TW201522501A - 樹脂組成物、基板、電子裝置之製造方法及電子裝置 - Google Patents

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Jiaokai Jing
Dong Zhang
Frank W Harris
Hideo Umeda
Ritsuya Kawasaki
Toshihiko Katayama
Yusuke Inoue
Jun Okada
Mizuho Inoue
Manabu Naito
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Abstract

本發明提供一種樹脂組成物及基板，其能夠用於製造具有極佳光取出率的電子裝置。該樹脂組成物包含一聚合物及會溶解該聚合物的溶劑。該樹脂組成物係用於形成一層，且當該層沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz則滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01的關係。又，本發明亦可提供：該電子裝置、以及一種使用此類基板製造該電子裝置的方法。

Description

樹脂組成物、基板、電子裝置之製造方法及電子裝置
本發明係與樹脂組成物、基板、電子裝置、及製造電子裝置之方法相關。
在照明裝置（電子裝置）中，例如有機EL（電致發光）照明裝置及發光二極體照明裝置，在其中使用的基板需要具有透明性。因此，作為此類在照明裝置中使用的基板，已知使用的是由透明樹脂材料形成的基板，透明材料係例如：聚對苯二甲酸乙二酯及聚碳酸酯（例如，專利文件1）。
在此類照明裝置中，當光係從設置在照明裝置中的發光元件發射時，所發射的光將通過透明基板，而接著萃取出照明裝置之外。即，自發光元件發射的光係通過透明基板傳輸出該裝置，而後到達目標物體。以此方式，該目標物體係受到此光照射。因此，所發射的光必需能夠高效率地通過透明基板。即，照明裝置應具有高的光線取出率。
然而，在上述的照明裝置中，對於基板具有大入射角之發射光係完全地被反射。照明裝置中之光線的全反射造成了照明裝置之光取出率傾向變低的問題。
專利文件1：JP-A 2009-289460
本發明之目的係為了提供一種樹脂組成物及基板，其能夠用於製造具有極佳光取出率之電子裝置。本發明之另一目的係為了提供此電子裝置、及使用此類基板製造此電子裝置的方法。
為達成上述目的，本發明包含以下特徵（1）至（26）。
（1）一種樹脂組成物，包含： 一聚合物；及 一溶劑，其溶解該聚合物，     其中該樹脂組成物係用於形成一層，且當該層沿著其二個垂直的面內方向（in-plane direction）的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz係滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01的關係。
（2）根據上述（1）之樹脂組成物，其中該聚合物係一芳香族聚醯胺。
（3）根據上述（2）之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺含有一羧基。
（4）根據上述（2）之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺含有60mol%以上含量的剛性結構。
（5）根據上述（4）之樹脂組成物，其中該剛性結構係一重複單元，其以下列通式表示：或其中n表示1到4的整數；Ar1 係以下列通式（A）或（B）表示： （其中p = 4；R1 、R4 、及R5 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G1 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基）。）；Ar2 係以下列通式（C）或（D）表示： （其中p = 4；R6 、R7 、及R8 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G2 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基）。）；及Ar3 係以下列通式（E）或（F）表示： （其中t = 1至3；R9 、R10 、及R11 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G3 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基）。）。
（6）根據上述（5）之樹脂組成物，其中該剛性結構包含以下各者之至少一者：衍生自4,4’-二氨基-2,2’-雙三氟甲基聯苯胺（PFMB）的結構、衍生自對苯二甲醯氯（TPC）的結構、衍生自4,4’-二氨基二苯甲酸（DADP）的結構、及衍生自3,5-二氨基苯甲酸（DAB）的結構。
（7）根據上述（2）之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺係全芳香族聚醯胺。
（8）根據上述（2）之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺包含可以與環氧基反應之一個以上的官能基，且其中該樹脂組成物更包含一多官能環氧化物。
（9）根據上述（8）之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺之至少一末端係可以與環氧基反應的官能基。
（10）根據上述（8）之樹脂組成物，其中該多官能環氧化物係：包含二個以上環氧丙基環氧基的環氧化物、或包含二個以上脂環族基的環氧化物。
（11）根據上述（8）之樹脂組成物，其中該多官能環氧化物係選自由通式結構（α）和（β）所組成之群組：（其中l表示環氧丙基之數量，及R係選自包含以下之群組：、、、、、、、、及其中m=1至4；及n及s為單元平均數，且各自在0至30間； 其中R12 之每一者係相同或不同的，並係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G4 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基）；R13 係氫或甲基；及R14 係一二價有機基。）（其中環狀結構係選自包含以下之群組：、、、、、、、、、、及其中R15 係具有2至18碳數的烷基鏈，該烷基鏈可為直鏈、分枝鏈、或具有環狀骨架的鏈，且 其中m及n之每一者係1至30間的獨立整數，及a、b、c、d、e、及f之每一者係0至30間的獨立整數。）。
（12）根據上述（8）之樹脂組成物，其中該多官能環氧化物係選自包含以下之群組：及（其中R16 係具有2至18碳數的烷基鏈，該烷基鏈可為直鏈、分枝鏈、或具有環狀骨架的鏈，且 其中t及u之每一者係1至30間的獨立整數。）。
（13）根據上述（2）之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺之至少一末端係封端的（end-capped）。
（14）根據上述（1）之樹脂組成物，其中該層於鈉線（D線）的總光線穿透率係60%以上。
（15）根據上述（1）之樹脂組成物，其中該樹脂組成物更包含一無機填充物。
（16）一種用以在其上形成電子元件的基板，包含： 一基底構件，該基底構件係板狀，且具有一第一表面、及該第一表面相反側的一第二表面；及 一電子元件形成層，其在該基底構件之該第一表面之側形成，該電子元件形成層含有一聚合物，且係設置成能夠在該電子元件形成層上形成該電子元件，     其中當該電子元件形成層沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該電子元件形成層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz係滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01之關係。
（17）根據上述（16）之用以在其上形成電子裝置的基板，其中該電子元件形成層的熱膨脹係數（CTE）係100ppm/K以下。
（18）根據上述（16）之用以在其上形成電子裝置的基板，其中該電子元件形成層的平均厚度係在1至50µm的範圍中。
（19）根據上述（16）之用以在其上形成電子裝置的基板，其中該電子元件係一有機EL元件。
