TW201428822A - 遮蔽元件、使用其之基板處理系統及取出或插入其之方法 - Google Patents
遮蔽元件、使用其之基板處理系統及取出或插入其之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201428822A TW201428822A TW102140973A TW102140973A TW201428822A TW 201428822 A TW201428822 A TW 201428822A TW 102140973 A TW102140973 A TW 102140973A TW 102140973 A TW102140973 A TW 102140973A TW 201428822 A TW201428822 A TW 201428822A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- shielding
- processing chamber
- edge exclusion
- hooking device
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3441—Dark space shields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
一種用於自一基板處理系統之一處理腔體取出一遮蔽元件或插入遮蔽元件至處理腔體中之方法係提供。基板處理系統包括處理腔體、一第一遮蔽元件、及一基板傳輸系統。第一遮蔽元件用於排除一材料應用於一基板之數個部分。基板傳輸系統用於傳輸數個基板或數個基板載體至處理腔體內或至處理腔體外。此方法包括藉由基板傳輸系統傳輸第一遮蔽元件。
Description
本發明之實施例是有關於一種用於從一基板處理系統之一處理腔體取出一遮蔽元件或插入遮蔽元件於處理腔體內之方法。其他實施例是有關於一種遮蔽元件、一種用於傳輸一遮蔽元件之鉤起裝置、以及一種包括遮蔽元件及/或鉤起裝置之基板處理系統。更特別是,部分之實施例是有關於一種在一基板處理系統中維護一邊緣排除遮蔽件,此基板處理系統包括一真空處理腔體,用於處理實質上垂直方向的基板。
在例如是薄膜電晶體(TFT)金屬化製程之數種技術應用中,一或數層不同材料係在一基板之上方沉積於彼此上。一般來說,此係藉由一連串之塗佈或沉積製程來完成,例如是濺鍍製程,其中其他像是蝕刻或成型(structuring)之製程可能亦可在各種沉積製程之前、之間或之後提供。舉例來說,可沉積具有「材料一」-「材料二」-「材料一」之順序的多層堆疊。
為了沉積一多層堆疊,可提供數個處理腔體之配置。舉例來說,可使用串聯式(in-line)配置之沉積腔體和群集式
(cluster)配置之沉積腔體。典型之群集式配置包括一中央搬運腔體及連接於其之數個處理或沉積腔體。塗佈腔體可裝配以執行相同或不同的製程。典型之串聯式系統包括數個接續的處理腔體,其中處理步驟係在一個接著一個的腔體內進行,使得數個基板可以串聯式系統連續地或類似連續地進行處理。
在例如是用於顯示器之玻璃基板塗佈的技術應用中,基板之邊緣係在塗佈製程期間受到保護,塗佈製程例如是濺鍍沉積製程。邊緣排除遮蔽件係用於保護邊緣。在塗佈製程期間,不僅是基板接收塗佈,邊緣排除遮蔽件也接收塗佈。當在邊緣排除遮蔽件上之塗佈變得較厚時,越來越多的粒子可能從邊緣排除遮蔽件再散發(re-emit)出去,且讓基板塗佈之品質下降。已沉積於邊緣排除遮蔽件上之厚層可能具有遮蔽效應(shadowing effect),所以基板塗佈的均勻度係可能變糟。
若此情況發生,沉積腔體係開啟且邊緣排除遮蔽件係進行更換。此程序可能不僅讓更換邊緣排除遮蔽件成為必要,且亦讓更換例如是額外的遮蔽件、陽極等之製程套組的其他元件成為必要。在濺鍍基板處理系統中,靶材壽命可能遠長於邊緣排除遮蔽件需進行更替之後之時間區段。靶材之最佳化壽命可能因而無法完全的實現。再者,直到可繼續進行製造的回復時間可能非常的長。舉例來說,在腔體內重新建立真空以及啟動程序可能花費難以預測的長時間。因此,基板處理系統的整體產量係受到負面的影響。
因此,進行改善的需求係存在。
有鑑於上述內容,根據獨立申請專利範圍之一方法、與一裝置係被提供。更進一步的細節係可在附屬申請專利範圍、說明、及圖式中得到。
根據一實施例,一種用於從一基板處理系統之一處理腔體取出一第一遮蔽元件或插入第一遮蔽元件至處理腔體中之方法係提供。基板處理系統包括處理腔體、第一遮蔽元件、及一基板傳輸系統,第一遮蔽元件用於排除材料應用於一基板之數個部分上,基板傳輸系統用於傳輸基板或數個基板載體至處理腔體中及處理腔體外。此方法包括藉由基板傳輸系統傳輸第一遮蔽元件。
根據另一實施例,一種用於排除材料應用於一基板之數個部分上之遮蔽元件係提供。遮蔽元件包括一遮蔽部,用以遮蔽基板之數個邊緣。於一第一選擇中,遮蔽元件包括一卡合部,用於從一遮蔽框內之一位置傳輸遮蔽元件到一基板處理系統之一基板傳輸系統,以於基板傳輸系統中進行傳輸。於一第二選擇中,遮蔽元件包括一卡合部,用於鉤起遮蔽元件至一鉤起裝置,以在基板處理系統之基板傳輸系統中共同傳輸。。
根據其他實施例,遮蔽框或鉤起裝置可額外地提供。遮蔽框可包括一機械式傳輸部,適用於卡合卡合部,以從遮蔽框內之位置傳輸遮蔽元件至基板傳輸系統。鉤起裝置可包括一
框部及一鉤起部,框部配置以載入至基板處理系統之基板傳輸系統中,鉤起部用以卡合遮蔽元件之卡合部以鉤起且支承遮蔽元件,以在基板傳輸系統中共同傳輸。於其他實施例中,一基板處理系統可提供。基板處理系統可包括一處理腔體及一基板傳輸系統,基板傳輸系統用以傳輸數個基板或數個基板載體至處理腔體內及處理腔體外。基板處理系統可包括根據此處所述之任何實施例的一遮蔽元件、一遮蔽框及/或一鉤起裝置。遮蔽元件或鉤起裝置之框部可配置以於基板傳輸系統中傳輸,以傳輸遮蔽元件至處理腔體內或處理腔體外。
本揭露亦有關於用於執行所揭露之方法的一設備,包括用於執行此方法的各所說明部份的設備元件。此些方法部分可藉由硬體元件、透過適當軟體程式化之電腦、藉由此二者之任何結合或以任何其他方式來執行。再者,本發明亦有關於藉由所述之設備進行操作或製造所述的設備之方法。它包括用於執行此設備之各功能的方法。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下:
60‧‧‧基板
62‧‧‧基板載體
100‧‧‧鉤起裝置
110、112、114‧‧‧鉤起部
113‧‧‧卡鉤
115‧‧‧桿元件
134、136‧‧‧導引元件
140‧‧‧遮蔽框
142、144‧‧‧槓桿元件
190、290、1490、1890、1895‧‧‧邊緣排除遮蔽件
191‧‧‧遮蔽部
192、194、292、294‧‧‧卡合元件
193‧‧‧框部
196、198‧‧‧導引元件
200、2200‧‧‧處理腔體
250、1450‧‧‧沉積源
300、400、1010、2010‧‧‧基板傳輸系統
310‧‧‧第一基板支撐組件
312、412‧‧‧磁性支撐元件
314、324、414‧‧‧滾輪
320‧‧‧第二基板支撐組件
384、394‧‧‧靜態支撐元件
1000、2000‧‧‧基板處理系統
1100‧‧‧前端模組
1112、1122、1412、1422‧‧‧軌道
1200‧‧‧載入模組
1300‧‧‧載入模組
1400‧‧‧處理模組
1500‧‧‧其他模組
1600‧‧‧載體維護站
1700‧‧‧維護站
1900、1910、1920、1930、1940、1970、1980‧‧‧流程步驟
2100‧‧‧鉤起裝置
2140‧‧‧遮蔽框
2190、2290‧‧‧遮蔽元件
E‧‧‧迴避方向
P‧‧‧處理位置
S‧‧‧轉換方向
T‧‧‧傳輸方向
T1、T2‧‧‧傳輸路徑
為了可詳細地了解上述之特性,更特定的說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於數個實施例,且於下述中說明:第1圖繪示基板處理系統的示意圖,本發明實施例可於此基板處理系統中執行或使用;
第2圖繪示基板處理腔體的示意圖,本發明實施例連接於此基板處理腔體來執行或使用;第3-4圖繪示藉由濺鍍靶材進行塗佈並使用邊緣排除遮蔽件之基板的示意圖;第5-8圖繪示根據此處所述實施例之邊緣排除遮蔽件及鉤起裝置以及維護邊緣排除遮蔽件之方法的示意圖;第9-14圖繪示根據此處所述實施例之邊緣排除遮蔽件及鉤起裝置間之機械式卡合的示意圖;第15-17圖繪示根據此處所述實施例之邊緣排除遮蔽件及遮蔽框的示意圖;第18圖繪示根據此處所述實施例之基板處理系統的示意圖;第19圖繪示根據此處所述實施例之維護邊緣排除遮蔽件之方法的方塊圖;以及第20-21圖繪示根據此處所述實施例之基板處理系統的示意圖。
