TW201429596A

TW201429596A - 基板之製造方法

Info

Publication number: TW201429596A
Application number: TW102147179A
Authority: TW
Inventors: Yousuke Morita
Original assignee: Ngk Spark Plug Co
Priority date: 2012-12-21
Filing date: 2013-12-19
Publication date: 2014-08-01
Also published as: JP2014140023A; KR20140081686A; US20140175705A1

Abstract

[課題]提供一種能以低成本且有效率地製造具有高可靠性的基板的基板之製造方法。[解決手段]對配線基板中的最表層的樹脂絕緣層之阻焊劑的表面照射雷射，形成具有由複數個元件57構成的活字56之刻印部55。刻印部55的形成工程係具備：利用彼此等間隔且平行之複數個突條58形成一個元件57的工程；照射雷射並以不與複數個突條58重複的方式，利用彼此等間隔且平行之複數個突條58形成其他的元件57的工程。

Description

基板之製造方法

本發明係有關一種對具有積層著複數個樹脂絕緣層的構造之基板照射雷射而製造基板的基板之製造方法。

以往就已知悉搭載有IC晶片等之零件而成的基板。在此種基板中，以覆蓋基板的基板主面之方式形成阻焊劑。又，一般在阻焊劑的表面會被賦予用以判別基板的種類之標記(文字等)。

此外，標記係例如透過對形成於阻焊劑的表面上之油墨層進行雷射刻印、使用噴墨印表機進行印刷、及貼附用以表示基板之種類的貼紙等方式而被賦予。但在對油墨層進行雷射刻印的情況，需要準備油墨層形成用的油墨，且油墨層之形成需要和雷射刻印分開進行，故有製造成本上昇的問題。同樣地，在進行採用噴墨印表機的印刷之情況也需要準備油墨，故有製造成本上昇的問題。又，在貼附貼紙之情況也有需準備貼紙而製造成本上昇的問題。因此，近年來有提案一種透過對阻焊劑的表面直接進行雷射刻印，以低成本形成刻印部(文字、標記等)的雷射刻印方法。

有關以往所提案的雷射刻印方法方面，分類成(1)表面層剝離、(2)印刷面剝離、及(3)顯色的3個手法。(1)的表面層剝離之手法係藉由將阻焊劑挖成文字而形成刻印部。又，(2)的印刷面剝離之手法係事先形成銅層等之金屬層作為阻焊劑的基底層，藉由雷射加工使其金屬層露出而形成刻印部(辨識標記)(例如，參照專利文獻1)。再者，關於(3)的顯色之手法，係藉由雷射的加工熱使阻劑材發泡而顯色以形成刻印部。此手法並非如同表面層剝離般進行深挖的加工，而是藉由發泡達阻焊劑的深部而獲得在刻印部中的良好辨識度。

先前技術文獻專利文獻

專利文獻1 日本國特開2003-51650號公報

然而，上述之以往的雷射刻印方法(1)~(3)有以下問題。亦即，關於(1)的表面層剝離之手法，由於刻印部之阻劑本體的厚度會減少，所以在為了一邊確保阻焊劑的機能一邊形成刻印部，要求嚴密的加工精度，製造成本變高。又，就(2)的印刷面剝離之手法而言，需要進行與刻印部之形成配合的專用之特殊設計(埋入以露出為前提的金屬層等之與表面基材不同色調的基底材之設計)，製造成本變高。再者，當銅層露出於刻印部時，擔心由其部分產生浸蝕使阻焊劑剝離的問題。又，就 (3)的顯色之手法而言，為確保辨識度而使發泡達到阻焊劑的深部時，因為在阻劑內會產生很多的氣泡，會使阻焊劑產生物理的脆弱性。因此，導致阻焊劑崩塌剝落之風險增加。因此，藉由顯色來形成刻印部會有可適用於阻焊劑的範圍受限之問題。

再者，於藉由顯色來形成刻印部之情況，當對其刻印部(加工部位)施加200℃左右的高溫時，會因為阻劑內的氣泡消掉而導致喪失顯色。特別是，在藉由迴銲等而將IC晶片等之零件搭載於配線基板之情況，由於迴銲時的加熱超過200℃，故會導致刻印部的辨識度惡化使其品質低落。

本發明係有鑑於上述課題而完成者，其目的在於提供一種可低成本且有效率地製造具有高可靠性的基板的基板之製造方法。

在用以解決上述課題的手段(手段1)方面，係一種基板之製造方法，藉由對具有積層有複數個樹脂絕緣層的構造之基板照射雷射以製造具有由複數個元件構成的活字之基板的方法，其特徵為具備：照射雷射，藉由彼此等間隔且平行之複數個突條形成一個元件的工程；及照射雷射，以不與前述複數個突條重複的方式藉由彼此等間隔且平行之複數個突條來形成其他的元件之工程。

又，作為用以解決上述課題之其他手段(手段2)方面，係一種基板之製造方法，係藉由對具有積層了複數個樹脂絕緣層的構造之基板照射雷射，以製造具有由複數個元件所成之活字的基板之方法，其特徵為具備：照射雷射，將複數個突起部相連而成的複數個突起列彼此等間隔且平行地形成以形成一個元件的工程；照射雷射，以不與前述複數個突起列重複的方式，利用彼此等間隔且平行之複數個突起列形成其他元件的工程。

