TW201504183A - 疊層式密封薄片 - Google Patents
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Abstract
玻璃密封薄片包括玻璃核心層、第一包覆層及/或第二包覆層,玻璃核心層具有第一側及第二側,第一包覆層接合至玻璃核心層之第一側,第二包覆層接合至玻璃核心層之第二側。第一包覆層包括玻璃組成物,玻璃組成物在發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。
Description
本申請案依據專利法主張申請於2013年6月14日之美國臨時申請案序號第61/835,120號之優先權之權益,依據該申請案之內容且該申請案之內容以全文引用之方式併入本文。
本說明書大致上關於疊層式密封薄片,且更特定而言關於用來形成密閉式(hermetically)密封玻璃封裝的玻璃對玻璃(glass-to-glass)密封中所使用的疊層式密封薄片。
密閉式玻璃對玻璃密封可用於許多產業中,例如,顯示技術、半導體技術、照明技術及光伏技術。歷史上,在密封處理期間某些密閉式玻璃對玻璃密封處理利用提高的溫度,此舉可能導致所造成的密封產品損壞。舉例而言,在密封有機發光裝置/二極體(OLED)時,將過多的熱轉移至主動有機層的密封處理可能損壞主動有機層。此外,OLED可能易受來自曝露於水蒸氣、氧氣或兩者的環境劣化,此舉對於OLED結構之有機材料及電性部件為不利的。
為了使過多的熱轉移及環境汙染最小化,已採用雷
射熔接(laser-frit)密封、雷射直接玻璃(laser direct-glass)密封及薄膜低熔點玻璃密封。雷射熔接密封可增加在施加雷射之前需要圖案化熔塊(frit)線之成本或需要施加熔塊層至薄片之成本。直接玻璃密封可能遭受不良的光學透射通過密封薄片之缺點與製作外來的(昂貴的)雷射吸收玻璃之高成本之缺點。薄膜低熔點玻璃密封涉及施加至外部玻璃載體表面的薄膜密封層,薄膜密封層的厚度通常從約0.5微米至約2.0微米。因此,薄膜材料並非熔合成型的,且是藉由濺射塗層到玻璃載體上來供應,此舉可增加將材料濺射塗層至玻璃的成本,特別是由於濺射為本質上緩慢的處理且可能需要大型真空設備。此外,薄膜密封可遭受損害,例如刮痕或剝層(delamination)。玻璃對玻璃密封亦可藉由聚合材料或填充的聚合材料來完成,但這些密封可能不會提供針對特定應用所需的氣密性程度。玻璃密封亦可藉由陽極接合來產生,但此舉可能需要高電壓,高電壓可能不適用於具有已經在玻璃上圖案化之電子電路的應用。
本文揭示用於玻璃對玻璃密封的替代方式。
在實施例中,揭示玻璃密封薄片。玻璃密封薄片包括玻璃核心層、第一包覆層及/或第二包覆層,玻璃核心層具有第一側及第二側,第一包覆層接合至玻璃核心層之第一側,第二包覆層接合至玻璃核心層之第二側,其中第一包覆層具有第一熱膨脹係數且包括玻璃組成物,玻璃組成物在發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。在實施例中,第二包
覆層包括與第一包覆層之玻璃組成物不同的組成物且第二包覆層具有第二熱膨脹係數,且第一熱膨脹係數與第二熱膨脹係數之間的差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
在實施例中,揭示玻璃封裝。玻璃封裝包括玻璃密封薄片及密封至玻璃密封薄片的玻璃基板。在實施例中,玻璃密封薄片可包括玻璃核心層、第一包覆層及/或第二包覆層,玻璃核心層具有第一側及第二側,第一包覆層接合至玻璃核心層之第一側,第二包覆層接合至玻璃核心層之第二側,其中第一包覆層具有第一熱膨脹係數且包括玻璃組成物,玻璃組成物在發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。在實施例中,第二包覆層包括與第一包覆層之玻璃組成物不同的組成物且第二包覆層具有第二熱膨脹係數,且第一熱膨脹係數與第二熱膨脹係數之間的差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
在實施例中,揭示製造玻璃密封薄片之方法。方法包括:熔化核心玻璃組成物,以形成熔融核心玻璃組成物;熔化第一包覆玻璃組成物,第一包覆玻璃組成物包括輻射吸收成分,以形成熔融第一包覆玻璃組成物;熔化第二包覆玻璃組成物,以形成熔融第二包覆玻璃組成物;流動熔融核心玻璃組成物、熔融第一包覆玻璃組成物及熔融第二包覆玻璃組成物,使得他們匯流且形成複合流;及抽引複合流成為玻璃密封薄片,該玻璃密封薄片包括玻璃核心層、第一包覆層及第二包覆層,玻璃核心層具有第一側及第二側,第一包覆層具有第一熱膨脹係數且接合至玻璃核心層之第一側,第二
包覆層具有第二熱膨脹係數且接合至玻璃核心層之第二側,其中第一熱膨脹係數與第二熱膨脹係數之間的差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
在實施例中,揭示製造玻璃封裝之方法。方法包括放置玻璃密封薄片與玻璃基板接觸,玻璃密封薄片包括玻璃核心層、第一包覆層及/或第二包覆層,玻璃核心層具有第一側及第二側,第一包覆層接合至玻璃核心層之第一側,第二包覆層接合至玻璃核心層之第二側,其中第一包覆層具有第一熱膨脹係數且包括玻璃組成物,玻璃組成物在發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。在實施例中,第二包覆層具有第二熱膨脹係數且由與第一包覆層之玻璃組成物不同的組成物所形成,且第一熱膨脹係數與第二熱膨脹係數之間的差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。在實施例中,方法包括沿第一包覆層用雷射照射預定的密封區域,以形成密封玻璃封裝。
