TW201518893A - 溫度控制裝置及振盪裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種溫度控制裝置及振盪裝置。溫度控制裝置構成為，設置飽和處理電路部，並將上限值存儲到可改寫的存儲器，飽和處理電路部包含：用來將運算部的輸出值限制為上限值的數位電路。若增大上限值的值，那麼被加熱體的溫度穩定時間被縮短，另外，加熱器的最大電流變大。若縮小上限值的值，那麼被加熱體的溫度穩定時間變長，另外，加熱器的最大電流變小。由於可自由地設定存儲器內的上限值的值，所以可調整啟動時縮短晶體振子的溫度穩定時間與抑制加熱器的最大電流的優先級。振盪裝置的製造商可容易地製作與每個用戶對優先級的要求相應的振盪裝置。

Description

溫度控制裝置及振盪裝置

本發明是有關於一種將被加熱器(heater)加熱的被加熱體的溫度控制為目標溫度的技術。

存在利用加熱器將電子零件加熱至固定溫度、以謀求電子零件的特性的穩定化的情況；作為所述電子零件的一例，可以舉出所謂的附帶恒溫槽(oven)的晶體振盪器(OCXO)。由於晶體振子的頻率會根據溫度而變動，所以當對輸出頻率要求高穩定度時，可使用這種類型(type)的晶體振盪器。

在OCXO中，利用設置在晶體振子附近的溫度檢測部，而檢測晶體振子的環境溫度，根據環境溫度進行加熱器的調節來控制頻率振盪部的環境溫度。因此，啟動OCXO後，頻率振盪部的環境溫度一邊將向與設定溫度相比為高溫側的過衝(overshoot)及向與設定溫度相比為低溫側的下衝(undershoot)反覆，一邊不斷接近設定值。此時，在OCXO中流動的啟動電流的最大值、及直至頻率穩定為止所需要的時間是由構成OCXO的電路的電晶體(transistor)或電阻等硬件 (hardware)的配置佈局(layout)或規格(spec)所決定。然而，根據顧客的使用用途不同，所要求的啟動時間或啟動電流不同，所以必須按照顧客的要求重組硬件構成，進行振盪器的調整。

在專利文獻1中，雖然記載有利用反饋(feedback)控制，來抑制啟動電流的過衝或下衝的技術，但是並未使啟動電流的大小或啟動所需要的時間為可變。

[背景技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2001-75605號公報

本發明是在這種情況的前提下而完成，其目的在於提供一種溫度控制裝置，所述溫度控制裝置是控制對加熱器的供給電力來控制溫度，並且可在溫度的穩定所需要的時間與啟動電流的大小之間選擇優先級。另外，另一個目的在於提供一種振盪裝置，可在直至晶體振子的振盪頻率穩定為止所需要的時間與啟動電流的大小之間選擇優先級。

本發明的溫度控制裝置是將被加熱器加熱的被加熱體的溫度控制為目標溫度，其特徵在於包括：溫度檢測部，檢測對應於所述被加熱體的溫度；差分運算部，求出數位值，所述數位值對應於由所述溫度檢測部檢測出的溫度檢測值與目標溫度的差分值； 調節部，將由所述差分運算部運算出的數位值作為輸入值，而算出操作量，並將操作量以數位值的形式輸出；飽和處理電路部，連接於所述調節部的後段，所述飽和處理電路部包括：用來將所述調節部的輸出值限制為預先設定的上限值的數位電路；可改寫的存儲部，用來存儲所述上限值，且將所述上限值從所述可改寫的存儲部的存儲區域讀出，並輸入到所述飽和處理電路部；以及轉換部，用來將所述飽和處理電路部的輸出值轉換成類比信號，並將所述模擬信號作為控制指令值而輸出到所述加熱器。

本發明的振盪裝置的特徵在於包括：所述溫度控制裝置；振盪電路，連接於成為被加熱體的晶體振子；以及連接部，用來與外部計算機連接，所述外部計算機是用來將存儲於存儲部的上限值進行改寫。

