨識。
此外，可運用該裝置及該方法來處置除半導體晶圓外之基板。玻璃面板可作為實例而提及。最終，物件之輪廓亦無關緊要。其亦可係多邊形而非被展示為一實例之圓盤形狀。超音波焊極陣列亦可如在本發明之架構內具有其他所期望之輪廓。
10‧‧‧夾持裝置
12‧‧‧半導體晶圓
14‧‧‧接達側
16‧‧‧固持件側
18‧‧‧中心懸置件
20‧‧‧旋轉軸件
22‧‧‧推動桿/連接桿
24‧‧‧固持臂/固持件臂
25‧‧‧外殼
26‧‧‧圓柱形施壓元件
28‧‧‧支撐元件
30‧‧‧內部空間/中間空間
32‧‧‧外部空間
40‧‧‧晶圓檢查系統
42‧‧‧固持及翻轉裝置
44‧‧‧檢查單元
46‧‧‧半導體晶圓
48‧‧‧臂
50‧‧‧光源
54‧‧‧第一偏轉鏡
56‧‧‧聚光鏡/聚光光學裝置
58‧‧‧被動反射器/偏轉鏡
59‧‧‧散射輻射/散射光
60‧‧‧偵測器單元
62‧‧‧焦點
64‧‧‧下曲線/垂度
66‧‧‧上曲線/凸度
68‧‧‧活節接頭
70‧‧‧掃描頭
80‧‧‧半導體晶圓
82‧‧‧固持位置
83‧‧‧輪廓線
84‧‧‧最大高度/最高高度
86‧‧‧最大壓痕/最低壓痕
90‧‧‧物件/半導體晶圓
92‧‧‧邊緣夾具
94‧‧‧物件平面
96‧‧‧掃描頭
98‧‧‧中心旋轉軸
100‧‧‧距離定位裝置/距離定位配置/距離定位設備
100'‧‧‧距離定位裝置
102‧‧‧間隙
103‧‧‧有效表面/作用表面
104‧‧‧中心開口
106‧‧‧距離感測器
110‧‧‧固持及翻轉裝置
112‧‧‧扁平物件
114‧‧‧夾持裝置
116‧‧‧邊緣夾具
118‧‧‧支撐件
120‧‧‧支撐元件
122‧‧‧致動機構
124‧‧‧施壓元件
125‧‧‧中空軸件
126‧‧‧圓柱形區段
128‧‧‧超音波焊極
130‧‧‧距離
132‧‧‧支撐力
134‧‧‧輻射力/輻射表面
136‧‧‧重力
138‧‧‧升力/柏努利(Bernoulli)力
140‧‧‧固持及翻轉裝置
142‧‧‧超音波焊極
144‧‧‧物件
146‧‧‧夾持裝置
148‧‧‧距離
150‧‧‧輻射表面
152‧‧‧控制單元
154‧‧‧微調裝置
156‧‧‧粗調裝置
158‧‧‧旋轉軸
160‧‧‧超音波焊極陣列
162‧‧‧(個別)超音波焊極/部分表面
164‧‧‧孔徑
166‧‧‧晶圓
168‧‧‧掃描頭
170‧‧‧超音波焊極陣列/超音波焊極裝置
