TW201447476A - 遮罩圖案產生方法，記錄媒介，及資訊處理裝置 - Google Patents

遮罩圖案產生方法，記錄媒介，及資訊處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201447476A
TW201447476A TW103118636A TW103118636A TW201447476A TW 201447476 A TW201447476 A TW 201447476A TW 103118636 A TW103118636 A TW 103118636A TW 103118636 A TW103118636 A TW 103118636A TW 201447476 A TW201447476 A TW 201447476A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
pattern
image
representative
mask
main pattern
Prior art date
Application number
TW103118636A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI564653B (zh
Inventor
Hiroyuki Ishii
Kenji Yamazoe
Original Assignee
Canon Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Kk filed Critical Canon Kk
Publication of TW201447476A publication Critical patent/TW201447476A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI564653B publication Critical patent/TWI564653B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

產生記錄媒介關於一種用於透過由處理器進行的計算來產生用於曝光裝置的遮罩的圖案的方法，包括：在代表性輔助圖案的位置相對於代表性主圖案改變的同時對目標主圖案應用對於多個位置中的每一個所計算出的代表性主圖案的影像的特性值相對於代表性輔助圖案的位置的參考圖，並且計算目標主圖案的影像的特性值相對於輔助圖案的位置的圖，並且由使用目標主圖案的影像的特性值的圖的資料來決定輔助圖案的位置和產生包括目標主圖案和所決定的輔助圖案的遮罩的圖案。

Description

遮罩圖案產生方法，記錄媒介，及資訊處理裝置
本發明關於一種遮罩圖案產生方法、一種記錄媒介、以及一種資訊處理裝置。
近年來，針對半導體裝置的遮罩圖案的小型化已經進步，並且難以由投影曝光裝置來執行遮罩圖案的影像分解。作為用於解決該問題的技術，提出把不經受影像分解的小輔助圖案添加到遮罩圖案的技術。這種輔助圖案可以被稱為次解析度輔助特徵(SRAF)。
日本專利公開No.2004-221594公開了一種用於由數值計算來得到輔助圖案的插入位置的技術。根據該技術，由數值計算來獲得相互干涉產生在遮罩上的位置和干涉相互抵消的位置，並且推導干涉圖。然後，在干涉圖上產生干涉的位置處插入輔助圖案，利用該輔助圖案，已經穿過主圖案以轉印到基板(例如晶圓)的光的相位和已經相對於主圖案穿過輔助圖案的光的相位彼此相等。因此，已經 穿過主圖案的光和已經穿過輔助圖案的光彼此強烈干涉。
另一方面，在曝光裝置中的部分相干影像形成中，從投影光學系統的光瞳平面上的有效光源分佈的資訊來獲得相干性，並且可以從相干性和遮罩圖案的譜分佈(繞射光分佈)來計算虛像。在此，相干性指遮罩平面上的特定兩點之間的干涉程度。相干性由透射交叉係數(transmission cross coefficient，TCC)表示。TCC由投影光學系統的光瞳平面定義，並且與有效光源分佈、投影光學系統中的光瞳函數、以及投影光學系統中的光瞳函數的複共軛數的重疊部分對應。
根據日本專利公開No.2008-040470，投影光學系統中的光瞳函數的位置以及有效光源分佈是固定的，並且僅投影光學系統中的光瞳函數的複共軛數的位置被設置為二維可變的，以獲得二維TCC，以使得由使用二維TCC來計算對於主圖案的近似虛像。然後，在近似虛像的峰值位置附近插入輔助圖案。
日本專利公開No.2004-221594中所描述的干涉圖以及還有日本專利公開No.2008-040470中所描述的近似虛像顯示表示來自輔助圖案存在的位置的光與來自主圖案的光干涉以強化和弱化主圖案的影像的程度的位置。然而，它們不是直接根據輔助圖案的位置來表示主圖案的影像特徵(例如影像的聚焦深度、影像的對比度、影像的ILS等)變為多少的值的數據。上述特徵表示在遮罩上的圖案受照射的同時在基板上所形成的圖案的影像的特徵，並且 圖案的影像經由投影光學系統投影在物體上，以對基板進行曝光。
為此，根據日本專利公開No.2004-221594以及日本專利公開No.2008-040470中所公開的技術，難以根據輔助圖案的位置來區分主圖案的影像特徵之值，並且在一些情況下可能無法以足夠的精度在基板上針對目標圖案形成主圖案的影像。
根據本發明的一態樣，一種用於透過由處理器進行的計算來產生用於曝光裝置的遮罩的圖案的方法，該曝光裝置由使用在基板上投影遮罩的圖案的影像的投影光學系統以光來對基板進行曝光，該方法包括處理器執行的以下步驟：在代表性輔助圖案的位置相對於代表性主圖案改變的同時對目標主圖案應用對於多個位置中的每一個所計算出的、代表性主圖案的影像的特性值相對於代表性輔助圖案的位置的參考圖，計算目標主圖案的影像的特性值相對於輔助圖案的位置的圖，並且由使用目標主圖案的影像的特性值的圖的資料來決定輔助圖案的位置和產生包括目標主圖案和所決定的輔助圖案的遮罩的圖案。
從參照所附圖式對示例性實施例的以下描述，本發明的其它特徵將顯明。
100‧‧‧主圖案
102‧‧‧主圖形
110‧‧‧遮罩圖案
112‧‧‧代表性主圖形
122‧‧‧代表性SRAF圖形
130‧‧‧遮罩圖案
132‧‧‧SRAF
142‧‧‧代表性SRAF圖形
200‧‧‧主圖案
202‧‧‧主圖形
230‧‧‧遮罩圖案
232‧‧‧SRAF
330‧‧‧遮罩圖案
332‧‧‧SRAF
410‧‧‧遮罩圖案
412‧‧‧代表性主圖形
422‧‧‧代表性SRAF圖形
430‧‧‧遮罩圖案
432‧‧‧SRAF
450‧‧‧主圖案
440‧‧‧圖案
442‧‧‧代表性SRAF圖形
510‧‧‧遮罩圖案
512‧‧‧代表性主圖形
522‧‧‧代表性SRAF圖形
532‧‧‧SRAF圖形
533‧‧‧SRAF圖形
圖1是用於產生遮罩圖案的流程圖。
圖2顯示主圖案。
圖3A和圖3B顯示根據第一示例性實施例的代表性主圖形和代表性SRAF圖形。
圖4A、圖4B和圖4C顯示參考圖、主圖案的影像特性值圖以及所產生的遮罩圖案。
圖5顯示根據第一示例性實施例的SRAF圖形的修改示例。
