TW201511152A - 線性掃瞄總成 - Google Patents

Abstract

本發明係關於一種線性掃瞄總成，用以進行一晶圓的掃瞄檢測作業。線性掃瞄總成包含：一承載平台、一線性掃瞄裝置及一線性光源。承載平台具有一通孔，晶圓適可設置於通孔上，使承載平台可移動地承載晶圓。線性掃瞄裝置係設置於承載平台上方，且線性光源係設置於承載平台下方，用以發射一線性光束以經由通孔穿透晶圓。其中，線性掃瞄裝置適可接收穿透晶圓之線性光束，以完成晶圓之掃瞄檢測作業。

Description

線性掃瞄總成 【0001】

本發明係關於一種線性掃瞄總成，特別是關於一種可快速掃瞄、且具有高解析度的線性掃瞄總成。

【0002】

於習知的晶圓檢測方式中，多是將晶圓載入光學檢測儀器後，再以人工的方式檢視光學檢測儀器上之晶圓內的晶片單元。不過，由於此種方式主要是依據人工的方式判別並紀錄晶圓上的缺陷，故檢測速度較慢。

【0003】

另一方面，考量到成本因素，人工檢測方式大多採用抽樣檢測的方式為之。如此一來，此種檢測方式將具有以下的缺點：首先，對於整體良率的提升有其限制；另一方面，此種人工方式的檢測作業，難免存在人為疏漏；最後，人工檢測的效率通常較低落且而提高了整體的檢測成本。

【0004】

有鑑於此，如何提高晶圓的檢測效率並改善上述缺失，乃為此一業界亟待解決的問題。

【0005】

本發明之一目的在於提供一種可以快速掃瞄晶圓並具有高解析影像的線性掃瞄總成。

【0006】

為達上述目的，本發明之一種線性掃瞄總成包含一承載平台、一線性掃瞄裝置及一線性光源。承載平台具有一通孔，晶圓適可設置於通孔上，使承載平台可移動地承載晶圓。線性掃瞄裝置係設置於承載平台上方，且線性光源係設置於承載平台下方，用以發射一線性光束以經由通孔穿透晶圓。其中，線性掃瞄裝置適可接收穿透晶圓之線性光束，以完成晶圓之掃瞄檢測作業。

【0007】

為達上述目的，本發明之線性掃瞄總成所具有之承載平台適可沿一水平方向或一垂直方向移動。

【0008】

為達上述目的，本發明之線性掃瞄總成所具有之線性光源，其所發射的線性光束係直接穿透晶圓。

【0009】

為達上述目的，本發明之線性掃瞄總成所具有之線性光源，其所發射的線性光束係經由一反射元件反射後，間接穿透晶圓。

【0010】

為達上述目的，本發明之反射元件係為一反射鏡。

【0011】

為達上述目的，本發明之晶圓係為雙拋片晶圓或LED晶圓。

【0012】

為達上述目的，本發明之線性掃瞄裝置係為一線性掃瞄攝影機，且該線性掃瞄攝影機具有4K、8K、12K及16K等解析度。

【0013】

為讓上述目的、技術特徵、和優點能更明顯易懂，下文係以較佳實施例配合所附圖式進行詳細說明。

100‧‧‧線性掃瞄總成
110‧‧‧承載平台
112‧‧‧通孔
120‧‧‧線性掃描裝置
130‧‧‧線性光源
140‧‧‧反射元件
200‧‧‧晶圓

【0014】

第1圖為本發明線性掃瞄總成之立體示意圖；
第2圖為本發明線性掃瞄總成另一視角之立體示意圖；及
第3圖為本發明線性掃瞄總成進行掃瞄作業之示意圖。

【0015】

本發明係關於一種用以對一晶圓200進行掃瞄檢測作業的線性掃瞄總成100。

【0016】

請同時參閱第1圖及第2圖，本發明之線性掃瞄總成100包含一承載平台110、一線性掃瞄裝置120及一線性光源130。其中，承載平台110具有一通孔112，欲進行掃瞄檢測之晶圓200適可設置於通孔112上，且承載平台110可移動地承載晶圓200。

【0017】

如圖所示，線性掃瞄裝置120較佳地係設置於承載平台110上方，同時線性光源130係相對於線性掃瞄裝置120，設置於承載平台110下方，使線性光源130可用以發射一線性光束以經由通孔112穿透晶圓200。如此一來，線性掃瞄裝置120將可於承載平台110上方接收穿透晶圓200之線性光束並進行分析，以完成晶圓200之掃瞄檢測作業。

【0018】

謹針對承載平台110、線性掃瞄裝置120及線性光源130於進行掃瞄檢測作業時，其彼此間的空間作動關係進行說明如下：

【0019】

請一併參閱第3圖，在如圖所示之一較佳實施例中，於進行掃瞄檢測作業時，線性掃瞄裝置120與線性光源130係為固定不動，而僅使承載平台110沿一水平方向或一垂直於線性光束之方向移動，使線性光源130所發射之線性光束可沿一特定方向完整地掃瞄過整片晶圓200。

