TW201442940A - 頂部端口微機電系統腔封裝及其製造方法 - Google Patents

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Alan Evans
Timothy Leung
ming-xiang Tang
Jun-Hua Guan
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Abstract

本發明揭示一種用於製造圍封一微機電系統(MEMS)裝置之一封裝之方法，該方法提供具有一蓋(13)及側壁(15)之一罩(12)，其中一端口(16)延伸穿過該蓋(13)。將一第一底座組件(14)接合至該等側壁(15)從而界定一內部腔。此第一底座組件(14)進一步包含延伸穿過其之一孔口(38)。透過該孔口插入該MEMS裝置(18)且將其接合至該蓋(13)，其中該MEMS裝置(18)至少部分地重疊該端口(16)。藉由將一第二底座組件(32)接合至該第一底座組件(14)以密封該孔口(38)來完成組裝。

Description

頂部端口微機電系統腔封裝及其製造方法
本發明揭示一種用以裝納一微機電系統裝置之封裝，且特定而言係關於一種用於製造一頂部端口封裝之方法及如此經製造之封裝。
一個微機電系統(MEMS)裝置係用於一個人電子裝置(PED)之一麥克風晶片中所使用之一聲學轉換器。此等裝置包含(但不限於)行動電話、膝上型電腦、平板電腦及行動數位裝置，諸如IPad®(蘋果公司，Cupertinio，CA)。一種聲學轉換器揭示於Loeppert等人之標題為「Miniature Silicon Condenser Microphone」之第5,870,482號美國專利中。該聲學轉換器揭示為具有一框架，其中一個氮化矽隔膜接合至該框架之一側且在另一側上為延伸懸臂類型。框架與隔膜之間的一間隙形成一可變氣隙電容器。藉由聲學(聲音)波之隔膜之偏轉改變間隙間距，從而形成一可量測電容改變。
對裝納一MEMS裝置之一封裝之要求係嚴格的。該裝置必須經保護以免受污垢、灰塵及機械損壞。需要電互連來在該裝置與PED之其他電組件之間傳輸電信號。隔膜之偏轉逆著一固定空氣體積，從而需要毗鄰該裝置之一側之一氣密腔。此外，在行動電話及其他電裝置變為更小且更輕重量時，裝納MEMS裝置之封裝必須促成彼等目標。類似地，對產品之成本限制需要封裝係廉價的且較佳地不過於複雜來組裝。
用於裝納MEMS裝置之代表性封裝揭示於Bolognia等人之標題為「Reversible Top/Bottom MEMS Package」之第8,030,722號美國專利中及於Wu等人之標題為「MEMS Microphone Package」之第2011/0075875號經公佈美國專利申請公開案中。
U.S.8,030,722揭示一種用於一MEMS裝置之封裝，該封裝具有由一印刷電路板材料形成之一底座及一罩。導電側壁電互連該底座與該罩。一MEMS裝置安裝至該底座或者該罩且自該MEMS裝置延伸之線接合接觸該罩及該底座兩者上之電路跡線；從而將該MEMS裝置電互連至該兩者。
U.S.2011/0075875揭示一種MEMS封裝，該封裝具有安裝至封裝罩之一MEMS裝置。該MEMS裝置將自罩延伸至導電側壁之電路跡線電互連至形成於底座中之電路跡線。諸如一放大器或雜訊過濾器之一積體電路裝置電互連至形成於底座中之電路跡線。
頂部及底部端口封裝主要由於最終應用之機械要求而存在。頂部端口封裝通常係較佳的，此乃因底部端口封裝需要麥克風安裝至其之應用PCB中之一對應孔。然而，若膜後面之空氣比率大於膜前面之空氣比率，則封裝具有尤其關於信雜比之經改良之技術效能(背部空氣體積比前部空氣體積大)。對於MEMS晶粒直接連接至封裝基板之一底部端口封裝，易於藉由經由聲音端口安裝MEMS晶粒來獲得此經改良之後面體積與前面體積比。對於諸多應用機械地需要之一頂部端口封裝而言，不可能藉助標準封裝來以此一方式安裝MEMS晶粒以獲得經改良之技術效能。
