TW201505761A - 模板組件及模板組件的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明是一種模板組件，在研磨工件時用以保持該工件，該模板組件的特徵在於：具有PET(聚對苯二甲酸乙二酯)基材；環狀的模板部，其被黏結在該PET基材的底面的外周部；及，圓盤狀的襯墊，其被黏結在前述PET基材的底面的中央部；並且，在前述模板部的內面與前述襯墊的底面，形成有在研磨時收容並保持前述工件之凹部，且在前述模板部的內面上部形成有環狀的缺口部，在該缺口部卡合有前述襯墊的周緣部。藉此，能夠一邊抑制工件的刮痕或缺陷等的發生，一邊減低凹部的深度的面內偏差來能夠提升研磨後的工件的平坦度。

Description

模板組件及模板組件的製造方法

本發明關於模板組件及其製造方法，該模板組件是在研磨以矽晶圓為首的半導體晶圓等的工件的表面時，用以保持工件。

作為研磨矽晶圓等的工件的表面的裝置，有逐一研磨工件的單面的單面研磨裝置、及同時研磨雙面的雙面研磨裝置。如第8圖所示的一般的單面研磨裝置200，是由貼附有研磨布202之平台(surface plate)203、研磨劑供給機構204、研磨頭201等所構成。研磨裝置200，利用研磨頭201來保持工件W，隨著將研磨劑205自研磨劑供給機構204供給至研磨布202上，藉由使平台203和研磨頭201各自旋轉而使工件W的表面與研磨布202作滑動接觸以進行研磨。

作為保持工件的方法，是使用一種使用了固定環(retainer ring)之研磨頭、或使用了模板組件之研磨頭。

使用了固定環之研磨頭，其固定環是在工件的周邊按壓研磨布，以防止由於工件本身所造成的研磨布的壓縮變形，藉此具有防止工件發生外周塌邊等的機能。然而，研磨頭構造會變得複雜，而造成高成本。

第9圖表示先前的使用了模板組件之研磨頭的一例。如第9圖所示，模板組件，具有襯墊(backing pad)102與環狀的模板部103，該環狀的模板部103被黏結至該襯墊102底面的外周部，並且利用模板部的內面與襯墊102的底面來形成凹部。在研磨時，將工件W收容並保持在此凹部。研磨頭101，是利用雙面膠帶105將此模板組件黏結至研磨頭本體104上的方式來構成。模板部103的材質，能夠使用玻璃環氧樹脂等。

在使用了這種模板組件之研磨頭101中，工件W的外周形狀，是藉由模板組件的凹部的深度與工件W的厚度的差異來控制。亦即，藉由適當地選定模板部103的厚度，而能夠調節研磨時的工件外周部的壓力，所以不會使研磨頭的結構複雜化，並能夠比較容易地抑制外周塌邊。

但是，相較於晶圓的厚度精度，模板組件的凹部的深度偏差大，難以穩定地得到想要的厚度的差異。

因此，為了改善凹部的深度偏差，而在成膜後的襯墊的表面進行擦光(buffing)加工、或是進行模板部的磨削或研光(lapping)等(參照專利文獻1)。

又，如第10圖所示，已知有一種使用了PET(聚對苯二甲酸乙二酯，Polyethylene terephthalate)基材之模板組件(參照專利文獻2)。如第10圖所示，在模板組件110中，將進行磨削或研光等之後的模板部103直接黏結至PET基材106上，且在該PET基材106的內側貼附已藉由擦光加工減低厚度偏差後的襯墊102。

[先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2009-208199號公報

專利文獻2：日本特開2008-93811號公報

專利文獻3：日本特開平7-58066號公報

上述對襯墊進行擦光加工、或對模板部進行磨削和研磨加工的方法，雖然有使襯墊與模板部各自的厚度偏差減低的效果，但是難以改善模板部與彈性體也就是襯墊的黏結精度，而不能大幅改善被稱為凹部的深度的面內偏差這樣的作為模板組件的精度。

