TW201429910A - 觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種生產性優異之覆蓋玻璃一體型觸控面板用強化玻璃基板之製造方法。本發明之態樣1之強化玻璃面板之製造方法為可於1片上形成複數個覆蓋玻璃一體型觸控面板之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。其包括以下步驟：對短邊之長度為1000 mm以上之矩形狀之玻璃基板100進行化學強化；切斷經化學強化之玻璃基板100，分割為複數個強化玻璃基板10；及對複數個強化玻璃基板10之端面11進行倒角加工。

Description

觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法

本發明係關於一種觸控面板用強化玻璃基板之製造方法，尤其是關於一種覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。

智慧型手機與平板終端等行動裝置中，正廣泛普及以指尖觸摸顯示器之覆蓋玻璃基板而進行操作之觸控面板。圖11係先前之觸控面板之剖面圖。如圖11所示，先前之觸控面板具有覆蓋玻璃基板1與感測器玻璃基板(形成有感測器之玻璃基板)4藉由光學透明接著劑(OCA：Optical Clear Adhesive)3而貼合之構成。

於包含化學強化玻璃之覆蓋玻璃基板1之周緣部上形成有遮光膜2。另一方面，於感測器玻璃基板4上形成有透明導電膜5a、5b、金屬配線6、有機絕緣層7、保護層8，即，感測器。並且，覆蓋玻璃基板1之遮光膜形成面與感測器玻璃基板4之感測器形成面相對向，且藉由光學透明接著劑3而貼合。

與此相對，於覆蓋玻璃基板形成感測器且將覆蓋玻璃基板與感測器玻璃基板一體化之觸控面板(所謂之覆蓋玻璃一體型觸控面板)受到注目。圖12係覆蓋玻璃一體型觸控面板之剖面圖。圖12所示之覆蓋玻璃一體型觸控面板中，無需圖11所示之觸控面板中之光學透明接著劑3及感測器玻璃基板4，故而可實現薄型化、輕量化。

強化玻璃與非強化玻璃相比較難切斷。因此，如圖11所示之先前之觸控感測器所使用之覆蓋玻璃基板1之製造步驟係於切斷成製品形 狀後，進行化學強化。另一方面，如圖12所示之覆蓋玻璃一體型觸控面板所使用之覆蓋玻璃基板1之製造步驟中，自提高生產效率之觀點而言，要於中型玻璃基板或者短邊為1000mm以上之大型玻璃基板之狀態下進行化學強化。於該經化學強化之中型或大型玻璃基板上形成遮光膜2、透明導電膜5a、5b、金屬配線6、有機絕緣層7、保護層8之後，切斷成製品形狀。

且說，專利文獻1中揭示有一種覆蓋玻璃一體型觸控面板之製造方法，其係於切斷成製品形狀後對玻璃基板進行化學強化，且將該玻璃基板配置於搬送基板，而總括地進行感測器形成。

然而，與切斷成製品形狀後對玻璃基板進行化學強化者相比，於大型玻璃基板之狀態下進行化學強化者之生產性更優異。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-197708號公報

關於覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，發明者發現以下問題。

對於上述經化學強化之中型或大型玻璃基板，要求有多樣化之尺寸。因此，有每種尺寸均必需化學強化之設備，而生產性較差之問題。

本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種生產性優異之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。

本發明之態樣1之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係可於1片上形成複數個覆蓋玻璃一體型觸控面板者，且包括以下步驟：對短邊之長度為1000mm以上之矩形狀之玻璃基板進行化學強 化；將經化學強化之上述玻璃基板分割為複數個強化玻璃基板；及對上述複數個強化玻璃基板之端面進行倒角加工。由此，可提供良率較高且生產性優異之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。

本發明之態樣2之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣1中將上述矩形狀之玻璃基板之短邊之長度設為2200mm以下。

本發明之態樣3之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣1或2中，於化學強化步驟之後且分割步驟之前，進而包括檢查經化學強化之上述玻璃基板之端面損傷之步驟。由此，可提供良率更高且生產性更優異之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。

本發明之態樣4之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣3中，於檢測出上述端面損傷之情形時，於分割步驟中去除上述端面損傷。由此，可提供良率較高且生產性優異之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。

本發明之態樣5之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣1~4之任一項中，將倒角加工步驟後之上述強化玻璃基板之端面之平均表面粗糙度Ra設為1μm以下。由此，可提供良率更高且生產性更優異之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。