在實施例中,揭示製造玻璃密封薄片之方法。方法包括:熔化核心玻璃組成物,以形成熔融核心玻璃組成物;熔化第一包覆玻璃組成物,第一包覆玻璃組成物包括輻射吸收成分,以形成熔融第一包覆玻璃組成物;熔化第二包覆聚合物組成物,以形成熔融第二包覆聚合物組成物;流動熔融核心玻璃組成物、熔融第一包覆玻璃組成物及熔融第二包覆聚合物組成物,使得他們匯流且形成複合流;及抽引複合流成為玻璃密封薄片,玻璃密封薄片包括玻璃核心層、第一包覆層及第二包覆層,玻璃核心層具有第一側及第二側,玻璃
核心層具有核心熱膨脹係數,第一包覆層具有第一熱膨脹係數且接合至玻璃核心層之第一側,第二包覆層接合至玻璃核心層之第二側,其中第一熱膨脹係數與核心熱膨脹係數之間的差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
實施例之額外的特徵及優點將記載於以下的實施方式,且從該實施方式或藉由實踐本文所述的實施例,包含以下的實施方式、申請專利範圍及附圖,而認知,對於本領域具有習知技藝者而言部分地將為顯而易見的。
應瞭解,前述一般性描述及以下實施方式兩者描述各種實施例且旨在提供用以瞭解本案申請標的之本質及特性之概要或架構。本文包含附圖,以提供進一步瞭解各種實施例,且附圖併入本說明書中且構成本說明書之一部分。圖式繪示本文所述的各種實施例,且圖式與說明一起作為解釋本案申請標的之原理及操作之用。
100‧‧‧玻璃密封薄片
105‧‧‧玻璃核心層
110‧‧‧第一包覆層
115‧‧‧第二包覆層
200‧‧‧熔合疊層處理
205‧‧‧玻璃核心層
210‧‧‧第一包覆層
215‧‧‧第二包覆層
220‧‧‧玻璃複合流
225‧‧‧溢流分佈器
230‧‧‧溢流分佈器
235‧‧‧溢流分佈器
240‧‧‧成形構件
300‧‧‧熔合疊層處理
305‧‧‧玻璃核心層
310‧‧‧第一包覆層
315‧‧‧第二包覆層
320‧‧‧複合流
325‧‧‧溢流分佈器
330‧‧‧溢流分佈器
335‧‧‧溢流分佈器
340‧‧‧成形構件
400‧‧‧製造玻璃封裝之方法
405‧‧‧玻璃基板
410‧‧‧雷射
在實施例中:第1圖示意描繪示例的玻璃密封薄片;第2圖示意描繪製造玻璃密封薄片之示例的方法;第3圖示意描繪製造玻璃密封薄片之示例的方法;第4圖示意描繪製造玻璃封裝之示例的方法。
現將詳細參照玻璃密封薄片之實施例、用於製造玻璃密封薄片的方法之實施例、玻璃封裝之實施例及用於製造玻璃封裝的方法之實施例,該等實施例之實例繪示於附圖
中。在本文的實施例中,用於密封OLED的玻璃密封薄片與包括玻璃密封薄片及OLED的玻璃封裝以顯著的細節來記載。然而,應注意到,此僅為本文揭示的實施例之說明性實施方式。該等實施例可應用於容易遭受如上討論的那些類似問題的其他技術。舉例而言,用於密封電子及光子裝置與結構的實施例顯然在本案實施例之範圍內。此些可包含但不限於積體電路及半導體結構。再者,實施例實例可應用於除了OLED顯示器之外其他類型的光學裝置,包含場發射顯示器、電漿顯示器、無機電致發光(EL)顯示器及其他在其中感光性薄膜需要自環境受保護的光學裝置。將盡可能在圖式各處使用相同的元件符號來指稱相同部件或相似部件。
用語「實質上無」,當用以描述在玻璃組成物中缺少特定成分時,意指該成分在該玻璃組成物中存在作為小於0.1mol.%的微量污染物。
在本文的實施例中,揭示的玻璃密封薄片包括玻璃核心層及第一包覆層,玻璃核心層具有第一側及第二側,第一包覆層熔合至玻璃核心層之第一側。此外,或替代地,玻璃密封薄片包括第二包覆層,第二包覆層熔合至玻璃核心層之第二側。在本文的實施例中,製造玻璃密封薄片之方法包括:熔化核心玻璃組成物,以形成熔融核心玻璃組成物;熔化第一包覆玻璃組成物,第一包覆玻璃組成物包括輻射吸收成分,以形成熔融第一包覆玻璃組成物;流動熔融核心玻璃組成物及熔融第一包覆玻璃組成物,使得他們匯流且形成複合流;及抽引複合流成為玻璃密封薄片。此外,或替代地,
製造玻璃密封薄片之方法包括:熔化第二包覆組成物,以形成熔融第二包覆組成物;流動熔融核心玻璃組成物、熔融第一包覆玻璃組成物及熔融第二包覆組成物,使得他們匯流且形成複合流;及抽引複合流成為玻璃密封薄片。
在本文的實施例中,揭示的玻璃封裝包括玻璃密封薄片及密封至玻璃密封薄片的玻璃基板,使得實質上產生密閉式密封。在本文的實施例中,製造玻璃封裝之方法包括放置玻璃密封薄片與玻璃基板接觸,及沿玻璃密封薄片用雷射照射預定的密封區域,以形成實質上密閉式密封玻璃封裝。
參照第1圖,第1圖描繪玻璃密封薄片100之示例的實施例之示意圖,玻璃密封薄片100包括玻璃核心層105、第一包覆層110及第二包覆層115,玻璃核心層105具有第一側及第二側,第一包覆層110接合或熔合至玻璃核心層105之第一側,第二包覆層115接合或熔合至玻璃核心層105之第二側。第一包覆層110與玻璃核心層105之間的介面及/或第二包覆層115與玻璃核心層105之間的介面可為無任何接合材料被加入或經配置以將個別包覆層附著至玻璃核心層,接合材料例如,舉例而言,黏著劑、塗層或任何非玻璃材料。因此,第一包覆層110及/或第二包覆層115為直接熔合至玻璃核心層105或直接相鄰玻璃核心層105。在某些實施例中,玻璃密封薄片包括設置於玻璃核心層與第一包覆層之間及/或設置於玻璃核心層與第二包覆層之間的一或更多中間層。舉例而言,中間層包括形成於玻璃核心層與包覆層之介面處的中間玻璃層及/或擴散層(舉例而言,藉由將玻璃核心層及包覆