因此，依據手段1、2的基板之製造方法，係藉由照射雷射，利用彼此等間隔且平行之複數個突條或複數個突起列形成一個元件，以不與形成其元件之複數個突條或複數個突起列重複的方式，利用彼此等間隔且平行之複數個突條或複數個突起列形成其他的元件。然後，由此等複數個元件所構成的活字被形成在樹脂絕緣層的表面。在照這樣形成活字之情況，係藉由複數個突條或複數個突起列在各元件的表面形成微細的凹凸。此外，光因該凹凸散射，故可充分確保活字的辨識度。又，在各元件間没有重複的加工部分，由於表面淺的部分被施作凹凸的加工，故可避免加工熱對樹脂絕緣層深部所造成的損傷。因此，就算是在樹脂絕緣層的表面形成活字的情況，亦可避免樹脂絕緣層的機能(絕緣性、耐熱性)降低，可確保所製造之基板的可靠性。又，本發明中，無需如同以往的印刷面剝離之手法，進行將金屬層作為基底材埋入之特殊設計。因此，能以低成本且有效率地製造具有高可靠性的基板。

在照射雷射的工程中，亦可透過對最表層的樹脂絕緣層的表層部分照射雷射，使最表層的樹脂絕緣層的表面發泡隆起，同時形成變色的複數個突條或複數個突起列。由於發泡的氣泡被封入以此方式形成的突條或突起列，光會因為該氣泡而散射，故能更提高辨識度。

彼此等間隔且平行之複數個突條或複數個突起列，係藉由分多次照射雷射所形成。當照這樣分多次照射雷射時，可避免加工熱對樹脂絕緣層深部所造成的損傷，且於表層部分確實地形成複數個突條或複數個突起列。

對元件的突條或突起列反覆執行雷射照射，對各個突條或突起列照射雷射之執行次數係彼此相同。透過這樣反覆照射雷射，可形成具有足夠的高度之突條或突起列。又，透過將對各個突條或突起列照射雷射之執行次數設為相同，能以均一的加工程度確實地形成突條或突起列。因此，可避免構成活字的元件部分不容易看的問題，能正確判別活字。

突條或突起列可呈直線狀。此時，可較容易且正確地形成彼此等間隔且平行之複數個突條或突起列。又，因為能以相同加工程度均一地形成各活字，故可充分確保基板的外觀品質。

突條的高度或構成突起列之突起部的高度係被形成1.5μm以上6.5μm以下的高度。此處，當突條或突起部的高度是小於1.5μm時，會導致活字的辨識度降低。又，當突條或突起部的高度比6.5μm還高時，因為雷射的加工熱而對樹脂絕緣層造成的影響變大，而有使樹脂絕緣層的機能(絕緣性、耐熱性)降低的疑慮。因此，當突條或突起部的高度是1.5μm以上6.5μm以下時，可確保所製造之基板的可靠性。

最表層的樹脂絕緣可以是被著色的阻焊劑。此時，可保持絕緣性、耐熱性的機能且於阻焊劑的表面形成用以構成活字的各元件之複數個突條或複數個突起列。又，在阻焊劑中，由於光會因為複數個突條或複數個突起列的凹凸而散射，因而活字係成為比其周圍還白濁的外觀，可充分確保辨識度。此外，阻焊劑係由具有絕緣性及耐熱性的樹脂所構成，藉由將基板主面覆蓋隱蔽而發揮保護其基板主面之保護膜的機能。關於阻焊劑的具體例方面，有由環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂等構成之阻焊劑。

又，本發明亦可將形成突條或突起列之際的雷射照射條件設為雷射輸出是5.4W以上，雷射的振盪頻率是90kHz以上來製造基板。假設在雷射輸出是5.4W以上且雷射的振盪頻率是小於90kHz時，對於一個點所賦予的累積熱量變高，故有加工熱會對樹脂絕緣層的深部造成損傷之虞。而且，本發明亦可將雷射的移動速度設為900mm/s以上1100mm/s以下來製造基板。假設，雷射的移動速度小於900mm/s時，則形成突條或突起列之速度也會降低，故基板的製造效率降低，且因為加工部位重複使累積熱量變高，而有加工熱對樹脂絕緣層的深部造成損傷之虞。另一方面，當雷射的移動速度比1100mm/s還高時，則因對一個點所賦予的累積熱量太低，因而有無法確實地形成突條或突起列之虞。亦即，就本發明而言，與以往的雷射照射條件相較下，係加大雷射輸出，提高雷射的振盪頻率，且加快雷射的移動速度。如此，可穩定地形成微細的突條或突起列。且在此情況，能以淺淺地削去樹脂絕緣層的表面的方式形成微細的突條或突起列。

此處，在使樹脂絕緣層發泡而表面隆起形成突條或突起列之情況，當施加200℃以上的高溫時，會因為氣泡消掉而導致突條或突起列的凹凸形狀消失。相對於此，在以切削表面的方式形成微細的突條或突起列時，即便是施加200℃以上的高溫的情況，該突條或突起列的凹凸形狀仍被保持，可充分確保活字的辨識度。

形成上述基板的材料並未特別限定，雖可為任意者，但例如以樹脂基板等較適合。適合的樹脂基板方面，可舉出：由EP樹脂(環氧樹脂)、PI樹脂(聚醯亞胺樹脂)、BT樹脂(bismaleimide-triazine樹脂)、PPE樹脂(聚苯醚樹脂)等所構成的基板。其他，亦可使用由此等的樹脂和玻璃纖維(玻璃織布、玻璃不織布)之複合材料所構成的基板。關於其具體例方面，有玻璃-BT複合基板、高Tg玻璃-環氧複合基板(FR-4、FR-5等)等的高耐熱性積層板等。又，也可使用由此等樹脂與聚醯胺纖維等之遊戲機用纖維的複合材料所構成的基板。或者，也可使用由使環氧樹脂等之熱硬化性樹脂浸漬在連續多孔質PTFE等之三維網眼狀氟系樹脂基材中而成的樹脂-樹脂複合材料所構成之基板等。關於其他的材料，也可選擇例如各種的陶瓷等。此外，此種基板的構造並未特別限定，例如可例舉：在核心基板的單面或兩面具有增層之增層多層配線基板或没有核心基板之無核心配線基板等。

