TW201441338A - 螢光體、發光裝置及照明裝置 - Google Patents

螢光體、發光裝置及照明裝置 Download PDF

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Keita Kobayashi
Yasuhito Fushii
Sohma SAKO
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Denki Kagaku Kogyo Kk
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Abstract

本發明之目的在於提供一種是黃色光但紅色成分、綠色成分多的螢光體、及使用此螢光體之演色性高的發光裝置。本發明係由通式：LuaCebAlcSidOeNf所表示且具有石榴石結構之螢光體，其中，前述通式中的a至f滿足以下條件，1.50≦a≦3.15 0.05≦b≦1.50 2≦a+b≦4 4.0≦c≦7.0 0.0<d<0.1 7.0≦e≦16.0 0.001≦f≦1.0 10≦e+f≦16。

Description

螢光體、發光裝置及照明裝置
本發明係有關一種螢光體、發光裝置及照明裝置。
專利文獻1揭示一種將LuAG：Ce作為原料的綠色螢光體。
專利文獻2揭示一種使用將藍色或紫外光變換成綠色光之LuAG：Ce而產生有色及白色光的照明裝置。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1 特開2012-062444號公報
專利文獻2 特表2009-539219號公報
但是，當為了確保白色發光照明裝置之紅色成分及綠色成分並提高演色性而將綠色及紅色的螢光體混合使用時，會衍生出所謂的其一螢光體的發光被另一螢光體吸收而使發光效率降低的新課題。
亦即，本發明之主要目的在於提供一種是黃色光但紅色成分、綠色成分多的螢光體、及使用此螢光體之演色性高的發光裝置及照明裝置。
經本發明者們銳意檢討的結果發現，使具有含有包含稀土類元素的活化劑之石榴石結構的化合物中多量含有鈰原子，再使之含有適量氮原子和矽原子，藉此使色度X、峰值波長及半值寬上昇且增加紅色成分而成為含有紅色成分和綠色成分之螢光體，乃至完成本發明。
本發明係提供一種由通式：LuaCebAlcSidOeNf所表示且具有石榴石結構之螢光體，其中a至f滿足以下條件，1.50≦a≦3.15 0.05≦b≦1.50 2≦a+b≦4 4.0≦c≦7.0 0.0<d<0.1 7.0≦e≦16.0 0.001≦f≦1.0 10≦e+f≦16。
本發明中，亦能將Lu的一部分用Y、Sc、La、Gd及Sm當中的一種以上予以取代。又，亦能將Ce的一部分用Pr、Nd、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Bi及Mn當中的一種以上予以取代，亦能將Al的一部分用 Ga或In任一方或雙方予以取代。本發明亦可作成具有作為燒結時的助熔劑成分之F、Cl、Li、Na、Mg、Nd、Ca、Ba及B當中的二種以上者。
本發明係具有發光元件和前述的螢光體之發光裝置、及使用此發光裝置的照明裝置。
本發明係可提供是黃色光但紅色成分、綠色成分多的螢光體、及可提供使用此螢光體之演色性高的發光裝置及照明裝置。
1‧‧‧藍色LED晶片(發光元件)
2‧‧‧螢光體
3‧‧‧導電線(接合線)
4‧‧‧密封樹脂
5‧‧‧容器(框體)
6‧‧‧導電性端子(導線架)
7‧‧‧其他的導電性端子(導線架)
10‧‧‧發光裝置
圖1係表示本發明之第2實施形態的發光裝置之示意說明圖(部分剖面圖)。
以下就本發明的實施形態作說明。
本發明的第1實施形態係由通式：LuaCebAlcSidOeNf所表示且具有石榴石結構之螢光體，其中a至f滿足以下條件，1.50≦a≦3.15 0.05≦b≦1.50 2≦a+b≦4 4.0≦c≦7.0 0.0<d<0.1 7.0≦e≦16.0 0.001≦f≦1.0 10≦e+f≦16
本實施形態的螢光體具有所謂是黃色光但紅色成分及綠色成分多的優點。以黃色發光螢光體且色度X、峰值波長及半值寬的值大，含有紅色成分和綠色成分之螢光體為宜。
