TW201448275A - 發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置 - Google Patents
發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201448275A TW201448275A TW103110482A TW103110482A TW201448275A TW 201448275 A TW201448275 A TW 201448275A TW 103110482 A TW103110482 A TW 103110482A TW 103110482 A TW103110482 A TW 103110482A TW 201448275 A TW201448275 A TW 201448275A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- layer
- emitting
- emitting element
- guest material
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 201
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 29
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 189
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 92
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 50
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 24
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- -1 aromatic amine compound Chemical class 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 11
- SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K tris[(4-methylquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-] SXXNJJQVBPWGTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 11
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004032 porphyrins Chemical group 0.000 description 10
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 241000156724 Antirhea Species 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 6
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 5
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 5
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 5
- BPEVHDGLPIIAGH-UHFFFAOYSA-N ruthenium(3+) Chemical compound [Ru+3] BPEVHDGLPIIAGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 5
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N Acetamidine Chemical compound CC(N)=N OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 3
- 125000006268 biphenyl-3-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[5-(3-carbazol-9-ylphenyl)pyridin-3-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=NC=C(C=2)C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 VDHOGVHFPFGPIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABBUNLWYALXOCZ-UHFFFAOYSA-K N1=C(C=CC=C1)C(=O)[O-].[Ru+3].N1=C(C=CC=C1)C(=O)[O-].N1=C(C=CC=C1)C(=O)[O-] Chemical compound N1=C(C=CC=C1)C(=O)[O-].[Ru+3].N1=C(C=CC=C1)C(=O)[O-].N1=C(C=CC=C1)C(=O)[O-] ABBUNLWYALXOCZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical group C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005331 diazinyl group Chemical group N1=NC(=CC=C1)* 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- LYKXFSYCKWNWEZ-UHFFFAOYSA-N pyrazino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile Chemical compound N1=CC=CC2=C(N=C(C(C#N)=N3)C#N)C3=C(C=CC=N3)C3=C21 LYKXFSYCKWNWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- DXEBXHODEDKUHB-UHFFFAOYSA-N 1-N,1-N,4-N-triphenyl-4-N-(9-phenylcarbazol-1-yl)benzene-1,4-diamine Chemical compound c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1ccc(cc1)N(c1ccccc1)c1cccc2c3ccccc3n(-c3ccccc3)c12 DXEBXHODEDKUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLDIBDAJFLZEBU-UHFFFAOYSA-N 1-[1H-inden-1-yl(phenyl)phosphoryl]-1H-indene Chemical compound C1(=CC=CC=C1)P(C1C=CC2=CC=CC=C12)(C1C=CC2=CC=CC=C12)=O LLDIBDAJFLZEBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXPAPGDQRWESTP-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-(9-phenylcarbazol-3-yl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 QXPAPGDQRWESTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,4-n-triphenyl-4-n-[4-[4-(n-[4-(n-phenylanilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XOYZGLGJSAZOAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCQFHFNWMCLWKC-UHFFFAOYSA-N 1-n,4-n,4-n-triphenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 OCQFHFNWMCLWKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCQQXLPLQWPKFG-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-triphenylpyrazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N=C1C=2C=CC=CC=2)=CN=C1C1=CC=CC=C1 OCQQXLPLQWPKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTQJMAHDNUWGFH-UHFFFAOYSA-N 2,4-diphenyl-4,5-dihydro-1,3-oxazole Chemical compound C1OC(C=2C=CC=CC=2)=NC1C1=CC=CC=C1 DTQJMAHDNUWGFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carbazol-9-ylphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)O1 IZJOTDOLRQTPHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPECCMXOGAHFKQ-UHFFFAOYSA-N 3-N,6-N-dinaphthalen-1-yl-9-phenyl-3-N,6-N-bis[4-(N-phenylanilino)phenyl]carbazole-3,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=C2C3=CC(=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 DPECCMXOGAHFKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALEAISKRDWWJRK-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3-dibenzothiophen-4-ylphenyl)pyrimidine Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=C(N=CN=2)C=2C=CC=C(C=2)C2=C3SC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=CC=C1 ALEAISKRDWWJRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 4,6-bis(3-phenanthren-9-ylphenyl)pyrimidine Chemical compound C1=CC=C2C(C=3C=CC=C(C=3)C=3C=C(N=CN=3)C=3C=CC=C(C=3)C=3C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C4C=3)=CC3=CC=CC=C3C2=C1 DGVHCUNJUVMAKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMAJQIMJGFHCCR-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-di(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzothiophene Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1C=CC=C2C1=CC(C=2C=3SC4=CC=CC=C4C=3C=CC=2)=CC(C2=C3SC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=C1 SMAJQIMJGFHCCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKEZAUMKBWTTCR-AATRIKPKSA-N 5-methyl-2-[4-[(e)-2-[4-(5-methyl-1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]ethenyl]phenyl]-1,3-benzoxazole Chemical compound CC1=CC=C2OC(C3=CC=C(C=C3)/C=C/C3=CC=C(C=C3)C=3OC4=CC=C(C=C4N=3)C)=NC2=C1 OKEZAUMKBWTTCR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- LNNMKLNCLINVKV-UHFFFAOYSA-N 9-[3-[6-(3-carbazol-9-ylphenyl)pyrimidin-4-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=C(N=CN=2)C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 LNNMKLNCLINVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[3,5-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- MJXUFBUYCLOLBZ-UHFFFAOYSA-N C(C)(=N)N.CC(=O)C Chemical compound C(C)(=N)N.CC(=O)C MJXUFBUYCLOLBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSXARUBZRMKCM-UHFFFAOYSA-N C(C)CC([CH2-])=O Chemical compound C(C)CC([CH2-])=O RGSXARUBZRMKCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUPOVSXOOYVPOB-UHFFFAOYSA-N CC(CC(C)=O)=O.C(C=C1)=CC=C1C1=CN=C(C2=CC=CC=C2)C(C2=CC=CC=C2)=N1.C(C=C1)=CC=C1C1=CN=C(C2=CC=CC=C2)C(C2=CC=CC=C2)=N1.[Ru+3] Chemical compound CC(CC(C)=O)=O.C(C=C1)=CC=C1C1=CN=C(C2=CC=CC=C2)C(C2=CC=CC=C2)=N1.C(C=C1)=CC=C1C1=CN=C(C2=CC=CC=C2)C(C2=CC=CC=C2)=N1.[Ru+3] VUPOVSXOOYVPOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKTABYOWTSPKHT-UHFFFAOYSA-N N1=CC=CC2=CC=CC=C21.N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical group N1=CC=CC2=CC=CC=C21.N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 XKTABYOWTSPKHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Chemical group C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGDCZNKUXACJLV-UHFFFAOYSA-N [O-2].