10，10A‧‧‧作為基板的配線基板

51‧‧‧阻焊劑

52‧‧‧表面

56，56A，56B‧‧‧活字

57，57A‧‧‧元件

58‧‧‧突條

158‧‧‧突起列

159‧‧‧突起部

L1‧‧‧雷射

圖1係顯示本實施形態中之配線基板的概略平面圖。

圖2係顯示配線基板之概略剖面圖。

圖3係顯示在刻印部中之活字的說明圖。

圖4係圖3之Z-Z線的剖面圖。

圖5係顯示雷射加工裝置之概略構成圖。

圖6係顯示基板用托盤之平面圖。

圖7係顯示雷射加工部之概略構成的剖面圖。

圖8係顯示構成活字的元件之形成方法的說明圖。

圖9係顯示構成活字的元件之形成方法的說明圖。

圖10係顯示通常的活字之加工程度的說明圖。

圖11係顯示專用的活字之加工程度的說明圖。

圖12係將雷射的焦點自配線基板的表面偏向光源側進行加工之情況的說明圖。

圖13係顯示雷射的焦點深度和加工深度之關係的說明圖。

圖14係放大顯示別的實施形態的配線基板中之活字及其元件的一部分之圖。

圖15係圖14的活字之元件的A-A線之剖面圖。

圖16係圖14的活字之元件的B-B線之剖面圖。

以下，依據圖面來詳細說明本發明經具體化後的一實施形態。

如圖1、圖2所示，本實施形態的配線基板10 係IC晶片搭載用的基板。配線基板10係由大致呈矩形板狀的核心基板11、形成於核心基板11的核心主面12(圖2中的上面)上之主面側增設層31、形成於核心基板11的核心背面13(圖2中的下面)上之背面側增設層32所構成之增層多層配線基板。

本實施形態的核心基板11，係縱25mm×橫 25mm×厚度1.0mm的俯視觀之呈大致矩形的板狀。核心基板11係由玻璃環氧所構成之基材14、形成於基材14的上面及下面且添加有矽填料等之無機填料的環氧樹脂所構成之副基材15、相同地形成於基材14的上面及下面且由銅所構成的導體層16所構成。又，在核心基板11上，複數個貫穿孔導體17形成貫通核心主面12、核心背面13及導體層16。此種貫穿孔導體17係將核心基板11的核心主面12側和核心背面13側連接導通並電連接於導體層16。此外，貫穿孔導體17的內部係例如被環氧樹脂等之閉塞體18掩埋。又，在核心基板11的核心主面12及核心背面13形成有被圖案化之由銅構成的導體層41，各導體層41係與貫穿孔導體17電連接。

如圖2所示，主面側增設層31係具有將由熱硬化性樹脂(環氧樹脂)構成的3層的樹脂絕緣層33，35，37與銅所構成的導體層42交互積層的構造。又，在第3層的樹脂絕緣層37的表面上之複數部位，端子銲墊44被形成陣列狀。而且，樹脂絕緣層37的表面，亦即，配線基板10的基板主面19整體大致被阻焊劑51所覆蓋。本實施形態的阻焊劑51係使用例如被著色成藍色的阻劑材(日立化成工業股份有限公司製SR7200)所形成。此外，關於阻焊劑51方面，除藍色外亦可為使用綠色等之其他色的阻劑材所形成。

在阻焊劑51的既定部位，形成使端子銲墊44 露出的開口部47。在端子銲墊44的表面上配設有複數個銲接凸塊(圖示省略)。各銲接凸塊被電連接於呈矩形平板狀的IC晶片(圖示省略)的面連接端子(圖示省略)。此外，由各端子銲墊44及各銲接凸塊所構成的區域係可搭載IC晶片的IC晶片搭載區域23。IC晶片搭載區域23被設定在主面側增設層31的表面。又，在樹脂絕緣層33、35、37內分別設有通路導體43。此等的通路導體43係將導體層42及端子銲墊44相互電連接。

背面側增設層32具有和上述主面側增設層31 大致相同構造。亦即，背面側增設層32係具有由熱硬化性樹脂(環氧樹脂)構成之3層的樹脂絕緣層34、36、38與導體層42交互地積層的構造。在第3層的樹脂絕緣層38之下面上的複數部位，經由通路導體43和導體層42電連接的銲墊45被形成陣列狀。又，樹脂絕緣層38的下面，亦即配線基板10之基板背面20整體大致被阻焊劑53所覆蓋。在阻焊劑53的既定部位，形成有使銲墊45露出的開口部48。在銲墊45的表面上配設有複數個銲接凸塊(圖示省略)，用以和未圖示之母板電氣連接。接著藉由各銲接凸塊使圖1、圖2所示之配線基板10被安裝在未圖示之母板上。

又，如圖1所示，在阻焊劑51的表面52設有刻印部55。刻印部55係由表示批號、料號等之文字(本實施形態中為「ABC789」的文字)構成。刻印部55係配置在避開IC晶片搭載區域23的外緣部。如圖3及圖4所示，本實施形態的刻印部55的文字係縱寬W1為0.6mm左右，橫寬W2為0.45mm左右的文字。又，刻印部55的高度H1係阻焊劑51的厚度(例如20μm)的1/4倍以下，具體言之係設定成1.5μm以上6.5μm以下。本實施形態中之刻印部55的文字係具有適合於雷射刻印之專用的活字56。

在本實施形態所用之專用的活字56係由直線狀的複數個元件57所構成。如圖3所示，在為數字「8」的活字56之情況，係由和垂直方向平行的2個元件57與和水平方向平行的3個元件57所構成。又，如圖3及圖4所示，各元件57係由彼此等間隔且平行之複數個突條58所形成，並且1個元件57的各突條58係形成與其他的元件57的各突條58不重疊。亦即，各突條58係呈直線狀，在水平方向延伸的各突條58和在垂直方向延伸的各突條58形成為不重疊。