本發明的溫度控制裝置是構成為，設置：飽和處理電路部，並將上限值存儲到可改寫的存儲部，所述飽和處理電路部包括：用來將調節部的輸出值限制為上限值的數位電路。如果增大上限值的值，那麼被加熱體的溫度穩定時間被縮短，另一方面，加熱器的最大電流變大；相反，如果縮小上限值的值，那麼被加熱體的溫度穩定時間變長，另一方面，加熱器的最大電流變小。因此，根據本發明，可以自由地設定或者選擇存儲部內的上限值的值，所以可調整啟動時縮短被加熱體的溫度穩定時間與抑制加熱器的最大電流的優先級。另外，當 將本發明應用於使用了晶體振子的振盪裝置時，可以調整啟動時縮短振盪頻率的穩定時間與抑制加熱器的最大電流的優先級。因此，振盪裝置的製造商可以容易地製作與每個用戶對所述優先級的要求相應的振盪裝置。

1‧‧‧第一振盪電路

2‧‧‧第二振盪電路

3‧‧‧頻率差檢測部

4‧‧‧飽和處理電路部

5‧‧‧加熱器

6‧‧‧調節部

8‧‧‧存儲器

9‧‧‧外部計算機

10‧‧‧第一晶體振子

11、12‧‧‧電極

20‧‧‧第二晶體振子

21、22‧‧‧電極

31‧‧‧正反電路

32‧‧‧單觸發電路

33‧‧‧鎖存電路

34‧‧‧環路濾波器

35‧‧‧加法部

36‧‧‧DDS電路部

37‧‧‧平均化電路

41、42‧‧‧數位比較器

43‧‧‧選擇器

60‧‧‧第一加法部

61‧‧‧P運算部

62‧‧‧I運算部

63‧‧‧第二加法部

65‧‧‧D/A轉換器

80‧‧‧控制器

81‧‧‧CPU

82‧‧‧接口

83‧‧‧總線

84‧‧‧連接端子部

f1、f2‧‧‧頻率

IN1~IN3‧‧‧輸入端

S1、S2‧‧‧端子

Xb‧‧‧晶體片

△fr‧‧‧差分

圖1是表示包括本發明的實施方式的溫度控制裝置的OCXO的構成的框圖。

圖2是設置於所述溫度控制裝置的頻率差檢測部的框圖。

圖3是所述頻率差檢測部的輸入輸出波形的說明圖。

圖4是表示頻率檢測部的數位輸出值與溫度的關係的特性圖。

圖5是設置於所述溫度控制裝置的飽和處理電路部的框圖。

圖6是表示距離實施例的OCXO的啟動的經過時間相對的啟動電流的特性圖。

圖7是表示距離實施例的OCXO的啟動的經過時間相對的啟動電流的特性圖。

圖1是表示使用了本發明的實施方式的溫度控制裝置的振盪裝置的整體的框圖。此振盪裝置是構成為OCXO。振盪裝置包括：第一晶體振子10及第二晶體振子20，這些第一晶體振子10及第二晶體振子20是使用共用的晶體片Xb構成。用於第一晶體振子10的晶體片也可以是與用於第二晶體振子20的晶體片不同的晶體片。

將例如長方形狀的晶體片Xb在長度方向上分割成兩個部分，在各分割區域(振動區域)的正面與背面兩面設置用於激振的電極。因此，由其中一個分割區域與一對電極(電極11、電極12)構成第一晶體振子10，由另一個分割區域與一對電極(電極21、電極22)構成第二晶體振子20。因此，第一晶體振子10及第二晶體振子20可以稱為經熱耦合而成的晶體振子。

在第一晶體振子10及第二晶體振子20，分別連接著第一振盪電路1及第二振盪電路2。這些振盪電路1、振盪電路2的輸出均可以是例如晶體振子10、晶體振子20的諧波(overtone)(高次諧波)，也可以是基波。

此處，為了方便起見，如果從第一振盪電路1輸出了頻率f1的頻率信號，從第二振盪電路2輸出了頻率f2的頻率信號，那麼頻率f1的頻率信號作為例如振盪裝置的振盪輸出而被輸出到外部。圖1中，3為頻率差檢測部，概略來說，該頻率差檢測部3是用來提取f1與f2的差分和△fr的差分、即f2-f1-△fr的電路部。△fr是基準溫度例如25℃時f1(f1r)與f2(f2r)的差分。如果舉出f1與f2的差分的一例，那麼例如為數MHz。本發明是通過利用頻率差檢測部3計算△F而完成，所述△F是對應於f1與f2的差分的值、和對應於基準溫度例如25℃時f1與f2的差分的值的差分。在該實施方式的情況下，更詳細來說，由頻率差檢測部3獲得的值為{(f2-f1)/f1}-{(f2r-f1r)/f1r}。