[In+3].[Sn+2]=O.[In+3].[O-2].[O-2].[O-2] Chemical compound [O-2].[In+3].[Sn+2]=O.[In+3].[O-2].[O-2].[O-2] GGDCZNKUXACJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGVSXHDWVPOWBS-UHFFFAOYSA-N [Ru+2].OC1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C21.OC2=CC=CC1=CC=C3C=CC=NC3=C12 Chemical compound [Ru+2].OC1=CC=CC2=CC=C3C=CC=NC3=C21.OC2=CC=CC1=CC=C3C=CC=NC3=C12 CGVSXHDWVPOWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHWUQFSBYMUZJQ-UHFFFAOYSA-N [Ru+3].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1 Chemical compound [Ru+3].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1 YHWUQFSBYMUZJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAPIJPDFLOCWTE-UHFFFAOYSA-N [Ru+3].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1 Chemical compound [Ru+3].C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C1=NC=CC=C1 UAPIJPDFLOCWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-N aluminum;2-methylquinolin-8-ol;4-phenylphenol Chemical compound [Al+3].C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPHKINMPYFJSCF-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-triamine Chemical compound NC1=CC(N)=CC(N)=C1 RPHKINMPYFJSCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical compound [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIDAKHHAMURWJQ-UHFFFAOYSA-N cyclopenta[b]thiopyran Chemical class C1=CSC2=CC=CC2=C1 BIDAKHHAMURWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000003996 delayed luminescence Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N dibenzoylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-O diphenylphosphanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[PH2+]C1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- SICIPBMLFSQZEQ-UHFFFAOYSA-N n-(2-oxopropyl)acetamide Chemical compound CC(=O)CNC(C)=O SICIPBMLFSQZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N platinum(2+) Chemical compound [Pt+2] HRGDZIGMBDGFTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O pyridinium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002990 reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N tetrathianaphthacene Chemical compound C1=CC=CC2=C3SSC(C4=CC=CC=C44)=C3C3=C4SSC3=C21 JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Substances CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Substances B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/18—Metal complexes
- C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本發明的一個方式的目的之一是提供一種發光元件，該發光元件包括至少包含主體材料和多個客體材料的發光層，其中主體材料的T1能階低於多個客體材料中的至少一個的T1能階。多個客體材料中的一個的發光示出多個成分的衰減曲線，並且，在其壽命是指直到發光強度減少到初始值的1/100為止的時間的情況下，該壽命為15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下。
Description
本發明的一個方式係關於一種發光元件，其中一對電極之間夾有藉由施加電場來得到發光的有機化合物，另外，本發明係關於一種具有這種發光元件的發光裝置、電子裝置以及照明設備。
作為能夠應用於下一代平板顯示器的發光元件，將具有薄型輕量、高速回應性及直流低電壓驅動等的特徵的有機化合物用作發光體的發光元件被期待。一般認為尤其是將發光元件配置為矩陣狀的顯示裝置與習知的液晶顯示裝置相比具有視角寬且可見度優異的優點。
一般認為發光元件的發光機制是如下：藉由在一對電極之間夾著包含發光物質的EL層並對該一對電極施加電壓，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞在EL層的發光區形成激發態，該激發態返回到基態時釋放出能量而發光。作為用於發光物質的有機化合物的激發
態，可以是單重激發態或三重激發態，由單重激發態(S1)發射的光被稱為螢光，而由三重激發態(T1)發射的光被稱為磷光。此外，在發光元件中，單重激發態和三重激發態的統計學上的生成比率被認為是S1：T1=1：3。
由此，一直在進行為了提高元件特性的研究開發，例如，正在開發不僅利用螢光發光而且還利用磷光發光的發光元件。在該發光元件的發光層中，包含主體材料和客體材料，並且作為客體材料使用呈現高能量發光的磷光物質(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2010-182699號公報
一般而言，在使用主體材料和客體材料的發光元件的情況下，為了提高發光元件的發光效率，作為主體材料使用其T1能階比客體材料高的物質是較佳的。但是，在將發光能量高的磷光化合物(例如，藍色磷光化合物)用作客體材料的情況下，出現如下問題：主體材料所需的T1能階比使用發光能量低的磷光化合物時高，從而作為主體的可靠性下降。
於是，本發明的一個方式提供一種即使使用發光能量高的磷光化合物也具有高可靠性的新穎的發光元件。明確而言，本發明的一個方式是一種發光元件，其
中，發光層至少包含主體材料和多個客體材料，並且，從發光層得到的發光(包括由於光激發而發生的光致發光(PL)或由於電場激發而發生的電致發光(EL)等)示出以下述算式1(注意，不包括i=1)表示的多個成分的衰減曲線，並且，發光壽命短得不被主體材料的熱失活過程阻礙。注意，在本說明書及權利要求中，發光壽命是指直到發光強度減少到初始值的1/100為止的時間。此外，上述短得不被主體材料的熱失活過程阻礙的發光壽命明確而言為5μsec以上且15μsec以下，較佳為5μsec以上且10μsec以下。注意，將上述發光元件的發光層中的激子濃度設定為不發生濃度淬滅的程度。
在上述條件下，即使在使用其T1能階比客體材料低的主體材料的情況下也可以從主體材料向客體材料進行能量移動。主體材料的T1能階不一定必須比客體材料高，因此可以將T1能階低的材料用作主體材料。藉由採用上述元件結構，與將使用其T1能階比客體材料高的材料用作主體材料的發光元件相比可以充分地提高發光元件的可靠性。
(注意，E0表示初始發光強度，E(t)表示相對於時間(t)的發光強度，A表示常數，τ表示衰減成分的壽命，n表示衰減曲線的成分的數量。)
本發明的一個方式是一種發光元件，其中，包括至少包含主體材料和多個客體材料的發光層，在對發光層照射激發光(設定為不發生濃度淬滅的輸出)而得到的多個發光中的一種示出多個成分的衰減曲線，並且，其發光壽命為5μsec以上且15μsec以下，較佳為5μsec以上且10μsec以下。
本發明的另一個方式是一種發光元件，其中，在一對電極之間至少包括發光層，發光層由於光激發而呈現多種發光，多種發光中的一種示出多個成分的衰減曲線，並且，其發光壽命為5μsec以上且15μsec以下。
本發明的另一個方式是一種發光元件，其中，在一對電極之間至少包括發光層，發光層包含多個發光物質，基於多個發光物質中的一種的發光示出多個成分的衰減曲線，並且，發光壽命為5μsec以上且15μsec以下。
本發明的另一個方式是一種發光元件，其中，在一對電極之間至少包括發光層，發光層至少包含第一有機化合物(主體材料)、第二有機化合物(客體材料)及第三有機化合物(客體材料)，第二有機化合物及第三有機化合物為有機金屬錯合物，第一有機化合物的T1能階低於第二有機化合物的T1能階，第一有機化合物的T1能階高於第三有機化合物的T1能階，基於第二有機化合物的發光示出多個成分的衰減曲線，並且，發光壽命為5μsec以上且15μsec以下。
在上述各結構中，作為主體材料可以使用其T1能階比客體材料低的有機化合物，所以可以製造發光元件，而不使用可靠性低的有機化合物作為主體材料。
另外，在主體材料的T1能階低於客體材料的T1能階的情況下，主體材料的T1能階與客體材料的T1能階之差較佳為大於0eV且0.2eV以下。由此，可以以發光效率不下降的方式使用可靠性高的材料作為主體材料，從而可以實現發光元件的長壽命化。
另外，本發明的一個方式在其範疇內不僅包括具有發光元件的發光裝置，還包括具有發光裝置的電子裝置及照明設備。因此，本說明書中的發光裝置是指影像顯示裝置或光源(包括照明設備)。另外，發光裝置還包括如下模組：在發光裝置中安裝有連接器諸如FPC(Flexible printed circuit：撓性印刷電路)、TCP(Tape Carrier Package：載帶封裝)的模組；將印刷線路板設置於TCP端部的模組；或者IC(積體電路)藉由COG(Chip On Glass：玻璃上晶片)方式直接安裝在發光元件上的模組。
根據本發明的一個方式，可以提供一種發光效率高的發光元件。另外，藉由在發光層中作為主體材料包含可靠性高的材料，所以可以提供一種壽命長的發光元件。此外，藉由具備上述發光元件，可以提供一種可靠性高的發光裝置。此外，藉由具備上述發光裝置，可以提供一種可靠性高的電子裝置及照明設備。
11‧‧‧主體材料
12‧‧‧客體材料
101‧‧‧陽極
102‧‧‧陰極
103‧‧‧EL層
104‧‧‧發光層
105‧‧‧作為主體材料的第一有機化合物
106‧‧‧作為第一客體材料的第二有機化合物
107‧‧‧作為第二客體材料的第三有機化合物
201‧‧‧第一電極
202‧‧‧第二電極
203‧‧‧EL層
204‧‧‧電洞注入層
205‧‧‧電洞傳輸層
206‧‧‧發光層
207‧‧‧電子傳輸層
208‧‧‧電子注入層
209‧‧‧作為主體材料的第一有機化合物
210‧‧‧作為第一客體材料的第二有機化合物
211‧‧‧作為第二客體材料的第三有機化合物
301‧‧‧第一電極
302(1)‧‧‧第一EL層
302(2)‧‧‧第二EL層
304‧‧‧第二電極
305‧‧‧電荷產生層
305(1)‧‧‧第一電荷產生層
305(2)‧‧‧第二電荷產生層
501‧‧‧元件基板
502‧‧‧像素部
503‧‧‧驅動電路部(源極線驅動電路)
504a、504b‧‧‧驅動電路部(閘極線驅動電路)
505‧‧‧密封材料
506‧‧‧密封基板
507‧‧‧佈線
508‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
509‧‧‧n通道型FET
510‧‧‧p通道型FET
511‧‧‧開關用FET
512‧‧‧電流控制用FET
513‧‧‧第一電極(陽極)
514‧‧‧絕緣物
515‧‧‧EL層
516‧‧‧第二電極(陰極)
517‧‧‧發光元件
518‧‧‧空間
1100‧‧‧基板
1101‧‧‧第一電極
1102‧‧‧EL層
1103‧‧‧第二電極
1111‧‧‧電洞注入層
1112‧‧‧電洞傳輸層
1113‧‧‧發光層
1113a‧‧‧第一發光層
1113b‧‧‧第二發光層
1114‧‧‧電子傳輸層
1115‧‧‧電子注入層
7100‧‧‧電視機
7101‧‧‧外殼
7103‧‧‧顯示部
7105‧‧‧支架
7107‧‧‧顯示部
7109‧‧‧操作鍵
7110‧‧‧遙控器
7201‧‧‧主體
7202‧‧‧外殼
7203‧‧‧顯示部
7204‧‧‧鍵盤
7205‧‧‧外部連接埠
7206‧‧‧指向裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧外殼
7303‧‧‧聯結部
7304‧‧‧顯示部
7305‧‧‧顯示部
7306‧‧‧揚聲器部
7307‧‧‧儲存介質插入部
7308‧‧‧LED燈
7309‧‧‧操作鍵
7310‧‧‧連接端子
7311‧‧‧感測器
7312‧‧‧麥克風
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
8001‧‧‧照明設備
8002‧‧‧照明設備
8003‧‧‧照明設備
8004‧‧‧照明設備
9033‧‧‧夾子
9034‧‧‧顯示模式切換開關
9035‧‧‧電源開關
9036‧‧‧省電模式切換開關
9038‧‧‧操作開關
9630‧‧‧外殼
9631‧‧‧顯示部
9631a‧‧‧顯示部
9631b‧‧‧顯示部
9632a‧‧‧觸控面板的區域
9632b‧‧‧觸控面板的區域
9633‧‧‧太陽能電池
9634‧‧‧充放電控制電路
9635‧‧‧電池
9636‧‧‧DCDC轉換器
9637‧‧‧操作鍵
9638‧‧‧轉換器
9639‧‧‧按鈕
在圖式中：圖1是說明本發明的一個方式的概念的圖；圖2是說明發光元件的結構的圖；圖3是說明發光元件的結構的圖；圖4A和圖4B是說明發光元件的結構的圖；圖5A和圖5B是說明發光裝置的圖；圖6A至圖6D是說明電子裝置的圖；圖7A至圖7C是說明電子裝置的圖；圖8是說明照明設備的圖；圖9是說明發光元件的結構的圖；圖10是示出發光元件1及比較發光元件2的電流密度-亮度特性的圖；圖11是示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-亮度特性的圖；圖12是示出發光元件1及比較發光元件2的亮度-電流效率特性的圖；圖13是示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-電流特性的圖；圖14是示出發光元件1及比較發光元件2的發射光譜的圖；圖15是示出發光元件1及比較發光元件2的可靠性