本發明之態樣6之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣5中，將倒角加工步驟後之上述強化玻璃基板之端面之平均表面粗糙度Ra設為0.05μm以上。

本發明之態樣7之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於 上述發明之態樣1~6之任一項中，於倒角加工步驟中藉由研磨進行倒角加工。作為倒角加工較佳為研磨。

本發明之態樣8之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣1~7之任一項中，於化學強化步驟中，於上述玻璃基板形成具有殘留壓縮應力之正面層及背面層，且於該正面層與背面層之間形成具有5MPa以上且50MPa以下之內部殘留拉伸應力CT之中間層。

本發明之態樣9之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣1~8之任一項中，將針對倒角加工步驟後之上述強化玻璃基板之端面的累積破壞概率為0.1%之破壞應力設為70MPa以上且400MPa以下。

本發明之態樣10之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法係於上述發明之態樣1~9之任一項中，將上述強化玻璃基板之厚度t設為0.3~1.1mm。

根據本發明，可提供一種生產性優異之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法。

1‧‧‧覆蓋玻璃基板

2‧‧‧遮光膜

3‧‧‧光學透明接著劑

4‧‧‧感測器玻璃基板

5a、5b‧‧‧透明導電膜

6‧‧‧金屬配線

7‧‧‧有機絕緣層

8‧‧‧保護層

10‧‧‧強化玻璃基板

11‧‧‧端面

12‧‧‧正面

13‧‧‧正面層

14‧‧‧背面

15‧‧‧背面層

17‧‧‧中間層

20‧‧‧旋轉磨石

21‧‧‧槽

100‧‧‧大型玻璃基板

CS‧‧‧表面壓縮應力

CT‧‧‧內部殘留拉伸應力

DOL‧‧‧厚度

L‧‧‧長度

W‧‧‧寬度

圖1係本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板的剖面圖。

圖2係用於本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃基板1之強化玻璃基板10的剖面圖。

圖3係表示用於本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃基板1的強化玻璃基板10之殘留應力之分佈的模式圖。

圖4係用以說明本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法的流程圖。

圖5係表示自G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之大型玻璃基板100切出G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)之中型玻璃基板(強化玻璃基板)10之切割方式的圖。

圖6係表示用以對強化玻璃基板10之端面進行倒角加工之旋轉磨石的側視圖。

圖7A係於化學強化步驟中產生有端面損傷之大型玻璃基板之模式俯視圖。

圖7B係於感測器形成步驟中產生有以端面損傷為起點之熱裂紋之大型玻璃基板的模式俯視圖。

圖8係用以說明本發明之第2實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法的流程圖。

圖9係表示自G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之大型玻璃基板100切出G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)之中型玻璃基板(強化玻璃基板)10之切割方式的圖。

圖10係縱置式4點彎曲試驗裝置之模式圖。

圖11係先前之觸控面板之剖面圖。

圖12係覆蓋玻璃一體型觸控面板之剖面圖。

以下，一面參照圖式一面對應用本發明之具體實施形態進行詳細說明。但，本發明並不限定於以下實施形態。又，為使說明變得明確，而將以下之記載及圖式適當簡化。

(實施形態1)

首先，參照圖1，對本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板進行說明。圖1係本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板之剖面圖。圖1係將圖12之上下反轉者。圖1之覆蓋玻璃一體型觸控面板為靜電電容方式之觸控面板。

如圖1所示，於包含化學強化玻璃之覆蓋玻璃基板1之周緣部上，形成有黑矩陣膜等遮光膜2。1對金屬配線6係以自覆蓋玻璃基板1之外側(圖1中之覆蓋玻璃基板1之下表面側)無法視認到之方式形成於遮光膜2上之兩側。再者，遮光膜2之顏色並未特別限定，例如可為白色。

於覆蓋玻璃基板1之中央部形成有透明導電膜5a、5b。透明導電膜5a於圖1之x軸方向延伸設置，透明導電膜5b於圖1之y軸方向延伸設置。即，透明導電膜5a、5b係以相互正交之方式延伸設置。即，透明導電膜5a、5b於平面上形成為格子狀(未圖示)。再者，圖1中僅示出2條透明導電膜5b，但實際上透明導電膜5a、5b均設有多條。此處，如圖1所示，透明導電膜5a係以橫跨兩側之金屬配線6之間之方式形成。