一種電子裝置的製造方法，包含： 製備一基板，該基板包含：     一基底構件，其係板狀且具有一第一表面、及該第一表面相反側的一第二表面；及     一電子元件形成層，其形成在該基底構件之該第一表面之側，且含有一聚合物，         其中當該電子元件形成層沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該電子元件形成層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz係滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01之關係； 在該基底構件相反側之該電子元件形成層的一表面上形成該電子元件； 形成一覆蓋層，以覆蓋該電子元件； 以光線照射該電子元件形成層，藉此在該基底構件及該電子元件形成層之間的介面中自該基底構件剝離該電子元件形成層；及 將包含該電子元件、該覆蓋層、及該電子元件形成層的該電子裝置自該基底構件分離。
（21）根據上述（20）之電子裝置的製造方法，其中該電子元件形成層的熱膨脹係數（CTE）係100ppm/K以下。
（22）根據上述（20）之電子裝置的製造方法，其中該電子元件形成層的平均厚度係在1至50µm的範圍中。
（23）根據上述（20）之電子裝置的製造方法，其中該聚合物係一芳香族聚醯胺。
（24）根據上述（23）之電子裝置的製造方法，其中該芳香族聚醯胺包含一羧基。
（25）根據上述（23）之電子裝置的製造方法，其中該芳香族聚醯胺含有60mol%以上含量的剛性結構。
（26）一種使用上述（20）所定義之方法製造的電子裝置。
根據本發明，吾人能夠以一樹脂組成物形成一層，該樹脂組成物含有一聚合物及能夠溶解該聚合物的溶劑，其中當該層沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz則滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01之關係。使用該樹脂組成物所形成的層係用作形成在電子裝置中的電子元件形成層（基板）。在此電子裝置中，自發光元件發射的光線會通過電子元件形成層，及接著在該電子裝置外部取得。以該層作為形成在電子裝置中的電子元件形成層，則能夠提高自發光元件發射及在此裝置外部取得之光線的光取出率。
在下文中，將依據附圖中所示之較佳的實施例詳述根據本發明之樹脂組成物、基板、電子裝置、及電子裝置製造方法。
首先，在說明根據本發明之樹脂組成物、基板、及電子裝置製造方法之前，吾人將先說明一有機電致發光照明裝置（有機EL照明裝置）及一感應元件，其係以本發明電子裝置的製造方法製造。即，先說明作為本發明電子裝置之範例的有機電致發光照明裝置及感應元件。
＜有機EL照明裝置＞ 首先，描述應用本發明電子裝置製造方法所製造的有機電致發光照明裝置。圖1係顯示有機電致發光照明裝置之實施例的平面圖，此照明裝置係應用本發明電子裝置的製造方法製造。圖2係圖1中所示之有機電致發光照明裝置的剖面圖，其係沿著圖1之A-A線所截。在以下的描述中，圖1中圖面的正面稱為「上部」，而圖1中圖面的背面稱為「下部」；且圖2中的上側稱為「上部」，而圖2中的下側稱為「下部」。
圖1和2中所示之有機EL照明裝置1包含：由本發明樹脂組成物所形成的樹脂膜（電子元件形成層）A、複數個發光元件C、及一密封部分B。
在有機EL照明裝置1中，在其中形成封閉空間的外殼係由樹脂膜A和密封部分B所構成，且發光元件C係設置在此外殼的封閉空間內部。藉由將發光元件C設置在此外殼的封閉空間中，能夠確保對於發光元件C的氣密性，並藉此能夠避免氧或水氣滲透至發光元件C。
在此實施例中，此外殼的封閉空間中具有九個發光元件（有機EL元件）C。各個發光元件C在其平面視圖上具有一正方形。在此封閉空間中的九個發光元件C係設置在樹脂膜A 上，以便以規則的間隔排列成網狀圖案（3×3的矩陣圖案）。
如圖2所示，具有此結構的有機EL照明裝置1可被視為是具有一結構的照明裝置，該結構係用於從樹脂膜A的一側（通過樹脂膜A）取得由發光元件C發射的光。
如以上所述，複數個發光元件C係設置在樹脂膜（電子元件形成層）A上，以形成網狀圖形。
在此實施例中，各個發光元件C包含：一陽極302、一陰極306、一電洞傳輸層303、一發光層304、及一電子傳輸層305。陽極302及陰極306係設置成彼此面對。又，電洞傳輸層303、發光層304、及電子傳輸層305係以此順序在陽極302及陰極306之間自陽極302層疊。
在具有此類結構的有機EL照明裝置1中，自發光元件C發射的光通過樹脂膜A，而後在該有機EL照明裝置1外取得。即，自發光元件C發射的光會通過樹脂膜A傳送出有機EL照明裝置1，而後到達目標物體。以此方式，該目標物體係受到此光照射。藉由適當地將各個發光元件C之發光層304中所包含的此類發光材料等加以組合，則能夠獲得能夠發射預定顏色的有機EL照明裝置1。
＜感應元件＞ 接著，將描述應用本發明電子裝置之製造方法製造的感應元件。圖3係顯示該感應元件之實施例的剖面圖，該感應元件係應用本發明電子裝置的製造方法加以製造。在以下的描述中，圖3中的上側稱為「上部」，而圖3的下側稱為「下部」。
本發明的感應元件係例如可以用於輸入元件中的感應元件。在本發明之一個以上的實施例中，本發明的感應元件係包含樹脂膜（電子元件形成層）A的感應元件，該樹脂膜A係由本發明樹脂組成物形成。在本發明之一個以上的實施例中，本發明的感應元件係形成在樹脂膜A上的感應元件，此樹脂膜A係位於基底構件500上。在本發明之一個以上的實施例中，本發明的感應元件係可以自基底構件500剝離的感應元件。
本發明感應元件之範例包含：用於捕捉圖像的光學感應元件、用於感測電磁波的電磁感應元件、用於感測像是X射線之輻射的輻射感應元件、用於感測磁場的磁性感應元件、用於感測電容電荷改變的電容感應元件、用於感測壓力變化的壓力感應元件、觸控感應元件、及壓電感應元件。
使用本發明感應元件之輸入元件的範例包含：使用輻射（X射線）感應元件的輻射（X射線）成像元件、使用光學感應元件的可見光成像元件、使用磁性感應元件的磁性感應元件、使用觸控感應元件或壓力感應元件的觸控面板、使用光學感應元件的手指認證元件、及使用壓電感應元件的發光元件。使用本發明感應元件的輸入元件更可具有輸出元件的功能，如顯示功能等。
在下文中，將描述作為本發明感應元件之一範例的光學感應元件，其包含光電二極體。
圖3中所示的感應元件10包含：樹脂膜（電子元件形成層）A，由本發明樹脂組成物所形成；及複數個畫素電路11，其形成在樹脂膜A上。
在此感應元件10中，各個畫素電路11包含：一光電二極體（光電轉換元件）11A；及一個薄膜電晶體（TFT）11B，其用作此光電二極體11A的驅動元件。藉由使用各個光電二極體11A感測通過樹脂膜A的光，感應元件10可以用作一光學感應元件。
閘極絕緣膜21係在樹脂膜A上形成。閘極絕緣膜21係由單層膜或層疊的膜構成，該單層膜包含氧化矽（SiO2 ）膜、氮氧化矽（SiON的）膜、及氮化矽（SiN）膜之任一者，該層疊的膜包含上述這些膜之二者以上。第一中間層絕緣膜12A係在閘極絕緣膜21上形成。第一中間層絕緣膜12A係由氧化矽膜、氮化矽膜、或類似者所構成。此第一中間層絕緣膜12A 亦可以用作保護膜（鈍化膜），以覆蓋將於以下描述之薄膜電晶體11B的頂部。
光電二極體11A透過閘極絕緣膜21及第一中間層絕緣膜12A形成在樹脂膜A的一選擇性區域上。光電二極體11A包含：一下部電極24（其形成在第一中間層絕緣膜12A上）、一n型半導體層25N、一i型半導體層25I、一p型半導體層25P、一上部電極26、及一接線層27。下部電極24、 n型半導體層25N、i型半導體層25I、p型半導體層25P、上部電極26、及接線層27係以此順序自第一中間層絕緣膜12A之側層疊。
上部電極26係用作電極，用於在光電轉換期間對一光電轉換層供應例如一參考電位（偏壓電位）。光電轉換層係由n型半導體層25N、i型半導體層25I、及p型半導體層25P構成。上部電極26係連接到接線層27，接線層27係用作電力供應佈線，用以供應參考電位。上部電極26係由ITO（銦錫氧化物）等之透明導電膜構成。
薄膜電晶體11B係由例如場效電晶體（FET）構成。薄膜電晶體11B包含：一閘極電極20、一閘極絕緣膜21、一半導體膜22、一源極電極23S、及一汲極電極23D。
閘極電極20係由鈦（Ti）、Al、Mo、鎢（W）、鉻（Cr）等形成 ，且係形成在樹脂膜A上。閘極絕緣膜21係形成在閘極電極20上。半導體層22具有一通道區，且係形成在閘極絕緣膜 21上。源極電極23S及汲極電極23D係形成在半導體膜22上。在此實施例中，汲極電極23D係連接至該光電二極體的下部電極24，而​​源極電極23S係連接到感應元件10 的中繼電極（relay electrode）28。
又，在此實施例的感應元件10中，一第二中間層絕緣膜12B、一第一平坦化膜13A、一保護膜14、及一第二平坦化膜13B係以此順序在光電二極體11A及薄膜電晶體11B上層疊。又，一開口3係形成在第一平坦化膜13A上，以對應於在其上形成光電二極體11A之選擇性區域的周圍。
在具有此類結構的感應元件10中，由外傳送至感應元件10中的光會通過樹脂膜A，而到達光電二極體11A。因此，能夠感測由外傳送至感應元件10中的光。
