TW201507171A - 半導體電容 - Google Patents

Abstract

一種半導體電容，包含一基底與複數個奇數層與複數個偶數層。各奇數層包含複數個第一奇數層指狀電極和一第一奇數層端點，及複數個第二奇數層指狀電極和一第二奇數層端點。各偶數層包含複數個第一偶數層指狀電極和一第一偶數層端點，及複數個第二偶數層指狀電極和一第二偶數層端點。半導體電容包含至少一第一奇數層導電連接結構、一第二奇數層導電連接結構、一第一偶數層導電連接結構以及一第二偶數層導電連接結構，分別與第一奇數層端點、第二奇數層端點、第一偶數層端點與第二偶數層端點電性連接。

Description

半導體電容

本發明係有關於一種半導體結構，尤指一種半導體電容結構。

半導體電容係普遍用於現代積體電路(integrated circuits，ICs)中，以達成不同的功能，例如動態隨機存取記憶、旁路(bypassing)、以及濾波(filter)等功能。在一般類比IC製程中，電容係由兩層導電材料與夾設於其內的介電材料組成。舉例來說，習知之電容包含金屬-絕緣-金屬(metal-insulator-metal，MIM)電容與金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal，MOM)電容。

熟習該項技藝之人士應知電容結構之電容值對於製作過程與結構設計非常敏感，是以製程中因對準偏差(misalignment)而導致的變異等都是亟欲避免的問題。因此，目前仍然需要一種可降低因製程導致的結構內變異與提升電容值的半導體電容。

根據本發明之申請專利範圍，係提供一種半導體電容，該半導體電容包含有一基底、複數個設置於該基底上之奇數層、以及複數個設置於該基底上之偶數層。該基底定義有一電容區、一端點區與一周邊區。各該奇數層分別包含複數個設置於該電容區內之第 一奇數層指狀電極(first odd finger)、複數個設置於該電容區內之第二奇數層指狀電極(second odd finger)、一設置於該端點區內之第一奇數層端點(first odd terminal)、以及一設置於該端點區內之第二奇數層端點(second odd terminal)。該等第一奇數層指狀電極與該等第二奇數層指狀電極係於該電容區內彼此叉合(interdigitated)，且實體(physically)上與電性上皆彼此分離。該等第一奇數層指狀電極係電性連接至該第一奇數層端點，且該等第二奇數層指狀電極係電性連接至該第二奇數層端點。各該偶數層分別包含複數個設置於該電容區內之第一偶數層指狀電極(first even finger)、複數個設置於該電容區內之第二偶數層指狀電極(second even finger)、一設置於該端點區內之第一偶數層端點(first even terminal)、以及一設置於該端點區內之第二偶數層端點(second even terminal)。該等第一偶數層指狀電極與該等第二偶數層指狀電極係於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離。該等第一偶數層指狀電極係電性連接至該第一偶數層端點，且該等第二偶數層指狀電極係電性連接至該第二偶數層端點。該半導體電容更包含至少一第一奇數層導電連接結構(first odd connecting structure)、至少一第二奇數層導電連接結構(second odd connecting structure)、至少一第一偶數層導電連接結構(first even connecting structure)、以及至少一第二偶數層導電連接結構(second even connecting structure)。該第一奇數層導電連接結構、該第二奇數層導電連接結構、該第一偶數層導電連接結構以及該第二偶數層導電連接結構皆設置於該端點區內。該第一奇數層導電連接結構電性連接該等奇數層內之該等第一奇數層端點、該第二奇數層導電連接結構電性連接該等奇數層內之該等第二奇數層端點、該第一偶數層導電連接結構電性連接該等偶數層內之該等第一偶數層端點、而該第二偶數層導電連接結構電性連接該等偶數層內之該等第 二偶數層端點。

