TW201430926A

TW201430926A - 剝離系統

Info

Publication number: TW201430926A
Application number: TW102130607A
Authority: TW
Inventors: Osamu Hirakawa
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2012-09-07
Filing date: 2013-08-27
Publication date: 2014-08-01
Also published as: US20140069588A1; US8997821B2; KR101847661B1; JP5806185B2; KR20140032893A; TWI539510B; JP2014053463A

Abstract

[課題]提高生產率。[解決手段]實施形態之剝離系統係具備：第1處理區塊，對重合基板或剝離後之被處理基板進行處理；及第2處理區塊，對剝離後之支撐基板進行處理。第1處理區塊係具備剝離站，該剝離站設置有將藉由第1搬送裝置所搬送之重合基板剝離為被處理基板與支撐基板之剝離裝置。又，第2處理區塊係具備：第2洗淨站，設置有洗淨剝離後之支撐基板的第2洗淨裝置；及收授站，配置於第2洗淨站與剝離站之間，從剝離站接收剝離後之支撐基板並傳遞至第2洗淨站。

Description

剝離系統

所揭示之實施形態係關於剝離系統。

近年來，例如在半導體裝置之製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等之大直徑及薄型化的半導體基板正在發展中。大直徑且薄的半導體基板在搬送時或進行研磨處理時，有時會造成彎曲或破裂。因此，在半導體基板貼合支撐基板進行補強後，進行搬送或研磨處理，然後，進行使支撐基板由半導體基板剝離的處理。

例如，在專利文獻1中，揭示有以下之技術，亦即使用第1保持部且保持半導體基板的同時，使用第2保持部且保持支撐基板，藉由使第2保持部的外周部在垂直方向移動，使支撐基板由半導體基板剝離。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2012-69914號公報

半導體基板與支撐基板之剝離處理係如上述，剝離半導體基板與支撐基板後，各別洗淨該些半導體基板的接合面與支撐基板的接合面然後結束。但是，在上述之以往技術中，並未考慮到有效率且良好地進行關於一連串的剝離處理。

實施形態之一態樣係以提供能夠提高生產率之剝離系統為目的。

實施形態之一態樣之剝離系統係使接合有第1基板與第2基板之重合基板剝離為前述第1基板與前述第2基板之剝離系統。重合基板係配置於具有直徑大於重合基板之開口部之框架的開口部，且對設於開口部之膠帶黏貼第1基板的非接合面，藉此被保持於框架。又，剝離系統係具備：第1處理區塊，對重合基板或剝離後的第1基板進行處理；及第2處理區塊，對剝離後的第2基板進行處理。第1處理區塊係具備：搬入搬出站、第1搬送裝置、剝離站及第1洗淨站。在搬入搬出站中，載置有保持於框架之重合基板或剝離後的第1基板。第1搬送裝置係搬送剝離後之第1基板或載置於搬入搬出站之重合基板。在剝離站中，設置有剝離裝置，該剝離裝置係將藉由第1搬送裝置所搬送之重合基板剝離為第1基板與第2基板。在第1洗淨站中，設置有第1洗淨裝置，該第1洗淨裝置係在保持於框架的狀態下，洗淨藉由第1搬送裝置所搬送之剝離後的第1基板。又，第2處理區塊係具備：第2洗淨站、收授站、第2搬送裝置及搬出站。在第2洗淨站中，設置有洗淨剝離後之第2基板的第2洗淨裝置。收授站係配置在第2洗淨站與剝離站之間，從剝離站接收剝離後的第2基板並傳遞至第2洗淨站。第2搬送裝置係搬送藉由第2洗淨裝置所洗淨之第2基板。在搬出站中，載置有藉由第2搬送裝置所搬送的第2基板。

根據實施形態之一態樣，能夠提高生產率。

1‧‧‧剝離系統

5‧‧‧剝離裝置

10‧‧‧第1處理區塊

11‧‧‧搬入搬出站

12‧‧‧第1搬送區域

13‧‧‧待機站

14‧‧‧切割邊緣站

15‧‧‧剝離站

16‧‧‧第1洗淨站

20‧‧‧第2處理區塊

21‧‧‧收授站

22‧‧‧第2洗淨站

23‧‧‧第2搬送區域

24‧‧‧搬出站

30‧‧‧第1搬送裝置

40‧‧‧第2搬送裝置

50‧‧‧第3搬送裝置

60‧‧‧控制裝置

110‧‧‧第1保持部

111‧‧‧本體部

112‧‧‧吸附盤

130‧‧‧局部移動部

140‧‧‧移動機構

150‧‧‧第2保持部

160‧‧‧框架保持部

210‧‧‧測量部

220‧‧‧切入部

230‧‧‧位置調整部

F‧‧‧切割框

P‧‧‧切割帶

S‧‧‧支撐基板

T‧‧‧重合基板

W‧‧‧被處理基板

[圖1]圖1係表示第1實施形態之剝離系統之構成的模式平面圖。

[圖2]圖2係保持於切割框之重合基板的模式側視圖。

[圖3]圖3係保持於切割框之重合基板的模式平面圖。

[圖4]圖4係表示藉由剝離系統所執行之基板處理之處理步驟的流程圖。

[圖5A]圖5A係表示附有DF重合基板之搬送順路的模式圖。

[圖5B]圖5B係表示被處理基板及支撐基板之搬送順路的模式圖。

[圖6]圖6係表示第1實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。

[圖7A]圖7A係表示第1保持部之構成的模式立體圖。

[圖7B]圖7B係表示吸附盤之構成的模式平面圖。

[圖8A]圖8A係第1保持部之本體部的模式平面圖。

[圖8B]圖8B係第1保持部之本體部的模式平面圖。

[圖9]圖9係表示剝離處理之處理步驟的流程圖。

[圖10A]圖10A係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。

[圖10B]圖10B係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。

[圖10C]圖10C係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。

[圖10D]圖10D係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。

[圖10E]圖10E係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。

[圖11A]圖11A係表示第1洗淨裝置之構成的模式側視圖。

[圖11B]圖11B係表示第1洗淨裝置之構成的模式側視圖。

[圖11C]圖11C係表示洗淨治具之構成的模式平面圖。

[圖12]圖12係表示第3搬送裝置之構成的模式側視圖。

[圖13A]圖13A係表示第2洗淨裝置之構成的模式側視圖。

[圖13B]圖13B係表示第2洗淨裝置之構成的模式平面圖。

[圖14]圖14係表示第2實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。

[圖15]圖15係表示切入部之構成的模式立體圖。

[圖16]圖16係表示切入部之位置調整處理之處理步驟的流程圖。

[圖17A]圖17A係剝離裝置的動作說明圖。

[圖17B]圖17B係剝離裝置的動作說明圖。

[圖18A]圖18A係表示吸附盤之其他構成的模式平面圖。

[圖18B]圖18B係表示吸附盤之其他構成的模式平面圖。

[圖18C]圖18C係表示吸附盤之其他構成的模式平面圖。

以下，參閱添附圖面，對本申請案所揭示之剝離系統的實施形態進行詳細說明。另外，並不藉由以下所示之實施形態限定該發明。

(第1實施形態) <1.剝離系統>

首先，參閱圖1至圖3，說明第1實施形態之剝離系統的構成。圖1係表示第1實施形態之剝離系統之構成的模式平面圖。又，圖2及圖3係保持於切割框之重合基板的模式側面圖及模式平面圖。此外，在下述中為了明確位置關係，進而規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設為垂直向上方向。

圖1所示之第1實施形態之剝離系統1係將以黏著劑G接合有被處理基板W與支撐基板S之重合基板T(參閱圖2)剝離為被處理基板W與支撐基板S。

在下述中，如圖2所示，將被處理基板W之板面中經由黏著劑G與支撐基板S接合之側邊的板面稱作「接合面Wj」，將與接合面Wj相反側的板面稱作「非接合面Wn」。又，將支撐基板S之板面中經由黏著劑G與被處理基板W接合之側邊的板面稱作「接合面Sj」，將與接合面Sj相反側的板面稱作「非接合面Sn」。

被處理基板W係例如在矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板上形成複數個電子回路的基板，將形成有電子回路之側邊的板面設為接合面Wj。又，被處理基板W係例如藉由研磨處理非接合面Wn來予以薄型化。具體而言，被處理基板W之厚度約為20~100μm。

另一方面，支撐基板S係與被處理基板W大致相同直徑的基板，並支撐被處理基板W。支撐基板S之厚度約為650~750μm。能夠使用矽晶圓之其他玻璃基板等來作為支撐基板S。又，接合該些被處理基板W及支撐基板S的黏著劑G的厚度約為40~150μm。

如上述，被處理基板W非常薄且易破損，因此藉由切割框F更確實地進行保護。切割框F係如圖3所示，在中央具有大於重合基板T之直徑之開口部Fa之大致為矩形形狀的構件，以不鏽鋼的金屬予以形成。對於切割框F，以由背面堵塞開口部Fa的方式黏貼切割帶P，藉此，接合切割框F與重合基板T。

具體而言，在切割框F之開口部Fa配置重合基板T，並在被處理基板W之非接合面Wn及切割框F上黏貼切割帶P。藉此，重合基板T成為保持於切割框F的狀態。另外，重合基板T係被處理基板W位於下面，而支撐基板S位於上面的狀態下，被保持於切割框F(參閱圖2)。