圖6A、圖6B和圖6C顯示根據第二示例性實施例的主圖案、主圖案的影像特性值圖以及所產生的遮罩圖案。
圖7A、圖7B和圖7C顯示根據第三示例性實施例的參考圖、主圖案的影像特性值圖以及所產生的遮罩圖案。
圖8A和圖8B顯示根據第四示例性實施例的代表性主圖形和代表性SRAF圖形。
圖9A、圖9B、圖9C和圖9D顯示第四示例性實施例的參考圖、縮小的主圖案、主圖案的影像特徵圖以及所產生的遮罩圖案。
圖10顯示根據第四示例性實施例的SRAF圖形的修改示例。
圖11A和圖11B顯示根據第五示例性實施例的代表性主圖形和代表性SRAF圖形。
圖12A、圖12B和圖12C顯示根據第五示例性實施例的參考圖、主圖案的影像特性值圖以及所產生的遮罩圖案。
第一示例性實施方式
該示例性實施方式關於用於製造半導體裝置的光微影技術，並且關於產生對於曝光裝置所使用的遮罩的圖案，該曝光裝置被配置為：由使用用於照射遮罩的照射光學系統以及用於在基板上投影遮罩的圖案的影像的投影光學系統用光來對基板進行曝光。
在電腦的處理單元(CPU、MPU、DSP、FPGA等)讀出程式的同時，執行遮罩圖案的產生。用於實現該示例性實施方式的功能的軟體或程式經由網路或各種類型的存儲媒介而提供給由一台或多台電腦構成的資訊處理裝置。在資訊處理裝置的處理單元讀出記錄媒介或存儲媒介中所記錄或存儲的程式的同時，執行程式。在多台位於分離的地方處的電腦經由有線或無線通訊相互發送並且接收資料的同時，可以執行程式的各種處理。
關於與待在基板(晶圓等)上形成的目標圖案對應的充當遮罩的圖案的主圖案來執行遮罩圖案的產生。資訊處理裝置(電腦)輔助主圖案的影像分解並且決定未經受影像分解的輔助圖案的位置，以便產生包括主圖案以及如此決定的輔助圖案的遮罩的圖案的資料。
首先，在代表性輔助圖案相對於代表性主圖案的位置改變的同時，電腦獲得針對多個位置中的每一個所計算的相對於代表性輔助圖案的位置的代表性主圖案的影像的特 性值的參考圖。然後，所獲得的參考圖被應用於目標主圖案，以計算主圖案的影像的特性值相對於輔助圖案的位置的圖。隨後，由使用主圖案的影像的特性值的圖的資料來決定輔助圖案的位置，並且產生包括主圖案和所決定的輔助圖案的遮罩的圖案。
下文中，將參照附圖詳細描述本發明的示例性實施例。
第一示例性實施例
圖1是根據該示例性實施例的用於產生(創建)遮罩圖案的流程圖。
首先，在S102中，電腦的處理單元獲得與待在基板(晶圓等)上形成的目標圖案對應的充當遮罩的圖案的主圖案的資料。該資料可以從使用者輸入到資料輸入裝置的資料獲得，或可以從外部電腦或記錄媒介獲得。該資料可以存儲在電腦的存儲單元(記憶體)中，並且每次由從存儲單元讀取該資料而獲得。
根據該示例性實施例使用圖2所示的主圖案100。具有66nm邊長的正方形的九個主圖形102被設置在132nm的空間處的三行和三列中。在考慮投影曝光裝置的投影倍率的同時，實際遮罩圖形的大小是例如影像面上的大小的四倍，但為了簡化描述，遮罩平面(投影光學系統中的物體面)的尺寸在被基板平面(投影光學系統中的影像面)的尺寸替代的同時被表示。因此，上述66nm的數值是影 像面上的尺寸，而實際遮罩上的尺寸是例如由將66nm乘以4所獲得的264nm。在該示例性實施例的情況下，具有正方形形狀的主圖形102的內部部分是光透射部分，主圖形102外部的背景(背景部分)是光遮罩部分。
接下來，在S104中，為了計算影像的特性值的參考圖，在電腦計算的遮罩平面上設置表示主圖案100的代表性主圖形112(代表性主圖案)。代表性主圖案是簡單地表示主圖案100的各個圖形的特徵(如尺寸、形狀等)的代表性圖案。根據該示例性實施例，設置圖3A中所示的一個代表性主圖形112。代表性主圖形112是具有與主圖形102的形狀相同的正方形形狀的圖形，並且邊長是4.4nm。然而應注意，在根據該示例性實施例的由電腦進行的計算方面，由於物體面和影像面的解析度是4.4nm，因此在計算方面代表性主圖形112與單個點是同義的。
接下來，在S106中，在電腦計算的遮罩平面上在代表性主圖形112的周圍的任意位置處設置代表性SRAF圖形(代表性輔助圖案)122。圖3B顯示所設置的單個代表性主圖形112和單個代表性SRAF圖形122。根據該示例性實施例，代表性SRAF圖形122的大小被設置為具有邊長為4.4nm的正方形，但不限於此。代表性SRAF圖形122的大小優選地相似於或者小於或等於應實際上被設置在遮罩上的SRAF的大小，並且形狀也優選地相似於SRAF的形狀。代表性輔助圖案是簡單地表示應該實際上被設置在遮罩上的SRAF的特徵(如尺寸、形狀等)的代 表性圖案。
在S108中，針對僅包括在S104中設置的代表性主圖形112的第一遮罩圖案和包括代表性主圖形112和在S106中設置的代表性SRAF圖形122的第二遮罩圖案來執行光微影模擬。在光微影模擬中，遮罩上的圖案受照射，以用於經由投影光學系統在基板上投影圖案的影像，以光對基板進行曝光，並且計算可在基板上形成的圖案的影像，以便獲得影像的特徵(光微影特徵)的值。對於影像的計算，可以使用相關技術計算方法，如Abbe的成像理論或使用透射交叉係數(TCC)的方法。當遮罩上的圖案受照射以用於經由投影光學系統在基板上投影圖案的影像來以類似物對基板進行曝光時，影像特徵表示基板上所形成的圖案的影像的特徵。根據該示例性實施例，為了增加聚焦深度，計算聚焦深度作為影像特徵。作為用於光微影模擬的條件，曝光的光被設置為來自ArF準分子雷射器的光(在193nm處的波長)，投影光學系統的NA被設置為1.35，並且有效光源分佈被設置為具有0.80至0.95的σ的環形照射。σ表示在投影光學系統的光瞳平面上所形成的有效光源分佈的大小相對於投影光學系統的光瞳平面的大小的比率。
首先，計算在遮罩平面上僅包括代表性主圖形112的第一遮罩圖案110中不存在散焦的狀態下代表性主圖形112的影像的寬度(尺寸)變為與主圖形102的大小相同的66nm的影像強度(曝光量)級別。然而應注意，代表 性主圖形112的影像的寬度被設置為具有與主圖形102相同的大小。該寬度可以與主圖形102的大小不同，但優選地接近主圖形102的大小。隨後，在50-nm散焦產生的狀態下，在該影像強度級別計算代表性主圖形112的影像在x方向上的寬度W0x和在y方向上的寬度W0y。相對於投影光學系統的光軸的垂直方向被設置為x方向和y方向。接下來，計算在遮罩平面上包括代表性主圖形112和代表性SRAF圖形122的第二遮罩圖案120中不存在散焦的狀態下代表性主圖形112的影像的寬度變為與主圖形102的大小相同的66nm的影像強度級別。隨後，在50-nm散焦產生的狀態下，在該影像強度級別計算代表性主圖形112的影像在x方向上的寬度Wkx和在y方向上的寬度Wky。然後，將所獲得的寬度分配給運算式P1=(Wkx-W0x)+(Wky-W0y)，以計算與代表性主圖形112的影像的聚焦深度有關的特性值P1。值P1表示與在散焦產生的狀態下輔助圖案不存在的情況相比代表性主圖案的影像的寬度增加或減少的程度。當P1的值很高時，聚焦深度很大，以使得值P1和聚焦深度具有相關性。