圖2表示頻率差檢測部3的具體例。31為正反電路(flip-flop circuit，F/F電路)，向該正反電路31的其中一個輸入端輸入來自第一振盪電路1的頻率f1的頻率信號，向另一個輸入端輸入來自第二振盪電路2的頻率f2的頻率信號，利用來自第一振盪電路1的頻率f1的頻 率信號以鎖存(latch)來自第二振盪電路2的頻率f2的頻率信號。以下，為了避免記載變得冗長，f1、f2是處理為表示頻率或者頻率信號本身。從正反電路31輸出：具有對應於f1與f2的頻率差的值、即(f2-f1)/f1的頻率的信號。

在正反電路31的後段，設置單觸發(one-shot)電路32，在單觸發電路32中，利用從正反電路31獲得的脈衝(pulse)信號中的上升，來輸出單觸發的脈衝。圖3的(a)~(d)是表示到此為止的一連串信號的時序圖(time chart)。單觸發電路32是相當於設置在本例的頻率差檢測部3的脈衝製作部。

在單觸發電路32的後段設置鎖相環路(Phase Locked Loop，PLL)，該PLL包含：鎖存電路33、具有積分功能的環路濾波器(loop filter)34、加法部35及直接數位合成器(Direct Digital Synthesizer，DDS)電路部36。鎖存電路33是用來：利用從單觸發電路32輸出的脈衝，將從DDS電路部36輸出的鋸齒波進行鎖存的電路，鎖存電路33的輸出是：輸出所述脈衝的時序(timing)中的所述鋸齒波的信號電平(signal level)。環路濾波器34將該信號電平即直流電壓進行積分，加法部35將該直流電壓與對應於△fr(基準溫度例如25℃時f1與f2的差分)的直流電壓相加。將對應於△fr的直流電壓的數據(data)存儲到例如未圖示的存儲器(memory)。另外，在環路濾波器34的輸出側，設置著求出預先設定的時間的輸入值的移動平均的平均化電路37。

圖4表示頻率差檢測部3的數位(Digital)輸出值與溫度的關係，可知該輸出與溫度成直線關係。因此，頻率差檢測部3的輸出值(數位值)可以對應於晶體振子10、晶體振子20所處的溫度的檢 測值。因此，晶體振子10、晶體振子20、振盪電路1、振盪電路2及頻率差檢測部3是用來獲得數位的溫度檢測值的溫度檢測部。

回到圖1進行說明，在頻率差檢測部3的後段設置著差分運算部、即第一加法部60。例如在AT切割的晶體振子中，頻率與溫度的關係為三次曲線，頻率在-40℃附近出現峰值(peak)，在85℃附近出現谷值(bottom)。在本例的溫度控制裝置中，目標溫度例如為85℃。

如圖4所示，由溫度檢測部獲得的數位輸出值(頻率差檢測部3的數位輸出值)隨著溫度上升，而從正值減小至負值。因此，第一加法部60是：使來自頻率差檢測部的數位值與對應於溫度目標值的數位值相加而獲得的相加值即數位值，成為對應於從目標溫度減去當時的溫度所得的溫度差的大小。也就是說，隨著溫度從-40℃接近例如目標溫度85℃，第一加法部60的相加值減小。因此，第一加法部60可以稱為：求出溫度目標值與溫度檢測值的差分的差分運算部。

在第一加法部60的後段，連接著調節部(運算部)6，所述調節部(運算部)6是根據由所述第一加法部60運算出的差分值，而進行操作量的運算，所述操作量是用來調節對加熱器5的供電量。運算部6包括：P運算部61，為了獲得與差分值的大小成比例的操作量，而將該差分值乘以比例增益；I運算部62，包含運算差分值的時間積分值的積分電路；以及第二加法部63，將P運算部61及I運算部62的輸出相加。

在運算部6的後段，連接著飽和處理電路部4。飽和處理電路部4是成為如下設定部的電路，即：所述設定部是用來設定相當於供給至加熱器5的直流電壓的、從運算部6輸出的值(輸入值)的上 限值與下限值。飽和處理電路部4是構成為，當輸入值小於下限值時輸出下限值，當輸入值大於上限值時輸出上限值，當輸入值處於下限值與上限值之間時，直接將輸入值輸出。

