TW201508296A - 檢測在熱切換應用中的故障 - Google Patents

Abstract

用於偵測系統中之故障的電路，該系統用於從輸入節點供應功率至輸出節點，且該電路具有至少一個耦合於該輸入節點與該輸出節點之間的開關。該故障偵測電路經配置以用於在該開關被命令開啟且至少一個以下狀況被偵測到時，指示故障狀況：橫越該開關的電壓超過預定值，或該開關控制信號之值不足以開啟該開關。該故障狀況僅在該偵測狀況存在一預定時段時指示。

Description

檢測在熱切換應用中的故障 【相關申請案之交叉引用】

此申請案主張美國臨時專利申請案第61/845,502號之優先權，該美國臨時專利申請案之標題為「DETECTING FAULTS IN HOT-SWAP APPLICATIONS」，申請日為2013年7月12日，並且在此透過引用納入本說明書中。

此揭示一般而言有關於保護電氣系統中的開關，且具體而言，有關於偵測開關中可能造成過度加熱的電流限制系統中之故障。

熱切換電路以控制並保護的方式將功率從輸入源施加至負載。這樣的控制器之一種功能係在功率初次施加或該電源電壓突然增加時，限制從該電源至該負載的湧入電流，特別是負載電容。另一種功能係若該負載嘗試抽取太多電流時(舉例而言若該負載中有短路)，限制電流。

第1圖顯示具有輸入節點VIN及輸出節點Vout的習知熱切換電路，該輸入節點係用於接收來自電源的功率，該輸出節點係耦合至負載。單一的MOSFET 100係以串聯耦 合至輸入節點VIN與輸出節點VOUT之間的電流感測電阻102。該熱切換電路亦具有控制電路，該控制電路包含電壓源104、電流限制放大器106、電流源108，及電晶體110。

眾多此種電路係可商購的。當限制電流時，電流限制放大器106將代表該電流感測電阻102中之該電流的電壓與電壓源104所產生的電壓VLIMIT做比較，以控制MOSFET 100的該閘極，以為了在該感測電流超出電壓VLIMIT所建立的最大值時，減少流過MOSFET 100的該電流。電流限制放大器104調整MOSFET 100的該閘極至源極電壓，以限制橫越電流感測電阻102的該電壓，且因此限制流過MOSFET 100的該電流。電流源108被提供以提升該閘極電壓。電晶體110被提供以用於將ON信號及OFF信號供應給MOSFET 100，以便指令MOSFET 100分別開啟或關閉。

於電流限制運作時，通過MOSFET 100的該電壓及電流皆可能強大，造成MOSFET 100中的高功率耗散。若此功率耗散持續，則MOSFET 100可能達到造成損壞的溫度。MOSFET製造者以曲線呈現MOSFET上電壓、電流及時間的安全限制，稱為安全運作區域(Safe Operating Area,SOA)。一般而言，計時電路112設定了MOSFET 100允許在電流限制模式中運作的最大時段。

計時電路112可耦合至該電流限制放大器106，以用於接收指示該電流限制運作已初始的信號。當計時電路112所設定的該時段到期時，將產生電流過量的故障信號，且MOSFET 100可被關閉以防止該MOSFET過熱。該負載將失 去功率且該熱切換控制器將指示故障已發生。

通常高功率熱切換應用需要將橫越該負載的大旁路電容126(bypass capacitors)充電。為了減少MOSFET 100上的壓力，該負載可維持關閉直到旁路電容126已充電。用於該電容的小充電電流將MOSFET 100中的該功率維持夠小，以防止危險的溫度升高。該閘極電壓可由來自電流源108的電流而提升，該電流通常於10-50μA的範圍內。

熱切換控制器亦通常產生信號以指示功率良好且該負載可安全地抽取電流。舉例而言，功率良好信號可由監控該輸出電壓的比較器而產生。當該輸出電壓升過臨界值時，功率係被認定為良好的。該輸出電壓可被用來當作指示該功率良好的條件。