172‧‧‧(個別)超音波焊極/部分表面
174‧‧‧孔徑
180‧‧‧超音波焊極陣列/超音波焊極
182‧‧‧晶圓/物件
184‧‧‧掃描頭
186‧‧‧窗口
188‧‧‧弧狀路徑
189‧‧‧線性路徑/直線路徑
190‧‧‧超音波焊極陣列
192‧‧‧個別超音波焊極
194‧‧‧部分表面
200‧‧‧距離感測器
在下文中將基於例示性實施例說明本發明之額外特徵及優點。其中：圖1展示可旋轉夾持裝置之一透視圖；圖2展示根據圖1之夾持裝置之一仰視圖；圖3展示根據圖1之夾持裝置之一側視圖；圖4展示用於圖解說明晶圓變形之無距離定位設備之一晶圓檢查系統之一側視圖；圖5展示用於表示在靜置狀態下一夾緊晶圓之變形程度之一二維 圖表；圖6展示在靜置狀態下一夾緊晶圓之一示意側視圖；圖7展示在旋轉期間一夾緊晶圓之一示意側視圖；圖8展示在旋轉期間且使用一第一距離定位裝置之一夾緊晶圓之一示意側視圖；圖9展示在旋轉期間且使用一第二距離定位裝置之一夾緊晶圓之一示意側視圖；圖10展示根據本發明之用於扁平物件之固持及翻轉裝置之一示意側視圖；圖11展示用於扁平物件之固持及翻轉裝置之另一實施例之側視圖；圖12展示來自圖11之距離定位裝置在兩個位置之一截面放大圖；圖13展示距離定位裝置在兩個位置之一替代實施例；圖14展示一超音波焊極陣列之第一實施例之一示意俯視圖；圖15展示一超音波焊極陣列之一第二實施例之一俯視圖；圖16展示根據圖14之具有一可移動距離感測器之超音波焊極陣列之一俯視圖；圖17展示具有一單塊輻射表面之一超音波焊極陣列之一第三實施例之一俯視圖；圖18展示具有複數個個別超音波焊極或部分表面之一超音波焊極陣列之一第四實施例之一俯視圖；圖19展示具有不同幾何形狀之部分表面之一超音波焊極陣列之一第五實施例之一俯視圖；圖20展示具有複數個距離感測器之一超音波焊極陣列之一第六實施例之一俯視圖；圖21展示一超音波焊極之一第一供能曲線；及 圖22展示一超音波焊極之一第二供能曲線。
110‧‧‧固持及翻轉裝置
112‧‧‧扁平物件
114‧‧‧夾持裝置
116‧‧‧邊緣夾具
118‧‧‧支撐件
120‧‧‧支撐元件
122‧‧‧致動機構
124‧‧‧施壓元件
125‧‧‧中空軸件
126‧‧‧圓柱形區段
128‧‧‧超音波焊極
130‧‧‧距離
132‧‧‧支撐力
134‧‧‧輻射力/輻射表面
136‧‧‧重力
138‧‧‧升力/柏努利力