層之一或更多成分擴散進入擴散層)。在某些實施例中,玻璃密封薄片100包括玻璃-玻璃疊層(舉例而言,原位熔合的多層玻璃-玻璃疊層),其中直接相鄰玻璃層之間的介面為玻璃-玻璃介面。
本文所述的玻璃核心層105可由玻璃組成物所形成或包括玻璃組成物,玻璃組成物包含,舉例而言,鈉鈣玻璃(soda-lime glass)、矽酸鹽玻璃(silicate glass)、硼矽酸鹽玻璃(borosilicate glass)、鋁矽酸鹽玻璃(aluminosilicate glass)、鋁硼矽酸鹽玻璃(aluminoborosilicate glass)、鹼土鋁硼矽酸鹽玻璃(alkaline-earth aluminoborosilicate glass)或其他適合的疊層形成的玻璃。在某些實施例中,玻璃核心層105可為鹼土鋁硼矽酸鹽玻璃。玻璃核心層105為實質上無輻射吸收成分,且經選擇使得舉例而言玻璃核心層105在雷射之發射波長下不吸收輻射,或在藉由加熱玻璃密封薄片100用以完成密封的雷射之發射波長範圍下不吸收輻射。在某些實施例中,玻璃核心層105為至少部分透射。
本文所述的玻璃核心層105之尺寸可為任何適合玻璃密封薄片100產生密封封裝的尺寸。在某些實施例中,玻璃核心層105具有範圍從約100微米至約900微米的厚度。在其他實施例中,玻璃核心層105具有範圍從約200微米至約700微米的厚度。在其他實施例中,玻璃核心層105具有範圍從約250微米至約500微米的厚度。
本文所述的玻璃核心層105可具有從約0×10-7/℃至約100×10-7/℃的核心熱膨脹係數(「CTE」)。在某些實施
例中,玻璃核心層105可具有從約25×10-7/℃至約80×10-7/℃的核心熱膨脹係數。在進一步實施例中,玻璃核心層105可具有從約50×10-7/℃至約80×10-7/℃的核心熱膨脹係數。
舉例而言,本文所述的第一包覆層110可由玻璃組成物或聚合物組成物所形成,或是包括玻璃組成物或聚合物組成物,玻璃組成物或聚合物組成物包括輻射吸收成分。因此,第一包覆層110在發射波長下或在發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。在某些實施例中,第一包覆層110由玻璃組成物所形成,玻璃組成物包括輻射吸收成分。第一包覆層110具有第一熱膨脹係數。在某些實施例中,第一包覆層110為實質上透射的。
舉例而言,本文所述的第二包覆層115可由玻璃組成物或聚合物組成物所形成,或是包括玻璃組成物或聚合物組成物,玻璃組成物或聚合物組成物包括輻射吸收成分。因此,第二包覆層115在發射波長下或在發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。或者,本文所述的第二包覆層115可由舉例而言實質上無輻射吸收成分的玻璃組成物或聚合物組成物所形成。因此,第二包覆層115在發射波長下或在發射波長範圍之至少一部分下不吸收輻射。第二包覆層115具有第二熱膨脹係數。在某些實施例中,第二包覆層115由玻璃組成物所形成。在某些實施例中,第二包覆層115為實質上透射的。
在某些實施例中,第一熱膨脹係數與第二熱膨脹係數之間的差的範圍可從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃,或在其
他實施例中,從約0×10-7/℃至約5×10-7/℃。在某些實施例中,第一包覆層110及第二包覆層115是由不同的組成物所形成且具有範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃的熱膨脹係數差。在包覆層之間低熱膨脹係數差或無熱膨脹係數差可避免由於在玻璃中隨著熱膨脹係數不匹配而可能發生的擠壓力之非對稱性所導致的翹曲(warpage)。
玻璃核心層105之核心熱膨脹係數的範圍可從約0×10-7/℃至約50×10-7/℃,大於第一熱膨脹係數及/或第二熱膨脹係數。在某些實施例中,玻璃核心層105之核心熱膨脹係數的範圍可從約25×10-7/℃至約50×10-7/℃,大於第一熱膨脹係數及第二熱膨脹係數。核心熱膨脹係數與第一和第二熱膨脹係數之間的差可造成第一包覆層110及第二包覆層115受壓縮應力而無離子交換或熱回火,因此賦予玻璃密封薄片100之損傷抗性。玻璃密封薄片100可具有大於約20MPa的壓應力。舉例而言,在某些實施例中,玻璃密封薄片100可具有範圍從約25MPa至約400MPa的壓應力,在其他實施例中,玻璃密封薄片100可具有範圍從約25MPa至約250MPa的壓應力,且在其他實施例中,玻璃密封薄片100可具有範圍從約75MPa至約200MPa的壓應力。玻璃核心層105之核心熱膨脹係數與第一熱膨脹係數和第二熱膨脹係數之間還可幾乎沒有差異。在某些實施例中,玻璃核心層105之核心熱膨脹係數與第一熱膨脹係數和第二熱膨脹係數之間的差的範圍可從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
可用以形成第一包覆層110及/或第二包覆層115的
適合的玻璃組成物可包含,但不限於,矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鹼土鋁硼矽酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(phosphate glass)或其他適合的疊層形成的玻璃。在某些實施例中,第一包覆層110可為鋁硼矽酸鹽玻璃。在其他實施例中,第一包覆層110及第二包覆層115兩者可皆為鋁硼矽酸鹽玻璃。
