TW201428281A

TW201428281A - 對樣本作三維的特性預分析，以在奈米探測時進行快速且非破壞性樣本上導航的非接觸式顯微鏡系統與方法

Info

Publication number: TW201428281A
Application number: TW102142202A
Authority: TW
Inventors: Vladimir A Ukraintsev; Richard Stallcup; Sergiy Pryadkin; Mike Berkmyre; John Sanders
Original assignee: Dcg Systems Inc
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2013-11-20
Publication date: 2014-07-16
Also published as: DE112013005537T5; US20140143912A1; JP2015537217A; TWI507681B; JP6231121B2; WO2014081888A1; US20150301078A1; US9506947B2; US8895923B2

Abstract

本發明揭示一種用於執行樣本探測之系統。該系統包括一拓樸顯微鏡，設置以接收一樣本根據至少3個基準標記設定的三維座標值；接收該樣本放置於一保持器內；及根據該至少3個基準標記及該三維座標值，移動定位至該樣本上之至少一位置。

Description

對樣本作三維的特性預分析，以在奈米探測時進行快速且非破壞性樣本上導航的非接觸式顯微鏡系統與方法

本案與美國專利申請案61/728,759號，發明名稱「Use of(Non-contact)Microscopy for 3D Pre-characterization of Sample for Fast and Non-destructive on Sample Navigation during Nanoprobing」相關，該案發明人為Vladimir A.Ukraintsev等，申請日為2012年11月20日。該案之全部內容併入本案作為參考。

本發明的實施例是關於樣本探測技術。本發明之實施例特別是關於使用掃描式探針及接觸式探針進行奈米探測之系統與方法。

奈米探測(nanoprobing)是一門非常廣闊的分析科學領域，包括多種形態對奈米物件的電性、機械、組成、及物理化學特性分析。奈米物件的範例包括奈米電子裝置及其組件。奈米探測則包括但不限於掃描式及接觸式探測。對於積體電路(IC)中的個別電晶體、記憶體的位元單元(bitcell)以及邏輯元件的電性探測，廣泛使用於測試新設計積體電路之性能，以及使用於矯正特定積體電路設計及/或整體技術的潛在故障。

對於一樣本內的奈米物件進行奈米探測時，需使用一探針，在該樣本表面上找尋，以定出待探測奈米物件的位置。以這種程序需要使用相當時間，才能將探針移動到該樣本上之適當位置。除此之外，還需在該樣品上，探測到奈米物件，所需時間更長。不但如此，將樣本定位到一現有電腦輔助設計的地圖上，更是困難，因為SEM及其他奈米探測工具的視野極為窄小。因為視野的狹小，要在樣本上找到須測試的特徵，可能需要更多時間。

於一些應用實例中，需要將樣本在樣本準備工具與奈米探測工具間來回移動。其中一例就是多層積體電路樣本的失敗分析。每次樣本移動到一新工具，都需要花費時間定位該樣本，並在樣本上找尋待測特徵的位置。如果各工具間的定位不一致，可能造成樣本破壞。現有技術下，用於對樣本作特性分析的工具及系統並未提供可快速在一樣本上找尋應探測特徵，及在各應探測特徵間正確移動的方法。

以下發明簡述提供作為對本發明數種面向及技術特徵之基本理解。發明簡述並非對本發明之廣泛介紹，因此也並非用來特別指出本發明之關鍵性或是重要元件，也非用來界定本發明之範圍。其唯一之目的僅在以簡化之方式展示本發明之數種概念，並作為以下發明詳細說明之前言。

本發明提供一種探測樣本之系統。該系統包括一拓樸顯微鏡(topographic microscope)，設置成：接收一樣本根據至少3個基準標記設定的三維座標值；接收該樣本於一保持器內；及根據該至少3個基準標記及該三維座標值，移動定位至該樣本上之至少一位置。