本實施形態的螢光體係以將Lu的一部分用Y、Sc、La、Gd及Sm當中的一種以上予以取代者較佳，以將Ce的一部分用Pr、Nd、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Bi及Mn當中的一種以上予以取代者較佳，以將Al的一部分用Ga或In任一方或雙方予以取代者較佳。本實施形態的螢光體係以具有作為燒結時的助熔劑成分之F、Cl、Li、Na、Mg、Nd、Ca、Ba及B當中的二種以上者較佳。
本實施形態的螢光體係以實質上包含Lu、Ce、Al、Si、O及N者較佳。
所謂的石榴石結構係指和石榴石(A3B5O12；A係2價的金屬離子且為選自包含Ca、Mg及Fe的群之一個以上的元素。B係3價的金屬離子且為選自包含Al、Fe及Cr的群之1種以上的元素。O係氧)所代表之結晶結構同形的結晶結構。
本實施形態的螢光體中，Lu為鎦、Y為釔、Sc為鈧、La為鑭、Gd為釓、Sm為釤、Ce為鈰、Pr為鐠、Nd為釹、Eu為銪、Tb為鋱、Dy為鏑、Ho為鈥、Er為鉺、Tm為銩、Yb為鐿、Bi為鉍、Mn為錳、Al為鋁、Ga為鎵、In為銦、O為氧、Si為矽、N為氮、F為氟、Cl為氯、Li為鋰、Na為鈉、Mg為鎂、Ca為鈣、Ba為鋇、B為硼。
在Lu的a值，過小則含Lu效果無法被發揮，過大則鈰的量相對地減少，導致紅色成分減少，故為1.50以上3.15以下。Lu的組成比a之值宜為1.50以上2.95以下，較佳為1.50以上2.80以下。
在Ce的b值，過小則紅色成分減少，大則紅色成分增加，過大則發光強度顯著降低，故為0.05以上1.50以下，下限值以0.3為宜。Ce的組成比b之值，較佳為0.25以上1.50以下，更佳為0.30以上1.50以下。
就算a和b的合計(a+b)過小還是會引起發光強度顯著降低，過大還是會引起發光強度顯著降低，故為2以上4以下，以2.5以上3.5以下為宜。
在Al的c值，就算是過小還是會引起發光強度顯著降低，故為4.0以上7.0以下，以5.0以上7.0以下為宜。
在矽的d值，在是0.0的場合係紅色成分少，過大則會引起發光強度顯著降低，故為比0.0大且比0.1小的值。Si的組成比d之值宜設在0.001以上0.095以下。
在O的e值，就算是過小還是會引起發光強度顯著降低，過大還是會引起發光強度降低，故為7.0以上16.0以下。O的組成比e之值宜為11.0以上16.0以下，較佳為11.0以上15.5以下。
在N的f值，在是0.0的場合係紅色成分少，大則紅色成分增加，過大則發光強度會降低，故為0.001以上1.0以下。N的組成比f之值宜為0.001以上0.7以下，較佳為0.001以上0.4以下，更佳為0.001以上0.2以下。
就算e和f之合計(e+f)過小還是會引起發光強度顯著降低，過大還是會引起發光強度降低，故為10以上16以下。e和f之合計宜為11以上16以下，較佳為11.0以上15.5以下。
螢光體中的氮原子係存在於具有石榴石結構之螢光體的晶格內及晶格間當中一方或雙方。矽原子係存在於具有石榴石結構之螢光體的晶格內。
本實施形態的螢光體係可藉由將含有Lu、Ce、Al、Si、O及N的化合物彼此混合後進行燒結而製造。
關於前述螢光體的製造，以在加壓氮環境氣體中將原料混合粉燒結為宜。此燒結亦可在氬氣環境中進行。前述加壓宜為0.1MPa以上10MPa以下，較佳為0.1MPa以上2MPa以下，更佳為0.5MPa以上1.5MPa以下。燒結溫度宜為1000℃以上2400℃以下，較佳為1200℃以上2000℃以下，更佳為1300℃以上1700℃以下。燒結時間宜為0.5小時以上30小時以下，較佳為1小時以上24小時以下。
在製造本實施形態的螢光體時，亦可在燒結時添加助熔劑。助熔劑亦可使用氯化物、氟化物。作為助熔劑，例如有LiF、NaF、AlF3、YF3、YbF3、GdF3、MgF2、SmF3、CeF3、NdF3、CaF2、LaF3、BaF2、TbF3、B2O3、H3BO3。
本發明的第2實施形態係具有發光元件和前述的螢光體之發光裝置。
作為前述發光元件，以能發出波長350nm至500nm之範圍的光者較佳。此發光裝置中的螢光體除了上述的螢光體的單體外，亦可採用紅色發光螢光體、綠色發光螢光體等之具有其他發光色的螢光體。
作為發光裝置，有具有發光元件的LED和積層在其LED發光面的螢光體之發光裝置、具有此發光裝置之照明裝置、及具有此發光裝置之影像顯示裝置。作為照明裝置，有球形的燈泡型照明裝置、棒狀的螢光燈型照明裝置。作為影像顯示裝置，有電視、電腦用監視器、行動終端機器、行動電話及遊戲機器。