第1實施形態之剝離系統1係如圖1所示，具備第1處理區塊10與第2處理區塊20。第1處理區塊10與第2處理區塊20係依第2處理區塊20及第1處理區塊10的順序，並排配置在X軸方向。

第1處理區塊10係藉由切割框F所保持之基板，具體而言係對重合基板T或剝離後之被處理基板W進行處理的區塊。第1處理區塊10係具備：搬入搬出站11、第1搬送區域12、待機站13、切割邊緣站14、剝離站15及第1洗淨站16。

又，第2處理區塊20係藉由切割框F而未被保持之基板，具體而言係對剝離後之支撐基板S進行處理的區塊。第2處理區塊20係具備：收授站21、第2洗淨站22、第2搬送區域23、搬出站24。

第1處理區塊10之第1搬送區域12與第2處理區塊20之第2搬送區域23係並排配置在X軸方向。又，在第1搬送區域12之Y軸負方向側，搬入搬出站11及待機站13係依搬入搬出站11及待機站13的順序，並排配置在X軸方向，在第2搬送區域23之Y軸負方向側配置有搬出站24。

又，在挾住第1搬送區域12且搬入搬出站11及待機站13的相反側中，剝離站15及第1洗淨站16係依剝離站15及第1洗淨站16的順序，並排配置在X軸方向。又，在挾住第2搬送區域23且搬入搬出站24的相反側中，收授站21及第2洗淨站22係依第2洗淨站22及收授站21的順序，並排配置在X軸方向。且，在第1搬送區域12之X軸正方向側，配置有切割邊緣站14。

首先，說明第1處理區塊10的構成。在搬入搬出站11中，收容有被保持於切割框F之重合基板T(以下，記載為「附有DF重合基板T」)的匣盒Ct及收容有剝離後之被處理基板W的匣盒Cw係在與外部之間被搬入搬出。在搬入搬出站11中設置有匣盒載置台，而在匣盒載置台中，設置有各別載置匣盒Ct，Cw之複數個匣盒載置板110a，110b。

在第1搬送區域12中，搬送附有DF重合基板T或剝離後之被處理基板W。在第1搬送區域12中，設置有搬送附有DF重合基板T或剝離後之被處理基板W之第1搬送裝置30。

第1搬送裝置30係具備搬送臂部與基板保持部之基板搬送裝置，其中，該搬送臂部係可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及將垂直方向作為中心旋轉，該基板保持部係被安裝於該搬送臂部的前端。第1搬送裝置30係利用基板保持部來保持基板，並藉由搬送臂部將由基板保持部所保持之基板搬送至所期望的位置。

另外，具備有第1搬送裝置30之基板保持部係藉由吸附或把持等來保持切割框F，藉此，使附有DF重合基板T或剝離後之被處理基板W保持為大致水平。

在待機站13中，配置有讀取切割框F之ID(Identification)之ID讀取裝置，藉由ID讀取裝置，能夠識別處理中的附有DF重合基板T。

在該待機站13中，不僅進行上述之ID讀取處理，並因應所需進行使等待處理之附有DF重合基板T暫時待機之待機處理。在待機站13中設有載置台，該載置台係載置有藉由第1搬送裝置30所搬送之附有DF重合基板T，在載置台上載置有ID讀取裝置與臨時待機部。

在切割邊緣站14中進行切割邊緣處理，該切割邊緣處理係藉由溶劑使黏著劑G(參閱圖2)之周緣部溶解並去除。藉由切割邊緣處理去除黏著劑G之周緣部，且能夠在後述的剝離處理中，輕易地剝離被處理基板W與支撐基板S。在切割邊緣站14中，設置切割邊緣裝置，該切割邊緣裝置係藉由使重合基板T浸漬在黏著劑G的溶劑，而藉由溶劑使黏著劑G之周緣部溶解。

在剝離站15中進行剝離處理，該剝離處理係將藉由第1搬送裝置30所搬送之附有DF重合基板T剝離為被處理基板W與支撐基板S。在剝離站15中設置有進行剝離處理之剝離裝置。後述係說明關於剝離裝置之具體的構成及動作。

在第1洗淨站16中進行剝離後之被處理基板W的洗淨處理。在第1洗淨站16中，設置有在保持於切割框F的狀態下洗淨剝離後之被處理基板W之第1洗淨裝置。後述係說明關於第1洗淨裝置之具體的構成。

在第1處理區塊10中，在待機站13進行切割框F的ID讀取處理，並在切割邊緣站14進行附有DF重合基板T的切割邊緣處理後，在剝離站15進行附有DF重合基板T的剝離處理。又，在第1處理區塊10中，在第1洗淨站16洗淨剝離後之被處理基板W後，將洗淨後之被處理基板W搬送至搬入搬出站11。然後，洗淨後的被處理基板W係從搬入搬出站11被搬出至外部。

接下來，說明第2處理區塊20的構成。在收授站21中，進行從剝離站15接收剝離後之支撐基板S並傳遞至第2洗淨站22的收授處理。在收授站21中，設置有以非接觸保持並搬送剝離後之支撐基板S的第3搬送裝置50，藉由第3搬送裝置50進行上述之收授處理。後述係說明關於第3搬送裝置50之具體的構成。

在第2洗淨站22中進行洗淨剝離後之支撐基板S的第2洗淨處理。在第2洗淨站22中，設置有洗淨剝離後之支撐基板S的第2洗淨裝置。後述係說明關於第2洗淨裝置之具體的構成。

在第2搬送區域23中，搬送藉由第2洗淨裝置所洗淨之支撐基板S。在第2搬送區域23中，設置有搬送支撐基板S之第2搬送裝置40。

第2搬送裝置40係具備搬送臂部與基板保持部之基板搬送裝置，其中，該搬送臂部係可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及將垂直方向作為中心旋轉，該基板保持部係被安裝於該搬送臂部的前端。第2搬送裝置40係利用基板保持部來保持基板，並藉由搬送臂部將由基板保持部所保持之基板搬送至搬出站24。另外，具備第2搬送裝置40之基板保持部係例如藉由從下方支撐支撐基板S，使支撐基板S保持為大致水平的夾盤等。

在搬出站24中，收容有支撐基板S之匣盒Cs係在與外部之間被搬入搬出。在搬出站24中設置有匣盒載置台，而在該匣盒載置台中，設有載置有匣盒Cs之複數個匣盒載置板240a，240b。

在第2處理區塊20中，剝離後之支撐基板S係由剝離站15經由收授站21被搬送至第2洗淨站22，並在第2洗淨站22被洗淨。然後，在第2處理區塊20中，將洗淨後之支撐基板S搬送至搬出站24，洗淨後之支撐基板S係由搬出站24被搬出至外部。

又，剝離系統1係具備控制裝置60。控制裝置60係控制剝離系統1之動作的裝置。控制裝置60係例如為電腦，具備未圖示之控制部與記憶部。在記憶部中，儲存有控制剝離處理等之各種處理的程式。控制部係藉由讀出記憶於記憶部的程式並執行，來控制剝離系統1之動作。

另外，程式係藉由電腦記錄於可讀取之記錄媒體者，亦可為由其記錄媒體安裝於控制裝置60之記憶部者。藉由電腦作為可讀取之記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

接下來，參閱圖4及圖5A，5B，說明上述之剝離系統1的動作。圖4係表示藉由剝離系統1所執行之基板處理之處理步驟的流程圖。又，圖5A係表示附有DF重合基板T之搬送順路的模式圖，圖5B係表示被處理基板W及支撐基板S之搬送順路的模式圖。另外，剝離系統1係根據控制裝置60的控制，來執行圖4所示之各處理步驟。

首先，配置於第1處理區塊10之第1搬送區域12的第1搬送裝置30(參閱圖1)，係根據控制裝置60的控制來進行將附有DF重合基板T搬入至待機站13的處理(參閱圖4之步驟S101、圖5A之T1)。

具體而言，第1搬送裝置30係使基板保持部進入搬入搬出站11，且保持收容於匣盒Ct之附有DF重合基板T並由匣盒Ct取出。此時，附有DF重合基板T係在被處理基板W位於下面，而支撐基板S位於上面的狀態下，從上方被保持於第1搬送裝置30之基板保持部。且，第1搬送裝置30係將由匣盒Ct所取出之附有DF重合基板T搬入至待機站13。

接下來，在待機站13中，ID讀取裝置係根據控制裝置60的控制，來進行讀取切割框F之ID的ID讀取處理(圖4之步驟S102)。藉由ID讀取裝置所讀取之ID被發送至控制裝置60。

接下來，第1搬送裝置30係根據控制裝置60的控制，由待機站13搬出附有DF重合基板T並搬送至切割邊緣站14(參閱圖5A之T2)。且，在切割邊緣站14中，切割邊緣裝置係根據控制裝置60的控制來進行切割邊緣處理(圖4之步驟S103)。藉由切割邊緣處理去除黏著劑G之周緣部，且在後段的剝離處理中，被處理基板W與支撐基板S會變得容易進行剝離。藉此，能夠縮短剝離處理所需的時間。