一般市售的模板組件的凹部的深度精度，相對於目標值具有±20μm的偏差，而深度的面內偏差是15μm左右。

相對於將模板部磨削、研磨加工後的目標厚度，可以將厚度偏差改善為±3μm，並將厚度的面內偏差改善為3μm以下。但是，將此模板部黏結至襯墊後的模板組件的凹部的深度精度，相對於目標值會有±10μm的偏差，而深度的面內偏差也惡化至10μm左右。

在如第10圖所示的將模板部和襯墊直接黏結至PET基材上而成的模板組件110中，由於作為模板部所使用的玻璃環氧樹脂是硬質的，所以比較容易提升黏結精度，而能夠提升作為模板組件的精度。但是，由於在模板部的內面貼附 有圓盤狀的襯墊，所以在研磨中漿液會進入模板部與襯墊之間所形成的間隙中，這會成為發塵源，而會有工件的微小刮痕或缺陷等，對於研磨後的工件品質造成不良影響這樣的問題。

在上述模板組件110中，使模板部的厚度變厚的情況，相較於第9圖所示的將模板部黏結至襯墊上而成的模板組件，在研磨時沒有模板部的沉入，所以模板部與研磨布的間隙會變更小。因此朝向工件表面的漿液供給量不足，而會有對於工件品質造成不良影響的情況，也會有模板部不能太厚的問題。

又，為了抑制工件的外周塌邊，已知有一種沿著模板部的內面在襯墊上形成環狀的溝的方法(參照專利文獻3)，即便是此方法，在研磨中漿液進入溝中而會變成發塵源，所以不能夠改善工件的表面缺陷。

本發明是鑒於前述問題而作成，其目的在於提供一種模板組件，能夠一邊抑制工件的刮痕或缺陷等的發生，一邊藉由減低凹部的深度的面內偏差而提升研磨後的工件的平坦度。

為了達成上述目的，依照本發明，提供一種模板組件，在研磨工件時用以保持該工件，該模板組件的特徵在於：具有聚對苯二甲酸乙二酯(PET)基材；環狀的模板部，其被黏結在該PET基材的底面的外周部；及，圓盤狀的襯墊，其被黏結在前述PET基材的底面的中央部；並且，在前述模板部的 內面與前述襯墊的底面，形成有在研磨時收容並保持前述工件之凹部，且在前述模板部的內面上部形成有環狀的缺口部，在該缺口部卡合有前述襯墊的周緣部。

若是這種模板組件，模板部與襯墊之間沒有間隙，所以在研磨中不會發塵，而能夠抑制工件的刮痕或缺陷等的發生。又，將模板部與襯墊黏結至PET基材，所以這些厚度的面內偏差，甚至凹部的深度的面內偏差會減低，而能夠提升研磨後的工件的平坦度。

此時，前述缺口部的厚度，較佳是在前述襯墊的目標厚度以下。

若是這種模板組件，模板部與襯墊之間不會形成間隙；又，若缺口部的厚度比襯墊的目標厚度更小，則能夠降低工件外周部的研磨壓力，以減低工件外周部的研磨量，所以能夠抑制外周塌邊。

又，前述模板部的材質較佳是玻璃環氧樹脂。

若是這種模板組件，則機械特性優異，且能夠防止對工件造成金屬污染或損傷等。

又，前述凹部的深度的面內偏差較佳是在10μm以下。

若是這種模板組件，能夠確實地提升研磨後的工件的平坦度。

又，依照本發明提供一種模板組件的製造方法，是製造上述本發明的模板組件的方法，其特徵在於具有下述步驟：準備環狀的模板部的步驟，該環狀的模板部在內面上部 形成有環狀的缺口部；將圓盤狀的襯墊黏結至PET基材的中央部的步驟；及，以使前述襯墊的周緣部卡合至前述模板部的缺口部的方式，將前述模板部黏結至前述PET基材的底面的外周部的步驟。