在該示例性實施例的情況下，代表性主圖形112的大小與代表性SRAF圖形122的大小相同。為此，在如果設置保持原樣使代表性SRAF圖形還與代表性主圖形同時經受影像分解的情況下或者在代表性主圖形接近代表性SRAF圖形的情況下，代表性主圖形的影像的失真很大，並且在一些情況下不能正確地獲得代表性主圖形的影像的 寬度。可以由調整代表性SRAF圖形或代表性主圖形的振幅透射率來解決該程式。在該示例性實施例的情況下，代表性SRAF圖形的振幅透射率被設置為代表性主圖形的振幅透射率的1/6，並且代表性SRAF圖形的影像強度被設置為相對於代表性主圖形的影像強度足夠小。根據該示例性實施例的遮罩是背景部分的透射率很低的暗場。與之對照，即使在遮罩是亮場的情況下，該程式也可以由將代表性SRAF圖形的振幅透射率設置在代表性主圖形的振幅透射率與背景的振幅透射率之間來解決。
接下來，在S110中，判斷在代表性主圖形112的周圍的設置區域中是否完成針對可以設置輔助圖案的所有位置中的每一個來設置代表性SRAF圖形122並且計算影像的特性值P1的處理。
根據該示例性實施例，在把代表性主圖形112設置為中心的同時，周圍設置區域被設置為具有近似870nm高度和寬度的邊的正方形區域。該區域被劃分為近似4.4nm高度和寬度的柵格，在每個柵格(每個位置)處獲得影像的特性值P1。如果尚未對於該設置區域中的所有柵格獲得影像的特性值P1，則流程進入S112，如果對於所有柵格獲得影像的特性值P1，則流程進入S114。
在S112中，代表性SRAF圖形122移動到尚未執行設置代表性SRAF圖形122並且計算影像的特性值P1的處理的位置並且被設置在設置區域中。然後，在S108中，針對包括位置已經移動的代表性SRAF圖形122和代 表性主圖形112的遮罩圖案來獲得代表性主圖形112的影像的特性值P1。
以此方式，重複地執行S108、S110和S112，以使得在代表性主圖形112的周圍的設置區域中，執行在代表性SRAF圖形122的位置改變的同時關於多個位置中的每一個計算代表性主圖形112的影像的特性值P1的處理。
接下來，在S114中，產生(創建)在代表性SRAF圖形122的位置改變的同時針對多個位置中的每一個所計算的代表性主圖形112的影像的特性值P1相對於代表性SRAF圖形122的位置的參考圖。參考圖是以下將描述的在S116中的圖，並且應用於主圖案100，以與主圖案100一起作卷積積分。圖4A顯示根據該示例性實施例的所產生的參考圖。產生針對代表性SRAF圖形122的每個位置所計算的代表性主圖形112的影像的特性值P1被輸入到的具有197行和197列的矩陣，作為參考圖。
由於當散焦產生在包括代表性輔助圖案的遮罩圖案中時代表性主圖形112的影像的寬度減少，因此當P1是正值時聚焦深度改進，而當P1是負值時聚焦深度惡化。具體地說，可以據影像的特性值P1的正負號來得出代表性主圖形112的影像的特徵是改進還是惡化。為此，以滿意的精度，可以由估計特性值P1的值來決定用於以足夠的精度在基板上形成主圖案的輔助圖案的位置。此外，實現這樣的優點：用於影像的特性值P1的計算的計算量很小。影像的特性值不限於P1，也可以計算聚焦深度自身 的值。在S116中，由使用所獲得的參考圖和在S102中所獲得的主圖案100來執行卷積積分(卷積)，並且產生主圖案100的影像的特性值圖(影像特徵靈敏度圖)。具體地說，執行圖4A所示的圖和圖2所示的圖案的卷積積分。圖4B顯示所產生的影像特徵靈敏度圖。
接下來，在S118中，基於影像特徵靈敏度圖來決定SRAF(輔助圖案)的位置。基於影像的特性值P1的定義，當在圖4B所示的影像特徵靈敏度圖的值為正的位置處設置SRAF時，聚焦深度改進。鑒於以上情況，根據該示例性實施例，在影像特徵靈敏度圖的值為正並且是相對較大的局部最大值的位置處設置SRAF 132(輔助圖案)。
接下來，在S120中，產生包括主圖案100和位置在S118中被決定的輔助圖案的遮罩圖案。圖4C顯示由把SRAF 132設置圖2所示的主圖案100中所獲得的遮罩圖案130。SRAF 132被設置為具有在一個邊上的寬度是22nm的矩形。
為了檢查所設置的SRAF 132的效果，在主圖案100中設置SRAF 132的情況和不設置SRAF 132的情況下檢查主圖案100的影像的聚焦深度。在檢查聚焦深度之前，在設置SRAF 132和不設置SRAF 132的這兩種情況下執行光學接近性校正(OPC)。具體地說，調整主圖形102的各個邊的位置和長度以使得在不存在散焦的狀態下各個主圖形102的影像的寬度變為66nm。然後，其中聚焦深 度被檢查的位置是相應的九個主圖形102在x方向和y方向上的寬度，並且檢查相對於目標寬度(66nm)的誤差在10%以內的散焦範圍，以便檢查共用聚焦深度。在不插入SRAF 132的情況下的聚焦深度是73nm，在插入SRAF 132的情況下的聚焦深度是84nm。根據該示例性實施例，可以理解，主圖案的影像的聚焦深度增加。
因此，根據該示例性實施例，可以產生這樣的遮罩的圖案：使用該遮罩的圖案可以以足夠的精度在基板上形成主圖案的影像。
根據該示例性實施例，在S106中僅設置一個代表性SRAF圖形，但代表性SRAF圖形的數量不限於一個。在該示例性實施例的情況下，由於遮罩圖案和有效光源分佈關於直線x=0、y=0、y=x以及y=-x是彼此對稱的，所以可以使用圖5所示那樣的由以對稱方式設置八個代表性SRAF圖形142所獲得的圖案140。
第二示例性實施例
第二示例性實施例與第一示例性實施例不同在於，遮罩圖案是矩形，而不是正方形。雖然省略與第一示例性實施例重疊的部分的描述，但將參照圖1的流程圖來描述第二示例性實施例。
首先，在S102中，獲得主圖案的資料。根據該示例性實施例，使用圖6A所示的主圖案200。設置具有128nm×66nm邊長的矩形形狀的七個主圖形202。根據該 示例性實施例，S104和S106與第一示例性實施例相同，從而將省略其描述。
根據該示例性實施例的S108與第一示例性實施例相似。然而，注意，在S108中，計算針對僅包括代表性主圖形112的遮罩圖案、在不存在散焦的狀態下、代表性主圖形112的影像的寬度變為與主圖形202的短邊相同的66nm的影像強度級別。根據該示例性實施例，代表性主圖形112的影像的寬度被設置為與主圖形202的短邊的長度相同，但可以與長度不同。該寬度優選地在長邊的長度與短邊的長度之間，並且優選地接近影像特徵更嚴格的那一邊的長度。然後，計算當在該影像強度級別產生50-nm散焦時影像在x方向上的寬度W0x和y方向上的寬度W0y。在計算W0x和W0y之後的過程與第一示例性實施例相同，並且將省略其描述。
S110至S114與第一示例性實施例相同，因此將省略其描述。在S114中所獲得的參考圖與第一示例性實施例相似，並且是圖4A所示的參考圖。
接下來，在S116中，由使用S114中所獲得的參考圖以及S102中所獲得的主圖案200來執行卷積積分(卷積)，並且產生主圖案200的影像的特性值圖(影像特徵靈敏度圖)。具體地說，執行圖4A的圖和圖6A的圖案的卷積積分。圖6B顯示所產生的影像特徵靈敏度圖。
