TW201448021A - 蝕刻方法 - Google Patents
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Abstract
將表面具有氮化矽膜，並具有鄰接於氮化矽膜而加以設置之多晶矽膜及/或氧化矽膜之被處理基板配置於腔室內，而供給NO氣體或/及臭氧氣體與HF氣體至腔室內，並藉此來選擇性地蝕刻氮化矽膜。
Description
本發明係有關一種蝕刻基板所形成之既定材料的膜之蝕刻方法。
近年，在半導體裝置之製造過程中，被稱為化學氧化物去除處理(Chemical Oxide Removal；COR)之無電漿乾蝕刻技術係作為可取代乾蝕刻或濕蝕刻之細微化蝕刻方法，而受到矚目(例如專利文獻1、2)。在蝕刻作為氧化物之氧化矽(SiO2)的情況，係單獨使用氟化氫(HF)氣體，或是HF氣體與氨(NH3)氣體之混合氣體。
然而，COR雖然為蝕刻氧化物之技術，但在最近，不僅在氧化矽(SiO2)般之氧化物，亦被討論到蝕刻氮化矽(SiN)膜。作為以無電漿來蝕刻SiN膜之情況的蝕刻氣體，係討論到有HF氣體+F2氣體(例如專利文獻3)。
【先行技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2005-39185號公報
專利文獻2：日本特開2008-160000號公報
專利文獻3：日本特開2010-182730號公報
半導體晶圓中，SiN膜較多係與多晶矽(poly-Si)膜、Si基板等之Si或是SiO2膜鄰接，而在此般之狀態中以HF氣體及F2氣體來蝕刻SiN膜之情況，便會在低溫中因產生為反應生成物之NH3氣體與HF氣體而蝕刻SiO2膜，使得在高溫中poly-Si被加以蝕刻。如此般，便會有所謂相對於SiO2膜及poly-Si膜而難以高選擇比來蝕刻SiN的問題。
從而，本發明之目的係提供一種相對於氧化矽膜及/或多晶矽膜而可以高選擇比來蝕刻氮化矽膜之蝕刻方法。
亦即，根據本發明之一個觀點，係提供一種蝕刻方法，其具有：將表面具有氮化矽膜，並具有鄰接於該氮化矽膜而加以設置之多晶矽膜及/或氧化矽膜的被處理基板配置於腔室內；以及供給NO氣體或/及臭氧氣體與HF氣體至該腔室內，並藉此相對該多晶矽膜及/或該氧化矽膜來選擇性地蝕刻該氮化矽膜。
在該蝕刻之前，可先供給臭氧氣體或氧電漿於該被處理基板來進行該被處理基板表面之改質處理。
較佳地，在供給NO氣體與HF氣體來作為該蝕刻之氣體的情況，係將NO氣體與HF氣體之體積比例成為1：0.1~1：30之範圍。又，較佳地，在供給臭氧氣體與HF氣體來作為該蝕刻之氣體的情況，係將臭氧氣體與HF氣體之體積比例成為1：1~1：7之範圍。
較佳地，在進行該蝕刻時，係在該腔室內將載置該被處理基板之載置台的溫度成為70~200℃之範圍，又，較佳地，係將該腔室內之壓力成為1.6~80kPa之範圍。
又，根據本發明之其他觀點，係提供一種記憶媒體，係在電腦上動作，並記憶有用以控制蝕刻裝置之程式的記憶媒體，其中該程式係在實行時，會以進行將表面具有氮化矽膜，並具有鄰接於該氮化矽膜而加以設置之多晶矽膜及/或氧化矽膜的被處理基板配置於腔室內；以及供給NO氣體或/及臭氧氣體與HF氣體至該腔室內，並藉此相對該多晶矽膜及/或該氧化矽膜來選擇性地蝕刻該氮化矽膜之蝕刻方法的方式，來讓電腦控制該蝕刻裝置。