有時期望將MEMS裝置安裝至圍封裝置之封裝之罩。然而，如本發明中上文所提及在罩及導電側壁中形成電路跡線以將電信號傳送至MEMS裝置及自MEMS裝置傳送電信號導致需要精確對準之一複雜封裝，此違背簡化及減少此一封裝之成本之目標。仍需要一種不具有複 雜組裝及高成本之缺點之穩健封裝，該封裝使得能夠將一MEMS裝置安裝至該封裝之一罩組件。
本文中揭示一種用以製造圍封一微機電系統(MEMS)裝置之一封裝之方法。該方法包含以下步驟：(1)提供具有一蓋及側壁之一罩，其中一端口延伸穿過該蓋。(2)將一第一底座組件接合至該等側壁，藉此界定具有由該蓋、該等側壁及該第一底座組件形成之表面之一內部腔。此第一底座組件進一步具有延伸穿過其之一孔口。(3)透過該孔口插入該MEMS裝置且將該MEMS裝置接合至該蓋，其中該MEMS裝置至少部分地重疊該端口。(4)且將一第二底座組件接合至該第一底座組件以密封該孔口。
本文中亦揭示用以製造用以封圍MEMS裝置之封裝之一面板之方法。此方法包含以下步驟：(1)提供具有一第一底座組件矩陣之一面板。每一第一底座組件具有延伸穿過其之一孔口。(2)為矩陣之每一第一底座組件部件提供一罩。每一罩具有一蓋及側壁，其中一端口延伸穿過該蓋。(3)將一第一底座組件接合至該等側壁藉此界定具有由該蓋、該等側壁及該第一底座組件形成之表面之一內部腔。(4)透過每一孔口插入一MEMS裝置且將彼MEMS裝置接合至該蓋，其中該MEMS裝置至少部分地重疊該端口。(5)將一第二底座組件接合至每一第一底座組件以密封該孔口。(6)且單粒化該第一面板以形成複數個封裝。
本文中亦揭示如此產生之封裝，該封裝包含具有一蓋及側壁之一罩，其中一端口延伸穿過該蓋。一含有孔口之第一底座組件接合至該等側壁。一MEMS裝置接合至該蓋且電互連至安置於該第一底座組件之一表面上之導電特徵。一第二底座組件接合至該第一底座組件，橫跨該孔口。
10‧‧‧第一中間總成
12‧‧‧罩
13‧‧‧蓋
14‧‧‧第一底座組件/第一底座組件部件
15‧‧‧側壁
16‧‧‧端口
18‧‧‧微機電系統裝置/裝置
20‧‧‧基板
22‧‧‧線接合附接位點
24‧‧‧導電電路跡線
26‧‧‧金屬化接合墊
28‧‧‧外部表面
30‧‧‧導電導通孔
32‧‧‧第二底座組件
34‧‧‧黏合劑
36‧‧‧內部表面
38‧‧‧孔口
40‧‧‧黏合劑
42‧‧‧接合線/線接合
44‧‧‧線接合位點
47‧‧‧空隙
50‧‧‧第一面板/面板
52‧‧‧鋸割線
54‧‧‧積體電路裝置/裝置
56‧‧‧表面
58‧‧‧線接合
60‧‧‧內部腔
62‧‧‧膜
64‧‧‧盲腔/第二腔
100‧‧‧頂部端口微機電系統腔封裝
120‧‧‧替代頂部端口微機電系統腔封裝
2001‧‧‧實施例封裝/封裝
2002‧‧‧電路裝置
2003‧‧‧連接器
2004‧‧‧連接點
2005‧‧‧替代罩
2101‧‧‧實施例封裝/封裝
2102‧‧‧第二底座組件
2103‧‧‧電路裝置
2104‧‧‧接合線
2105‧‧‧接合線附接位點
2106‧‧‧替代罩
2201‧‧‧實施例封裝
2202‧‧‧被動組件/電路裝置
2203‧‧‧替代罩
2301‧‧‧實施例封裝
2302‧‧‧第二底座組件
2303‧‧‧被動組件
2304‧‧‧替代罩
2401‧‧‧實施例封裝/封裝
2402‧‧‧連接器
2403‧‧‧第一連接點
2404‧‧‧第二連接點
2405‧‧‧替代罩
2501‧‧‧實施例封裝
2502‧‧‧第二底座組件
2503‧‧‧電路裝置
2504‧‧‧接合線
2505‧‧‧接合線連接位點
2506‧‧‧替代罩
2601‧‧‧實施例封裝
2602‧‧‧被動組件
2603‧‧‧替代罩
2701‧‧‧實施例封裝
2702‧‧‧第二底座組件
2703‧‧‧被動組件
2704‧‧‧替代罩
D‧‧‧距離
H‧‧‧組合高度
L‧‧‧長度
在隨附圖式及以下說明中陳述本發明之一或多項實施例之細節。本發明之其他特徵、目的及優點將自說明及圖式且自申請專利範圍顯而易見。
圖1係根據一第一實施例製造一頂部端口MEMS腔封裝時之一第一中間總成。
圖2係根據一第一實施例製造頂部端口MEMS腔封裝時之一第二中間總成。
圖3係根據第一實施例製造頂部端口MEMS腔封裝時之一第三中間總成。
圖4係根據第一實施例製造之頂部端口MEMS腔封裝。
圖5係供在製造複數個頂部端口MEMS腔封裝時所使用之第一底座組件之一面板之一透視圖。