當在形成玻璃密封薄片100中採用較低處理溫度時及當希望低雙折射率時可使用聚合物組成物。可用以形成第一包覆層110及/或第二包覆層115的適合的聚合物組成物可包含但不限於損傷抗性聚合物,舉例而言,丙烯酸酯(acrylates)、聚碳酸脂(polycarbonates)、苯乙烯(styrenes)或其他提供損傷抗性的適合的聚合物。
第一包覆層110及/或第二包覆層115可使用習知摻雜技術以一或更多輻射吸收成分來摻雜。可用於第一包覆層110及/或第二包覆層115中的適合的輻射吸收成分之實例可包含但不限於過渡金屬或稀土族元素。過渡金屬實例可包含鐵、鉛、銅、鋅、釩、錳、鈷、鎳、鉻及/或鉬。稀土族元素實例可包含,舉例而言,釹及/或鈰。在某些實施例中,輻射吸收成分包括選自由鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻、釹、鈰、鉬及上述之組合所組成的群組中的至少一個過渡金屬或稀土族元素。在其他實施例中,輻射吸收成分包括鈰。本文強調這些輻射吸收成分僅為示例的且本文涵蓋其他用於提供密閉式密封的輻射吸收成分。如上述,輻射之來源可為雷射。為了說明之目的,含鈰玻璃於355nm下可具有強吸收且藉由脈
衝之355nm雷射可成功地密封。
選擇輻射吸收成分使得在某波長下或在某波長範圍下發生第一包覆層110之熔化。為此,選擇在該波長下或在該輻射之發射波長範圍下吸收至少近似百分之30的輻射能量的輻射吸收成分為有用的。在某些實施例中,輻射吸收成分在波長下或在輻射之發射波長範圍下吸收至少近似百分之65的輻射能量。此外,應注意到,低於近似百分之25的輻射能量之吸收不足以充分地影響密封,且可能劣化其他成分,例如待密封的薄片上電極所使用的導電材料。此外,可使用各種波長或波長帶之電磁輻射。此些可包含但不限於微波輻射、毫米輻射及紫外輻射,及/或紅外輻射。
在第一包覆層110及/或第二包覆層115之組成物中存在的輻射吸收成分之量可變化,且應以足以吸收足夠輻射以有效地熔化及提供密閉式玻璃對玻璃密封之量而存在。在某些實施例中,輻射吸收成分存在於組成物中,從約0.1mol.%至約10mol.%,從約0.25mol.%至約7.5mol.%,或從約0.50mol.%至約5mol.%。
在某些實施例中,第一包覆層110及/或第二包覆層115之玻璃組成物可包括:從約50mol.%至約75mol.%的SiO2;從約1mol.%至約20mol.%的Al2O3;從約8mol.%至約30mol.%的B2O3;從約0mol.%至約6mol.%的Na2O;從約0mol.%至約2mol.%的Li2O;
從約0mol.%至約3mol.%的K2O;從約0.5mol.%至約5mol.%的輻射吸收成分;及從約0mol.%至約5mol.%的TiO2。
雖然本文以上參照各種組成成分(例如SiO2、Al2O3及類似者)之特定組成範圍已描述示例的玻璃組成物,應了解,各組成成分之各組成範圍可包含該組成成分之一或更多個較窄組成範圍,用以產生具有所需性質的玻璃。
第一包覆層110及第二包覆層115可具有相同或不同的組成物。在某些實施例中,第一包覆層110及第二包覆層115是由不同的組成物所形成且具有範圍從約0x10-7/℃至約10x10-7/℃的熱膨脹係數差。舉例而言,在某些實施例中,第一包覆層110可包括第一玻璃組成物,第一玻璃組成物包括輻射吸收成分,且第二包覆層115可包括第二玻璃組成物,第二玻璃組成物實質上無輻射吸收成分。在其他實施例中,第一包覆層110可包括第一玻璃組成物,第一玻璃組成物包括輻射吸收成分,且第二包覆層115可包括聚合物組成物而無輻射吸收成分。在進一步實施例中,第一包覆層110可包括第一玻璃組成物,第一玻璃組成物包括輻射吸收成分,且第二包覆層115可包括第二玻璃組成物,第二玻璃組成物包括輻射吸收成分。在更進一步實施例中,第一包覆層110可包括第一玻璃組成物,第一玻璃組成物包括輻射吸收成分,且第二包覆層115可包括聚合物組成物而無輻射吸收成分。在更進一步實施例中,第一包覆層110可包括第一玻璃組成物,第一玻璃組成物包括輻射吸收成分,且第二包覆層115
可包括第一玻璃組成物而實質上無輻射吸收成分。對於本領域具有通常技藝者而言應為顯而易見的是,本文可使用第一包覆層及第二包覆層之其他組合。舉例而言,第一包覆層110及第二包覆層115可皆包括聚合物組成物,聚合物組成物包括輻射吸收成分,且某些情況,第二包覆層115可實質上無輻射吸收成分。
本文所述的第一包覆層110之尺寸可為任何適用於所製造的玻璃密封薄片100之尺寸。在某些實施例中,第一包覆層110具有範圍從約20微米至約200微米的厚度。在其他實施例中,第一包覆層110具有範圍從約30微米至約150微米的厚度。類似地,本文所述的第二包覆層115可為任何適用於所製造的玻璃密封薄片100之尺寸。在某些實施例中,第二包覆層115具有範圍從約20微米至約200微米的厚度。在其他實施例中,第二包覆層115具有範圍從約30微米至約150微米的厚度。玻璃密封薄片100之整體厚度可為低於約1mm。
舉例而言,玻璃密封薄片100可由熔合處理所形成。在某些實施例中,本文所述的玻璃密封薄片100可由熔合疊層處理所形成,例如美國專利案第4,214,886號中所述的處理,該案以引用方式併入本文。舉例而言,玻璃密封薄片100亦可由流孔抽引式(slot draw)疊層處理所形成。