在第1實施形態之剝離系統1中，切割邊緣站14被組入至第1處理區塊10，因此，能夠利用第1搬送裝置30將被搬入至第1處理區塊10之附有DF重合基板T直接搬入至切割邊緣站14。因此，根據剝離系統1，能夠提高一連串基板處理的生產率。又，能夠輕易地管理從切割邊緣處理開始至剝離處理的時間，並能夠使剝離性能穩定化。

又，例如藉由裝置間的處理時間差等而產生等待處理之附有DF重合基板T的情況下，能夠利用設於待機站13之暫時待機部使附有DF重合基板T暫時待機，且能夠縮短一連串工程間的損失時間。

接下來，第1搬送裝置30係根據控制裝置60的控制，由切割邊緣站14搬出切割邊緣處理後之附有DF重合基板T，並搬送至剝離站15(參閱圖5A之T3)。且，在剝離站15中，剝離裝置係根據控制裝置60的控制來進行剝離處理(圖4之步驟S104)。

然後，在剝離系統1中，關於剝離後之被處理基板W的處理係在第1處理區塊10進行，關於剝離後之支撐基板S的處理係在第2處理區塊20進行。另外，剝離後之被處理基板W係藉由切割框F來予以保持。

首先，在第1處理區塊10中，第1搬送裝置30係根據控制裝置60的控制，由剝離裝置搬出剝離後之被處理基板W，並搬送至第1洗淨站16(參閱圖5B之W1)。

且，第1洗淨裝置係根據控制裝置60的控制，進行洗淨剝離後之被處理基板W之接合面Wj之被處理基板洗淨處理(圖4之步驟S105)。藉由被處理基板洗淨處理去除殘留於被處理基板W之接合面Wj的黏著劑G。

接下來，第1搬送裝置30係根據控制裝置60的控制，來進行被處理基板搬出處理，該被處理基板搬出處理係由第1洗淨裝置搬出洗淨後的被處理基板W且搬送至搬入搬出站11(參閱圖4之步驟S106、圖5B之W2)。然後，被處理基板W係從搬入搬出站11被搬出至外部並回收。藉此，結束對被處理基板W的處理。

另一方面，在第2處理區塊20中，同時進行步驟S105及步驟S106的處理，並進行步驟S107~S109的處理。

首先，在第2處理區塊20中，設置於收授站21之第3搬送裝置50係根據控制裝置60的控制，來進行剝離後之支撐基板S的收授處理(圖4之步驟S107)。

在該步驟S107中，第3搬送裝置50係由剝離裝置接收剝離後之支撐基板S(參閱圖5B之S1)，並將所接收之支撐基板S載置至第2洗淨站22的第2洗淨裝置(參閱圖5B之S2)。

在此，剝離後之支撐基板S係藉由剝離裝置成為保持上面側亦即非接合面Sn側的狀態，第3搬送裝置50係由下方以非接觸的方式來保持支撐基板S的接合面Sj側。且，第3搬送裝置50係將所保持之支撐基板S搬入至第2洗淨站22後，使支撐基板S反轉並載置至第2洗淨裝置。藉此，支撐基板S係以接合面Sj朝向上方的狀態載置於第2洗淨裝置。且，第2洗淨裝置係根據控制裝置60的控制，來進行洗淨支撐基板S之接合面Sj之支撐基板洗淨處理(圖4之步驟S108)。藉由支撐基板洗淨處理去除殘留於支撐基板S之接合面Sj的黏著劑G。

接下來，第2搬送裝置40係根據控制裝置60的控制，來進行支撐基板搬出處理，該支撐基板搬出處理係由第2洗淨裝置搬出洗淨後的支撐基板S，並搬送至搬出站24(參閱圖4之步驟S109、圖5B之S3)。然後，支撐基板S係從搬出站24被搬出至外部並回收。以此，結束對支撐基板S的處理。

因此，第1實施形態之剝離系統1係具備被保持在切割框F之基板用的前端(搬入搬出站11及第1搬送裝置30)與未被保持在切割框F之基板用的前端(搬出站24及第2搬送裝置40)之構成。藉此，可並列進行將洗淨後之被處理基板W搬送至搬入搬出站11的處理與將洗淨後之支撐基板S搬送至搬出站24的處理，因此能夠有效率地進行一連串的基板處理。

又，第1實施形態之剝離系統1係藉由收授站21連接有第1處理區塊10與第2處理區塊20。藉此，能夠由剝離站15直接取出剝離後之支撐基板S並搬入至第2處理區塊20，因此能夠平順地將剝離後之支撐基板S搬送至第2洗淨裝置。

因此，根據第1實施形態之剝離系統1，能夠提高一連串之基板處理的生產率。

<2.各裝置之構成> <2-1.剝離裝置>

接下來，具體說明具備有剝離系統1之各裝置之構成。首先，說明利用設置於剝離站15之剝離裝置的構成及剝離裝置而進行之附有DF重合基板T的剝離動作。圖6係表示第1實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。

如圖6所示，剝離裝置5係具備處理部100。在處理部100之側面形成有搬入搬出口(未圖示)，經由該搬入出口，附有DF重合基板T被搬入至處理部100或剝離後之被處理基板W及支撐基板S從處理部100被搬出。在搬入出口中例如設有開關閘門，藉由該開關閘門被分隔為處理部100與其他區域，且防止顆粒的進入。另外，各自在鄰接於第1搬送區域12之側面與鄰接於收授站21之側面設有搬入搬出口。

剝離裝置5係具備第1保持部110、上側基部120、局部移動部130、移動機構140。又，剝離裝置5係具備第2保持部150、框架保持部160、下側基部170、旋轉機構180。該些係被配置於處理部100的內部。

第1保持部110係藉由上側基部120由上方予以支撐。上側基部120係被支撐於移動機構140，移動機構140係使上側基部120沿垂直方向移動，藉此，第1保持部110沿垂直方向進行升降。

第2保持部150係配置於第1保持部110的下方，框架保持部160係配置於第2保持部150的外方。該些第2保持部150及框架保持部160係藉由下側基部170由下方予以支撐。下側基部170係被支撐於旋轉機構180，旋轉機構180係使下側基部170繞垂直軸旋轉，藉此，第2保持部150及框架保持部160繞垂直軸進行旋轉。

在剝離裝置5中，第1保持部110由上方保持附有DF重合基板T，且第2保持部150由下方保持附有DF重合基板T，局部移動部130係使第1保持部110之外周部的一部份移動至遠離第2保持部150的方向。藉此，剝離裝置5係能夠由其外周部朝向中心部，並從被處理基板W連續地剝離支撐基板S。以下，具體說明各構成要件。

第1保持部110係吸附保持構成附有DF重合基板T之支撐基板S的保持部。第1保持部110被後述之局部移動部130拉引時，以具有柔軟性之構件予以形成，以使其形狀能夠柔軟地進行變化。

在此，參閱圖7A及圖7B說明第1保持部110之具體的構成。圖7A係表示第1保持部110之構成的模式立體圖，圖7B係表示吸附盤之構成的模式平面圖。

如圖7A所示，第1保持部110係具備薄板狀之本體部111與黏貼於本體部111之表面的吸附盤112。本體部111係例如以板簧等彈性構件形成，吸附盤112係以樹脂構件形成。

本體部111係具有與附有DF重合基板T大致相同直徑之圓盤部111a，圓盤部111a的下面黏貼有吸附盤112。

在圓盤部111a的外周部設有拉伸部111b，在拉伸部111b的前端形成有用於安裝後述之局部移動部130之圓柱體(cylinder)132的安裝部111b1。

又，在圓盤部111a的外周部設有複數個固定部111c。固定部111c係設於與設置在後述之上側基部120之支撐構件121相對應的位置，並被固定於支撐構件121。第1保持部110係藉由固定部111c被固定於上側基部120之支撐構件121，在上側基部120予以支撐。

另外，在此，表示對圓盤部111a設有5個固定部111c時的例子，但設於圓盤部111a之固定部111c的個數並不限定於5個。

吸附盤112為形成有附有DF重合基板T之吸附區域之圓盤狀的樹脂構件。吸附盤112之吸附區域係如圖7B所示，由中心沿徑方向延伸之複數個直線L1，L2與複數個圓弧a1~a3，藉此分割為複數個個別領域R1~R4。

在各個別區域R1~R4中，分別形成有吸氣口113a~113d，各吸氣口113a~113d係經由圖6所示之吸氣管113，與真空泵等之吸氣裝置114連接。第1保持部110係藉由吸氣裝置114的吸氣，由各吸氣口113a~113d吸引構成附有DF重合基板T之支撐基板S，藉此，在每個別區域R1~R4吸附保持支撐基板S。

以此，將吸附盤112之吸附區域分割為複數個個別區域R1~R4，藉由在每個別區域R1~R4吸附保持支撐基板S，例如即使在一部份的個別區域中產生空氣滲漏時，亦能夠藉由其他的個別區域來適當地保持支撐基板S。

又，各個別區域R1~R4係設於進行方向d之前端側的個別區域形成為比設於剝離之進行方向d之基端側的個別區域大。例如，個別區域R1~R3係沿剝離的進行方向d，依個別區域R1、個別區域R2、個別區域R3之順序來配置，個別區域R2形成為比個別區域R1大且個別區域R3形成為比個別區域R2大。