（有機EL照明裝置1或感應元件10的製造方法） 具有上述結構的有機EL照明裝置1，或具有上述結構的感應元件10，係藉由例如使用以下本發明之樹脂組成物加以製造。亦即，有機EL照明裝置1或感應元件10可藉由使用本發明的電子裝置之製造方法製造。
圖4係一垂直剖面圖，其說明圖1及2中所示之有機電致發光照明裝置或圖3中所示之感應元件的製造方法（本發明電子裝置的製造方法）。在以下的描述中，圖4中的上側將稱為「上部」，而圖4中的下側將稱為「下部」。
首先，說明圖1和2中所示之有機電致發光照明裝置1的製造方法。 [1]首先，製備一基板（本發明的基板）。該基板（本發明的基板）包含：一板狀的基底構件500，具有一第一表面及該第一表面相反側的一第二表面；及樹脂膜（電子元件形成層）A。樹脂膜A係形成在基底構件500之第一表面側。
[1-A]首先，製備基底構件500，其具有第一表面和第二表面，以及具有透光性。
例如，玻璃、金屬、矽氧樹脂、樹脂等等係用作基底構件500的構成材料。這些材料可單獨地使用，或適當地兩者以上組合使用。
[1-B]接著，將樹脂膜A形成在基底構件500的第一表面（一表面）上。 因此， 將獲得包含基底構件500及樹脂膜A（圖4中的疊層複合材料）的基板。
本發明的樹脂組成物係用於形成樹脂膜A。本發明的樹脂組成物包含：一聚合物、及會溶解此聚合物的一溶劑。藉由使用此類樹脂組成物，將形成含有此聚合物的樹脂膜（電子元件形成層）A，其中當樹脂膜A沿著其二個垂直的面內方向（in-plane direction）的折射率（波長：589.3 nm）係分別定義為「Nx」及「Ny」之時，以及當樹脂膜A沿著其一厚度方向的折射率（波長：589.3 nm）係定義為「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01之關係。
樹脂膜A的形成方法之範例包含一種方法，其中藉由使用一種模塗（die coat）法，在基底構件500的第一表面上供給樹脂組成物（清漆）（如圖4（A）所示），並隨後將該樹脂組成物乾燥及加熱（參照圖4（B））。
就此而言，應當注意的是，在基底構件500的第一表面上供給樹脂組成物的方法並不限定於模塗法。各種不同的液相膜形成方法（例如：噴墨法、旋塗法、棒塗法、輥塗法、線棒塗法、及浸塗法）亦可用作此類方法。
又，如以上所述，本發明的樹脂組成物包含：一聚合物、及會溶解此聚合物的溶劑。藉由使用此類樹脂組成物，則能夠獲得含有此聚合物且滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01關係的樹脂膜A。隨後將說明本發明的樹脂組成物。
在本發明之一個以上的實施例中，就彎曲變形的抑制及/或尺寸穩定性的提升而言，樹脂膜A之加熱處理係進行在溶劑沸點約+40℃至溶劑沸點約+100℃的溫度範圍下，更佳是在溶劑沸點約+60℃至溶劑沸點約+80℃的溫度範圍下，甚至更佳是在溶劑沸點約+70℃下。在本發明之一個以上的實施例中，就彎曲變形的抑制及/或尺寸穩定性的提升而言，在步驟[1-B]中的加熱處理溫度係在約200至250℃的範圍內。在本發明之一個以上的實施例中，就彎曲變形的抑制及/或尺寸穩定性的提升而言，在步驟[1-B]中的加熱時間（持續時間）係在大於約1分鐘但小於約30分鐘的範圍內。
又，步驟[1-B]（此步驟中：樹脂膜A係形成在基底構件500上）可以包含：在乾燥及加熱樹脂組成物之後的固化樹脂膜A之步驟。樹脂膜A的固化溫度係取決於加熱設備的效能，但較佳是在220至420℃的範圍內，更佳是在280至400℃的範圍內，又更佳是在330至370℃的範圍內，且甚至更佳是在340至370℃的範圍內。樹脂膜A 的固化時間 （持續時間）係在5至300分鐘或30至240分鐘的範圍內。
[2]接著，將9個（複數個）發光元件（電子元件）C形成在樹脂膜A（其係形成在獲得的基板中）上，以形成網狀圖案。
[2-A]首先，在網狀圖案中，將陽極302（個別電極）形成在樹脂膜A上。
[2-B]接著，將各個電洞傳輸層303形成在對應的陽極302上，以覆蓋陽極302。
[2-C]接著，將各個發光層304形成在對應的電洞傳輸層303上，以覆蓋電洞傳輸層303。
[2-D]接著，將各個電子傳輸層305係形成在對應的發光層304上，以覆蓋發光層304。
[2-E]接著，將各個陰極306形成在對應的電子傳輸層305上，以覆蓋電子傳輸層305。
就此而言，在步驟[2-A]至[2-E]中所形成的各個層係可藉由使用氣相膜形成法（例如：濺射法、真空沉積法、及CVD法）、或液相膜形成法（例如：噴墨法、旋塗法、及澆鑄法）形成。
[3]接著，製備密封部分B。接著，將密封部分B設置在樹脂膜A上，以覆蓋發光元件C之每一者。在此方式中，外殼的封閉空間係由樹脂膜A及密封部分B形成。在此封閉空間中，發光元件C係以樹脂膜A及密封部分B加以密封。
就此而言，可以藉由在樹脂膜A及密封部分B之間插入一黏著劑，而後乾燥此黏著劑，以執行上述使用樹脂膜A及密封部分B的密封步驟。
藉由完成上述步驟[1]至[3]，包含樹脂膜A、發光元件C、及密封部分B的有機EL照明裝置1會在基底構件500上形成（參照圖4（C））。
[4]接著，樹脂膜（電子元件形成層）A會受到來自基底構件500之側的光線照射。
藉由如此，樹脂膜A會從基底構件500及樹脂膜A間之介面中的基底構件500的第一表面剝離。
於是，有機EL照明裝置（電子裝置）1會與基底構件500分離（參照圖4（D））。
照射樹脂膜A的光線不特別限制於特定的種類，只要樹脂膜A可藉由以該光線照射樹脂膜A而自基底構件500及樹脂膜A間介面中的基底構件500的第一表面剝離。此光線較佳是雷射光。藉由使用雷射光，能夠在基底構件500及樹脂膜A間介面中，自基底構件500可靠地剝離樹脂膜A。
又，雷射光的範例包含：脈衝振盪類型或連續發光類型的激光雷射、二氧化碳雷射、YAG雷射、及YVO4 雷射。
藉由執行上述步驟[1]至[4]，能夠獲得自基底構件500剝離的有機EL照明裝置1。
接著，說明圖3中所示之感應元件的製造方法。 [1]首先，以與圖1和2所示之有機電致發光照明裝置1的製造方法相同的方式製備基板（本發明之基板），其包含基底構件500及形成在該基底構件500上之樹脂膜（電子元件形成層）A。因為在基底構件500上形成樹脂膜A的步驟係與上述有機電致發光照明裝置1之製造方法的步驟相同，故在此省略說明在基底構件500上形成樹脂膜A 的步驟（參照圖4（A）及4（B））。
[2]接著，上述感應元件10係形成在樹脂膜A上，而樹脂膜A係形成在所獲得的基板上。用以在樹脂膜A上形成感應元件10的方法並未特別限制於特定的方法。感應元件10於樹脂膜A上的形成可以經適當選出及修正的合適習知方法進行，以製造出期望的感應元件。
藉由進行上述步驟[1]至[2]，包含樹脂膜A及畫素電路11的感應元件10係形成在基底構件500上（參照圖4（C））。
[3]接著，樹脂膜（電子元件形成層）A受到來自基底構件500側的光線照射，而使感應元件（電子裝置）10自基底構件500剝離（參照圖4（D））。因為 使感應元件10自基底構件500剝離的步驟係與上述使有機EL照明裝置1自基底構件500剝離的步驟相同，故在此省略說明用以使感應元件10自基底構件500剝離的步驟。
藉由進行上述步驟[1]至[3]，能夠獲得從基底構件500剝離的感應元件10。
在具有上述結構之有機EL照明裝置1中，自發光元件C發射的光必需能夠高效率地通過樹脂膜A。然而，對於樹脂膜A具有大入射角的發射光將完全地被反射。在此有機照明裝置1中的光線全反射造成了有機EL照明裝置1之光取出率傾向變低的問題。
在具有上述結構之感應元件10中，自外部傳送至感應元件10中的的光必需能夠高效率地通過樹脂膜A。然而，對於樹脂膜A具有大入射角的發射光將完全地被反射。在此感應元件10中的光線全反射造成了感應元件10之光導入率傾向變低的問題。
在此，當樹脂膜A沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義為「Nx」及「Ny」之時，當樹脂膜A沿著其一厚度方向的折射率係定義為「Nz」之時，以及當樹脂膜A的厚度係定義為「d」之時，樹脂膜A沿著其厚度方向的相差「Rth」（厚度方向相差）係以下列公式（1）表示： Rth = {(Nx+Ny)/2-Nz}‧d     (1)
本發明聚焦於Rth值（厚度方向相差），且仔細地檢視Rth值（厚度方向相差）與光線入射到樹脂膜A的全反射之間的關係。因此，本案發明者發現能夠藉由將上述公式(1)中包含的「(Nx+Ny)/2-Nz」之值（即：面外雙折射率 (Δnout )）設定成大於0.01（即：藉由滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01的關係），而解決上述的問題。具體來說本案發明者發現即使自發光元件C發射的光對樹脂膜A具有大的入射角，吾人亦能夠藉由將「(Nx+Ny)/2-Nz」之值設定成滿足上述關係，而適當地抑制或避免光線的全反射，而藉此提升上述有機EL照明裝置1的光取出率以及感應元件10的光導入率。基於此發現，本案發明者完成了本發明。