在製造玻璃密封薄片的示例的方法中,核心玻璃組成物在核心熔融槽中熔化以形成熔融核心玻璃組成物,包括輻射吸收成分的第一包覆玻璃組成物在第一熔融槽中熔化以
形成熔融第一包覆玻璃組成物,及第二包覆玻璃組成物在第二熔融槽中熔化以形成熔融第二包覆玻璃組成物。熔融玻璃組成物傳遞至成形設備,在成形設備中熔融核心玻璃組成物、熔融第一包覆玻璃組成物以及熔融第二包覆玻璃組成物流動,使得他們匯流且形成複合流。熔融玻璃流熔融成單一玻璃複合流。玻璃複合流被抽引成具有最終所需厚度的玻璃密封薄片。
參照第2圖,描繪熔合疊層處理200之實例。形成玻璃核心層205的核心玻璃組成物,形成第一包覆層210的第一包覆玻璃組成物,以及形成第二包覆層215的第二包覆玻璃組成物,分別熔化且經由適合的傳遞系統分別傳遞至對應的溢流分佈器225、230、235。溢流分佈器230、235包含中央壁,中央壁允許在形成第一包覆層210及第二包覆層215中使用兩種不同玻璃組成物。溢流分佈器230、235安裝在溢流分佈器225之上,使得來自溢流分佈器230、235的玻璃流過溢流分佈器230、235之頂邊緣部分且沿側邊向下,以在該等頂邊緣部分下而在溢流分佈器230、235之兩側上形成具有適當厚度的均勻流動層。藉由調整任一給定溢流分佈器(及相關聯的成形構件)之兩側上方的相對玻璃流動可達成不對稱的層厚度,例如藉由使成形構件或成形構件之組合傾斜。
溢流分佈器225具有與溢流分佈器225相關聯的楔形成形構件240。成形構件240具有漸縮側壁部分,漸縮側壁部分在漸縮側壁部分之頂端處與溢流分佈器225之側壁相通且在漸縮側壁部分之漸縮底端處以繪製的線終止。溢流出溢
流分佈器225的熔融核心玻璃沿分佈器壁向下流動且鄰近成形構件240之漸縮外部表面形成初始玻璃流動層,而熔融第一及第二包覆玻璃從上方溢流出溢流分佈器230、235向下流過分佈器壁且流過玻璃核心層205之外部表面部分,藉此被熔合在一起且產生玻璃複合流220。來自成形構件240之各漸縮側壁的核心玻璃之兩個別層聚在一起且被熔合以形成玻璃核心層205,玻璃核心層205位於第一包覆層210與第二包覆層215之間。尺寸控制及所產生的原始玻璃表面條件可使得熔合或溢流處理為用於製作玻璃密封薄片的令人滿意的方法。
在製造玻璃密封薄片之另一個示例的方法中,核心玻璃組成物在核心熔融槽中熔化以形成熔融核心玻璃組成物,包括輻射吸收成分的第一包覆玻璃組成物在第一熔融槽中熔化以形成熔融第一包覆玻璃組成物,及第二包覆聚合物組成物在第二熔融槽中熔化以形成熔融第二包覆聚合物組成物。熔融玻璃組成物傳遞至成形設備,在成形設備中熔融核心玻璃組成物及熔融第一包覆玻璃組成物流動使得他們匯流且形成單一玻璃複合流,且玻璃複合流及熔融第二包覆聚合物組成物流動使得他們匯流且形成複合流。熔融玻璃流熔合成單一玻璃複合流。複合流被抽引成具有最終所需厚度的玻璃密封薄片。
參照第3圖,描繪熔合疊層處理300之實例。形成玻璃核心層305的核心玻璃組成物,形成第一包覆層310的第一包覆玻璃組成物,以及形成第二包覆層315的第二包覆
聚合物組成物,分別熔化且經由適合的傳遞系統分別傳遞至對應的溢流分佈器325、330、335。單側溢流分佈器330、335允許在形成第一包覆層310及第二包覆層315中使用兩種不同組成物。雖然示例的熔合疊層處理揭示玻璃及聚合物組成物之使用以分別形成第一包覆層及第二包覆層,應瞭解該處理亦可用於舉例而言當使用兩種不同玻璃組成物時。
單側溢流分佈器330、335放置於溢流分佈器325下方的不同高度處。來自溢流分佈器330、335的組成物流過溢流分佈器330、335之頂邊緣部分且沿側邊向下,以形成具有適當厚度的均勻流動層,均勻流動層將與玻璃核心層305流匯流。第一包覆玻璃組成物塗佈玻璃核心層305之第一側以形成第一包覆層310,且第二包覆聚合物組成物塗佈玻璃核心層305之第二側以形成第二包覆層315。藉由調整任一給定溢流分佈器之側上方的相對組成物流動可達成不對稱的層厚度。
雙側溢流分佈器325具有與雙側溢流分佈器325相關聯的楔形成形構件340。成形構件340具有漸縮側壁部分,漸縮側壁部分在漸縮側壁部分之頂端處與溢流分佈器325之側壁相通且在漸縮側壁部分之漸縮底端處以繪製的線終止。溢流出溢流分佈器325的熔融核心玻璃沿分佈器壁向下流動且鄰近成形構件340之漸縮外部表面形成初始玻璃流動層。來自成形構件340之各漸縮側壁的核心玻璃之兩個別層聚在一起且被熔合以形成玻璃核心層305,玻璃核心層305位於第一包覆層310與第二包覆層315之間。熔融第一包覆組成物
溢流出溢流分佈器330且向下流過分佈器壁且流過玻璃核心層305之第一外部表面部分,藉此熔合在一起且產生玻璃複合流。熔融第二包覆組成物溢流出溢流分佈器335且向下流過分佈器壁且流過玻璃核心層305之第二外部表面部分,以形成複合流320,複合流320包含第一包覆層310、第二包覆層315及玻璃核心層305。尺寸控制及所產生的原始玻璃表面條件可使得熔合或溢流處理為用於製作玻璃密封薄片的令人滿意的方法。對於上述全部的塗佈方法,玻璃核心層305之薄片型的流動當在可流動或熔融形式時為非常有反應的,允許第一包覆層310及第二包覆層315形成與玻璃核心層305之表面的強接合。
玻璃密封薄片可從玻璃複合被切割出且被傳送用於進一步處理。玻璃密封薄片包括具有第一側與第二側的玻璃核心層,接合至玻璃核心層之第一側的第一包覆層,及接合至玻璃核心層之第二側的第二包覆層。