本實施形態中，各突條58的形成間距P1是 25μm左右，且各突條58係藉由利用雷射加工淺淺地對阻焊劑51的表面52進行加工所形成。詳言之，在阻焊劑51形成有彼此等間隔且平行之複數個溝部54(參照圖4)，鄰接的溝部54之間的區域成為突條58。亦即，供刻印部55的活字56形成之阻焊劑51的表層部分係透過被淺淺的削去而形成微細的凹凸。光因此凹凸而散射，故使得其表面是在變白色(白濁)的狀態顯色而能被認出刻印部55的文字。

其次，針對雷射加工裝置61的構成作說明。

如圖5所示，雷射加工裝置61係用以將表示配線基板10的種類之資訊(刻印部55)等標記於配線基板10者，具備有供給部62、層拆散部63、工件狀態辨識部64、雷射加工部65、印字確認部66、層堆疊部67、排出部68。又，雷射加工裝置61係具備依供給部62、層拆散部63、工件狀態辨識部64、雷射加工部65、印字確認部66、層堆疊部67、排出部68的順序搬送基板用托盤91之搬送裝置100及統籌控制裝置整體的控制裝置110。

如圖6所示，基板用托盤91例如是縱120mm× 橫315mm之俯視觀之呈大致矩形狀。基板用托盤91係由合成樹脂製(例如PET樹脂製等)的板狀物所構成。此外，基板用托盤91可由金屬製(例如不銹鋼製等)其他的構件所構成。基板用托盤91係用以在將配線基板10橫置狀態下進行支撐的基板支撐手段。本實施形態的基板用托盤91係具有：收容配線基板10之正方形狀的托盤凹處92(收容凹部)沿著平面方向縱橫地配置複數個(在本實施形態為24個)且形成有包圍托盤凹處92的框部93之構造。此基板用托盤91係作為在製品出貨時收容製品之製品出貨用托盤共通使用之托盤。

如圖5所示，本實施形態中，收容標記處理前的複數個配線基板10之基板用托盤91被以多段重疊狀態搬入雷射加工裝置61的供給部62。又，於層拆散部63，在藉由構成搬送裝置100的自動機(robot)或搬送輸送帶等將被層層堆疊的各基板用托盤91一層一層拆散後，將基板用托盤91搬入工件狀態辨識部64。

在工件狀態辨識部64設有從基板用托盤91的上方拍攝托盤凹處92內的配線基板10之辨識相機121及照明裝置122等。辨識相機121及照明裝置122係使用影像處理的技術來確認工件狀態之機構。辨識相機121係對從層拆散部63搬送到工件狀態辨識部64的基板用托盤91及配線基板10從其上方拍攝。照明裝置122係具有對基板用托盤91及配線基板10上照射光之機能，且具有調整光量、位置之機能，俾均一地照射基板用托盤91中之各托盤凹處92內的配線基板10。辨識相機121被連接於控制裝置110，由辨識相機121所拍攝之影像資料被取入控制裝置110。控制裝置110係依其影像資料來確認配線基板10是否以正確姿勢(水平的姿勢)收納於托盤凹處92內，同時確認配線基板10是否在成為刻印部55的位置朝向正確方向(例如上方)的狀態下被收納。

如圖5、圖7所示，在雷射加工部65設有雷射照射裝置71、工作台81、托盤按壓單元101、定位相機124及照明裝置125等。工作台81係以將基板用托盤91的主面94面向雷射照射裝置71的狀態支撐基板用托盤91。又，工作台81係藉由在高度方向移動而將基板用托盤91所支撐的配線基板10與雷射照射裝置71之間的距離保持在預先決定之規定值(與雷射的焦點距離對應的值)。具體言之，係在工作台81的下方設有氣缸83。氣缸83係由缸本體84和藉空氣壓上下活動的活塞杆85所構成。活塞杆85係其前端被固定於工作台81，從缸本體84向上方突出，藉以使工作台81整體上昇。然後，氣缸83的缸本體84係固定於藉由昇降自動機87昇降之基台88上。

托盤按壓單元101係設於工作台81與雷射照射裝置71之間，避開配線基板10推壓工作台81所支撐的基板用托盤91的主面94。具體言之，在托盤按壓單元101，2支棒狀的止動構件102配置成沿著托盤搬送方向(圖5中的左右方向)延伸。各止動構件102係配置成與工作台81的主面94平行。接著，在工作台81因氣缸83之驅動而朝上方移動時，基板用托盤91的主面94之框部93與托盤按壓單元101的止動構件102面接觸，基板用托盤91的主面94被該止動構件102推壓。結果，基板用托盤91的主面94被保持水平，伴隨的是，配線基板10的上面(阻焊劑51的表面52)也被水平地保持。而且，成為於基板用托盤91產生翹曲的情況，其翹曲也會被矯正的構造。此外，本實施形態中，工作台81及托盤按壓單元101被設計成使基板用托盤91的水平度之角度誤差小於0.1°。

再者，托盤按壓單元101(止動構件102)係透過連結構件104固定於基台88上，透過其等連結構件104及基台88被連結於昇降自動機87。當基台88受到昇降自動機87的驅動而昇降時，在推壓著基板用托盤91的主面 94之狀態下工作台81及托盤按壓單元101朝高度方向移動。結果，係進行雷射照射裝置71的焦點對焦於被基板用托盤91所支撐的配線基板10的表面52之對位。此外，氣缸83及昇降自動機87亦連接於控制裝置110，依據從控制裝置110輸出之控制信號來驅動控制氣缸83及昇降自動機87。

基板用托盤91係依配線基板10的種類使用不同規格尺寸。此時，配線基板10的表面52的位置會因為在基板用托盤91中之托盤凹處92內的配線基板10之收納位置、配線基板10的厚度、及基板用托盤91的厚度等而有不同。因此，在不進行托盤按壓單元101的高度修正之情況，雷射照射裝置71的焦點變得未對焦於配線基板10的表面52。相對地，在本實施形態中，係將基板用托盤91的厚度、在托盤凹處92內之配線基板10的位置及配線基板10的厚度等資訊事先輸入控制裝置110，因應其資訊來修正工作台81及托盤按壓單元101的高度。結果，雷射照射裝置71與配線基板10的表面52之距離被保持一定的間隔。