圖1係表示本實施形態之發光裝置的一構成例的圖，本發明的發光裝置不受此所限定。如圖1所示，本實施形態的發光裝置10具備發光元件1(例如，藍色LED晶片)及搭載於發光元件的發光面之螢光體2，於螢光體2的一部分或全部使用前述之本發明的螢光體。
作為螢光元件1，可使用紫外線發光二極體(UV-LED)及藍色發光二極體(藍色LED)等之各種LED、螢光體燈及雷射二極體(LD)等，以LED為宜。又作為螢光體2，亦可僅使用前述之本發明的螢光體，但也能將紅色發光螢光體、橙色發光螢光體、黃色發光螢光體、綠色發光螢光體及藍色發光螢光體等組合使用。藉此，可調整作為發光裝置的發光色。
本實施形態的發光裝置10係在導電性端子(導線架)6之上搭載有發光元件1，在導電性端子6上的容器(框體)5中，藉由使螢光體2分散的密封樹脂4將發光元 件1密封。發光元件1係藉由導電線(接合線)3連接於其他的導電性端子(導線架)7。
前述發光裝置亦可為在其周圍任意地用可見光透過性樹脂被覆(模塑)者。作為可見光透過性樹脂，有環氧樹脂、胺基甲酸乙酯系樹脂、聚矽氧樹脂。亦可使該可見光透過性樹脂因應需要而使含有黏度調整劑、擴散劑、紫外線吸收劑等之添加劑。
作為前述發光裝置的外形形狀，有砲彈型、晶片型及多段型。
本實施形態的發光裝置10係發光元件1射出波長350~500nm的激發光照射於螢光體2。螢光體2係依所照射之激發光而發出在540nm以上(宜為540~560nm、541~555nm更適宜)的波長域具有峰值的光。本實施形態的發光裝置10所用之螢光體2係外部量子效率、色度、及演色性指數(Ra)良好。適宜的螢光體2係具有外部量子效率為63%以上、色度X為0.37以上(更適宜為色度X是0.370~0.399)、及演色性指數(Ra)為69.0以上者。本實施形態的發光裝置10係可發出是黃色光但紅色成分、綠色成分多的光，演色性高。
本發明的第3實施形態係具有含有本發明的螢光體之發光裝置的照明裝置。前述照明裝置係搭載1個以上含有本發明的螢光體之發光裝置者。
作為前述照明裝置，有在電源上連接點燈模組的交流輸入端子且於此點燈模組的直流輸出端子上串聯或並聯連接單數或複數個發光裝置者。
照明裝置之型式有燈泡型、螢光燈型、下照燈型、面照明型。
本實施形態的照明裝置係具有以透光性樹脂被覆的發光裝置和控制此發光裝置之電路基板。
由於照明裝置是使用上述的螢光體，故可發出是黃色光但紅色光及綠色光多的光，演色性高。
[實施例]
針對本發明的螢光體、發光裝置、及照明裝置的實施例，茲參照表1及圖1、連同比較例一起作說明。
[實施例1]
如表1所示，實施例1的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、a+b=3.0、c=5.00、d=0.001、e=12.15、f=0.0013、及、e+f=12.1513。
表1顯示實施例1所製造之螢光體的組成、外部量子效率、色度X、峰值波長、半值寬、演色性指數(Ra)之結果。
表1所示之螢光體組成的各值係原料調配時的值，為目標值。
<外部量子效率>
於本試驗中，發光效率(外部量子效率)係利用分光光度計(大塚電子公司製MCPD-7000)測定，按以下的程序算出者。
將實施例1的螢光體以凹型的單元的表面成為平滑的方式進行充填俾安裝積分球。將從作為發光光源的Xe燈分光成455nm的波長之單色光使用光纖導入此積分球。將此單色光作為激發源照射於實施例1的螢光體試料，進行試料之螢光光譜測定。發光效率按以下那樣求取。
於試料部設定反射率為99%的標準反射板(Labsphere公司製Spectraron)，測定波長455nm之激發光的光譜。此時，由450nm至465nm之波長範圍的光譜算出激發光光子數(Qex)。
接著，於試料部設定試樣，從所獲得之光譜資料算出激發反射光光子數(Qref)及螢光光子數(Qem)。
激發反射光光子數係在與激發光光子數相同波長範圍算出，而螢光光子數係在465nm至800nm的範圍算出。從所獲得之三種光子數求得外部量子效率(=Qem/Qex×100)、吸收率(=(Qex-Qref)/Qex×100)、內部量子效率(=Qem/(Qex-Qref)×100)。
作為實施例之合格的外部量子效率為63%以上。
<色度X(CIEx)>