根據本發明，藉由供給NO氣體或/及臭氧氣體與HF氣體至腔室內，便可以高蝕刻速率來蝕刻被處理基板表面之氮化矽膜，且可相對於鄰接設置於氮化矽膜之氧化矽膜及/或多晶矽膜，而以高選擇比來蝕刻氮化矽膜。
1‧‧‧處理系統
2‧‧‧搬出入部
3‧‧‧裝載室
5‧‧‧蝕刻裝置
11‧‧‧第1晶圓搬送機構
17‧‧‧第2晶圓搬送機構
40‧‧‧腔室
43‧‧‧氣體供給機構
44‧‧‧排氣機構
61‧‧‧第1氣體導入噴嘴
62‧‧‧第2氣體導入噴嘴
65‧‧‧HF氣體供給源
66‧‧‧NO氣體供給源
72‧‧‧O2氣體供給源
73‧‧‧臭氧產生器
74‧‧‧遠程電漿源
90‧‧‧控制部
W‧‧‧半導體晶圓
圖1係顯示搭載了用於實施本發明實施形態相關之蝕刻方法的蝕刻裝置之處理系統的概略構成圖。
圖2係顯示圖1之處理系統所搭載的蝕刻裝置之第1範例的概略構成
之剖面圖。
圖3係顯示圖1之處理系統所搭載的蝕刻裝置之第2範例的概略構成之剖面圖。
圖4係顯示圖1之處理系統所搭載的蝕刻裝置之第3範例的概略構成之剖面圖。
圖5係顯示圖1之處理系統所搭載的蝕刻裝置之第4範例的概略構成之剖面圖。
以下，便參照圖式，就本發明之實施形態來加以說明。
[本發明之實施形態所使用的處理系統]
圖1係顯示搭載了本發明一實施形態相關的蝕刻裝置之處理系統的概略構成圖。該處理系統1係具備有搬出入半導體晶圓(以下，僅記載為晶圓)W之搬出入部2、鄰接設置於搬出入部2之2個裝載室(L/L)3以及分別鄰接設置於各裝載室3，並對晶圓W進行無電漿蝕刻之蝕刻裝置5。
搬出入部2係具有在內部設置有搬送晶圓W之第1晶圓搬送機構11的搬送室(L/M)12。第1晶圓搬送機構11係具有略水平地保持晶圓W的2個搬送臂11a、11b。搬送室12長邊方向的側部係設置有載置台13，而該載置台13可連接有例如3個可將複數片晶圓W並排收置之載具C。又，鄰接搬送室12而設置有讓晶圓W旋轉以光學性地求出偏芯量來進行對位之對準器14。
搬出入部2中，晶圓W係藉由搬送臂11a、11b來加以保持，並以第1晶圓搬送機構11之驅動在略水平面內直進移動，再升降，來搬送至所欲之位置。然後，藉由對載置台13上之載具C、對準器14、裝載室3分別使搬送臂11a、11b進退，來進行搬出入。
各裝載室3係在與搬送室12之間分別介設有閘閥16之狀態，而分別連結於搬送室12。各裝載室3內係設置有搬送晶圓W之第2搬送機構17。又，裝載室3係構成為可抽真空至既定之真空度為止。
第2晶圓搬送機構17係具有略水平地保持晶圓W之拾取器。該晶圓搬送機構17中，可讓拾取器在裝載室3與蝕刻裝置5之間移動，並可藉此將
晶圓W在裝載室3與蝕刻裝置5之間搬送。
處理系統1係具有控制部90。控制部90係具有具備控制處理系統1之各構成部的微處理裝置(電腦)之程序控制器91。程序控制器91係連接有具有為了讓操作者管理處理系統1而進行指令之輸入操作等的鍵盤，或讓處理系統1之運作狀況可視化並加以顯示的顯示器之使用者介面92。又，程序控制器91連接有記憶部93，係儲存有用以在程序控制器之控制下實現以處理系統1來實行之各種處理，例如後述的蝕刻裝置5中之處理氣體的供給或腔室內的排氣等之控制程式，或用以對應於處理條件而在處理系統1之各構成部讓既定的處理實行之控制程式的處理配方或各種資料庫等。配方係記憶於記憶部93中之適當的記憶媒體(未圖示)。然後，依必要，係以從記憶部93叫出任意配方來讓程序控制器91實行，而在程序控制器91之控制下，進行在處理系統1中之所欲的處理。