詳細的參照將以各種範例性實施例來達成,一或多個各種範例性實施例的例子係繪示在各圖式中。各例子係藉由說明的方式來提供且不意味著為一限制。舉例來說,所說明或敘述而做為一實施例之部分之特性可用於其他實施例或與其他實施例結合,以取得進一步的其他實施例。此意指本揭露包括此種調整及變化。
在下述圖式的說明中,相同之參考編號係意指相同或相似的元件。一般來說,僅有關於各別實施例之不同處會進行說明。繪示於圖式中的結構並非一定以真實的尺寸或角度來進行繪製,且可能會誇大特點來更佳地了解所對應之實施例。
此處所使用之名稱「方向」並不限定為一向量方向(「從A到B」),但包括兩個向量方向,其中可採用一直線(「從A到B」及「從B到A」)。舉例來說,垂直方向應包括上及下的概念。因此,方向係以具有兩個箭頭之箭號來標註在圖式中。
此處所使用之名稱「基板」應包含數個基板,例如是數個玻璃基板。因此,基板一般係具有1.4m2及以上之尺寸的大面積基板,特別是5m2及以上之尺寸。舉例來說,1.43m2(第5代)及以上,例如是5.5m2(第8.5代)、9m2(第10代)或更大之基板尺寸係可實現。
一般來說,基板係為垂直方向或實質上垂直方向。因此,可理解的是,一實質上垂直方向之基板可在一處理系統中具有從一垂直方向之一些偏移,以在穩定傳輸下具有一些角度之傾斜,例如是最多15°或最多10°,例如是從5°到7°或較少。於是基板係稱為是實質上或本質上垂直方向。如果相對於基板之最大表面(前及後表面)之法線係為實質上水平方向,基板係實質上垂直方向,也就是說,法線具有至多一些角度之傾斜,例如是至多15°或至多10°,例如是從5°至7°或更少。最大表面之至少一者,也就是前表面及後表面之至少一者,一般係在基板處理系統
中進行塗佈,根據此處所述之一基板傳輸裝置係可於基板處理系統中使用。一實質上水平方向之基板具有相對於其最大表面之一法線,此法線從垂直方向傾斜至多一些角度,例如是至多15°或至多10°,例如是從5°至7°或更少。
第1圖繪示範例之基板處理系統1000的示意圖。如果(實質上)垂直方向之基板係進行處理,第1圖係表示一上視圖,且如果(實質上)水平方向之基板係進行處理,第1圖係表示一側視圖,例如是向下濺鍍處理模組。基板處理系統1000包括前端模組1100、載入模組1200、以及處理模組1400。基板處理系統1000包括基板傳輸系統1010,基板傳輸系統1010用以傳輸基板或基板載體通過基板處理系統,特別是進入處理模組或離開處理模組。
前端模組1100可為擺動模組,用以載入基板至載體中且從它們的載體卸除它們。擺動模組可為包括雙軌傳輸裝置之雙軌擺動模組,雙軌傳輸裝置提供兩個軌道,用以支撐基板或基板載體,其中此兩個軌道在轉換方向S中相對於彼此可移動。具有相對可移動或可擺動之軌道的傳輸裝置係詳細地說明在PCT/EP2012/067659中,其全文以引用之方式於此併入參照。或者,前端模組可包括一或多個例如是多軸機械手臂之機械手臂,用以載入及卸除基板,多軸機械手臂例如是6軸機械手臂。根據再其他之選擇,前端模組可包括一裝置,用以載入及卸除實質上垂直之基板。
基板處理系統1000可選擇性地包括其他模組,例如是第二載入模組1300及/或一或多個以參考符號1500標註之其他模組,例如是其他處理模組。基板處理系統1000可包括例如是一個、兩個或多個其他處理模組。此些選擇的模組係以虛線繪示於第1圖中。基板傳輸系統1010之兩個傳輸路徑T1及T2係沿著傳輸方向T延伸且在轉換方向S中分隔,轉換方向S垂直於傳輸方向T。若前端模組1100以擺動模組形式實行,前端模組1100可包括一相對可移動雙軌基板傳輸裝置,具有兩個軌道1112及1122。於第1圖中之雙頭箭號表示軌道1112及1122係至少在轉換方向S中相對於彼此可移動,或甚至獨立於彼此可移動。處理模組1400係繪示而包括一相對可移動雙軌基板傳輸裝置,具有兩個軌道1412及1422。於第1圖中之雙頭箭號表示軌道1412及1422係至少在轉換方向S中相對於彼此可移動,或甚至獨立於彼此可移動。
此些模組係配置來藉由基板傳輸系統1010在每對相鄰模組間進行基板傳輸。舉例來說,基板或載有個別基板之基板載體可在相鄰模組間交換,特別是同時交換。有關於基板在腔體間交換的詳細內容,以及基板或基板載體通過基板處理系統之路線可於PCT/EP2012/067656中尋得,其全文以引用之方式於此併入參照。藉由一相對可移動基板傳輸裝置,基板或基板載體在至少一模組中可在其軌道支撐其的情況下從一傳輸路徑移動至另一者,前述之在至少一模組中可例如是在前端模組1100及處理
模組1400中。此讓橫向移動快速。再者,相較於以搬運裝置來從一傳輸路徑搬運基板或基板載體到另一者而言,可能有害的粒子不會在基板或基板載體於其軌道移動時產生。
處理模組1400包括沉積源1450。處理位置P係繪示於處理模組1400中。亦稱為處理腔體之處理模組包括邊緣排除遮蔽件1490。當基板係在處理模組中將進行塗佈時,它係傳輸至處理位置,使得邊緣排除遮蔽件將避免基板之邊緣之塗佈,基板通常係以基板載體支承。
第2圖繪示包括沉積源250、邊緣排除遮蔽件290、及傳輸裝置之處理腔體200之示意圖,傳輸裝置包括第一基板支撐組件310及第二基板支撐組件320,其二者獨立於彼此在轉換方向S中可移動,如第二基板支撐組件320之左側的雙頭箭號及第一基板支撐組件310之右側的雙頭箭號所示。傳輸裝置形成部分的基板傳輸系統300。第一基板支撐組件310包括第一支撐元件,第一支撐元件包括第一組之滾輪314,且第二基板支撐組件320包括第二支撐元件,第二支撐元件包括第二組之滾輪324。第一及第二組之滾輪314、324係在轉換方向中可移動。在第2圖中,基板60係由滾輪314所支撐。在轉換方向中不可移動之靜態支撐元件384、394係可額外地提供,靜態支撐元件384、394例如是靜態滾輪。
滾輪314、324可在轉換方向S中越過彼此,甚至在一組之滾輪係支撐基板時,一組之滾輪例如是一組之滾輪314。
為了達到這樣的效用,一組之滾輪可在迴避方向(evasion direction)中執行迴避移動,迴避方向垂直於圖式之平面,特別是垂直於轉換方向S且垂直於傳輸方向T。有關此一軌道交換及對應之基板支撐元件之移動的詳細內容可於PCT/EP2012/067659中尋得。
第3及4圖繪示沿著傳輸方向之處理腔體200的示意圖,傳輸方向係垂直於圖式之平面。為了簡化,第二基板支撐組件係未繪示。第3及4圖繪示支承於基板載體62中的基板60塗佈的示意圖。基板載體62係由第一基板支撐組件310所支承,特別是由一組之滾輪314及磁性支撐元件312所支承。於其基板載體62中之基板60係於轉換方向中從如第3圖中所示之傳輸路徑T2上的位置朝向處理位置P移動(見第2圖)。在第4圖中,基板60係位於接近邊緣排除遮蔽件290之處理位置中。邊緣排除遮蔽件290遮蔽基板之邊緣,以避免在材料從沉積源250沉積到基板上時接收到塗佈。
材料不但係沉積於基板上,也沉積到邊緣排除遮蔽件290上。於處理腔體200中之沉積材料於數個基板的過程中,在邊緣排除遮蔽件上之塗佈變得越來越厚。此導致粒子從邊緣排除遮蔽件再散發出去,而可能落於基板上。再者,在邊緣排除遮蔽件上之沉積材料的厚層可能具有遮蔽效應,使得基板之塗佈係較不均勻。兩個效應係降低了基板塗佈之品質。
傳統上,處理腔體200係開啟以利用新的或已維護的邊緣排除遮蔽件來更換邊緣排除遮蔽件。此舉可能會導致基板
處理系統的停工時間拉長,特別是當處理腔體係為高度真空腔體時。
根據本發明之實施例,邊緣排除遮蔽件係藉由基板傳輸系統進行傳輸。舉例來說,藉由使用基板傳輸系統,邊緣排除遮蔽件可從處理腔體移除,或在其為新的或已維護的情況下插入到處理腔體內。藉由基板傳輸系統,邊緣排除遮蔽件係類似基板或基板載體可傳輸至沉積腔體外,或傳輸至沉積腔體內。
於其中,邊緣排除遮蔽件可被動地傳輸。為此,適用於在基板傳輸系統中進行傳輸的鉤起裝置可載入到基板傳輸系統中,且傳輸至需要進行更換之邊緣排除遮蔽件處。鉤起裝置可鉤起邊緣排除遮蔽件且搬運其至腔體或基板處理系統外。或者,邊緣排除遮蔽件可主動地傳輸。為此,邊緣排除遮蔽件其本身可適用於使用至少部分之基板傳輸系統,像是基板或基板載體。舉個例子來說,邊緣排除遮蔽件在此方式中係自行地乘用基板傳輸系統。兩個方式將於此詳細地說明。