在該例中，如圖5所示，飽和處理電路部4包括：例如，數位比較器(digital comparator)41、數位比較器42及選擇器(selector)43。在其中一個數位比較器41的負輸入端，被輸入有從下述存儲器8讀出的上限值，在另一個數位比較器42的正輸入端，被輸入有從下述存儲器8讀出的下限值。在數位比較器41的正輸入端及數位比較器42的負輸入端，被輸入有輸入值(IN)。該輸入值(IN)是利用加法部63獲得的相加值。另外，將從下述存儲器8讀出的上限值及下限值，分別輸入到選擇器43的端子IN1及端子IN2；將輸入值(IN)分別輸入到選擇器43的端子IN3。將數位比較器41的輸出及數位比較器42的輸出，分別輸入到選擇器43的端子S1、端子S2。

根據輸入到選擇器43的端子S1、端子S2的邏輯值的組合，而選擇內部開關(switch)的打開/關閉(on/off)，且選擇輸入端IN1~輸入端IN3中的一個，並輸出這個輸入端的輸入值。選擇器43是以S1、S2的邏輯值的組與輸出的對應關係成為表一所示的關係的方式構成。表一是表示飽和處理電路部中的邏輯值的對應關係的說明表。

例如在飽和處理電路部4，連接著構成控制部的控制器(controller)80，控制器80包括：存儲器8、中央處理器(central processing unit，CPU)81、及接口(interface)82。此外，圖1中的83為總線(bus)。所述飽和處理電路部4中的上限值與下限值是：以例如16位元(bit)的數位值的形式存儲在存儲器8中，並利用CPU 81從存儲器8分別讀出。接口82是構成為：與成為連接部的連接端子部84連接，在連接端子部84連接外部計算機(computer)9，並可根據來自外部計算機9的命令，而變更存儲在存儲器8中的上限值及下限值。

從選擇器43輸出的信號是被輸入到用來將數位信號轉換成類比(analog)信號的轉換部、即數位類比(Digital-Analog，D/A)轉換器65。D(數位)/A(類比)轉換器65輸出與從選擇器43輸出的數位值相應的量的直流電壓。

在D/A轉換器65的後段，設置著加熱器5。例如，加熱器5包含：電晶體(transistor)，在基極(base)連接D/A轉換器65的輸出端，並且集極(collector)連接於未圖示的電源部；以及電阻，連接於所述電晶體的射極(emitter)與接地(earth)之間。供給至電晶體 的基極的電壓、和電晶體的消耗電力與電阻的消耗電力的合計電力的關係為直線關係，因此，可以基於利用P運算部61、I運算部62獲得的操作量，線性地控制加熱器5的發熱量。在該例中，電晶體也成為加熱器5的一部分，晶體振子10、晶體振子20及加熱器5被存儲在共用的殼體內。

對所述實施方式的作用進行說明。首先，製造商(maker)預先在振盪裝置連接外部計算機9，按照用戶(user)的要求，利用外部計算機9進行存儲在存儲器8中的飽和處理電路部4中的上限值與下限值的設定。將存儲器8的存儲區域所存儲的上限值與下限值分別讀出，並如圖5所示，輸入到飽和處理電路部4。在用戶使用振盪裝置的情況下，考慮例如將輸入到第一加法部60的目標溫度設定為85℃，並在-40℃的環境溫度時使用振盪裝置的情況。也就是說，由第一晶體振子10及第二晶體振子20檢測出的溫度(溫度檢測值)為-40℃。

由運算部6運算出的差分值是相當於目標溫度與溫度檢測值的溫度差(85℃-(-40℃))的較大值，當無飽和處理電路部4時，基於所述差分值而利用運算部6運算出的數位值被輸入到D/A轉換部65，轉換成控制電力並輸入到加熱器5。

因此，加熱器5中瞬間流入大電流而發熱，而使環境溫度從-40℃大幅上升，超過目標溫度即85℃。因此，第一加法部60的相加值、即輸入到運算部6的值減小，在加熱器5中流動的電流減少。因此，當環境溫度超過目標溫度即85℃，第一加法部60的輸出值為0以下時，加熱器5斷開。因此，環境溫度停止上升，轉為降溫而溫度變低，所以因圖1所示的控制環路(loop)的作用而使加熱器5的電流有變大的趨勢。這樣一來，加熱器5的電流大幅過衝、下衝之後， 再次將小的過衝、下衝反覆，而使加熱器5的電流穩定化，環境溫度被維持在目標溫度即85℃。