的圖；圖16是示出發光元件的發光的衰減曲線的圖。
下面，參照圖式詳細地說明本發明的實施方式。但是，本發明不侷限於以下說明的內容，其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
在本實施方式中，說明作為本發明的一個方式的發光元件。
本發明的一個方式的發光元件以在一對電極之間夾著發光層的方式形成，發光層至少包含主體材料和多個客體材料。在發光層所包含的主體材料和客體材料的組合之一中，該發光層的發光(例如，由於光激發而發生的光致發光(PL)或由於電場激發而發生的電致發光(EL)等)示出多個成分的衰減曲線，並且，其發光壽命短得不被主體材料的熱失活過程阻礙(較佳為5μsec以上且15μsec以下)。藉由採用具有上述特徵的發光元件，可以充分地確保發光效率。
此外，上述發光層具有主體材料的T1能階低於客體材料(以下，為了方便起見，稱為第一客體材料)
的T1能階的結構。在上述結構中，即使在主體材料的T1能階比第一客體材料的T1能階低的情況下也可以將能量從主體材料移動到第一客體材料，而主體材料的T1能階不一定必須比客體材料高，因此可以將可靠性高的材料用作主體材料。由此，本發明的一個方式可以使用T1能階比第一客體材料低的主體材料。
此外，另一個客體材料(以下，為了方便起見，稱為第二客體材料)的T1能階低於主體材料的T1能階。
藉由採用上述結構，可以將可靠性高的材料用於發光層中的主體材料，並且可以形成能夠獲得發光波長不同的兩種以上的光的發光層。
接著，參照圖1說明本發明的一個方式的發光元件的發光層的主體材料與客體材料之間的能量移動的過程。
圖1示出包含在發光層中的主體材料11和第一客體材料12的激子的能階。T1(g)示出第一客體材料12的三重激發態，T1(h)示出主體材料11的三重激發態，T1(h)比T1(g)低△E(eV)。
在此情況下，第一客體材料12的T1(g)的能量以k2×[D*](注意，[D*]：第一客體材料的激子的濃度，k2：從第一客體材料12到主體材料11的能量移動速度常數)的速度向主體材料11的T1(h)移動(Yg)。另外，能量也可以以k3×[H*](注意，[H*]：主體材料的激子濃度，
k3：從主體材料11到第一客體材料12的能量移動速度常數)的速度從主體材料11的T1(h)向第一客體材料12的T1(g)移動(Yh)。就是說，Yh與Yg平衡。上述從低能階到高能階的熱力學上不利的能量移動(以下稱為反能量移動)可以藉由利用室溫的能量使激子活化來進行。注意，在圖1中，第一客體材料12的從T1(g)到S0(g)的轉移速度常數為k1，主體材料11的從T1(h)到S0(h)的轉移速度常數為k4。
但是，在本發明的一個方式中，以T1(g)與T1(h)之間的能量差(△E)滿足0<△E0.2eV的方式組合主體材料11和第一客體材料12。因此，發生從T1(h)到T1(g)的反能量移動(Yh)。
在發生上述能量移動的同時也發生第一客體材料12的從T1(g)到S0(g)的發光性轉移(Xg)和主體材料11的從T1(h)到S0(h)的非發光性轉移(熱失活過程Xh)。此時，為了實現高效的發光，發光性轉移(Xg)較快且非發光性轉移(Xh)的速度非常慢是重要的。明確而言，發光性轉移(Xg)的速度常數k1較佳大於5×105(s)-1，非發光性轉移(Xh)的速度常數k4較佳小於1×102(s)-1。
就是說，藉由利用快的發光性轉移(Xg)、慢的非發光性轉移(Xh)以及小的△E使Yh與Yg之間的平衡向第一客體一側漂移，可以實現高效的發光。
如上所述，因為在本發明的一個方式的發光元件中從能量低的能階進行的反能量移動也有助於發光，
所以來自發光層的發光示出多個成分的衰減曲線。並且，藉由使該發光壽命短得不被主體材料的熱失活過程阻礙(即15μsec以下，較佳為10μsec以下，更佳為5μsec以下)，可以充分地確保發光效率。
注意，即使在不滿足上述能階的關係的發光層中在增大激發光的輸出且激子濃度高的狀態下進行測量，有時也示出多個成分的發光衰減曲線。這是因為：激子濃度變高，發生激子的相互作用，而導致三重態-三重態湮滅。該現象也稱為濃度淬滅。由此，當進行測量時，在降低激發光的輸出且激子濃度低的狀態下進行測量以避免濃度淬滅的影響。
接著，參照圖2說明本發明的一個方式的發光元件的元件結構。
如圖2所示，本發明的一個方式的發光元件具有在一對電極(陽極101、陰極102)之間夾著發光層104的結構。其中，發光層104包含第一有機化合物和第二有機化合物。發光層104是構成與一對電極接觸的EL層103的功能層的一部分。另外，EL層103除了發光層104還可以適當地選擇電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等層，並將其形成於所需的位置。注意，發光層104是至少包含作為主體材料的第一有機化合物105、作為第一客體材料的第二有機化合物106及作為第二客體材料的第三有機化合物107的層。
作為用作主體材料的第一有機化合物105，可
以使用電洞傳輸性高的物質或電子傳輸性高的物質。
作為可以應用於第一有機化合物105的電洞傳輸性高的物質，例如可以舉出：芳香胺化合物諸如4-(1-萘基)-4’-苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBBiNB)、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBNBB)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)、4,4’,4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]三苯胺(簡稱：1’-TNATA)、2,7-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]螺環-9,9’-二茀(簡稱：DPA2SF)、N,N’-雙(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(簡稱：PCA2B)、N-(9,9-二甲基-2-二苯基胺基-9H-茀-7-基)二苯基胺(簡稱：DPNF)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(簡稱：PCA3B)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]螺環-9,9’-二茀(簡稱：PCASF)、2-[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]螺環-9,9’-二茀(簡稱：DPASF)、N,N’-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9，9-二甲基茀-2,7-二胺(簡稱：YGA2F)、4,4’-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：DPAB)、N-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)-N-{9,9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9,9-二甲基-9H-茀-2-基)胺基]-9H-茀-7-基}苯基胺(簡稱：DFLADFL)、4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：NPB或α-NPD)、N,N’-
雙(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-聯苯]-4,4’-二胺(簡稱：TPD)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(簡稱：TCTA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯胺)三苯胺(簡稱：TDATA)、4,4’,4”-三[N-(3-甲苯)-N-苯胺基]三苯胺(簡稱：MTDATA)以及4,4’-雙[N-(螺環-9,9’-二茀-2-基)-N-苯基胺基]聯苯(簡稱：BSPB)等；3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA1)、3,6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA1)、3,6-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-苯基胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzDPA2)、4,4’-雙(N-{4-[N’-(3-甲基苯基)-N’-苯基胺基]苯基}-N-苯基胺基)聯苯(簡稱：DNTPD)以及3,6-雙[N-(4-二苯基胺基苯基)-N-(1-萘基)胺基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzTPN2)等。除上述以外，還可以使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(簡稱：CBP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(簡稱：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CzPA)等包含咔唑骨架的化合物等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。注意，只要是具有電洞傳輸性的物質，就也可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為可以用於第一有機化合物105的具有高電子傳輸性的物質，例如可以舉出：具有多唑骨架的雜環化合物如2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-
1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、3-(4’-三級丁基苯基)-4-苯基-5-(4”-聯苯)-1，2，4-三唑(簡稱：TAZ)、1,3-雙[5-(對-三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：CO11)、2,2’,2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯並咪唑)(簡稱：TPBI)及2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯並咪唑(簡稱：mDBTBIm-Ⅱ)等；具有喹啉骨架或二苯並喹啉骨架的雜環化合物如2-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f，h]喹啉(簡稱：2mDBTPDBq-Ⅱ)、7-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f，h]喹啉(簡稱：7mDBTPDBq-Ⅱ)、6-[3-(二苯並噻吩-4-基)苯基]二苯並[f，h]喹啉(簡稱：6mDBTPDBq-Ⅱ)、2-[3’-(二苯並噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯並[f，h]喹啉(簡稱：2mDBTBPDBq-Ⅱ)及2-[3’-(9H-咔唑-9-基)聯苯-3-基]二苯並[f,h]喹啉(簡稱：2mCzBPDBq)等；具有二嗪骨架(嘧啶骨架或吡嗪骨架)的雜環化合物如4,6-雙[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mPnP2Pm)、4,6-雙[3-(4-二苯並噻吩基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mDBTP2Pm-Ⅱ)及4,6-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(簡稱：4,6mCzP2Pm)等；以及具有吡啶骨架的雜環化合物如3,5-雙[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(簡稱：35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶基)苯基]苯(簡稱：TmPyPB)及3,3’,5,5’-四[(間-吡啶基)-苯-3-基]聯苯基(簡稱：BP4mPy)等。其中，具有喹啉骨架或
二苯並喹啉骨架的雜環化合物、具有二嗪骨架的雜環化合物、具有吡啶骨架的雜環化合物的可靠性高，所以是較佳的。除了上述以外，還可以舉出：三芳基氧化膦如苯基-二(1-芘基)氧化膦(簡稱：POPy2)、螺環-9,9’-二茀-2-基-二苯基氧化膦(簡稱：SPPO1)、2,8-雙(二苯基磷醯基)二苯並[b,d]噻吩(簡稱：PPT)、3-(二苯基磷醯基)-9-[4-(二苯基磷醯基)苯基]-9H-咔唑(簡稱：PPO21)等；以及三芳基硼烷如三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷(簡稱：3TPYMB)等。在此所述的物質主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的電子傳輸性的物質。注意，只要是具有電子傳輸性的物質，就也可以使用上述物質之外的物質。
此外，發光層除了第一有機化合物(主體材料)、第二有機化合物(第一客體材料)及第三有機化合物(第二客體材料)之外還可以包含第四有機化合物。考慮到藉由調整發光層中的電洞和電子的平衡來得到高發光效率，在第一有機化合物具有電洞傳輸性時第四有機化合物較佳為具有電子傳輸性。與此相反，在第一有機化合物具有電子傳輸性時第四有機化合物較佳為具有電洞傳輸性。注意，在任何情況下，第一有機化合物的T1(h)能階較佳低於第二有機化合物的T1(g)能階，第一有機化合物的T1(h)能階較佳高於第三有機化合物的T1(g)能階。然而，在第四有機化合物的T1能階低於第一有機化合物的T1(g)能階的情況下，如上所述的主體和客體的互相作用
發生在第四有機化合物與第二有機化合物之間以及第四有機化合物與第三有機化合物之間。由此，較佳的是，第四有機化合物的T1能階低於第二有機化合物的T1能階且第四有機化合物的T1能階高於第三有機化合物的T1能階。這是因為：在存在有兩個以上的發光性客體之外的物質的情況下，能量在這些物質之間從能量高的T1迅速地彙集到能量低的T1。
另外，作為用作客體材料的第二有機化合物106及第三有機化合物107，可以使用將三重激發態能轉換為發光的發光物質即有機金屬錯合物(磷光化合物)等。
此外，作為可用作第二有機化合物106及第三有機化合物107的物質，例如可以舉出，雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2’]銥(Ⅲ)四(1-吡唑基)硼酸鹽(簡稱：FIr6)、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2' ]銥(Ⅲ)吡啶甲酸鹽(簡稱：FIrpic)、雙[2-(3’,5’-雙三氟甲基苯基)吡啶-N,C2' ]銥(Ⅲ)吡啶甲酸鹽(簡稱：[Ir(CF3ppy)2(pic)])、雙[2-(4’,6’-二氟苯基)吡啶-N,C2' ]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：FIracac)、三(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)(簡稱：[Ir(ppy)3])、雙(2-苯基吡啶)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(ppy)2(acac)])、雙(苯並[h]喹啉)銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(bzq)2(acac)])、雙(2,4-二苯基-1,3-噁唑-N,C2' )銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(dpo)2(acac)])、(乙醯丙酮)雙(6-三級丁基-4-