此外，功率良好信號可藉由監控該開關開啟控制信號而產生。對於MOSFET開關100而言，此為該閘極至源極電壓。若該閘極至源極電壓顯著地高過該MOSFET臨界電壓，則該MOSFET通道為全開且負載電流可流過該通道。然而，此閘極至源極電壓可於正常運作時的電流限制之短暫片段時減少。在這樣的狀況中，該輸出功率仍可能被認定為良好的。因此，指示該閘極至源極電壓已超出臨界值的該信號係鎖存的(latched)。此鎖存信號係用以指示該MOSFET已轉為全開且該負載可開啟。該鎖存信號將持續地指示功率良好，即使該閘極電壓於短期間電流限制事件時顯著地減少。若該MOSFET關閉，則該鎖存將重設。

進一步而言，功率良好信號可藉由監控MOSFET 100 的汲極與源極之間的電壓而產生。一旦此電壓比臨界值更低，則MOSFET 100假定為全開且負載電流可流過該MOSFET。然而，汲極與源極之間的該電壓亦可於正常運作(舉例而言若該輸入電壓快速增加)時增加。在這樣的情況中，輸出功率仍可能認定為良好的。因此，指示汲極與源極之間的該電壓已低於臨界值的該信號亦可為鎖存的。此鎖存信號可用以指示MOSFET 100已轉為全開且該負載可開啟。

在熱切換應用中，許多事情可防止該等MOSFET以低阻抗開啟。受損MOSFET可具有從閘極至汲極的洩漏或具有降級的汲極至源極開啟阻抗RDS(ON)。板子上的碎屑亦可能產生從該閘極接腳至該源極接腳、該MOSFET汲極或至地的洩漏或短路。該等情況中，該熱切換控制器可能無法將該閘極接腳拉得夠高以便完全增強該MOSFET，或該MOSFET可能在該閘極接腳完全增強時未達到預期的開啟阻抗。此舉可能造成的MOSFET狀況為該MOSFET中的該功率高於該MOSFET的連續功率能力，即使該電流低於該電流限制。

習知的方法係藉由監控閘極至汲極或閘極至源極電壓而判定該MOSFET已完全開啟。該訊息接著被鎖存。然而，若該MOSFET後續在效能上降級，則該鎖存資訊將不被更新以指示問題已發展。

本揭示呈現用於偵測系統中之故障的電路，該系統係用於供應從輸入節點至輸出節點的功率，且該系統具有至少一個開關，該開關耦合於該輸入節點與該輸出節點之間並 且由開關控制信號所控制，以用於行使切換操作，以將功率從該輸入節點提供至該輸出節點。該開關以ON信號供應以命令該開關開啟。電流限制電路可經配置以用於控制該開關，以便限制流過該開關的電流值。

該故障偵測電路係經配置以在該開關被命令開啟且偵測到以下狀況的至少一個時，用於指示該開關的故障狀況：-橫越該開關的電壓超出了預定值，或-該開關控制信號之值不足以開啟該開關。

該故障狀況僅在偵測到的狀況存在預定的一段時間才指示。

舉例而言，該開關可包含MOSFET，且該故障偵測電路可經配置以在該MOSFET被命令開啟且該MOSFET的汲極與源極之間的電壓大於了第一臨界值第一預定期間時，指示該故障。

替代地，當該MOSFET被命令開啟且該MOSFET的閘極至源極電壓低於了第二臨界值第二預定期間時，可指示該故障。

在模範實施例中，多個開關可以並聯耦合於該輸入節點及該輸出節點之間。

該故障偵測電路可經配置以於該等開關被命令開啟且所有該等開關的開關控制信號不足以開啟該等開關時，指示該故障。

此外，當該等開關被命令開啟且該等開關的任何其中一個之開關控制信號不足以開啟該開關時，可指示該故障。

進一步而言，當該等開關被命令開啟、該開關的開關控制信號不足以開啟該開關，且該開關的輸出信號不被調節時，可指示該故障。

舉例而言，多個MOSFET開關可以並聯耦合於該輸入與輸出節點之間。

該故障偵測電路可經配置以在該等MOSFET開關被命令開啟且所有該等MOSFET開關的閘極至源極電壓低於了臨界值一預定期間時，指示該故障。

此外，當該等MOSFET開關被命令開啟且該等MOSFET開關的任何其中一個之閘極至源極電壓低於了臨界值一預定期間時，可指示該故障。

進一步而言，當該等MOSFET開關被命令開啟，且該等MOSFET開關的其中一個之閘極至源極電壓低於了臨界值，且該MOSFET開關的輸出信號不被調節時，可指示該故障狀況。