如圖5所示，雷射加工部65中的定位相機124 及照明裝置125係用以使用影像處理的技術辨識配線基板10的位置之機構。定位相機124係對從工件狀態辨識部64搬送到雷射加工部65之基板用托盤91及配線基板10由其上方拍攝。照明裝置125具有對基板用托盤91及配線基板10上照射光之機能，為了均一照射基板用托盤91中之各托盤凹處92內的配線基板10而具有調整光量、位置之機能。定位相機124被連接於控制裝置110，由定位相機124所拍攝之影像資料被取入控制裝置110。控制裝置110係依據該影像資料，取得在基板用托盤91中之各托盤凹處92內的配線基板10的位置資料。控制裝置110係利用此位置資料來控制雷射照射裝置71。

雷射照射裝置71係用以對由基板用托盤91所支撐的各配線基板10照射雷射。雷射照射裝置71具備：產生雷射(本實施形態中為波長532nm的YVO₄雷射)的雷射產生部(圖示省略)；使雷射偏向的雷射偏向部(圖示省略)；及控制雷射產生部及雷射偏向部之雷射控制部(圖示省略)。雷射偏向部係將透鏡(圖示省略)與反射鏡(圖示省略)複合而成的光學系統，藉由變更此等透鏡及反射鏡的位置以調整雷射的照射位置、焦點位置。雷射控制部係進行雷射的照射強度、雷射的振盪頻率、雷射的移動速度(印字速度)等之控制。

在印字確認部66設有使用影像處理技術用以檢查刻印部55的印字狀態之機構，具體言之係檢查用相機127及照明裝置128。檢查用相機127係對從雷射加工部65搬送到印字確認部66之基板用托盤91的各配線基板10由其上方進行拍攝。照明裝置128具有對配線基板10上的刻印部55照射光之機能，且具有調整光量、位置之機能，俾均一地照射基板用托盤91之各托盤凹處92內的配線基板10。檢查用相機127被連接於控制裝置110，由檢查用相機127所拍攝之影像資料被取入控制裝置110。控制裝置110係依據該影像資料，確認各配線基板10的刻印部55的印字狀態。

在層堆疊部67，自印字確認部66被搬的基板用托盤91於其厚度方向被多層重疊配置。接著，被重疊成既定層數的各基板用托盤91係被搬送裝置100送至排出部68再由該排出部68搬出至裝置外部。

控制裝置110係利用由CPU111、ROM112、 RAM113、輸入輸出埠(圖示省略)等構成之習知的電腦所構成。控制裝置110係與雷射照射裝置71、搬送裝置100、各相機121、124、127及照明裝置122、125、128、氣缸83及昇降自動機87等電連接，藉由各種控制信號對該等進行控制。控制裝置110中，CPU111係執行用以控制雷射加工裝置61整體之各種處理，因應其處理結果而就各種控制指令進行演算處理。而且，CPU111將控制指令作為既定的控制信號輸出。在ROM112記憶有用以控制雷射加工裝置61之控制程式等。又，在RAM113暫時記憶有雷射加工裝置61進行動作所需的各種資訊。

具體言之，用以進行雷射照射之雷射照射資料被記憶在RAM113。雷射照射資料係依據CAD資料所生成之資料，CAD資料係藉由變換用以構成刻印部55的各文字之活字56的資料而獲得之資料。又，在RAM113記憶有被用在雷射照射之表示雷射照射參數(雷射的照射位置、焦點位置、照射角度、移動速度、照射強度、照射周期、照射間距等)之資料。再者，在RAM113記憶有基板用托盤91的厚度、在托盤凹處92內之配線基板10的位置、配線基板10的厚度等之資訊。

其次，針對本實施形態的配線基板10的製造方法作說明。

本實施形態的配線基板10係透過在核心基板 11的核心主面12及核心背面13進行習知的增層工程所製造。此處係在作為配線基板10的製品區域順著平面方向縱橫地配列複數個之多片用基板之形態下製造，經切斷工程而可同時獲得個片化之複數個配線基板10。然後，將此等配線基板10於基板用托盤91之各托盤凹處92各收容1片，再將基板用托盤91以多段重疊的狀態搬入雷射加工裝置61的供給部62。

之後，藉由作業者開啟雷射加工裝置61的運轉開關(圖示省略)，而開始用以將刻印部55標記於配線基板10之處理。具體言之，控制裝置110的CPU111係藉由驅動搬送裝置100將被層層堆疊的各基板用托盤91搬入層拆散部63，將各基板用托盤91一層一層拆散。接著，其基板用托盤91被搬入工件狀態辨識部64。

當基板用托盤91被搬入工件狀態辨識部64時，CPU111係驅動辨識相機121及照明裝置122，而開始對基板用托盤91及配線基板10進行照明及攝像。此時，CPU111係取入由辨識相機121所拍攝之影像資料，進行影像處理。CPU111係依影像處理的結果，確認配線基板10是否在托盤凹處92內以正確姿勢(水平的姿勢)且在成為刻印部55的位置是面向正確方向(例如，上方)的狀態下被收納。在判斷各配線基板10的姿勢或方向是正常的情況，CPU111係藉由驅動搬送裝置100，將基板用托盤 91搬入雷射加工部65並使基板用托盤91載置於工作台81上。

另一方面，CPU111係在判斷配線基板10的姿勢或方向是異常的情況，使用未圖示之警報手段(蜂鳴器、燈號)通知其主旨，並暫時停止雷射加工裝置61的各處理。之後，作業者在使配線基板10的姿勢、方向修正成正常的狀態後，再度運轉雷射加工裝置61，使基板用托盤91搬入雷射加工部65並使基板用托盤91載置於工作台81上。