苯基嘧啶)銥(Ⅲ)(簡稱：Ir(tBuppm)2(acac))、雙{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-N,C2' }銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(p-PF-ph)2(acac)])、雙(2-苯基苯並噻唑-N,C2' )銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(bt)2(acac)])、雙[2-(2’-苯並[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3' ]銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(btp)2(acac)])、雙(1-苯基異喹啉-N,C2' )銥(Ⅲ)乙醯丙酮(簡稱：[Ir(piq)2(acac)])、(乙醯基丙酮)雙[2,3-雙(4-氟苯基)喹啉]銥(Ⅲ)(簡稱：[Ir(Fdpq)2(acac)])、(乙醯丙酮)雙(2,3,5-三苯基吡嗪根合)銥(Ⅲ)(簡稱：[Ir(tppr)2(acac)])、雙(2,3,5-三苯基吡嗪根)(二新戊醯基甲烷根)銥(III)(簡稱：Ir(tppr)2(dpm))、2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉合鉑(Ⅱ)(簡稱：PtOEP)、三(乙醯丙酮)(一啡啉)鋱(Ⅲ)(簡稱：Tb(acac)3(Phen))、三(1,3-二苯基-1,3-丙二酮)(一啡啉)銪(Ⅲ)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基)-3,3,3-三氟丙酮](一啡啉)銪(Ⅲ)(簡稱：Eu(TTA)3(Phen))等。
在本實施方式所示的發光元件的發光層所包含的主體材料和第一客體材料中，由這些材料的組合而得到的發光(例如，由於光激發而發生的光致發光(PL)或由於電場激發而發生的電致發光(EL)等)示出多個成分的衰減曲線，並且，其發光壽命短得不被主體材料的熱失活過程阻礙，即5μsec以上且15μsec以下，較佳為5μsec以上且10μsec以下。由此可以充分地確保發光效率。再
者，在發光層中，可以使用共同的主體材料來使作為第二客體材料的第三有機化合物107也發光。因為能夠對於不同的客體材料使用共同的主體材料，在主體材料分子之間就不會形成載子注入能障，所以可以形成能夠得到發光波長不同的多個發光的發光層，而不使驅動電壓增加。
在本實施方式所示的發光元件中，主體材料(第一有機化合物105)的T1能階低於第一客體材料(第二有機化合物106)的T1能階，主體材料(第一有機化合物105)的T1能階高於第二客體材料(第三有機化合物107)的T1能階。由於即使在作為主體材料的第一有機化合物105的T1能階比作為第一客體材料的第二有機化合物106的T1能階低的情況下也可以向作為第一客體材料的第二有機化合物106進行能量移動，所以可以使用共同的主體材料來使多個客體材料發光。由此，主體材料的T1能階低於通常的主體材料所需的T1能階，因此可以將可靠性高的材料用作主體材料。由此，可以形成長壽命的發光元件。
在本實施方式所示的結構中，隨著主體材料與其T1能階比主體材料高的第一客體材料之間的反能量移動而發生延遲發光。另外，因為在室溫下主體材料的T1具有非發光性，所以呈現延遲發光的發光層有效率劣化的擔憂。但是，由於上述T1能階之差小而可以進行反能量移動，並且，客體材料的轉移速度(輻射失活速度)比主體材料的轉移速度(無輻射失活速度)充分大，因此
對元件特性沒有影響，從而可以得到發光效率高的發光元件。
在本實施方式中，參照圖3說明本發明的一個方式的發光元件的一個例子。
如圖3所示，在本實施方式所示的發光元件中，在一對電極(第一電極(陽極)201和第二電極(陰極)202)之間夾著包括發光層206的EL層203。EL層203除了包括發光層206之外，還包括電洞注入層204、電洞傳輸層205、電子傳輸層207、電子注入層208等。
另外，與在實施方式1中說明的發光元件同樣，發光層206至少包含作為主體材料的第一有機化合物、作為第一客體材料的第二有機化合物及作為第二客體材料的第三有機化合物而形成。注意，由於第一有機化合物、第二有機化合物及第三有機化合物可以使用與實施方式1所示的物質相同的物質，所以省略其說明。
另外，除了用作主體材料的第一有機化合物、用作第一客體材料的第二有機化合物及用作第二客體材料的第三有機化合物之外，發光層206還可以包含具有與第一有機化合物相反的載子傳輸性(電洞傳輸性或電子傳輸性)的第四有機化合物。
接下來，說明製造本實施方式所示的發光元件時的具體例子。
作為第一電極(陽極)201及第二電極(陰極)202，可以使用金屬、合金、導電化合物及這些物質的混合物。明確而言，除了氧化銦-氧化錫(ITO：Indium Tin Oxide)、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅(Indium Zinc Oxide)、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)之外，還可以使用屬於元素週期表中第1族或第2族的元素，即諸如鋰(Li)和銫(Cs)等鹼金屬、諸如鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)等鹼土金屬以及包含這些金屬的合金(MgAg、AlLi)、諸如銪(Eu)和鐿(Yb)等稀土金屬以及包含這些金屬的合金，此外還可以使用石墨烯等。另外，第一電極(陽極)201及第二電極(陰極)202例如可以藉由濺射法或蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)等來形成。
作為用於電洞注入層204及電洞傳輸層205的電洞傳輸性高的物質，例如可以舉出NPB、TPD、TCTA、TDATA、MTDATA、4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯基胺(簡稱：BPAFLP)等芳香胺化合物、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、CBP、TCPB、CzPA等的咔唑衍生物、1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(簡稱：DBT3P-Ⅱ)等的二苯並噻吩衍生物等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞傳輸性比電子傳輸性高的物質，就可以使用上述物質
之外的物質。
再者，還可以使用聚(N-乙烯咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N’-[4-(4-二苯胺)苯基]苯基-N’-苯胺}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N,N’-雙(4-丁基苯基)-N,N’-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。
另外，也可以在電洞注入層204中添加有用作上述電洞傳輸性高的物質的電子受體(受體)的物質。作為受體物質，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確地說，氧化鉬是特別較佳的。
如上所述，發光層206至少包含作為主體材料的第一有機化合物209、作為第一客體材料的第二有機化合物210及作為第二客體材料的第三有機化合物211而形成。
此外，作為接觸於發光層206的電洞傳輸層205，較佳為使用與包含在發光層中的有機化合物類似的化合物。藉由採用該結構，可以降低電洞傳輸層205與發光層206之間的電洞注入能障，從而不僅可以提高發光效率，而且還可以降低驅動電壓。就是說，可以得到很少發生由電壓損失導致的電力效率下降的發光元件。此外，從電洞注入能障的觀點來看，特別較佳的方式是採用發光層所包含的第一有機化合物包含在電洞傳輸層205中的結構。
電子傳輸層207是包含電子傳輸性高的物質的層。作為電子傳輸層207，可以使用金屬錯合物諸如三(8-羥基喹啉)合鋁(Ⅲ)(簡稱：Alq3)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(Ⅲ)(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]-喹啉合)鈹(Ⅱ)(簡稱：BeBq2)、雙(2-甲基-8-喹啉醇合)(4-苯基苯酚)鋁(III)(簡稱：BAlq)、雙[2-(2-羥基苯基)苯並噁唑]鋅(簡稱：Zn(BOX)2)或雙[2-(2-羥基苯基)-苯並噻唑]鋅(Ⅱ)(簡稱：Zn(BTZ)2)等。此外，也可以使用雜芳族化合物諸如2-(4-聯苯基)-5-(4-三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(簡稱：PBD)、1,3-雙[5-(對-三級丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4’-三級丁基苯基)-4-苯基-5-(4”-聯苯)-1,2,4-三唑(簡稱：TAZ)、3-(4-三級丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯苯基)-1,2,4-三唑(簡稱：p-EtTAZ)、紅啡啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、4,4’-雙(5-甲基苯並噁唑-2-基)二苯乙烯(簡稱：BzOs)等。另外，還可以使用高分子化合物諸如聚(2,5-吡啶二基)(簡稱：PPy)、聚[(9,9-二己基茀-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9,9-二辛基茀-2,7-二基)-共-(2,2’-聯吡啶-6,6’-二基)](簡稱：PF-BPy)。在此所述的物質主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的物質，就可以將上述物質之外的物質用於電子傳輸層207。
另外，作為電子傳輸層207，不僅可以採用單層，也可以採用由上述物質構成的兩層以上的疊層。
電子注入層208是包含電子注入性高的物質的層。作為電子注入層208，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)及鋰氧化物(LiOx)等鹼金屬、鹼土金屬或這些金屬的化合物。此外，可以使用氟化鉺(ErF3)等稀土金屬化合物。另外，也可以使用如上所述的構成電子傳輸層207的物質。
或者，也可以將有機化合物與電子予體(施體)混合而成的複合材料用於電子注入層208。這種複合材料的電子注入性及電子傳輸性高，因為電子予體將電子產生在有機化合物中。在此情況下，有機化合物較佳是在傳輸所產生的電子方面性能優異的材料。明確而言，例如，可以使用如上所述的構成電子傳輸層207的物質(金屬錯合物和雜芳族化合物等)。作為電子予體，只要使用對有機化合物呈現電子予體性的物質，即可。明確而言，較佳為使用鹼金屬、鹼土金屬和稀土金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，較佳為使用鹼金屬氧化物或鹼土金屬氧化物，例如可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。此外，可以使用氧化鎂等路易士鹼。另外，也可以使用四硫富瓦烯(簡稱：TTF)等有機化合物。
另外，上述的電洞注入層204、電洞傳輸層205、發光層206、電子傳輸層207、電子注入層208分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、噴墨法、塗佈法等
的方法形成。
在上述的發光元件的發光層206中得到的發光穿過第一電極201和第二電極202中的任一者或兩者取出到外部。因此，本實施方式中的第一電極201和第二電極202中的任一者或兩者為具有透光性的電極。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，作為本發明的一個方式，說明夾著電荷產生層具有多個EL層的結構的發光元件(以下，稱為串聯型發光元件)。
本實施方式所示的發光元件是如圖4A所示那樣的在一對電極(第一電極301與第二電極304)之間具有多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))的串聯型發光元件。
在本實施方式中，第一電極301是用作陽極的電極，第二電極304是用作陰極的電極。另外，作為第一電極301及第二電極304，可以採用與實施方式2相同的結構。此外，雖然多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))可以具有與實施方式2所示的結構相同的結構，但是也可以是上述EL層中的任一個具有與實施方式2所示的結構相同的結構。換言之，第一EL層302(1)和第二EL層302(2)既可以具有相同結構，又
可以具有不同的結構，作為其結構，可以應用與實施方式2相同的結構。
另外，在多個EL層(第一EL層302(1)和第二EL層302(2))之間設置有電荷產生層305。電荷產生層305具有如下功能：當對第一電極301和第二電極304施加電壓時，將電子注入到一方的EL層中，且將電洞注入到另一方的EL層中。在本實施方式中，當以第一電極301的電位高於第二電極304的方式施加電壓時，電子從電荷產生層305被注入到第一EL層302(1)中，而電洞被注入到第二EL層302(2)中。
另外，為了提高光提取效率，電荷產生層305較佳為具有使可見光透過的功能(明確而言，電荷產生層305較佳為具有40%以上的可見光透射率)。另外，電荷產生層305即使其電導率小於第一電極301或第二電極304也發揮作用。
電荷產生層305既可以具有對電洞傳輸性高的有機化合物添加有電子受體(受體)的結構，又可以具有對電子傳輸性高的有機化合物添加有電子予體(施體)的結構。或者，也可以層疊有這兩種結構。
在採用對電洞傳輸性高的有機化合物添加有電子受體的結構的情況下，作為電洞傳輸性高的有機化合物，例如可以使用芳族胺化合物諸如NPB、TPD、TDATA、MTDATA或BSPB等。在此所述的物質主要是電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。但是，只要是電洞
傳輸性比電子傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為電子受體，可以舉出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟喹啉並二甲烷(簡稱：F4TCNQ)、氯醌等鹵素化合物、吡嗪並[2,3-f][1,10]啡啉-2,3-二甲腈(簡稱：PPDN)、二吡嗪並[2,3-f：2’,3’-h]喹啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈(簡稱：HAT-CN)等氰基化合物等。另外，還可以舉出過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8族的金屬的氧化物。明確而言，較佳為使用氧化釩、氧化鈮、氧化鉭、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳和氧化錸，這是因為它們具有高電子接受性。其中，尤其較佳為使用氧化鉬，因為氧化鉬在大氣中穩定且其吸濕性低，所以容易進行處理。