藉由這種製造方法，能夠製造本發明的模板組件，其能夠減低模板部與襯墊的厚度的面內偏差，能夠提升研磨後的工件的平坦度，且能夠抑制工件的刮痕或缺陷等的發生。

此時，在準備前述模板部的步驟中，先準備模板部用的基板，將所準備的該基板切割出環狀後，藉由磨削該環狀的基板的內面上部，來形成前述缺口部。

這樣，能夠容易地準備具有缺口部之環狀的模板組件。

又，在準備前述模板部的步驟中，較佳為在形成前述缺口部前，藉由研光及/或研磨前述模板部，將前述模板部的厚度的面內偏差作成10μm以下。

這樣，在模板部的內面與襯墊的底面所形成的凹部的深度的面內偏差，能夠確實地減低。

本發明的模板組件，具有PET基材；環狀的模板部，其被黏結在該PET基材的底面的外周部；及，圓盤狀的襯墊，其被黏結在前述PET基材的底面的中央部；並且，在前述模板部的內面上部形成有環狀的缺口部，在該缺口部卡合有前述襯墊的周緣部，所以在研磨中不會發塵，而能夠抑制工件的刮痕或缺陷等的發生，又，模板部與襯墊的厚度的面內偏差，甚至凹部的深度的面內偏差會減低，而能夠提升研磨後 的工件的平坦度。

1‧‧‧模板組件

2‧‧‧PET基材

3‧‧‧模板部

4‧‧‧襯墊

5‧‧‧缺口部

6‧‧‧凹部

101‧‧‧研磨頭

102‧‧‧襯墊

103‧‧‧模板部

104‧‧‧研磨頭本體

105‧‧‧雙面膠帶

106‧‧‧PET基材

110‧‧‧模板組件

200‧‧‧單面研磨裝置

201‧‧‧研磨頭

202‧‧‧研磨布

203‧‧‧平台

204‧‧‧研磨劑供給機構

205‧‧‧研磨劑

d‧‧‧缺口部的厚度

w‧‧‧工件

第1圖是本發明的模板組件的一例的概略圖。

第2圖是具有與本發明的模板組件中的襯墊的目標厚度相同厚度之缺口部的周邊的放大圖。

第3圖是具有比本發明的模板組件中的襯墊的目標厚度更小厚度之缺口部的周邊的放大圖。

第4圖是表示在實施例1~2、比較例1~2中的塌邊相對於凹部深度的從目標值算起的偏移量的關係之圖。

第5圖是表示在實施例1~2、比較例1~2中的塌邊的平均值、最大值、最小值的圖式。

第6圖是表示在實施例1~2、比較例1~2中的塌邊的面內8點各自的位置的變動的雷達圖。

第7圖是表示在實施例1~2、比較例1~2中的晶圓缺陷數量的圖式。

第8圖是表示一般的研磨裝置的一例的概略圖。

第9圖是表示先前的模板組件的一例的概略圖。

第10圖是表示先前的模板組件的其他例的概略圖。

第11圖是說明在實施例1~2、比較例1~3中的凹部的深度的測定方法的圖式。

以下，針對本發明說明實施形態，但是本發明並非受限於此實施形態。

首先，針對本發明的模板組件，一邊參照第1圖、第2 圖一邊進行說明。

如第1圖所示，本發明的模板組件1，具有PET(聚對苯二甲酸乙二酯，Polyethylene terephthalate)基材2，環狀的模板部3、及圓盤狀的襯墊4。PET基材2的厚度和形狀等沒有特別限制，例如，形狀能夠作成圓盤狀。

襯墊4，其含有水分且將工件W貼附在底面，以保持工件W。襯墊4，例如能夠是發泡聚胺酯製。設置這種襯墊4且使其含有水分，能夠藉由襯墊所含有的水分的表面張力來確實地保持工件W。

模板部3，其被黏結在PET基材2的底面的外周部。襯墊4，其被黏結在PET基材2的底面的中央部。

在模板部3的內面與襯墊4的底面，形成有凹部6。在研磨工件W時，在此凹部6收容工件W，且工件W的邊緣部被保持在模板部3的內面，工件W的頂面被保持在襯墊4的底面。

這樣，若將模板部3與襯墊4一起直接黏結至PET基材2，則能夠減低凹部6的深度相對於目標深度的誤差、及凹部6的深度的面內偏差。因此，使用本發明的模板組件來進行研磨後的工件W，特別能夠減低外周塌邊，以改善工件W的平坦度。特別是能夠使凹部的深度的面內偏差作成10μm以下，以確實地改善工件W的平坦度。