根據本發明之申請專利範圍，另提供一種半導體電容，該半導體電容包含有一基底、一設置於該基底上之第一層、一設置於該第一層上之第二層、以及一設置於該第二層上之第三層。該基底定義有一電容區、一端點區與一周邊區。該第一層包含有複數個第一指狀電極以及複數個第二指狀電極，該等第一指狀電極與該等第二指狀電極係設置於該電容區內，並於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離。該第二層包含有複數個第三指狀電極以及複數個第四指狀電極，該等第三指狀電極與該等第四指狀電極係設置於該電容區內，並於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離。該第三層包含有複數個第五指狀電極以及複數個第六指狀電極，該等第五指狀電極與該等第六指狀電極係設置於該電容區內，並於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離。更重要的是，該等第一指狀電極與該等第五指狀電極係於該端點區內彼此電性連接、該等第二指狀電極與該等第六指狀電極係於該端點區內彼此電性連接、該等第三指狀電極與該等第四指狀電極係與該等第一指狀電極、該等第二指狀電極、該等第五指狀電極與該等第六指狀電極電性隔離。

根據本發明所提供之半導體電容，電容區內相鄰層內之指狀電極皆彼此電性分離。因此，在垂直基底的方向上，各指狀電極可避免彼此之間產生電磁交互作用(electromagnetic interaction)，而感應效應也可避免。更重要的是，端點區內相鄰層內之各端點在實體上與電性上亦彼此分離，故更可避免端點區內產生電性上的交互作用。

10‧‧‧半導體電容

100‧‧‧基底

102‧‧‧電容區

104‧‧‧端點區

106‧‧‧周邊區

110‧‧‧第一層

112‧‧‧第一指狀電極

114‧‧‧第一端點

116‧‧‧第二指狀電極

118‧‧‧第二端點

120‧‧‧第二層

122‧‧‧第三指狀電極

124‧‧‧第三端點

126‧‧‧第四指狀電極

128‧‧‧第四端點

130‧‧‧第三層

132‧‧‧第五指狀電極

134‧‧‧第五端點

136‧‧‧第六指狀電極

138‧‧‧第六端點

140‧‧‧第四層

142‧‧‧第七指狀電極

144‧‧‧第七端點

146‧‧‧第八指狀電極

148‧‧‧第八端點

150‧‧‧第一導電連接結構

152‧‧‧第二導電連接結構

154‧‧‧第三導電連接結構

156‧‧‧第四導電連接結構

A‧‧‧第一電極

B‧‧‧第二電極

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

第1圖至第3圖為本發明所提供之半導體電容之一第一較佳實施例之示意圖。

第1圖至第5圖為本發明所提供之半導體電容之一第二較佳實施例之示意圖。

請參閱第1圖至第3圖，第1圖至第3圖為本發明所提供之半導體電容之一第一較佳實施例之示意圖。如第1圖所示，本發明所提供之半導體電容10包一基底100，基底100上定義有一電容區102、一端點區104、與一周邊區106。周邊區106包圍端點區104，而端點區104則包圍電容區102。本較佳實施例所提供之半導體電容10更包含一第一層110，設置於基底100上。基本上，第一層110包含絕緣材料，用以提供電性隔離。另外如第1圖所示，第一層110係隨基底100上各區域的限定而包含了電容區102、端點區104與周邊區106。第一層110內更包含複數個第一指狀電極112與複數個第二指狀電極116，且第一指狀電極112與第二指狀電極116皆設置於電容區102內。熟習該項技藝之人士應知，本較佳實施例中第一指狀電極112與第二指狀電極116之數量僅為例示，故第一指狀電極112與第二指狀電極116之數量可依據不同的產品需求調整。如第1圖所示，第一指狀電極112與第二指狀電極116係沿一第一方向D1延伸，是以第一指狀電極112與第二指狀電極116在與基底100水平的方向上彼此平行。第一指狀電極112與第二指狀電極116係交互排列，故彼此叉合設置。更重要的是，第一指狀電 極112與第二指狀電極116於電容區102內在實體上與電性上皆彼此分離。