圖6係根據一第二實施例製造一頂部端口MEMS腔封裝時之一第一中間總成。
圖7係根據第二實施例製造頂部端口MEMS腔封裝時之一第二中間總成。
圖8係根據第二實施例製造頂部端口MEMS腔封裝時之一第三中間總成。
圖9係根據第二實施例製造之頂部端口MEMS腔封裝。
圖10圖解說明用於本文中所揭示之封裝之一替代基板。
圖11係根據一第三實施例製造一頂部端口MEMS腔封裝時之一第一中間總成。
圖12係根據第三實施例製造頂部端口MEMS腔封裝時之一第二中間總成。
圖13係根據第三實施例製造頂部端口MEMS腔封裝時之一第三中間總成。
圖14係根據第三實施例製造之頂部端口MEMS腔封裝。
圖15係用於本文中所揭示之封裝之一罩之一底部透視圖。
圖16係用於本文中所揭示之封裝之一中間總成之一底部透視圖。
圖17係一經組裝封裝之一底部透視圖。
圖18係一經組裝封裝之一頂部透視圖。
圖19係根據第一實施例製造之一替代頂部端口MEMS腔封裝。
圖20(A)至圖20(B)係具有以一覆晶方式附接於其中之一電路裝置之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖21(A)至圖21(B)係具有一經嵌入電路裝置之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖22(A)至22(B)係具有附接於其中之一被動組件之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖23(A)至圖23(B)係具有一經嵌入被動組件之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖24(A)至圖24(B)係其中一MEMS裝置以一覆晶方式附接之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖25(A)至圖25(B)係其中一MEMS裝置以一覆晶方式附接且存在一經嵌入電路裝置之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖26(A)至圖26(B)係其中一MEMS裝置以一覆晶方式附接且存在一經附接被動組件之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖27(A)至圖27(B)係其中一MEMS裝置以一覆晶方式附接且存在一經嵌入被動組件之一實施例封裝之示意性側視圖。
圖1至圖4以剖面表示形式圖解說明用於製造一頂部端口MEMS腔封裝(圖4中之參考編號100)之一第一組裝程序。在圖1中，一第一中 間總成10包含一罩12及一第一底座組件14。當互換地使用「罩」及「頂部」時，認識到封裝可經翻轉且罩可在底部。如此，詞語罩應廣泛地理解為係封裝之無基板側。
罩12具有一蓋13及側壁15。一端口16延伸穿過蓋13且經定大小以准許聲學波與一MEMS裝置(圖2中之參考編號18)相互作用。端口16可係一敞開腔或與一纖維材料或聚合物膜密封以保護MEMS裝置。罩12由諸如一金屬、陶瓷、液晶聚合物或其他經模製聚合物之任何適合材料形成。第一底座組件14形成基板(圖4中之參考編號20)之一部分。第一底座組件14由如通常在製造印刷電路板時使用之一電介電質(舉例而言，FR-4或一陶瓷)形成。線接合附接位點22及導電電路跡線24形成於第一底座組件上及於第一底座組件中。一金屬化接合墊26可形成於第一底座組件14之一外部表面28上以促進至形成於一第二底座組件32(圖4)中之一導電導通孔30之電互連。
罩12之側壁15用一黏合劑34或其他密封劑接合至第一底座組件14藉此界定具有由蓋13、側壁15及第一底座組件14形成之表面之一內部腔60。由於罩12中之電路跡線與第一底座組件14中之電路跡線之間的電互連係不必要的，因此黏合劑34無需係導電的，且較佳地係諸如可藉由任何適合程序(諸如印刷、施配或浸漬)施加之一環氧樹脂之一介電質材料。此外，不需要罩12及第一底座組件14之精確對準以對準電路跡線。