接下來，在S118中，基於影像特徵靈敏度圖來決定SRAF(輔助圖案)的位置。當在圖6B所示的影像特徵靈 敏度圖的值為正的部分處設置SRAF時，聚焦深度基於影像特性值P1的定義而改進。鑒於以上情況，根據該示例性實施例，在影像特徵靈敏度圖的值為正並且是相對較大的局部最大值的位置處設置SRAF 232。
接下來，在S120中，產生包括主圖案200和位置在S118中被決定的SRAF 232的遮罩圖案。圖6C顯示由在圖6A所示的主圖案200中設置SRAF 232所獲得的遮罩圖案230。SRAF 232被設置為具有40nm邊長的正方形。
為了檢查所設置的SRAF 232的效果，在主圖案200中設置SRAF 232的情況和不設置SRAF 232的情況下檢查主圖案200的影像的聚焦深度。在檢查聚焦深度之前，針對設置SRAF 232的情況和不設置SRAF 232的情況執行OPC。具體地說，調整主圖形202的各個邊的位置和長度，以使得在不存在散焦的狀態下在各個主圖形202的影像的長邊方向上的寬度變為128nm，而短邊方向上的寬度變為66nm。然後，其中聚焦深度被檢查的位置是相應的七個矩形主圖形202在x方向和y方向上的寬度，並且檢查相對於目標寬度(128nm×66nm)的誤差在10%以內的散焦範圍，以便檢查共用聚焦深度。在不插入SRAF 232的情況下的聚焦深度是74nm，在插入SRAF 232的情況下的聚焦深度是82nm。根據該示例性實施例，可以理解，主圖案的影像的聚焦深度增加。
以此方式，該配置即使在主圖形不是正方形的情況下也是有效的。類似地，該配置在主圖案包括多個具有不同 形狀的主圖形的情況下也是有效的。
因此，根據該示例性實施例，可以產生這樣的遮罩的圖案：使用該遮罩的圖案可以以足夠的精度在基板上形成主圖案的影像。
第三示例性實施例
上述示例性實施例旨在增加聚焦深度，但本示例性實施例旨在加寬處理窗。雖然省略上述示例性實施例的重疊部分的描述，但將參照圖1的流程圖來描述第三示例性實施例。
S102至S106與第二示例性實施例相同，因此將省略其描述。
在S108中，由光微影模擬來執行用於影像強度分佈的計算，並且獲得想要的影像特徵的值。對於模擬條件，曝光的光被設置為來自ArF準分子雷射器的光(在193nm的波長)，投影光學系統的NA被設置為1.35，並且有效光源形狀被設置為四極照射形狀。
為了加寬根據該示例性實施例的處理窗，計算將在以下描述的影像特徵的值。首先，計算針對僅包括代表性主圖形112的遮罩圖案、在不存在散焦的狀態下、代表性主圖形112的影像的寬度變為與主圖形202的短邊相同的66nm的影像強度(曝光量)級別。然後，計算當在比所計算的影像強度級別高1.05倍的影像強度級別產生50-nm散焦時的影像在x方向上的寬度W0x2和y方向上的寬度 W0y2。接下來，計算針對包括代表性主圖形112和代表性SRAF圖形122的遮罩圖案、不存在散焦的狀態下、代表性主圖形112的影像的寬度變為與僅包括代表性主圖形112的遮罩圖案相同的66nm的影像強度級別。然後，在1.05倍影像強度級別，計算當產生50-nm散焦時的影像在x方向上的寬度Wkx2和在y方向上的寬度Wky2。根據也與第一示例性實施例相似的本示例性實施例，調整遮罩圖形的振幅透射率。然後，由將如此計算出的影像的寬度分配給運算式P2=(Wkx2-W0x2)+(Wky2-W0y2)來計算影像特性值P2。
由於根據該示例性實施例所使用的主圖形202的影像的寬度在散焦的情況下減少，並且此外，當影像強度級別乘以1.05時寬度進一步減少，因此當影像特性值P2為正值時，處理窗改進，而當影像特性值P2為負值時，處理窗惡化。實現了這樣的特徵：根據本示例性實施例所使用的影像特性值P2具有小的計算量，並且此外，可以由影像特性值P2的正負號來得出影像特徵是改進還是惡化，以使得當SRAF的位置決定時便於估計影像特性值P2。處理窗自身的範圍的大小也可以用於影像特性值。
S110至S112與第一示例性實施例相同，因此將省略其描述。
在S114中，由使用在S108至S112中的重複計算所獲得的影像特性值P2來產生影像特性值P2的參考圖。產生以下矩陣作為參考圖：在該矩陣中，影像特性值輸入到 與設置代表性SRAF圖形122的每個位置相對應的元素。根據本示例性實施例，圖7A顯示具有197行和197列的矩陣。
接下來，在S116中，由使用所獲得的參考圖和在S102中所獲得的主圖案200來執行卷積積分(卷積)，並且產生主圖案200的影像的特性值P2的圖(影像特徵靈敏度圖)。具體地說，執行圖7A的圖和圖6A的圖案的卷積積分。圖7B顯示所產生的影像特徵靈敏度圖。
接下來，在S118中，基於影像特徵靈敏度圖來決定SRAF(輔助圖案)的位置。當在圖7B所示的影像特徵靈敏度圖的值為正的位置處設置SRAF時，處理窗基於影像特性值P2的定義而改進。鑒於以上情況，根據本示例性實施例，在影像特徵靈敏度圖的值為正並且是相對較大的局部最大值的位置處設置SRAF 332。
接下來，在S120中，產生包括主圖案200和位置在S118中被決定的SRAF 332的遮罩圖案。圖7C顯示由在圖7A所示的主圖案200中設置SRAF 332所獲得的遮罩圖案330。SRAF 332被設置為具有44nm邊長的正方形。
為了檢查所設置的SRAF 332的效果，在主圖案200中設置SRAF 332的情況和不設置SRAF 332的情況下檢查主圖案200的影像的處理窗。在檢查處理窗之前，針對設置SRAF 332的情況和不設置SRAF 332的情況執行OPC。具體地說，調整主圖形202的各個邊的位置和長度，以使得在不存在散焦的狀態下，在各個主圖形202的 影像的長邊方向上的寬度變為128nm，而短邊方向上的寬度變為66nm。然後，其中處理窗被檢查的位置是相應的七個矩形主圖形202在x方向和y方向上的寬度，並且目標寬度被設置為128nm×66nm。在散焦量改變的同時，由光微影模擬來計算影像強度分佈，針對每個散焦量獲得當用於主圖形202的影像寬度的誤差許可值被設置為10%時的曝光邊際的大小。然後，曝光邊際的大小大於或等於5%的共用聚焦範圍被設置為處理窗。
在不插入SRAF 332的情況下，處理窗是67nm，在插入SRAF 332的情況下，處理窗是92nm。根據該示例性實施例，可以理解，主圖案的影像的處理窗增大。
因此，根據該示例性實施例，可以產生這樣的遮罩的圖案：使用該遮罩的圖案可以以足夠的精度在基板上形成主圖案的影像。
第二示例性實施方式
根據該示例性實施方式，根據第一示例性實施例的流程圖中的S116是不同的。根據該示例性實施方式，在S116中，準備縮小主圖案中所包括的各個圖形的程序、以及由使用所產生的影像特徵的參考圖和縮小的主圖案來執行卷積積分(卷積)和產生主圖案的影像特徵靈敏度圖的程序。
下文中，將基於附圖詳細描述本發明的示例性實施例。
第四示例性實施例
將由使用圖2的流程圖來描述本發明的第四示例性實施例。
在102中，獲得圖2所示的主圖案100的資料。接下來，在S104中，在電腦的計算的遮罩平面上設置代表性主圖形412(代表性主圖案)。根據該示例性實施例，圖8A顯示單個代表性主圖形412。代表性主圖形412等同於單個主圖形102，並且具有66nm邊長的正方形形狀。代表性主圖形412的大小優選地接近實際主圖形102。在主圖形102的形狀和大小存在變化的情況下，代表性主圖形412的形狀和大小優選地是實際主圖形102的平均形狀和大小。在此提到的平均可以是在所有圖形當中的平均值或最大值和最小值的平均值。