本發明之實施例的其他特徵及優點，可由附隨的圖式及以下的詳細說明更形清楚理解。

102‧‧‧樣本

104‧‧‧保持器

106‧‧‧基準標記

108‧‧‧X軸

110‧‧‧Y軸

116‧‧‧X/Y軸監控器

118‧‧‧Z軸監控器

120‧‧‧X/Y軸定位器

122‧‧‧Z軸定位器

202‧‧‧控制電路

203‧‧‧奈米探針裝置

204‧‧‧探針

206‧‧‧樣本

208‧‧‧通訊鏈結

210‧‧‧資料庫通訊鏈結

212‧‧‧三維特性預分析工具

220‧‧‧CAD資料庫

附隨之圖式包含於本說明書，並構成本說明書之一部份。圖式例示本發明之實施例，並與發明詳細說明共同解釋並描述本發明之原理。該等圖式之目的在於以圖形之方式描述例示實施例之主要技術特徵。該等圖式並非用以描述實際實施例之各個特徵或描述各該構件之相對尺寸，亦不代表其尺寸比例。

本發明之實施例係以例舉之方式說明，而非將本發明限縮於附隨圖式之描述。圖式中，類似的元件將以類似的元件符號表示。圖式中：圖1A表示根據本發明一實施例之方塊示意圖，並該實施例的光學顯微鏡之上視圖，該光學顯微鏡係設置以產生一樣本之描繪圖；圖1B表示根據本發明一實施例之光學顯微鏡側視圖，該光學顯微鏡係設置以產生一樣本之描繪圖；圖2表示根據本發明一實施例之奈米探針裝置，該探針裝置連結至一特性預分析工具；圖3表示根據本發明一實施例之樣本分析方法流程圖，該分析方法包括將探針定位之步驟。

以下說明本發明對樣本作三維的特性分析，以在奈米探測時進行快速且非破壞性樣本上導航的系統與方法實施例。根據本發明的實施例，該系統包括連結的(具資訊交換能力)光學及/或拓樸顯微鏡，用以在奈米探測時，在樣本上作三維的(3D)快速且非破壞性的導航。該奈米探測例如為由上而下的掃描式電子顯微鏡(SEM)或任何其他二維奈米探測工具所進行的奈米探測。該光學及/或拓樸顯微鏡在實體上可整合至奈米探測工具中。該光學及/或拓樸顯微鏡也可為一單機裝置。

在本發明一實施例中，該樣本可利用一通用樣本保持器，並提供基準標記，以從一工具轉換至另一工具。該標記可預先標示在該樣本保持器的預定位置上及/或標示在該樣本上(例如：使用雷射刻號機標示)。這種方式達成以下用途：(a)準確、快速且非破壞性的(例如：非接觸式)樣本三維(即Z(X，Y))拓樸圖定位；(b)快速的樣本二維(即(X，Y))定位，定位於已存在之描繪圖中，例如樣本的電腦輔助設計(CAD)描繪圖中；該樣本例如為一積體電路(IC)；(c)快速且簡易的將樣本在奈米探針裝置與樣本準備工具之間傳送。該樣本準備工具之例子包括但不限於：聚焦離子束(FIB)及離子銑刀；及(d)使用光學掃描探針及其他技術，包括但不限於：使用傳導性、電容性、磁性及其他型態探針的顯微鏡，以及拉曼光譜儀與螢光光譜儀，及其他探針輔助技術，進行快速的故障搜尋，對樣本作特性分析。若選用掃描探針顯微鏡(SPM)作樣本的拓樸特性分析，則儀器本身已經包括該探針功能(例如上述(d)所述之應用)。