於本試驗中，色度X為CIE1931(XYZ表色系)的值，利用前述的分光光度計(大塚電子公司製MCPD- 7000)測定。色度X(CIEx)係於瞬間多重測光系統(大塚電子公司製MCPD-7000)中使用積分球進行將對應於455nm之激發的螢光予以集光的全光束之螢光光譜測定所求得。測定方法係按參考文獻「大久保和明等人著作、「NBS標準螢光體之量子效率的測定」、照明學會誌第83巻第2號、pp87-93、平成11年」之標準進行。
作為實施例之合格的色度X為0.370以上。
<峰值波長>
於本試驗中，峰值波長係利用分光光度計(大塚電子公司製MCPD-7000)測定。將試料的螢光體以凹型的單元之表面成為平滑的方式進行充填俾安裝積分球。將從作為發光光源的Xe燈分光成455nm的波長之單色光的藍色光使用光纖導入此積分球。將此單色光作為激發源對螢光體試料照射，進行試料的螢光光譜測定。從所獲得之螢光光譜求取峰值波長。
作為實施例之合格的峰值波長為541.0nm以上。
<半值寬>
半值寬係利用分光光度計(大塚電子公司製MCPD-7000)測定。從利用在前述峰值波長之測定說明之「螢光光譜測定」所獲得之螢光光譜求取半值寬。
作為實施例之合格的半值寬為106.0nm以上。
<演色性指數(Ra)>
於本試驗中，演色性指數係為將螢光體裝入圖1所示之表面封裝型LED(白色LED)並作測定者，用平均演色評價數(Ra)作評價。
圖1的表面封裝型LED係使藍色LED晶片1連接於導電性端子6並設置於容器5的內側之底，將發光波長460nm的藍色LED晶片1藉導線3連接於其他的導電性端子7，使已摻合實施例1的螢光體2之作為密封樹脂4的環氧樹脂(上優雷克股份有限公司製NLD-SL-2101)流入容器5的內側並予以加熱硬化者。
平均演色評價數(Ra)係測定在此表面封裝型LED流通10mA的電流而產生的光之發光光譜者。
作為實施例之合格的平均演色評價數(Ra)為69.0以上。
<製造方法> (原料)
實施例1的螢光體的原料係如表1的原料組成欄所示，為Lu2O3(和光純藥工業股份有限公司製)60.48質量%、CeO2(和光純藥工業股份有限公司製、和光特級)5.81質量%、Al2O3(大明化學公司製TM-DAR等級)28.70質量%、S3N4(電氣化學工業公司製NP-400等級、含氧量0.96質量%)0.0053質量%、BaF2(和光純藥工業股份有限公司製)5.00質量%。原料係為將該等進行摻合、混合，並在混合後僅對通過網眼850μm的尼龍製篩者作分級。
(燒結工程)
將分級後的原料充填在內尺寸是直徑8cm×高度8cm之帶有蓋子的圓筒型氮化硼製容器(電氣化學工業公司製N-1等級)，以電爐在0.7MPa的加壓氮氣環境中藉由15小時1500℃的加熱處理進行燒結。
將燒結後的螢光體漸冷至室溫、粉碎，僅對通過網眼250μm之篩者作分級。將分級後的螢光體作為實施例1的螢光體。
[實施例2]
如表1所示，實施例2的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=5.00、d=0.01、e=12.15及f=0.013。實施例2的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例3]
如表1所示，實施例3的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=5.00、d=0.05、e=12.15及f=0.067。實施例3的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例4]
如表1所示，實施例4的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=5.00、d=0.095、e=12.15及f=0.127。實施例4的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例5]
如表1所示，實施例5的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=1.50、b=1.50、c=5.00、d=0.010、e=12.75及f=0.013。實施例5的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例6]