此處，對設置著飽和處理電路部4的情況進行敘述。當例如目標溫度與溫度檢測值的溫度差大時，從運算部6輸出較大數位值。飽和處理電路部4是：以如上所述的那樣，在加熱器5中流動的電流成為從上限值到下限值為止的範圍內的值的方式構成。因此，即使在從運算部6輸出超過上限值的較大數位值的情況下，從飽和處理電路部4輸出的輸入值成為不超過上限值的值。因此，加熱器5中不會瞬間流入大電流，所以過衝變小。另外，當晶體振子10、晶體振子20的環境溫度超過目標溫度時，第一加法部60的相加值成為負值，而從運算部6輸出較小數位值，但是當輸入值為0時，加熱器5斷開(off)。因為在加熱器5中流動的電流的過衝得到抑制，而使加熱器5的發熱量得到抑制，所以即使在加熱器5的輸出斷開的情況下，晶體振子10、晶體振子20的環境溫度也不會瞬間大幅變化。因此，在加熱器5中流動的電流的下衝得到抑制。

當環境溫度例如為-40℃時，數位值瞬間上升，在加熱器5中流動的電流隨之急劇變大，但是當數位值達到上限值時，所述電流的最大值被限制為與上限值相應的值。因此，所述電流的過衝得到抑制，根據所述上限值的大小，而不會產生過衝。另一方面，當所述上限值變低時，加熱器5的最大發熱量變小，所以環境溫度的升溫速度(speed)變慢，而與不設置飽和處理電路部4的情況相比，直至環境溫度穩定為止所需要的時間變長。因此，當優先選擇以短時間使環境穩定時，只要增大所述上限值即可，當優先選擇縮小在加熱器5中流動的電流的最大值時，只要縮小所述上限值即可。

圖6中表示在所述的振盪裝置中改寫存儲器8而將上限值設定為32767、將下限值設定為-32768時的啟動電流的變化。另外，圖7中表示將上限值設定為2500、將下限值設定為-32768時的啟動電流的變化。此外，在OCXO的情況下，啟動電流的大部分是在加熱器5中流動的電流。

當將圖6與圖7進行比較時，在將上限值設定為較高值的情況下，加熱器5的電流值的上限變高。另外，直至溫度檢測值穩定為止的時間、即啟動時間變短。另一方面，在將上限值設定為較低值的情況下，加熱器5的電流值的上限變低。另外，啟動時間變長。因此，通過變更存儲在存儲器8的上限值的值，可以調整振盪裝置的啟動電流、與直至振盪頻率穩定為止所需要的時間的優先級(priority)。

在所述實施方式中，溫度控制裝置是構成為：設置飽和處理電路部4，並將上限值存儲到可改寫的存儲器8，所述飽和處理電路部4包括用來將運算部6的輸出值限制為上限值的數位電路。如果增大上限值的值，那麼被加熱體的溫度穩定時間被縮短，另一方面，加熱器5的最大電流變大，相反，如果縮小上限值的值，那麼被加熱體的溫度穩定時間變長，另一方面，加熱器5的最大電流變小。因此，可以自由地設定存儲器8內的上限值的值，所以可調整啟動時縮短被加熱體即晶體振子10、晶體振子20的溫度穩定時間與抑制加熱器5的最大電流的優先級。因此，振盪裝置的製造商可以容易地製作與每個用戶對所述優先級的要求相應的振盪裝置。

運算部6並不限定於由P運算部61及I運算部62構成，只要是將第一加法部60的輸出作為輸入、且具備為了順利地進行加熱器5的控制而預先設定的輸入輸出特性的運算部6即可。另外，輸入到 第一加法部60的溫度檢測值並不限定於利用圖1的電路獲得的溫度檢測值，也可以是例如熱敏電阻(thermistor)等溫度檢測器的輸出。在圖5的飽和處理電路部4中，也可以沒有將輸入值限制為下限值的數位比較器42，但在此情況下，是以如下方式構成選擇器43的邏輯電路，即當數位比較器41的輸出值為“0”時，將輸入值(IN)輸出，當數位比較器41的輸出值為“1”時，將上限值輸出。

另外，也可以預先在存儲器8中存儲多個上限值的值，利用外部計算機，選擇規定的值，在此情況下，也相當於可以利用外部計算機9將存儲器8內的上限值改寫的意思。在像這樣構成的情況下，由於可以變更飽和處理電路部4中的上限值，所以可以調整啟動時間與加熱器5的電流值的上限。

