TW201443571A - 稀釋劑組成物及其用途 - Google Patents

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Abstract

本發明有關一種稀釋劑組成物及其用途。本發明的稀釋劑組成物對各種光阻劑都具有優異的溶解力，且具有最適當的揮發性，因此能夠在短時間內於邊緣球狀物移除製程或類似程序中有效地去除不必要附著的光阻劑，並且可應用於半導體基板的預潤濕製程，以至於能夠有效形成帶有少量光阻劑的感光膜。

Description

稀釋劑組成物及其用途
本發明有關一種稀釋劑組成物及其用途，更具體而言，有關一種在半導體製造過程中能夠用於光罩蝕刻製程之各步驟的稀釋劑組成物，以及使用該組成物形成感光膜的方法。
光罩蝕刻(photo lithography)是一種使用光罩將預先設計好的圖案複製到半導體基板上的感光膜，然後依據前述複製的圖案蝕刻前述基板或是下層膜的過程。
在光罩蝕刻製程(photolithography process)中，光阻劑被塗布於半導體基板上以形成感光膜。並且，使用曝光設備將感光膜暴露於光線下，以投影出光罩的圖案，之後，進行顯影程序製造出所需形狀的感光膜圖案。接著，使用感光膜圖案蝕刻基板，其後，藉由剝離等等方法將不再需要的感光膜圖案從基板上移除。在此過程中，依據欲形成之圖案的線徑使用諸如G-線(G-line)、I-線(I-line)、氟化氪(KrF)、氟化氬(ArF)、紫外光(ultraviolet rays)、電子束(e-beam)、X光(X-ray)等等各種光源。依據光源的種類、感光膜的性能等等，用於形成感光膜的光阻劑包括各種主要成分的樹脂、光敏劑等等。
同時，在光罩蝕刻製程中，稀釋劑(thinner)組成物指的 是對光阻劑具有溶解力，因而用於移除光阻劑或是作為稀釋劑的物質。用於光阻劑之稀釋劑組成物的溶解力取決於稀釋劑組成物的化學成分以及光阻劑的化學結構。然而，由於前述化學結構會隨光阻劑的種類而大幅改變，因此市售稀釋劑組成物普遍都存有針對各種光阻劑無法具有固定溶解力的問題。具體來說，倘若稀釋劑組成物對於光阻劑的溶解力不足，在用於移除不必要附著於基板之光阻劑的邊緣球狀物移除製程(Edge bead removing,EBR)中，或是在降低光阻劑消耗(Reducing resist consumption,RRC)塗布等等所使用之稀釋劑組成物的預潤濕(pre-wetting)製程中，可能會產生瑕疵，因而可能會導致良率降低。
因此，需要發展出一種針對各種光阻劑具有進一步改良之溶解力的稀釋劑組成物。
本發明之一目的在於提供一種稀釋劑組成物，其對於各種光阻劑具有進一步改良的溶解力，且可應用於各種形成感光膜的製程中。
本發明之另一目的在於提供一種使用前述稀釋劑組成物形成感光膜的方法。
依據本發明一實施例，係提供一種包括有1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯(1-methoxy-2-propanol acetate)以及乙二醇丙基醚(ethylene glycol propyl ether)的稀釋劑組成物。
前述稀釋劑組成物可包括有20至80wt%的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯，以及20至80wt%的乙二醇丙基醚。
並且，前述稀釋劑組成物可包括有40至80wt%的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯，以及20至60wt%的乙二醇丙基醚。
並且，乙二醇丙基醚可包括乙二醇單丙醚(ethylene glycol monopropyl ether)、乙二醇異丙醚(ethylene glycol isopropyl ether)及其混合物。
前述稀釋劑組成物可進一步包括有一界面活性劑，並且，以100重量份的稀釋劑組成物為基準，前述界面活性劑的含量可為0.001至0.1重量份。