參照第4圖,描繪製造玻璃封裝之方法400,包括放置玻璃密封薄片100之第一包覆層110與玻璃基板405接觸。雷射410用以沿玻璃密封薄片100之第一包覆層110照射預定的密封區域以使第一包覆層110熔化。第一包覆層110沿密封區域與玻璃基板405形成密閉式密封玻璃封裝,藉此將玻璃密封薄片100結合至玻璃基板405。玻璃封裝包括玻璃密封薄片100及密封至玻璃密封薄片100的玻璃基板405,使得實質上產生密閉式密封。
在某些實施例中,玻璃基板405可為至少部分透明
的。然而,此為非必要的。玻璃基板405之材料為應用驅動的。舉例而言,玻璃基板405可包括硼矽酸鹽玻璃材料,在某些實施例中,玻璃基板405可為透明玻璃板。可使用與那些由康寧公司所製造且販售的例如代碼2916玻璃或Eagle XGTM玻璃類似的玻璃板。亦可使用由例如Asahi Glass Co.(例如,OA10玻璃及OA21玻璃)、Schott AG、Nippon Electric Glass Co.、NHTechno及Samsung Corning Precision Glass Co.等公司所製造且販售的其他玻璃板。
有利的為,針對玻璃基板405所選擇的材料在用以藉由加熱玻璃密封薄片100來完成密封的雷射之發射波長處或在該雷射之發射波長範圍下實質上不吸收輻射。在某些實施例中,玻璃基板405可為實質上無輻射吸收成分。在其他實施例中,玻璃基板405可包括具有實質上透射自雷射源所發射的電磁輻射的波長或波長範圍的輻射吸收成分,該雷射源用以將玻璃密封薄片密封至玻璃基板。
玻璃基板405可具有沉積於玻璃基板405上的數個OLED及/或其他電路系統。當然,本文所揭示的示例的實施例之方法及產品除了所述那些還可用於其他應用中。舉例而言,示例的實施例之方法及產品可用於微反應器應用中,其中實質上一或多個惰性材料(例如,玻璃)之板之間的通道可用於引入化學物,該等化學物形成一或多個反應產物。再者,說明的實施例之方法及產品可用以提供需要氣密性的各種各樣的薄膜裝置之密封,該等薄膜裝置例如半導體薄膜裝置。
在本文所述的實施例中,雷射410提供電磁輻射。
然而,此為非必要的。選擇用以完成密封的電磁輻射之波長或波長範圍以便不被密封薄片之玻璃核心層105或玻璃基板405所實質上吸收(且因此顯著地加熱),特別是當玻璃基板405上設置有溫度敏感材料時。
以沿預定密封區域加熱第一包覆層110之一部分的方式來照射玻璃密封薄片100。雷射410發射雷射光束通過第二包覆層115及玻璃核心層105,使得雷射光束聚焦於第一包覆層110之預定密封區域上。當密封區域被加熱時該密封區域熔化以形成密閉式密封,該密閉式密封沿密封區域連接且接合至玻璃基板405。密封區域可位於沿玻璃基板405之邊緣處。可使用其他密封區域配置用以使裝置之密封區域最大化。舉例而言,密封區域可不具有與玻璃基板405之形狀相同的形狀。
本文所述的玻璃密封薄片可用於各種應用包含,舉例而言,用於消費者或商務電子裝置中的覆蓋玻璃或玻璃背板應用,消費者或商務電子裝置包含,舉例而言,LCD、LED、OLED及量子點顯示器、電腦螢幕、音響(sound bars)及自動提款機(ATM);用於可攜式電子裝置之觸控螢幕或觸控感測器應用,可攜式電子裝置包含,舉例而言,行動電話、個人媒體播放器及平板電腦;用於積體電路應用包含,舉例而言,半導體晶圓;用於光伏應用;用於建築玻璃應用;用於汽車或交通工具玻璃應用包含,舉例而言,車窗、照明、儀表及密封頭盔觀察窗(helmet visors);用於商用或家用電器應用;用於照明或招牌(例如,靜態或動態招牌)應用;用於運輸應用
包含,舉例而言,鐵路及航空航天應用;或用於抗菌應用。
各種產品可併入本文所述的玻璃密封薄片。在某些實施例中,電子裝置(舉例而言,消費者或商務電子裝置)例如,舉例而言,LCD、LED、OLED或量子點顯示器包括一或更多個玻璃密封薄片,該一或更多個玻璃密封薄片可被採用作為覆蓋玻璃或作為玻璃背板。在某些實施例中,積體電路例如,舉例而言,半導體晶圓,包括一或更多個玻璃密封薄片。在某些實施例中,照明裝置(舉例而言,LED或OLED)包括一或更多個玻璃密封薄片。在某些實施例中,光伏電池包括一或更多個玻璃密封薄片。在某些實施例中,建築窗格包括一或更多個玻璃密封薄片。在某些實施例中,交通工具構件或組件例如,舉例而言,鑲嵌玻璃(glazing)或窗戶、燈或儀表包括一或更多個玻璃密封薄片。在某些實施例中,密封頭盔觀察窗包括一或更多個玻璃密封薄片。在某些實施例中,電器(例如,家用或商用電器)包括一或更多個玻璃密封薄片。在某些實施例中,燈或標誌包括一或更多個玻璃密封薄片。
對於本領域具有習知技藝者而言將為顯而易見的是,可在不脫離本案申請標的之範疇的情況下對本文所述的實施例作各種修改及變異。因此,吾人預期說明書涵蓋本文所述的各種實施例之修改及變異,前提為該等修改及變異在所附申請專利範圍及其均等物之範疇內。
100‧‧‧玻璃密封薄片
105‧‧‧玻璃核心層
110‧‧‧第一包覆層
115‧‧‧第二包覆層
Claims (41)
- 一種玻璃密封薄片,包括:一玻璃核心層,該玻璃核心層具有一第一側及一第二側;及一第一包覆層,該第一包覆層接合至該玻璃核心層之該第一側;其中:該第一包覆層具有一第一熱膨脹係數且包括一玻璃組成物,該玻璃組成物在一發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。
- 如請求項1所述之玻璃密封薄片,其中該第一包覆層之該玻璃組成物包括至少一輻射吸收成分。
- 如請求項2所述之玻璃密封薄片,其中該至少一輻射吸收成分包括選自由鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻、釹、鈰、鉬及上述之組合所組成的群組中的一過渡金屬或稀土族元素。
