TW201432779A - 照光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供具備在發光管的上下外面上配置一對外部電極而成的準分子燈，以及收容該準分子燈同時於下方設光取出開口的外殼；前述一對外部電極之中與被處理體對向的下方的外部電極被施加低電壓，上方的外部電極被施加高電壓而成的照光裝置；防止因被形成於一對外部電極間的電場的影響，使被處理體上的配線圖案發生異常放電而受到損傷的構造。本發明的解決手段為在前述外殼的光取出開口，在前述高壓側的外部電極與被處理體之間，且在沿著前述準分子燈的長邊方向的位置，具備遮口被形成於前述高壓側的外部電極與前述低壓側的外部電極之間的電場之電場遮口構件。

Description

照光裝置
本發明係關於具有外部電極的準分子燈的照光裝置，特別是相關於對表面被形成細微的配線圖案的玻璃基板等被處理體照射紫外線進行處理之用的照光裝置。
於半導體基板或液晶基板等製造工程，作為除去附著於半導體基板之晶圓，或者是液晶基板之玻璃基板等被處理體的表面之有機化合物等污漬的方法，廣泛利用使用紫外線的乾式洗淨方法。特別是在使用真空紫外光的根據臭氧或活性氧的洗淨方法，使用更有效率地在短時間進行洗淨的照光裝置，例如日本特開2010-125368號公報(專利文獻1)係屬已知。
圖3、4係揭示於專利文獻1的照光裝置的概略構成圖。
照光裝置21，在鉛直方向的下方側具有光取出開口的金屬製的燈室(lamp house)22的內部，作為光源，被配置封入氙氣等發光氣體的準分子燈23。燈室22的天花板附近設有供供給惰性氣體之用的惰性氣體供給管 24,24。
前述準分子燈23，被配置於被夾於此氣體供給管24,24的空間的鉛直下方，於其更為下方有被處理體(工件)之玻璃基板W通過。
前述準分子燈23，於放電容器25的上下外面上具備一對外部電極26,27，中介著放電容器25內的放電空間而對向配置，於上方的外部電極26被施加高電壓作為高壓電極發揮機能，在與被處理體W對向的下方的外部電極27被施加低電壓而作為低壓電極發揮機能。接著，至少下方的外部電極27藉由網目構造等而具有透光性。
對這些外部電極26,27施加高頻高電壓的話，在放電容器25內產生氙氣的準分子發光，產生波長172nm的紫外線，由放電容器25的下方往位在外殼21的下方的被處理體W照射。
被處理體W，例如為液晶面板用的玻璃基板，以搬送輥等搬送的被處理體W到達準分子燈23的正下方時，照射來自該準分子燈23的真空紫外光。被處理體W的表面，藉由紫外線以及在周圍產生的活性氧等作用，使有機物被分解除去，洗淨後的被處理體W被搬出到外殼22的外部。
又，收容準分子燈23的外殼22的內部，為了極力抑制由燈所放射的紫外線的衰減的目的，透過氣體供給管24,24導入而填充氮氣氣體等惰性氣體。
然而，作為前述被處理體W採用液晶面板用玻璃基板等的場合，照光處理，在被加工為液晶面板用之前的狀態下進行，因此，於基板(被處理體)W，如圖4所示，於表面上會有以導電性物質形成的配線圖案30露出。這樣的場合，在前述照光裝置21藉由光照射來處理基板W時，會發生此導電性物質破損的情形。
針對這樣的損傷，經過本案發明人銳意調查的結果，徹底查明了原因在於藉由被施加至準分子燈23的外部電極26,27的高電壓，在燈的周圍被形成電場，而此電場影響到被處理體W。
針對此現象參照圖5、圖6進行說明。
圖5係表現在外殼22內配設準分子燈23的照光裝置21的作用之模式圖，外殼22，係以SUS板或鋁板構成，於其內部的下方收容準分子燈23。
設於準分子燈23的上下外面上的一對外部電極26,27間被施加高頻高電壓，但通常於準分子燈23的上方外部電極26施加高電壓，對向於被處理體W的下方外部電極27被施加低電壓。因此，於準分子燈23得上面側被形成強的電場X。
準分子燈23與被處理體W係被配置於接近的位置，此電場X的一部分，如圖5所示，其等電位線以到達準分子燈23的下方的被處理體W的位置為止的方式被形成。