另一方面，在採用對電子傳輸性高的有機化合物添加有電子予體的結構的情況下，作為電子傳輸性高的有機化合物，例如可以使用具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬錯合物等諸如Alq、Almq3、BeBq2或BAlq等。除此之外，還可以使用具有噁唑基配體或噻唑基配體的金屬錯合物等諸如Zn(BOX)2或Zn(BTZ)2等。再者，除了金屬錯合物之外，還可以使用PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP等。在此所述的物質主要是電子移動率為10-6cm2/Vs以上的物質。另外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的有機化合物，就可以使用上述物質之外的物質。
另外，作為電子予體，可以使用鹼金屬、稀土金屬、屬於元素週期表中第2族或第13族的金屬及它們的氧化物和碳酸鹽。明確而言，較佳為使用鋰(Li)、銫(Cs)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鐿(Yb)、銦(In)、氧化鋰、碳酸銫等。此外，也可以將如四硫萘並萘(tetrathianaphthacene)的有機化合物用作電子予體。
另外，藉由使用上述材料形成電荷產生層305，可以抑制層疊EL層時造成的驅動電壓的不必要的增大。
雖然在本實施方式中，對具有兩個EL層的發光元件進行了說明，但是，如圖4B所示那樣，可以同樣地應用層疊有n個(注意，n是3以上)EL層的發光元件。如根據本實施方式的發光元件那樣，當在一對電極之間具有多個EL層時，藉由將電荷產生層設置在EL層與EL層之間，可以在保持低的電流密度的同時在高亮度區域中發光。由於可以保持低的電流密度，因此能夠實現長壽命元件。另外，當將該發光元件應用於具有大發光面的發光裝置、電子裝置及照明設備等時，因為可以減少由電極材料的電阻導致的電壓下降，所以可以實現大面積的均勻發光。
此外，藉由使各EL層發射互不相同顏色的光，可以使發光元件整體發射所需顏色的光。例如，在具有兩個EL層的發光元件中，使第一EL層的發光顏色和第二EL層的發光顏色處於補色關係，因此作為整體發光
元件可以得到發射白色發光的發光元件。注意，詞語“補色關係”表示當顏色混合時得到無彩色的顏色關係。也就是說，藉由將從發射具有補色關係的顏色的光的物質得到的光混合，可以得到白色發光。
另外，具有三個EL層的發光元件的情況也與此相同，例如，當第一EL層的發射色是紅色，第二EL層的發射色是綠色，第三EL層的發射色是藍色時，發光元件作為整體可以得到白色發光。
此外，本實施方式所示的EL層也可以藉由採用夾著電荷產生層層疊的結構，並且將電極(第一電極301及第二電極304)之間的距離設定為所需的距離，形成具有光的共振效應的光學微共振器(micro optical resonator)(微腔)結構的發光元件。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，說明具有本發明的一個方式的發光元件的發光裝置。
作為發光元件，可以應用其他實施方式所說明的發光元件。另外，上述發光裝置既可以是被動矩陣型發光裝置，又可以是主動矩陣型發光裝置，但在本實施方式中，參照圖5A和圖5B說明主動矩陣型發光裝置。
另外，圖5A是示出發光裝置的俯視圖，圖
5B是沿圖5A中的虛線A-A’切割的剖面圖。根據本實施方式的主動矩陣型發光裝置具有設置在元件基板501上的像素部502、驅動電路部(源極線驅動電路)503以及驅動電路部(閘極線驅動電路)504a和504b。將像素部502、驅動電路部503以及驅動電路部504a和504b由密封材料505密封在元件基板501與密封基板506之間。
此外，在元件基板501上設置用來連接對驅動電路部503及驅動電路部504a和504b傳達來自外部的信號(例如，視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位的外部輸入端子的引導佈線507。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC(撓性印刷電路)508的例子。另外，雖然在此只圖示FPC，但是該FPC也可以安裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置主體，而且還包括安裝有FPC或PWB的發光裝置。
接著，參照圖5B說明剖面結構。在元件基板501上形成有驅動電路部及像素部，在此示出源極線驅動電路的驅動電路部503及像素部502。
驅動電路部503示出形成有組合n通道型FET509和p通道型FET510的CMOS電路的例子。另外，形成驅動電路部的電路也可以使用各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。此外，FET可以使用交錯型FET或反交錯型FET。再者，對用於FET的半導體膜的結晶性也沒有特別限制，可以使用非晶半導體膜或結晶
半導體膜。另外，也可以將氧化物半導體用於半導體層。明確而言，作為半導體材料，例如可以使用：元素半導體諸如矽、鍺、錫、硒或碲等；化合物半導體諸如GaAs、GaP、InSb、ZnS或CdS等；或者氧化物半導體諸如SnO2、ZnO、Fe2O3、V2O5、TiO2、NiO、Cr2O3、Cu2O、MnO2、MnO、InGaZnO(包括原子數比不同的)；等等。此外，在本實施方式中，雖然示出將驅動電路形成在基板上的驅動器一體型，但是不一定必須如此，也可以將驅動電路形成在外部而不形成在基板上。
此外，像素部502由包括開關用FET511、電流控制用FET512及與電流控制用FET512的佈線(源極電極或汲極電極)電連接的第一電極(陽極)513的多個像素形成。另外，以覆蓋第一電極(陽極)513的端部的方式形成有絕緣物514。在此，使用正型的光敏丙烯酸樹脂形成絕緣物514。
另外，為了提高層疊在絕緣物514上的膜的覆蓋率，較佳為將絕緣物514的上端部或下端部形成為具有曲率的曲面。例如，在作為絕緣物514的材料使用正型的光敏丙烯酸樹脂的情況下，較佳為使絕緣物514的上端部為具有曲率半徑(0.2μm至3μm)的曲面。此外，作為絕緣物514，可以使用負型感光性樹脂或正型感光性樹脂，並且不侷限於有機化合物，還可以使用無機化合物諸如氧化矽、氧氮化矽等。
在第一電極(陽極)513上層疊有EL層515
及第二電極(陰極)516而形成有發光元件517。在EL層515中至少設置有在實施方式1中說明的發光層。另外，在EL層515中，除了發光層之外，可以適當地設置電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電荷產生層等。
另外，作為用於第一電極(陽極)513、EL層515及第二電極(陰極)516的材料，可以使用實施方式2所示的材料。此外，雖然在此未圖示，但是第二電極(陰極)516與作為外部輸入端子的FPC508電連接。
此外，雖然在圖5B所示的剖面圖中僅示出一個發光元件517，但是，在像素部502中以矩陣形狀配置有多個發光元件。在像素部502中分別選擇性地形成能夠得到三種(R、G、B)發光的發光元件，而可以形成能夠進行全彩色顯示的發光裝置。此外，也可以藉由與濾色片組合來實現能夠進行全彩色顯示的發光裝置。
再者，藉由利用密封材料505將密封基板506與元件基板501貼合在一起，得到在由元件基板501、密封基板506及密封材料505包圍的空間518中具備有發光元件517的結構。另外，空間518除了可以填充有惰性氣體(氮、氬等)以外，還可以填充有密封材料505。
另外，作為密封材料505，較佳為使用環氧類樹脂或玻璃粉。另外，這些材料較佳是儘量不使水分、氧透過的材料。此外，作為用於密封基板506的材料，除了玻璃基板、石英基板之外，還可以使用由FRP(Fiber-
Reinforced Plastics：玻璃纖維強化塑膠)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸樹脂等構成的塑膠基板。從黏合性的觀點來看，在作為密封材料使用玻璃粉的情況下，作為元件基板501及密封基板506較佳為使用玻璃基板。
藉由上述步驟，可以得到主動矩陣型的發光裝置。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，參照圖6A至圖7C對使用應用本發明的一個方式的發光元件來製造的發光裝置的各種電子裝置的一個例子進行說明。
作為應用發光裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等的大型遊戲機等。圖6A至圖6D示出這些電子裝置的具體例子。
圖6A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101組裝有顯示部7103。由顯示部7103能夠顯示影像，並可以將發光裝置用於顯示部7103。此外，在此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關、
另外提供的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並可以對在顯示部7103上顯示的影像進行操作。此外，也可以採用在遙控器7110中設置顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部7107的結構。
另外，電視機7100採用具備接收機及數據機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者，藉由數據機將電視機7100連接到有線或無線方式的通信網路，從而進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通信。
圖6B示出電腦，包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指向裝置7206等。此外，該電腦是藉由將發光裝置用於其顯示部7203來製造的。
圖6C示出可攜式遊戲機，包括外殼7301和外殼7302的兩個外殼，並且藉由連接部7303可以開閉地連接。外殼7301組裝有顯示部7304，而外殼7302組裝有顯示部7305。此外，圖6C所示的可攜式遊戲機還具備揚聲器部7306、儲存介質插入部7307、LED燈7308、輸入單元(操作鍵7309、連接端子7310、麥克風7312)、感測器7311(包括測定或感知如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振
動、氣味或紅外線)等。當然，可攜式遊戲機的結構不侷限於上述結構，只要在顯示部7304及顯示部7305的兩者或一方中使用發光裝置，即可。此外，還可以採用適當地設置其他輔助設備的結構。圖6C所示的可攜式遊戲機具有如下功能：讀出儲存在儲存介質中的程式或資料並將其顯示在顯示部上；以及藉由與其他可攜式遊戲機進行無線通訊而實現資訊共用。另外，圖6C所示的可攜式遊戲機的功能不侷限於此，而可以具有各種各樣的其他功能。
圖6D示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，行動電話機7400是藉由將發光裝置用於顯示部7402來製造的。
圖6D所示的行動電話機7400可以用手指等觸摸顯示部7402來輸入資訊。此外，可以用手指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件的操作。
顯示部7402的螢幕主要有如下三個模式：第一是以影像顯示為主的顯示模式；第二是以文字等資訊輸入為主的輸入模式；第三是混合顯示模式與輸入模式的兩個模式的顯示及輸入模式。
例如，在打電話或製作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，並進行顯示在螢幕的文字的輸入操作，即可。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的螢幕的大部分上顯示鍵
盤或號碼按鈕。
另外，藉由在行動電話機7400內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，判斷行動電話機7400的方向(縱向或橫向)，而可以對顯示部7402的螢幕顯示進行自動切換。
此外，藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作，切換螢幕模式。也可以根據顯示在顯示部7402上的影像種類切換螢幕模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
另外，當在輸入模式下藉由根據顯示部7402的光感測器所檢測的信號判斷在一定期間內沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以控制為將螢幕模式從輸入模式切換成顯示模式。
還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。此外，藉由在顯示部中使用發射近紅外光的感測光源，也可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
圖7A和圖7B是能夠進行折疊的平板終端。圖7A是打開的狀態的平板終端，並且包括外殼9630、顯示部9631a、顯示部9631b、顯示模式切換開關9034、電源開關9035、省電模式切換開關9036、夾子9033以及操
作開關9038。此外，藉由將發光裝置用於顯示部9631a和顯示部9631b的一者或兩者來製造該平板終端。
在顯示部9631a中，可以將其一部分用作觸控面板的區域9632a，並且可以藉由觸摸所顯示的操作鍵9637來輸入資料。此外，作為一個例子示出顯示部9631a的一半只具有顯示的功能，並且另一半具有觸控面板的功能的結構，但是不侷限於該結構。也可以採用使顯示部9631a的所有的區域具有觸控面板的功能的結構。例如，可以使顯示部9631a的整個面顯示鍵盤按鈕來將其用作觸控面板，並且將顯示部9631b用作顯示螢幕。
此外，顯示部9631b與顯示部9631a同樣，也可以將其一部分用作觸控面板的區域9632b。此外，藉由使用手指或觸控筆等觸摸觸控面板上的鍵盤顯示切換按鈕9639的位置，可以在顯示部9631b上顯示鍵盤按鈕。
此外，也可以對觸控面板的區域9632a和觸控面板的區域9632b同時進行觸摸輸入。
另外，顯示模式切換開關9034能夠選擇切換豎屏顯示和橫屏顯示等顯示的方向以及黑白顯示和彩色顯示等。省電模式切換開關9036可以根據平板終端所內置的光感測器所檢測的使用時的外光的光量，將顯示的亮度設定為最合適的亮度。平板終端除了光感測器以外還可以內置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置。
此外，圖7A示出顯示部9631b的顯示面積與顯示部9631a的顯示面積相同的例子，但是不侷限於此，
可以使一方的尺寸和另一方的尺寸不同，也可以使它們的顯示品質有差異。例如可以採用顯示部9631a和9631b中的一方與另一方相比可以進行高精細的顯示的結構。
圖7B是合上的狀態的平板終端，並且包括外殼9630、太陽能電池9633、充放電控制電路9634、電池9635以及DCDC轉換器9636。
此外，平板終端能夠進行折疊，因此不使用時可以合上外殼9630。因此，可以保護顯示部9631a和顯示部9631b，而可以提供一種具有良好的耐久性且從長期使用的觀點來看具有良好的可靠性的平板終端。
此外，圖7A和圖7B所示的平板終端還可以具有如下功能：將日曆、日期或時間等各種各樣的資訊作為靜態影像、動態影像或文字影像顯示在顯示部上；對顯示在顯示部上的資訊進行操作或編輯的觸摸輸入；藉由各種各樣的軟體(程式)控制處理等。
藉由利用安裝在平板終端的表面上的太陽能電池9633，可以將電力供應到觸控面板、顯示部或影像信號處理部等。另外，太陽能電池9633可以設置在外殼9630的單面或兩面，因此可以進行高效的電池9635的充電。另外，當作為電池9635使用鋰離子電池時，有可以實現小型化等的優點。
另外，參照圖7C所示的方塊圖對圖7B所示的充放電控制電路9634的結構和工作進行說明。圖7C示出太陽能電池9633、電池9635、DCDC轉換器9636、轉
換器9638、開關SW1至SW3以及顯示部9631。電池9635、DCDC轉換器9636、轉換器9638、開關SW1至SW3都對應於圖7B所示的充放電控制電路9634的這些部分。