本發明的新方法主要優點為奈米探測速率之提升(因可快速移動定位至需探測之位置，並將探針下降至一已知高度，以及根據已知之樣本拓樸資訊，將探針從一位置移動至另一位置，可快速進行移動，且不會碰觸到樣本)。本發明可以使用相對價廉、迅速且較好為非接觸式光學及/或拓樸顯微技術，對樣本作特性預分析，達到上述目的。該拓樸顯微鏡包括但不限於：掃描探針顯微鏡(SPMs)及原子力顯微鏡(AFMs)。本發明第二個優點為可快速且簡易產生多種資訊，成為一種全新的，足以提供特性分析、故障分析、樣本準備及電路編輯的強大技術。該優點可以縮短經由快速的故障搜尋達到故障分析結果所需的總時數，減少須探測裝置的數量，改善樣本準備工程中用於奈米探測之時間，以及之後的物理性故障分析步驟所需的時間。該物理性故障分析包括使用穿透式電子顯微鏡(TEM)、掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)、截面掃描式電子顯微鏡(SEM)等技術。

圖1A及1B顯示根據本發明一實施例的光學顯微鏡，係設置成可產生一樣本的描繪圖。該光學顯微鏡可以根據基準標記，對樣本進行快速且非破壞性的Z(X，Y)三維描繪圖套圖。在特性預分析的步驟中，可先對一樣本完成完整的描繪圖，也可對樣本上的多數特定待測位置(例如座標Z1(X1，Y1)及Z2(X2，Y2))完成描繪圖。在圖1A中特別顯示一樣本102，例如為一IC，安裝於一保持器104上。該保持器104可為一通用的保持器，可使用於多種工具，包括但不限於：樣本準備工具、奈米探測工具、電路編輯工具及其他用以分析、特性分析或準備一樣本之工具。一光學顯微鏡設置成可以根據3個或3個以上的基準標記106，產生該樣本102之三維座標值。該基準標記106可標示於該保持器104上及/或在樣品102上。該基準標記106可預先標示在保持器104上的預定位置及/或標示(例如使用雷射刻號機)在該樣本102上。

如圖1A所示，根據本發明一實施例，是將光學顯微鏡設置成可根據3個或3個以上的基準標記106，產生座標值，例如在該樣本102上，一個或數個位置相對於X軸108及Y軸110之座標值。因為該座標系統是根據3個或3個以上的基準標記106所設定，同樣使用根據該3個或3個以上的基準標記106所設定的座標系統的相同或不同工具，即可將該樣本102定位，並根據該產生的座標系統，將探針或其他工具定位到在樣本上的一位置。

圖1B表示根據本發明一實施例之光學顯微鏡側視圖，該光學顯微鏡係設置以產生一樣本之描繪圖。該光學顯微鏡設置成可以根據3個或3個以上的基準標記106，產生三維座標系統，對該樣本102作描繪圖的套圖。該光學顯微鏡包括一X/Y定位器120，該定位器120設置成可沿X軸108及Y軸110移動該樣本102。在過程中，該X/Y軸監控器116根據該3個或3個以上的基準標記106，利用包括此領域之已知技術，監控該樣本102在X軸及Y軸上的相對位置。該光學顯微鏡亦包括一Z軸定位器122，設置成可沿著該Z軸112移動該樣本102。此外，該光學顯微鏡也包括一Z軸監控器118與一雷射光源114，兩者結合形成一雷射反射系統。該雷射反射系統設置成可根據該3個或3個以上的基準標記106，利用包括此領域之已知技術，監控該樣本102在Z軸上的相對位置。

根據套圖時所需之空間解析度不同，可使用非接觸式探測技術(例如：氣動測微儀與非接觸式原子力顯微鏡(AFM))、接觸式探測技術(例如：輪廓測定儀與接觸式AFM)或其合併技術，以對樣本作特性預分析，以根據與參考基準標記的相對位置，產生該樣本之三維座標值，而不使用光學顯微鏡。重要的是，該樣本之三維座標資訊，即其Z(X，Y)描繪圖，是根據標示於該樣本保持器上或該樣本上之3個或3個以上的基準標記所產生。因此，該樣本根據該3個或3個以上的基準標記所設定三維座標值，可輕易的以任何其他工具復原，只要該工具能夠可讀取或獲得該等基準標記之三維座標值，即其XYZ位置。假設各工具每一探針在該XYZ座標系的座標值為已知，即可使探針能快速且正確達到定位，並能達成樣本在不同工具間的定位。