吸附區域越小，其吸附區域中的吸附力將變大，因此藉由如上述構成，與其他個別區域R2~R4做比較，能夠增大配置於剝離之進行方向d之基端側之個別區域R1的吸附力。藉此，又，剝離之進行方向d之基端側的區域為剝離被處理基板W與支撐基板S時所需最大的力量的區域。因此，藉由提高區域的吸附力，能夠確實地剝離被處理基板W與支撐基板S。

又，沿著剝離之進行方向d並排形成各個別區域R1~R4之吸氣口113a~113d，藉此，在剝離動作中能夠更確實地保持支撐基板S。

另外，在此，雖將線L1，L2設為直線，但線L1，L2並不一定要是直線。又，在此，表示對各吸氣口113a~113d連接有1個吸氣裝置114時的例子，亦可在吸氣口113a~113d設置吸氣裝置。

返回圖6，繼續說明剝離裝置5的構成。上側基部120係經由空隙與第1保持部110對向配置在第1保持部110的上方。複數個支撐構件121係朝向第1保持部110突出設置在上側基部120的下面。藉由固定支撐構件121與第1保持部110的固定部111c，第1保持部110會成為支撐於上側基部120的狀態。

局部移動部130係使第1保持部110之外周部的一部份移動至遠離第2保持部150的方向。具體而言，局部移動部130係具備：本體部131，固定於上側基部120；圓柱體132，基端部固定於本體部131，藉由本體部131沿垂直方向升降。圓柱體132之前端部係被固定於拉伸部111b之安裝部111b1(參閱圖7A)，而該拉伸部111b設於第1保持部110的本體部111。

局部移動部130係利用本體部131使圓柱體132沿垂直上方移動，藉此，使固定於圓柱體132之拉伸部111b沿垂直上方移動。藉此，保持於第1保持部110之支撐基板S之外周部的一部份朝垂直上方移動，並從保持於第2保持部150之被處理基板W剝離。

又，局部移動部130中設有荷重元133，局部移動部130藉由荷重元133能夠檢測圓柱體132之負荷。局部移動部130係能夠根據荷重元133的檢測結果，控制支撐基板S之垂直向上的力量，並同時拉引第1保持部110。

其中，在第1實施形態之剝離裝置5中，使形成於第1保持部110之本體部111之複數個固定部111c中所有的固定部固定於支撐構件121或僅固定一部份，藉此，能夠調整局部移動部130之第1保持部110的移動量。關於該點，參閱圖8A及圖8B進行說明。圖8A及圖8B係第1保持部110之本體部111的模式平面圖。

例如，如圖8A所示，使所有設於第1保持部110之本體部111的5個固定部111c固定於支撐構件121時，第1保持部110可藉由局部移動部130進行移動的區域R係被限制在從剝離之進行方向d之基端開始至最靠近該基端之2個固定部111c的區域。對此，如圖8B所示，由設於剝離之進行方向d之基端側之2個固定部111c卸下支撐構件121，藉此，能夠使第1保持部110可藉由局部移動部130進行移動的區域R大於圖8A所示之狀況。

因此，固定部111c不僅具有將第1保持部110固定於上側基部120的功能，亦具有沿本體部111之外周部之圓周方向設有複數個並藉由固定於支撐構件121來限制以局部移動部130所引起之第1保持部110移動的功能。

返回圖6，繼續說明剝離裝置5的構成。在上側基部120之上方配置有移動機構140。移動機構140係具備：本體部141，固定於處理部100之天井部；驅動手段142，基端部固定於本體部141，並沿垂直方向升降。能夠使用例如馬達或氣缸等作為驅動手段142。驅動手段 142之前端部係固定於上側基部120。

移動機構140係利用本體部141使驅動手段142沿垂直上方移動，藉此，使固定於驅動手段142之上側基部120沿垂直方向移動。藉此，支撐於上側基部120之第1保持部110及局部移動部130將進行升降。

在第1保持部110的下方對向配置有第2保持部150。第2保持部150係經由切割帶P吸附保持構成附有DF重合基板T之被處理基板W。

第2保持部150係具備圓盤狀之本體部151與支撐本體部151之支柱構件152。支柱構件152係被支撐於下側基部170。

本體部151係例如以鋁等之金屬構件構成。在本體部151之上面設有吸附面151a。吸附面151a係與附有DF重合基板T大致相同直徑，與附有DF重合基板T之下面亦即被處理基板W之非接合面Wn抵接。該吸附面151a係例如以碳化矽等之多孔介質或多孔陶瓷形成。

在本體部151之內部形成有經由吸附面151a與外部連通之吸引空間151b。吸引空間151b係經由吸氣管153與真空泵等之吸氣裝置154連接。

第2保持部150係利用由吸氣裝置154之吸氣所產生之負壓，經由切割帶P使被處理基板W之非接合面Wn吸附於吸附面151a，藉此來保持被處理基板W。另外，使用多孔性卡盤作為第2保持部150為例，但並不限定於此。例如，亦可使用靜電夾盤作為第2保持部150。

在第2保持部150的外方配置有框架保持部160。框架保持部160係由下方保持切割框F。框架保持部160係具備：複數個吸附部161，吸附保持切割框F；支撐構件162，支撐吸附部161；移動機構163，固定於下側基部170，使支撐構件162沿垂直方向移動。

吸附部161係由橡膠等彈性構件形成，例如各別設置於例如圖3所示之切割框F的前後左右的4個部份。在該吸附部161中形成吸氣口(未圖示)，該吸氣口係經由支撐構件162及吸氣管164連接有真空泵等之吸氣裝置165。

框架保持部160係利用由吸氣裝置165之吸氣所產生之負壓吸附切割框F，藉此來保持切割框F。又，框架保持部160係在保持切割框F的狀態下，藉由移動機構163使支撐構件162及吸附部161沿垂直方向移動，藉此，使切割框F沿垂直方向移動。

下側基部170係被配置於第2保持部150及框架保持部160的下方，並支撐第2保持部150及框架保持部160。下側基部170係例如藉由固定於處理部100之地面的旋轉機構180予以支撐。藉由旋轉機構180使下側基部170繞垂直軸旋轉，藉此，支撐於下側基部170之第2保持部150及框架保持部160沿垂直軸進行旋轉。

接下來，參閱圖9及圖10A~10E，說明上述之剝離裝置5的動作。圖9係表示剝離處理之處理步驟的流程圖。又，圖10A~10E係基於剝離裝置5之剝離動作的說明圖。另外，剝離裝置5係根據控制裝置60的控制，來執行圖9所示之各處理步驟。

首先，剝離裝置5係利用框架保持部160，由下方吸附保持藉由第1搬送裝置30被搬入至剝離站15之附有DF重合基板T之切割框F(步驟S201)。此時，附有DF重合基板T為僅藉由框架保持部160予以保持之狀態(參閱圖10A)。

接下來，剝離裝置5係利用移動機構163(參閱圖6)，使框架保持部160下降(步驟S202)。藉此，附有DF重合基板T中的被處理基板W係經由切割帶P與第2保持部150抵接(參閱圖10B)。然後，剝離裝置5係利用第2保持部150吸附保持附有DF重合基板T(步驟S203)。藉此，附有DF重合基板T係將成為藉由第2保持部150保持被處理基板W，且藉由框架保持部160保持切割框F的狀態。

接下來，剝離裝置5係利用移動機構140，使第1保持部110下降(步驟S204)。藉此，附有DF重合基板T中的支撐基板S係經由切割帶P與第1保持部110抵接(參閱圖10C)。然後，剝離裝置5係利用第1保持部110吸附保持構成附有DF重合基板T之支撐基板S(步驟S205)。

接下來，剝離裝置5係利用局部移動部130拉引第1保持部110之外周部的一部份(步驟S206)。具體而言，局部移動部130係藉由圓柱體132之動作，使設於第1保持部110之本體部111之拉伸部111b沿垂直向上移動。藉此，附有DF重合基板T之外周部沿垂直向上被拉引，且支撐基板S係從其外周部朝向中心部並開始連續地從被處理基板W進行剝離(參閱圖10D)。

在此，如上述，第1保持部110係以具有柔軟性之構件形成，因此，局部移動部130使第1保持部110之拉伸部111b沿垂直向上拉引時，伴隨著拉引而柔軟地產生變形。藉此，剝離裝置5不會對被處理基板W造成大的負荷，而能夠使支撐基板S從被處理基板W剝離。

接下來，剝離裝置5係利用移動機構140，使第1保持部110上升(步驟S207)。藉此，支撐基板S由被處理基板W剝離。然後，剝離裝置5結束剝離處理。

另外，剝離裝置5係在剝離被處理基板W與支撐基板S後，亦可利用旋轉機構180使第2保持部150及框架保持部160旋轉。藉此，假設橫跨支撐基板S與被處理基板W存在有已黏貼之黏著劑G時，能夠擰斷黏著劑G。

剝離裝置5結束剝離處理時，第1搬送裝置30由剝離處理5搬出剝離後的被處理基板W，並搬送至第1洗淨站16。此時，剝離後之被處理基板W係如圖10E所示，在應洗淨之接合面Wj位在上面的狀態下，被保持於第2保持部150。因此，第1搬送裝置30由剝離裝置5搬出剝離後的被處理基板W後，能夠不使剝離後之被處理基板W反轉而維持該狀態搬送至第1洗淨站16。