說明在利用外光使太陽能電池9633發電時的工作的例子。使用DCDC轉換器9636對太陽能電池9633所產生的電力進行升壓或降壓以使它成為用來對電池9635進行充電的電壓。並且，當利用來自太陽能電池9633的電力使顯示部9631工作時使開關SW1打開，並且，利用轉換器9638將該電力升壓或降壓到顯示部9631所需要的電壓。另外，當不進行顯示部9631中的顯示時，使開關SW1斷開且使開關SW2打開來對電池9635進行充電。
注意，作為發電方法的一個例子示出太陽能電池9633，但是不侷限於此，也可以使用壓電元件(piezoelectric element)或熱電轉換元件(珀耳帖元件(Peltier element))等其他發電方法進行電池9635的充電。例如，也可以使用以無線(不接觸)的方式能夠收發電力來進行充電的無線電力傳輸模組或組合其他充電方法進行充電。
另外，如果具備上述實施方式所說明的顯示部，則當然不侷限於圖7A至圖7C所示的電子裝置。
藉由上述步驟，可以藉由應用本發明的一個方式的發光裝置而得到電子裝置。發光裝置的應用範圍極
廣，而可以應用於所有領域的電子裝置。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施方式中，參照圖8說明應用包括本發明的一個方式的發光元件的發光裝置的照明設備的一個例子。
圖8是將發光裝置用於室內照明設備8001的例子。另外，因為發光裝置可以實現大面積化，所以也可以形成大面積的照明設備。此外，也可以藉由使用具有曲面的外殼來形成發光區域具有曲面的照明設備8002。包括在本實施方式所示的照明設備中的發光元件為薄膜狀，外殼的設計的自由度高。因此，可以形成能夠對應各種設計的照明設備。再者，也可以在室內的牆面具備大型的照明設備8003。
另外，藉由將發光裝置用於桌子的表面，可以提供具有桌子的功能的照明設備8004。此外，藉由將發光裝置用於其他傢俱的一部分，可以提供具有傢俱的功能的照明設備。
如上所述，可以得到應用發光裝置的各種各樣的照明設備。另外，這種照明設備包括在本發明的一個方式的範疇中。
另外，本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
在本實施例中，參照圖9說明本發明的一個方式的發光元件1及比較發光元件2。另外，下面示出在本實施例中使用的材料的化學式。
首先，在由玻璃製造的基板1100上藉由濺射法形成包含氧化矽的氧化銦-氧化錫(ITSO)的膜，由此形成用作陽極的第一電極1101。另外，將膜的厚度設定為110nm，並且將電極面積設定為2mm×2mm。
接著，作為用來在基板1100上形成發光元件的預處理，使用水對基板表面進行洗滌，並以200℃進行1小時的焙燒，然後進行370秒鐘的UV臭氧處理。
然後，將基板放入到其內部被減壓到10-4Pa左右的真空蒸鍍裝置中，並在真空蒸鍍裝置內的加熱室中，以170℃進行30分鐘的真空焙燒，然後對基板1100進行30分鐘左右的冷卻。
接著，以使形成有第一電極1101的面朝下的方式將基板1100固定到設置在真空蒸鍍裝置內的支架。在本實施例中，說明如下情況，即藉由真空蒸鍍法，依次形成構成EL層1102的電洞注入層1111、電洞傳輸層1112、發光層1113、電子傳輸層1114及電子注入層1115。
在將真空蒸鍍裝置的內部減壓到10-4Pa之後，藉由將1,3,5-三(二苯並噻吩-4-基)苯(DBT3P-Ⅱ)和氧化鉬(Ⅵ)以滿足DBT3P-Ⅱ：氧化鉬=2：1(質量比)的關係的方式共蒸鍍，從而在第一電極1101上形成電洞注入層1111。並且將其厚度設定為33nm。注意，共
蒸鍍是指使多個不同的物質分別從不同的蒸發源同時蒸發的蒸鍍法。
接著，藉由蒸鍍20nm厚的4-苯基-4’-(9-苯基茀-9-基)三苯胺(簡稱：BPAFLP)，形成電洞傳輸層1112。
接著，在電洞傳輸層1112上形成發光層1113(第一發光層1113a、第二發光層1113b)。在發光元件1中，藉由將2-[3’-(二苯並噻吩-4-基)聯苯-3-基]二苯並[f，h]喹啉(簡稱：2mDBTBPDBq-II)、4-(1-萘基)-4’-苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBBiNB)及(乙醯丙酮根)雙(6-三級丁基-4-苯基嘧啶根)銥(III)(簡稱：[Ir(tBuppm)2(acac)])以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBBiNB：[Ir(tBuppm)2(acac)]=0.8：0.2：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚來形成第一發光層1113a，然後藉由使用雙(2,3,5-三苯基吡嗪)(二新戊醯基甲烷)銥(III)(簡稱：[Ir(tppr)2(dpm)])代替[Ir(tBuppm)2(acac)]以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBBiNB：[Ir(tppr)2(dpm)]=0.9：1.0：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚來形成第二發光層1113b，由此形成具有疊層結構的發光層1113。
另外，在比較發光元件2的情況下，將2mDBTBPDBq-II、4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(簡稱：PCBA1BP)及[Ir(tBuppm)2(acac)]以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBA1BP：[Ir(tBuppm)2(acac)]=0.8：
0.2：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚，然後以滿足2mDBTBPDBq-II：PCBA1BP：[Ir(tppr)2(dpm)]=0.9：0.1：0.06(質量比)的方式共蒸鍍20nm厚，由此形成發光層1113。
接著，藉由在發光層1113上蒸鍍15nm厚的2mDBTBPDBq-II之後，蒸鍍15nm厚的紅啡啉(簡稱：Bphen)，從而形成具有疊層結構的電子傳輸層1114。再者，藉由在電子傳輸層1114上蒸鍍1nm厚的氟化鋰，來形成電子注入層1115。
最後，在電子注入層1115上蒸鍍鋁膜並使其厚度為200nm，來形成用作陰極的第二電極1103，從而得到發光元件1及比較發光元件2。注意，在上述所有蒸鍍過程中，均使用電阻加熱法進行蒸鍍。
藉由上述製程得到發光元件1及比較發光元件2。表1示出發光元件1及比較發光元件2的元件結構。
此外，在氮氛圍的手套箱中密封所製造的發光元件1及比較發光元件2，以使其不暴露於大氣(將密封材料塗佈在元件的周圍，並且在密封時以80℃進行1小時的熱處理)。
測定所製造的發光元件1及比較發光元件2的動作特性。注意，測定是在室溫下(保持在25℃的氛圍下)進行的。
圖10示出發光元件1及比較發光元件2的電流密度-亮度特性。注意，在圖10中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電流密度(mA/cm2)。另外，圖11示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-亮度特性。在圖11中，縱軸表示亮度(cd/m2)，橫軸表示電壓
(V)。此外，圖12示出發光元件1及比較發光元件2的亮度-電流效率特性。在圖12中，縱軸表示電流效率(cd/A)，橫軸表示亮度(cd/m2)。另外，圖13示出發光元件1及比較發光元件2的電壓-電流特性；注意，在圖13中，縱軸表示電流(mA)，橫軸表示電壓(V)。
從圖10至圖13所示的結果可知，雖然在本
發明的一個方式的發光元件1中，在發光層中用作主體材料的PCBBiNB的T1能階低於用作客體材料的[Ir(tBuppm)2(acac)]的T1能階，但是與將T1能階比[Ir(tBuppm)2(acac)]高的PCBA1BP用作主體材料的比較發光元件2相比，其元件特性幾乎沒有差異而可以得到良好的特性(參照後述的表2)。
另外，下面的表2示出1000cd/m2附近的發光元件1及比較發光元件2的主要初期特性值。
由表2的結果可知，在本實施例中製造的發光元件1及比較發光元件2都具有高量子效率。
另外，圖14示出使0.1mA的電流流過發光元件1及比較發光元件2時的發射光譜。如圖14所示那樣，發光元件1的發射光譜在546nm及620nm中具有峰值，由此可知，發射光譜分別來源於包含在發光層1113中的[Ir(tBuppm)2(acac)]及[Ir(tppr)2(dpm)]的發光。此外，與發光元件1同樣，在比較發光元件2的發射光譜中也確認到來源於[Ir(tBuppm)2(acac)]及[Ir(tppr)2(dpm)]的發光的峰值，但是可以認為546nm中的比較發光元件2的發光強度小於發光元件1。可以認為：這是因為發光區根據所使用的材料的差異而變化。
此外，進行發光元件1及比較發光元件2的可靠性測試。圖15示出可靠性測試的結果。在圖15中，縱軸表示初始亮度為100%時的歸一化亮度(%)，橫軸表示元件的驅動時間(h)。此外，在可靠性測試中，將起始亮度設定為5000cd/m2，並且在電流密度恆定的條件下驅動發光元件1及比較發光元件2。其結果是，發光元件1的100小時之後的亮度保持初始亮度的85%左右，由此可知發光元件1所維持的亮度比比較發光元件2高。
由上述可靠性測試可知，本發明的一個方式的發光元件1是具有高可靠性的長壽命的發光元件。
在本實施例中，使用實施例1的發光元件1或比較發光元件2的發光層所包含的2mDBTBPDBq-II、作為主體材料的PCBBiNB或PCBA1BP、作為客體材料的[Ir(tBuppm)2(acac)]，製造在石英基板之間包括改變其組成或比率來形成的有機膜(厚度為50nm)的多種樣本，而對每一個樣本的壽命(τ1，τ2)[μsec]進行測量。
注意，有機膜的質量比為2mDBTBPDBq-II：PCBBiNB(或PCBA1BP)：[Ir(tBuppm)2(acac)]=1-X：X：0.06(質量比)。表3示出關於各樣本的結構及壽命的測量結果。
測量條件為如下：使用條紋相機(streak camera)(由日本濱松光子株式會社製造的C4334)和N2氣體雷射器(由Laser Technik Berlin製造的MSG800，λ=337nm，脈衝寬度<500ps，重複頻率=10Hz)；電洞尺
寸為100μm；以及測量時間為0至20μsec。圖16示出測量結果。在此，τ1和τ2示出以算式1分離的各衰減成分的壽命。由表3可知，樣本2至樣本4示出多個成分(兩個成分)的衰減曲線。
從圖16的結果的分析可知，在將其T1能階比客體材料([Ir(tBuppm)2(acac)])高的PCBA1BP用作主體材料的情況下，在樣本5(PCBA1BP：50%)中只有一個衰減成分被檢測出。另一方面，在將其T1能階比客體材料([Ir(tBuppm)2(acac)])低的PCBBiNB用作主體材料的情況下，在樣本2(PCBBiNB：20%)、樣本3(PCBBiNB：50%)及樣本4(PCBBiNB：100%)中都檢測出兩個衰減成分(第一衰減成分及第二衰減成分)，而發光壽命(即直到初始發光強度衰減到初始值的1/100為止的時間)為15μsec以下。再者，可以得到如下結果：樣本2、樣本3及樣本4的第一衰減成分的壽命(τ1)比樣本5的第一衰減成分的壽命(τ1)短，並且在樣本2、樣本3及樣本4中，PCBBiNB所占的比率最多的樣本4的第二衰減成分的壽命(τ2)最長。此外，可以認為：經過從主體材料到客體材料的能量移動的發光過程有助於第二衰減成分。
如上所述，本發明的一個方式的發光元件包括包含客體材料和其T1能階比客體材料低的主體材料的發光層，並且從來自發光層的發光可以得到如圖16所示的多個成分的衰減曲線。
11‧‧‧主體材料
12‧‧‧第一客體材料
Claims (18)
- 一種發光裝置，包括：第一電極；該第一電極上的發光層，該發光層包含主體材料、第一客體材料及第二客體材料；以及該發光層上的第二電極，其中，該主體材料的T1能階低於該第一客體材料的T1能階且高於該第二客體材料的T1能階，並且，該主體材料的T1能階與該第一客體材料的T1能階之差為大於0eV且0.2eV以下。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該第一客體材料和該第二客體材料都是有機金屬化合物。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該第二客體材料的發光性轉移的速度常數大於5×105sec-1。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，該主體材料的非發光性轉移的速度常數小於1×102sec-1。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，來自該發光層的發光示出多個成分的衰減曲線，並且，在壽命是指直到發光強度減少到初始值的1/100為止的時間的情況下，發光壽命為15μsec以下。
- 根據申請專利範圍第5項之發光裝置，其中，該發光壽命為10μsec以下。
- 根據申請專利範圍第5項之發光裝置，其中，該發光壽命為5μsec以下。
- 一種包括根據申請專利範圍第1項之發光裝置的電子裝置。
- 一種包括根據申請專利範圍第1項之發光裝置的照明設備。
- 一種發光裝置，包括：第一電極；該第一電極上的第一EL層；該第一EL層上的電荷產生層；該電荷產生層上的第二EL層；以及該第二EL層上的第二電極，其中，該第一EL層和該第二EL層中的至少一個包括包含主體材料、第一客體材料及第二客體材料的發光層，該主體材料的T1能階低於該第一客體材料的T1能階且高於該第二客體材料的T1能階，並且，該主體材料的T1能階與該第一客體材料的T1能階之差為大於0eV且0.2eV以下。
- 根據申請專利範圍第10項之發光裝置，其中，該第一客體材料和該第二客體材料都是有機金屬化合物。
- 根據申請專利範圍第10項之發光裝置，其中，該第二客體材料的發光性轉移的速度常數大於5×105sec-1。
- 根據申請專利範圍第10項之發光裝置，其中，該主體材料的非發光性轉移的速度常數小於1×102sec-1。
- 根據申請專利範圍第10項之發光裝置，其中，來自該發光層的發光示出多個成分的衰減曲線，並且，在壽命是指直到發光強度減少到初始值的1/100為止的時間的情況下，發光壽命為15μsec以下。
- 根據申請專利範圍第14項之發光裝置，其中，該發光壽命為10μsec以下。
- 根據申請專利範圍第14項之發光裝置，其中，該發光壽命為5μsec以下。
- 一種包括根據申請專利範圍第10項之發光裝置的電子裝置。
- 一種包括根據申請專利範圍第10項之發光裝置的照明設備。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013063634 | 2013-03-26 | ||
| JP2013-063634 | 2013-03-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201448275A true TW201448275A (zh) | 2014-12-16 |
| TWI620347B TWI620347B (zh) | 2018-04-01 |
Family
ID=51619918
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103110482A TWI620347B (zh) | 2013-03-26 | 2014-03-20 | 發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置 |
| TW107141722A TWI680591B (zh) | 2013-03-26 | 2014-03-20 | 發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置 |
| TW107100951A TWI650880B (zh) | 2013-03-26 | 2014-03-20 | 發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107141722A TWI680591B (zh) | 2013-03-26 | 2014-03-20 | 發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置 |