當使用基板傳輸系統來更替邊緣排除遮蔽件時,沉積腔體無須開啟。沉積腔體內之真空可維持,因為邊緣排除遮蔽件可經由載入模組或鎖固件(locks)來離開沉積腔體或基板處理系統之真空部分,基板或載體亦經由載入模組或鎖固件進入或離開。
根據繪示於第5-7圖中之實施例,鉤起裝置100係已經載入基板傳輸系統中且沿著傳輸方向傳輸至處理腔體200
內,傳輸方向垂直於圖式之平面。在第5圖中,鉤起裝置100係由第一基板支撐組件310所支撐,特別是由一組之滾輪314及一組之磁性支撐元件312所支撐。鉤起裝置包括框部,配置以載入基板傳輸系統中。框部包括導引元件134及磁性材料之導引元件136,導引元件134適用於卡合於滾輪314,例如是裝配到滾輪內之類似桿(rod)的元件,導引元件316適用於藉由磁性支撐元件312支撐。鉤起裝置更包括鉤起部110,在第5-7圖中象徵地繪示成簡單的卡鉤。鉤起部係配置,用以卡合邊緣排除遮蔽件290之卡合部,以鉤起且支承邊緣排除遮蔽件來在基板傳輸系統中共同傳輸。
為了卡合邊緣排除遮蔽件290,鉤起裝置可在轉換方向中朝向用於一般基板或基板載體之處理位置的位置移動。為了鉤起邊緣排除遮蔽件290,鉤起裝置可亦在迴避方向E中移動,迴避方向E垂直於轉換方向且垂直於傳輸方向。在第6圖中,鉤起裝置100係在由第一基板支撐組件310支承時降低。在此實施例中,滾輪314及磁性支撐元件312係在鉤起裝置100支承時朝下傾斜。一旦載體裝置先行到達處理位置且接觸邊緣排除遮蔽件290時,鉤起裝置係再度於迴避方向中移動,但相反於最先的移動方向。在第7圖中,鉤起裝置100係已經升起,使得鉤起部110目前係卡合於邊緣排除遮蔽件290。
滾輪314及磁性支撐元件312可在支承鉤起裝置100及邊緣排除遮蔽件290時接著移動回到傳輸路徑上之一位
置,邊緣排除遮蔽件290係由鉤起裝置100所鉤起,如第8圖中所示。邊緣排除遮蔽件可由遮蔽框在其用於基板處理之通常位置支撐,且當鉤起裝置100及邊緣排除遮蔽件290係共同地傳輸至傳輸路徑上之一位置時,邊緣排除遮蔽件可從其釋放。接著,鉤起裝置100及邊緣排除遮蔽件290可共同地在傳輸方向中傳輸到處理腔體200外。有關於以基板傳輸系統進行傳輸的詳細內容可例如是於PCT/EP2012/067659以及PCT/EP2012/067656中尋得。在處理腔體200與相鄰腔體之間的鎖固件可調整尺寸,以容置共同通過的鉤起裝置及鉤起之邊緣排除遮蔽件。邊緣排除遮蔽件可傳輸到基板處理系統之真空部外或整個基板處理系統外來進行維護。
透過鉤起裝置來鉤起邊緣排除遮蔽件可亦以不具有相對可移動及/或可傾斜之基板支撐組件的基板傳輸系統來進行。舉例來說,鉤起裝置之鉤起部係可在至少迴避方向中相對於框部可移動。用於提供動力來致使此移動之能源可包括於鉤起裝置中。亦可以具有互連件之插頭連接方式來實行。
第9-14圖繪示鉤起裝置之鉤起部如何卡合於邊緣排除遮蔽件之卡合部的示意圖。第9-11圖繪示邊緣排除遮蔽件之卡合元件292以及鉤起裝置之鉤起部112的示意圖。鉤起部112之類似棱柱的卡鉤113係配置以卡合在卡合元件292中之對應的凹槽。鉤起部112可單獨或與鉤起裝置之框部一起降低,如第9圖中所示,插入凹槽內且向上移動,如第10圖中所示,以卡合
於卡合元件292且保持其於明確界定之位置中,如第11圖中所示。第12-14圖係類似地繪示具有類似桿元件115的鉤起部114用以卡合於邊緣排除遮蔽件的卡合元件294之溝槽中的示意圖。在一實施例中,鉤起裝置之鉤起部包括一或多個鉤起部112於上部中,且一或多個鉤起部114於下部中,用以卡合包括於邊緣排除遮蔽件之卡合部內的對應之卡合元件292、294。
第15-17圖繪示邊緣排除遮蔽件係藉由基板傳輸系統主動地傳輸的一實施例的示意圖。在第15圖中,邊緣排除遮蔽件190具有卡合部,卡合部包括卡合元件192、194,卡合元件192、194係類似棒狀(bar-like)或類似桿狀(rod-like)。遮蔽框140之包括兩個類似槓桿元件142、144的傳輸部係符合卡合元件192、194。邊緣排除遮蔽件190係藉由卡合的槓桿元件142、144以及卡合元件192、194來支承於遮蔽框140中。形成部分之基板傳輸系統400且包括一組之滾輪414及磁性支撐元件412的基板支撐組件係已經移動而靠近遮蔽框140,遮蔽框140係正在支承邊緣排除遮蔽件190。磁性支撐元件412係傾斜而遠離該組的滾輪414,以增加彼此之間的距離。
隱藏於第15圖中,但繪示於第16圖中,邊緣排除遮蔽件190更包括框部193。框部圍繞遮蔽部191,遮蔽部191在處理期間係用於遮蔽基板的邊緣。框部包括導引元件198以及磁性材料之導引元件196,導引元件198適用於卡合於滾輪414,例如是裝配到滾輪內之類似桿狀的元件,導引元件196適用於藉
由磁性支撐元件412支承。
如第16圖中所示,槓桿元件142、144可舉起邊緣排除遮蔽件190而離開遮蔽框140且傳輸邊緣排除遮蔽件190到基板傳輸系統,此處特別是到滾輪414及磁性支撐元件412。接著,磁性支撐元件412可傾斜回去,以減少它們和滾輪414之間的距離。藉此,它們磁性地卡合於導引元件196,以支撐邊緣排除遮蔽件190。槓桿元件142、144可接著自邊緣排除遮蔽件的卡合元件192、194解除卡合。在第17圖中,槓桿元件係範例地繪示而更於反時鐘方向中轉動且解除卡合。用於移動槓桿元件之動力可從沉積腔體外提供至遮蔽框的驅動部。邊緣排除遮蔽件現在直接地藉由基板支撐組件支撐,可能傳輸到傳輸路徑上之一位置,且可能傳輸至沉積腔體外。
當邊緣排除遮蔽件已經移動到基板支撐系統之真空部外時,可執行維護。在進行維護的期間,沉積材料之塗佈係自邊緣排除遮蔽件移除。在第18圖中之一實施例中,基板處理系統1000包括載體維護站1600及維護站1700,載體維護站1600用以清潔載體,維護站1700用以維護邊緣排除遮蔽件。載體維護站1600及維護站1700可亦為一體且相同的站。
鉤起於鉤起裝置之邊緣排除遮蔽件1890或單獨之邊緣排除遮蔽件1890已經傳輸到傳輸路徑T2上之一位置。鉤起於第二鉤起裝置之第二個邊緣排除遮蔽件1895或單獨之第二邊緣排除遮蔽件1895已經傳輸至傳輸路徑T1上而經由前端模組
1100及載入模組1200進入載入模組1300。接著,邊緣排除遮蔽件1895及邊緣排除遮蔽件1890可同時地在載入模組1300及處理模組1400之間交換。為已維護或新的邊緣排除遮蔽件的邊緣排除遮蔽件1895係傳輸到靠近基板之處理位置P的位置而可遮蔽基板邊緣。邊緣排除遮蔽件1895可接著進行例如是加熱或電漿處理的調整。此有利於其擺脫可能會對塗佈製程產生負面影響的水分。水分可藉由真空系統從處理腔體排出。邊緣排除遮蔽件1890可以基板傳輸系統經由載入模組1200、1300經由前端模組1100傳輸到維護站1700。
一旦邊緣排除遮蔽件1895需要更替時,邊緣排除遮蔽件1890可在維護站1700中維護且經由前端模組1100、載入模組1200及1300再插入到處理模組1400中。
根據此處所述之實施例,用於從基板處理系統之處理腔體取出遮蔽元件或插入遮蔽元件至處理腔體中之方法係提供。此方法可為維護基板處理系統之遮蔽元件的方法,遮蔽元件例如是邊緣排除遮蔽件。實施例亦有關於遮蔽元件、鉤起裝置、遮蔽元件及鉤起裝置之組合、以及基板處理系統,遮蔽元件例如是邊緣排除遮蔽件。
遮蔽元件可為邊緣排除遮蔽件,用於排除材料應用在基板邊緣上。材料之應用可為沉積,例如是濺鍍沉積。遮蔽元件可為任何其他遮蔽至少部分的基板來避免接收塗佈的元件,例如是遮罩(mask)。為了簡化且不意欲做為一限制,例子將通常以
邊緣排除遮蔽件、材料之沉積以及沉積腔體來舉出。
基板處理系統可為用於處理實質上垂直方向之基板之系統,處理特別是意指塗佈。或者,可處理實質上水平方向之基板。基板處理系統可為串聯式系統或可包括至少一運轉中心(hub),例如是具有多軸機械手臂的中央腔體。基板處理系統可包括前端模組、載入模組、及處理模組,處理模組亦稱為處理腔體。處理腔體可為沉積腔體,特別是濺鍍腔體。基板處理系統可包括其他載入或處理模組,例如是第二載入模組及/或第二、第三或第四處理模組。在具有兩個載入模組之實施例中,第一載入模組可連接於第一幫浦系統,第一幫浦系統適用於對第一載入模組抽氣(pump down)至中度真空,且第二載入模組可連接於第二幫浦系統,第二幫浦系統適用於對第二載入模組抽氣至高度真空。中度真空可在00.5mbar至1mbar之範圍內,例如是約0.1mbar。高度真空可為0.001mbar或更少,特別是在從10-5mbar至10-4mbar之範圍內,例如是約5*10-5mbar。處理腔體可全部抽氣至高度真空。