以此，在第1實施形態之剝離裝置5中，第1保持部110由上方保持附有DF重合基板T中的支撐基板S，第2保持部150經由切割帶P由下方保持附有DF重合基板T中的被處理基板W。因此，根據剝離裝置5，不需使剝離後之被處理基板W反轉，而能夠提高剝離處理的效率。

又，基於第1實施形態之剝離裝置5係以具有柔軟性之構件形成第1保持部110，藉此，不會對被處理基板W造成大的負荷，而能夠使支撐基板S由被處理基板W剝離。因此，能夠有效率地進行支撐基板S與被處理基板W之剝離。

<2-2.第1洗淨裝置>

接下來，參閱圖11A~11C說明第1洗淨裝置之構成。圖11A及圖11B係表示第1洗淨裝置之構成的模式側視圖。又，圖11C係表示洗淨治具之構成的模式平面圖。

如圖11A所示，第1洗淨裝置70係具有處理容器71。在處理容器71的側面形成有被處理基板W之搬入搬出口(未圖示)，並在搬入出口設置有開關閘門(未圖示)。另外，在處理容器71內設有用於清洗內部環境之過濾器(未圖示)。

在處理容器71內的中央部配置有基板保持部72。基板保持部72係具有保持切割框F及被處理基板W 並使其旋轉之旋轉卡盤721。

旋轉卡盤721係具有水平的上面，在該上面例如設有吸引切割帶P之吸引口(未圖示)。且，藉由來自吸引口的吸引，經由切割帶P，在旋轉卡盤721上吸附保持被處理基板W。此時，被處理基板W係以其接合面Wj朝向上方的方式，被吸附保持於旋轉卡盤721。

在旋轉卡盤721之下方配置有具備例如馬達等之轉軸驅動部722。旋轉卡盤721係藉由轉軸驅動部722以預定速度進行旋轉。又，轉軸驅動部722係具備例如氣缸等之升降驅動源，而藉由升降驅動源使旋轉卡盤721升降。

在基板保持部72的周圍，配置有防止從被處理基板W飛散或落下之液體而進行回收之凹槽723。在凹槽723的下面，連接有排出已回收之液體的排出管724與對凹槽723內的環境進行排氣之排氣管725。

在基板保持部72之上方配置有用於洗淨被處理基板W之接合面Wj之洗淨治具73。洗淨治具73係對向配置在保持於基板保持部72之被處理基板W。在此，參閱圖11B及圖11C說明洗淨治具73之構成。

如圖11B及圖11C所示，洗淨治具73係具有大致為圓板形狀。在洗淨治具73之下面，以至少覆蓋被處理基板W之接合面Wj的方式，形成供給面731。另外，在本實施形態中，供給面731係形成為與被處理基板W之接合面Wj大致相同的大小。

在洗淨治具73的中央部，設有：溶劑供給部74，在供給面731及接合面Wj之間供給黏著劑G之溶劑例如稀釋劑；沖洗劑供給部75，用於供給溶劑的沖洗劑；惰性氣體供給部76，供給惰性氣體例如氮氣。溶劑供給部74、沖洗劑供給部75、惰性氣體供給部76係在洗淨治具73的內部進行匯流，並與形成於洗淨治具73之供給面731之供給口732連通。即，從溶劑供給部74至供給口732之溶劑的流路、從沖洗劑供給部75至供給口732之沖洗劑的流路、從惰性氣體供給部76至供給口732之惰性氣體的流路係各別貫穿於洗淨治具73的厚度方向。另外，在沖洗劑中，因應黏著劑G之主溶媒的成份而使用各種液體，例如使用純水或IPA(異丙基醇)。又，為了促使沖洗劑乾燥，因此在沖洗劑中使用揮發性高的液體為較佳。

在溶劑供給部74中，連接有供給管742，該供給管742係與在內部儲存溶劑之溶劑供給源741連通。在供給管742中設有包含控制溶劑流動之閥或流量調節部等之供給機器群743。在沖洗劑供給部75中，連接有供給管752，該供給管752係與在內部儲存沖洗劑之沖洗劑供給源751連通。在供給管752中設有包含控制沖洗劑流動之閥或流量調節部等之供給機器群753。在惰性氣體供給部76中，連接有供給管762，該供給管762係與在內部儲存惰性氣體之惰性氣體供給源761連通。在供給管762中設有包含控制溶劑流動之閥或流量調節部等之供給機器群763。

在洗淨治具73之外周部，設有用於吸引供給面731與接合面Wj之間之空隙的溶劑或沖洗劑的吸引部77。吸引部77係貫穿於洗淨治具73之厚度方向而設置。又，與洗淨治具73相同圓周上以等間隔例如在8個位置配置複數個吸引部77(參閱圖11C)。在各吸引部77中，連接有例如與真空泵等之負壓產生裝置771連通之吸氣管772。

如圖11A所示，為處理容器71之天花板面，在洗淨治具73之上方設有使洗淨治具73沿垂直方向及水平方向移動的移動機構78。移動機構78係具有：支撐構件781，支撐洗淨治具73；治具驅動部782，用於支撐支撐構件781，使洗淨治具73沿垂直方向及水平方向移動。

第1搬送裝置30係使已保持之被處理基板W載置於第1洗淨裝置70之旋轉卡盤721上。藉此，剝離後之被處理基板W係在接合面Wj位在上面的狀態下，被載置於旋轉卡盤721上。

且，第1洗淨裝置70係根據控制裝置60的控制，進行載置於基板保持部72上之被處理基板W的洗淨處理(第1洗淨處理)。

第1洗淨裝置70係首先利用旋轉卡盤721，吸附保持被處理基板W及切割框F。接下來，第1洗淨裝置70，係藉由移動機構78調整洗淨治具73之水平方向的位置後，使洗淨治具73下降至預定位置。此時，洗淨治具73之供給面731與被處理基板W之接合面Wj之間的距離，係被設定為如後述，在供給面731及接合面Wj間，黏著劑G之溶劑能夠藉由表面張力進行擴散的距離。

然後，第1洗淨裝置70係藉由旋轉卡盤721使被處理基板W旋轉，並由溶劑供給源741向溶劑供給部74供給溶劑。溶劑係由供給口732供給至供給面731及接合面Wj間的空間，在該空間中藉由溶劑的表面張力與被處理基板W之旋轉所引起的離心力，在被處理基板W之接合面Wj上進行擴散。此時，第1洗淨裝置70係藉由吸引部77適當地吸引溶劑，藉此，溶劑不流入至切割帶P上。藉此，能夠防止切割帶P之強度因溶劑而變弱。以此，溶劑被供給至被處理基板W之接合面Wj的整個面上。

然後，第1洗淨裝置70係使被處理基板W之接合面Wj浸泡於溶劑的狀態維持預定的時間例如數分鐘。如此，藉由溶劑去除殘留於接合面Wj之黏著劑G等雜質。

然後，第1洗淨裝置70係在旋轉卡盤721使被處理基板W旋轉時，繼續進行吸引部77之溶劑之吸引的狀態下，使洗淨治具73上升至預定位置。接下來，第1洗淨裝置70係由沖洗劑供給源751對沖洗劑供給部75供給沖洗劑。沖洗劑係邊與溶劑混合，邊藉由表面張力與離心力，在被處理基板W之接合面Wj上擴散。藉此，溶劑和沖洗劑之混合液被供給至被處理基板W之接合面Wj 的整個面上。

然後，在旋轉卡盤721使被處理基板W旋轉時，繼續進行基於吸引部77之吸引的狀態下，使洗淨治具73下降至預定位置。且，由惰性氣體供給源761經由惰性氣體供給部76及供給口732供給惰性氣體。惰性氣體係將溶劑與沖洗劑的混合液沖至被處理基板W的外側。藉此，溶劑與沖洗劑的混合液從吸引部77被吸引，並由被處理基板W之接合面Wj去除混合液。

然後，第1洗淨裝置70係旋轉卡盤721使被處理基板W旋轉時，繼續進行惰性氣體的供給，藉此來使被處理基板W乾燥。藉此，被處理基板W之洗淨處理(第1洗淨處理)結束。洗淨後之被處理基板W係藉由第1搬送裝置30從第1洗淨裝置70被搬出，並被搬送至搬入搬出站11之匣盒Cw。

<2-3.第3搬送裝置>

接下來，參閱圖12說明設置於收授站21之第3搬送裝置50的構成。圖12係表示第3搬送裝置50之構成的模式側視圖。

如圖12所示，第3搬送裝置50係具備保持被處理基板W之伯努利卡盤51。伯努利卡盤51係使氣體由設於吸附面之噴射口朝向被處理基板W之板面噴射，因應吸附面與被處理基板W之板面的間隔，利用伴隨著氣體流速進行變化所造成之負壓的變化，以非接觸狀態保持被處理基板W。