如以上所述，具有上述結構的樹脂膜A可以藉由使用本發明的樹脂組成物形成，此樹脂組成物含有：一聚合物及會溶解此聚合物的溶劑。在下文中，將詳細地說明本發明樹脂組成物中所包含的構成材料。
[聚合物] 此聚合物係用作樹脂膜（電子元件形成層）A的主要材料，該樹脂膜A係由樹脂組成物所構成。此聚合物係包含在樹脂組成物中，以形成樹脂膜A，而滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01的關係。
如上所述，只要樹脂膜A可以滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01的關係，則此聚合物不用特別限制於特定的種類。此聚合物的範例包含：芳香族聚醯胺、及脂環族聚醯胺。這些聚合物可以單獨地或二者以上組合使用。在這些聚合物中，較佳是將芳香族聚醯胺用作為聚合物。藉由使用芳香族聚醯胺作為聚合物，則能夠容易地形成樹脂膜A，以滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01的關係。又，亦能夠藉由對樹脂膜A照射光而在基底構件500及樹脂膜A間介面中有效率地執行樹脂膜A的剝離。
較佳地，該芳香族聚醯胺是含有可以與環氧基反應之一個以上官能基的芳香族聚醯胺。又，較佳地，含有可以與環氧基反應之一個以上官能基的芳香族聚醯胺係含有羧基的芳香族聚醯胺。因為芳香族聚醯胺含有羧基，故能夠提升所形成之樹脂膜A的耐溶劑性。藉由提升樹脂膜A的耐溶劑性，能夠擴大當在樹脂膜A上形成發光元件C時所使用之液態材料的選擇範圍。
又，較佳地，該芳香族聚醯胺是一種全芳香族聚醯胺。藉由使用全芳香族聚醯胺作為樹脂膜A的聚合物，則能夠確實地將所形成之樹脂膜A的「(Nx+Ny)/2-Nz」數值設定在上述範圍內。就此而言，要注意的是，全芳香族聚醯胺係指：在芳香族聚醯胺主鏈中所包含的所有醯胺鍵係經由芳香族基團（芳香環）彼此鍵結，而非經由一鏈或環脂族基團彼此鍵結。
基於上述情況，較佳地，芳香族聚醯胺具有以下列通式（Ⅰ）所表示的重複單元：其中，x表示1以上的整數；Ar1 係以下列通式（II）或（III）表示：（其中p=4；R1 、R4 及R5 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G1 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））；及Ar2 係以下列通式（IV）或（V）表示： （其中p=4；R6 、R7 、及R8 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G2 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基）。）。
又，關於含有羧基的芳香族聚醯胺，較佳地，含有羧基的芳香族聚醯胺具有以下列通式（VI）表示的第一重複單元，及具有以下列通式（Ⅶ）表示的第二重複單元：其中x表示第一重複單元的mol%，y表示第二重複單元的mol%，n表示1至4的整數，Ar1 係以下列通式（Ⅷ）或（Ⅷ'）表示：（其中p=4；R1 、R4 、及R5 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G1 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））；Ar2 係以下列通式（IX）或（X）表示：（其中p=4；R6 、R7 、及R8 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G2 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））；且Ar3 係以下列通式（XI）或（XII）表示：（其中t=1至3；R9 、R10 、及R11 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G3 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））。
關於含有羧基的芳香族聚醯胺，在本發明之一個以上的實施例中，所選擇的是通式（Ⅵ）和（VII），使得此芳香族聚醯胺可溶於一極性溶劑或含有一個以上極性溶劑的混合溶劑中。在本發明之一個以上的實施例中，通式（VI）中之x係在90.0至99.99mol%的範圍內改變，而通式（VII）中之y係在10.0至0.01mol%的範圍內改變。在本發明之一個以上的實施例中，通式（VI）中之x 係在90.1至99.9mol%的範圍內改變，而通式（VII）中之y 係在9.9至0.1mol％的範圍內改變。在本發明之一個以上的實施例中，通式（VI）中之x 係在90.0至99.0mol%的範圍內改變，而通式（VII）中之y 係在10.0至1.0mol%的範圍內改變。在本發明之一個以上的實施例中，通式（VI）中之x 係在92.0至98.0mol%的範圍內改變，而通式（VII）中之y 係在8.0至2.0mol%的範圍內改變。在本發明之一個以上的實施例中，芳香族聚醯胺含有以通式（Ⅵ）和（Ⅶ）表示的多個重複單元，其中Ar1 、Ar2 、及Ar3 可為彼此相同或彼此不同。
又，芳香族聚醯胺包含較佳是60mol%以上的剛性結構（剛性成分），且更佳是95mol%以上的剛性結構（剛性成分）。藉由將芳香族聚醯胺中的剛性結構量設定在上述範圍內，則能夠進一步地提升芳香族聚醯胺的可結晶性。如此能夠更確實地形成樹脂膜A，以滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01的關係。
在本說明書中，剛性結構係指：構成芳香族聚醯胺的一單體成分（重複單元）在此芳香族聚醯胺的主結構（骨架 ）中具有線性。具體來說，剛性結構係以通式（Ⅰ）、通式（VI）、或通式（Ⅶ）表示的重複單元。又，以通式（Ⅰ）、通式（VI）、或通式（Ⅶ）表示之重複單元中的Ar1 係以下列通式（A）或（B）表示： （其中p=4；R1 、R4 、及R5 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G1 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））；及以通式（Ⅰ）、或通式（VI）表示之重複單元中的Ar2 係以下列通式（C）或（D）表示： （其中p=4；R6 、R7 、及R8 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G2 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））；及以通式（Ⅶ）表示之重複單元中的Ar3 係以下列通式（E）或（F）表示： （其中t=1至3；R9 、R10 、及R11 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G3 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））。
Ar1 的具體範例包含衍生自對苯二甲醯氯（TPC）的結構；Ar2 的具體範例包含衍生自4，4’-二氨基-2，2’-雙三氟甲基聯苯胺（PFMB）的結構；及Ar3 的具體範例包含衍生自以下之結構：衍生自4，4’-二氨基二苯甲酸（DADP）的結構、及衍生自3，5-二氨基苯甲酸（DAB）的結構。
又，芳香族聚醯胺的數目平均分子量（Mn）較佳是6.0×104 以上，更佳是6.5×104 以上，更佳是7.0×104 以上，又更佳是7.5×104 以上，且甚至更佳是8.0×104 以上。又，芳香族聚醯胺的數目平均分子量較佳是1.0×106 以下，更佳是8.0×105 以下，又更佳是6.0×105 以下，且甚至更佳是4.0×105 以下。藉由使用滿足上述條件的芳香族聚醯胺，樹脂膜A則能夠確實地提供作為有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能。又，亦能夠確實地將樹脂膜A的「(Nx+Ny)/2-Nz」數值設定在上述範圍內。
在本說明書中，芳香族聚醯胺的數目平均分子量（Mn）及重量平均分子量（Mw）係以膠透層析術量測。具體來說，它們係使用以下範例中的方法量測。
又，芳香族聚醯胺的分子量分佈（=Mw / Mn）較佳是5.0以下，更佳是4.0以下，更佳是3.0以下，又更佳是2.8以下，又更佳是2.6以下，且甚至更佳是2.4以下。又，芳香族聚醯胺的分子量分佈較佳是2.0以上。藉由使用滿足上述條件的芳香族聚醯胺，樹脂膜A則能夠確實地提供作為有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能。又，亦能夠確實地將樹脂膜A的「(Nx+Ny)/2-Nz」數值設定在上述範圍內。