於一些實施例中,前端模組係適用以載入基板至載體中。前端模組可形成基板處理系統之一氣體部,也就是非真空狀態之一部。此載入模組或此些載入模組可為在基板處理系統之氣體部及真空部之間的鎖固件。載入模組可視為載入基板或基板載體至真空部中或從其卸除它們。真空部可包括此(些)處理模組。此(些)處理模組可為真空處理模組。高度真空可存在於基板
處理系統之真空部的模組中。基板處理系統可包括載體維護站及/或邊緣排除遮蔽件維護站。此兩個站可亦為一體及相同的站,也就是用於維護載體及邊緣排除遮蔽件的站。
前端模組、載入模組及處理模組可配置以沿著傳輸路徑在此些模組之間進行基板傳輸。基板可在各自的載體內傳輸。基板處理系統可具有至少兩個傳輸路徑,此兩個傳輸路徑在傳輸方向中彼此平行地延伸。特別是,基板處理系統具有第一傳輸路徑與第二傳輸路徑。第一傳輸路徑及第二傳輸路徑係相對於彼此在一方向中移開,此方向垂直於傳輸方向。此方向將稱為轉換方向。在具有運轉中心(hub)的基板處理系統中,可能有多於一個的傳輸方向及沿著各傳輸方向所對應之傳輸路徑。
前端模組、載入模組及處理模組之至少一者包括一基板傳輸裝置,例如是雙軌基板傳輸裝置或三軌基板傳輸裝置或四軌基板傳輸裝置。處理模組可為一列模組中之最後一個模組,此列模組起始於前端模組。處理模組可包括基板傳輸裝置。雙軌基板傳輸裝置提供兩個個別的軌道,用以支撐基板或基板載體、三軌基板傳輸裝置提供三個個別的軌道,用以支撐基板或基板載體、四軌基板傳輸裝置提供四個個別的軌道,用以支撐基板或基板載體、以及n軌基板傳輸裝置提供n個個別的軌道,用以支撐基板或基板載體,其中n為自然數。軌道係定義為可支撐基板或基板載體之空間。軌道可由基板支撐組件或其支撐元件所定義。n軌基板傳輸裝置的任何數目m可在垂直於傳輸方向的至少一方
向中相對於彼此可移動,特別是在轉換方向中,其中m係為0至n之範圍以外的整數。也就是說,基板傳輸裝置之至少二軌道的二者或多者可在至少轉換方向中相對於彼此可移動。在雙軌基板傳輸裝置中,此兩個軌道可在垂直於傳輸方向的至少一方向中相對於彼此可移動,特別是在轉換方向中。
基板傳輸裝置之兩個軌道可獨立於彼此在至少轉換方向中可移動。前端模組、處理模組或例如是傳輸模組之其他模組可配置,使得兩個軌道可在轉換方向中越過彼此。第一軌道可對齊於第一傳輸路徑,且可在不同時間亦對齊於第二傳輸路徑。換言之,第一軌道可對齊於第一傳輸路徑或者對齊於第二傳輸路徑。第二軌道可對齊於第一傳輸路徑,且可在不同時間亦對齊於第二傳輸路徑。換言之,第二軌道可對齊於第一傳輸路徑或者對齊於第二傳輸路徑。
處理模組,也就是基板處理腔體,包括沉積源。根據此處所述之實施例,沉積源可例如是濺鍍源,更特別是平面或轉動靶材濺鍍源。轉動靶材可透過相較於平面靶材技術之較好的靶材表面冷卻來提供高沉積率。
在處理模組中,第一軌道及/或第二軌道可對齊於處理位置。處理位置特別是較第一及第二傳輸路徑靠近沉積源。基板或基板載體可在處理位置中對齊於邊緣排除遮蔽件。沉積遮罩可相對於沉積源位在一固定位置而固定。處理模組可包括多於一個的沉積源,例如是兩個沉積源。接著,每個處理模組可有多於
一個的處理位置。具有多於一個沉積源的處理模組可為三軌或甚至是四軌模組,例如是完全相對可移動三軌或四軌模組。其軌道可對齊多於一個處理位置。有關於讓軌道轉換/交換的雙軌及多軌基板傳輸裝置、基板支撐元件之對應移動、以及通過不同模組的載體或基板之路線的詳細內容可在PCT/EP2012/067659及PCT/EP2012/067656中尋得。
基板處理系統包括基板傳輸系統。基板傳輸系統係為用以經由基板處理系統傳輸基板或基板載體及/或對基板或基板載體排定路線的系統。基板傳輸系統係為用以傳輸基板或基板載體至沉積腔體中及離開沉積腔體之系統。用於基板傳輸之元件可形成基板傳輸系統,用於基板傳輸之元件例如是此處所述或在PCT/EP2012/067659及PCT/EP2012/067656中之個別的模組之基板傳輸裝置。
基板處理系統包括至少一遮蔽元件,例如是邊緣排除遮蔽件。邊緣排除遮蔽件可位於處理模組中之其工作位置內,特別是在沉積腔體中。邊緣排除遮蔽件可位於維護站中來進行維護或於其往維護站之途中或從維護站返回其工作位置。邊緣排除遮蔽件包括遮蔽部,配置以排除材料沉積到基板邊緣上。當邊緣排除遮蔽件係在其工作位置中且基板或基板載體係在其處理位置中時,在處理腔體中之來自沉積源的材料係避免塗佈基板之邊緣。基板之邊緣可為20%之基板之長度或寬度,或可更少,例如是15%或更少,10%或更少,或5%或更少之基板的長度或寬度。
特別是,基板之邊緣係1%或更少之基板之長度或寬度。邊緣排除遮蔽件的尺寸可適用於基板尺寸。
根據一實施例,用於從基板處理系統之處理腔體取出遮蔽元件或插入遮蔽元件至處理腔體中之方法係提供。處理腔體可為真空處理腔體,特別是如此處所述之高度真空處理腔體。於一些實施例中,此方法係為用於基板處理系統之邊緣排除遮蔽件之維護的方法。簡言之且不意欲做為一限制,將說明邊緣排除遮蔽件、材料之沉積以及沉積腔體。基板處理系統包括沉積腔體、第一邊緣排除遮蔽件及基板傳輸系統。
此方法包括藉由基板傳輸系統傳輸第一邊緣排除遮蔽件。此繪示於第19圖之方塊圖中,以參考符號1900標註。藉由基板傳輸系統傳輸第一邊緣排除遮蔽件可包括傳輸第一邊緣排除遮蔽件至沉積腔體內或離開沉積腔體、至基板處理系統之真空部內或離開基板處理系統之真空部、及/或傳輸第一邊緣排除遮蔽件至用於邊緣排除遮蔽件之維護站或傳輸來自邊緣排除遮蔽件之維護站之第一邊緣排除遮蔽件。
當第一邊緣排除遮蔽件之傳輸係使用了基板傳輸系統之至少一部分的元件,且此基板傳輸系統之此至少一部分的元件通常用於基板或載體之傳輸時,邊緣排除遮蔽件係稱做藉由基板傳輸系統來進行傳輸。舉例來說,如果只有一個基板支撐組件或只有例如是一組之滾輪的其一些支撐元件係使用來進行邊緣排除遮蔽件之傳輸,此即有做為藉由基板傳輸系統來進行傳輸的
資格。藉由基板傳輸系統之傳輸可額外地使用非用於傳輸基板或基板載體之元件。此並非失去做為藉由基板傳輸系統進行傳輸的資格。
藉由利用基板傳輸系統來傳輸邊緣排除遮蔽件,開啟(真空)沉積腔體以更替邊緣排除遮蔽件之需求可不再存在。因此,用於更換邊緣排除遮蔽件之時間可縮短及/或更可預測。在沉積腔體需要開啟後的週期可例如是與在沉積腔體內之濺鍍靶材的壽命等長。基板處理系統之產量可增加。
於一些實施例中,第一邊緣排除遮蔽件可被動地傳輸。被動傳輸意指邊緣排除遮蔽件不是直接地卡合於基板傳輸系統,但由此處名為鉤起裝置之另一裝置所載運。
相較於基板或基板載體,鉤起裝置可在至少一方向中具有相同或類似的外部尺寸。鉤起裝置可具有一尺寸,此尺寸此後係稱為高度,且符合由基板傳輸組件之數個支撐元件間所形成的空間,舉例為上及下支撐元件之間,上及下支撐元件例如是滾輪及磁性支撐元件。鉤起裝置之高度可相同於、類似於對應之基板或載體之高度。基板或載體之高度係為其垂直於傳輸方向且垂直於轉換方向之尺寸,也就是其沿著迴避方向之尺寸。鉤起裝置之長度與基板或基板載體之長度可亦相同或相似,當基板、基板載體或鉤起裝置係位於基板傳輸系統中,此長度係於傳輸方向中所量測。鉤起裝置可配置以取代在基板傳輸系統中之基板或基板載體,使其可於其中傳輸。
此方法可包括載入第一鉤起裝置至基板傳輸系統中,藉由虛線繪示於第19圖中的可選擇特徵並以參考符號1910標註。第一鉤起裝置可載入前端模組中基板傳輸系統內。鉤起裝置可包括框部。框部可包括第一導引元件,配置以卡合於基板傳輸系統之一組支撐元件,第一導引元件例如是圓棒或其他機械式導引元件,基板傳輸系統之此組支撐元件例如是滾輪。框部可包括第二導引元件,配置以卡合於基板傳輸系統的另一組支撐元件,第二導引元件例如是包括磁性或可磁化材料的磁性導引元件,基板傳輸系統的另一組支撐元件例如是磁性支撐元件。第一及/或第二導引元件可配置以具有相同或類似於基板或基板載體之對應部件的形狀,基板或基板載體之對應部件用於卡合於基板傳輸系統。載入鉤起裝置可包括讓鉤起裝置卡合於基板傳輸裝置之基板支撐組件之支撐元件,其中卡合於一些支撐元件可為接觸式或非接觸式,接觸式例如是機械式卡合,非接觸式例如是磁性卡合。於其中,框部之導引元件可卡合於支撐元件。