舉例而言，該故障偵測電路可經配置以偵測熱切換控制器中的MOSFET故障。

本揭示的額外優勢與態樣對於熟知技藝者將輕易地顯見於以下的詳細描述，其中本揭示的實施例係簡單地以實施本揭示所考量的最佳模式之繪示而顯示並描述。如將描述的，本揭示有能力實現其他及不同的實施例，且該等實施例的許多細節允許各種明顯方面的更改，全部皆不背離本揭示的精神。從而，該等圖式及描述應被認為係例式性的本質，而非限制性的。

100‧‧‧MOSFET

102‧‧‧電流感測電阻

104‧‧‧電壓源

106‧‧‧電流限制放大器

108‧‧‧電流源

110‧‧‧電晶體

112‧‧‧計時電路

126‧‧‧旁路電容

200‧‧‧MOSFET

202‧‧‧電流感測電阻

204‧‧‧電壓源

206‧‧‧電流限制放大器

208‧‧‧電流源

210‧‧‧電晶體

214‧‧‧電壓源

215‧‧‧磁滯比較器

216‧‧‧反向器

217‧‧‧電壓源

218‧‧‧磁滯比較器

219‧‧‧或閘

226‧‧‧旁路電容

227‧‧‧及閘

228‧‧‧及閘

229‧‧‧計時電路

230‧‧‧計時電路

300‧‧‧MOSFET

301‧‧‧MOSFET

302‧‧‧電流感測電阻

303‧‧‧電流感測電阻

304‧‧‧電壓源

305‧‧‧電壓源

306‧‧‧電流限制放大器

307‧‧‧電流限制放大器

308‧‧‧電流源

309‧‧‧電流源

310‧‧‧電晶體

311‧‧‧電晶體

312‧‧‧計時器

313‧‧‧及閘

314‧‧‧電壓源

315‧‧‧磁滯比較器

316‧‧‧反向器

317‧‧‧電壓源

318‧‧‧磁滯比較器

319‧‧‧或閘

320‧‧‧電壓源

321‧‧‧磁滯比較器

322‧‧‧及閘

323‧‧‧及閘

324‧‧‧及閘

325‧‧‧或閘

327‧‧‧及閘

328‧‧‧及閘

329‧‧‧計時器電路

330‧‧‧計時器電路

本揭示的實施例之以下詳細描述可在連同以下圖式閱讀時最佳地理解，其中該等特徵不必然係按比例繪製，反而係以能夠最佳說明應用特徵的方式繪製，其中：第1圖繪示習知的熱切換控制器。

第2圖與第3圖顯示依據本揭示的熱切換控制器之模範實施例。

本揭示將使用第2圖與第3圖中呈現的熱切換控制器之特定範例作成。然而，本揭示可應用於任何將功率供應至負載的切換電路。

第2圖繪示具有輸入節點VIN及輸出節點Vout的熱切換控制器，該輸入節點用於接收來自電源的功率，該輸出節點耦合至負載。單一的MOSFET 200係以串聯耦合至輸入節點VIN與輸出節點VOUT之間的電流感測電阻202。該熱切換電路亦具有控制電路，該控制電路包含電壓源204、電流限制放大器206、電流源208及電晶體210。該等元件可與第1圖中的個別元件相似。旁路電容226可提供於橫越該負載處。

該熱切換電路亦可包含電壓源214、磁滯比較器215、反向器216、電壓源217、磁滯比較器218、或閘219、及閘227、228及計時電路229和230。具體而言，一對比較器215及218監控可能存在於故障MOSFET開關200中的兩種狀況。FET故障信號係在該等故障的任一者發生且持續時 產生。