此外，較佳地，該芳香族聚醯胺係經由在芳香族聚醯胺合成之後將其再沉澱析出之步驟而獲得。藉由使用經由此再沉澱析出的步驟而獲得之芳香族聚醯胺，樹脂膜A則能夠確實地提供作為有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能。又，亦能夠確實地將樹脂膜A的「(Nx+Ny)/2-Nz」數值設定在上述範圍內。
在本發明之一個以上的實施例中，此聚合物之一末端的-COOH基及一末端的-NH2 基之一者或二者係加以封端的。由膜（即，樹脂膜A）的耐熱性提升觀點來看，末端較佳是加以封端的。此聚合物的末端可藉由將其與苯甲醯氯反應（在此聚合物的各末端係-NH2 的情況下）而封端，或將其與苯胺反應（在此聚合物的各末端係-COOH的情況下）而封端。然而，封端的方法不限於此方法。
[無機填充物] 樹脂組成物除了包含聚合物外，亦可包含無機填充物，該無機填充物之量係使得當樹脂膜A以上述有機EL照明裝置1或感應元件10的製造方法自基底構件500剝離時，該樹脂膜A不會破裂。藉由使用含有無機填充物的樹脂組成物，則能夠降低樹脂膜A的熱膨脹係數。
此無機填充物並未特別限制於特定的種類，但較佳是形成微粒形狀，或較佳是由一纖維所構成。
又，只要此無機填充物的構成材料係一種無機材料，則此構成材料不用特別限制於特定的材料。此類無機填充物構成材料之範例包含：金屬氧化物，例如二氧化矽、氧化鋁、及氧化鈦；礦物，例如雲母；玻璃；及以上的混合物。這些材料可以單獨地或二者以上組合使用。就此而言，玻璃種類的範例包含：E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、低介電係數玻璃、及高介電係數玻璃。
在無機填充物係由纖維所構成的實例中，纖維的平均纖維直徑較佳是在1至1000nm的範圍內。藉由使用含有此無機纖維（其具有上述平均纖維直徑）的樹脂組成物，樹脂膜A則能夠確實地提供作為有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能。又，亦能夠確實地將樹脂膜A的「(Nx+Ny)/2-Nz」數值設定在上述範圍內。
在此，纖維可由單纖維形成。其中所包含的單纖維係排列成不會彼此平行，且彼此充分間隔開來，使得基質樹脂的液態前驅物能夠進入這些單纖維之間。在此情況下，平均纖維直徑係對應單纖維的平均直徑。又，纖維可以構成複數個單纖維係束綁於其中的一纖維線。在此情況下，平均的纖維直徑係定義成纖維線直徑的平均值。具體來說，平均纖維直徑係以範例中的方法測定。又，從提升膜透明度的觀點來看，纖維的平均纖維直徑較佳係為小。又，樹脂組成物（聚合物溶液）中所包含的聚合物之折射率以及無機填充物的折射率較佳是彼此相近。例如，在用作纖維之材料的折射率與聚合物的折射率在589nm的波長上係相差0.01以下的情況下，不論纖維的直徑為何，皆能夠形成具有高透明度的膜。又，平均纖維直徑的量測方法之範例係包含：以一種以電子顯微鏡觀察纖維的方法。
又，在無機填充物係形成微粒形狀的實例中，微粒的平均微粒尺寸較佳是在1至1000nm的範圍內。藉由使用含有微粒形狀（其具有上述平均微粒尺寸）之無機填充物的樹脂組成物，樹脂膜A則能夠確實地提供作為有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能。又，亦能夠確實地將樹脂膜A的「(Nx+Ny)/2-Nz」數值設定在上述範圍內。
於此，微粒的平均微粒尺寸係指對應於平均投影圓（projection circle）的直徑。具體來說，微粒的平均微粒尺寸係以範例中的方法量測。
各個微粒形狀並未特別限制於特定的形狀。此類形狀之範例包含：球形、完美球形、桿形、板形、及以上的組合形狀。藉由使用具有此類形狀的無機填充物，則能夠確實地將樹脂膜A的「(Nx+Ny)/2-Nz」數值設定在上述範圍內。
又，該微粒的平均微粒尺寸較佳係小的。又，樹脂組成物（聚合物溶液）中所包含的聚合物折射率以及無機填充物的折射率較佳是彼此相近。如此情形能夠進一步地提升樹脂膜A的透明度。例如，在用作微粒之材料的折射率與聚合物的折射率在589nm的波長上係相差0.01以下的情況下，不論微粒的尺寸為何，皆能夠形成具有高透明度的樹脂膜A。又，平均微粒尺寸的量測方法之範例包含：一種使用微粒尺寸分析器量測平均微粒尺寸的方法。
於樹脂組成物（聚合物溶液）中所含有的固態物質中之無機填充物的比例並未特別限制於特定的值，但較佳是在1至50的體積%範圍內，更佳是在2至40的體積%範圍內，且甚至更佳是在3至30的體積%範圍內。另一方面，於樹脂組成物（聚合物溶液）中所含有的固態物質中之聚合物的比例並未特別限制於特定的值，但較佳是在50至99的體積%範圍內，更佳是在60至98的體積%範圍內，且甚至更佳是在70至97的體積%範圍內。
就此而言，應注意的是，在說明書中，「固態物質」係指包含在樹脂組成物中除了溶劑以外的成分。固態物質的體積換算、無機填充物的體積換算、及/或聚合物的體積換算可由製備聚合物溶液時之各個成分的使用量而計算出。或者，它們亦可藉由自聚合物溶液移除溶劑來計算 。
[環氧化物試劑] 此外，如有需要，樹脂組成物除了聚合物外亦可以包含環氧化物試劑，以在上述有機EL照明裝置1或感應元件10的製造方法中促進樹脂組成物的固化。較佳地，添加到此樹脂組成物的環氧化物試劑係一多官能環氧化物。
在本發明之一個以上的實施例中，多官能環氧化物係：含有兩個以上環氧丙基環氧基（glycidyl epoxy）的環氧化物、或含有兩個以上脂環族基的環氧化物。
在本發明之一個以上的實施例中，多官能環氧化物係選自具有通式結構（α）和（β）的基團：（其中1表示環氧丙基的數目，及R係選自包含以下基團之群組：、、、、、、、、及其中m=1至4；而n及s為單元平均數，且各自在0至30間； 其中R12 之每一者係相同或不同的，且係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G4 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基）；R13 係一氫或甲基；而R14 係一二價有機基團）。（其中環狀結構係選自包含以下各者之群組：、、、、、、、、、、、及其中R15 係具有2至18碳數的烷基鏈，該烷基鏈可為直鏈、分枝鏈、或具有環狀骨架的鏈，且 其中m及n之每一者係1至30間的獨立整數，及a、b、c、d、e、及f之每一者係0至30間的獨立整數。）。
在本發明之一個以上的實施例中，多官能環氧化物係選自包含以下之基團：及（其中R16 係具有2至18碳數的烷基鏈，該烷基鏈可為直鏈、分枝鏈、或具有環狀骨架的鏈，且 其中t及u之每一者係1至30間的獨立整數。）。
[其他成分] 此外，在有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能不會受到損害，且樹脂膜A可以滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01之關係的程度下，如有需要，樹脂組成物可含有：抗氧化劑、紫外線吸收劑、染料、色素、填充物（例如其他的無機填充物）等等。
[固態物質的含量] 樹脂組成物中所含有的固態物質的比例較佳是1體積%以上，更佳是2體積%以上，且甚至更佳是3體積%以上。又，樹脂組成物中所含有的固態物質的比例較佳是40體積%以下，更佳是30體積%以下，且甚至更佳是20體積%以下。藉由將樹脂組成物中所含有的固態物質之比例設定在上述的範圍內，樹脂膜A則能夠確實地提供作為有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能。又，能夠確實地形成樹脂膜A，以滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01的關係。
[溶劑] 能夠溶解聚合物的溶劑係用作用於製備含有樹脂組成物之清漆（液態材料）的溶劑。
在本發明之一個以上的實施例中，就聚合物對溶劑之溶解度的提升而言，該溶劑較佳是一極性溶劑、或含有一種以上極性溶劑的混合溶劑。在本發明之一個以上的實施例中，就聚合物對溶劑之溶解度的提升及樹脂膜A與基底構件500之間附著性的提升而言，溶劑較佳是：甲酚、 N, N-二甲基乙醯胺（DMAc）、 N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）、二甲基亞碸（DMSO）、 1,3-二甲基-咪唑啉酮（DMI）、 N, N-二甲基甲醯胺（DMF）、丁基賽路蘇（BCS）、 γ-丁內酯（GBL）、或一混合溶劑（其含有以下至少一者：甲酚、N, N-二甲基乙醯胺（DMAc）中、N- ​​甲基-2-吡咯烷酮（NMP）、二甲基亞碸（DMSO）、1,3-二甲基-咪唑啉酮（DMI）、N, N-二甲基甲醯胺（DMF）、丁基賽路蘇（BCS）、及γ丁內酯（GBL））、以上的一組合、或含有以上之極性溶劑至少一者的一混合溶劑。
[樹脂組成物的製造方法] 上述樹脂組成物係可藉由例如使用包含下列步驟（a）至（e）的製造方法製造。