此方法可包括傳輸第一鉤起裝置至沉積腔體內,如第19圖中以參考符號1920所標註。沉積腔體包括第一邊緣排除遮蔽件,且鉤起裝置可傳輸至第一邊緣排除遮蔽件。傳輸鉤起裝置可包括下述之至少一特性:例如是藉由受驅動之基板支撐組件之支撐元件來沿著基板傳輸方向傳輸,特別是沿著一基板傳輸路徑;例如是藉由在沉積腔體內之基板支撐組件來沿著轉換方向傳輸,特別是從一基板傳輸路徑上之一位置到或進入一基板處理位
置之附近。鉤起裝置可從前端模組傳輸通過一或多個載入模組且亦可能通過處理模組。鉤起裝置於其中可通過配置於此些模組間之鎖固件。
此方法可更包括以第一鉤起裝置鉤起第一邊緣排除遮蔽件,繪示於第19圖中以參考符號1930標註。鉤起裝置可包括鉤起部,用以卡合於邊緣排除遮蔽件之卡合部。邊緣排除遮蔽件之卡合部可連接於遮蔽部或形成遮蔽部之部分,或形成框部之部分,框部係圍繞遮蔽部。鉤起部可包括鉤起元件,例如是卡鉤(hook)、夾件(clamp)、插頭(plug)或其他公固定元件(male fastening element)。邊緣排除遮蔽件之卡合部可包括凹槽(recess)、凹口(notch)、插口(socket)或其他母固定元件(female fastening element)。在鉤起及卡合部之公及母固定元件的配置可反過來。鉤起部可配置用以卡合於邊緣排除遮蔽件之卡合部,例如是機械式卡合以鉤起且支承邊緣排除遮蔽件來在基板傳輸系統中共同傳輸。
藉由基板傳輸系統傳輸第一邊緣排除遮蔽件可包括傳輸第一鉤起裝置,第一鉤起裝置透過基板傳輸系統支承第一邊緣排除遮蔽件離開沉積腔體,繪示於第19圖中做為另一可選擇特徵並以參考符號1940標註。透過基板傳輸系統傳輸第一邊緣排除遮蔽件可包括藉由基板傳輸系統傳輸載運有基板之第一或第二鉤起裝置到沉積腔體中,例如是在第一邊緣排除遮蔽件已經在維護站中維護後。
基板傳輸系統可配置以支援耦合之邊緣排除遮蔽件和鉤起裝置的重量及/或尺寸。位於數個模組之間的數個鎖合件具有開口,開口係調整尺寸以讓耦合之邊緣排除遮蔽件與鉤起裝置通過。開口(在迴避方向中)之高度可適用於邊緣排除遮蔽件之高度。開口(在轉換方向中)之寬度可適用於鉤起裝置與邊緣排除遮蔽件之結合寬度。開口可具有可變化之尺寸,取決於基板或基板載體是否傳輸或邊緣排除遮蔽件是否傳輸。舉例來說,數個可移動板可增大或縮小開口之尺寸。在此方式中,開口可在基板處理期間保持小的狀態,減少真空的破壞或粒子在不同腔體之間的交換。
基板處理系統可包括第二邊緣排除遮蔽件,或任何數量之其他邊緣排除遮蔽件。此方法可包括藉由基板傳輸系統傳輸第二邊緣排除遮蔽件,例如是至沉積腔體中或離開到沉積腔體外。第二邊緣排除遮蔽件可同時地與第一邊緣排除遮蔽件一起傳輸。舉例來說,在至少傳輸程序之一段時間區段內,第一邊緣排除遮蔽件可沿著一基板傳輸路徑傳輸且第二邊緣排除遮蔽件可沿著不同之基板傳輸路徑傳輸。
第二邊緣排除遮蔽件可被動地傳輸。此方法可包括載入第二鉤起裝置至基板傳輸系統中。第二鉤起裝置可在第一鉤起裝置載入後接續地載入,例如是直接在第一鉤起裝置載入後。第二鉤起裝置可支承已鉤起之第二邊緣排除遮蔽件,例如是新的或已維護之邊緣排除遮蔽件。此方法可包括傳輸支承已鉤起之第
二邊緣排除遮蔽件的第二鉤起裝置至沉積腔體內。第二邊緣排除遮蔽件可裝設於沉積腔體內,特別是工作位置中。
基板處理系統可包括遮蔽框。遮蔽框可配置於沉積腔體內之工作位置中。任何邊緣排除遮蔽件之裝設可包括插入邊緣排除遮蔽件至遮蔽框中。遮蔽框可例如是藉由水冷卻來進行冷卻。遮蔽框可接著在沉積製程期間冷卻邊緣排除遮蔽件。裝設第二邊緣排除遮蔽件可在以第一鉤起裝置鉤起第一邊緣排除遮蔽件後接續地執行。此方法可包括利用基板傳輸系統來傳輸空的第二鉤起裝置到沉積腔體外。
在一些實施例中,第一、第二及/或任何其他邊緣排除遮蔽件可主動地傳輸。主動傳輸意指邊緣排除遮蔽件本身卡合於基板傳輸系統之一些部件。鉤起裝置於此些實施例中並不需要。
此方法可包括從遮蔽框中之工作位置傳輸第一邊緣排除遮蔽件至基板傳輸系統,遮蔽框配置於沉積腔體中,繪示於第19圖中之可選擇特徵並以參考符號1970標註。
第一邊緣排除遮蔽件可包括卡合部,用於從遮蔽框內之位置傳輸邊緣排除遮蔽件至基板傳輸系統。第一邊緣排除遮蔽件可包括遮蔽部及框部,框部從遮蔽部向外,例如是圍繞其至少兩側邊或全部側邊。卡合部可連接於框部或遮蔽部,或形成部分的框部或遮蔽部。卡合部可為一機械式卡合部,例如是突出件、球形突出物(knob)、任何公固定部、或凹槽、凹口或任何母
固定部。
第一邊緣排除遮蔽件之框部可包括第一導引元件,配置以卡合於基板傳輸系統之一組的支撐元件,第一導引元件例如是圓棒或其他機械式導引元件,基板傳輸系統之此組的支撐元件例如是滾輪。框部可包括第二導引元件,配置以卡合於基板傳輸系統之另一組支撐元件,第二導引元件例如是包括磁性或可磁化材料之磁性導引元件,基板傳輸系統之另一組支撐元件例如是磁性支撐元件。第一及/或第二導引元件可配置以具有相同或相似於基板或基板載體之對應部件的形狀,基板或基板載體之對應部件係用於卡合於基板傳輸系統。從工作位置傳輸第一邊緣排除遮蔽件到基板傳輸系統可包括讓第一邊緣排除遮蔽件卡合於基板傳輸裝置之基板支撐組件的支撐元件,其中卡合於一些支撐元件可為接觸式或非接觸式,接觸式例如是機械式卡合,非接觸式例如是磁性卡合。於此中,第一邊緣排除遮蔽件之框部之導引元件可卡合於支撐元件。其他邊緣排除遮蔽件可具有相同之特性。
遮蔽框可包括傳輸部,傳輸部舉例為機械式傳輸部,機械式傳輸部例如是槓桿或槓桿系統。傳輸部可適用於卡合於第一或任何其他邊緣排除遮蔽件之卡合部,以從遮蔽框內之位置傳輸邊緣排除遮蔽件到基板傳輸系統。遮蔽框可包括電力源或連接於外部電力源,用以傳輸邊緣排除遮蔽件至基板傳輸系統。
傳輸第一邊緣排除遮蔽件可包括藉由基板傳輸系統傳輸第一邊緣排除遮蔽件至沉積腔體外,如第19圖中以參考符
號1980標註。第一或任何其他邊緣排除遮蔽件可在基板傳輸系統中單獨(solo)傳輸,也就是獨自(alone)傳輸。第一邊緣排除遮蔽件可亦傳輸至沉積腔體內,例如是在它已經維護之後。類似地。第二或任何其他邊緣排除遮蔽件可藉由基板傳輸系統傳輸到沉積腔體內或傳輸到沉積腔體外。第一、第二或任何其他邊緣排除遮蔽件可從基板傳輸系統傳輸到遮蔽框內之工作位置。在上文中所述之元件可卡合或解除卡合,以用於傳輸或傳送。舉例來說,藉由機械式卡合,第一邊緣排除遮蔽件及/或第二邊緣排除遮蔽件可傳輸到遮蔽框內之工作位置或傳輸出遮蔽框內之工作位置外。
無論是一或多個邊緣排除遮蔽件之主動傳輸或被動傳輸係執行,此方法可包括決定第一邊緣排除遮蔽件是否需要更換。此決定可包括從材料自靶材進行沉積而離開之時間區段來估測沉積於第一邊緣排除遮蔽件上之材料的總量,且基於此估測來做決定。此決定可額外地或二擇一地包括測量沉積的均勻度及/或位於基板上以外之粒子的存在且基於測量之均勻度資料及/或測量的粒子資料來做決定。基板處理系統可包括偵測系統,用於執行前述之測量步驟。基板處理系統可包括對應之感測器及一或多個控制器,以自動地執行決定及開始邊緣排除遮蔽件之替換。
決定第一/第二邊緣排除遮蔽件是否需要更替可包括比較測量之均勻度資料及/或粒子資料與一或多個態樣(pattern),且如果與此或此些個態樣之偏差多於一閥值時,正向地決定第一/第二邊緣排除遮蔽件需要更替,且如果與此或此些個
態樣之偏查未多於此閥值時,負向地決定第一/第二邊緣排除遮蔽件還不需要更替。第一鉤起裝置及/或第二鉤起裝置,或在主動傳輸之情況中,第一邊緣排除遮蔽件與/或第二邊緣排除遮蔽件可自動地載入到傳輸系統中,以回應於第一或第二邊緣排除遮蔽件需進行更替之正向決定。
此方法更包括對第一邊緣排除遮蔽件或任何其他邊緣排除遮蔽件執行維護,第一邊緣排除遮蔽件或任何其他邊緣排除遮蔽件係已經移到沉積腔體外或基板處理系統之真空部外,例如是移到維護部。維護邊緣排除遮蔽件可包括移除於沉積期間在沉積腔體中沉積於邊緣排除遮蔽件上之材料。此方法可包括利用基板傳輸系統傳輸已維護之第一邊緣排除遮蔽件、或任何其他已維護之邊緣排除遮蔽件到沉積腔體內。已維護之第一邊緣排除遮蔽件、或任何其他已維護之邊緣排除遮蔽件可在此情況中裝設或再裝設於沉積腔體中。裝設或再裝設可包括插入到遮蔽框中。
此方法可包括調整(conditioning)已裝設或已再裝設之第一邊緣排除遮蔽件及/或調整任何其他已裝設或已再裝設之邊緣排除遮蔽件。調整可包括加熱及/或電漿處理。基板處理系統可包括對應之加熱裝置及/或電漿清潔裝置,特別是配置於沉積腔體內。