圖6係將圖5所示的照光裝置的準分子燈23及弓箭W沿著工件W的搬送方向切段的部分擴大剖面 圖。
被形成於玻璃基板等被處理體W上的導電性物質的配線圖案30有各種各樣，近來多被形成細微的配線圖案，隨著基板上的導電性物質的配置狀態，如圖所示，會受到被施加於準分子燈23的高電壓導致的電場，藉由配線圖案30在鄰接的導電性物質間產生電位差，而會在此間產生異常放電Y。
結果，據推測導電性物質會瞬間放電(spark)而飛散、破損。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-125368號公報
本發明，有鑑於前述從前技術之問題點而完成之發明，目的在於提供在下方設有光取出開口的外殼內，收容著於放電容器的上下外面上具備一對外部電極的準分子燈而構成的照光裝置，使發生於上下外部電極間的電場的影像不會及於被處理體，防止在被處理體上的配線圖案產生異常放電，可以防止其破損之可信賴性高的照光裝置的構造。
為了解決前述課題，相關於本發明的照光裝置，特徵在於在前述外殼的光取出開口，在高壓側的外部電極與被處理體之間，且在沿著前述準分子燈的長邊方向的位置，具備遮口被形成於高壓側的外部電極與低壓側的外部電極之間的電場之電場遮口構件。
此外，特徵為前述電場遮口構件，被導電連接於前述外殼，透過該外殼接地。
此外，特徵為在前述外殼內，具備供給惰性氣體的氣體供給手段，前述電場遮口構件，具備使前述惰性氣體朝向前述被處理體流出的通風孔。
根據此發明之照光裝置，藉由被施加於準分子燈的高頻高電壓，被形成於一對外部電極間的電場的影響不會及於被處理體，所以可以達成即使處理表面上被形成導電性物質所構成的配線圖案的被處理體的場合，也不會在配線圖案間產生不希望的異常放電，可以防患構成配線圖案的導電性物質的損傷於未然的效果。
1‧‧‧照光裝置
2‧‧‧外殼
2a‧‧‧光取出開口
3‧‧‧準分子燈
4‧‧‧惰性氣體供給管
5‧‧‧放電容器
6‧‧‧高壓側外部電極
7‧‧‧低壓側外部電極
9‧‧‧外部電源
10‧‧‧電場遮口構件
11‧‧‧光取出窗
12‧‧‧通風孔
W‧‧‧工件
X‧‧‧電場
Y‧‧‧異常放電
圖1係本發明的照光裝置的剖面圖。
圖2係說明本發明的作用的剖面圖。
圖3係從前的照光裝置的剖面圖。
圖4係其一部分之擴大立體圖。
圖5係說明從前的照光裝置的作用之剖面圖。
圖6係其一部分之擴大剖面圖。
圖1係顯示本發明的照光裝置的構成之剖面圖。照光裝置1，在外殼2的內部被配設準分子燈3，於其下方被處理體W藉由搬送機構搬送，通過準分子燈3的正下方時，由該準分子燈3放射的紫外光，例如波長172nm的真空紫外光被照射於此被處理體，進行表面的乾式洗淨。
於前述外殼2內的上方的天花板部附近設有惰性氣體供給管4,4，氮氣等惰性氣體被導入外殼2內，被充填，抑制來自燈2的真空紫外光的衰減。
此外，前述外殼2的下端被形成取出來自準分子燈3的光的光取出開口2a。
準分子燈3，具備剖面成為平口的矩形形狀之放電容器5，於其內部，作為發光氣體，準分子放電用的氣體以特定的封入量被封入。作為發光氣體使用氙氣的場合，通常封入10~70kPa。
於此準分子燈3的放電容器5的上下外面上設有一對外部電極6,7，至少對向於被處理體W的下方的外部電極 7，藉由網目構造而具有透光性。
前述外部電極6,7被連接於外部電源9，以準分子燈3的上側的外部電極6成為高壓側，與被處理體W對向的下側的外部電極7成為低壓側的方式，被施加高頻高電壓。
於外殼2下端的光取出開口2a，設有電場遮口構件10。該電場遮口構件10為板狀構件所構成，準分子燈3的高壓側的外部電極6與被處理體W之間，且沿著前述準分子燈3的長邊方向設置，以遮口被形成於前述高壓側的外部電極6與前述低壓側的外部電極7之間的電場的方式設置。
於此實施例，前述電場遮口構件10，係在準分子燈3的放電容器5的下面側，且接近於放電容器5的側面沿著其長邊方向設置。於此電場遮口構件10，對應於準分子燈3被形成光取出窗11，所以來自前述準分子燈3的射出光由此光取出窗11照射於被處理體W。