如圖1所示，為使透明導電膜5a、5b相互絕緣，而於透明導電膜5a、5b之間形成有機絕緣層7。

保護層8係以覆蓋遮光膜2、透明導電膜5a、5b、金屬配線6、有機絕緣層7之方式形成於覆蓋玻璃基板1之大致整面。

其次，參照圖2、3，對用於覆蓋玻璃基板1之強化玻璃基板10之構造進行說明。圖2係用於本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃基板1之強化玻璃基板10的剖面圖。圖2中，箭頭之方向表示殘留應力之作用方向，箭頭之大小表示應力之大小。如圖2所示，強化玻璃基板10具有正面層13及背面層15、以及設於正面層13與背面層15之間之中間層17。於正面層13及背面層15中，藉由下述化學強化法而殘留有壓縮應力。又，作為其反作用，於中間層17中殘留有拉伸應力。

強化玻璃基板10係利用化學強化法而製作。作為強化用之玻璃之種類，使用鹼鋁矽酸鹽玻璃或鈉鈣玻璃。化學強化法係藉由對玻璃之正面及背面進行離子交換，將玻璃中所含之離子半徑較小之離子(例如，Li離子、Na離子)置換為離子半徑較大之離子(例如，K離子)，而形成殘留有壓縮應力之正面層及背面層。

圖3係表示用於本發明之第1實施形態之覆蓋玻璃基板1的強化玻璃基板10之殘留應力之分佈的模式圖。

如圖3所示，殘留於正面層13及背面層15之壓縮應力(>0)有自強化玻璃基板10之正面12及背面14向內部逐漸變小之傾向。又，殘留於中間層17之拉伸應力(>0)有自玻璃之內部向正面12及背面14逐漸變小之傾向。

圖3中，CS表示正面層13或背面層15中之最大殘留壓縮應力(表面壓縮應力)(>0)，CT表示中間層17中之內部殘留拉伸應力(中間層17之殘留拉伸應力之平均值)(>0)，DOL表示正面層13及背面層15之厚度。若將t設為強化玻璃基板10之厚度，則中間層17之厚度為t-2×DOL。

又，關於強化玻璃基板之內部殘留拉伸應力CT(MPa)，通常可測定表面壓縮應力CS(MPa)及正面層13與背面層15之厚度DOL(μm)，使用以下之式1由上述測定值與強化玻璃基板之厚度t(μm)算出。

CT=(CS×DOL)/(t-2×DOL)…式1

最大殘留壓縮應力CS或內部殘留拉伸應力CT、正面層13及背面層15之厚度DOL可利用強化處理條件進行調節。於化學強化法之情形時，由於將玻璃浸漬於處理液(例如，KNO₃熔鹽)中進行離子交換，故而可利用處理液之濃度或溫度、浸漬時間等進行調節。

強化玻璃基板10之厚度t(mm)較佳為0.3~1.1mm。於化學強化玻璃之情形時，若厚度t(mm)超過1.1mm，則基板之質量增大，導致利用覆蓋玻璃一體型所得之輕量化之優勢削弱。另一方面，若厚度t(mm)未達0.3mm，則對玻璃實施化學強化處理變難。強化玻璃基板10之厚度t(mm)進而較佳為0.4~0.7mm。

另外，本實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用之強化玻璃基板10係藉由對短邊為1000mm以上之大型玻璃基板進行化學強化，將其切斷並分割為複數片而獲得。即，於強化玻璃基板10之端面，露 出具有內部殘留拉伸應力CT之中間層17。因此，若內部殘留拉伸應力CT變得過大，則裂痕變得容易自強化玻璃基板10之端面擴展，且感測器形成步驟中之操作變難。又，內部殘留拉伸應力CT越大，切斷本身亦越困難。因此，內部殘留拉伸應力CT較佳為50MPa以下。又，內部殘留拉伸應力CT更佳為35MPa以下，進而較佳為30MPa以下。又，上述內部殘留拉伸應力CT較佳為5MPa以上。

其次，參照圖4，對本實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法進行說明。圖4係用以說明本實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法的流程圖。圖4中，除記載有實線所示之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造流程(步驟S1~S3)以外，亦一併記載有虛線所示之後續流程(步驟S4~S8)。又，圖4中與製造流程一併亦示出各步驟中之玻璃基板尺寸。

首先，如圖4所示，對端面經倒角加工且短邊為1000mm以上之大型玻璃基板進行化學強化(步驟S1)。作為大型玻璃基板，可使用被稱為所謂之G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之矩形狀者。本發明適合於短邊為1000mm以上之大型玻璃基板，因此作為大型玻璃基板亦可使用G5尺寸(長邊1200mm×短邊1000mm)者。當然，只要為短邊為1000mm以上之大型玻璃基板，則亦可為G5、G6以外之尺寸。上述大型玻璃基板之短邊之長度較佳為設為2200mm以下。