其他實施例係有關於遮蔽元件,例如是如此處所述之邊緣排除遮蔽件,舉例與此處所述之遮蔽框結合。其他實施例係有關於此處所述之遮蔽元件與鉤起裝置之結合,遮蔽元件例如
是邊緣排除遮蔽件。再其他實施例係有關於基板處理系統,基板處理系統包括例如是此處所述之邊緣排除遮蔽件之至少一遮蔽元件,以及可能至少一此處所述之鉤起裝置及/或遮蔽框。此些系統及其元件可具有任何有關於用以維護邊緣排除遮蔽件之結構性及/或功能性特點。
第20圖繪示基板處理系統2000的示意圖,基板處理系統2000包括處理腔體2200。基板處理系統2000包括基板傳輸系統2010,適用於傳輸基板或基板載體至處理腔體2200中或處理腔體2200外,其藉由虛線雙箭頭象徵性地繪示。基板處理系統包括鉤起裝置2100及遮蔽元件2290。鉤起裝置適用於在基板傳輸系統中傳輸。鉤起裝置及遮蔽元件2290係配置以彼此卡合。基板傳輸系統可適用於在鉤起裝置及遮蔽元件彼此卡合時共同傳輸鉤起裝置及遮蔽元件,特別是用於共同傳輸鉤起裝置及遮蔽元件至處理腔體2200中或處理腔體2200外。
第21圖繪示一選擇,其中基板處理系統包括遮蔽框2140,用於支撐遮蔽元件2190。遮蔽元件2190係適用於在基板傳輸系統2010中傳輸。遮蔽元件可適用於在基板傳輸系統2010中獨立地傳輸至處理腔體2200中或處理腔體2200外。
於此使用之名稱與詞句係用以作為說明的名稱且並非限制,且使用之此名稱與詞句並不意欲排除任何所示及所說明或其部分之特點的任何均等物。在前述係有關於實施例的同時,其他或進一步之實施例可在不違背此範圍的情況下取得,且此範
圍係決定於下述之申請專利範圍。綜上所述,雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧鉤起裝置
110‧‧‧鉤起部
134、136‧‧‧導引元件
200‧‧‧處理腔體
250‧‧‧沉積源
290‧‧‧邊緣排除遮蔽件
300‧‧‧基板傳輸系統
310‧‧‧第一基板支撐組件
312‧‧‧磁性支撐元件
314‧‧‧滾輪
S‧‧‧轉換方向
E‧‧‧迴避方向
Claims (15)
- 一種用於從一基板處理系統(1000)之一處理腔體(200;1400)取出一第一遮蔽元件(190;290;1490)或插入該第一遮蔽元件至該處理腔體中之方法,該基板處理系統包括該處理腔體、該第一遮蔽元件(190;290;1490;1890)、及一基板傳輸系統(300;400;1010),該第一遮蔽元件用於排除材料應用於一基板之複數個部分上,該基板傳輸系統用於傳輸複數個基板(60)或複數個基板載體(62)至該處理腔體中及該處理腔體外,該方法包括:藉由該基板傳輸系統傳輸該第一遮蔽元件。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:載入一第一鉤起裝置(100)至該基板傳輸系統中;傳輸該第一鉤起裝置到該處理腔體中之該第一遮蔽元件;以及利用該第一鉤起裝置鉤起該第一遮蔽元件;以及其中藉由該基板傳輸系統傳輸該第一遮蔽元件包括藉由該基板傳輸裝置傳輸支承該第一遮蔽元件的該第一鉤起裝置到該處理腔體外。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:從一遮蔽框(140)中之一工作位置傳輸該第一遮蔽元件至該基板傳輸系統,該遮蔽框配置於該處理腔體內;以及其中該第一遮蔽元件係藉由該基板傳輸系統傳輸到該處理腔體外。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第一遮蔽元件係藉由該基板傳輸系統傳輸至該處理腔體外,該方法更包括:藉由該基板傳輸系統傳輸一第二遮蔽元件(1895)至該處理腔體中。
- 如申請專利範圍第4項所述之方法,更包括:載入一第二鉤起裝置至該基板傳輸系統中,該第二鉤起裝置支承該第二遮蔽元件;傳輸支承該第二遮蔽元件之該第二鉤起裝置至該處理腔體中;裝設該第二遮蔽元件於該處理腔體中;以及利用該基板傳輸系統傳輸空的該第二鉤起裝置至該處理腔體外。
- 如申請專利範圍第4項所述之方法,更包括:從該基板傳輸系統傳輸該第二遮蔽元件至一遮蔽框(140)中之一工作位置,該遮蔽框配置於該處理腔體中。
- 如申請專利範圍第2、3、5或6項之任一項所述之方法,其中藉由機械式卡合,該第一遮蔽元件及/或該第二遮蔽元件係鉤起、或分別地傳輸到該遮蔽框中之該工作位置或該遮蔽框中之該工作位置外。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:決定該第一遮蔽元件是否需要替換,其中決定該第一遮蔽元件是否需要替換選擇性地包括: 從該材料已經自一源應用的時間區段來估測應用於該第一遮蔽元件上之該材料的總量,且基於該估測來做決定;及/或測量處理之均勻度及/或位於該基板上以外之複數個粒子的存在,且基於測量之均勻度資料及/或測量之粒子資料來做決定。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:對該第一遮蔽元件進行維護;使用該基板傳輸系統來傳輸已維護之該第一遮蔽元件至該處理腔體內;以及再裝設已維護之該第一遮蔽元件於該處理腔體內。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法,更包括:調整(conditioning)已裝設之該第二遮蔽元件及/或再裝設之該第一遮蔽元件,其中調整係選擇性地包括加熱及/或電漿清潔。
- 一種遮蔽元件(190、290、1490、1890、1895),用於排除材料應用於一基板(60)之複數個部分上,該遮蔽元件包括:一遮蔽部(191),用以遮蔽該基板之複數個邊緣;以及(i)一卡合部(192、194),用於從一遮蔽框(140)內之一位置傳輸該遮蔽元件到一基板處理系統(1000)之一基板傳輸系統(300;400;1010),以於該基板傳輸系統中進行傳輸;或者(ii)一卡合部(292),用於鉤起該遮蔽元件至一鉤起裝置,以 在該基板處理系統之該基板傳輸系統中共同傳輸。
- 如申請專利範圍第11項所述之遮蔽元件以及(i)該遮蔽框(140)或(ii)該鉤起裝置(100),其中該遮蔽框包括一機械式傳輸部(142、144),適用於卡合該卡合部(192、194),以從該遮蔽框內之該位置傳輸該遮蔽元件至該基板傳輸系統,且其中該鉤起裝置包括一框部(134、136)及一鉤起部(110;112、113),該框部配置以載入至該基板處理系統之該基板傳輸系統中,該鉤起部用以卡合該遮蔽元件之該卡合部(292)以鉤起且支承該遮蔽元件,以在該基板傳輸系統中共同傳輸。
- 如申請專利範圍第11或12項之任一項所述之遮蔽元件,其中該遮蔽元件之該卡合部包括一機械式卡合元件(192、194;292)。
- 一種基板處理系統(1000),包括:一處理腔體(200;1400);一基板傳輸系統(300;400;1010),用於傳輸複數個基板或複數個基板載體至該處理腔體內或至該處理腔體外;以及如申請專利範圍第11至13項之任一項所述之該遮蔽元件(190;290;1490;1890;1895)及該遮蔽框(140)或該鉤起裝置(100); 其中該遮蔽元件或該鉤起裝置之該框部係適用於傳輸於該基板傳輸系統中,以傳輸該遮蔽元件至該處理腔體內或至該處理腔體外。
- 如申請專利範圍第14項所述之基板處理系統,更包括:一偵測系統,用於測量該材料應用之均勻度及/或位於該處理腔體外之該些基板上之複數個粒子的存在;以及一控制器,配置以接收量測之均勻度資料及/或量測之粒子資料,以基於該量測之均勻度資料及/或該量測之粒子資料來決定該遮蔽元件是否需要更替,且以(i)在該遮蔽元件之更替係決定為必要時,自動地插入該鉤起裝置至該基板傳輸系統中,且控制該遮蔽元件之鉤起並傳輸該遮蔽元件至該處理腔體外,或(ii)自動地控制該遮蔽元件傳輸到該基板傳輸系統且傳輸該遮蔽元件至該處理腔體外。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
??PCT/EP2012/072777 | 2012-11-15 | ||
PCT/EP2012/072777 WO2014075729A1 (en) | 2012-11-15 | 2012-11-15 | Method and system for maintaining an edge exclusion shield |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201428822A true TW201428822A (zh) | 2014-07-16 |