在下文中，將說明一實例，在此實例中，含有可與環氧基反應之至少一個官能基的芳香族聚醯胺係用作聚合物，且樹脂組成物係包含無機填充物。
然而，本發明的樹脂組成物並無限制於以下列製造方法所製造的樹脂組成物。
進行步驟（a），以藉由將至少一芳香族二胺溶解在一溶劑中，獲得一混合物。進行步驟（b），以藉由在該混合物中將該至少一芳香族二胺與至少一芳香族二醯氯（dicarboxylic acid dichloride）反應，獲得游離氫氯酸及聚醯胺溶液。進行步驟（c），藉由使用捕捉試劑的反應，以移除該混合液中的游離氫氯酸。進行步驟（d），以將無機填充物添加至該混合液。進行步驟（e）（為一選用性步驟），以將環氧化物添加至混合物。
在本發明之聚醯胺溶液製造方法的一個以上實施例中，芳香族二醯氯之範例包含以下列通式（ⅩⅢ）及（ⅩⅣ）表示的化合物： （其中p=4；R1 、R4 、及R5 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及G1 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基））。
具體來說，上述芳香族二醯氯之範例包含下列化合物。
對苯二甲醯氯（TPC）
間苯二甲醯氯（IPC）
4,4’-聯苯二甲醯氯（BPDC）
在本發明之聚醯胺溶液製造方法的一個以上實施例中，芳香族二胺之範例包含以下列通式（XV）至（ⅩVIII）表示的化合物：其中p=4，m=1或2，及t=1至3；且其中R6 、R7 、R8 、R9 、R10 、及R11 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基（例如：鹵代烷基）、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基（例如：鹵代烷氧基）、芳香基、經取代芳香基（例如：鹵代芳香基）、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；各個R6 係相同或不同，各個R7 係相同或不同，各個R8 係相同或不同，各個R9 係相同或不同，各個R10 係相同或不同，各個R11 係相同或不同；及G2 及G3 之每一者係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基，例如：苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-聯苯芴基、及經取代9,9-聯苯芴基）。
具體來說，上述芳香族二胺之範例包含下列化合物。
4,4’-二氨基-2,2’-雙三氟甲基聯苯胺（PFMB）
9,9-雙(4-氨基苯基)芴（FDA）
9,9-雙(3-氟-4-氨基苯基)芴（FFDA）
4,4’-二氨基二苯甲酸（DADP）
3,5-二氨基苯甲酸（DAB）
4,4’-二氨基-2,2’-雙三氟甲氧基聯苯胺（PFMOB）
4,4’-二氨基-2,2’-雙三氟甲基二苯基醚（6FODA）
雙(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯（6FOQDA）
雙(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)聯苯（6FOBDA）
4,4’-二氨基二苯碸（DDS） 關於二氨基二苯碸（DDS），二氨基二苯碸可為以上述化學式表示之4,4’-二氨基二苯碸、3,3’-二氨基二苯碸、或2,2’-二氨基二苯碸。
在本發明之聚醯胺溶液製造方法的一個以上實施例中，可以與環氧基反應之官能基係大於總二胺混合液之約1mol%且小於總二胺混合液之約10mol%。在本發明之聚醯胺溶液製造方法的一個以上實施例中，芳香族二胺（其含有可以與環氧基反應之官能基）的官能基係羧基。在本發明之聚醯胺溶液製造方法的一個以上實施例中，該等二胺之一者係4,4’-二氨基二苯甲酸、或3,5-二氨基苯甲酸。在本發明之聚醯胺溶液製造方法的一個以上實施例中，芳香族二胺（其含有可以與環氧基反應之官能基）的官能基係羥基。
在本發明之聚醯胺溶液製造方法的一個以上實施例中，芳香族聚醯胺係於溶劑中經由縮合聚合反應製備，其中在此反應中產生的氫氯酸係受到像是環氧丙烷（PrO）之捕捉試劑捕捉。
在本發明之一個以上實施例中，氫氯酸與捕捉試劑的反應會產生一揮發性產物。
在本發明之一個以上實施例中，就此方法中之聚醯胺溶液的使用而言，捕捉試劑係環氧丙烷。在本發明之一個以上實施例中，捕捉試劑係在步驟（c）之前或期間添加至該混合物。藉由在步驟（c）之前或期間添加該捕捉試劑，能夠降低在步驟（c）後之混合物中的黏滯性程度及縮合的產生，而藉此提升聚醯胺溶液的產率。這些效應在該捕捉試劑係例如環氧丙烷的有機試劑時將變得特別顯著。
在本發明之一個以上的實施例中，就樹脂膜A耐熱性性質之提升而言，該方法更包含：將芳香族聚醯胺之末端-COOH基及末端-NH2 之一者或二者加以封端的步驟。芳香族聚醯胺的末端可藉由將其與苯甲醯氯反應（在此芳香族聚醯胺的各末端係-NH2 的情況下），或藉由將其與苯胺反應（在此芳香族聚醯胺的各末端係-COOH的情況下）而封端。然而，封端的方法不限制於此方法。
在本發明之一個以上的實施例中，多官能環氧化物係選自酚類環氧化物及環脂族環氧化物之群組。在本發明之一個以上的實施例中，多官能環氧化物係選自包含以下之群組：環己烷-1,2-二羧酸二水甘油酯（diglycidyl 1,2-cyclohexanedicarboxylate）、異氰尿酸三縮水甘油酯（triglycidyl isocyanurate）、四水甘油基-4,4’二氨基二苯基甲烷（tetraglycidyl 4,4'-diaminophenylmethane）、2,2-雙-(4-甘胺氧苯)丙烷（2,2-bis(4-glycidyloxylphenyl)propane）及其較高分子量的同源物、酚醛環氧化物（novolac epoxides）、7H-茚并[1,2-b:5,6-b']雙環氧乙烯8氫（7H-[1,2-b:5,6-b’]bisoxireneoctahydro）、3,4-環氧環己基甲基-3,4-環氧環己基甲酸酯（epoxycyclohexylmethyl 3,4-epoxycyclohexanecarboxylate）。在本發明之一個以上的實施例中，多官能環氧化物之含量係在聚醯胺之約2至10%重量的範圍內。
在本發明之一個以上實施例中，就此方法中之聚醯胺溶液的使用而言，芳香族聚醯胺首先會在無機填充物及/或多官能環氧化物之添加之前，藉由在溶劑中再沉澱析出及再溶解，而自聚醯胺溶液分離出來。
再沉澱析出可以藉由習知方法實行。在本發明之一個以上實施例中，可以藉由將芳香族聚醯胺添加至例如甲醇、乙醇、異丙醇等而沉澱析出芳香族聚醯胺；清洗該芳香族聚醯胺；及將該芳香族聚醯胺再溶解至溶劑，以實行再沉澱析出。
上述之溶劑可以用作用以產生聚合物溶液之溶劑。
在本發明之一個以上實施例中，就此方法中之聚醯胺溶液的使用而言，該聚醯胺溶液係製作成使得該溶液不具有無機鹽。
藉由採用上述步驟，可製造出樹脂組成物。
又，以上述步驟獲得之樹脂組成物所形成的樹脂膜A係含有該聚合物。因此，能夠形成滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.01關係的樹脂膜A。具體來說，樹脂膜A較佳是滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.02的關係，更佳是滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.03的關係，且甚至更佳是滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」＞ 0.05的關係。藉由形成滿足上述條件的樹脂膜A，能夠進一步地提升通過樹脂膜A之光的光取出率。
此外，以樹脂組成物形成之樹脂膜A於鈉線（D線）之總光線穿透率較佳是設定在60%以上，更佳是在65%以上，又更佳是在70%以上，且甚至更佳是在80%以上。藉由將樹脂膜A的總光線穿透率設定在上述範圍內，樹脂膜A可以具有極佳的光取出率。根據本發明，因為樹脂膜A包含聚合物，故能夠輕易地獲得具有落入上述如此範圍之總光線穿透率的樹脂膜A。
樹脂膜A的熱膨脹係數（CTE）較佳是100.0 ppm/K以下，更佳是80ppm/K以下，又更佳是60ppm/K以下，且甚至更佳是40ppm/K以下。就此而言，應注意的是，樹脂膜A的CTE係可以熱性質分析儀（TMA）測得。藉由將樹脂膜A的CTE設定在上述範圍內，能夠確實地在包含基底構件500及樹脂膜A的基板中抑制或避免彎曲。因此，能夠提升藉由使用此類基板所獲得之有機EL照明裝置1或感應元件10的產率比。
在樹脂膜A含有無機填充物的實例中，樹脂膜A中含有的無機填充物量相對於樹脂膜A的體積較佳是在1至50的體積%範圍內，更佳是在2至40的體積%範圍內，且甚至更佳是在3至30的體積%範圍內。藉由對樹脂膜A添加上述含量的無機填充物，能夠輕易地將「(Nx+Ny)/2-Nz」之值及CTE設定在上述的範圍內。就此而言，樹脂膜A的體積換算、及/或無機填充物的體積換算可個別由製備樹脂組成物時之成分的使用量而計算出，或者，它們亦可藉由量測樹脂膜A的體積而獲得 。