又，第3搬送裝置50係具備第1臂部52與第2臂部53與基部54。第1臂部52係沿水平方向延伸，並在前端部支撐伯努利卡盤51。第2臂部53係沿垂直方向延伸，並在前端部支撐第1臂部52的基端部。在第2臂部53之前端部，設有使第1臂部52繞水平軸旋轉之驅動機構，利用驅動機構使第1臂部52繞水平軸旋轉，藉此能夠使伯努利卡盤51反轉。

第2臂部53之基端部係由基部54予以支撐。在基部54中設有使第2臂部53旋轉及升降之驅動機構。利用驅動機構並使第2臂部53旋轉或升降，藉此，能夠使伯努利卡盤51繞垂直軸旋轉或升降。

第3搬送裝置50係構成為如上述，根據控制裝置60的控制，進行從剝離裝置5接收剝離後之支撐基板S並傳遞至第2洗淨裝置80的收授處理。

具體而言，第3搬送裝置50係利用伯努利卡盤51，從下方保持支撐基板S，該支撐基板S係從上方藉由剝離裝置5之第1保持部110予以保持。藉此，支撐基板S係在非接合面Sn朝向上方的狀態下，被保持於伯努利卡盤51。接下來，第3搬送裝置50係藉由使第2臂部53繞垂直軸旋轉，使伯努利卡盤51旋轉。藉此，保持於伯努利卡盤51之支撐基板S係由剝離站15經由收授站21，移動至第2洗淨站22。

接下來，第3搬送裝置50係藉由使第1臂部 52繞水平軸旋轉，使伯努利卡盤51反轉。藉此，支撐基板S成為非接合面Sn朝向下方的狀態。且，第3搬送裝置50係藉由使第2臂部53下降來使伯努利卡盤51下降，並將保持於伯努利卡盤51之支撐基板S載置至第2洗淨裝置。藉此，支撐基板S係在接合面Sj朝向上方的狀態下被載置至第2洗淨裝置，並藉由第2洗淨裝置洗淨接合面Sj。

<2-4.第2洗淨裝置>

接下來，參閱圖13A及圖13B說明設置於第2洗淨站22之第2洗淨裝置的構成。圖13A係表示第2洗淨裝置之構成的模式側視圖，圖13B係表示第2洗淨裝置之構成的模式平面圖。

如圖13A所示，第2洗淨裝置80係具有處理容器81。在處理容器81之側面形成有支撐基板S之搬入搬出口(未圖示)，並在該搬入出口設有開關閘門(未圖示)。

在處理容器81內的中央部，配置有保持支撐基板S且使其旋轉之旋轉卡盤82。旋轉卡盤82係具有水平的上面，在上面設有吸引支撐基板S之吸引口(未圖示)。藉由來自該吸引口之吸引，支撐基板S係在旋轉卡盤82上被吸附保持。

在旋轉卡盤82之下方配置有具備例如馬達等之轉軸驅動部83。轉軸驅動部83係以預定速度使旋轉卡盤82旋轉。又，在轉軸驅動部83中設有例如氣缸等之升降驅動源，旋轉卡盤82可自由地進行升降。

在旋轉卡盤82的周圍，配置有防止從支撐基板S飛散或落下之液體並進行回收之凹槽84。在凹槽84的下面，連接有排出已回收之液體之排出管841與對凹槽84內之環境進行真空拉製並排氣的排氣管842。

如圖13B所示，在處理容器81中設有導軌85，在導軌85中安裝有臂部86之基端部。又，在臂部86之前端部中，支撐有向支撐基板S供給洗淨液例如有機溶劑之洗淨液噴嘴87。

臂部86係藉由噴嘴驅動部861，在導軌85上自由移動。藉此，洗淨液噴嘴87係能夠從設置於凹槽84之側邊的待機部88移動至凹槽84內之支撐基板S的中心部上方，且更能夠在支撐基板S上沿支撐基板S之徑方向移動。又，臂部86係藉由噴嘴驅動部861自由升降，藉此，能夠調節洗淨液噴嘴87的高度。

在洗淨液噴嘴87中，如圖13A所示，連接有向洗淨液噴嘴87供給洗淨液之供給管891。供給管891係與在內部儲存洗淨液之洗淨液供給源892連通。在供給管891中設有包含控制洗淨液流動之閥或流量調節部等之供給機器群893。

第2洗淨裝置80係構成為如上述，根據控制裝置60的控制，進行藉由第3搬送裝置50所搬送之支撐基板S的洗淨處理(第2洗淨處理)。

具體而言，剝離後的支撐基板S係在藉由第3 搬送裝置50使接合面Sj朝向上方的狀態下，被載置於第2洗淨裝置80之旋轉卡盤82。第2洗淨裝置80係利用旋轉卡盤82吸附保持支撐基板S後，使旋轉卡盤82下降至預定位置。接下來，藉由臂部86使待機部88之洗淨液噴嘴87移動至支撐基板S之中心部的上方。然後，藉由旋轉卡盤82使支撐基板S旋轉，並同時由洗淨液噴嘴87向支撐基板S的接合面Sj供給洗淨液。所供給之洗淨液係藉由離心力擴散至支撐基板S之接合面Sj的整個面上，並洗淨接合面Sj。

洗淨後之支撐基板S係藉由第2搬送裝置40從第2洗淨裝置80被搬出，並被收容至搬出站24之匣盒Cs。

另外，在旋轉卡盤82的下方，亦可設有用於從下方支撐支撐基板S並使其升降的升降銷(未圖示)。該情況下，升降銷係貫穿形成於旋轉卡盤82之貫穿孔(未圖示)，並可由旋轉卡盤82的上面突出。且，使升降銷進行升降來代替使旋轉卡盤82進行升降，並在旋轉卡盤82之間進行支撐基板S的收授。

又，在第2洗淨裝置80中，亦可在旋轉卡盤82的下方設有朝向支撐基板S之背面亦即非接合面Sn(參閱圖2)噴射洗淨液之背面沖洗噴嘴(未圖示)。藉由從該背面沖洗噴嘴所噴射之洗淨液，洗淨支撐基板S之非接合面Sn與支撐基板S的外周部。

如上述，第1實施形態之剝離系統1係具備：第1處理區塊10，對附有DF重合基板T或剝離後之被處理基板W進行處理；第2處理區塊20，對剝離後之支撐基板S進行處理。

第1處理區塊10係具備：搬入搬出站11、第1搬送裝置30、剝離站15及第1洗淨站16。在搬入搬出站11中，載置有保持於切割框F之附有DF重合基板T或剝離後之被處理基板W。第1搬送裝置30係搬送剝離後之被處理基板W或載置於搬入搬出站11之附有DF重合基板T。在剝離裝置15中設置有剝離裝置5，該剝離裝置5係將藉由第1搬送裝置30所搬送之附有DF重合基板T剝離為被處理基板W與支撐基板S。在第1洗淨站16中，設置有第1洗淨裝置70，該第1洗淨裝置70係在保持於切割框F的狀態下，洗淨藉由第1搬送裝置30所搬送之剝離後的被處理基板W。

又，第2處理區塊20係具備：第2洗淨站22、收授站21、第2搬送裝置40及搬出站24。在第2洗淨站22中，設置有洗淨剝離後之支撐基板S的第2洗淨裝置80。收授站21係配置在第2洗淨站22與剝離站15之間，從剝離站15接收剝離後之支撐基板S並傳遞至第2洗淨站22。第2搬送裝置40係搬送藉由第2洗淨裝置80所洗淨之支撐基板S。在搬出站24中，載置有藉由第2搬送裝置40所搬送的支撐基板S。

且，剝離系統1係藉由收授站21連接有第1處理區塊10及第2處理區塊20。因此，根據第1實施形態之剝離系統1，能夠提高包含剝離處理及洗淨處理之一連串之基板處理的生產率。

又，第1實施形態之剝離裝置5係具備第1保持部110、第2保持部150及移動機構140。第1保持部110係從上方保持附有DF重合基板T中的支撐基板S。第2保持部150係經由切割帶P由下方保持附有DF重合基板T中的被處理基板W。移動機構140係使第1保持部110移動至遠離第2保持部150的方向。因此，根據剝離裝置5，不需使剝離後之被處理基板W反轉，因此能夠提高剝離處理的效率。

又，第1實施形態之剝離裝置5係具備第1保持部110、第2保持部150及局部移動部130。第1保持部110係保持接合有支撐基板S與被處理基板W之附有DF重合基板T中的支撐基板S。第2保持部150係保持附有DF重合基板T中的被處理基板W。局部移動部130係使第1保持部110之外周部的一部份移動至遠離第2保持部150的方向。且，第1保持部110係以具有柔軟性之構件形成。因此，根據剝離裝置5，能夠有效率地進行支撐基板S與被處理基板W之剝離。

(第2實施形態)

在上述之剝離裝置中，為了進一步促使附有DF重合基板T的剝離，因此，亦可利用例如刀具等銳利構件切入附有DF重合基板T的側面。在下述，說明利用銳利構件切入附有DF重合基板T之側面的情況。

圖14係表示第2實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。另外，在下述之說明中，針對與已進行說明之部份相同處標示與已進行說明之部份相同的符號，並省略重複的說明。

如圖14所示，第2實施形態之剝離裝置5A係除了第1實施形態之剝離裝置5的構成，更具備測量部210、切入部220及位置調整部230。測量部210及位置調整部230係例如被設於上側基部120，切入部220係在附有DF重合基板T之側邊，藉由位置調整部230予以支撐。