接下來，在S106中，在電腦的計算的遮罩平面上在代表性主圖形412的周圍的任意位置處設置代表性SRAF圖形(代表性輔助圖案)422。圖8B顯示包括所設置的單個代表性主圖形412和單個代表性SRAF圖形422的圖案420。圖8B顯示圖8A的軸的擴展範圍。根據該示例性實施例，代表性SRAF圖形422的大小被設置為具有4.4nm邊長的正方形，但不限於此。該大小優選地等於或小於待實際在遮罩上設置的SRAF的大小。
接下來，在S108中，執行光微影模擬，以計算影像面上的影像強度分佈，並且獲得想要的影像特徵的值。模 擬條件與根據第一示例性實施例的相似。為了增加聚焦深度，在與第一示例性實施例相似的方法中所獲得的值P1被設置為根據該示例性實施例的影像特徵的值。首先，計算針對僅包括代表性主圖形412的遮罩圖案410、在不存在散焦的狀態下、代表性主圖形412的影像的寬度變為與主圖形102的大小相同的66nm的影像強度級別。然後，計算當在該影像強度級別產生50-nm散焦時影像在x方向上的寬度W0x和在y方向上的寬度W0y。接下來，計算在遮罩平面上對於包括代表性主圖形412和代表性SRAF圖形422的遮罩圖案420不存在散焦的狀態下代表性主圖形412的影像的寬度變為與主圖形102相同的66nm的影像強度級別。然後，在該影像強度級別，計算當50-nm散焦產生時的影像在x方向上的寬度Wkx和在y方向上的寬度Wky。
在該示例性實施例的情況下，由於代表性SRAF圖形422的大小相對於代表性主圖形412極小，所以如果設置保持如常，則代表性主圖形412的影像的寬度取決於代表性SRAF圖形422的存在或缺少的改變變得很小，並且計算精度可能降低。可以由調整代表性SRAF圖形或代表性主圖形的振幅透射率來解決該問題。在該示例性實施例的情況下，代表性SRAF圖形422的振幅透射率被設置為高至代表性主圖形412的25倍。當然，也可以增加代表性SRAF圖形422的大小。
接下來的S110至S112與第一示例性實施例相同，並 因此將省略其描述。
在S114中，產生影像的特性值P1的參考圖。圖9A顯示根據該示例性實施例的參考圖。
接下來，在S116中，縮小主圖案100中所包括的各個主圖形102。圖9B顯示處於縮小狀態下的主圖案450。主圖形452是由縮小各個主圖形102所獲得的圖形。在該示例性實施例的情況下，由於縮小的主圖形452的大小是具有4.4nm的高度和寬度的正方形，並且光微影模擬的物體面和影像面的解析度是4.4nm，因此在模擬方面，縮小的主圖形452與單個點同義。接下來，由使用所產生的影像特徵的參考圖和縮小的主圖案450來執行卷積積分(卷積)，產生主圖案450的影像特徵靈敏度圖。具體地說，執行圖9A的圖和圖9B的圖案的卷積積分。圖9C顯示所產生的影像特徵靈敏度圖。
接下來，在S118中，基於影像特徵靈敏度圖來決定SRAF(輔助圖案)的位置。當在圖9C所示的影像特徵靈敏度圖的值為正的位置處設置SRAF時，聚焦深度基於影像特性值P1的定義而改進。鑒於以上情況，根據該示例性實施例，在影像特徵靈敏度圖的值為正並且是相對較大的局部最大值的位置處設置SRAF 432。
接下來，在S120中，產生包括主圖案100和位置在S118中決定的輔助圖案的遮罩圖案。圖9D顯示由在主圖案100上設置SRAF 432所獲得的遮罩圖案430。SRAF 432被設置為具有31nm邊長的正方形。
為了檢查所設置的SRAF 432的效果，在主圖案100中設置SRAF 432的情況和不設置SRAF 432的情況下檢查主圖案100的影像的聚焦深度。在檢查聚焦深度之前，針對設置SRAF 432的情況和不設置SRAF 432的情況執行OPC。具體地說，調整主圖形102的各個邊的位置和長度，以使得在不存在散焦的狀態下各個主圖形102的影像的寬度變為66nm。然後，其中聚焦深度被檢查的位置是相應的九個主圖形102在x方向和y方向上的寬度，並且檢查相對於目標寬度(66nm)的誤差在10%以內的散焦範圍，以便檢查共用聚焦深度。在不插入SRAF 432的情況下，聚焦深度是73nm，在插入SRAF 432的情況下，聚焦深度是83nm。根據該示例性實施例，可以理解，主圖案的影像的聚焦深度增加。
因此，根據該示例性實施例，可以產生這樣的遮罩的圖案：使用該遮罩的圖案可以以足夠的精度在基板上形成主圖案的影像。
根據該示例性實施例，在S106中僅設置一個代表性SRAF圖形，但代表性SRAF圖形的數量不限於一個。在該示例性實施例的情況下，由於遮罩圖案和有效光源分佈關於直線x=0、y=0、y=x以及y=-x是彼此對稱的，所以可以使用圖10所示那樣的由以對稱方式設置八個代表性SRAF圖形442獲得的圖案440。
第五示例性實施例
根據第五示例性實施例，目的是減少遮罩誤差增強因素(MEEF)。將省略與第四示例性實施例重疊的部分的描述。
根據該示例性實施例也使用圖2所示的主圖案100。在S104中，在電腦計算的遮罩平面上設置代表性主圖形512。根據該示例性實施例，設置圖11A所示的單個代表性主圖形512。代表性主圖形512被設置為具有66nm的邊長的正方形圖形。
接下來，在S106中，在電腦計算的遮罩平面上，在代表性主圖形512的周圍的任意位置處設置代表性SRAF圖形(代表性輔助圖案)522。圖11B顯示所設置的單個代表性主圖形512和單個代表性SRAF圖形522。圖11B顯示圖11A的軸的擴大範圍。代表性SRAF圖形522的大小優選地接近遮罩上實際所形成的SRAF圖形。根據該示例性實施例，代表性SRAF圖形522的大小被設置為具有31nm邊長的正方形。
接下來，在S108中，執行光微影模擬，以計算影像面上的影像強度分佈，並且獲得想要的影像特徵的值。對於模擬條件，曝光的光被設置為來自ArF準分子雷射器的光(在193nm的波長)，投影光學系統的NA被設置為1.35，並且有效光源形狀被設置為具有在0.3處的σ的小σ照射形狀。
由於該示例性實施例旨在減少MEEF，因此計算以下將描述的影像特徵的值。首先，計算對於僅包括代表性主 圖形512的遮罩圖案510而言代表性主圖形512的影像的寬度變為與主圖形102的大小相同的66nm的影像強度級別。接下來，代表性主圖形512的四個邊分別朝向外側邊移動1nm，以擴大代表性主圖形512，並且計算在上述影像強度級別的代表性主圖形512的影像在x方向上的寬度W0x3和y方向上的寬度W0y3。接下來，計算對於在遮罩平面上包括代表性主圖形512和代表性SRAF圖形522的遮罩圖案520而言代表性主圖形512的影像的寬度變為與代表性主圖形512相同的66nm的影像強度級別。接下來，代表性主圖形512和代表性SRAF圖形522的各個邊朝向外側移動1nm，以擴大圖形，並且計算如此計算出的影像強度級別的影像在x方向上的寬度Wkx3和y方向上的寬度Wky3。然後，如此計算出的影像的寬度被分配給運算式P3=(Wkx3-W0x3)+(Wky3-W0y3)，以便計算影像特性值P3。