Claims (28)

  1. 一種用於扁平物件之固持及翻轉裝置，該等扁平物件界定一物件平面，該固持及翻轉裝置具有可繞著一旋轉軸旋轉之一夾持裝置，該夾持裝置具有複數個邊緣夾具且經配置以將該物件固定於界定於所有三個空間維度中之一位置，其中該物件平面經對準垂直於該旋轉軸；及與該夾持裝置耦合之一旋轉驅動器，該旋轉驅動器經配置以使該夾持裝置與該物件繞著該旋轉軸旋轉，該固持及翻轉裝置之特徵在於一距離定位裝置經配置以在無接觸之情況下對該物件施加經引導垂直於該物件平面之一支撐力。
  2. 如請求項1之固持及翻轉裝置，其中該夾持裝置具有用於致動該等邊緣夾具之一夾持機構，該夾持機構連同該旋轉驅動器配置在該物件平面之一固持件側上，其配置方式係使得除該等邊緣夾具之部分外，該物件平面之一相對接達側可自由接達。
  3. 如請求項2之固持及翻轉裝置，其中該距離定位裝置係配置於該物件平面之該固持件側上。
  4. 如請求項2之固持及翻轉裝置，其中該支撐力可調整使得其抵消作用於該固持件側之方向上之力及/或阻止該物件垂直於該物件平面之振盪。
  5. 如請求項1至4中任一項之固持及翻轉裝置，其中一距離感測器經配置以依一空間解析方式判定由該夾持裝置所固定且繞著該旋轉軸旋轉之一物件與平行於該物件平面之一量測平面相距之距離。
  6. 如請求項5之固持及翻轉裝置，其中 一控制單元與該距離感測器及該距離定位裝置耦合且經配置以依使得該所判定之該物件與該量測平面相距之距離展現最小空間及/或時序變動之方式控制該距離定位裝置。
  7. 如請求項5之固持及翻轉裝置，其中該距離感測器具有至少一電容感測器。
  8. 如請求項1至4中任一項之固持及翻轉裝置，其中該距離定位裝置經配置以在選定區域中運用該支撐力壓抵於該物件。
  9. 如請求項1至4中任一項之固持及翻轉裝置，其中該距離定位裝置包括一超音波焊極陣列，該超音波焊極陣列具有至少一超音波產生器及與該超音波產生器耦合且對準於該物件平面上之至少一超音波焊極。
  10. 如請求項9之固持及翻轉裝置，其中該超音波焊極陣列具有經對準平行於該物件平面之一扁平輻射表面。
  11. 如請求項10之固持及翻轉裝置，其中該超音波焊極陣列之該輻射表面相對於該物件平面配置在近場距離中。
  12. 如請求項10之固持及翻轉裝置，其中該超音波焊極陣列之該輻射表面相對於該物件平面配置在介於50μm與500μm之間之一距離處。
  13. 如請求項9之固持及翻轉裝置，其中該超音波焊極陣列具有經配置對稱於該旋轉軸之一輻射表面。
  14. 如請求項10之固持及翻轉裝置，其中該超音波焊極陣列之該輻射表面被細分成至少兩個部分表 面。
  15. 如請求項14之固持及翻轉裝置，其中超音波產生器經配置以個別地驅動該超音波焊極陣列之該至少兩個部分表面。
  16. 如請求項1至4中任一項之固持及翻轉裝置，其中該距離定位裝置包括一流體流產生器及與該流體流產生器耦合且經引導朝向該物件平面之一噴嘴配置。
  17. 一種具有如請求項1至16中任一項之固持及翻轉裝置之晶圓檢查系統，其中一檢查單元配置於該接達側上且經引導朝向該物件平面。
  18. 一種用於固持及翻轉扁平物件之方法，其具有下列特徵：藉由一夾持裝置於一物件之邊緣區中夾持該物件，其中該物件固定於界定於所有空間方向上之一位置；繞著經定向垂直於由該物件所界定之一物件平面之一旋轉軸翻轉該夾持裝置連同該物件，該方法之特徵在於藉由一距離定位裝置，在無接觸之情況下垂直於該物件平面將一支撐力施加至該物件。
  19. 如請求項18之方法，其中將該夾持裝置配置於該物件平面之一固持件側上，其中由於由該夾持裝置連同該物件之旋轉產生之離心力，在該物件之兩側之間、在該物件平面之上方與下方之間產生一壓力差。
  20. 如請求項18或19之方法，其中該支撐力對抗歸因於該壓力差及/或歸因於重力及/或歸因於由該夾持裝置所引發之夾持力所致之該物件之變形。
  21. 如請求項18或19之方法，其中該支撐力阻止該物件垂直於該物件平面之振盪。
  22. 如請求項18或19之方法，其中根據該夾持裝置之旋轉速度設定該支撐力。
  23. 如請求項18或19之方法，其中依一空間解析方式判定被固定且繞著該旋轉軸旋轉之該物件與平行於該物件平面之一量測平面相距之一距離。
  24. 如請求項23之方法，其中從該所判定之距離且使用此距離產生一控制信號，該距離定位裝置依使得該物件與該量測平面相距之該所判定距離展現最小空間及/或時序變動之方式驅動。
  25. 如請求項24之方法，其中根據該所判定之距離依使得該支撐力破壞性地干擾該物件之該振盪之方式調變該支撐力。
  26. 如請求項18或19之方法，其中藉由從經引導朝向該物件平面之一超音波焊極陣列輻射之聲波將該支撐力施加至該物件。
  27. 如請求項26之方法，其中將該固定物件配置於該超音波焊極陣列之一輻射表面之近場中。
  28. 如請求項18或19之方法，其中藉由由經引導朝向該物件平面之至少一噴嘴所發射之至少一空氣流將該支撐力施加至該物件。
TW103135090A 2013-10-08 2014-10-08 用於扁平物件之固持及翻轉裝置 TW201535577A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013220252.0A DE102013220252A1 (de) 2013-10-08 2013-10-08 Halte- und Drehvorrichtung für flache Objekte

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201535577A true TW201535577A (zh) 2015-09-16