其次，切斷經化學強化之大型玻璃基板，分割為複數個中型玻璃基板(步驟S2)。作為中型玻璃基板，可列舉所謂之G1尺寸(長邊400mm×短邊300mm)、G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)、G3尺寸(長邊650mm×短邊550mm)、G4尺寸(長邊880mm×短邊680mm)。該等尺寸取決於感測器形成步驟中之裝置上之制約。中型玻璃基板為長邊未達1000mm之矩形狀之玻璃基板，只要可形成複數個覆蓋玻璃一體型觸 控面板，則亦可為上述尺寸以外之尺寸。再者，亦可於步驟S2之前檢查經化學強化之大型玻璃基板之端面。

此處，參照圖5對步驟S2之具體例進行說明。圖5係表示自G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之大型玻璃基板100切出G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)之中型玻璃基板(強化玻璃基板)10之切割方式的圖。圖5中，切斷線以虛線表示。如圖5所示，可自G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之大型玻璃基板100切出3×4=12片G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)之強化玻璃基板10。再者，圖5中有影線之區域為要被去除之區域。圖5之例中，於長邊之兩端去除寬220mm之區域，且於短邊之兩端去除寬10mm之區域。

作為經化學強化之大型玻璃基板之切斷方法，可使用例如藉由刀輪於大型玻璃基板上導入劃線並進行折斷之方法、或藉由對大型玻璃基板照射雷射光而進行切斷之方法等。

繼而，對強化玻璃基板10之端面進行倒角加工(步驟S3)。該倒角加工中，較佳為研磨強化玻璃基板10之整個端面。圖6係表示用以對強化玻璃基板10之端面進行倒角加工之旋轉磨石的側視圖。圖6所示之旋轉磨石20係於圓盤形狀之本體部之側面形成有剖面半橢圓狀(半圓狀)之槽21。

藉由將強化玻璃基板10之端面11大致垂直地抵壓於高速旋轉中之旋轉磨石20之槽21，而將強化玻璃基板10之端面11沿旋轉磨石20之槽21進行倒角加工並且研磨。如上所述，於強化玻璃基板10之端面11，露出具有內部殘留拉伸應力CT之中間層17，因此倒角加工後之表面粗糙度越小越佳。具體而言，倒角加工後之端面11之平均表面粗糙度Ra較佳為1μm以下。又，倒角加工後之上述端面11之平均表面粗糙度Ra較佳為0.05μm以上。由此，可獲得觸控面板形成用之強化玻璃基板10。

再者，亦可於倒角加工(步驟S3)之後，視需要進而追加對強化玻 璃基板10之端面11之蝕刻或刷磨等端面處理。

以下，對在製造出之強化玻璃基板10形成感測器之感測器形成步驟進行說明。

首先，於強化玻璃基板上印刷形成黑矩陣膜等遮光膜(步驟S4)。

其次，利用濺鍍法，於強化玻璃基板上形成包含透明導電膜(例如ITO膜)之配線(步驟S5)。繼而，利用濺鍍法，於強化玻璃基板上形成金屬配線(步驟S6)。由此，於強化玻璃基板上形成觸控感測器。

其後，將形成有觸控感測器之強化玻璃基板切斷成製品形狀(步驟S7)，且對各製品形狀之玻璃基板之端面進行倒角加工(步驟S8)。

由此，獲得覆蓋玻璃一體型觸控面板。

先前方法中，感測器形成用之強化玻璃基板之每種尺寸均必需化學強化之設備，故生產性較低。與此相對，本實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法中，不論感測器形成用之強化玻璃基板之尺寸如何均可利用一種化學強化設備予以應對，故生產性較高。

(實施形態2)

如圖7A所示，由於短邊為1000mm以上之大型玻璃基板之周長變長，化學強化步驟中之操作更困難，故而容易因大型玻璃基板與治具接觸而於端面產生損傷(亦稱為缺陷)。以下，將該於端面產生之損傷稱為「端面損傷」。圖7A係化學強化步驟中產生有端面損傷之大型玻璃基板之模式俯視圖。