【0020】

並且，考量空間設置因素，於第2圖所示之一較佳實施例中，線性光源130係平行於承載平台110，並設置於承載平台110下方。如此一來，當線性光源130發射線性光束時，線性光束將會先以平行於承載平台110之方向前進，而為一反射元件140反射後，再間接穿透晶圓200，被線性掃瞄裝置120所接收。

【0021】

換言之，藉由前述的設置方式，當線性掃瞄裝置120與線性光源130為固定不動，而僅承載平台110平行移動時，便能夠達到使線性光源130所發射之線性光束可沿特定方向完整地掃瞄過整片晶圓200之目的。

【0022】

需說明的是，前述之反射元件140較佳係為一反射鏡，使當線性光束以平行於承載平台110之方向前進，而被反射鏡反射後，線性光束可再間接地穿透晶圓200，而為線性掃瞄裝置120所接收。當然，於本領域具通常知識者，亦可將反射元件140以反射鏡外的其他元件代替，達到將入射光束反射至晶圓200之目的，故於此並不加以限制。

【0023】

另一方面，於本領域具通常知識者，亦可更動線性光源130之設置方式，而非限制線性光源130需平行於承載平台110。例如，可使線性光源130相對線性掃瞄裝置120，設置於承載平台110下方，而使線性光源130所發射之線性光束係直接穿透晶圓200後，為線性掃瞄裝置120所接收，如此設置方式亦同樣可達到將線性掃瞄裝置120與線性光源130固定不動，而僅承載平台110平行移動，從而使線性光源130所發射之線性光束可沿特定方向完整地掃瞄過整片晶圓200之目的。

【0024】

需提醒的是，前述之掃瞄方式僅適用於當晶圓200為一般單拋面的LED晶圓之情況，倘若晶圓200為雙拋片晶圓時，則本發明之線性掃瞄總成100的掃瞄檢測作業將稍做變動如下。

【0025】

詳細而言，當晶圓200為雙拋片晶圓，且本發明之線性掃瞄總成100需進行該雙拋片晶圓之上表面與下表面的掃瞄檢測作業時，無論線性光源130所發射之線性光束係以間接（反射）或直接之方式掃瞄該雙拋片晶圓，線性掃瞄總成100皆會先將承載平台110沿一特定方向移動，針對該雙拋片晶圓之上表面或下表面其中之一進行掃瞄後，再使承載平台100沿一垂直方向微調，而針對該雙拋片晶圓之上表面或下表面其中之另一進行掃瞄。

【0026】

換言之，本發明線性掃瞄總成100所具有之承載平台110除可沿一水平方向（即X-Y方向）移動外，亦可依據其他檢測需求，而沿一垂直方向（即Z方向）進行微調移動。

【0027】

較佳地，本發明之線性掃瞄裝置120係相應於線性光源130，而可為一線性掃瞄攝影機，並具有4K、8K、12K及16K等解析度，以提供一般解析度或高解析度的掃瞄圖像，以完成晶圓200的掃瞄檢測作業。

【0028】

綜上所述，因本發明之線性掃瞄總成100乃是透過線性掃描裝置120與線性光源130的搭配使用，以僅單次平移承載平台110之方式，達到完整掃瞄晶圓200之一表面的目的，故可有效地提高晶圓200的檢測效率，提供高解析影像進行晶圓200的良率判斷，以降低檢測成本。

【0029】

上述之實施例僅用來例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發明之技術特徵，並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技術者可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範圍，本發明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

100‧‧‧線性掃瞄總成

110‧‧‧承載平台

112‧‧‧通孔

120‧‧‧線性掃描裝置

Claims (8)

1. 【第1項】

   一種線性掃瞄總成，用以進行一晶圓的掃瞄檢測作業，包含：
   　　一承載平台，具有一通孔，該晶圓適可設置於該通孔上，使該承載平台可移動地承載該晶圓；
   　　一線性掃瞄裝置，係設置於該承載平台上方；以及
   　　一線性光源，係設置於該承載平台下方，用以發射一線性光束以經由該通孔穿透該晶圓；
   　　其中，該線性掃瞄裝置適可接收穿透該晶圓之該線性光束，以完成該晶圓之掃瞄檢測作業。
2. 【第2項】

   如請求項1所述之線性掃瞄裝置，其中該承載平台適可沿一水平方向或一垂直方向移動。
3. 【第3項】

   如請求項1所述之線性掃瞄裝置，其中該線性光源所發射之該線性光束係直接穿透該晶圓。
4. 【第4項】

   如請求項1所述之線性掃瞄裝置，其中該線性光源所發射之該線性光束係經由一反射元件反射後，間接穿透該晶圓。
5. 【第5項】

   如請求項4所述之線性掃瞄裝置，其中該反射元件係為一反射鏡。
6. 【第6項】

   如請求項1所述之線性掃瞄裝置，其中該晶圓係為雙拋片晶圓或LED晶圓。
7. 【第7項】

   如請求項1所述之線性掃瞄裝置，其中該線性掃瞄裝置係為一線性掃瞄攝影機。
8. 【第8項】

   如請求項7所述之線性掃瞄裝置，其中該線性掃瞄攝影機係具有4K、8K、12K及16K等解析度。