本發明之實施例包括使用一光學顯微鏡，例如本文所述的光學顯微鏡，使奈米探針在具有複合圖形的樣本(例如IC)上，作自動化的導航。可事先取得該IC之電腦輔助設計描繪圖，用於將奈米探針自動化導航至一期望的待測特徵，例如到達一X/Y座標位置，即(Xi，Yi)。該特徵的Z座標值，Zi，則可以一三維(例如：光學)顯微鏡測得，如本文所述。一旦該待測特徵根據該3個或3個以上的基準標記所設定的三維座標值，例如Zi(Xi，Yi)，為已知，即可將一奈米探針驅動至該定點，且進一步利用SEM或其他技術完成更高解析度之導航。與此相對，使用一高解析度顯微鏡(例如：SEM，AFM等)在一碩大且複雜的IC上進行導航，則相當困難且耗時。

在放置該保持器至下一個工具時，通用保持器在不同座標系統間的精確度需控制在數十微米下。根據本發明一實施例，光學顯微鏡及/或奈米探針裝置可建置成利用圖形自動辨識技術，包括本技術領域中之已知技術，以進一步降低任何以手動調整，例如藉由操作者調整，對樣本作X/Y軸的定位，以及在樣本上尋找待測位置的需求。

對以SEM為基礎及其他奈米探測方法來說，增加三維的，亦即Z(X，Y)的，較佳為非接觸式的樣本特性分析功能，應有必要，因為這種樣本特性分析可使探針迅速且精確地定位在樣本表面，而不損傷該探針及/或樣本。這種三維的特性預分析可使不同樣本置放到相同(或相似，相符，或已經特性預分析)的保持器時，如本說明書所述，可使探針在不同樣本上的定位更形快速。使用快速且非破壞性(較好為非接觸式)方法(例如：光學方法)，參考該基準標記，進行三維的樣本表面特性預分析，可在奈米探測期間，提供在樣本上作快速且精確的三維導航功能。

由於對在保持器上的樣本已經進行如本說明書所述的，根據3個或3個以上的基準標記而作的三維特性預分析，將該樣本轉移到另一工具後，只要使用根據該基準標記所設定的三維座標值，即可將該樣本定位。將樣本在工具間傳送時，可藉由手動方式，也可利用此領域中已知技術自動傳送。本發明所提供的技術可應用於多層IC樣本的故障分析，在這種分析中需要使用數個依序的奈米探測步驟，分別在不同層級的相互連結步驟中進行。在這種實例中，該樣本會在樣本準備工具與奈米探測工具之間來回移動。由於已經根據該基準標記而設定三維座標值，使該通用保持器與基準標記(例如標示在預先決定位置的基準標記)可為SEM及光學顯微鏡辨識，故可簡化該樣本在樣本準備工具(例如一FIB)上所需進行的定位，以及該樣本修正後，返回奈米探針裝置時的定位。因此，各個工具都可使用根據該基準標記所設定的三維座標值，定位該樣本上之位置，例如待測特徵之位置。

對樣本做特性預分析之其他優點的實例，包括使用於積體電路的功能性電性測試。這種測試常用於顯示積體電路的故障的多種狀況，例如積體電路上，特定顯著樣本區域內所在的多數疑似故障元件。使用本發明所述技術對一保持器上之樣本做特性預分析，以產生根據基準標記而設定之三維座標值，可提供快速尋找故障，以指出異常元件之功能，且因此可減少需要作奈米探測之元件數量。本發明提供在工具間快速移動樣本之功能，因為使用根據基準標記設定之三維座標值在一工具中定位樣本以及在樣本上導航至特定位置的時間，既已縮短，故可縮短設置工具需要的時間。