測量部210例如為雷射位移計，測量從預定之測定基準位置至第2保持部150之保持面的距離或介於測定基準位置與第2保持部150之保持面之間之物體的距離。基於測量部210之測量結果被發送至控制裝置60(參閱圖1)。

切入部220係對被處理基板W與支撐基板S之接合部份亦即黏著劑G的部份進行切入。在此，參閱圖15說明切入部220之構成。圖15係表示切入部220之構成的模式立體圖。

如圖15所示，切入部220係具備本體部221、銳利構件222、及氣體噴出部223。

本體部221係配合重合基板T等之基板的側面而形成為弓形。在本體部221之右側部221R中，經由固定部224安裝有銳利構件222，在中央部221C安裝有氣體噴出部223。

銳利構件222例如為刀具，以前端朝向附有DF重合基板T並突出的方式，支撐於位置調整部230。使銳利構件222進入被處理基板W與支撐基板S之接合部份亦即黏著劑G，藉由切入至黏著劑G，能夠形成附有DF重合基板T之剝離的起點。

在第2實施形態中，銳利構件222為單刃之刀具，形成夾角(included angle)之傾斜面設於上面側亦即支撐基板S側。以此，使銳利構件222之傾斜面朝向支撐基板S側，換言之，藉由使銳利構件222之平坦面朝向被處理基板W側，使銳利構件222進入黏著劑G時，能夠抑制對作為產品基板之被處理基板W的損傷。

另外，能夠利用剃刀刀片或輥刀或超音波切刀等來作為刀具。又，藉由利用陶瓷樹脂系之刀具或塗覆有氟之刀具，能夠抑制對附有DF重合基板T切入時所產生的顆粒。固定部224係對右側部221R自由裝卸，切入部220係藉由更換固定部224，能夠輕易地交換銳利構件222。

另外，在此係表示僅在本體部221之右側部221R安裝銳利構件222時的例子，切入部220係可在本體部221之左側部221L亦可具備銳利構件222。切入部220係亦可在右側部221R與左側部221L，具備不同種類的銳利構件222。

氣體噴出部223係朝向藉由銳利構件222所切入之接合部份的切入處，噴出空氣或惰性氣體等氣體。亦即，氣體噴出部223係從基於銳利構件222之切入處向附有DF重合基板T的內部注入氣體，藉此，進一步促進附有DF重合基板T的剝離。

回到圖14，說明位置調整部230。位置調整部230係具備驅動裝置231與荷重元232。驅動裝置231係使切入部220沿垂直方向或水平方向移動。位置調整部230係利用驅動裝置231使切入部220朝向垂直方向移動，藉此，調整朝向切入部220之黏著劑G的切入位置。又，位置調整部230係利用驅動裝置231使切入部220朝向水平方向移動，藉此，使銳利構件222之前端進入黏著劑G。又，荷重元232係檢測關於切入部220之負荷。

銳利構件222進入黏著劑G係利用上述驅動裝置231及荷重元232來予以控制，關於該點如後所述。

又，第2實施形態之控制裝置60(參閱圖1)係記憶關於在未圖示之記憶部藉由外部裝置所事先取得之附有DF重合基板T之厚度的資訊(以下，記載為「事前厚度資訊」)。在事前厚度資訊中，包含有附有DF重合基板T之厚度、被處理基板W之厚度、支撐基板S之厚度、黏著劑G之厚度及切割帶P之厚度。

控制裝置60係根據從測量部210所取得之測量結果與記憶於記憶部之事前厚度資訊，來決定切入部220之切入位置，以使其落在黏著劑G的厚度範圍內。且，控制裝置60係控制位置調整部230並使切入部220移動，以使銳利構件222之前端位於所決定的切入位置。位置調整處理之具體的內容如後所述。

框架保持部160係如圖14所示，在低於第2保持部150的位置保持切割框F。藉此，能夠朝向保持於第2保持部150之附有DF重合基板T，並確保用於切入部220進行移動的空間。

接下來，參閱圖16、圖17A，17B說明第2實施形態之剝離裝置5A所執行之切入部220的位置調整處理。圖16係表示切入部220之位置調整處理之處理步驟的流程圖。又，圖17A及圖17B係剝離裝置5A的動作說明圖。另外，剝離裝置5A係根據控制裝置60的控制，執行圖16所示之各處理步驟。

如圖16所示，剝離裝置5A係首先進行切入部診斷處理(步驟S301)。在切入部診斷處理中，利用測量部210來診斷銳利構件222是否損傷(例如刻痕等)。

具體而言，如圖17A所示，剝離裝置5A係利用位置調整部230使切入部220向水平方向移動，並同時利用測量部210測量至銳利構件222之上面的距離D1，且將測量結果發送至控制裝置60。且，控制裝置60係例如距離D1之變化率超過預定範圍時或利用新品之銳利構件222來事先測量之基準距離與距離D1的誤差超過預定範圍時，判定銳利構件222為損傷狀態。

在步驟S301之切入部診斷處理中，銳利構件 222被判定為損傷狀態時(步驟302，Yes)，剝離裝置5A會中止接下來的處理(步驟S303)。以此，剝離裝置5A係根據使切入部220水平移動時從測定基準位置至切入部220之距離D1的變化，來檢測銳利構件222的損傷。藉此，利用已損傷之銳利構件222朝附有DF重合基板T切入，藉此，能夠事先防止對被處理基板W造成損害。

另一方面，在步驟S301之切入部診斷處理中，未檢測出銳利構件222之損傷時(步驟S302，No)，剝離裝置5A係利用測量部210來測量至第2保持部150之保持面的距離D2(參閱圖17B)(步驟S304)。此時，在剝離裝置5A中係未搬入附有DF重合基板T的狀態。

另外，圖17B所示之附有DF重合基板T之厚度D4、被處理基板W之厚度D4w、黏著劑G之厚度D4g、支撐基板S之厚度D4s及切割帶P之厚度D4p，係作為事前厚度資訊被記憶於控制裝置60之記憶部的資訊。

接下來，剝離裝置5A係利用框架保持部160，由下方吸附保持藉由第1搬送裝置30搬入至剝離站15之附有DF重合基板T之切割框F(步驟S305)。且，剝離裝置5A係利用移動機構163(參閱圖6)，使框架保持部160下降(步驟S306)。藉此，附有DF重合基板T中的被處理基板W係經由切割帶P與第2保持部150抵接。然後，剝離裝置5A係利用第2保持部150吸附保持附有DF重合基板T(步驟S307)。藉此，附有DF重合基板T係藉由第2保持部150保持被處理基板W，且藉由框架保持部 160保持切割框F的狀態。

然後，剝離裝置5A係測量藉由第2保持部150所吸附保持之附有DF重合基板T的上面亦即至支撐基板S之非接合面Sn的距離D3(參閱圖17B)(步驟S308)。測量結果被發送至控制裝置60。控制裝置60係對由測量部210之測量結果所計算出之附有DF重合基板T之厚度(D2-D3)與包含事前厚度資訊之附有DF重合基板T之厚度(D4)的差是否落在預定範圍內進行判定。

在此，由測量部210之測量結果所計算出之附有DF重合基板T之厚度(D2-D3)與事前厚度資訊(D4)的誤差超過預定範圍時，例如會有本來應該被搬入之附有DF重合基板T卻錯誤搬入不同之附有DF重合基板T的可能性。在這樣的情況，根據事前厚度資訊所計算出之黏著劑G之厚度範圍會從實際的厚度範圍產生偏差，銳利構件222之前端與被處理基板W或支撐基板S接觸，恐怕會造成被處理基板W或支撐基板S損傷。因此，利用測量部210之測量結果所計算出之附有DF重合基板T之厚度與包含事前厚度資訊之附有DF重合基板T之厚度的誤差超過預定範圍內時(步驟S309，No)，剝離裝置5A會中止接下來的處理(步驟S303)。

另一方面，與事前厚度資訊之誤差落在預定範圍內時(步驟309，Yes)，控制裝置60係根據事前厚度資訊來計算作為被處理基板W與支撐基板S之接合部份之黏著劑G的厚度範圍。

例如，如圖17B所示，將從測量部210之測定基準位置至第1保持部110之保持面亦即吸附盤112之下面的距離設為D5，藉由第1保持部110吸附保持附有DF重合基板T時黏著劑G之厚度範圍為D5+D4w~D5+D4w+D4g。且，控制裝置60在厚度範圍內決定切入部220之切入位置。例如，控制裝置60係將上述厚度範圍中央的D5+D4w+D4g/2決定為切入位置。另外，從測定基準位置至本體部111之下面的距離D5係事先被記憶於未圖示之記憶部者。

藉由控制裝置60決定切入部220之切入位置時，剝離裝置5A係根據控制裝置60的控制，利用位置調整部230使切入部220移動，藉此，將切入部220之切入位置調整在黏著劑G之厚度範圍內(步驟S310)。亦即，剝離裝置5A係利用位置調整部230，使切入部220沿垂直方向移動，以使銳利構件222之前端位於藉由控制裝置60所決定之切入位置。