如表1所示，實施例6的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.95、b=0.05、c=5.00、d=0.010、e=12.025及f=0.013。實施例6的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例7]
如表1所示，實施例7的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.25、b=0.25、c=5.00、d=0.010、e=11.375及f=0.013。實施例7的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例8]
如表1所示，實施例8的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=3.15、b=0.35、c=5.00、d=0.010、e=12.925及f=0.013。實施例8的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例9]
如表1所示，實施例9的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=4.00、d=0.010、e=10.65及f=0.013。實施例9的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例10]
如表1所示，實施例10的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=7.00、d=0.010、e=15.15及f=0.013。實施例10的螢光體係用表1所示之原料組成與實施例1同樣方式製造。
[實施例11]
如表1所示，實施例11的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=1.50、b=1.50、c=5.00、d=0.010、e=12.75及f=0.013。實施例11的螢光體係為表1所示之原料組成且將作為助熔劑的BaF2之摻合比設為0.00者，其餘同實施例1那樣進行製造者。
實施例1~11的螢光體在外部量子效率、色度X、峰值波長、半值寬、及演色性指數(Ra)所有的評價項目中有良好的結果。該等實施例的螢光體係外部量子效率在63~78%的範圍、色度X在0.37~0.41的範圍、峰值波長在541~552nm的範圍、半值寬在106~116nm的範圍、及演色性指數(Ra)在69~73的範圍。
[其他實施例]
雖省略對表1記載，但實施例12的螢光體係為實施例1的螢光體之Lu的一部分以Y取代者，實施例13的螢光體係為實施例1的螢光體之Lu的一部分以Gd取代者。除了任一實施例的峰值波長都比起實施例1還要向長波長側移動並使色度X一併上昇以外，獲得與實施例1同樣的效果。
雖省略對表1記載，但實施例14的螢光體係為實施例1的螢光體的Ce的一部分以Eu取代者，實施例15的螢光體係為實施例1的螢光體的Ce的一部分以Mn取代者。均獲得了和實施例1同樣的效果。
雖省略對表1記載，但實施例16的螢光體係實施例1的螢光體的Al的一部分以Ga取代者，實施例17的螢 光體係實施例1的螢光體的Al的一部分以In取代者。均獲得了和實施例1同樣的效果。
雖省略對表1記載，但實施例18的螢光體係為在實施例1的燒結工程將F和Ba作為助熔劑成分導入於燒結爐內者、實施例19的螢光體係為在實施例1的燒結工程將F和Ca作為助熔劑成分導入於燒結爐內者。皆為促進螢光體的晶粒成長，在實施例18的外部量子效率為79.1，在實施例19的外部量子效率為78.8。實施例18、19之外部量子效率係為比實施例1還高之值。
[比較例1]
如表1所示，比較例1的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=5.00、d=0.00、e=12.15及f=0.00且使d和f的值從本發明範圍偏離者。比較例1的螢光體係除了表1所示之原料組成及將燒結工程的環境氣體設為以絶對壓力計之5.0Pa的真空環境氣體以外，其餘同實施例1那樣進行製造者。藉此差異將比較例1的螢光體的氧之比率設為0.00者。比較例1係在色度X、半值寬、演色性指數(Ra)方面不佳的螢光體。