同時，依據本發明另一實施例，係提供一種感光膜的形成方法，包括有下列步驟：將光阻劑塗布於一半導體基板上；以及將前述稀釋劑組成物施用於前述基板上，以從基板上移除至少一部分的光阻劑。
依據本發明又一實施例，係提供一種感光膜的形成方法，包括有下列步驟：將前述稀釋劑組成物塗布於一半導體基板上以預潤濕(pre-wetting)前述基板；以及將光阻劑塗布於前述預潤濕的基板上。
依據本發明所為的稀釋劑組成物對於各種光阻劑具有優異的溶解力且具有最適當的揮發性，因此能夠在短時間內於邊緣球狀物移除製程等等製程中有效地去除不必要附著的光阻劑，並且可應用於半導體基板的預潤濕製程等等製程，以至於能夠有效形成帶有少量光阻劑的感光膜。
以下將說明依據本發明之實施例的稀釋劑組成物及其用途。
除非另有明確說明，術語名詞只是用於特定實施例，而非用於限制本發明。
並且，此處使用的單數形式包括複數形式，除非有表示出明確相反的意思。
並且，此處使用的名詞「包括」係體現特定的特性、區域、整體、步驟、操作、要素或成分，且其並未排除外加其他特定的特性、區域、整體、步驟、操作、要素或成分。
並且，此處使用的「乙二醇丙基醚」是指乙二醇單丙醚、乙二醇異丙醚或前述之混合物。
同時，發明人在進行改良光罩蝕刻製程之效率的重複研究過程中已經證實，若將一包括有1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯以及乙二醇丙基醚的組成物用作稀釋劑組成物，其具有最適當的揮發性，而且對各種光阻劑還展現出優異的溶解力，因此能夠以更為提高的效率進行邊緣球狀物移除製程、半導體基板的預潤濕製程等等。
依據本發明一實施例，係提供一種稀釋劑組成物，包括有：1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯；以及乙二醇丙基醚。
具體而言，本發明一實施例的稀釋劑組成物不但對於應用於使用諸如氟化氪(KrF)、氟化氬(ArF)等等光源之製程的高極性光阻劑具有優異的溶解力，而且對於應用於使用諸如G-線(G-line)、I-線(I-line)等等光源之製程的光阻劑也具有優異的溶解力，並且，對於用於旋塗式硬光罩(spin on hardmask)製程且在一般有機溶劑中沒有良好溶解性的光阻劑也能夠展現出優異的溶解力。
因此，在使用光阻劑形成感光膜的製程中，前述稀釋劑組成物可被施用於移除塗布於或是附著於基板邊緣或是背面之光阻劑的邊緣球狀物移除製程，或是可被施用於從基板正面移除不良感光膜的再加工製程。此外，前述稀釋劑組成物可被施用於顯影以及蝕刻後移除感光膜圖案的剝離製程，以及可被施用於降低光阻劑消耗(Reducing resist consumption,RRC)塗布用之稀釋劑組成物的預潤濕(pre-wetting)製程，以形成厚度更均勻的感光膜。
一般而言，利用旋轉塗布法形成感光膜的程序中，可能會由於離心力使光阻劑凝聚成球形，而於基板邊緣或是背面形成邊緣球狀物，前述邊緣球狀物會成為引發半導體裝置缺陷或是生產設備故障的污染物，且可能成為曝光製程中失焦(defocus)的原因。然而，若是將本發明一實施例的稀釋劑組成物施用於邊緣球狀物移除製程，則 可在不損壞形成於基板正面之感光膜的情形下輕易地移除附著於基板邊緣或是背面的球狀物，因此在基板的邊緣部分可獲得更清晰以及更均勻的感光膜邊界線。
由於已經用於現存稀釋劑組成物的乳酸乙酯(ethyl lactate)具有高黏度以及相對低的溶解速率，因此其難以充分地改良稀釋劑組成物的清洗性能。此外，乙二醇單乙醚(ethylene glycol monoethyl ether)對於光阻劑具有優異的溶解性，但具有高揮發性以及易燃性，因此當預潤濕光阻劑時，可能會有塗層劣化的問題產生。並且，若是使用由丙酮酸烷酯(alkyl pyruvate)以及丁酮(methyl ethyl ketone)所組成的混合溶劑作為稀釋劑組成物，對於感光膜之重要成分之一，1,2-萘醌二疊氮(1,2-naphtaquinondiazide)光敏劑的溶解度可能會降低。