又，樹脂膜A的平均厚度並無特別限制於一特定值，但較佳是50μm以下，更佳是30μm以下，且甚至更佳是20μm以下。此外，平均厚度較佳是1μm以上，更較佳是2μm以上，且甚至更佳是3μm以上。藉由使用具有上述平均厚度的樹脂膜A，樹脂膜A能夠確實地提供作為有機EL照明裝置1或感應元件10中之基層的功能。又，亦能夠確實地抑制或避免裂痕在樹脂膜A中產生。
在此實施例中，發光元件C（發光區域）的形狀以其平面視圖看來係正方形，但並非限制於此。其形狀可以是任意的形狀，例如：多邊形（如：三角形、六邊形）、及圓形（如：精確的圓形、橢圓形）。
雖然已根據實施例說明本發明之樹脂組成物、基板、電子裝置的製造方法、及電子裝置，惟本發明不限於此。
例如，在本發明之樹脂組成物及基板中，各個構件係可以能夠提供相同功能之任意構件替換。或者，可將任意的構件添加至樹脂組成物及基板。
又，在本發明之電子裝置的製造方法中，為了任意目的，可進一步地增加一個以上的步驟。
又，在上述實施方式中，本發明之電子裝置的製造方法是用於製造：有機EL照明裝置，其包含有機EL元件作為發光元件；及感應元件，其包含光電二極體。然而，本發明之電子裝置的製造方法不限於此。例如，本發明之電子裝置的製造方法不僅可用於製造其他照明裝置，例如包含發光二極體作為發光元件的發光二極體照明裝置，亦可用於製造各種電子裝置，例如：輸入元件，包含一感應元件作為電子元件；顯示元件，包含一顯示元件作為電子元件；光學元件，包含一光學元件作為電子元件；及太陽能電池，包含一光電轉換元件作為電子元件。範例
在下文中，將依據具體的範例，詳細說明本發明。
1. 樹脂組成物之製備及樹脂膜之形成 [範例1] [樹脂組成物之製備] ＜1＞將PFMB（3.2024 g，0.01 mol）、及DMAc（30 ml）添加到配有機械攪拌器、氮氣入口及出口之250 ml三頸圓底燒瓶，以獲得一溶液。
＜2＞在PFMB完全溶解之後，將PrO（1.4 g，0.024 mol）加到該溶液。接著，將該溶液冷卻到0o C。
＜3＞在攪拌的情況下，將TPC（1.485 g，0.00700 mol）、及IPC（0.636 g，0.0030 mol）添加到該溶液，並接著以DMAc（1.5 ml）沖洗燒瓶壁。
＜4＞在二小時之後，將苯甲醯氯（0.032g，0.23 mmol）添加到該溶液，並再攪拌二小時。
[樹脂膜（聚醯胺膜）之形成] 以製備出的樹脂組成物，在玻璃基板上形成一樹脂膜。
亦即，首先，該樹脂組成物係以旋塗法塗佈至一平坦玻璃基板（10 cm×10 cm，「EAGLE XG」，由U.S.A.，Corning Inc.所生產）上。
接著，將該樹脂組成物在60℃溫度下乾燥30分鐘以上，而獲得一膜。接著，將溫度由60℃升高至350℃。藉由在真空氛圍或惰性氛圍下，將350℃的溫度維持30分鐘，而對該膜進行固化處理。藉由如此，一樹脂膜將在玻璃基板上形成。
就此而言，樹脂膜的厚度係23µm。
[範例2] 範例2之樹脂組成物係以與範例1相同的方式製備，除了將TPC及IPC的組合改變成TPC（0.955 g，0.00450 mol）及IPC（1.166 g，0.00550 mol）之另一組合，來作為步驟＜3＞中所使用之二氯化物之成分。之後，以與範例1相同的方式，使用樹脂組成物，在玻璃基板上形成範例2之樹脂膜。
就此而言，所獲得之樹脂膜的厚度係25µm。
[範例3] 範例3之樹脂組成物係以與範例1相同的方式製備，除了在步驟＜1＞中，將PFMB及DMAc的組合改變成PFMB (3.042g，0.0095 mol)、 DAB (0.0761g，0.0005 mol) 及 DMAc (30 ml)之另一組合。之後，以與範例1相同的方式，使用樹脂組成物，在玻璃基板上形成範例3之樹脂膜。
就此而言，所獲得之樹脂膜的厚度係22µm。
[範例4] 範例4之樹脂組成物係以與範例3相同的方式製備，除了將TPC改變成TPC（0.955 g，0.00450 mol）及IPC（1.166 g，0.00550 mol）之組合，來作為步驟＜3＞中所使用之二氯化物之成分。之後，以與範例1相同的方式，使用樹脂組成物，在玻璃基板上形成範例4之樹脂膜。
就此而言，所獲得之樹脂膜的厚度係21µm。
[範例5] 範例5之樹脂組成物係以與範例3相同的方式製備，除了在步驟＜4＞之後，進一步地進行下列步驟＜5＞： ＜5＞添加相對於樹脂組成物（聚醯胺）重量7%的TG（異氰尿酸三縮水甘油酯），並攪拌二小時。
之後，以與範例3相同的方式，在玻璃基板上形成範例5之樹脂膜，除了將固化溫度改變成280℃。
就此而言，所獲得之樹脂膜的厚度係10µm。
[比較範例1] 比較範例1之樹脂組成物係以與範例1相同的方式製備，除了將TPC及IPC的組合改變成TPC（0.000 g，0.00000 mol）及IPC（2.121 g， 0.01000 mol）之另一組合，來作為步驟＜3＞中所使用之二氯化物之成分。之後，以與範例1相同的方式，使用樹脂組成物，在玻璃基板上形成比較範例1之樹脂膜。
就此而言，所獲得之樹脂膜的厚度係22µm。
[比較範例2] 比較範例2之樹脂組成物係以與範例3相同的方式製備，除了將TPC及IPC的組合改變成TPC（0.000 g，0.00000 mol）及IPC（2.121 g， 0.01000 mol）之另一組合，來作為步驟＜3＞中所使用之二氯化物之成分。之後，以與範例1相同的方式，使用樹脂組成物，在玻璃基板上形成比較範例2之樹脂膜。
就此而言，所獲得之樹脂膜的厚度係19µm。
2.評估 自該等範例及該等比較範例之每一者的樹脂組成物而獲得之樹脂膜係依據下列方法評估。
[總光線穿透率] 樹脂膜於D線（鈉線）的總光線穿透率係以霧度計（「NDH-2000」，由NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES CO.，LTD.所製造。）量測。
[雙折射率] 樹脂膜的「(Nx+Ny)/2-Nz」值係如以下所示加以取得。首先，使用一相差量測設備（「KOBRA-21 ADH」，由Oji Scientific Instruments所製造），以波長色散量測模式（其中所使用的是具有479.2 nm波長的光線、具有545.4 nm波長的光線、具有630.3 nm 波長的光線、及具有748.9nm波長的光線）量測在0∘及40∘之間的樹脂膜相差。接著，使用Sellmeier公式計算出在550nm波長上於0∘及40∘間的樹脂膜相差。在550nm波長上的「(Nx+Ny)/2-Nz」值係根據樹脂膜的相差值及折射率獲得。
以下表1中將顯示樹脂膜的總光線穿透率以及「(Nx+Ny)/2-Nz」值，其中樹脂膜係由上述該等範例及該等比較範例之每一者所獲得之樹脂組成物形成。接著，評估以下結果。
表1
如表1中所示，在該等範例中所獲得之各樹脂膜中，樹脂膜的「(Nx+Ny)/2-Nz」值係大於0.01。相反地，在該等比較性範例中所獲得之各樹脂膜則無法滿足如此的關係。
又，在該等範例中所獲得之各樹脂膜具有高總光線穿透率。
1‧‧‧照明裝置
3‧‧‧開口
10‧‧‧感應元件
11‧‧‧畫素電路
11A‧‧‧光電二極體（光電轉換元件）
11B‧‧‧薄膜電晶體（TFT）
12A‧‧‧第一中間層絕緣膜
12B‧‧‧第二中間層絕緣膜
13A‧‧‧第一平坦化膜
13B‧‧‧第二平坦化膜
14‧‧‧保護膜
20‧‧‧閘極電極
21‧‧‧閘極絕緣膜
22‧‧‧半導體膜（層）
23S‧‧‧源極電極
23D‧‧‧汲極電極
24‧‧‧下部電極
25N‧‧‧n型半導體層
25I‧‧‧i型半導體層
25P‧‧‧p型半導體層
26‧‧‧上部電極
27‧‧‧接線層
28‧‧‧中繼電極
302‧‧‧陽極
303‧‧‧電洞傳輸層
304‧‧‧發光層
305‧‧‧電子傳輸層
306‧‧‧陰極
500‧‧‧基底構件
圖1係顯示一有機電致發光照明裝置之實施例的平面圖，該裝置係應用本發明電子裝置的製造方法製造。
圖2係圖1中所示之有機電致發光照明裝置的剖面圖，其係沿著圖1之A-A線所截。
圖3係顯示一感應元件之實施例的剖面圖，此感應元件係藉由應用本發明電子裝置的製造方法製造。
圖4一垂直剖面圖，其用以說明在圖1及2中所示之有機電致發光照明裝置或圖3中所示之感應元件的製造方法（本發明電子裝置的製造方法）。
500‧‧‧基底構件

Claims (26)

  1. 一種樹脂組成物，包含：     一聚合物；及     一溶劑，其溶解該聚合物，         其中該樹脂組成物係用於形成一層，且當該層沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz係滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01的關係。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中該聚合物係一芳香族聚醯胺。