- 如請求項2所述之玻璃密封薄片,其中該至少一輻射吸收成分包括鈰。
- 如請求項1所述之玻璃密封薄片,其中該第一包覆層之該玻璃組成物包括: 從約50mol.%至約75mol.%的SiO2;從約1mol.%至約20mol.%的Al2O3;從約8mol.%至約30mol.%的B2O3;從約0mol.%至約6mol.%的Na2O;從約0mol.%至約2mol.%的Li2O;從約0mol.%至約3mol.%的K2O;從約0.5mol.%至約5mol.%的輻射吸收成分;及從約0mol.%至約5mol.%的TiO2。
- 如請求項1所述之玻璃密封薄片,進一步包括一第二包覆層,該第二包覆層接合至該玻璃核心層之該第二側;其中:該第二包覆層包括一組成物,該組成物具有一第二熱膨脹係數;及該第一熱膨脹係數與該第二熱膨脹係數之間的一差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
- 如請求項6所述之玻璃密封薄片,其中該第二包覆層之該玻璃組成物與該第一包覆層之該玻璃組成物不同。
- 如請求項6所述之玻璃密封薄片,其中該玻璃核心層具有從約0×10-7/℃至約50×10-7/℃的一核心熱膨脹係數,該核心熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數或該第二熱膨脹係數。
- 如請求項6所述之玻璃密封薄片,其中該第一包覆層及該第二包覆層具有從約30微米至約150微米的一厚度。
- 如請求項6所述之玻璃密封薄片,其中該第二包覆層之該組成物為一玻璃組成物。
- 如請求項10所述之玻璃密封薄片,其中該第二包覆層之該玻璃組成物於一發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。
- 如請求項11所述之玻璃密封薄片,其中該第二包覆層之該玻璃組成物包括選自由鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻、釹、鈰、鉬及上述之組合所組成的群組中的至少一輻射吸收成分。
- 如請求項1所述之玻璃密封薄片,其中該玻璃密封薄片具有低於約1mm的一整體厚度。
- 如請求項1所述之玻璃密封薄片,其中該第一包覆層及該第二包覆層具有從約20MPa至約400MPa的一壓應力。
- 一種玻璃封裝,包括:由前述請求項中任一項所述之玻璃密封薄片;及密封至該玻璃密封薄片的一玻璃基板。
- 如請求項15所述之玻璃封裝,其中該玻璃基板為密閉式 密封至該玻璃密封薄片。
- 一種製造一玻璃密封薄片之方法,該方法包括以下步驟:熔化一核心玻璃組成物,以形成一熔融核心玻璃組成物;熔化一第一包覆玻璃組成物,以形成一熔融第一包覆玻璃組成物,該第一包覆玻璃組成物於一發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射;流動該熔融核心玻璃組成物及該熔融第一包覆玻璃組成物,使得該熔融核心玻璃組成物及該熔融第一包覆玻璃組成物匯流且形成一複合流;及抽引該複合流成為一玻璃密封薄片,該玻璃密封薄片包括:一玻璃核心層,該玻璃核心層包括該核心玻璃組成物且具有一第一側及一第二側;及一第一包覆層,該第一包覆層包括該第一包覆玻璃組成物且具有一第一熱膨脹係數且接合至該玻璃核心層之該第一側。
- 如請求項17所述之方法,其中該第一包覆玻璃組成物包括至少一輻射吸收成分。
- 如請求項18所述之方法,其中該至少一輻射吸收成分包括選自由鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻、釹、鈰、鉬及上述之組合所組成的群組中的一過渡金屬或稀土族元素。
- 如請求項18所述之方法,其中該至少一輻射吸收成分包括鈰。
- 如請求項17所述之方法,其中該第一包覆玻璃組成物包括:從約50mol.%至約75mol.%的SiO2;從約1mol.%至約20mol.%的Al2O3;從約8mol.%至約30mol.%的B2O3;從約0mol.%至約6mol.%的Na2O;從約0mol.%至約2mol.%的Li2O;從約0mol.%至約3mol.%的K2O;從約0.5mol.%至約5mol.%的輻射吸收成分;及從約0mol.%至約5mol.%的TiO2。
- 如請求項17所述之方法,進一步包括以下步驟:熔化一第二包覆玻璃組成物,以形成一熔融第二包覆玻璃組成物;流動該熔融核心玻璃組成物、該熔融第一包覆玻璃組成物及該熔融第二包覆玻璃組成物,使得該熔融核心玻璃組成物、該熔融第一包覆玻璃組成物及該熔融第二包覆玻璃組成物匯流且形成該複合流;及抽引該複合流成為該玻璃密封薄片,該玻璃密封薄片包括: 一第二包覆層,該第二包覆層包括該第二包覆玻璃組成物且具有一第二熱膨脹係數且接合至該玻璃核心層之該第二側;其中該第一熱膨脹係數與該第二熱膨脹係數之間的一差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
- 如請求項22所述之方法,其中該第二包覆玻璃組成物與該第一包覆玻璃組成物不同。
- 如請求項22所述之方法,其中該玻璃核心層具有從約0×10-7/℃至約50×10-7/℃的一核心熱膨脹係數,該核心熱膨脹係數大於該第一熱膨脹係數或該第二熱膨脹係數。
- 如請求項22所述之方法,其中該第二包覆玻璃組成物於一發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射。