Family

ID=51786927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103135090A TW201535577A (zh) 2013-10-08 2014-10-08 用於扁平物件之固持及翻轉裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160260631A1 (zh)
DE (1) DE102013220252A1 (zh)
TW (1) TW201535577A (zh)
WO (1) WO2015052118A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110911325A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆传送叶片

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018004436A1 (de) * 2017-06-06 2018-12-06 Solaytec B.V. Wafergreifer-einheit, system und verwendung davon
CN109946307B (zh) * 2019-03-29 2023-10-20 北京城建五建设集团有限公司 一种可伸缩电动转向检查镜及其使用方法
CN114318279B (zh) * 2021-11-17 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种用于反应腔室的电机控制装置及半导体设备
CN114536784B (zh) * 2022-01-29 2023-06-30 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种用于在包边玻璃总成上装配亮饰条的工装
CN115165754B (zh) * 2022-09-07 2022-11-15 江苏三恒科技股份有限公司 一种煤矿用高浓度激光甲烷传感器组件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003277212A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
KR100513276B1 (ko) * 2003-05-23 2005-09-09 삼성전자주식회사 웨이퍼 고정 스핀 척
DE102004036435B4 (de) 2003-08-07 2007-08-30 Nanophotonics Ag Haltevorrichtung für scheibenförmige Objekte
WO2005099350A2 (en) * 2004-04-14 2005-10-27 Coreflow Scientific Solutions Ltd. Non-contact support platforms for distance adjustment
DE102006045866B4 (de) 2006-09-28 2010-08-12 Nanophotonics Ag Halte- und Drehvorrichtung für berührungsempfindliche ebene Objekte
JP2008091770A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Tatsumo Kk ウェハ位置合わせ装置、ウェハ位置合わせシステム、ウェハ位置合わせ方法
TWI348934B (en) * 2007-08-30 2011-09-21 Lam Res Ag Apparatus for wet treatment of plate-like articles
JP5241245B2 (ja) * 2008-01-11 2013-07-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置及び検査方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110911325A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种晶圆传送叶片
CN110911325B (zh) * 2019-11-29 2024-03-26 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种晶圆传送叶片

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015052118A1 (de) 2015-04-16
DE102013220252A1 (de) 2015-04-09
US20160260631A1 (en) 2016-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201535577A (zh) 用於扁平物件之固持及翻轉裝置
JP2690443B2 (ja) 自動焦点装置
US7321108B2 (en) Dynamic focusing method and apparatus
WO2007135857A1 (ja) 形状測定装置用プローブ及び形状測定装置
JP7347939B2 (ja) シリコンウェハの表面の研削修復装置及び研削修復方法
JP7359980B2 (ja) シリコンウェハの研削後表面のレーザー照射修復装置及び修復方法
TW201330169A (zh) 在真空保持中經控制之表面粗糙度
JP6676407B2 (ja) 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置用制振ダンパ
JP4663378B2 (ja) 形状測定装置及び方法
KR102112995B1 (ko) 고처리량 주사 탐침 현미경 장치
KR20100103394A (ko) 형상 측정 장치용 프로브 및 형상 측정 장치
US20140110606A1 (en) Near-field optical defect inspection apparatus
US20210003608A1 (en) Method and system for at least subsurface characterization of a sample
JP2003042742A (ja) 接触式プローブ
JP4922396B2 (ja) 基板の表面の検査用の測定装置および測定方法
JP2004132823A (ja) サンプリング走査プローブ顕微鏡および走査方法
US8197604B2 (en) Method and apparatus for controlling optimal operation of acoustic cleaning
JP6128635B2 (ja) 加工孔の位置測定装置
WO2023112243A1 (ja) 表面検査装置
US20220328341A1 (en) Wafer chuck for handling a wafer
JP2019106509A (ja) 位置検知装置、半導体チップ接着装置、半導体実装装置および位置検知方法
JP2012024771A (ja) 超音波振動接合装置および超音波振動接合方法
JP7257598B2 (ja) 熱接合装置
JP2001124543A (ja) 薄板材の平坦度測定方法および装置
WO2024018937A1 (ja) 接合方法および接合装置