[比較例2]
如表1所示，比較例2的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=5.00、d=0.20、e=12.15及f=0.267且使d的值從本發明範圍偏離者。比較例2的螢光體係為除了表1所示之原料組成以外，其餘同實施例1那樣進行製造者。比較例2係為在外部量子效率方面不佳的螢光體。
[比較例3]
如表1所示，比較例3的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=1.00、b=2.00、c=5.00、d=0.01、e=13.00及f=0.013且使a、b的值從本發明範圍偏離者。比較例3的螢光體係為除了表1所示之原料組成以外，其餘同實施例1那樣進行製造者。比較例3係為在外部量子效率方面不佳的螢光體。
[比較例4]
如表1所示，比較例4的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.99、b=0.01、c=5.00、d=0.01、e=12.005及f=0.013且使b的值從本發明範圍偏離者。比較例4的螢光體係為除了表1所示之原料組成以外，其餘同實施例1那樣進行製造者。比較例4係為在色度X、半值寬、演色性指數(Ra)方面不佳的螢光體。
[比較例5]
如表1所示，比較例5的螢光體在LuaCebAlcSidOeNf中係設成a=2.70、b=0.30、c=3.00、d=0.01、e=9.15及f=0.013且使c的值從本發明範圍偏離者。比較例5的螢光體係為除了表1所示之原料組成以外，其餘同實施例1那樣進行製造者。比較例5係在外部量子效率、色度X、半值寬、演色性指數(Ra)方面不佳的螢光體。
經比對表1的實施例1至實施例4及比較例1、比較例2可知，藉由含有Si和N，使得色度X變高、 峰值波長、半值寬變大、紅色成分的強度增大。但是Si和N過多時則外部量子效率顯著降低。
經比對表1的實施例2、實施例5、實施例6、比較例3、及比較例4可知，當氧化鈰過少時則色度X降低、峰值波長、半值寬變小、紅色成分的強度減少，而當氧化鈰增加則紅色成分的強度增加，當氧化鈰過多時則外部量子效率降低。
經比對表1的實施例2、實施例9、實施例10、及比較例5可知，當Al過少時則如同比較例5，當外部量子效率顯著降低時則色度X降低而引發紅色成分減少。
[實施例20]
如圖1所示，實施例20的發明為發光裝置，具有上述的螢光體和發光元件。實施例20的發光裝置係在螢光體使用實施例1至11時，發揮表1所示良好效果。
[實施例21]
實施例21的發明係照明裝置，雖圖示省略，但其為具有實施例20的發光裝置之燈泡型照明裝置。此照明裝置係在螢光體使用實施例1至11時，能發揮表1所示良好效果。
1‧‧‧藍色LED晶片(發光元件)
2‧‧‧螢光體
3‧‧‧導電線(接合線)
4‧‧‧密封樹脂
5‧‧‧容器(框體)
6‧‧‧導電性端子(導線架)
7‧‧‧其他的導電性端子(導線架)
10‧‧‧發光裝置

Claims (7)

  1. 一種螢光體，係由通式：LuaCebAlcSidOeNf所表示且具有石榴石結構，其中a至f滿足以下條件，1.50≦a≦3.15 0.05≦b≦1.50 2≦a+b≦4 4.0≦c≦7.0 0.0<d<0.1 7.0≦e≦16.0 0.001≦f≦1.0 10≦e+f≦16。
  2. 如請求項1之螢光體，其中前述Lu的一部分是被Y、Sc、La、Gd及Sm當中的一種以上所取代。
  3. 如請求項1或2之螢光體，其中前述Ce的一部分是被Pr、Nd、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Bi及Mn當中的一種以上所取代。
  4. 如請求項1至3中任一項之螢光體，其中前述Al的一部分是被Ga或In任一方或雙方所取代。
  5. 如請求項1至4中任一項之螢光體，其中具有在燒結時作為助熔劑成分之F、Cl、Li、Na、Mg、Nd、Ca、Ba及B當中的二種以上。
  6. 一種發光裝置，其具有：發光元件；及如請求項1至5中任一項之螢光體。
  7. 一種照明裝置，其具有如請求項6之發光裝置。
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