請繼續參閱第1圖。第一層110更包含一第一端點114與一第二端點118。值得注意的是，第一端點114與第二端點118係設置於端點區104內，且如第1圖所示，分別設置於電容區102相對兩側之端點區104內。因此，第一端點114與第二端點118在實體上與電性上皆彼此分離。第一端點114與第二端點118皆沿一第二方向D2延伸，且第二方向D2垂直於第一方向D1，換句話說第一端點114與第二端點118在與基底100水平的方向上彼此平行。第一端點114係與第一指狀電極112垂直，且第一指狀電極112實體上與電性上連接至第一端點114。同理，第二端點118係與第二指狀電極116垂直，且第二指狀電極116實體上與電性上連接至第二端點118。

請參閱第2圖。本較佳實施例所提供之半導體電容10更包含一第二層120，設置於第一層110上。基本上，第二層120包含絕緣材料，用以提供電性隔離。另外如第2圖所示，第二層120係隨基底100上各區域的限定而包含了電容區102、端點區104與周邊區106。第二層120包含複數個第三指狀電極122與複數個第四指狀電極126，且第三指狀電極122與第四指狀電極126皆設置於電容區102內。熟習該項技藝之人士應知，本較佳實施例中第三指狀電極122與第四指狀電極126之數量僅為例示，故第三指狀電極122與第四指狀電極126之數量可依據不同的產品需求調整。如第2圖所示，第三指狀電極122與第四指狀電極126係沿第二方向 D2延伸，是以第三指狀電極122與第四指狀電極126在與基底100水平的方向上彼此平行。另外，第三指狀電極122與第四指狀電極126在與基底100水平的方向上垂直於第一指狀電極112與第二指狀電極116。第三指狀電極122與第四指狀電極126係交互排列，故彼此叉合設置。更重要的是，第三指狀電極122與第四指狀電極126於電容區102內在實體上與電性上皆彼此分離。

請繼續參閱第2圖。第二層120內更包含一第三端點124與一第四端點128。值得注意的是，第三端點124與第四端點128係設置於端點區104內，且如第2圖所示，分別設置於電容區102另外相對兩側之端點區104內。因此，第三端點124與第四端點128在實體上與電性上皆彼此分離。第三端點124與第四端點128皆沿第一方向D1延伸，換句話說第三端點124與第四端點128在與基底100水平的方向上彼此平行。第三端點124係與第三指狀電極122垂直，且第三指狀電極122實體上與電性上連接至第三端點124。同理，第四端點128係與第四指狀電極126垂直，且第四指狀電極126實體上與電性上連接至第四端點128。

請參閱第3圖。本較佳實施例所提供之半導體電容10更包含一第三層130，設置於第二層120上。基本上，第三層130亦包含絕緣材料，用以提供電性隔離。另外如第3圖所示，第三層130係隨基底100上各區域的限定而包含了電容區102、端點區104與周邊區106。第三層130包含複數個第五指狀電極132與複數個第六指狀電極136，且第五指狀電極132與第六指狀電極136皆設置於電容區102內。熟習該項技藝之人士應知，本較佳實施例中第五指狀電極132與第六指狀電極136之數量亦僅為例示，故第五指狀 電極132與第六指狀電極136之數量可依據不同的產品需求調整。如第3圖所示，第五指狀電極132與第六指狀電極136係沿第一方向D1延伸，是以第五指狀電極132與第六指狀電極136在與基底100水平的方向上彼此平行。第五指狀電極132與第六指狀電極136係交互排列，故彼此叉合設置。更重要的是，第五指狀電極132與第六指狀電極136於電容區102內在實體上與電性上皆彼此分離。

請繼續參閱第3圖。第三層130內更包含一第五端點134與一第六端點138。值得注意的是，第五端點134與第六端點138係設置於端點區104內，且如第3圖所示，分別設置於電容區102相對兩側之端點區104內。可同時比較第1圖與第3圖，由第1圖與第3圖可知，第五端點134與第一端點114係設置於同一側，而第六端點138與第二端點118設置於同一側。換句話說，本較佳實施例所提供之第一層110與第三層130具有相同的佈局圖案，但不限於此。因此，第五端點134與第六端點138在實體上與電性上皆彼此分離。第五端點134與第六端點138皆沿第二方向D2延伸，換句話說第五端點134與第六端點138在與基底100水平的方向上彼此平行。第五端點134係與第五指狀電極132垂直，且第五指狀電極132實體上與電性上連接至第五端點134。同理，第六端點138係與第六指狀電極136垂直，且第六指狀電極136實體上與電性上連接至第六端點138。