為了不污染工件W，且不造成損傷或壓痕，模板部3的材質，較佳是一種比工件W更柔軟，在研磨中即使與研磨布作滑動接觸也難以磨耗的耐磨耗性高的材質。自這種觀 點來考量，例如能夠將模板部3的材質設為玻璃環氧樹脂。

進而，如第1圖所示，在模板部3的內面上部，形成有環狀的缺口部5。襯墊4，以襯墊4的周緣部是卡合至此缺口部5的方式，被黏結至PET基材2的底面的中央部。若是這樣的模板部，能夠一邊採用模板部3與襯墊4是直接黏結至PET基材2上的結構，一邊消除模板部3與襯墊4之間的間隙。因此，能夠防止在先前的模板組件中所發生的在研磨中漿液進入間隙而發塵的問題，而能夠抑制工件的微小的刮痕或缺陷等的發生。

如第2圖所示，缺口部5的厚度d，較佳是在襯墊4的目標厚度以下，以使與襯墊4之間沒有形成間隙。

在想要更加地抑制工件的外周部的塌邊的場合，如第3圖所示，只要使缺口部5的厚度d比襯墊4的目標厚度更小即可。這樣，被模板部3夾住的襯墊4的周緣部會被環狀地壓縮，因此工件外周部的研磨壓力降低，而能夠減少工件外周部的研磨量來抑制工件外周部的塌邊。

若是具有本發明的缺口部5之模板組件，利用調整缺口部5的厚度，能夠在不改變模板部3的厚度的情況下，進行工件外周部的研磨壓力的調整，並能夠抑制在模板部3與研磨布之間的間隙變小所造成的漿液的供給量不足的情況，以抑制工件的表面缺陷的發生。

又，若是此種結構，可以併用將襯墊4環狀地切削出溝槽的方法。

繼而，針對本發明的模板組件的製造方法進行說明。

首先，準備如第1圖所示的，內部頂面形成有環狀的缺口部5之環狀的模板部3。此步驟，例如能夠如以下的方式來實施。

準備模板部用的例如玻璃環氧樹脂基板的這種基板。對於此基板進行研光及/或研磨，將基板的厚度加工成目標值。

此時，較佳是將模板部3的厚度的面內偏差作成10μm以下。這樣，在研磨工件時，能夠抑制工件的外周部的表面形狀發生部分惡化。

此處，在進行研光的場合，磨粒例如能夠使用氧化鋁系、SiC系的磨粒。在進行研磨的場合，例如能夠使用含有膠態二氧化矽之鹼性溶液。

之後，為了除去在研光或研磨步驟中所附著的磨粒或鹼性溶液等而洗淨上述基板。

繼而，例如藉由NC加工(數值控制加工，Numerical Control machining)等，將基板切割出環狀的模板部3後，磨削環狀的模板部3的內面上部磨削以形成缺口部5。此時，如上述般地將缺口部5的厚度作成襯墊4的目標厚度以下的預定厚度。

將圓盤狀的襯墊4黏結至PET基材2的中央部。此處，將襯墊4的直徑設為與上述形成的環狀的缺口部5卡合的尺寸。使此襯墊4的周緣部卡合至模板部3的缺口部5，以將模板部3黏結至PET基材2的底面的外周部。

藉由上述本發明的模板組件的製造方法，能夠製造上述本發明的模板組件。

[實施例]

以下，表示本發明的實施例及比較例，以更具體地說明本發明，但是本發明不受限於這些例子。

(實施例1)

依照本發明的製造方法來製造第1圖所示的本發明的模板組件，且評價凹部的深度精度。凹部的深度精度，是評價相對於目標深度的偏移與面內偏差進行評價。

將玻璃環氧樹脂基板，研光成目標厚度附近後，在包含約1μm的氧化鈰粉之漿液中進行研磨，且加工成預定尺寸的環形。之後，藉由車床，以與襯墊相同的厚度，自內周至5mm的位置進行磨削的方式來形成缺口部。

將這樣製作的模板部，黏結至中央部已黏結有襯墊之PET基材，以製造模板組件。

在測定此模板組件的凹部的深度時，如第1表所示，相對於目標深度的偏移的平均值(Ave)是-0.51μm，最大值為正值側(Max)4.8μm、負值側(Min)6.5μm。深度的面內偏差，如第2表所示，8點的範圍(range)的平均值(Ave)是5.3μm，範圍的最大值(Max)是7μm。根據此結果，相較於後述比較例1、2的結果，已知凹部的深度精度被大幅地改善。