- 如請求項25所述之方法,其中該第二包覆玻璃組成物包括選自由鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻、釹、鈰、鉬及上述之組合所組成的群組中的至少一輻射吸收成分。
- 一種製造一玻璃封裝之方法,該方法包括以下步驟:放置一玻璃密封薄片與一玻璃基板接觸,該玻璃密封薄片包括:一玻璃核心層,該玻璃核心層具有一第一側及一第二 側;及一第一包覆層,該第一包覆層接合至該玻璃核心層之該第一側;其中該第一包覆層具有一第一熱膨脹係數且包括一玻璃組成物,該玻璃組成物在一發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射;及沿該第一包覆層用一雷射照射一預定的密封區域,以形成一密封玻璃封裝。
- 如請求項27所述之方法,其中該第一包覆層之該玻璃組成物包括選自由鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻、釹、鈰及上述之組合所組成的群組中的至少一輻射吸收成分。
- 如請求項27所述之方法,其中來自該雷射的照射導向通過該玻璃核心層且聚焦於沿該第一包覆層的該預定的密封區域上。
- 如請求項27所述之方法,其中:該玻璃密封薄片進一步包括一第二包覆層,該第二包覆層接合至該玻璃核心層之該第二側且具有一第二熱膨脹係數;及該第一熱膨脹係數與該第二熱膨脹係數之間的一差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
- 一種製造一玻璃密封薄片之方法,該方法包括以下步驟:熔化一核心玻璃組成物,以形成一熔融核心玻璃組成物;熔化一第一包覆玻璃組成物,該第一包覆玻璃組成物於一發射波長範圍之至少一部分下吸收輻射;熔化一第二包覆聚合物組成物,以形成一熔融第二包覆聚合物組成物;流動該熔融核心玻璃組成物、該熔融第一包覆玻璃組成物及該熔融第二包覆聚合物組成物,使得該熔融核心玻璃組成物、該熔融第一包覆玻璃組成物及該熔融第二包覆聚合物組成物匯流且形成一複合流;及抽引該複合流成為一玻璃密封薄片,該玻璃密封薄片包括:一玻璃核心層,該玻璃核心層具有一第一側、一第二側及一核心熱膨脹係數,一第一包覆層,該第一包覆層具有一第一熱膨脹係數且接合至該玻璃核心層之該第一側,及一第二包覆層,該第二包覆層接合至該玻璃核心層之該第二側;其中該第一熱膨脹係數與該核心熱膨脹係數之間的一差的範圍從約0×10-7/℃至約10×10-7/℃。
- 如請求項31所述之方法,其中該第一包覆玻璃組成物包括選自由鐵、銅、釩、錳、鈷、鎳、鉻、釹、鈰及上述之組合所組成的群組中的至少一輻射吸收成分。
- 如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片之用途,如請求項17至26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片之用途,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝之用途,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝之用途:用於消費者或商務電子裝置中的覆蓋玻璃或玻璃背板應用,該等消費者或商務電子裝置包含LCD、LED、OLED及量子點顯示器、電腦螢幕、音響及自動提款機(ATM);用於可攜式電子裝置之觸控螢幕或觸控感測器應用,該等可攜式電子裝置包含行動電話、個人媒體播放器及平板電腦;用於積體電路應用,包含半導體晶圓;用於光伏應用;用於建築玻璃應用;用於汽車或交通工具玻璃應用,包含,車窗、照明、儀表及密封頭盔觀察窗;用於商用或家用電器應用;用於照明或招牌應用;用於運輸應用,包含鐵路及航空航天應用;或用於抗菌應用。
- 一種電子裝置,包括一覆蓋玻璃,該覆蓋玻璃包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
- 一種電子裝置,包括一玻璃背板,該玻璃背板包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至 26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
- 一種電子裝置,包括一顯示器,該顯示器包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
- 一種建築玻璃窗格,包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
- 一種汽車鑲嵌玻璃,包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
- 一種交通工具玻璃構件,包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至26及31至32中任一 項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
- 一種電器,包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
- 一種照明裝置,包括如請求項1至14中任一項所述之玻璃密封薄片、如請求項17至26及31至32中任一項所述之方法所製造的一玻璃密封薄片,如請求項15至16中任一項所述之玻璃封裝,或如請求項27至30中任一項所述之方法所製造的一玻璃封裝。
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