請再參閱第1圖至第3圖。根據本較佳實施例所提供之半導體電容10，第一指狀電極112、第二指狀電極116、第五指狀電極132與第六指狀電極136在與基底100水平的方向上彼此平行，而第三指狀電極122與第四指狀電極126則垂直於第一指狀電極 112、第二指狀電極116、第五指狀電極132與第六指狀電極136。

另外需注意的是，根據第一較佳實施例，半導體電容10另包含至少一第一導電連接結構150，設置於端點區104內，用以電性連接第一層110內的第一端點114與第三層130內的第五端點134，藉此第一指狀電極112與第五指狀電極132係於端點區104內電性連接。同理，半導體電容10另包含至少一第二導電連接結構152，設置於端點區104內，用以電性連接第一層110內的第二端點118與第三層130內的第六端點138，藉此第二指狀電極116與第六指狀電極136係於端點區104內電性連接。然而，端點區104內的第一端點114與第五端點134實體上與第二層120內的第三端點124分離；同理端點區104內的第二端點118與第六端點138實體上亦與第二層120內的第四端點128分離。另外，半導體電容10更包含一第三導電連接結構154，設置於端點區104內且電性連接第三端點124，用以提供一外部電源與半導體電容10的電性連接。同理半導體電容10更包含一第四導電連接結構156，設置於端點區104內且電性連接第四端點128，用以提供一外部電源與半導體電容10的電性連接。

熟習該項技藝之人士應知，本較佳實施例中第一導電連接結構150、第二導電連接結構152、第三導電連接結構154與第四導電連接結構156的之數量僅為例示，上述導電連接結構150/152/154/156之數量可依據不同的產品需求調整，例如第一導電連接結構150可以是多個沿著第一端點114與第五端點134分佈的實施形態，同理第二導電連接結構152可以是多個沿著第二端點118與第六端點138分佈的實施形態、第三導電連接結構154可以是多 個沿著第三端點124分佈的實施形態、而第四導電連接結構156可以是多個沿著第四端點128分佈的實施形態。

更重要的是，第一指狀電極112與第五指狀電極132電性連接至一設置在周邊區106內的第一電極A(示於第5圖)，且第三指狀電極122亦電性連接至此第一電極A。換句話說，第一端點114與第五端點134係藉由另外的導線電性連接至設置在周邊區106內的第一電極A，而第三端點124亦藉由另外的導線電性連接至設置在周邊區106內的第一電極A。第二指狀電極116與第六指狀電極136則電性連接至一設置在周邊區106內的第二電極B(亦示於第5圖)，且第四指狀電極126亦電性連接至此第二電極B。換句話說，第二端點118與第六端點138係藉由另外的導線電性連接至設置在周邊區106內的第二電極B，而第四端點128亦藉由另外的導線電性連接至設置在周邊區106內的第二電極B。據此，半導體電容10係由兩種導電層以及夾設於其中的絕緣材料所構成。

另外，在本較佳實施例之一變化型中，相鄰層110/120/130內的第一指狀電極112至第六指狀電極136在電容區102內可彼此電性隔離，並且藉由另外的導線電性連接周邊區內的不同電極，端視產品需要而定。

第一指狀電極112與第二指狀電極116係包含一第一材料，而第三指狀電極122、第四指狀電極126、第五指狀電極132與第六指狀電極136則包含第二材料。在本較佳實施例中，第一材料與第二材料係為相同之材料。舉例來說，當第一指狀電極112至第六指狀電極136、第一端點114至第六端點138、以及第一導電連 接結構150至第六導電連接結構156皆藉由內連線製程完成製作時，則第一材料與第二材料可包含相同的金屬材料如銅或鎢，但不限於此。另外在本較佳實施例之一變化型中，第一材料與第二材料可以是不同的材料。舉例來說，當第一層110包其他的IC建構元件時，第一材料可包含多晶矽，而第二材料可包含金屬材料。