此電場遮口(遮斷)構件10，構成與外殼2導電連接，透過該外殼3接地，總是在GND電位。
此外，如圖1所示，於外殼2設有惰性氣體供給管4,4的場合，採用於前述電場遮口構件10設置通風孔12而朝向被處理體W吹噴惰性氣體的方式亦可。此時，因應於準分子燈3的輸入電力等，有必要設定其大小與間距達到該準分子燈3產生的電場不會透過通風孔12漏出的程度。
根據圖2說明本發明的作用。準分子燈3的外部電極6,7間被施加高電壓時，於這些電極間6,7被形成電場X，但是藉由前述電場遮口構件10使其一部分被遮口而停留於外殼2內，不會及於被處理體W側。因此，即使於該被處理體W的表面上被形成配線圖案等導電性物質，在配線圖案間也不會產生電位差，不會產生異常的放電，所以對構成配線圖案的導電性物質的損傷可以防患於未然，可以對被處理體W照射特定的紫外光，安全地進行所期望的處理。
又，為了因應準分子燈3的不同用途關係而選擇由燈射出的射出光的波長，採用在放電容器5的內面塗布螢光體的構造亦可。
以下，關於相關於本發明的照光裝置1，例示具體的數值。
準分子燈3，放電容器5的全長為2100mm，寬幅方向的長度為42mm，高度方向的長度為15mm，構成放電容器5的石英玻璃的厚度為2.5mm。
在此，放電容器5的四個角落的彎曲部，具有1.5mm以上的曲率半徑R。
往準分子燈3的輸入負荷為2~3W/cm。
外殼2的全長為2300mm，高為50mm，寬幅為150mm。
惰性氣體的流量為300L/分鐘。若是此流量的話，外殼2內的氧濃度約為0.5~3%。
電場遮口板10，係材質SUS所構成的板狀體，板的厚度為0.5~2mm。此外，中央開口(光取出窗11)的尺寸例如為2100mm×45mm。
進而，電場遮口構件10與高壓側的外部電極6之距離約15mm，與低壓側的外部電極7的距離約為0~5mm。
此電場遮口構件10，例如以衝壓金屬形成，具備被形成鋸齒狀的圓孔所構成的通風孔12。通風孔12，舉出一例的話，孔的直徑為6mm，中心間距為8mm，開口率為51%，舉其他例的話，孔的直徑為1.5mm，中心間距為2mm，開口率同樣為51%。
如以上所說明的，於本發明，藉由在收容了準分子燈的外殼的光取出開口，在前述準分子燈的高壓側的外部電極與被處理體之間，具備遮口該高壓側的外部電極與低壓側的外部電極之間形成的電場的電場遮口構件，使得在一對外部電極間施加高頻高電壓時形成的電場的一部分藉由前述電場遮口構件遮口而不及於被處理體側，可以在被處理體上的配線圖案間不發生異常放電，可以防止其損傷。
1‧‧‧照光裝置
2‧‧‧外殼
2a‧‧‧光取出開口
3‧‧‧準分子燈
4‧‧‧惰性氣體供給管
5‧‧‧放電容器
6‧‧‧高壓側外部電極
7‧‧‧低壓側外部電極
9‧‧‧外部電源
10‧‧‧電場遮口構件
11‧‧‧光取出窗
12‧‧‧通風孔
W‧‧‧工件

Claims (3)

  1. 一種照光裝置，係具備於封入發光氣體的發光管的上下外面上配置一對外部電極而成的準分子燈，以及收容該準分子燈同時於下方設光取出開口的外殼；前述一對外部電極之中與被處理體對向的下方的外部電極被施加低電壓，上方的外部電極被施加高電壓而成的照光裝置；其特徵為：在前述外殼的光取出開口，在前述高壓側的外部電極與被處理體之間，且在沿著前述準分子燈的長邊方向的位置，具備遮口被形成於前述高壓側的外部電極與前述低壓側的外部電極之間的電場之電場遮口構件。
  2. 如申請專利範圍第1項之照光裝置，其中前述電場遮口構件，被導電連接於前述外殼，透過該外殼接地。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之照光裝置，其中於前述外殼內，具備供給惰性氣體的氣體供給手段，前述電場遮口構件，具備使前述惰性氣體朝向前述被處理體流出的通風孔。
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