| TW107100951A TWI650880B (zh) | 2013-03-26 | 2014-03-20 | 發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9082994B2 (zh) |
| JP (2) | JP6408231B2 (zh) |
| KR (2) | KR102233619B1 (zh) |
| TW (3) | TWI620347B (zh) |
| WO (1) | WO2014157433A1 (zh) |
Families Citing this family (79)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102233619B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2021-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| DE102013106949A1 (de) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, organische funktionelle Schicht und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| KR102344294B1 (ko) | 2014-02-21 | 2021-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US9299566B2 (en) * | 2014-02-25 | 2016-03-29 | Tsinghua University | Method for forming germanium-based layer |
| KR20150130224A (ko) | 2014-05-13 | 2015-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| KR102353647B1 (ko) | 2014-08-29 | 2022-01-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| CN109980114B (zh) | 2014-09-30 | 2021-09-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、显示装置、电子设备以及照明装置 |
| KR102409803B1 (ko) | 2014-10-10 | 2022-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| CN104393182B (zh) * | 2014-10-30 | 2017-04-19 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种绿色有机电致发光器件及其制备方法 |
| TWI737594B (zh) | 2015-03-09 | 2021-09-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件，顯示裝置，電子裝置，與照明裝置 |
| TWI749726B (zh) * | 2015-03-09 | 2021-12-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件、顯示裝置、電子裝置及照明設備 |
| WO2017025839A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9965247B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-05-08 | Sonos, Inc. | Voice controlled media playback system based on user profile |
| US10264030B2 (en) | 2016-02-22 | 2019-04-16 | Sonos, Inc. | Networked microphone device control |
| US10743101B2 (en) | 2016-02-22 | 2020-08-11 | Sonos, Inc. | Content mixing |
| US9947316B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-04-17 | Sonos, Inc. | Voice control of a media playback system |
| US10097939B2 (en) * | 2016-02-22 | 2018-10-09 | Sonos, Inc. | Compensation for speaker nonlinearities |
| US10509626B2 (en) | 2016-02-22 | 2019-12-17 | Sonos, Inc | Handling of loss of pairing between networked devices |
| US10095470B2 (en) | 2016-02-22 | 2018-10-09 | Sonos, Inc. | Audio response playback |
| CN105679957B (zh) * | 2016-04-20 | 2017-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光器件及其制备方法 |
| US10096658B2 (en) | 2016-04-22 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| WO2017199163A1 (en) | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9978390B2 (en) | 2016-06-09 | 2018-05-22 | Sonos, Inc. | Dynamic player selection for audio signal processing |
| US10134399B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-11-20 | Sonos, Inc. | Contextualization of voice inputs |
| US10152969B2 (en) | 2016-07-15 | 2018-12-11 | Sonos, Inc. | Voice detection by multiple devices |
| US10115400B2 (en) | 2016-08-05 | 2018-10-30 | Sonos, Inc. | Multiple voice services |
| US9942678B1 (en) | 2016-09-27 | 2018-04-10 | Sonos, Inc. | Audio playback settings for voice interaction |
| US9743204B1 (en) | 2016-09-30 | 2017-08-22 | Sonos, Inc. | Multi-orientation playback device microphones |
| US10181323B2 (en) | 2016-10-19 | 2019-01-15 | Sonos, Inc. | Arbitration-based voice recognition |
| US10748497B2 (en) * | 2016-12-27 | 2020-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11183181B2 (en) | 2017-03-27 | 2021-11-23 | Sonos, Inc. | Systems and methods of multiple voice services |
| US10475449B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-11-12 | Sonos, Inc. | Wake-word detection suppression |
| US10048930B1 (en) | 2017-09-08 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Dynamic computation of system response volume |
| US10446165B2 (en) | 2017-09-27 | 2019-10-15 | Sonos, Inc. | Robust short-time fourier transform acoustic echo cancellation during audio playback |
| US10051366B1 (en) | 2017-09-28 | 2018-08-14 | Sonos, Inc. | Three-dimensional beam forming with a microphone array |
| US10482868B2 (en) | 2017-09-28 | 2019-11-19 | Sonos, Inc. | Multi-channel acoustic echo cancellation |
| US10621981B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-04-14 | Sonos, Inc. | Tone interference cancellation |
| US10466962B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-11-05 | Sonos, Inc. | Media playback system with voice assistance |
| US10880650B2 (en) | 2017-12-10 | 2020-12-29 | Sonos, Inc. | Network microphone devices with automatic do not disturb actuation capabilities |
| US10818290B2 (en) | 2017-12-11 | 2020-10-27 | Sonos, Inc. | Home graph |
| US11343614B2 (en) | 2018-01-31 | 2022-05-24 | Sonos, Inc. | Device designation of playback and network microphone device arrangements |
| US11175880B2 (en) | 2018-05-10 | 2021-11-16 | Sonos, Inc. | Systems and methods for voice-assisted media content selection |
| US10847178B2 (en) | 2018-05-18 | 2020-11-24 | Sonos, Inc. | Linear filtering for noise-suppressed speech detection |
| US10959029B2 (en) | 2018-05-25 | 2021-03-23 | Sonos, Inc. | Determining and adapting to changes in microphone performance of playback devices |
| US10681460B2 (en) | 2018-06-28 | 2020-06-09 | Sonos, Inc. | Systems and methods for associating playback devices with voice assistant services |
| US10461710B1 (en) | 2018-08-28 | 2019-10-29 | Sonos, Inc. | Media playback system with maximum volume setting |
| US11076035B2 (en) | 2018-08-28 | 2021-07-27 | Sonos, Inc. | Do not disturb feature for audio notifications |
| US10878811B2 (en) | 2018-09-14 | 2020-12-29 | Sonos, Inc. | Networked devices, systems, and methods for intelligently deactivating wake-word engines |
| US10587430B1 (en) | 2018-09-14 | 2020-03-10 | Sonos, Inc. | Networked devices, systems, and methods for associating playback devices based on sound codes |
| US11024331B2 (en) | 2018-09-21 | 2021-06-01 | Sonos, Inc. | Voice detection optimization using sound metadata |
| US10811015B2 (en) | 2018-09-25 | 2020-10-20 | Sonos, Inc. | Voice detection optimization based on selected voice assistant service |
| US11100923B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-24 | Sonos, Inc. | Systems and methods for selective wake word detection using neural network models |
| US10692518B2 (en) | 2018-09-29 | 2020-06-23 | Sonos, Inc. | Linear filtering for noise-suppressed speech detection via multiple network microphone devices |
| JP7225671B2 (ja) * | 2018-10-22 | 2023-02-21 | スズキ株式会社 | 電動車両 |
| US11899519B2 (en) | 2018-10-23 | 2024-02-13 | Sonos, Inc. | Multiple stage network microphone device with reduced power consumption and processing load |
| EP3654249A1 (en) | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Snips | Dilated convolutions and gating for efficient keyword spotting |
| US11183183B2 (en) | 2018-12-07 | 2021-11-23 | Sonos, Inc. | Systems and methods of operating media playback systems having multiple voice assistant services |