在如此般之處理系統1中，作為晶圓W係使用在表面具有為蝕刻對象之SiN膜，並與其鄰接而形成有SiO2膜及poly-Si膜之至少一者，而將此般晶圓W複數片收置於載具C內，而搬送至處理系統1。處理系統1中，係在開啟大氣側之閘閥16的狀態從搬出入部2之載具C藉由第1晶圓搬送機構11之搬送臂11a、11b之任一者來搬送1片晶圓W至裝載室3，並以裝載室3內之第2晶圓搬送機構17的拾取器來收授。
之後，關閉大氣側之閘閥16來將裝載室3內真空排氣，接著，開啟閘閥54，而將拾取器延伸至蝕刻裝置5來朝蝕刻裝置5搬送晶圓W。
之後，將拾取器移回裝載室3，而將閘閥54關閉，並在蝕刻裝置5中進行蝕刻處理。
在結束蝕刻裝置5中之蝕刻處理後，開啟閘閥54，而藉由第2晶圓搬送機構17之拾取器來將載置台42上之蝕刻處理後的晶圓W退回至裝載室3，並藉由第1晶圓搬送機構11之搬送臂11a，11b之任一者來搬回至載具C。藉此，便結束1片晶圓之處理。對於載具C內之複數片晶圓來進行如此般的處理。
[蝕刻裝置之第1範例以及藉其之蝕刻方法]
接著，便就蝕刻裝置5之第1範例來加以說明。
圖2係顯示蝕刻裝置5之第1範例的剖面圖。如圖2所示，第1範例
之蝕刻裝置5係具備有密閉構造之腔室40，而腔室40之內部係設置有以略水平之狀態來載置晶圓W的載置台42。又，蝕刻裝置5係具備有供給HF氣體及NO氣體等至腔室40之氣體供給機構43、以及將腔室40內排氣之排氣機構44。
腔室40係由腔室本體51及蓋部52來加以構成。腔室本體51係具有略圓筒狀之側壁部51a與底部51b，而上部係成為開口，並以蓋部52來關閉該開口。側壁部51a與蓋部52係藉由密封構件(未圖示)來加以密封，以確保腔室40內之氣密性。蓋部52之頂壁係從上方來插入有第1氣體導入噴嘴61及第2氣體導入噴嘴62於腔室40內。
側壁部51a係相對於裝載室3而設置有搬出入晶圓W之搬出入口53，該搬出入口53可藉由閘閥54來加以開閉。
載置台42係成為俯視略圓形，並固定於腔室40之底部51b。載置台42之內部係設置有調節載置台42之溫度的溫度調節器55。溫度調節器55係具備例如循環有溫度調節用媒體(例如水等)之管路，並藉由與流動於此般管線內的溫度調節用媒體進行熱交換，來調節載置台42之溫度，以進行載置台42上之晶圓W的溫度控制。
氣體供給機構43係具有分別連接於上述第1氣體導入噴嘴61及第2氣體導入噴嘴62之第1氣體供給配管63及第2氣體供給配管64。第1氣體供給配管61係連接有HF氣體供給源65。又，第2氣體供給配管64係連接有NO氣體供給源66。
第1氣體供給配管63係連接有第3氣體供給配管67，而第3氣體供給配管67係連接有供給Ar氣體之Ar氣體供給源68。又，第2氣體供給配管64係連接有第4氣體供給配管69，而第4氣體供給配管69係連接有N2氣體供給源70。第2氣體供給配管64更連接有第5氣體供給配管71，而第5氣體供給配管71係設置有O2氣體供給源72及臭氧產生器73。然後，自O2氣體供給源72所送出之O2氣體會藉由臭氧產生器73而被臭氧化。