參考圖2，諸如US 5,870,482中所闡述之一MEMS裝置18透過延伸穿過第一底座組件14之一孔口38藉由插入而附接至罩12之一內部表面36。孔口38係足夠大以使MEMS裝置18能夠透過其插入於其中而以足夠精確度將MEMS裝置對準於端口16上方以至少部分地重疊端口。可使用標準生產晶粒附接設備使用基板20上之供對準之基準點及對準特徵獲得準確插入。MEMS裝置接著(諸如)用黏合劑40接合至罩12。不 需要MEMS裝置18與罩12上之電路(若存在)之間的電互且MEMS裝置較佳地與罩12電隔離。
參考圖3，接合線42附接至MEMS裝置18上之線接合位點44。第一底座組件14之外部表面28與線接合位點44之間的一距離D係大約自0μm至500μm，在一標準線接合機器之能力範圍內。接合線42之相對端接合至線接合附接位點22。
如圖4中所展示，頂部端口MEMS腔封裝100藉由將第二底座組件32接合至第一底座組件14完成，從而密封孔口38以為內部腔60製作一氣密密封且以形成電互連。
圖19圖解說明根據第一實施例製造之一替代頂部端口MEMS腔封裝120。在此替代方案中，MEMS裝置18及黏合劑40之組合高度H大於罩12之側壁45之長度L。MEMS裝置18之一部分適應於第一底座組件14之孔口38中。接合線42配合於第一底座組件14與第二底座組件32之間的一空隙47內。
儘管頂部端口MEMS腔封裝100可如圖1至圖4中所圖解說明以單數形式經組裝，但封裝總成尤其可修正為一封裝單元陣列之自動化總成。圖5係具有一第一底座組件14矩陣之一面板50之一透視圖，每一矩陣部件具有供在製造複數個頂部端口MEMS腔封裝時使用之孔口38。使用個別罩或者具有之一罩矩陣之一第二面板以用於接合至第一底座組件矩陣來執行圖1至圖4中所展示之組裝步驟或下文所闡述之其他實施例。在MEMS裝置及其他裝置組件之插入及線接合之後，藉由沿著鋸割線52切割來單粒化封裝單元。第二底座組件可在單粒化前作為一第三面板以面板形式或者在單粒化後作為個別組件經添加以形成一氣密密封及電互連。儘管針對十二個封裝圖解說明面板50，但(舉例而言)含有多達1000個封裝單元之大得多之矩陣可經利用。一典型面板含有自75個單元至100個單元。
圖6至圖9圖解說明根據一第二實施例之一組裝程序。如圖6中所展示，諸如一放大器或一雜訊過濾器之一積體電路裝置54附接至第一底座組件14之一表面56及(諸如)藉由線接合58電互連至諸如第一底座組件14之一表面56上之導電跡線之導電特徵且亦電互連至MEMS裝置。
參考圖7，罩12接著(諸如)用黏合劑34接合至第一底座組件14。接下來，如圖8中所展示，MEMS裝置18接合至罩12之內部表面36，從而形成圍繞端口16之一氣密密封。接合線42將MEMS裝置18電互連至線接合附接位點22。封裝接著藉由第二底座組件32之接合完成，如圖9中所圖解說明。
本文中所揭示之每一MEMS封裝具有在MEMS裝置18之一膜62藉由聲學波移位時經受體積及壓力之改變之一內部腔60。此內部腔60之體積可改變，從而(諸如)藉由添加形成於第二底座組件32中之一盲腔64改變封裝之敏感度，如圖10中所展示。此盲腔64與內部腔60對準以與其流體連通。MEMS裝置18之附接需要完全圍繞MEMS裝置之底座之一密封以使得不存在洩露或供聲波行進之替代路線。
圖11至圖14圖解說明根據一第二實施例之一組裝程序。如圖11中所展示，第一底座組件14中之孔口38經擴大以促進一積體電路裝置54及MEMS裝置18兩者之插入(圖12)。參考圖13，線接合58接著電互連積體電路裝置54與MEMS裝置18。線接合42將此等裝置54、18電互連至第一底座組件14上之線接合附接位點22。第二底座組件32接著密封封裝從而形成內部腔60。在本文中之實施例中之任一者中，第二腔64可延伸於金屬化接合墊26上方以適應接合線42。
圖15係圖解說明端口16之一罩12之內側之一透視圖。圖16係展示自一積體電路裝置54延伸至第一底座組件14上之導電電路跡線(不可見)之線接合42之一中間總成之一透視圖。導電電路跡線在金屬化 接合墊26處終止。圖17圖解說明其中導電導通孔30延伸至第二底座組件32之一外部表面以用於在經包封裝置與外部電路及裝置之間提供電互連之完成封裝。圖18係經組裝封裝之一俯視透視圖。