雷射加工部65中，基板用托盤91係以其主面 94面向雷射照射裝置71的狀態被支撐在工作台81上。之後，CPU111驅動氣缸83使工作台81整體在高度方向移動，使工作台81接近於托盤按壓單元101的止動構件102。此時，藉由基板用托盤91的主面94之框部93與托盤按壓單元101的止動構件102面接觸，在回避配線基板10的狀態，基板用托盤91的主面94被止動構件102所推壓。結果，在基板用托盤91的主面94的水平度被保持的同時，亦矯正基板用托盤91的翹曲。

接著，CPU111係驅動昇降自動機87，以將基板用托盤91的主面94推壓的狀態下使工作台81及托盤按壓單元101在高度方向移動。藉此移動，基板用托盤91所支撐的配線基板10與雷射照射裝置71之間的距離被保持成預先決定的值(與雷射的焦點距離對應的值)。

之後，CPU111係驅動定位相機124及照明裝置125，開始對基板用托盤91及配線基板10進行照明及攝像。此時，CPU111係取入由定位相機124所拍攝之影像資料，進行影像處理。CPU111係依據影像處理的結果，取得在基板用托盤91中之各托盤凹處92內的配線基板10的位置資料。

各托盤凹處92的平面形狀係比配線基板10大，以在托盤凹處92的內壁面與配線基板10的側面之間有若干餘隙的狀態收納配線基板10。因此，配線基板10因應其餘隙(間隙)以在水平方向錯開的狀態被收納於各托盤凹處92內，但CPU111係依據位置資料把握各配線基板10(刻印部55)的正確位置。

之後，CPU111係依據該位置資料等而驅動雷射照射裝置71。利用此雷射照射裝置71對各配線基板10照射雷射而刻印阻焊劑51的表面52，藉此在阻焊劑51的表面52形成刻印部55。

具體言之，雷射照射裝置71係以使焦點對焦於阻焊劑51的表面52之狀態照射雷射而形成彼此等間隔且平行之複數個溝部54。其結果，鄰接的溝部54之間的區域成為突條58，藉由彼此等間隔且平行之複數個突條58而形成一個元件57。此處，為了用一次的行程形成一個元件57中相鄰的突條58，使掃描方向交互地反轉並掃描雷射的照射點Q1(參照圖8)。接著，在一個元件57中之雷射的掃描結束之時點暫時停止雷射的照射。接著，移行到最接近該停止位置的其他元件57，再度開始雷射的照射。此處，以不與已照射雷射的元件57中之複數個突條58重複的方式，利用彼此等間隔且平行之複數個突條 58形成其他的元件57(參照圖9)。透過反覆同樣的雷射照射，持續形成構成刻印部55的各活字56的複數個元件57。

如圖10及圖11所示，就本實施形態而言，並非製作帶有圓形之通常的印字活字56A，而是製作專用的活字56，藉由控制雷射的光路而除去交點59(重複的加工部分)。如此使用專用的印字活字56，在阻焊劑51的表面52以均一的加工程度形成刻印部55。

關於本實施形態的雷射照射工程中的雷射照射條件，係設定成：雷射輸出為5.8W，雷射的振盪頻率為110kHz，雷射的移動速度(印字速度)為1000mm/s。又，關於雷射的光點直徑，係設定成雷射照射裝置71之規格上的下限值(例如，5μm左右)。

附帶一提，在以往的顯色之情況的雷射照射條件為，雷射輸出是1.5W，雷射的振盪頻率是45kHz，雷射的移動速度(印字速度)是700mm/s。而且，在以往進行表面層剝離時的雷射照射條件為，雷射輸出是2.7W，雷射L1的振盪頻率是45kHz，雷射的移動速度(印字速度)是700mm/s。

亦即，在本實施形態中，與以往表面層剝離之情況相比，使雷射輸出大2倍以上，雷射的振盪頻率大2倍以上，而且雷射的移動速度快了1.5倍左右。如此，由於雷射加工對1點所賦予的累積熱量減少，故熱效果的影響停留在阻焊劑51的表層部分，表面52受到淺淺地加工。又，靠利用上述雷射照射條件所進行的1次加工，並無法獲得進行刻印部55(各突條58)之顯色所需的足夠凹凸。因此，在本實施形態中，透過增加加工次數並進行多次雷射加工而形成具有1.5μm~6.5μm左右的高度之微細的突條58(凹凸)。具體言之，在針對構成刻印部55的文字之所有的元件57進行一遍雷射加工後，按其加工順序從最初的元件57以描繪加工部分的形式進行多次雷射加工。此外，對構成各元件57之各個突條58執行雷射照射之次數係彼此相同。藉由進行此種雷射加工，在阻焊劑51的表面52形成(印字)刻印部55的文字。

形成刻印部55後，CPU111係在藉由驅動搬送裝置100將基板用托盤91搬送到印字確認部66後，驅動檢查用相機127及照明裝置128。此時，CPU111係取入由檢查用相機127所拍攝之影像資料，進行影像處理。CPU111係按影像處理的結果，辨識被印字於各配線基板10之刻印部55的文字。CPU111係判定是否刻印部55的文字被正常地印字。此處係進行文字有無欠缺、較薄部分等之缺陷的判定(印字判定)，在判斷無缺陷是正常的情況，CPU111係藉由驅動搬送裝置100將基板用托盤91搬入層堆疊部67。另一方面，在判定印字有缺陷之情況，CPU111係使用未圖示之警報手段(蜂鳴器、燈號)通知其主旨，並透過搬送裝置100的自動機(圖示省略)等將有異常的配線基板10從基板用托盤91的托盤凹處92除去。此外，除去配線基板10之作業除了自動機以外也可為作業者進行。又此處，亦可預先準備正常印字有刻印部55的配線基板10，將該配線基板10替換至呈空著狀態的托盤凹處92。