TWI636493B TWI636493B (zh) | 2018-09-21 |
Family
ID=47278775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102140973A TWI636493B (zh) | 2012-11-15 | 2013-11-12 | 取出或插入遮蔽元件之方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9640372B2 (zh) |
EP (1) | EP2920339A1 (zh) |
JP (1) | JP6080027B2 (zh) |
KR (1) | KR102048847B1 (zh) |
CN (1) | CN104781448B (zh) |
TW (1) | TWI636493B (zh) |
WO (1) | WO2014075729A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI788032B (zh) * | 2021-09-28 | 2022-12-21 | 天虹科技股份有限公司 | 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台 |
CN115874158A (zh) * | 2021-09-28 | 2023-03-31 | 天虹科技股份有限公司 | 开合式遮蔽机构及薄膜沉积机台 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10479063B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-11-19 | PDS IG Holding LLC | Roller masking system and method |
US10246936B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-04-02 | PDS IG Holding LLC | Masking systems and methods |
KR20180071360A (ko) * | 2015-10-25 | 2018-06-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 상의 진공 증착을 위한 장치 및 진공 증착 동안에 기판을 마스킹하기 위한 방법 |
CN105200374B (zh) * | 2015-10-31 | 2018-09-11 | 华有光电(东莞)有限公司 | 一种可防二次溅射污染的光学蒸发镀膜设备 |
KR102519797B1 (ko) * | 2016-04-12 | 2023-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 증착 방법 |
CN109563608A (zh) * | 2017-02-24 | 2019-04-02 | 应用材料公司 | 用于基板载体和掩模载体的定位配置、用于基板载体和掩模载体的传送系统及其方法 |
US20200251691A1 (en) * | 2017-03-17 | 2020-08-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for vacuum processing of a substrate, system for vacuum processing of a substrate, and method for transportation of a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber |
KR20190002415A (ko) * | 2017-05-16 | 2019-01-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 프로세싱하기 위한 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 프로세싱 시스템 및 기판을 프로세싱하기 위한 장치를 서비싱하기 위한 방법 |
KR102182582B1 (ko) * | 2017-06-28 | 2020-11-24 | 가부시키가이샤 아루박 | 스퍼터 장치 |
KR102107973B1 (ko) * | 2017-07-24 | 2020-05-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진공 챔버 내의 기판을 프로세싱하기 위한 장치 및 시스템, 및 마스크 캐리어에 대해 기판 캐리어를 정렬하는 방법 |
US10861692B2 (en) | 2017-10-26 | 2020-12-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Substrate carrier deterioration detection and repair |
CN110024100A (zh) * | 2017-11-10 | 2019-07-16 | 应用材料公司 | 对准载体的方法、用于对准载体的设备和真空系统 |
CN111312932A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 机光科技股份有限公司 | 有机光电组件的连续式量产设备及有机光电组件的制造方法 |
US11440306B2 (en) | 2019-01-11 | 2022-09-13 | PDS IG Holdings LLC | Gantry based film applicator system |
KR102315980B1 (ko) * | 2019-12-16 | 2021-10-21 | 주식회사 에프티시스템 | 오염방지를 위한 소자증착장치 |
KR20240034280A (ko) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
WO2024124217A2 (en) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | Intevac, Inc. | Substrate carrier for thin-film processing |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5478455A (en) * | 1993-09-17 | 1995-12-26 | Varian Associates, Inc. | Method for controlling a collimated sputtering source |
US5489369A (en) | 1993-10-25 | 1996-02-06 | Viratec Thin Films, Inc. | Method and apparatus for thin film coating an article |
US6809018B2 (en) | 2002-07-11 | 2004-10-26 | Macronix International Co., Ltd. | Dual salicides for integrated circuits |
JP4306322B2 (ja) | 2003-05-02 | 2009-07-29 | 株式会社Ihi | 薄膜形成装置の基板搬送装置 |
EP1717339A2 (de) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Applied Films GmbH & Co. KG | Kontinuierliche Beschichtungsanlage |