根據本第一較佳實施例所提供之半導體電容10，其具有一編織狀結構，不論是在水平方向(即同一層內)以及垂直方向(即不同層內)皆由交錯排列的金屬導線編織而成。因此此一編織狀結構不論在水平方向或垂直方向上都形成電場線，更因此可獲得較高的電容值。

請參閱第1圖至第5圖，第1圖至第5圖為本發明所提供之具有半導體電容一第二較佳實施例之示意圖。首先需注意的是，第一較佳實施例與第二較佳實施例中相同的組成元件係以相同的符號說明，且相同組成元件之細節係可參閱前述之第一較佳實施例，故不予贅述。在第二較佳實施例中，半導體電容10包含一第一層110、一第二層120與一第三層130，且第一層110、第二層120與第三層130之組成元件係與第一較佳實施例相同。第二較佳實施例與第一較佳實施例相同不同之處在於：本較佳實施例所提供之半導體電容10更包含一第四層140。

請參閱第4圖。第四層140係形成於第三層130上，且基本上亦包含絕緣材料，用以提供電性隔離。另外如第4圖所示，第四層140係隨基底100上各區域的限定而包含了電容區102、端點區104與周邊區106。第四層140內更包含複數個第七指狀電極142 與複數個第八指狀電極146，且第七指狀電極142與第八指狀電極146皆設置於電容區102內。熟習該項技藝之人士應知，本較佳實施例中第七指狀電極142與第八指狀電極146之數量僅為例示，故第七指狀電極142與第八指狀電極146之數量可依據不同的產品需求調整。如第4圖所示，第七指狀電極142與第八指狀電極146係沿第二方向D2延伸，是以第七指狀電極142與第八指狀電極146在與基底100水平的方向上彼此平行。第七指狀電極142與第八指狀電極146係交互排列，故彼此叉合設置。更重要的是，第七指狀電極142與第八指狀電極146於電容區102內在實體上與電性上皆彼此分離。

請繼續參閱第4圖。第四層140更包含一第七端點144與一第八端點148。值得注意的是，第七端點144與第八端點148係設置於端點區104內，且如第2圖所示，分別設置於電容區102另外相對兩側之端點區104內。可同時比較第2圖與第4圖，由第2圖與第4圖可知，第七端點144與第三端點124係設置於同一側，而第八端點148與第四端點128設置於同一側。因此，第七端點144與第八端點148在實體上與電性上皆彼此分離。第七端點144與第八端點148皆沿第一方向D1延伸，換句話說第七端點144與第八端點148在與基底100水平的方向上彼此平行。第七端點144係與第七指狀電極142垂直，且第七指狀電極142實體上與電性上連接至第七端點144。同理，第八端點148係與第八指狀電極146垂直，且第八指狀電極146實體上與電性上連接至第八端點148。由此可知，本較佳實施例所提供之第二層120與第四層140具有相同的佈局圖案，但不限於此。

請同時參閱第2圖與第4圖。根據本較佳實施例，半導體電容10更包含至少一第三導電連接結構154，設置於端點區104內，用以電性連接第二層120內的第三端點124與第四層140內的第七端點144，藉此第三指狀電極122與第七指狀電極142係於端點區104內電性連接。同理，半導體電容10另包含至少一第四導電連接結構156，設置於端點區104內，用以電性連接第二層120內的第四端點128與第四層140內的第八端點148，藉此第四指狀電極126與第八指狀電極146係於端點區104內電性連接。如前所述，上述導電連接結構150/152/154/156之數量與排列形態係可依據不同的產品需求調整，故不限於此。