第1至第5氣體供給配管63、64、67、69、71係設置有進行流道之開閉動作及流量控制的流量控制器80。流量控制器80係由例如開閉閥及質流控制器來加以構成。
HF氣體及Ar氣體係透過第1氣體供給配管63及第1氣體導入噴嘴61
來朝腔室40內導入，而NO氣體、N2氣體及臭氧氣體係透過第2氣體供給配管64及第2氣體導入噴嘴62來朝腔室40內導入。
該等氣體之中，HF氣體及NO氣體係作為蝕刻用之處理氣體而被加以使用，臭氧氣體係作為蝕刻前之改質處理用的氣體而被加以使用，Ar氣體及N2氣體係作為稀釋氣體或是冲淨氣體而被加以使用。作為沖淨氣體而被加以使用之Ar氣體及N2氣體可僅為任一種，又，亦可使用其他非活性氣體。
排氣機構44係具有連結於腔室40之底部51b所形成之排氣口81的排氣配管82，進一步地，具有設置於排氣配管82，並用以控制腔室40內之壓力的自動壓力控制閥(APC)83以及腔室40內排氣用之真空泵84。
從腔室40之側壁於腔室40內，設置有作為用以測量腔室40內之壓力的2個電容式壓力計86a、86b。電容式壓力計86a係高壓用，電容式壓力計86b係低壓用。載置台42所載置之晶圓W的附近係設置有檢測晶圓W溫度之溫度感應器(未圖示)。
使用Al來作為構成蝕刻裝置5之腔室40、載置台42等之各種構成構件的材質。構成腔室40之Al材可為純淨者，亦可為在內面(腔室本體51之內面等)實施陽極氧化處理者。另一方面，由於構成載置台42之Al表面係被要求有耐磨性，故較佳地係進行陽極氧化處理而在表面形成有耐磨性較高的氧化披覆膜(Al2O3)。
接著，便就此般第1範例的蝕刻裝置之蝕刻方法來加以說明。
本範例中，係在開啟閘閥54之狀態下，藉由裝載室3內之第2晶圓搬送機構17的拾取器來將上述結構的晶圓W從搬出入口53搬入於腔室40內，而載置於載置台42。
之後，將拾取器移回裝載室3，而關閉閘閥54，並讓腔室40內成為密閉狀態。
在該狀態下，首先依必要來進行臭氧氣體之改質處理。改質處理係藉由溫度調節器55來將載置台42之溫度調節至既定的溫度，而藉由臭氧產生器73來將自氣體供給機構43之O2氣體供給源72的O2氣體臭氧化，並將所成生之臭氧氣體從第2氣體供給配管64及第2氣體導入噴嘴62朝腔室40內導入來加以進行。
該臭氧氣體之改質處理係在多晶矽膜之表面形成SiO2，而從蝕刻來保護，並且以氧化SiN膜表面(形成SiNO)來使得蝕刻容易進行。根據該改質處理，藉由改質晶圓W之表面，便可在下個蝕刻處理中，進一步地提升相對於SiN之蝕刻及poly-Si膜及/或SiO2膜的蝕刻選擇比。
此時之腔室內的壓力較佳為80~150kPa之範圍，載置台42之溫度較佳為70~200℃之範圍。
另外，該改質處理可不在蝕刻裝置5之腔室40，而在其他之腔室進行。又，該改質處理並非必須。在其他腔室進行改質處理之情況，或是不進行改質處理之情況，便不需要第5氣體供給配管71、O2氣體供給源72以及臭氧產生器73。