| US11132989B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-09-28 | Sonos, Inc. | Networked microphone devices, systems, and methods of localized arbitration |
| US10602268B1 (en) | 2018-12-20 | 2020-03-24 | Sonos, Inc. | Optimization of network microphone devices using noise classification |
| US11315556B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-04-26 | Sonos, Inc. | Devices, systems, and methods for distributed voice processing by transmitting sound data associated with a wake word to an appropriate device for identification |
| US10867604B2 (en) | 2019-02-08 | 2020-12-15 | Sonos, Inc. | Devices, systems, and methods for distributed voice processing |
| US11120794B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-09-14 | Sonos, Inc. | Voice assistant persistence across multiple network microphone devices |
| US10586540B1 (en) | 2019-06-12 | 2020-03-10 | Sonos, Inc. | Network microphone device with command keyword conditioning |
| US11200894B2 (en) | 2019-06-12 | 2021-12-14 | Sonos, Inc. | Network microphone device with command keyword eventing |
| US11361756B2 (en) | 2019-06-12 | 2022-06-14 | Sonos, Inc. | Conditional wake word eventing based on environment |
| US11138975B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-10-05 | Sonos, Inc. | Locally distributed keyword detection |
| US11138969B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-10-05 | Sonos, Inc. | Locally distributed keyword detection |
| US10871943B1 (en) | 2019-07-31 | 2020-12-22 | Sonos, Inc. | Noise classification for event detection |
| US11189286B2 (en) | 2019-10-22 | 2021-11-30 | Sonos, Inc. | VAS toggle based on device orientation |
| US11200900B2 (en) | 2019-12-20 | 2021-12-14 | Sonos, Inc. | Offline voice control |
| US11562740B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-01-24 | Sonos, Inc. | Voice verification for media playback |
| US11556307B2 (en) | 2020-01-31 | 2023-01-17 | Sonos, Inc. | Local voice data processing |
| US11308958B2 (en) | 2020-02-07 | 2022-04-19 | Sonos, Inc. | Localized wakeword verification |
| US11308962B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-04-19 | Sonos, Inc. | Input detection windowing |
| US11727919B2 (en) | 2020-05-20 | 2023-08-15 | Sonos, Inc. | Memory allocation for keyword spotting engines |
| US11482224B2 (en) | 2020-05-20 | 2022-10-25 | Sonos, Inc. | Command keywords with input detection windowing |
| US11698771B2 (en) | 2020-08-25 | 2023-07-11 | Sonos, Inc. | Vocal guidance engines for playback devices |
| US11984123B2 (en) | 2020-11-12 | 2024-05-14 | Sonos, Inc. | Network device interaction by range |
| US11551700B2 (en) | 2021-01-25 | 2023-01-10 | Sonos, Inc. | Systems and methods for power-efficient keyword detection |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102041001B (zh) | 2000-08-11 | 2014-10-22 | 普林斯顿大学理事会 | 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光 |
| US6939624B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Universal Display Corporation | Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence |
| US6911271B1 (en) | 2000-08-11 | 2005-06-28 | The University Of Southern California | Organometallic platinum complexes for phosphorescence based organic light emitting devices |
| US7374828B2 (en) | 2003-12-05 | 2008-05-20 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with additive |
| TW200541401A (en) | 2004-02-13 | 2005-12-16 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent device |
| US7273663B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
| JP4110160B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子、及びディスプレイ装置 |
| JP4933832B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-05-16 | 日本放送協会 | 発光素子 |
| WO2008065975A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2010090084A (ja) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 新規なビス（カルバゾリルフェニル）誘導体、それを用いたホスト材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP5495578B2 (ja) | 2009-02-13 | 2014-05-21 | ケミプロ化成株式会社 | 新規なトリアリールホスフィンオキシド誘導体、それよりなるホスト材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012064453A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Canon Inc | 有機発光素子 |
| JP5798754B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2015-10-21 | ケミプロ化成株式会社 | 新規な置換ジフェニルカルバゾール誘導体、該誘導体よりなるホスト材料及び該誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2012111680A1 (en) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device |
| CN105762279B (zh) | 2011-03-25 | 2018-04-17 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光器件 |
| KR20120122931A (ko) * | 2011-04-29 | 2012-11-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 인광 발광에 기초하는 발광장치, 전자기기 및 조명장치 |
| JP6107657B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2017-04-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN104471733B (zh) | 2012-03-14 | 2017-06-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
| WO2014109274A1 (en) | 2013-01-10 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| KR102233619B1 (ko) * | 2013-03-26 | 2021-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
-
2014
- 2014-03-19 KR KR1020207031208A patent/KR102233619B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-19 WO PCT/JP2014/058708 patent/WO2014157433A1/en active Application Filing
- 2014-03-19 KR KR1020157030680A patent/KR102173936B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-20 TW TW103110482A patent/TWI620347B/zh active
- 2014-03-20 US US14/220,535 patent/US9082994B2/en active Active
- 2014-03-20 TW TW107141722A patent/TWI680591B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-03-20 TW TW107100951A patent/TWI650880B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-03-24 JP JP2014059988A patent/JP6408231B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-21 US US14/718,689 patent/US9461259B2/en active Active
-
2016
- 2016-09-28 US US15/278,379 patent/US10249837B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-09-20 JP JP2018175622A patent/JP6688853B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102173936B1 (ko) | 2020-11-04 |
| KR20150135470A (ko) | 2015-12-02 |
| US20170018727A1 (en) | 2017-01-19 |
| TW201820656A (zh) | 2018-06-01 |
| US9461259B2 (en) | 2016-10-04 |
| JP2014209604A (ja) | 2014-11-06 |
| KR20200125773A (ko) | 2020-11-04 |
| WO2014157433A1 (en) | 2014-10-02 |
| TWI650880B (zh) | 2019-02-11 |
| US10249837B2 (en) | 2019-04-02 |
| US20150255742A1 (en) | 2015-09-10 |
| US20140291642A1 (en) | 2014-10-02 |
| JP6408231B2 (ja) | 2018-10-17 |
| TWI620347B (zh) | 2018-04-01 |
| TWI680591B (zh) | 2019-12-21 |
| KR102233619B1 (ko) | 2021-03-30 |
| TW201909446A (zh) | 2019-03-01 |
| JP2018198338A (ja) | 2018-12-13 |
| JP6688853B2 (ja) | 2020-04-28 |
| US9082994B2 (en) | 2015-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6688853B2 (ja) | 発光装置、電子機器および照明装置 | |
| KR102261620B1 (ko) | 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 | |
| TWI657607B (zh) | 發光元件、發光裝置、電子裝置、及照明裝置 | |
| TWI595693B (zh) | 發光元件、發光裝置、電子裝置及照明設備 | |
| TWI637543B (zh) | 發光元件，發光裝置，電子裝置，及照明裝置 | |
| TWI667818B (zh) | 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備 | |
| TWI586010B (zh) | 發光元件，發光裝置，電子裝置，以及照明裝置 |