請參閱第5圖。值得注意的是，為清楚表示指狀電極、端點與導電連接結構之間的空間關係，第5圖中的絕緣材料與基底100係省略而未繪示。根據本較佳實施例，第一指狀電極112、第三指狀電極122、第五指狀電極132與第七指狀電極142皆電性連接至一設置於周邊區106內的第一電極A；而第二指狀電極116、第四指狀電極126、第六指狀電極136與第八指狀電極146則電性連接至一設置於周邊區106內的第二電極B。換句話說，第一端點114、第三端點124、第五端點134與第七端點144係藉由另外的導線電性連接至設置在周邊區106內的第一電極A；同理第二端點118、第四端點128、第六端點138與第八端點148係藉由另外的導線電性連接至設置在周邊區106內的第二電極B。據此，係獲得一由兩種導電層以及夾設於其中的絕緣材料所構成之半導體電容10。

另外，在本較佳實施例之一變化型中，相鄰層110/120/130/14內的第一指狀電極112至第八指狀電極146在電容 區102內可彼此電性隔離，並且藉由另外的導線電性連接周邊區內的不同電極，端視產品需要而定。

根據本第二較佳實施例所提供之半導體電容10，其具有一編織狀結構，不論是在水平方向(即同一層內)以及垂直方向(即不同層內)皆由交錯排列的金屬導線編織而成。因此此一編織狀結構不論在水平方向或垂直方向上都產生電場線，更因此可獲得較高的電容值。

另外需注意的是，本較佳實施例所提供之半導體電容10雖如第5圖所示，是以四層結構作為說明，但熟習該項技藝之人士應知半導體電容10實際上可隨產品需求在垂直基底100的方向上增加膜層。簡單地說，本發明所提供之半導體電容10實際上可包含複數個奇數層110/130與複數個偶數層120/140，且奇數層110/130與偶數層120/140係交錯設置於基底100上。各奇數層110130分別包含複數個第一奇數層指狀電極112/132與複數個第二奇數層指狀電極116/136，且第一奇數層指狀電極112/132與第二奇數層指狀電極116/136皆設置於電容區102內。第一奇數層指狀電極112/132與第二奇數層指狀電極116/136彼此叉合，且在電容區102內不論是實體上或是電性上皆彼此分離。各奇數層110/130內更分別包含一第一奇數層端點114/134與一第二奇數層端點118/138，且第一奇數層端點114/134與第二奇數層端點118/138係設置於端點區104。第一奇數層指狀電極112/132係電性連接至第一奇數層端點114/134；第二奇數層指狀電極116/136係電性連接至第二奇數層端點118/138。更重要的是，本發明所提供之半導體電容10更包含至少一第一奇數層導電連接結構150與至少一第二奇數層導電連接結構152，且第 一奇數層導電連接結構150與第二奇數層導電連接結構152係設置於端點區104內。如第5圖所示，第一奇數層導電連接結構150電性連接奇數層110/130內的各第一奇數層端點114/134；而第二奇數層導電連接結構152則電性連接奇數層110/130內的各第二奇數層端點118/138。各偶數層120140分別包含複數個第一偶數層指狀電極122/142與複數個第二偶數層指狀電極126/146，且第一偶數層指狀電極122/142與第二偶數層指狀電極126/146皆設置於電容區102內。第一偶數層指狀電極122/142與第二偶數層指狀電極126/146彼此叉合，且在電容區102內不論是實體上或是電性上皆彼此分離。各偶數層120/140更包別包含一第一偶數層端點124/144與一第二偶數層端點128/148，且第一偶數層端點124/144與第二偶數層端點128/148皆設置於端點區104。第一偶數層指狀電極122/142係電性連接至第一偶數層端點124/144；而第二偶數層指狀電極126/146係電性連接至第二偶數層端點128/148。更重要的是，本發明所提供之半導體電容10更包含至少一第一偶數層導電連接結構154與一第二偶數層導電連接結構156，且第一偶數層導電連接結構154與第二偶數層導電連接結構156係設置於端點區102。如第5圖所示，第一偶數層導電連接結構154電性連接偶數層120/140內的第一偶數層端點124/144；第二偶數層導電連接結構156電性連接偶數層120/140內的第二偶數層端點128/148。