本發明的溫度控制裝置並不限定於應用於振盪裝置，也可以應用於以固定溫度將例如被處理體進行加熱處理的加熱處理裝置等。

進而，也可以使用例如暫存器(register)作為可改寫的存儲器8，並從外部計算機9直接寫入上限值。或者並不限定於外部計算機，也可以在裝置中設置輸入操作部，利用該輸入操作部改寫上限值。

1‧‧‧第一振盪電路

2‧‧‧第二振盪電路

3‧‧‧頻率差檢測部

4‧‧‧飽和處理電路部

5‧‧‧加熱器

6‧‧‧調節部

8‧‧‧存儲器

9‧‧‧外部計算機

10‧‧‧第一晶體振子

11、12‧‧‧電極

20‧‧‧第二晶體振子

21、22‧‧‧電極

60‧‧‧第一加法部

61‧‧‧P運算部

62‧‧‧I運算部

63‧‧‧第二加法部

65‧‧‧D/A轉換器

80‧‧‧控制器

81‧‧‧CPU

82‧‧‧接口

83‧‧‧總線

84‧‧‧連接端子部

f1、f2‧‧‧頻率

Xb‧‧‧晶體片

Claims (7)

1. 一種溫度控制裝置，將被加熱器加熱的被加熱體的溫度控制為目標溫度，其特徵在於包括：溫度檢測部，檢測對應於所述被加熱體的溫度；差分運算部，求出數位值，所述數位值對應於由所述溫度檢測部檢測出的溫度檢測值與目標溫度的差分值；調節部，將由所述差分運算部運算出的數位值作為輸入值，而算出操作量，並將操作量以數位值的形式輸出；飽和處理電路部，連接於所述調節部的後段，所述飽和處理電路部包括：用來將所述調節部的輸出值限制為預先所設定的上限值的數位電路；可改寫的存儲部，存儲所述上限值，且將所述上限值從所述可改寫的存儲部的存儲區域讀出，並輸入到所述飽和處理電路部；以及轉換部，用來將所述飽和處理電路部的輸出值轉換成類比信號，並將所述類比信號作為控制指令值而輸出到所述加熱器。
2. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制裝置，更包括：連接部，所述連接部連接了用來對所述存儲部進行上限值的寫入或改寫的外部計算機。
3. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制裝置，其中：所述調節部包括：比例運算部，為了獲得與輸入值成比例的操作量而乘以比例增益； 積分電路，運算輸入值的時間積分值；以及加法部，獲得比例運算部的運算值與積分電路的運算值的相加輸出。
4. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制裝置，其中：所述飽和處理電路部包括：第一數位比較器，一個輸入端被輸入所述預先設定的上限值，另一個輸入端被輸入所述調節部的輸出值；第二數位比較器，一個輸入端被輸入用來限制所述調節部的輸出值的下限的下限值，另一個輸入端被輸入所述調節部的輸出值；以及選擇器，根據所述第一數位比較器及所述第二數位比較器的各輸出值的組合，從所述調節部的輸出值、所述上限值、及所述下限值中進行選擇；且所述下限值被設定為：與溫度檢測值為目標溫度以下時的正負符號相反的符號的值。
5. 如申請專利範圍第1項所述的溫度控制裝置，其中：所述飽和處理電路部包括：第一數位比較器，一個輸入端被輸入所述預先設定的上限值，另一個輸入端被輸入所述調節部的輸出值；以及選擇器，根據所述第一數位比較器的輸出值，從所述調節部的輸出值、及所述上限值中進行選擇。
6. 一種振盪裝置，其特徵在於包括：如申請專利範圍第1項、第3項、第4項或第5項所述的溫度控制裝置； 振盪電路，連接於成為被加熱體的晶體振子；以及連接部，用來與外部計算機連接，所述外部計算機是用來將存儲於存儲部的上限值進行改寫。
7. 如申請專利範圍第6項所述的振盪裝置，其中：所述溫度檢測部包括：第一晶體振子及第二晶體振子；分別使所述第一晶體振子與所述第二晶體振子進行振盪的第一振盪電路及第二振盪電路；以及提取與所述第一振盪電路與所述第二振盪電路的振盪頻率的差分相應的值的電路；且所述溫度檢測部與所述加熱器設置在共用的殼體內。