  3. 如申請專利範圍第2項之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺含有一羧基。
  4. 如申請專利範圍第2項之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺含有60mol%以上含量的剛性結構。
  5. 如申請專利範圍第4項之樹脂組成物，其中該剛性結構係一重複單元，其以下列通式表示：或其中n為1到4的整數，Ar1 係以下列通式（A）或（B）表示： 其中p = 4；R1 、R4 、及R5 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基、芳香基、經取代芳香基、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及         G1 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基（Z表示芳香基或經取代芳香基）；     Ar2 係以下列通式（C）或（D）表示： 其中p = 4；R6 、R7 、及R8 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基、芳香基、經取代芳香基、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及         G2 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基（Z表示芳香基或經取代芳香基）；及     Ar3 係以下列通式（E）或（F）表示： 其中t = 1至3；R9 、R10 、及R11 之每一者係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基、芳香基、經取代芳香基、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及         G3 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基（Z表示芳香基或經取代芳香基）。
  6. 如申請專利範圍第5項之樹脂組成物，其中該剛性結構包含以下各者之至少一者：衍生自4,4’-二氨基-2,2’-雙三氟甲基聯苯胺（PFMB）的結構、衍生自對苯二甲醯氯（TPC）的結構、衍生自4,4’-二氨基二苯甲酸（DADP）的結構、及衍生自3,5-二氨基苯甲酸（DAB）的結構。
  7. 如申請專利範圍第2項之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺係全芳香族聚醯胺。
  8. 如申請專利範圍第2項之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺包含可以與環氧基反應之一個以上的官能基，且其中該樹脂組成物更包含一多官能環氧化物。
  9. 如申請專利範圍第8項之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺之至少一末端係可以與環氧基反應的官能基。
  10. 如申請專利範圍第8項之樹脂組成物，其中該多官能環氧化物係：包含二個以上環氧丙基環氧基的環氧化物、或包含二個以上脂環族基的環氧化物。
  11. 如申請專利範圍第8項之樹脂組成物，其中該多官能環氧化物係選自由通式結構（α）和（β）所組成之群組：其中l表示環氧丙基之數量，及R係選自包含以下之群組：、、、、、、、、及其中m=1至4；及n及s為單元平均數，且各自在0至30間；         其中R12 之每一者係相同或不同的，且係選自由以下各者組成之群組：氫原子、鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子、及碘原子）、烷基、經取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、經取代烷氧基、芳香基、經取代芳香基、烷基酯基團、經取代烷基酯基團、及以上的組合；及         G4 係選自由以下各者組成之群組：共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基（X表示鹵素原子）、CO基、氧原子、硫原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-芴基、經取代9,9-芴基、 及OZO基團（Z表示芳香基或經取代芳香基）；         R13 係一氫或甲基；及         R14 係一二價有機基；其中環狀結構係選自包含以下之群組：、、、、、、、、、、及其中R15 係具有2至18碳數的一烷基鏈，該烷基鏈可為直鏈、分枝鏈、或具有環狀骨架的鏈；且         其中m及n之每一者係1至30間的獨立整數，及a、b、c、d、e、及f之每一者係0至30間的獨立整數。
  12. 如申請專利範圍第8項之樹脂組成物，其中該多官能環氧化物係選自包含以下之群組：及其中R16 係具有2至18碳數的一烷基鏈，該烷基鏈可為直鏈、分枝鏈、或具有環狀骨架的鏈，且     其中t及u之每一者係1至30間的獨立整數。
  13. 如申請專利範圍第2項之樹脂組成物，其中該芳香族聚醯胺之至少一末端係封端的。
  14. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中該層於鈉線（D線）的總光線穿透率係60%以上。
  15. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中該樹脂組成物更包含一無機填充物。
  16. 一種用以在其上形成電子元件的基板，包含：     一基底構件，其係板狀，且具有一第一表面、及該第一表面相反側的一第二表面；及     一電子元件形成層，其在該基底構件之該第一表面之側形成，該電子元件形成層含有一聚合物，且係設置成能夠在該電子元件形成層上形成該電子元件，         其中當該電子元件形成層沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該電子元件形成層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz係滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01之關係。
  17. 如申請專利範圍第16項之用以在其上形成電子元件的基板，其中該電子元件形成層的熱膨脹係數（CTE）係100ppm/K以下。
  18. 如申請專利範圍第16項之用以在其上形成電子元件的基板，其中該電子元件形成層的平均厚度係在1至50µm的範圍中。
  19. 如申請專利範圍第16項之用以在其上形成電子元件的基板，其中該電子元件係一有機EL元件。
  20. 一種電子裝置的製造方法，包含：     製備一基板，該基板包含：         一基底構件，其係板狀，且具有一第一表面、及該第一表面相反側的一第二表面；及         一電子元件形成層，其形成在該基底構件之該第一表面之側，且含有一聚合物，             其中當該電子元件形成層沿著其二個垂直的面內方向的折射率係分別定義成「Nx」及「Ny」之時，以及當該電子元件形成層沿著其一厚度方向的折射率係定義成「Nz」之時，Nx、Ny、及 Nz係滿足「(Nx+Ny)/2-Nz」 ＞ 0.01之關係；     在該基底構件相反側之該電子元件形成層的一表面上形成該電子元件；     形成一覆蓋層，以覆蓋該電子元件；     以光線照射該電子元件形成層，藉此在該基底構件及該電子元件形成層之間的介面中自該基底構件剝離該電子元件形成層；及     將包含該電子元件、該覆蓋層、及該電子元件形成層的該電子裝置自該基底構件分離。
  21. 如申請專利範圍第20項之電子裝置的製造方法，其中該電子元件形成層的熱膨脹係數（CTE）係100ppm/K以下。
  22. 如申請專利範圍第20項之電子裝置的製造方法，其中該電子元件形成層的平均厚度係在1至50µm的範圍中。
  23. 如申請專利範圍第20項之電子裝置的製造方法，其中該聚合物係一芳香族聚醯胺。
  24. 如申請專利範圍第23項之電子裝置的製造方法，其中該芳香族聚醯胺包含一羧基。
  25. 如申請專利範圍第23項之電子裝置的製造方法，其中該芳香族聚醯胺含有60mol%以上含量的剛性結構。
  26. 一種電子裝置，使用申請專利範圍第20項所定義之方法製造。
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