此處，凹部的深度的測定是如以下方式進行。如第11圖所示，在工件的從外周算起1~2mm(距外周1~2mm)的面內標記8點，測定標記部分的厚度(工件厚度)。在將此工件放入模板組件的凹部內，且將100g/cm²的負載施加至工件的狀態下，測定標記部分的工件厚度(工件部厚度)。又，測定從 模板部的內周朝向外周方向1~2mm的位置的模板部的厚度(模板部厚度)。使用這些測量值，利用以下的算式來計算凹部的深度。凹部的深度是以8點的平均值與範圍(range)作為代表值。

凹部的深度=模板部厚度-(工件部厚度-工件厚度)

另外，厚度測定，是使用三豐(Mitutoyo)製的測高計HDF-300N(型號)。

繼而，使用具備有以實施例1所製造的模板組件之如第8圖所示的研磨裝置，來研磨直徑300mm的矽晶圓，且評價平坦度及晶圓表面缺陷。作為平坦度的評價所進行的塌邊測定，是使用Kobelco科研公司製造的邊緣塌邊測定裝置LER-310M(型號)。

塌邊的算出基準面是設為從外周算起3~6mm的範圍，針對4片晶圓，各自測定從外周算起0.5mm、0.7mm、1.0mm、2.0mm位置處的塌邊。

在第3表中表示各點的塌邊的平均值。又，在第4圖中表示第1表的凹部的深度的自目標值的偏移與第3表的塌邊的關係。如第4圖所示，凹部的深度的從目標值算起的偏移，是從目標值算起的在負值側(凹部的深度變淺)的偏移，隨著偏移量變大，會降低由模板部所造成的工件外周部的研磨壓力的減低效果，特別是容易受到凹部的深度的影響的從外周算起0.5mm的位置處的塌邊的變化是顯著的。

在第5圖中表示從外周算起0.5mm的位置處的各個晶圓的塌邊的平均值(Ave)、最大值(Max)、最小值(Min)。又， 在第6圖中表示各個測定位置的塌邊的面內8點的各自的位置是如何地變動的雷達圖。

在實施例1中，由於可以得到幾乎等於目標深度的凹部深度，所以如第5圖、第6圖所示，相較於後述的比較例1~2，塌邊也改善，面內偏差也大幅改善。

又，如第6圖所示，雷達圖幾乎變成同心圓，已知能夠抑制塌邊的面內變動。

第7圖表示晶圓表面缺陷的結果。如第7圖所示，相較於後述的比較例3的結果，已知能夠抑制晶圓表面缺陷。

另外，表面缺陷的評價是使用Lasertec公司製造的Magics 350(型號)，將比較例1的總缺陷數量作為1.0來進行評價。

(實施例2)

相較於實施例1，除了將模板部的厚度作成更薄10μm，並將缺口部的厚度作成比襯墊的厚度更薄20μm以外，以與實施例1相同的方法來製造本發明的模板組件，且進行同樣的評價。另外，相較於實施例1，使用的模板部的厚度更薄10μm，但是由於藉由模板部來來壓縮襯墊的周緣部，所以將缺口部的厚度設成使得在對工件施加100g/cm²的負載的狀態下的凹部的深度，與實施例1幾乎相同。

當測量模板組件的凹部的深度時，如第1表所示，相對於目標深度的偏移的平均值是-0.43μm，最大值為正值側2.0μm、負值側2.8μm。深度的面內偏差，如第2表所示，8點的範圍的平均值是5.8μm，範圍的最大值為7μm。 藉由此結果，相較於後述的比較例1、2的結果，已知凹部的深度精度被大幅改善。

繼而，使用具備有以實施例2所製造的模板組件之如第8圖所示的研磨裝置，來研磨直徑300mm的矽晶圓，且與實施例1同樣的評價平坦度及晶圓表面缺陷。

如上述，在實施例2中所使用的模板部具有與實施例1不同的厚度，但是凹部的深度幾乎同等，所以研磨後的晶圓的塌邊也會有同等的結果。根據第6圖所示的雷達圖，與實施例1同樣，已知能夠抑制塌邊的面內變動。