如圖7B所示，若於感測器形成步驟(例如，用以形成透明導電膜5a、5b或金屬配線6之濺鍍步驟)中，加熱具有端面損傷之大型玻璃基板，則有該端面損傷成為起點，產生跨及寬範圍之熱裂紋之虞。圖7B係感測器形成步驟中產生有以端面損傷為起點之熱裂紋之大型玻璃基板之模式俯視圖。

因此，化學強化步驟中產生有端面損傷之大型玻璃基板不進行至下一步驟，而予以廢棄處理。即，用以形成覆蓋玻璃一體型觸控面板之強化玻璃基板有良率較低，生產性較差之問題。

其次，參照圖8，對實施形態2之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法進行說明。圖8係用以說明本實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法的流程圖。圖8中，除記載有實線所示之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造流程(步驟S1~S3、S11、S12)以外，亦一併記載有虛線所示之後續流程(步驟S4~S8)。又，圖8中與製造流程一併亦示出各步驟中之玻璃基板尺寸。

首先，如圖8所示，對端面經倒角加工且短邊為1000mm以上之大型玻璃基板進行化學強化(步驟S1)。步驟S1與圖4相同，故省略詳細之說明。

其次，檢查經化學強化之大型玻璃基板之端面(步驟S11)，判定有無端面損傷(步驟S12)。若於經化學強化之大型玻璃基板無端面損傷(步驟S12否)，則於G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之狀態下進行至感測器形成步驟(步驟S4~S6)。

另一方面，若於經化學強化之大型玻璃基板存在端面損傷(步驟S12是)，則切斷該大型玻璃基板，分割為複數個中型玻璃基板(步驟S2)。作為中型玻璃基板，可列舉所謂之G1尺寸(長邊400mm×短邊300mm)、G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)、G3尺寸(長邊650mm×短邊550mm)、G4尺寸(長邊880mm×短邊680mm)。該等尺寸取決於感測器形成步驟中之裝置上之制約。中型玻璃基板為長邊未達1000mm之矩形狀之玻璃基板，只要可形成複數個覆蓋玻璃一體型觸控面板，則亦可為上述尺寸以外之尺寸。

此處，參照圖9對步驟S2之具體例進行說明。圖9係與圖5同樣地 表示自G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之大型玻璃基板100切出G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)之中型玻璃基板(強化玻璃基板)10之切割方式的圖。圖9中，切斷線以虛線表示。如圖9所示，可自G6尺寸(長邊1850mm×短邊1500mm)之大型玻璃基板100切出3×4=12片G2尺寸(長邊470mm×短邊370mm)之強化玻璃基板10。

此處，圖9中有影線之區域為要被去除之區域。圖9之例中，於長邊之兩端去除寬220mm之區域，且於短邊之兩端去除寬10mm之區域。即，大型玻璃基板100之周緣部與端面損傷一起被去除。由於端面損傷為於端面之表面產生之較淺損傷，故而若去除1mm以上之周緣部，則端面損傷不會對強化玻璃基板10之強度產生不良影響。即，可有效抑制熱裂紋。

其次，對強化玻璃基板10之端面進行倒角加工(步驟S3)。步驟S3以後與圖4相同，故省略詳細之說明。

先前，若於經化學強化之大型玻璃基板存在端面損傷(圖8之步驟S12是)，則將該大型玻璃基板進行廢棄處理。因此，良率較低，生產性較差。與此相對，本實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法中，自大型玻璃基板去除端面損傷，排除該不良影響後，分割為複數個中型玻璃基板。即，僅對大型玻璃基板之周緣部進行廢棄處理。因此，本實施形態之覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法與先前方法相比，良率顯著提高，生產性亦優異。

<端面強度之調查結果>

如上所述，於自大型玻璃基板100切斷而成之強化玻璃基板10之端面，露出具有內部殘留拉伸應力CT之中間層17。因此，調查該強化玻璃基板10之端面之破壞應力。

端面之破壞應力係使用縱置式4點彎曲試驗裝置(島津製作所公司 製造之自動立體測圖儀AG-X)進行測定。圖10係縱置式4點彎曲試驗裝置之模式圖。如圖10所示，支持部間隔=60mm，荷重部間隔=20mm，十字頭(荷重部)速度=1mm/min。圖10所示之試驗片中要測定破壞強度之端面為由支持部所支持之下側之端面。

又，使用三鷹光器公司製造之非接觸表面形狀測定器PF60，對實施例及比較例測定端面之平均表面粗糙度Ra。掃描速度=200μm/min，測定距離=4.8mm。濾波器使用高斯濾波器(截止值0.8mm)。粗糙度計算方法依據JIS B0601(2001)。