EP2159302B1 (en) | 2008-08-25 | 2015-12-09 | Applied Materials, Inc. | Coating chamber with a moveable shield |
CN104947061B (zh) * | 2008-08-25 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 具有可移动屏蔽件的涂布室 |
DE102010000447A1 (de) | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Aixtron Ag, 52134 | Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte |
EP2432008B1 (en) | 2010-09-17 | 2015-06-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing system comprising a replaceable substrate masking on carrier and method for processing a substrate |
-
2012
- 2012-11-15 WO PCT/EP2012/072777 patent/WO2014075729A1/en active Application Filing
- 2012-11-15 KR KR1020157015588A patent/KR102048847B1/ko active IP Right Grant
- 2012-11-15 US US14/440,943 patent/US9640372B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-15 JP JP2015542173A patent/JP6080027B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-15 EP EP12794899.0A patent/EP2920339A1/en not_active Withdrawn
- 2012-11-15 CN CN201280076987.4A patent/CN104781448B/zh active Active
-
2013
- 2013-11-12 TW TW102140973A patent/TWI636493B/zh active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI788032B (zh) * | 2021-09-28 | 2022-12-21 | 天虹科技股份有限公司 | 開合式遮蔽機構及具有開合式遮蔽機構的薄膜沉積機台 |
CN115874158A (zh) * | 2021-09-28 | 2023-03-31 | 天虹科技股份有限公司 | 开合式遮蔽机构及薄膜沉积机台 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016504491A (ja) | 2016-02-12 |
EP2920339A1 (en) | 2015-09-23 |
US9640372B2 (en) | 2017-05-02 |
JP6080027B2 (ja) | 2017-02-15 |
CN104781448A (zh) | 2015-07-15 |
CN104781448B (zh) | 2018-04-03 |
KR102048847B1 (ko) | 2019-11-26 |
TWI636493B (zh) | 2018-09-21 |
KR20150085002A (ko) | 2015-07-22 |
WO2014075729A1 (en) | 2014-05-22 |
US20150303041A1 (en) | 2015-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW201428822A (zh) | 遮蔽元件、使用其之基板處理系統及取出或插入其之方法 | |
US10062600B2 (en) | System and method for bi-facial processing of substrates | |
JP2017506703A (ja) | キャリアによって支持された基板上に一又は複数の層を堆積させるためのシステム、及び当該システムを使用する方法 | |
US20170005297A1 (en) | Evaporation source for organic material, apparatus having an evaporation source for organic material, system having an evaporation deposition apparatus with an evaporation source for organic materials, and method for operating an evaporation source for organic material | |
US20210269912A1 (en) | Evaporation source for organic material, deposition apparatus for depositing organic materials in a vacuum chamber having an evaporation source for organic material, and method for evaporating organic material | |
KR20180100563A (ko) | 나란히 있는 기판들을 갖는 연속적인 증발을 위한 장치 및 방법 | |
CN107567653B (zh) | 负载锁定腔室、真空处理系统和抽空负载锁定腔室的方法 | |
US8945682B2 (en) | Deposition apparatus, method for manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus | |
TW201921760A (zh) | 處理一遮罩裝置之方法、用以交換一遮罩裝置之設備、遮罩交換腔室、及真空系統 | |
KR20130008779A (ko) | 셔틀을 구비한 인라인 증착 시스템 | |
CN110972483A (zh) | 具有可移动的遮蔽件载体的设备 | |
JP7170017B2 (ja) | 成膜装置、これを用いた成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
KR101066979B1 (ko) | 스퍼터 장치 | |
WO2019170252A1 (en) | Vacuum processing system and method of operating a vacuum processing system | |
JP6833610B2 (ja) | 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する装置、有機材料用の蒸発源を含む蒸発堆積装置を有するシステム、及び有機材料用の蒸発源を操作するための方法 | |
WO2019206414A1 (en) | Vacuum processing system and method of operating a vacuum processing system | |
US10269598B2 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR20220163422A (ko) | 증착 장치, 프로세싱 시스템 및 광전자 디바이스의 층을 제조하는 방법 | |
KR20220043206A (ko) | 경로 스위칭 조립체, 이를 갖는 챔버 및 기판 프로세싱 시스템, 및 이들을 위한 방법들 | |
KR101923983B1 (ko) | 증착 모듈 및 증착 시스템 | |
JP2013151760A (ja) | シャドウマスク交換方法 |