圖20(A)至圖20(B)圖解說明在諸多態樣中類似於上文所揭示之特定其他實施例之一實施例封裝2001。電路裝置2002以一覆晶方式連接至第一底座組件14。連接器2003將電路裝置2002電連接至連接點2004。連接器2003可係任何適合材料，諸如焊料或金。連接點2004可係金屬化墊。應理解，覆晶連接方法對與本申請案相關之熟習此項技術者已知。當接合第一底座組件14與側壁15時電路裝置2002變得安置於封裝2001之內部腔內。在如本申請案中所揭示之封裝之生產時，電路裝置2002可在接合側壁15與第一底座組件14之前以一覆晶方式附接至第一底座組件14。圖20B圖解說明替代罩2005之使用。
圖21(A)至圖21(B)圖解說明實施例封裝2101。第二底座組件2102在其中嵌入有電路裝置2103。接合線2104將電路裝置2103電連接至接合線附接位點2105。圖21B圖解說明替代罩2106之使用。在如本申請案中所揭示之封裝之生產時，電路裝置2103可在封裝2101之組裝之前嵌入。
圖22(A)至圖22(B)圖解說明實施例封裝2201。被動組件2202附接至第一底座組件14。當接合第一底座組件14與側壁15時，被動組件2202以其安置於封裝之內部腔內之一方式附接。在如本申請案中所揭示之封裝之生產時，電路裝置2202可在接合側壁15與第一底座組件14之前附接至第一底座組件14。圖22B圖解說明替代罩2203之使用。
圖23(A)至圖23(B)圖解說明實施例封裝2301。第二底座組件2302在其中嵌入有被動組件2303。圖23B圖解說明替代罩2304之使用。在如本申請案中所揭示之封裝之生產時，被動組件2303可在組裝封裝之前嵌入。
圖24(A)至圖24(B)圖解說明實施例封裝2401。MEMS裝置18以一覆晶方式附接至第二底座組件32。連接器2402分別電連接第一連接點2403及第二連接點2404，因此將MEMS裝置18電連接至第一連接點2403。封裝2401可在將第二底座組件32接合至第一底座組件14之步驟期間部分地藉由以一覆晶方式將MEMS裝置18電連接至第二底座組件32而產生。圖24B圖解說明替代罩2405之使用。
圖25(A)至圖25(B)圖解說明實施例封裝2501。MEMS裝置18以一覆晶方式附接至第二底座組件2502。電路裝置2503嵌入於第二底座組件2502中。接合線2504將電路裝置2503電連接至接合線連接位點2505。在如本申請案中所揭示之封裝之生產時，電路裝置2503可在組裝封裝之前嵌入。圖25B圖解說明替代罩2506之使用。
圖26(A)至圖26(B)圖解說明實施例封裝2601。MEMS裝置18以一覆晶方式附接至第二底座組件32。被動組件2602附接至第一底座組件14。當接合第一底座組件14與側壁15時，被動組件2602以其安置於封裝之內部腔內之一方式附接。在如本申請案中所揭示之封裝之生產時，被動組件2602可在接合側壁15與第一底座組件14之前附接至第一底座組件14。圖26B圖解說明替代罩2603之使用。
圖27(A)至圖27(B)圖解說明實施例封裝2701。MEMS裝置18以一覆晶方式附接至第二底座組件2702。第二底座組件2702在其中嵌入有被動組件2703。圖27B圖解說明替代罩2704之使用。在如本申請案中所揭示之封裝之生產時，被動組件2703可在組裝封裝之前嵌入。
12‧‧‧罩
13‧‧‧蓋
14‧‧‧第一底座組件/第一底座組件部件
15‧‧‧側壁
16‧‧‧端口
18‧‧‧微機電系統裝置/裝置
20‧‧‧基板
22‧‧‧線接合附接位點
32‧‧‧第二底座組件
38‧‧‧孔口
42‧‧‧接合線/線接合
2001‧‧‧實施例封裝/封裝
2002‧‧‧電路裝置
2003‧‧‧連接器
2004‧‧‧連接點

Claims (16)

  1. 一種用於製造圍封一微機電系統(MEMS)裝置之一封裝之方法，該方法包括以下步驟：提供具有一蓋(13)及側壁(15)之一罩(12)，其中一端口(16)延伸穿過該蓋(13)；將一第一底座組件(14)接合至該等側壁(15)從而界定具有由該蓋(13)、該等側壁(15)及該第一底座組件(14)形成之表面之一內部腔，該第一底座組件(14)具有延伸穿過其之一孔口(38)；透過該孔口(38)插入該MEMS裝置(18)且將該MEMS裝置(18)接合至該蓋(13)，其中該MEMS裝置(18)至少部分地重疊該端口(16)；及將一第二底座組件(32)接合至該第一底座組件(14)以密封該孔口(38)。