第7圖表示晶圓表面缺陷的結果。如第7圖所示，相較於後述的比較例3的結果，已知能夠抑制晶圓表面缺陷。

在實施例1及實施例2中，研磨後的晶圓的塌邊是相同位準，且塌邊的面內偏差也是相同位準。亦即，即使如實施例2般地使模板部的厚度變薄，也能夠藉由缺口部的厚度的調整來形成目標深度的凹部，例如即使是因為使用的研磨布的壓縮率的影響，造成選定的凹部的深度會使朝向研磨時的晶圓表面的漿液供給量降低的場合，也能夠使模板部的厚度比先前需要的厚度更薄。因此，能夠一邊抑制朝向研磨時的晶圓表面之漿液供給量的降低，一邊改善塌邊及晶圓表面缺陷。

(比較例1)

使用先前的市面上的模板組件，在沒有進行模板部的研光和研磨等的情況下，進行與實施例1同樣的評價，該先前的市面上的模板組件，如第9圖所示，其模板部被黏結在襯 墊的底面的外周部。

在測定此模板組件的凹部的深度時，如第1表所示，相對於目標深度的偏移的平均值是-4.46μm，最大值為正值側11.0μm、負值側16.9μm。深度的面內偏差，如第2表所示，8點的範圍的平均值是15.63μm，範圍的最大值是26μm。藉由此結果，相較於上述實施例1、2的結果，已知凹部的深度精度會大幅惡化。

繼而，使用具備有以比較例1所製造的模板組件之如第8圖所示的研磨裝置，來研磨直徑300mm的矽晶圓，且進行與實施例1同樣的評價。

在比較例1中，如第1表、第2表所示，相較於實施例1~2，凹部的深度的從目標值算起的偏移變大，所以塌邊也變大，面內的偏差也變大。根據第6圖的雷達圖，已知有的晶圓在面內的塌邊有偏移。

又，第7圖表示晶圓表面缺陷的結果。如第7圖所示，在比較例1所使用的如第10圖所示的模板組件中，模板組件與襯墊之間沒有有間隙，所以相較於後述的比較例3的結果，晶圓表面缺陷受到抑制。

(比較例2)

除了有進行模板部的研光以外，使用與比較例1同樣的模板組件，進行同樣的評價。

在測定此模板組件的凹部的深度時，如第1表所示，相對於目標深度的偏移的平均值是-3.04μm，最大值為正值側8.9μm、負值側10.9μm。深度的面內偏差，如第2表所示， 8點的範圍的平均值是9.77μm，範圍的最大值是16μm。

相較於上述比較例1，可看到藉由進行模板部的研光，有改善深度精度，但是相較於上述實施例1、2的結果，已知凹部的深度精度會大幅惡化。。

繼而，使用具備有以比較例2所製造的模板組件之如第8圖所示的研磨裝置，來研磨直徑300mm的矽晶圓，且進行與實施例1同樣的評價。

在比較例2中，如第1表、第2表所示，相較於比較例1，凹部的深度的從目標值算起的偏移變小，所以塌邊及面內偏差相較於比較例1更加地改善，但是相較於實施例1~2，卻是大幅惡化。根據第6圖的雷達圖，可看見與比較例1同樣的在面內的塌邊的偏移，已知不能夠抑制外周的塌邊變動。

凹部的深度的從目標值算起偏移，藉由使用的各個構件的厚度或黏結方法的改善而能夠變小，所以如比較例2所示，多少能夠改善塌邊的平均值，但是卻不能夠改善塌邊的面內偏差。相對於此，依照本發明的模板組件，還能夠改善上述面內偏差。

在第1表中表示實施例1~2、比較例1~2的凹部的深度相對於目標深度的偏移的結果的彙整。在第2表中表示實施例1~2、比較例1~2的凹部的深度的面內偏差的結果的彙整。

(比較例3)

如第10圖所示，使用具備有先前的模板組件之如第8圖所示的研磨裝置，來研磨直徑300mm的矽晶圓，且與實施例1同樣地評價凹部深度的面內偏差及晶圓表面缺陷。該先前的模板組件，在模板部上沒有缺口部。