當圖案的圖形擴大時，影像的寬度也增加。因此，當P3是負值時，MEEF改進，而當P3是正值時，MEEF惡化。可以由根據該示例性實施例所使用的影像特性值P3的正負號來得到影像特徵是改進還是惡化，並且存在這樣的特徵：當SRAF的位置決定時便於估計影像特性值P3。MEEF值自身也可以用於影像特徵的值。
接下來的S110至S112與第四示例性實施例相同，因此將省略其描述。
在S114中，由使用上述重複計算獲得的影像特性值 P3來產生影像特性值P3的參考圖。這是以下矩陣：代表性主圖形512的影像特徵的值在與依次設置代表性SRAF圖形522的位置對應的同時被輸入在該矩陣中。根據該示例性實施例，圖12A顯示具有197行和197列的矩陣。
接下來，在S116中，縮小主圖案100中所包括的各個主圖形102。該程序與第四示例性實施例相似。接下來，由使用所產生的影像特性值P3的參考圖和所縮小的主圖案450來執行卷積積分(卷積)，並且產生主圖案450的影像特徵靈敏度圖。具體地說，執行圖12A的圖和圖9B的圖案的卷積積分。圖12B顯示所產生的影像特徵靈敏度圖。
接下來，在S118中，基於影像特徵靈敏度圖來決定SRAF(輔助圖案)的位置。當在圖12B所示的影像特徵靈敏度圖的值為負的部分處設置SRAF時，MEEF基於影像特性值P3的定義而改進。鑒於上述情況，根據該示例性實施例，在影像特徵靈敏度圖的值為負和相對較大的局部最大值的位置處設置SRAF圖形532和533。
接下來，在S120中，產生包括主圖案100和位置在S118中決定的輔助圖案的遮罩圖案。圖12C顯示由在主圖案100中設置SRAF圖形532和533所獲得的遮罩圖案530。SRAF圖形532被設置為具有31nm邊長的正方形，而SRAF圖形533被設置為短邊長度為19nm並且長邊長度為50nm的矩形。
為了檢查所設置的SRAF 532和533的效果，在主圖 案100中設置SRAF 532和533的情況和不設置SRAF 532和533的情況下檢查主圖案100的MEEF。在檢查MEEF之前，針對設置SRAF的情況和不設置SRAF的情況執行OPC。具體地說，在不存在散焦的狀態下，調整主圖形102的各個邊的位置和長度，以使得各個主圖形102的影像的寬度變為66nm。其中MEEF被檢查的位置是相應的九個主圖形102在x方向上的寬度和y方向上的寬度。在不插入SRAF的情況下，最大MEEF是2.7，而在插入SRAF的情況下，最大MEEF是2.6。根據該示例性實施例，可以理解，主圖案的MEEF減少。
因此，根據該示例性實施例，可以產生這樣的遮罩的圖案：使用該遮罩的圖案可以以足夠的精度在基板上形成主圖案的影像。
影像特徵不限於根據上述示例性實施例的影像特徵，而是可以是表示當遮罩上的圖案受照射用於經由投影光學系統在基板上投影圖案的影像以用光對基板進行曝光時在基板上形成的圖案的影像的特徵的指標。該配置可以應用於各種影像特徵(如影像對比度、影像強度對數斜率(ILS)、影像歸一化ILS(NILS)、用於曝光的自由度、以及PV帶)作為影像特徵。此外，也可以使用它們的組合。在此，PV帶是製程變化帶，並且表示當聚焦控制精度、曝光量控制精度和遮罩繪製準確度具有有限值時的影像的邊緣的變化範圍。
此外，根據上述示例性實施例，影像面上的影像的特 徵，具體地說，在基板上塗敷的抗蝕劑上形成的潛像的特性值由光微影模擬來計算。然而，特徵不限於此，可以使用表示基板上所形成的圖案的影像的精度的任何影像特徵。例如，可以獲得由對基板上所塗敷的抗蝕劑上形成的潛像進行顯影而獲得的抗蝕劑影像的特徵，或獲得在預定製程處理(如蝕刻)之後形成的在基板上形成的處理影像的特徵，並且可以使用所獲得的特徵。
第三示例性實施方式
根據上述示例性實施例所產生的遮罩圖案的資料被輸入到遮罩製造裝置(圖案繪製裝置)，並且該裝置由基於所輸入的資料在遮罩胚體(mask blank)上繪製圖案來製造遮罩。然後，在曝光裝置中設置先前所設置的曝光條件。所製造的遮罩受照射，並且遮罩圖案的影像被投影在基板上的光敏劑(抗蝕劑)上，以用光對光敏劑進行曝光。
接下來，將描述使用上述曝光裝置來製造裝置(如半導體IC元件或液晶顯示器元件)的方法。由對使用所製造的遮罩和曝光裝置對塗敷光敏劑的基板(如晶圓或玻璃基板)用光進行曝光、對基板(光敏劑)進行顯影並且執行其它相關技術處理來製造裝置。其它相關技術處理包括蝕刻、抗蝕劑移除、切割、接合、封裝等。根據該裝置製造方法，與相關技術相比，可以製造更高品質的裝置。
其它實施例
本發明的實施例也可以如下實現：由讀出並且執行存儲媒介(例如非暫存電腦可讀存儲媒介)上所記錄的電腦可執行指令以執行本發明的上述實施例中的一個或多個的功能的系統或裝置的電腦實現，以及由例如由讀取並且執行來自存儲媒介的電腦可執行指令以執行上述實施例中的一個或多個的功能的系統或裝置的電腦執行的方法來實現。電腦可以包括中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)或其它電路中的一個或多個，並且可以包括單獨電腦或單獨電腦處理器的網路。電腦可執行指令可以例如從網路或存儲媒介提供給電腦。存儲媒介可以包括例如硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式運算系統的儲存器、光碟(如光碟(CD)、數位多功能光碟(DVD)或藍光碟(BD)TM)、快閃記憶體裝置、記憶卡等中的一個或多個。
雖然已經參照示例性實施例描述了本發明，但應理解，本發明不限於公開的示例性實施例。以下申請專利範圍的範圍將要被賦予最寬泛的解釋，以便包括所有此類的修改以及等效結構和功能。

Claims (11)

  1. 一種用於曝光裝置的遮罩的圖案的產生方法，該曝光裝置通過由處理器的計算使用在基板上投影遮罩的圖案的影像的投影光學系統以光對基板進行曝光，該產生方法包括：在代表性輔助圖案的位置相對於代表性主圖案改變的同時，對目標主圖案應用對於多個位置中的每一個所計算出的代表性主圖案的影像的特性值相對於代表性輔助圖案的位置的參考圖，並且計算目標主圖案的影像的特性值相對於輔助圖案的位置的圖；以及由使用目標主圖案的影像的特性值的該圖的資料來決定輔助圖案的位置，並且產生包括目標主圖案和所決定的輔助圖案的遮罩的圖案。
  2. 如請求項第1項的產生方法，還包括：當投影光學系統的物體面上僅存在代表性主圖案和代表性輔助圖案當中的代表性主圖案時，計算投影於影像面上的代表性主圖案的第一影像；以及在改變代表性輔助圖案的位置的同時，當相對於多個位置中的每一個在投影光學系統的物體面上存在代表性主圖案和代表性輔助圖案時，計算投影於該影像面上的該代表性主圖案的第二影像，其中，由使用第一影像和第二影像來獲得該參考圖。
  3. 如請求項第1項的產生方法，其中，該影像的特性值表示包括聚焦深度、對比度、強度對數斜率(ILS)、 歸一化ILS(NILS)、用於曝光的自由度、處理窗、遮罩誤差增強因素(MEEF)和製程變化(PV)帶的值中的至少一個。
  4. 如請求項第1項的產生方法，其中，執行其中代表性主圖案被作為一個點進行計算的參考圖和具有比該點大的尺寸的目標主圖案的卷積積分，以獲得目標主圖案的影像的特性值的圖。