(實施例)

對自厚度t=0.56mm之大型玻璃基板切斷而成之強化玻璃基板評價端面之破壞應力。該端面為未經化學強化，且露出具有內部殘留拉伸應力CT之中間層之端面。實施例中，自21片強化玻璃基板之各者切出寬度W=70mm、長度L=5mm之試驗片。對該21個樣本測定破壞應力，求出平均破壞應力σ_avg。又，對21個樣本之破壞應力之測定結果繪製依據JIS R1625(2010)之魏普圖，求出累積破壞概率為0.1%之破壞應力σ_B0.1。

其結果，平均破壞應力σ_avg=116MPa，累積破壞概率為0.1%之破壞應力σ_B0.1=83MPa。

另一方面，平均表面粗糙度Ra=0.87μm。

(比較例)

對未進行切斷之厚度t=0.56mm之大型玻璃基板評價具有端面損傷之端面之破壞應力。該端面經化學強化。比較例中，自20片強化玻璃基板之各者切出寬度W=70mm、長度L=2mm之試驗片。對該20個樣本測定破壞應力，求出平均破壞應力σ_avg。又，對20個樣本之破壞應力之測定結果繪製依據JIS R1625(2010)之魏普圖，求出累積破壞概率為0.1%之破壞應力σ_B0.1。

其結果，平均破壞應力σ_avg=423MPa，累積破壞概率為0.1%之破壞應力σ_B0.1=24MPa。

另一方面，平均表面粗糙度Ra=1.12μm。

由於在實施例之端面，露出具有內部殘留拉伸應力CT之中間層17，故而與比較例相比平均破壞應力σ_avg為較小值。然而，累積破壞概率為0.1%之破壞應力σ_B0.1為比較例之3倍以上之值。認為藉由去除端面損傷，而使累積破壞概率為0.1%之破壞應力σ_B0.1提高。

針對覆蓋玻璃一體型觸控面板形成用強化玻璃基板之端面的累積破壞概率為0.1%之破壞應力較佳為70MPa以上。又，累積破壞概率為0.1%之上述破壞應力較佳為400MPa以下。

又，對於實施例之強化玻璃基板亦未確認到感測器形成步驟中之熱裂紋。

再者，本發明並不限於上述實施形態，可於不脫離主旨之範圍內適當變更。

已參照特定實施態樣對本發明詳細地進行了說明，但業者應明白可於不脫離本發明之精神與範圍之情況下施加各種變更或修正。

本申請案係基於2012年12月27日申請之日本專利申請案2012-284652者，並將其內容作為參照併入於本文。

Claims (10)

1. 一種觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其係可於1片上形成複數個覆蓋玻璃一體型觸控面板者，且包括以下步驟：對短邊之長度為1000mm以上之矩形狀之玻璃基板進行化學強化；將經化學強化之上述玻璃基板分割為複數個強化玻璃基板；及對上述複數個強化玻璃基板之端面進行倒角加工。
2. 如請求項1之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中上述矩形狀之玻璃基板之短邊長度為2200mm以下。
3. 如請求項1或2之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中於化學強化步驟之後且分割步驟之前，進而包括檢查經化學強化之上述玻璃基板之端面損傷之步驟。
4. 如請求項3之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中於檢測出上述端面損傷之情形時，於分割步驟中去除上述端面損傷。
5. 如請求項1至4中任一項之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中將倒角加工步驟後之上述強化玻璃基板之端面之平均表面粗糙度Ra設為1μm以下。
6. 如請求項5之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中倒角加工步驟後之上述強化玻璃基板之端面之平均表面粗糙度Ra為0.05μm以上。
7. 如請求項1至6中任一項之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中於倒角加工步驟中藉由研磨進行倒角加工。
8. 如請求項1至7中任一項之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中於化學強化步驟中， 於上述玻璃基板形成具有殘留壓縮應力之正面層及背面層，且於該正面層與背面層之間形成具有5MPa以上且50MPa以下之內部殘留拉伸應力CT之中間層。
9. 如請求項1至8中任一項之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中將針對倒角加工步驟後之上述強化玻璃基板之端面的累積破壞概率為0.1%之破壞應力設為70MPa以上且400MPa以下。
10. 如請求項1至9中任一項之觸控面板形成用強化玻璃基板之製造方法，其中將上述強化玻璃基板之厚度t設為0.3~1.1mm。