並且，若是使用諸如丙酮酸甲酯(methyl pyruvate)、丙酮酸乙酯(ethyl pyruvate)等等溶劑作為稀釋劑組成物，則在長時間使用後，可能會腐蝕連接於一感光膜旋轉塗布設備的感光廢液儲存桶中的金屬構件。並且，若是使用具有高揮發性之溶劑，諸如丙二醇烷基醚丙酸酯(propylene glycol alkyl ether propionate)以及乙酸丁酯(butyl acetate)等等溶劑的混合溶劑作為稀釋劑組成物來清洗基板背面，基板會被冷卻而增加感光膜的厚度偏差。並且，若是使用具有低揮發性之溶劑，諸如乳酸乙酯(ethyl lactate)以及丁酮(methyl ethyl ketone)的混合溶劑作為稀釋劑組成物，可能會降低基板邊緣的清洗性能。
相反地，包含在本發明一實施例之稀釋劑組成物中的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯(1-methoxy-2-propanol acetate)對於各種光阻劑具 有優異的溶解力，且同時具有最適當的揮發性、黏度以及表面張力。
依據一範例，稀釋劑組成物中可包含有20至80wt%的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯。依據另一範例，1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯的含量可為40至80wt%。依據再一範例，1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯的含量可為40至70wt%。
換句話說，稀釋劑組成物中之1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯的含量最好為20wt%或更多，以對具有高極性的光阻劑以及用於旋塗式硬光罩製程的光阻劑展現出優異的溶解力。然而，倘若1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯的含量過多，則稀釋劑組成物的揮發性會提高而產生感光膜的厚度偏差或是在預潤濕後產生邊緣龜裂。因此，為了避免這些現象，前述稀釋劑組成物中之1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯的含量最好為80wt%或更低。
同時，相較於其他溶劑，包含在本發明一實施例之稀釋劑組成物中的乙二醇丙基醚(ethylene glycol propyl ether)對於光阻劑的光敏成分可展現出優異的溶解力，具體而言，乙二醇丙基醚對於普遍包含在用於旋塗式硬光罩製程之光阻劑中的C-硬光罩(C-Hardmask)結構的極難溶解聚合物，可展現出極佳的溶解力。其中，乙二醇丙基醚包括乙二醇單丙醚、乙二醇異丙醚及其混合物，並且，前述化合物中的每一個或是前述化合物的混合物可展現出實質上相等的效果。在混合物的例子中，乙二醇單丙醚與乙二醇異丙醚的混合比例並沒有特定限制。
並且，依據一範例，稀釋劑組成物中可包含有20至80 wt%的乙二醇丙基醚。依據另一範例，乙二醇丙基醚的含量可為20至60wt%。依據再一範例，乙二醇丙基醚的含量可為30至60wt%。
換句話說，為了獲得對光阻劑之光敏成分以及芘結構之聚合物的溶解力改良效果，稀釋劑組成物中之乙二醇丙基醚的含量最好為20wt%或更多。然而，倘若乙二醇丙基醚的含量過多，則稀釋劑組成物的黏度會增加而產生感光膜的厚度偏差或是在預潤濕後產生邊緣龜裂。因此，為了避免這些現象，前述稀釋劑組成物中之乙二醇丙基醚的含量最好為80wt%或更低。
若稀釋劑組成物的揮發性過高，當稀釋劑組成物塗布時，基板會迅速地冷卻且感光膜的厚度偏差會顯著地提高。並且，若稀釋劑組成物的揮發性過低，當預潤濕時，在基板上會留下過量的稀釋劑組成物，以致感光膜可能會溶解或是引發諸如感光膜變形的缺陷，而且在移除邊緣球狀物之後，稀釋劑組成物可能會殘留在基板上，而在後續製程中成為污染物。
此外，依據該實施例之稀釋劑組成物可進一步包含一界面活性劑。考慮到感光膜形成方法的特性，前述界面活性劑最好可為非離子型界面活性劑。關於前述非離子型界面活性劑，可使用本技術領域中常使用的非離子型界面活性劑，且其結構並無特定限制。