第一故障狀況為該MOSFET之汲極與源極之間過大的電壓。舉例而言，MOSFET或板子的損壞可能造成該MOSFET無法在該閘極接腳完全增強時達到預期的開啟電阻。比較器218監控MOSFET 200的汲極電壓VDD及該源極電壓，以將該MOSFET汲極與源極之間的電壓(VDS)與臨界電壓作比較，該臨界電壓例如電壓源217所設定的200mV。

當VDS大於該臨界電壓時，VDS_HIGH信號被主張於比較器218的該輸出。此信號被供應至及閘228的輸入。用來開啟MOSFET 200的該ON信號被提供至及閘228的第二輸入。及閘228的該輸出信號啟動了VDS計時器230，在FET_FAULT信號被或閘219產生以設定MOSFET故障狀況到期後，該VDS計時器提供預定的時間延遲期間。因此，該第一MOSFET故障狀況指示該VDS超出了該臨界值一段時間，該段時間大於該預定的時間延遲期間。

由VDS計時器230提供的時間延遲係需要的，因為有該VDS超出該臨界電壓直到該MOSFET閘極達到該閘極最終電壓的正常情況(例如啟動)。該等情況本質上為暫態的，而該MOSFET在此期間係耗散功率的。該等情況僅在該功率耗散持續太久時成為故障。該VDS計時器的該時間延遲期間係設定為比該等正常暫態運作狀況更長。

第二故障狀況為MOSFET 200的閘極-源極電壓(VGS)不足，亦即開關控制信號的值不足以將該MOSFET開關開啟。該板子上的碎屑或損壞的MOSFET可能造成閘極洩 漏，該閘極洩漏減少該閘極-源極電壓並且提升該開啟電阻。該輸出電壓可能夠高以顯得正常，即使該開啟電阻過高。嚴重損壞的MOSFET可能閘極、汲極與源極全部一起短路。此情況中，若該通道短路，則該MOSFET將無法關閉。

為了偵測此種故障，比較器215以相對於來自電壓源217的臨界電壓監控該閘極至源極電壓(VGS)，該臨界電壓選得遠高於該MOSFET臨界值。舉例而言，該臨界電壓可設定在4.5V。當該閘極至源極電壓低於此臨界電壓，則GATE_LOW信號被主張於反向器216的該輸出。此信號被供應至及閘227的輸入。用於開啟MOSFET 200的該ON信號被提供至及閘227的該第二輸入。在FET_FAULT信號由或閘219產生以設定該第二MOSFET故障狀況到期後，及閘227的該輸出信號啟動了VGS計時器229，該VGS計時器提供了預定的時間延遲期間。此MOSFET故障狀況指示MOSFET 200的該閘極至源極電壓係低於該臨界值一段時間，且該段時間大於VGS計時器229的該時間延遲期間。

由VGS計時器229提供的該時間延遲係需要的，因為有該閘極至源極電壓低於該臨界值的正常情況。該等情況本質上為暫態的(例如啟動或於電流限制時)，其中該閘極至源極電壓係低的且該MOSFET係耗散功率的。該等情況僅在該功率耗散持續太久時成為故障。VGS計時器229建立的該時間延遲期間係設定為比該等正常暫態運作狀況更長。

當使用多個MOSFET時，若該等MOSFET的至少其中一個具有低的閘極至源極電壓且不在電流限制中，則設定 MOSFET故障，如第3圖中所示，其中第3圖呈現具有多個MOSFET 300、301的模範熱切換控制器。