接著，CPU111係藉由驅動搬送裝置100將層堆疊部67中的基板用托盤91於其厚度方向多層重疊配置。然後，被重疊既定的層數後的各基板用托盤91係藉由搬送裝置100送至排出部68再由該排出部68搬出至裝置外部。經以上的工程，刻印部55的標記處理結束而製造出圖1所示之配線基板10。

因此，依據本實施形態可獲得以下的效果。

(1)本實施形態中，藉由照射雷射，利用彼此等間隔且平行之複數個突條58形成一個元件57，且以不與形成該元件57的複數個突條58重複的方式，利用彼此等間隔且平行之複數個突條58形成其他的元件57。接著，由此等複數個元件57所構成的活字56被形成於阻焊劑51的表面52。在利用此種活字56形成刻印部55的各文字之情況，利用複數個突條58於各元件57的表面形成微細的凹凸。此外，光會因為該凹凸而散射，可充分確保活字56的辨識度。又，在各元件57間没有重複的加工部分，在阻焊劑51的表面52之較淺部分被施以凹凸的加工，故可避免加工熱對阻焊劑51的深部所造成的損傷。因此，就算是在阻焊劑51的表面52形成有刻印部55的情況，亦可避免阻焊劑51的機能(絕緣性、耐熱性)降低，可確保配線基板10的可靠性。又，在本實施形態中，無需如同以往印刷面剝離的手法，將金屬層埋入作為基底材的特殊設計。因此，能以低成本且有效率地製造具有高可靠性的配線基板10。

(2)在本實施形態中，彼此等間隔且平行之複數個突條58係分多次照射雷射所形成。當照這樣分多次數照射雷射時，由於對刻印部55的加工部分所賦予的累積熱量減少，故能避免加工熱對阻焊劑51的深部所造成的損傷並於表層部分確實地形成複數個突條58。又，就本實施形態而言，係以切削阻焊劑51的表面52的方式形成複數個溝部54，且在鄰接的溝部54之間的區域形成突條58。此時，就算是在搭載IC晶片時等施加了200℃以上的高溫之情況，表面52的凹凸還是會保留。因此，可避免在利用由以往顯色的手法形成刻印部時喪失顯色的問題，可充分確保刻印部55的辨識度。

(3)本實施形態中，係對元件57的複數個突條 58反覆執行雷射照射，對各個突條58執行雷射照射之次數係彼此相同。透過如此反覆照射雷射，可確實地形成具有足夠的高度之突條58。又，因為對各個突條58執行雷射照射之次數相同，故能以均一的加工程度形成突條58。因此，避免構成活字56的元件57有一部分變得不易看的問題，能正確地判別刻印部55的文字。

(4)本實施形態中，構成元件57的各突條58係形成為1.5μm以上6.5μm以下的高度。此處，當突條58是小於1.5μm時，活字56的辨識度會降低。又，當突條58是比6.5μm還高時，雷射的加工熱帶給阻焊劑51的影響變大，會有使阻焊劑51的機能(絕緣性、耐熱性)降低的疑慮。因此，當突條58的高度是1.5μm以上6.5μm以下時，可確保配線基板10的可靠性。

(5)本實施形態中，構成元件57的各突條58係呈直線狀。此時，可較容易且正確地形成彼此等間隔且平行之複數個突條58。且能以相同加工程度均一地形成各活字56(元件57)，故可充分確保配線基板10的外觀品質。

(6)本實施形態中，係藉由淺淺地削去阻焊劑 51的表面52而形成刻印部55。在薄型的配線基板方面，阻焊劑51的厚度變薄，10μm左右的厚度之基板亦被實用化，但就算是那樣的薄型配線基板亦能確保阻焊劑51的機能且形成刻印部55。

此外，本發明的實施形態亦可按以下那樣變更。

．上述實施形態中，係藉由照射雷射淺淺地削去阻焊劑51的表層部分而形成複數個突條58，但不受此所限定。亦可藉由對阻焊劑51的表層部分照射雷射，使阻焊劑51的表面52發泡隆起的同時形成變色的複數個突條58。此時，如圖12所示，以與阻焊劑51的表面52相隔的距離D1是成為1.2mm±0.25mm的範圍的方式設定焦點O1。又，關於雷射照射條件，係設定成：雷射L1的輸出是2.7W，雷射L1的振盪頻率是20kHz，雷射L1的移動速度(印字速度)是500mm/s。

圖13顯示雷射L1的焦點深度和加工深度之關係。圖13中，焦點深度係在焦點O1偏向光源側之情況以-側表示，而在偏向阻焊劑51的內部側之情況以+側表示。又，加工深度係在阻焊劑51的表面52隆起的情況以+ 側表示，表面52凹陷的情況以-側表示。如圖13所示，當將雷射L1的焦點O1於光源側僅挪動距離D1進行照射時，則阻焊劑51的表層部分發泡，且氣泡被封入該部分，因而形成各突條58。當按此方式形成各突條58時，光會因為被封入各突條58的氣泡而散射，故刻印部55成為比其周圍白濁的外觀，可充分確保辨識度。又，在因雷射照射使阻焊劑51的表面52隆起的情況，不論在樹脂絕緣層37和阻焊劑51之界面有無導體層(配線圖案)，都可形成刻印部55。由此可知，在阻焊劑51的表面52中可形成刻印部55的區域變寬，可將更多的資訊印字成刻印部55。

．上述實施形態中，係對阻焊劑51照射雷射 L1以形成刻印部55，但也可在配線基板10之其他的層形成刻印部。例如，亦可藉由省略阻焊劑51並對樹脂絕緣層37照射雷射L1而形成刻印部。此時，樹脂絕緣層37成為最表層的樹脂絕緣層。