由於各指狀電極與各端點的延伸方向、以及導電連接結構的數量與排列方式以及其他細節係同於前述實施例，故相關細節於此將不再贅述。

請仍然參閱第5圖。根據本發明所提供之半導體電容10， 第一奇數層端點114/134與第一偶數層端點124/144係藉由另外的導線電性連接至設置於周邊區106內的第一電極A；而第二奇數層端點118/138與第二偶數層端點128/148則藉由又另外的導線電性連接至設置於周邊區106內的第二電極B。據此，係獲得一由兩種導電層以及夾設於其中的絕緣材料所構成之半導體電容10。

根據本發明所提供之半導體電容10，其具有一編織狀結構，不論是在水平方向(即同一層內)以及垂直方向(即不同層內)皆由交錯排列的金屬導線編織而成。因此此一編織狀結構不論在水平方向或垂直方向上都具有電場線，更因此可獲得較高的電容值。更重要的是，奇數層110/130內的各端點114/118/134/138與偶數層120/140內的各端點124/128/144/148實體上彼此分離，且無任何導電連接結構設置於其中。換句話說，相鄰層中的各端點皆彼此實體上分離，故該等端點之間不會產生電性上的交互作用。

簡單地說，在本發明所提供之半導體電容中，相鄰層內的導電材料之間不再提供導電連接結構作為電性連接的手段。也就是說，在電容區中，相鄰層內的各指狀電極在實體上皆彼此分離；而在端點區中，相鄰層內的各端點在實體上亦彼此分離。因此，本發明所提供之半導體電容可以避免相鄰層內的導電材料發生電磁交互作用與感應效應。

10‧‧‧半導體電容

112‧‧‧第一指狀電極

114‧‧‧第一端點

116‧‧‧第二指狀電極

118‧‧‧第二端點

122‧‧‧第三指狀電極

124‧‧‧第三端點

126‧‧‧第四指狀電極

128‧‧‧第四端點

132‧‧‧第五指狀電極

134‧‧‧第五端點

136‧‧‧第六指狀電極

138‧‧‧第六端點

142‧‧‧第七指狀電極

144‧‧‧第七端點

146‧‧‧第八指狀電極

148‧‧‧第八端點

150‧‧‧第一導電連接結構

154‧‧‧第三導電連接結構

156‧‧‧第四導電連接結構

A‧‧‧第一電極

B‧‧‧第二電極

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

Claims (15)