各個MOSFET 300與301係利用分別的電流感測電阻302與303，以及分別的電流限制放大器306與307而獨立控制。電流感測電阻302係耦合於代表MOSFET 300的正節點SENSE+1與負節點SENSE-1之間，且電流感測電阻303係耦合於代表MOSFET 301的正節點SENSE+2與負節點SENSE-2之間。各個獨立於另一個放大器的電流限制放大器306與307係控制分別的MOSFET 300與301之閘極，以於分別的電阻302與303中所感測到的該電流超出了由VLIMIT電壓所定義的最大電流值時，限制流過MOSFET 300與301的電流，該VLIMIT電壓係由分別的電壓源304與305提供。電流源308與309提供電流以分別拉高MOSFET 300與301的該閘極電壓。電晶體310與311被提供以將ON與OFF信號供應給分別的MOSFET 300與301，以命令MOSFET 300與301分別開啟或關閉。

分別產生於電流限制放大器306與307之狀態接腳的信號LIMITING 1與LIMITING 2指示分別的MOSFET 300與301限制了流過MOSFET 300與301的電流。該等信號被供應至及閘313的分別之輸入，該及閘產生了供應至計時器312的輸出信號，該輸出信號設定了用於指示過量電流故障狀況的延遲期間。

當MOSFET 300與301限制該電流時，由電流限制放大器304與305提供的該閘極控制將電流與壓力平均地分 割於MOSFET 300與302之間，而不管該等MOSFET的臨界電壓或溫度的任何不匹配。

當該負載電流增加至MOSFET 300與301皆開始限制電流的地步時，該VDS與該耗散功率開始增加，要求該等MOSFET為了保護而關閉。由於及閘313，計時器312僅在LIMITING 1與LIMITING 2兩者信號產生時啟動，亦即，當MOSFET 300與301兩者皆運作以限制該電流時。當由計時器312建立的該延遲期間到期時，過量電流故障信號被產生以指示MOSFET 300與301兩者皆應關閉。

第3圖中的該熱切換控制器進一步包含用於偵測MOSFET 300與301之故障狀況的電路。此電路包含電壓源314、磁滯比較器315、反向器316、電壓源317、磁滯比較器318、或閘319、電壓源320、磁滯比較器321、及閘322、323及324、或閘325、及閘327、328及計時電路329及330。相似於第2圖中的該電路，第3圖中的該故障偵測電路監控故障MOSFET 300與301中可能存在的兩種狀況。若該等故障狀況的任一者發生且持續，則產生FET故障信號。

比較器318監控互相並聯連接的MOSFET 300與301之該汲極與源極之間的多餘電壓。具體而言，比較器318將MOSFET 300及301的該VDS與電壓源317所設定的臨界電壓(例如200mV)作比較。

當該VDS大於該臨界電壓時，VDS_HIGH信號被主張於比較器318的該輸出。此信號被供應至及閘328的輸入。用於開啟MOSFET 300與301的該ON信號被提供給及閘328 的該第二輸入。在FET_FAULT信號被或閘319產生以設定MOSFET故障狀況到期後，及閘328的該輸出信號啟動了VDS計時器330，該VDS計時器提供了預設的時間延遲期間。因此，該第一MOSFET故障狀況指示該VDS超出該臨界值一段時間，且該段時間大於該預設的時間延遲期間。

比較器315與321分別偵測MOSFET 300與301不足的閘極至源極電壓(VGS)。具體而言，比較器315與321以相對於來自分別的電壓源314與320之臨界電壓而監控分別的MOSFET 300與301之閘極至源極電壓(VGS)，該等臨界電壓選擇為遠高於MOSFET臨界電壓，舉例而言，在4.5V。當分別的MOSFET 300或301之該閘極至源極電壓低於該臨界電壓時，主張於分別的比較器315或321之該輸出的信號被供應至分別的及閘322或324之輸入。此外，比較器315與321的該等輸出信號被提供於及閘323的該等輸入。

指示MOSFET 300限制電流的該LIMITING 1信號係供應給及閘324的該第二輸入，而指示MOSFET 301限制電流的該LIMITING 2信號係供應給及閘322的該第二輸入。及閘322、323及324之任何其中一者的該輸出信號通過或閘325將造成位於反向器316之該輸出的該GATE_LOW信號，反向器316的該輸出係供應至及閘327的輸入。用來開啟MOSFET 300與301的該ON信號係提供給及閘327的該另一個輸入。