其結果，能夠得到與實施例1~2同等的凹部深度的面內偏差，但是相較於實施例1~2、及比較例1，晶圓表面缺陷卻惡化。此表面缺陷，被認為是漿液進入模板部與襯墊之間的間隙所造成的在研磨中的發塵的原因。

另外，本發明不受限於上述實施形態。上述實施形態是例示，只要與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想具有實質上相同的構成，且發揮同樣作用效果，不管何者都包含在本發明的技術範圍內。

1‧‧‧模板組件

2‧‧‧PET基材

4‧‧‧襯墊

5‧‧‧缺口部

3‧‧‧模板部

6‧‧‧凹部

Claims (13)

1. 一種模板組件，在研磨工件時用以保持該工件，該模板組件的特徵在於：具有聚對苯二甲酸乙二酯基材；環狀的模板部，其被黏結在該聚對苯二甲酸乙二酯基材的底面的外周部；及，圓盤狀的襯墊，其被黏結在前述聚對苯二甲酸乙二酯基材的底面的中央部；並且，在前述模板部的內面與前述襯墊的底面，形成有在研磨時收容並保持前述工件之凹部，且在前述模板部的內面上部形成有環狀的缺口部，在該缺口部卡合有前述襯墊的周緣部。
2. 如請求項1所述的模板組件，其中，前述缺口部的厚度是在前述襯墊的目標厚度以下。
3. 如請求項1所述的模板組件，其中，前述模板部的材質是玻璃環氧樹脂。
4. 如請求項2所述的模板組件，其中，前述模板部的材質是玻璃環氧樹脂。
5. 如請求項1~4中任一項所述的模板組件，其中，前述凹部的深度的面內偏差是在10μm以下。
6. 一種模板組件的製造方法，是製造如請求項1~4中任一項所述的模板組件的方法，其特徵在於具有下述步驟：準備環狀的模板部的步驟，該環狀的模板部在內面上部形成有環狀的缺口部；將圓盤狀的襯墊黏結至聚對苯二甲酸乙二酯基材的中央 部的步驟；及，以使前述襯墊的周緣部卡合至前述模板部的缺口部的方式，將前述模板部黏結至前述聚對苯二甲酸乙二酯基材的底面的外周部的步驟。
7. 一種模板組件的製造方法，是製造如請求項5所述的模板組件的方法，其特徵在於具有下述步驟：準備環狀的模板部的步驟，該環狀的模板部在內面上部形成有環狀的缺口部；將圓盤狀的襯墊黏結至聚對苯二甲酸乙二酯基材的中央部的步驟；及，以使前述襯墊的周緣部卡合至前述模板部的缺口部的方式，將前述模板部黏結至前述聚對苯二甲酸乙二酯基材的底面的外周部的步驟。
8. 如請求項6所述的模板組件的製造方法，其中，在準備前述模板部的步驟中，先準備模板部用的基板，將所準備的該基板切割出環狀後，藉由磨削該環狀的基板的內面上部，來形成前述缺口部。
9. 如請求項7所述的模板組件的製造方法，其中，在準備前述模板部之步驟中，先準備模板部用的基板，將所準備的該基板切割出環狀後，藉由磨削該環狀的基板的內面上部，來形成前述缺口部。
10. 如請求項6所述的模板組件的製造方法，其中，在準備前述模板部的步驟中，在形成前述缺口部前，藉由研光及/或研磨前述模板部，將前述模板部的厚度的面內偏差作成10μ m以下。
11. 如請求項7所述的模板組件的製造方法，其中，在準備前述模板部的步驟中，在形成前述缺口部前，藉由研光及/或研磨前述模板部，將前述模板部的厚度的面內偏差作成10μm以下。
12. 如請求項8所述的模板組件的製造方法，其中，在準備前述模板部的步驟中，在形成前述缺口部前，藉由研光及/或研磨前述模板部，將前述模板部的厚度的面內偏差作成10μm以下。
13. 如請求項9所述之模板組件的製造方法，其中，在準備前述模板部的步驟中，在形成前述缺口部前，藉由研光及/或研磨前述模板部，將前述模板部的厚度的面內偏差作成10μm以下。