依必要而進行改質處理後，會供給NO氣體及HF氣體至腔室40內來選擇性地蝕刻SiN膜。具體而言，係藉由溫度調節器55來將載置台42之溫度調節至既定之範圍，並將腔室40內之壓力調節至既定之範圍，而從氣體供給機構43之NO氣體供給源66透過第2氣體供給配管64及第2氣體導入噴嘴62來將NO氣體導入至腔室40內，並且，從HF氣體供給源65透過第1氣體供給配管63及第1氣體導入噴嘴61來將HF氣體朝腔室40內導入。此時，亦可將Ar氣體及N2氣體之兩者或是一者作為稀釋氣體來加以供給。
如此一來，藉由進行蝕刻處理，便可讓NO氣體及HF氣體作用於SiN膜，而以高蝕刻速率來蝕刻SiN膜。
此時，因NO氣體及HF氣體使得poly-Si膜及SiO2膜的蝕刻速率會較低，而相對於該等膜，便可以高選擇比來蝕刻SiN膜。又，在單獨使用HF氣體的情況，雖會在蝕刻SiN膜時生成氨，而對作為基底所存在之SiO2膜帶來皺裂等損傷，但藉由在HF氣體添加NO氣體，便可抑制SiO2膜之損傷。
該蝕刻處理中之腔室40內的壓力較佳為1.6~80kPa之範圍，而載置台42之溫度較佳為70~200℃之範圍。又，NO氣體與HF氣體之體積比例較佳為1：0.1~1：30之範圍。又，較佳地蝕刻處理係以與改質處理相同之溫度來加以進行。
藉由使用HF氣體及NO氣體來進行蝕刻處理，便可將蝕刻速率成為
10nm/min以上，且將相對於poly-Si膜及SiO2膜之蝕刻選擇比成為50以上。
如此般，在蝕刻裝置5中之蝕刻處理結束後，便開啟閘閥54，而藉由第2晶圓搬送機構17之拾取器，來將蝕刻處理後之載置台42上的晶圓W從腔室40搬出，而結束蝕刻裝置5之蝕刻。
[蝕刻裝置之第2範例及藉其之蝕刻方法]
接著，就蝕刻裝置5之第2範例來加以說明。
該範例中，係使用臭氧氣體來取代第1範例之NO氣體而作為蝕刻用之處理氣體。亦即，係使用HF氣體與臭氧氣體來作為蝕刻用之處理氣體。
圖3係顯示蝕刻裝置5之第2範例的剖面圖。如圖3所示，第2範例之蝕刻裝置5不存在有NO氣體供給源，而在第2氣體供給配管64設置有氣體供給源72及臭氧產生器73。
在藉由此般第2範例的蝕刻裝置來進行蝕刻處理的情況，係將晶圓W搬入至腔室40內，而在載置於載置台42後，與第1範例同樣地，依必要來進行臭氧氣體之改質處理，之後，供給臭氧氣體及HF氣體至腔室40內，以選擇性地蝕刻SiN膜。具體而言，係藉由溫度調節器55來將載置台42之溫度調節至既定之範圍，並將腔室40內之壓力調節至既定之範圍，以臭氧產生器73來將從氣體供給機構43之O2氣體供給源72的O2氣體臭氧化，而將所生成之臭氧氣體從第2氣體供給配管64及第2氣體導入噴嘴62朝腔室40內來導入，並且從HF氣體供給源65透過HF第1氣體供給配管63及第1氣體導入噴嘴61來朝腔室40內導入HF氣體。此時，亦可供給Ar氣體及N2氣體之兩者或是一者來作為稀釋氣體。
藉由如此般地進行蝕刻處裡，便可讓臭氧氣體及HF氣體作用於SiN膜，並以高蝕刻速率來蝕刻SiN膜。
此時，因臭氧氣體及HF氣體使得poly-Si膜及SiO2膜的蝕刻速率會較低，而相對於該等膜，便可以高選擇比來蝕刻SiN膜。
該蝕刻處理中之腔室40內的壓力較佳為1.6~80kPa之範圍，載置台42的溫度較佳為70~200℃之範圍。又，臭氧氣體與HF氣體之體積比例較佳為1：1~1：7之範圍。又，較佳地蝕刻處理係以與改質處理相同之溫度來加以進行。