在FET_FAULT信號由或閘319提供以設定該第二MOSFET故障狀況到期後，及閘328的該輸出信號啟動了提 供預設時間延遲期間的VGS計時器329。此MOSFET故障狀況指示MOSFET 300或301的該閘極至源極電壓低於該臨界值一段時間，該段時間大於VGS計時器329的該時間延遲期間。

當該FET_FAULT設定後，該熱切換控制器或該系統可採取保護動作。舉例而言，該熱切換控制器可關閉所有MOSFET，以切斷負載功率。在閘極至源極短路的情況中，該熱切換控制器關閉一或更多個MOSFET也許是不可能的。然而，該MOSFET故障信號可用以使該負載成為低電流狀態、關閉上游供應及/或為了服務而標記該系統。

因此，本揭示的該MOSFET故障偵測電路可提供：-當該MOSFET命令為ON且該VDS大於臨界值一預設時段時，指示MOSFET故障；-當該MOSFET命令為ON且所有MOSFET或該等MOSFET之任何一者的該閘極至源極電壓VGS低於臨界值一預設時段，亦即所有開關或任何開關的該等閘極控制信號不足以開啟該等開關，及/或-若至少一個MOSFET既不限制電流且亦具有低的閘極至源極電壓VGS，則指示具有並聯開關之系統中的開關故障，亦即該等MOSFET至少一者的該閘極控制信號不足以開啟分別的MOSFET且不被主動調節。

雖然第3圖中顯示用於兩個MOSFET的MOSFET故障偵測，此配置可延伸至偵測任何數量之並聯排列MOSFET的故障狀況。

此外，本揭示的故障偵測電路可使用任何一個或兩個上方探討的故障條件。

前述說明繪示並描述本發明的態樣。此外，本揭示僅顯示並描述所偏好的實施例，但如先前所述，應理解到本發明能夠使用於各種其他組合、改造與環境，且能夠在如茲表達的創新概念之範疇中改變或改造，並與上方之教示及/或相關技藝之技能或知識相匹配。

舉例而言，該VDS可能使用或不使用該等電流感測電阻而量測。該VDS與VGS計時器可提供於或閘219或319之前或之後。

以上在此描述之該等實施例係進一步地意於解釋所知施行本發明的最佳模式，並使其他技藝人士能夠利用這樣的實施例或其他的實施例中之發明，且各種改造係由本發明特定應用或用途所要求。從而，該描述並非意於將本發明限制至在此揭示的形式。

200‧‧‧MOSFET

202‧‧‧電流感測電阻

204‧‧‧電壓源

206‧‧‧電流限制放大器

208‧‧‧電流源

210‧‧‧電晶體

214‧‧‧電壓源

215‧‧‧磁滯比較器

216‧‧‧反向器

217‧‧‧電壓源

218‧‧‧磁滯比較器

219‧‧‧或閘

226‧‧‧旁路電容

227‧‧‧及閘

228‧‧‧及閘

229‧‧‧計時電路

230‧‧‧計時電路

Claims (18)