．上述實施形態中，係作成在阻焊劑51的表面52藉雷射照射形成複數個突條58的構造，但不受此所限定，例如亦可作成如圖14~圖16所示之別的實施形態的配線基板10A的構造。

此配線基板10A的活字56B亦和上述實施形態同樣地由直線狀的複數個元件57A構成。如圖14等所示，元件57A係藉由彼此等間隔且平行之複數個突起列158所形成。各個突起列158係利用複數個突起部159相連所構成，小突起部155分別位在複數個突起部159間(參照圖14、圖 16)。在以阻焊劑51的表面52的高度為基準時，突起部159之上面的位置係比小突起部155之上面的位置稍高。又，如圖14等所示，在元件57A中之鄰接的突起列158之間，分別配置有凹陷列156。各個凹陷列156係利用複數個小突起部157相連所構成，凹陷部160位在複數個小突起部157間(參照圖14、圖15)。俯視時的凹陷部160的面積比小突起部157、突起部159還小。此外，在圖14所描繪的突起部159及小突起部155、157，附加陰影線以表示變白色(白濁)的部分。另一方面，凹陷部160並非變色的部分，故未附加該陰影線。

在上述配線基板10A的活字56B之情況，1個元件57A的各突起列158係形成為不與其他的元件57A的各突起列158重疊。亦即，在水平方向呈直線狀延伸的各突起列158與在垂直方向呈直線狀延伸的各突起列158係形成為不重疊。

此外，此種活字56B可藉由使用上述實施形態所示之雷射照射裝置71進行雷射照射而形成。具體言之，藉由對阻焊劑51的表面52一邊進行雷射掃描一邊照射雷射，而將複數個突起列158彼此等間隔且平行地形成。這時，同樣地一邊進行雷射掃描一邊照射雷射，藉以在鄰接的突起列158間以彼此等間隔且平行的方式形成各個凹陷列156。藉此，形成一個元件57A，在其形成結束的時點暫時停止雷射的照射。接著，移行到最接近其停止位置的其他的元件57A，再開始雷射的照射。此處，係以不與已照射雷射的元件57A中之複數個突起列158及複數個凹陷列156重複的方式，藉由彼此等間隔且平行之複數個突起列158及複數個凹陷列156來形成其他的元件57A。藉由反覆同樣的雷射照射而持續形成構成刻印部的各活字56B的複數個元件57A。以上的結果，能以低成本且有效率地製造具有高可靠性的配線基板10A。

其次，除申請專利範圍所記載之技術思想以外，以下再列舉由前述之實施形態可掌握的技術思想。

(1)如手段1或2的基板之製造方法，其特徵為：在形成前述突條或前述突起列之際所照射的雷射輸出為5.4W以上。

(2)如手段1或2的基板之製造方法，其特徵為：在形成前述突條或前述突起列之際所照射的雷射振盪頻率為90kHz以上。

(3)如手段1或2的基板之製造方法，其特徵為：在形成前述突條或前述突起列之際所照射的雷射之移動速度為900mm/s以上1100mm/s以下。

(4)如手段1或2的基板之製造方法，其特徵為：於照射前述雷射之工程中，藉由對最表層的樹脂絕緣層的表層部分照射雷射，以切削前述樹脂絕緣層的表面之方式形成前述複數個突條或前述複數個突起列。

(5)一種雷射加工裝置，其特徵為具備：基板支撐手段，將基板以橫置狀態支撐；雷射照射裝置，對被前述基板支撐手段所支撐之前述基板照射雷射；工作台，將主面以朝前述雷射照射裝置的狀態支撐前述基板支撐手段，且於高度方向移動，藉此前述基板支撐手段所支撐的前述基板與前述雷射照射裝置之間的距離保持在預先決定的規定值；及推壓手段，配置在前述工作台與前述雷射照射裝置之間，避開前述基板推壓被前述工作台所支撐的前述基板支撐手段的主面。

56‧‧‧活字

57‧‧‧元件

58‧‧‧突條

Q1‧‧‧照射點

Claims

一種基板之製造方法，係藉由對具有積層有複數個樹脂絕緣層的構造之基板照射雷射以製造具有由複數個元件構成的活字之基板的方法，其特徵為具備：照射雷射，藉由彼此等間隔且平行之複數個突條形成一個元件的工程；及照射雷射，以不與前述複數個突條重複的方式藉由彼此等間隔且平行之複數個突條來形成其他的元件之工程。
一種基板之製造方法，係藉由對具有積層有複數個樹脂絕緣層的構造之基板照射雷射以製造具有由複數個元件構成的活字之基板的方法，其特徵為具備：照射雷射，以彼此等間隔且平行地形成複數個突起部相連而成的複數個突起列而形成一個元件的工程；及照射雷射，以不與前述複數個突起列重複的方式藉由彼此等間隔且平行之複數個突起列來形成其他的元件之工程。
如請求項1或2的基板之製造方法，其中在照射前述雷射的工程中，透過對最表層的樹脂絕緣層的表層部分照射雷射，使前述最表層的樹脂絕緣層的表面發泡隆起，同時形成變色的前述複數個突條或前述複數個突起列。
如請求項1至3項中任一項的基板之製造方法，其中前述彼此等間隔且平行之複數個突條或前述彼此等間隔且平行之複數個突起列，係藉由分多次照射雷射所形成。
如請求項1至4項中任一項的基板之製造方法，其中對前述元件的突條或突起列反覆執行雷射照射，對各個突條或突起列執行雷射照射的次數彼此相同。
如請求項1至5項中任一項的基板之製造方法，其中前述突條或前述突起列係呈直線狀。
如請求項1至6項中任一項的基板之製造方法，其中前述突條的高度或構成前述複數個突起列之突起部的高度，係1.5μm以上6.5μm以下。
如請求項1至7項中任一項的基板之製造方法，其中供前述突條或前述突起列形成之最表層的樹脂絕緣層係被著色的阻焊劑。