  5. 如請求項第1項的產生方法，其中，執行其中代表性主圖案被計算為具有比一個點大的尺寸的參考圖和被設置為該點的目標主圖案的卷積積分，以獲得目標主圖案的影像的特性值的圖。
  6. 如請求項第1項的產生方法，其中，代表性輔助圖案的振幅透射率處於代表性主圖案的振幅透射率與遮罩的背景的振幅透射率之間。
  7. 一種遮罩製造方法，包括：由使用如請求項第1至6項中之任一項的產生方法來產生遮罩的圖案的資料；以及由使用產生的該遮罩的圖案的該資料來製造遮罩。
  8. 一種曝光方法，包括：由使用如請求項第7項的遮罩製造方法來製造遮罩；以及由使用所製造的遮罩以光來對基板進行曝光。
  9. 一種裝置製造方法，包括：由使用如請求項第8項的曝光方法以光來對基板進行 曝光；以及對已曝光的基板進行顯影。
  10. 一種記錄媒介，該記錄媒介記錄使處理器執行如請求項第1至6項中之任一項的產生方法的程式。
  11. 一種資訊處理裝置，包括：處理單元，被配置為通過計算來產生用於由使用投影光學系統以光來對基板進行曝光的曝光裝置的遮罩的圖案，該投影光學系統將遮罩的圖案的影像投影在基板上，其中，該處理單元在代表性輔助圖案的位置相對於代表性主圖案改變的同時，對目標主圖案應用對於多個位置中的每一個所計算出的代表性主圖案的影像的特性值相對於代表性輔助圖案的位置的參考圖，計算目標主圖案的影像的特性值相對於輔助圖案的位置的圖，由使用目標主圖案的影像的特性值的圖的資料來決定輔助圖案的位置，並且產生包括目標主圖案和所決定的輔助圖案的遮罩的圖案。
TW103118636A 2013-06-11 2014-05-28 遮罩圖案產生方法，記錄媒介，及資訊處理裝置 TWI564653B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013123218A JP6192372B2 (ja) 2013-06-11 2013-06-11 マスクパターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201447476A true TW201447476A (zh) 2014-12-16
TWI564653B TWI564653B (zh) 2017-01-01

Family

ID=52006619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103118636A TWI564653B (zh) 2013-06-11 2014-05-28 遮罩圖案產生方法，記錄媒介，及資訊處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9507253B2 (zh)
JP (1) JP6192372B2 (zh)
KR (1) KR101711699B1 (zh)
CN (1) CN104238261B (zh)
TW (1) TWI564653B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6238687B2 (ja) * 2013-11-12 2017-11-29 キヤノン株式会社 マスクパターン作成方法、光学像の計算方法
US9805154B2 (en) * 2015-05-15 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of lithography process with inserting scattering bars
CN110366702B (zh) * 2017-02-25 2023-07-18 Asml荷兰有限公司 图案形成装置及其制造方法和图案形成装置的设计方法
CN107942614B (zh) * 2017-12-22 2020-12-25 上海集成电路研发中心有限公司 孔层辅助图案生成方法及校正函数生成方法
US10684561B2 (en) 2018-10-29 2020-06-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography method
CN110618584B (zh) * 2019-09-20 2022-04-05 上海华力微电子有限公司 光源优化方法、光源优化装置、光刻系统及光刻方法
CN113219783B (zh) * 2020-01-21 2024-05-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近矫正方法及相关装置、掩模板
US11714951B2 (en) * 2021-05-13 2023-08-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Geometric mask rule check with favorable and unfavorable zones
CN113139216B (zh) * 2021-05-18 2023-03-21 武汉数文科技有限公司 一种数字化拓印方法、装置及计算机设备
KR20240020746A (ko) * 2022-08-08 2024-02-16 삼성디스플레이 주식회사 포토 마스크 및 이를 이용한 표시장치 제조방법
CN115470741B (zh) * 2022-11-14 2023-02-10 全芯智造技术有限公司 用于光源掩模协同优化的方法、电子设备和存储介质
CN116203791A (zh) * 2023-04-28 2023-06-02 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605478B2 (en) * 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
JP3992688B2 (ja) * 2003-01-14 2007-10-17 エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． コンタクト・ホール・マスクの光学的近接補正設計の方法
US7509621B2 (en) * 2005-01-03 2009-03-24 Synopsys, Inc. Method and apparatus for placing assist features by identifying locations of constructive and destructive interference
EP1956431A4 (en) * 2005-11-15 2009-06-24 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP5235322B2 (ja) * 2006-07-12 2013-07-10 キヤノン株式会社 原版データ作成方法及び原版データ作成プログラム