1. 一種用於從一輸入節點供應功率至一輸出節點的系統，該系統包括：至少一個開關，該開關耦合於該輸入節點與該輸出節點之間，且該開關由一開關控制信號所控制，以用於執行切換運作以從該輸入節點提供功率至該輸出節點，一ON信號供應給該開關以命令該開關開啟；及一故障偵測電路，該故障偵測電路用於在該開關被命令開啟且以下狀況的至少一者被偵測到時，指示該開關的一故障狀況：橫越該開關的一電壓超過一預定值，或該開關控制信號的一值不足以開啟該開關，該故障狀況僅在該偵測狀況存在一預定時段時指示。
2. 如請求項1所述之系統，其中多個開關係並聯耦合於該輸入節點與該輸出節點之間。
3. 如請求項2所述之系統，其中該故障偵測電路經配置以用於在該等開關被命令開啟且所有該等開關的開關控制信號不足以開啟該等開關時，指示該故障狀況。
4. 如請求項2所述之系統，其中該故障偵測電路經配置以用於在該等開關被命令開啟且該等開關之任一者的該開關控制信號不足以開啟該開關時，指示該故障狀況。
5. 如請求項1所述之系統，其中該故障偵測電路經配置以用於在該開關被命令開啟、該開關的該開關控制信號不足以開啟該開關，且該開關的一輸出信號不被調節時，指示該故障狀況。
6. 如請求項1所述之系統，其中該開關包含一MOSFET且該故障偵測電路經配置以在該MOSFET被命令開啟且該MOSFET之汲極與源極之間的一電壓係大於一第一臨界值一第一預定時段時，指示該故障狀況。
7. 如請求項1所述之系統，其中該開關包含一MOSFET且該故障偵測電路經配置以在該MOSFET被命令開啟且該MOSFET之一閘極至源極電壓係低於一第二臨界值一第二預定時段時，指示該故障狀況。
8. 如請求項1所述之系統，其中多個MOSFET開關係耦合於該輸入與輸出節點之間。
9. 如請求項8所述之系統，其中該故障偵測電路經配置以用於在該等MOSFET開關被命令開啟且所有該等MOSFET開關的閘極至源極電壓低於一臨界值一預定時段時，指示該故障狀況。
10. 如請求項8所述之系統，其中該故障偵測電路經配置以用於在該等MOSFET開關被命令開啟且該等MOSFET開關之至少一者的一閘極至源極電壓低於一臨界值一預定時段時，指示該故障狀況。
11. 如請求項8所述之系統，其中該故障偵測電路經配置以用於在該等MOSFET開關被命令開啟且一MOSFET開關的一閘極至源極電壓低於一臨界值且該MOSFET開關的一輸出信號不被調節時，指示該故障狀況。
12. 一種用於偵測一系統中之一故障狀況的電路，該系統用於從一輸入節點供應功率至一輸出節點，且該電路具有一或更多個耦合於該輸入節點與該輸出節點之間的MOSFET開關，該電路經配置以用於在該MOSFET被命令開啟且該MOSFET之汲極與源極之間的一電壓大於一第一臨界值一第一預定時段時，或在該MOSFET被命令開啟且該MOSFET之一閘極至源極電壓小於一第二臨界值一第二預定時段時，指示一MOSFET故障狀況。
13. 如請求項12所述之電路，其中多個MOSFET開關係並聯安排於該輸入節點與該輸出節點之間。
14. 如請求項13所述之電路，其中該MOSFET故障狀況係於該等MOSFET開關被命令開啟且所有該等MOSFET開關的閘 極至源極電壓低於該第二臨界值該第二預定時段時被指示。
15. 如請求項13所述之電路，其中該MOSFET故障狀況係於該等MOSFET開關被命令開啟且該等MOSFET開關之任何一者的一閘極至源極電壓低於該第二臨界值該第二預定時段時被指示。
16. 如請求項13所述之電路，其中該MOSFET故障狀況係於該等MOSFET開關被命令開啟，且一MOSFET開關的一閘極至源極電壓低於該第二臨界值，且該MOSFET開關的一輸出信號不被調節時指示。
17. 一種用於在一系統中偵測一故障狀況的方法，該系統用於從一輸入節點供應功率至一輸出節點，且該系統具有一或更多個耦合於該輸入節點與該輸出節點之間的MOSFET開關，該方法包含以下步驟：在該MOSFET被命令開啟且該MOSFET之汲極與源極之間的一電壓大於一第一臨界值一第一預定時段時，指示一MOSFET故障狀況，或在該MOSFET被命令開啟且該MOSFET之一閘極至源極電壓低於一第二臨界值一第二預定時段時，指示該MOSFET故障狀況。
18. 如請求項17所述之方法，其中多個MOSFET開關係並聯 耦合於該輸入節點與該輸出節點之間，且該MOSFET故障狀況係於該等MOSFET開關被命令開啟，且一MOSFET開關之一閘極至源極電壓低於該第二臨界值且該MOSFET開關之一輸出信號不被調節時指示。