以100重量份的稀釋劑組成物為基準，前述界面活性劑的含量可為0.001至0.1重量份。換句話說，為了在邊緣球狀物移除製程中獲得更優異的輪廓，以100重量份的稀釋劑組成物為基準，前述界面活性劑的含量為0.001重量份或更多是較為有利的。然而，倘若界面活 性劑的含量過多，稀釋劑組成物中可能會嚴重地產生泡沫，因而當稀釋劑組成物使用時，可能會引起液體量感應器的故障。因此，為了避免此問題，以100重量份的稀釋劑組成物為基準，前述界面活性劑的含量最好為0.1重量份或更少。
如前所述，本發明之稀釋劑組成物具有最適當的揮發性，且同時對於各種光阻劑(特別是用於氟化氪(KrF)、氟化氬(ArF)製程之具有高極性的光阻劑，以及用於旋塗式硬光罩製程之在有機溶劑中具有不良溶解性的光阻劑)可展現出更為改善的溶解力。因此，前述稀釋劑組成物可應用於邊緣球狀物移除製程(Edge bead removing,EBR)、用以降低光阻劑消耗(Reducing resist consumption,RRC)塗布之稀釋劑組成物的預潤濕(pre-wetting)製程中，以改善製程效率。
同時，依據本發明另一實施例，係提供一種感光膜的形成方法，包括有將前述稀釋劑組成物塗布於一半導體基板上以預潤濕(pre-wetting)前述基板；以及將光阻劑塗布於前述預潤濕的基板上。
並且，依據本發明又一實施例，係提供一種感光膜的形成方法，包括有將光阻劑塗布於一半導體基板上；以及將前述稀釋劑組成物施用於前述基板上，以從基板上移除至少一部分的光阻劑。
在感光膜的形成方法中，該半導體基板可為一用於製造諸如記憶體裝置、積體電路裝置、液晶顯示裝置等等電子裝置的基板。各種構成前述電子裝置的結構，舉例來說，絕緣膜、導電膜、佈線(wirings)、穿孔、閘極(gate)等等可形成於前述基板上，並且，由於這些結構，前述基板頂面可能存有不同的高度。
前述預潤濕製程是一種將如上所述之稀釋劑組成物塗布於一待形成一感光膜之半導體基板上的製程，藉以在塗布光阻劑之前改善基板的濕潤性。具體而言，由於本發明之稀釋劑組成物對於各種光阻劑展現出更為改善的溶解力，因此其可經由前述預潤濕製程而形成具有均勻厚度之帶有少量光阻劑的感光膜。換句話說，若是使用如上所述之稀釋劑組成物進行預潤濕製程，透過使用相對較少量的光阻劑，就可形成厚度又薄又均勻的膜。此外，基板邊緣上的感光膜缺陷塗層可以被降低，可能存在於基板上的高度差異也可輕易地被克服，以降低感光膜的厚度偏差。
前述預潤濕製程可藉由一般的旋轉塗布法來進行，舉例來說，藉由將稀釋劑組成物施用於基板上，之後旋轉該基板以將稀釋劑組成物塗布於該基板的正面，或是藉由將稀釋劑組成物施用於一旋轉基板，以將稀釋劑組成物塗布於該基板的正面。
此外，在感光膜的形成方法中，光阻劑取決於欲形成之圖案的線徑以及使用之光源的種類等等，並且，其結構並無特定限制。作為參考示例，前述光阻劑可包括用於I-線之包含有酚醛清漆樹脂(novolac resin)的光阻劑；用於氟化氪(KrF)之包含有聚羥基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光阻劑，前述聚羥基苯乙烯中之羥基的氫係部分被縮醛基(acetal group)封端；用於氟化氪(KrF)之包含有聚羥基苯乙烯的光阻劑，前述聚羥基苯乙烯中之羥基的氫係部分被三級-丁基碳酸酯基(tert-butylcarbonate group)封端；用於氟化氬(ArF)之包含有甲基丙烯酸酯樹脂(methacrylate resin)的光阻劑；用於氟化氪(KrF)之包含有三 嗪系樹脂(triazine resin)的底部抗反射塗層；用於氟化氬(ArF)之包含有酯系樹脂(ester resin)的底部抗反射塗層等等。並且，作為參考示例，前述用於I-線之光阻劑可包括有酚醛清漆樹脂以及作為光敏劑的2,4-二硝苯醌(2,4-dinitroquinone)。前述用於氟化氪(KrF)之光阻劑可包括有羥基苯乙烯以及作為光敏劑的三苯基鋶鹽(triphenylsulfonium salt)，前述聚羥基苯乙烯中之羥基的氫係部分被縮醛基或是三級-丁基碳酸酯基封端。前述用於氟化氬(ArF)之光阻劑可包括有以金剛烷基(adamantyl group)及/或4-氧雜三環(4.2.1.0(3,7))-5-壬酮(4-oxa-tricyclo(4.2.1.0(3,7))nonan-5-one)封端的聚甲基丙烯酸酯以及作為光敏劑的三苯基鋶鹽。