然後，剝離裝置5A係進行圖9之步驟S204以後的處理。且，剝離裝置5A係在步驟S206，利用局部移動部130拉引第1保持部110之外周部的一部份時，利用位置調整部230使切入部220水平移動，藉此，使銳利構件222進入黏著劑G。藉此，切入至作為被處理基板W與支撐基板S之接合部份的黏著劑G中，促進基於局部移動部130之附有DF重合基板T的剝離。

另外，銳利構件222進入黏著劑G的距離係例如為2mm左右。又，使銳利構件222進入黏著劑G之時序係亦可在步驟S205與步驟S206之間，亦可在步驟S206與步驟S207之間，亦可與步驟S206同時。

又，如上述，銳利構件222進入黏著劑G係利用上述驅動裝置231及荷重元231來予以控制。具體而言，銳利構件222係藉由驅動裝置231以預定速度進入黏著劑G。又，切入開始位置(銳利構件222之前端接觸於黏著劑G的位置)係藉由荷重元232來檢測，從切入開始位置利用所事先設定的量、驅動裝置231使銳利構件222進入。

以此，第2實施形態之剝離裝置5A係基於切入部220朝黏著劑G切入，藉此，能夠形成附有DF重合基板T之剝離的起點。

又，第2實施形態之剝離裝置5A係根據測量部210之測量結果與事前厚度資訊來調整切入部220之位置，因此能夠使銳利構件222之前端更確實進入黏著劑G。

亦即，由於被處理基板W、支撐基板S及黏著劑G非常薄，因此難以用肉眼進行切入部220的定位。對此，若利用測量部210，則能夠輕易且正確地檢測黏著劑G之位置，並對切入部220之切入位置進行定位。又，亦考慮藉由基於攝相機等之畫像辨識來確認切入位置，但重合基板T等之基板的側面部為曲面而難以聚焦且有來自基板的反射，而黏著劑G亦為透明，因此難以藉由畫像辨識來確認黏著劑G的位置。對此，若使用測量部210，則不會產生如上述的問題點，而能夠輕易確認黏著劑G的位置。

又，切入部220係在利用從測定基準位置至第2保持部150之保持面的距離D2和從測定基準位置至保持於第1保持部110之附有DF重合基板T的距離D3所計算出的附有DF重合基板T之厚度與事先取得之附有DF重合基板T之厚度的差為預定範圍時，對黏著劑G進行切入。藉此，能夠事先防止因銳利構件222所造成被處理基板W或支撐基板S的損傷。

另外，在此，說明銳利構件222為單刃之刀具時的例子，銳利構件亦可為雙刃之刀具。又，不必非要是刀具，亦可為皮下針等之管狀的針體或鋼絲等。

其中，第2實施形態之剝離裝置5A係亦能夠利用測量部210檢測第2保持部150之傾斜。具體而言，剝離裝置5A係藉由旋轉機構180使第2保持部150旋轉，並同時測量從測定基準位置至第2保持部150之保持面的距離D2(參閱圖17B)。且，剝離裝置5A係距離D2之變化量大於預定量時，例如大於20μm時，判定第2保持部150之保持面為傾斜狀態，並中止接下來的處理。

以此，剝離裝置5A係亦能夠根據從使第2保持部150旋轉時的測定基準位置至第2保持部150之保持面之距離D2的變化，來檢測第2保持部150之保持面的傾斜。

第2保持部150之保持面為傾斜的情況下，在利用事前厚度資訊所計算出之黏著劑G的厚度範圍與實際的黏著劑G的厚度範圍中會產生誤差，且會有無法使銳利構件222適切進入黏著劑G的可能性。在此，第2保持部150之保持面為傾斜的情況下，能夠藉由中止其後接下來的處理，來事先防止因銳利構件222所造成被處理基板W或支撐基板S的損傷。另外，亦可在附有DF重合基板T被搬入至剝離裝置5A之前，進行檢測第2保持部150之傾斜的處理。

(第3實施形態)

接著，說明上述之剝離裝置具備吸附盤112(參閱圖7B)時的例子，該吸附盤112係藉由第1保持部從中心沿徑方向延伸之複數條線與複數條圓弧來分割吸附區域。但是，具備有第1保持部之吸附盤的構成並不限於此。在此，於下述參閱圖18A~18C說明具備有第1保持部之吸附盤之其他構成例。圖18A~18C係表示吸附盤之其他構成例的模式平面圖。

如圖18A所示，吸附盤112A的吸附區域係亦可對剝離之進行方向d以正交的線來分割。在圖18A所示之例子中，吸附盤112A的吸附區域係對剝離之進行方向d，藉由正交之2條直線L3，L4分割為個別區域R5~R7。

因此，吸附盤的吸附區域係亦可對剝離之進行方向以正交線來分割。另外，該構成之吸附盤係從一方向進行剝離的情況為最佳。

另外，與圖7B所示之吸附盤112相同，在吸附盤112A之各個別區域R5~R7中，各別形成有吸氣口114a~114c，各吸氣口114a~114c係經由吸氣管連接至吸氣裝置。藉此，與圖7B所示之吸附盤112相同，能夠適切地保持支撐基板S。

又，與圖7B所示之吸附盤112相同，各個別區域R5~R7係設於進行方向d之前端側的個別區域R7形成為比設於剝離之進行方向d之基端側的個別區域R5大。藉此，與圖7B所示之吸附盤112相同，能夠防止來自剝離動作中支撐基板S之第1保持部110的剝落。

在此雖表示將吸附盤112A之吸附區域分割為3個個別區域R5~R7時的例子，但吸附區域的分割數並不限定為3個。

又，如圖18B所示，吸附盤112B之吸附區域係亦可被分割為格子狀。圖18B係表示吸附盤112B之吸附區域被分割為9個個別區域R8~R15時的例子。與圖7B所示之吸附盤112相同，在各個別區域R8~R15中，各別形成有吸氣口115a~115i，各吸氣口115a~115i係經由吸氣管連接至吸氣裝置。

因此，吸附盤之吸附區域係亦可被分割為格子狀。另外，在此雖表示分割吸附盤112B之吸附區域的直線相對於剝離之進行方向d為傾斜時的例子，但吸附盤亦可藉由相對於剝離之進行方向d而平行的直線與沿剝離之進行方向d直行的直線，被分割為格子狀。

又，在上述之各實施形態中係說明剝離之進行方向為1方向時的例子，但亦可藉由設置複數個局部移動部130來從複數個方向進行剝離。

在該情況下，如圖18C所示，藉由從中心沿徑方向延伸之複數條線，將吸附盤之吸附區域分割為剝離之每進行方向d1~d3，且更亦可藉由圓弧將每進行方向所分割之各吸附區域分割為複數個個別區域。例如，圖18C所示之吸附盤112C的吸附區域被分割為3個剝離之每進行方向d1~d3，且與各進行方向對應之吸附區域藉由圓弧被分割為3個分割區域。

具體而言，與進行方向d1對應之吸附區域被分割為個別區域R17~R19，與進行方向d2對應之吸附區域被分割為個別區域R20~R22，與進行方向d3對應之吸附區域被分割為個別區域R23~R25。在各個別區域R17~R25中，分別形成吸氣口116a~116c、117a~117c、118a~118c，各吸氣口116a~116c、117a~117c、118a~118c經由吸氣管被連接至吸氣裝置。另外，吸氣口116a~116c、117a~117c、118a~118c亦可連接至單一個吸氣裝置，亦可分別被連接至設於剝離之每進行方向d1~d3之吸氣裝置。

但，在重合基板T中，藉由結晶方向、彎曲方向、圖案等具有最合適的切入方向。在此，在第2實施形態中，亦可因應重合基板T的種類改變銳利構件222之圓周方向的位置。在該情況下，例如以框架保持部160(參閱圖14)保持切割框F後，使旋轉機構180旋轉至預定位置，藉此，來調整銳利構件222之圓周方向中的切入位置，然後，即可使銳利構件222進入。藉此，能夠將銳利構件222設定於圓周方向之任何位置，因此，無論是什麼種類的重合基板T，亦能夠在因應其重合基板T之最合適的位置進行切入。另外，在剝離重合基板T後，再次使旋轉機構180旋轉並返回至原來的旋轉位置。

又，在第1旋轉位置中無法進法剝離時，能夠使旋轉機構180旋轉至第2旋轉位置並嘗試進行剝離。是否無法進行剝離係例如在無法進行基於第1保持部110及第2保持部150之吸附保持時或在旋轉機構180之驅動部利用馬達時，能夠以馬達之過負荷等來進行判定。藉由設置該重試功能，即使為黏著劑G一部份變質或因第1保持部110．第2保持部150而產生無法進行剝離之狀態下，亦能夠不中斷剝離處理而使其完成。

在上述之實施形態中，說明利用黏著劑G接合被處理基板W與支撐基板S時的例子，但亦可將接合面Wj，Sj分割為複數個區域並在每區域塗佈不同黏著力之黏著劑。

更進一步之效果或變形例係具有該發明技術領域之通常知識者能夠輕易進行導出。因此，本發明之更廣泛的態樣係不限定於如上述之表示且記述之具體細節及代表性之實施形態者。因此，並不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所定義之所有發明的概念精神或範圍，並能夠進行各式各樣的變更。