藉由使用臭氧氣體及NO氣體來進行蝕刻處理，便可將蝕刻速率成為
10nm/min以上，而相對於poly-Si膜及SiO2膜之蝕刻選擇比係成為50以上。
上述第1範例以及第2範例中，雖然係將NO氣體或臭氧氣體作為混合在HF氣體之氣體，但亦可使用NO氣體及臭氧氣體兩者。該情況，係使用如圖2所示之蝕刻裝置，而在蝕刻處理時，便可供給NO氣體及臭氧氣體兩者。
[蝕刻裝置之第3範例及藉其之蝕刻方法]
接著，便就蝕刻裝置5之第3範例來加以說明。
圖4係顯示蝕刻裝置5之第3範例的剖面圖。該範例中，可取代圖2裝置之臭氧產生器73而設置有遠程電漿源74，並取代臭氧氣體而將氧電漿(O2電漿)導入至腔室40內。
該蝕刻裝置5之第3範例中，係藉由氧電漿來進行改質處理。該範例中，改質處理係藉由溫度調節器55來調節載置台42之溫度至既定的溫度，而以遠程電漿源74來將自氣體供給機構43之O2氣體供給源72的O2氣體電漿化，而藉由將所生成之氧電漿從第2氣體供給配管64及第2氣體導入噴嘴68朝腔室40內導入來加以進行。
該氧電漿之改質處理與臭氧之情況相同，係在多晶矽膜之表面形成SiO2而從蝕刻來加以保護，並且以氧化SiN膜之表面(形成SiNO)來使得蝕刻容易進行。藉由氧電漿之改質處理來改質晶圓W的表面，便可在下個蝕刻處理中，進一步地提高相對於SiN膜之poly-Si膜及/或SiO2的蝕刻選擇比。
此時腔室40內的壓力較佳為80~150kPa之範圍，而載置台42的溫度較佳為70~200℃之範圍。
如此般進行改質處理後之蝕刻處理可與第1範例同樣地使用HF氣體及NO氣體來加以進行，可同樣地，以高蝕刻速率且相對於poly-Si膜及SiO2膜以高選擇比來蝕刻SiN膜。
[蝕刻裝置之第4範例及藉其之蝕刻方法]
接著，便就蝕刻裝置5之第4範例來加以說明。
圖5係顯示蝕刻裝置5之第4範例的剖面圖。該範例中，係與圖3之裝置相同，而具有臭氧產生器73，但更設置有遠程電漿源74，並藉由切換閥75便可選擇性地供給自O2氣體供給源72之O2氣體至臭氧產生器73及
遠程電漿源74，而將臭氧氣體及氧電漿(O2電漿)導入至腔室40內。臭氧產生器73所產生之臭氧氣體會導入至第2氣體供給配管64，而遠程電漿源74所產生之氧電漿會經由第5氣體供給配管71來導入至第2氣體供給配管64。
該蝕刻裝置5之第4範例中，亦與第3範例同樣，係藉由氧電漿來進行改質處理。該範例中，改質處理係藉由溫度調節器55來調節載置台42的溫度至既定之溫度，並將自氣體供給機構43之O2氣體供給源72的O2氣體導至遠程電漿源74來電漿化，而藉由將所生成之氧電漿從第2氣體供給配管64及第2氣體導入噴嘴62來朝腔室40內導入，便會與第3範例同樣地進行。
如此般進行改質處理後之蝕刻處理可與第2範例同樣地藉由切換閥75來將自O2氣體供給源之O2氣體導入至臭氧產生器73，而使用HF氣體及臭氧氣體來加以進行，同樣地，可以高蝕刻速率且相對於poly-Si膜及SiO2膜以高選擇比來蝕刻SiN膜。
如上述，依據本實施形態，藉由NO氣體或/及臭氧氣體與HF氣體以無電漿來蝕刻藉由蝕刻裝置5而存在於晶圓W表面之SiN膜，便可以高蝕刻速率且相對於SiO2膜及/或poly-Si膜以高選擇比來蝕刻SiN膜。又，在蝕刻處理之前，先藉由以臭氧氣體或氧電漿(O2電漿)來進行改質處理，便可進一步地提高SiN膜之蝕刻速率及選擇比。