此外，將光阻劑塗布於預潤濕之基板上的步驟可藉由旋轉塗布法來進行。如果利用旋轉塗布法塗布光阻劑，會由於離心力使光阻劑凝聚成球形，而於基板邊緣或是背面形成邊緣球狀物。前述邊緣球狀物會成為引發電子裝置缺陷或是生產設備故障的污染物，且可能成為曝光製程中失焦的原因。
因此，本發明的稀釋劑組成物可被用來移除基板上至少一部分的光阻劑，例如附著於基板邊緣或是背面的光阻劑。前述移除可在旋轉基板時利用稀釋劑組成物的加壓噴霧予以進行。如前所述，由於本發明之稀釋劑組成物對於各種光阻劑具有優異的溶解力以及最適當的性質，諸如揮發性、黏度等等，因此在清除感光膜的邊界線時，前述稀釋劑組成物可精確地只移除邊緣球狀物，並可在短時間內有效率地進行製程。
在移除至少一部分光阻劑的步驟(邊緣球狀物移除製程)中所使用的稀釋劑組成物，與如上所述之預潤濕製程所使用的稀釋劑組成物可以相同或是不同。換句話說，依據各個製程的情況以及所需性質等等，可以使用具有不同組分的稀釋劑組成物。然而，由於本發明的稀釋劑組成物可滿足適用於邊緣球狀物移除製程以及預潤濕製程的性質，因此在改善整體製程效率方面，最好使用具有同等範圍之組分的稀釋劑組成物。
移除附著於基板邊緣或是背面的邊緣球狀物後，可透過軟烘烤製程形成感光膜，並且，在使用缺陷檢測設備確認感光膜上有無產生缺陷後，就可透過曝光以及顯影製程形成感光圖案。若是感光膜具有諸如裂痕(tearing)、尾渣(tailing)、厚度偏差等等的缺陷，則藉由進行再加工(rework)製程移除形成於基板正面的感光膜，並且，在此製程中，也可使用本發明的稀釋劑組成物。
以下，透過較佳實施例以有助於理解本發明。然而，這些實施例僅用於說明本發明，本發明並不受限於此。
範例1
將80wt%的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯以及20wt%的乙二醇單丙醚導入一配備有攪拌器的混合容室中，前述混合物於室溫下攪拌約50分鐘以製備稀釋劑組成物。
範例2至7以及比較範例1至10
以與範例1相同的方式製備稀釋劑組成物，除了下表1所示成分係以相對應的含量(wt%；然而，界面活性劑的含量單位為 重量份，以100重量份的剩餘成分為基準)予以混合之外。
表1中的成分A到G係如下所示。
[A]1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯(1-methoxy-2-propanol acetate)
[B]乙二醇單丙醚(ethylene glycol monopropyl ether)
[C]2-羥基異丁酸甲酯(methyl 2-hydroxyisobutyrate)
[D]醋酸正丁酯(n-buthyl acetate)
[E]γ-丁內酯(gamma-butyrolactone)
[F]3-乙氧基丙酸乙酯(ethyl 3-ethoxypropionate)
[G]非離子型界面活性劑(產品名：BYK-Series，製造商ALTANA)
實驗例1
(依據感光膜種類之邊緣球狀物移除性能的評估)
將8吋氧化矽基板浸漬於兩個過氧化氫/硫酸混合物浴中各5分鐘，之後以超純水清洗。接著，在旋轉乾燥器(spin drier)中旋轉乾燥該基板，其後，將範例1的稀釋劑組成物旋轉塗布(約1500至2500rpm)於基板，以進行降低光阻劑消耗(RRC)塗布的預潤濕製程。接著，在預潤濕的基板上，將下表2所述的各個光阻劑旋轉塗布(在約300rpm旋轉下約3秒，之後，在約1000至2000rpm旋轉下約20至30秒，以控制成預定厚度)於基板，以形成具有相應厚度的感光膜。此外，使用範例1至7以及比較範例1至10的稀釋劑組成物進行用以移除不必要附著於基板邊緣部分的邊緣球狀物試驗。