1. 一種半導體電容，包含有：一基底，其上定義有一電容區、一端點區與一周邊區；複數個奇數層，設置於該基底上，且各該奇數層分別包含：複數個第一奇數層指狀電極(first odd finger)，設置於該電容區內；複數個第二奇數層指狀電極(second odd finger)，設置於該電容區內，該等第一奇數層指狀電極與該等第二奇數層指狀電極係於該電容區內彼此叉合(interdigitated)，且實體(physically)上與電性上皆彼此分離；一第一奇數層端點(first odd terminal)，設置於該端點區，且該等第一奇數層指狀電極係電性連接至該第一奇數層端點；以及一第二奇數層端點(second odd terminal)，設置於該端點區，且該等第二奇數層指狀電極係電性連接至該第二奇數層端點；複數個偶數層，設置於該基底上，且各該偶數層分別包含：複數個第一偶數層指狀電極(first even finger)，設置於該電容區內；複數個第二偶數層指狀電極(second even finger)，設置於該電容區內，該等第一偶數層指狀電極與該等第二偶數層指狀電極係於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離；一第一偶數層端點(first even terminal)，設置於該端點區，且該等第一偶數層指狀電極係電性連接至該第一偶數 層端點；以及一第二偶數層端點(second even terminal)，設置於該端點區，且該等第二偶數層指狀電極係電性連接至該第二偶數層端點；至少一第一奇數層導電連接結構(first odd connecting structure)，設置於該端點區內，該第一奇數層導電連接結構電性連接該等奇數層內之該等第一奇數層端點；至少一第二奇數層導電連接結構(second odd connecting structure)，設置於該端點區內，該第二奇數層導電連接結構電性連接該等奇數層內之該等第二奇數層端點；至少一第一偶數層導電連接結構(first even connecting structure)，設置於該端點區內，該第一偶數層導電連接結構電性連接該等偶數層內之該等第一偶數層端點；以及至少一第二偶數層導電連接結構(second even connecting structure)，設置於該端點區內，該第二偶數層導電連接結構電性連接該等偶數層內之該等第二偶數層端點。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體電容，其中該等第一奇數層指狀電極與該等第二奇數層指狀電極係沿一第一方向延伸，該等第一偶數層指狀電極與該等第二偶數層指狀電極係沿一第二方向延伸。
3. 如申請專利範圍第2項所述之半導體電容，其中該第一方向與該第二方向彼此垂直。
4. 如申請專利範圍第2項所述之半導體電容，其中該等第一奇 數層端點與該等第二奇數層端點係沿該第二方向延伸，該等第一偶數層端點與該等第二偶數層端點係沿該第一方向延伸。
5. .如申請專利範圍第1項所述之半導體電容，其中該等第一奇數層端點、該等第二奇數層端點、該等第一偶數層端點與該等第二偶數層端點在該端點區內彼此隔離。
6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體電容，更包含一第一電極與一第二電極，設置於該周邊區。
7. 如申請專利範圍第6項所述之半導體電容，其中該等第一奇數層端點與該等第一偶數層端點係電性連接至該第一電極，該等第二奇數層端點與該等第二偶數層端點係電性連接至該第二電極。
8. 一種半導體電容，包含有：一基底，其上定義有一電容區、一端點區與一周邊區；一第一層，設置於該基底上，且該第一層包含有：複數個第一指狀電極，設置於該電容區內；以及複數個第二指狀電極，設置於該電容區內，該等第一指狀電極與該等第二指狀電極係於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離；一第二層，設置於該基底上，且該第二層包含有：複數個第三指狀電極，設置於該電容區內；以及複數個第四指狀電極，設置於該電容區內，該等第三指狀電極與該等第四指狀電極係於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離；以及 一第三層，設置於該基底上，且該第三層包含有：複數個第五指狀電極，設置於該電容區內，以及複數個第六指狀電極，設置於該電容區內，該等第五指狀電極與該等第六指狀電極係於該電容區內彼此叉合，且實體上與電性上皆彼此分離，其中該等第一指狀電極與該等第五指狀電極係於該端點區內彼此電性連接、該等第二指狀電極與該等第六指狀電極係於該端點區內彼此電性連接、該等第三指狀電極與該等第四指狀電極係與該等第一指狀電極、該等第二指狀電極、該等第五指狀電極與該等第六指狀電極電性隔離。
9. 如申請專利範圍第8項所述之半導體電容，其中該等第一指狀電極、該等第二指狀電極、該等第五指狀電極與該等第六指狀電極係彼此平行。
10. 如申請專利範圍第9項所述之半導體電容，其中該等第三指狀電極與該等第四指狀電極係垂直於該等第一指狀電極、該等第二指狀電極、該等第五指狀電極與該等第六指狀電極。
11. 如申請專利範圍第8項所述之半導體電容，其中該等第一指狀電極、該等第三指狀電極與該等第五指狀電極係電性連接至一設置於該周邊區內之第一電極。
12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體電容，其中該等第二指狀電極、該等第四指狀電極與該等第六指狀電極係電性連接至一設置於該周邊區內之第二電極。
13. 如申請專利範圍第8項所述之半導體電容，其中該等第一指狀電極與該等第二指狀電極包含一第一材料，且該等第三指狀電極、該等第四指狀電極、該等第五指狀電極該等第六指狀電極包含一第二材料。
14. 如申請專利範圍第13項所述之半導體電容，其中該第一材料與該第二材料相同。
15. 如申請專利範圍第13項所述之半導體電容，其中該第一材料與該第二材料不同。