  2. 一種用於製造複數個封裝之方法，每一封裝圍封一微機電系統(MEMS)裝置，該方法包括以下步驟：提供具有一第一底座組件(14)矩陣之一面板(50)，每一該第一底座組件(14)具有延伸穿過其之一孔口(38)；為該矩陣之每一第一底座組件部件(14)提供一罩(12)，該罩(12)具有一蓋(13)及側壁(15)，其中一端口(16)延伸穿過該蓋(13)；將一第一底座組件(14)接合至該等側壁(15)從而界定具有由該蓋(13)、該等側壁(15)及該第一底座組件(14)形成之表面之一內部腔；透過每一該孔口(38)插入該MEMS裝置(18)中之一者且將該MEMS裝置(18)接合至該蓋(13)，其中該MEMS裝置(18)至少部分 地重疊該端口(16)；將一第二底座組件(32)接合至該第一底座組件(14)中之每一者以密封該孔口(38)；及單粒化該第一面板(50)以形成該複數個封裝。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該第一底座組件(14)具有以一覆晶方式附接至其之一電路裝置(2002)，以使得當接合該第一底座組件(14)與該等側壁(15)時該電路裝置(2002)安置於該內部腔內。
  4. 如請求項1或2之方法，其中該第二底座組件(2102)在其中嵌入有一電路裝置(2013)。
  5. 如請求項1或2之方法，其中該第一底座組件(14)具有附接至其之一被動組件(2202)，以使得當接合該第一底座組件(14)與該等側壁(15)時該被動組件(2202)安置於該內部腔內。
  6. 如請求項1或2之方法，其中該第二底座組件(2302)在其中嵌入有一被動組件(2303)。
  7. 如請求項1或2之方法，其中將該第二底座組件(32)接合至該第一底座組件(14)之該步驟包含：以一覆晶方式將該MEMS裝置(18)電連接至該第二底座組件(32)。
  8. 如請求項7之方法，其中將一電路裝置(2503)嵌入於該第二底座組件(2502)中。
  9. 如請求項7之方法，其中將一被動組件(2703)嵌入於該第二底座組件(2702)中。
  10. 如請求項7之方法，其中該第一底座組件(14)具有附接至其之一被動組件(2602)，以使得當接合該第一底座組件(14)與該等側壁(15)時該被動組件(2602)安置於該內部腔內。
  11. 一種用於裝納一微機電系統(MEMS)裝置之封裝，其包括：一罩(12)，其具有一蓋(13)及側壁(15)，其中一端口(16)延伸穿 過該蓋(13)；一第一底座組件(14)，其具有延伸穿過其之一孔口(38)且接合至該等側壁(15)；一MEMS裝置(18)，其接合至該蓋(13)且電互連至安置於該第一底座組件(14)之一表面上之導電特徵；及一第二底座組件(32)，其接合至該第一底座組件(14)，橫跨該孔口(38)。
  12. 如請求項11之封裝，其中一電路裝置(2002)安置於該封裝內且以一覆晶方式附接至該第一底座組件(14)。
  13. 一種用於裝納一微機電系統(MEMS)裝置之封裝，其包括：一罩(12)，其具有一蓋(13)及側壁(15)，其中一端口(16)延伸穿過該蓋；一第一底座組件(14)，其具有延伸穿過其之一孔口(38)且接合至該等側壁(15)；一第二底座組件(32)，其接合至該第一底座組件(14)，橫跨該孔口(38)；一MEMS裝置(18)，其接合至該蓋(13)且以一覆晶方式電互連至該第二底座組件(32)。
  14. 如請求項11或13之封裝，其中一電路裝置(2503)嵌入於該第二底座組件(2502)內。
  15. 如請求項11或13之封裝，其中一被動組件(2602)安置於該封裝內且附接至該第一底座組件(14)。
  16. 如請求項11或13之封裝，其中一被動組件(2703)嵌入於該第二底座組件(2702)內。
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