在試驗中，各稀釋劑組成物係由配備有壓力表的加壓容器(增壓壓力約1.0kgf)予以供應，並藉由EBR噴嘴噴出(組成物的流速為10至20cc/分鐘)，並且，如下表3所述，組成物的噴灑時間由基板的轉速予以控制。
此外，評估邊緣球狀物移除效率的結果顯示於表4以及表5。在下表4與表5中，「◎」表示邊緣球狀物移除後，EBR線均勻性(EBR line uniformity)是均勻且恆定的；「○」表示邊緣球狀物移除後，EBR線均勻性有80%或更高符合要求；「△」表示邊緣球狀物移除後，EBR線均勻性有50%或更高但低於80%符合要求；「×」表示邊緣球狀物移除後，EBR線均勻性有20%或更高但低於50%符合要求，且在邊緣處出現尾渣(tailing)。
[表2]
實驗例2
(光阻劑塗布均勻性的評估)
以下列方式評估感光膜是否均勻地塗布於基板的正面。
將8吋氧化矽基板浸漬於兩個過氧化氫/硫酸混合物浴中各5分鐘，之後以超純水清洗。接著，在旋轉乾燥器(spin drier)中旋轉乾燥該基板，其後，將範例1至7以及比較範例1至10的稀釋劑組成物旋轉塗布(約1500至2500rpm)於基板，以進行降低光阻劑消耗(RRC)塗布的預潤濕製程。此時，各稀釋劑組成物係由配備有壓力表的加壓容器(增壓壓力約1.0kgf)予以供應，並藉由噴嘴噴出(組成物的流速為10至20cc/分鐘)，並且，如下表6所述，組成物的噴灑時間由基板的轉速予以控制。
接著，在預潤濕的基板上，將表2所述的各個光阻劑旋轉塗布(在約300rpm旋轉下約3秒，之後，在約1000至2000rpm旋轉下約20至30秒，以控制成預定厚度)於基板，以形成具有相應厚度的感光膜。
此外，評估各感光膜塗布均勻性的結果顯示於下表7以及表8。在表7與表8中，「○」表示感光膜的塗布均勻性是均勻且恆定的；「△」表示邊緣球狀物移除後，EBR線均勻性有90%或更高符合要求；「×」表示感光膜的邊緣部分出現塗布缺陷。
[表6]
由實驗例1以及實驗例2所示結果證實，相較於比較範例的稀釋劑組成物，範例1至7的稀釋劑組成物對於各種光阻劑展現出優異的溶解力，使得邊緣球狀物移除製程以及基板的預潤濕製程能夠更有效率地進行。
具體而言，實驗結果證實，相較於比較範例的稀釋劑組 成物，範例1至7的稀釋劑組成物對於I-線用光阻劑(PR1以及PR2)具有溶解力，對於氟化氪(KrF)及氟化氬(ArF)用之高極性光阻劑(PR3至PR6)具有溶解力，對於旋塗式硬光罩用之難溶光阻劑(PR7以及PR8)具有優異的溶解力。

Claims (8)

  1. 一種稀釋劑組成物，包含有：1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯；以及乙二醇丙基醚。
  2. 如請求項1所述的稀釋劑組成物，其中該組成物包含有：20至80wt%的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯；以及20至80wt%的乙二醇丙基醚。
  3. 如請求項1所述的稀釋劑組成物，其中該組成物包含有：40至80wt%的1-甲氧基-2-丙醇醋酸酯；以及20至60wt%的乙二醇丙基醚。
  4. 如請求項1所述的稀釋劑組成物，其中該乙二醇丙基醚包括乙二醇單丙醚、乙二醇異丙醚及其混合物。
  5. 如請求項1所述的稀釋劑組成物，更包含有一界面活性劑。
  6. 如請求項5所述的稀釋劑組成物，其中，以100重量份的稀釋劑組成物為基準，該組成物包含有該界面活性劑的含量為0.001至0.1重量份。
  7. 一種感光膜的形成方法，包含有下列步驟：將請求項1之稀釋劑組成物塗布於一半導體基板上以預潤濕(pre-wetting)該基板；以及將一光阻劑塗布於該預潤濕的基板上。
  8. 一種感光膜的形成方法，包含有下列步驟：將一光阻劑塗布於一半導體基板上；以及 將請求項1之稀釋劑組成物施用於該基板上，以從該基板上移除至少一部分的光阻劑。
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