JP4804294B2 (ja) * 2006-09-20 2011-11-02 キヤノン株式会社 原版データ作成プログラム、原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法及びデバイスの製造方法
KR101096145B1 (ko) * 2007-06-04 2011-12-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 모델-기반 리소그래피 안내 레이아웃 설계를 수행하는 방법들
JP4484909B2 (ja) * 2007-07-24 2010-06-16 キヤノン株式会社 原版データ作成方法、原版作成方法、露光方法および原版データ作成プログラム
JP2009093138A (ja) * 2007-09-19 2009-04-30 Canon Inc 原版データの生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及び原版データを作成するためのプログラム
CN102224459B (zh) * 2008-11-21 2013-06-19 Asml荷兰有限公司 用于优化光刻过程的方法及设备
JP5607308B2 (ja) * 2009-01-09 2014-10-15 キヤノン株式会社 原版データ生成プログラムおよび方法
JP5607348B2 (ja) * 2009-01-19 2014-10-15 キヤノン株式会社 原版データを生成する方法およびプログラム、ならびに、原版製作方法
JP2011028098A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Toshiba Corp パターン評価方法、パターン作成方法およびパターン評価プログラム
JP2011059513A (ja) * 2009-09-11 2011-03-24 Toshiba Corp パターン作成方法、マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
NL2005804A (en) 2010-01-14 2011-07-18 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for enhancing signal strength for improved generation and placement of model-based sub-resolution assist features (mb-sraf).
KR101675380B1 (ko) * 2010-02-19 2016-11-14 삼성전자주식회사 오버레이 보정방법 및 그를 이용한 반도체 제조방법
JP5279745B2 (ja) * 2010-02-24 2013-09-04 株式会社東芝 マスクレイアウト作成方法、マスクレイアウト作成装置、リソグラフィ用マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、およびコンピュータが実行可能なプログラム
JP5603685B2 (ja) * 2010-07-08 2014-10-08 キヤノン株式会社 生成方法、作成方法、露光方法、デバイスの製造方法及びプログラム
JP5627394B2 (ja) * 2010-10-29 2014-11-19 キヤノン株式会社 マスクのデータ及び露光条件を決定するためのプログラム、決定方法、マスク製造方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP5640943B2 (ja) * 2011-10-07 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 露光装置の設定方法、基板撮像装置及び記憶媒体
JP6039910B2 (ja) * 2012-03-15 2016-12-07 キヤノン株式会社 生成方法、プログラム及び情報処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9507253B2 (en) 2016-11-29
CN104238261B (zh) 2018-02-23
KR101711699B1 (ko) 2017-03-02
TWI564653B (zh) 2017-01-01
CN104238261A (zh) 2014-12-24
JP6192372B2 (ja) 2017-09-06
US20140365985A1 (en) 2014-12-11
JP2014240899A (ja) 2014-12-25
KR20140144661A (ko) 2014-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI564653B (zh) 遮罩圖案產生方法，記錄媒介，及資訊處理裝置
US8037429B2 (en) Model-based SRAF insertion
US8285030B2 (en) Determining calibration parameters for a lithographic process
JP5300354B2 (ja) 生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム
TWI539312B (zh) 光罩圖案之產生方法，儲存媒體，電腦，光罩之製造方法，曝光方法，製造用於生成光罩之裝置與系統的方法
US20200293709A1 (en) Method of modeling a mask by taking into account of mask pattern edge interaction
TW201823852A (zh) 具有任意角之圖案的光罩建模方法
US8498469B2 (en) Full-field mask error enhancement function
KR101603859B1 (ko) 프로세스 최적화를 위한 위상 조정 기법들
KR20170048281A (ko) 패턴 생성 방법, 프로그램, 정보 처리 장치, 및 마스크 제조 방법
JP6039910B2 (ja) 生成方法、プログラム及び情報処理装置
JP5656905B2 (ja) 決定方法、プログラム及び情報処理装置
JP5980065B2 (ja) マスクデータの作成方法、プログラム、情報処理装置、マスク製造方法、露光方法及びデバイス製造方法
US20120064732A1 (en) Method for Determining Position of Auxiliary Pattern, Method for Manufacturing Photomask, and Method for Manufacturing Semiconductor Device