[實驗例]
接著，便就實驗例來加以說明。
本實驗例中，係就在SiO2膜上，於矽基板上將二氯矽烷(DCS；SiCl2H2)作為原料並成膜出SiN膜之樣本(樣本A)、將六氯雙矽烷(HCD；Si2Cl6)作為原料並成膜出SiN膜之樣本(樣本B)、在SiO2膜上成膜出poly-Si之樣本(樣本C)、在矽基板上形成熱氧化膜之樣本(樣本D)以及在SiO2膜上形成SiN膜之樣本(樣本E)的5種類之樣本，來進行各2min的200℃中之臭氧處理、70℃中之臭氧處理以及200℃中之臭氧+HF處理。
其結果，藉由進行2min的200℃中之臭氧+HF處理，便確認到樣本A、B、E之SiN膜會被蝕刻10~20nm。相對於此，確認到SiO2膜、poly-Si膜即便進行了2min的臭氧+HF處理，仍幾乎不會被蝕刻。又，確認到不論哪
一個樣本，在僅臭氧氣體中，係幾乎不會被蝕刻。
[本發明之其他適用]
另外，本發明不限定於上述之實施形態而可有各種變形。例如，上述實施形態之裝置不過是一個範例，而可藉由各種結構之裝置來實施本發明的蝕刻方法。又，雖就使用半導體晶圓來作為被處理基板之情況來加以表示，但並不限於半導體晶圓，亦可為LCD(液晶顯示器)用基板為代表之FPD(平面顯示器)基板，或是陶瓷基板等其他基板。
1‧‧‧處理系統
2‧‧‧搬出入部
3‧‧‧裝載室
5‧‧‧蝕刻裝置
11‧‧‧第1晶圓搬送機構
11a、11b‧‧‧搬送臂
12‧‧‧搬送室
13‧‧‧載置台
14‧‧‧對準器
16‧‧‧閘閥
17‧‧‧第2晶圓搬送機構
40‧‧‧腔室
44‧‧‧排氣機構
90‧‧‧控制部
91‧‧‧程序控制器
92‧‧‧使用者介面
93‧‧‧記憶部
W‧‧‧半導體晶圓
C‧‧‧載具
Claims (7)
- 一種蝕刻方法，係具有：將表面具有氮化矽膜，並具有鄰接於該氮化矽膜而加以設置之多晶矽膜及/或氧化矽膜的被處理基板配置於腔室內；以及供給NO氣體或/及臭氧氣體與HF氣體至該腔室內，並藉此相對該多晶矽膜及/或該氧化矽膜來選擇性地蝕刻該氮化矽膜。
- 如申請專利範圍第1項之蝕刻方法，其中在該蝕刻之前，係先供給臭氧氣體或氧電漿於該被處理基板來進行該被處理基板表面之改質處理。
- 如申請專利範圍第1或2項之蝕刻方法，其中在供給NO氣體與HF氣體來作為該蝕刻之氣體的情況，係將NO氣體與HF氣體之體積比例成為1：0.1~1：30之範圍。
- 如申請專利範圍第1或2項之蝕刻方法，其中在供給臭氧氣體與HF氣體來作為該蝕刻之氣體的情況，係將臭氧氣體與HF氣體之體積比例成為1：1~1：7之範圍。
- 如申請專利範圍第1或2項之蝕刻方法，其中在進行該蝕刻時，係在該腔室內將載置該被處理基板之載置台的溫度成為70~200℃之範圍。
- 如申請專利範圍第1或2項之蝕刻方法，其中在進行該蝕刻時，係將該腔室內之壓力成為1.6~80kPa之範圍。
- 一種記憶媒體，係在電腦上動作，並記憶有用以控制蝕刻裝置之程式的記憶媒體，其中該程式係在實行時，會以進行如申請專利範圍第1或2項所記載之蝕刻方法的方式，來讓電腦控制該蝕刻裝置。
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