舉例來說，在先前技術中可使用一掃描探針顯微鏡(SPM，例如導電式原子力顯微鏡(AFM)或掃描式電容顯微鏡(SCM))來分離出具有高故障風險的異常元件，以提高檢測速率及奈米探測之正確率。當使用奈米探測技術檢測出具有缺陷的元件後，通常會將樣本送至物理故障分析，以判斷電性故障的確切物理原因。這時通常可使用高解析穿透式電子顯微鏡(TEM)或掃描穿透式電子顯微鏡或其他截面檢測技術(例如截面掃描式電子顯微鏡(XSEM)、掃描式電容顯微鏡(SCM)等)，進行分析。這種分析需使用聚焦離子束對一位置，以通常為奈米之精確度，製備一20-50奈米(nm)厚度的薄切片或截面。就此而言，本發明僅需一通用保持器，FIB工具可辨識的基準標記，以及根據該基準標記而設定的該故障元件之三維座標值，即可簡化在該工具內對保持器內之樣本之定位，導航及搜尋該故障元件，及任何於其他工具作進一步的物理故障分析之樣本準備工程。如本說明書所述，使用經過特性預分析，放置於保持器上的樣本，可提供與其他樣本特性分析技術(例如掃描式電容或磁力顯微鏡)的簡單連結，因為該根據基準標記所設定的三維座標值，可使樣本在不同工具間移轉時，可快速並簡易的將缺陷所在位置限縮到例如20-50奈米的範圍內。因此，只需使用穿透式電子顯微鏡或其他物理故障分析技術，即可找到故障的位置。

圖2表示根據本發明一實施例之奈米探針裝置，該探針裝置連結至一三維特性預分析工具。該三維特性預分析工具212為例如上述之光學顯微鏡，透過一通訊鏈結208，連結或耦接至其他工具，例如一奈米探針裝置203。該通訊鏈結208可為序列鏈結、並列鏈結、無線鏈結、乙太網路鏈結、或其他已知技術之通訊鏈結。一三維特性預分析工具，包括本說明書所述之工具，設置成可將根據3個或3個以上的基準標記而設定的座標值，利用包括本說明書所述技術，提供於奈米探針裝置203。該奈米探針裝置203設置成可根據該座標值，使用包括本說明書所述之技術，移動定位至該樣本上的一個或多個待測位置。

根據本發明一實施例，該奈米探針裝置203包括一控制電路202及一探針204。該控制電路202耦接該探針204。該控制電路202設置成可接收根據3個或3個以上的基準標記設定的三維座標值。該控制電路202設置成可使用該標示於該樣本及/或該保持器上，根據3個或3個以上的基準標記設定的三維座標值，定位一保持器上之樣本206。該控制電路202更進一步設置成可在該樣本206已經定位後，將該探針204定位該樣本206上一個或多個須探測之位置，以使用此領域之已知技術對樣本作特性分析。根據本發明一實施例，一控制電路202透過馬達、驅動器、齒輪、偵測器或其他機器及/或電子元件，耦接一探針204，以使用包括本領域已知之技術，移動探針 204或以其他方式控制探針204之移動。

該控制電路202可包含一或多個組件，包括但不限於：一或多個任何形式的微處理器、微控制器、記憶體、迴授回路、偵測器、探測器或其他組件，單獨或與與其他元件共同控制該探針204的移動，或該探針204與此領域已知組件的移動。於本發明一特定之實施例中，該探針204是設置成可掃描並根據接收自一特性預分析工具之該三維座標值，對一積體電路取樣。

在本發明一實施例中，是根據所接收的三維座標值，以及電腦輔助設計(CAD)描繪圖來控制該探針204之移動，該CAD描繪圖可指出樣本206上一組件、一裝置、一電路、一帶側區域，或其部分之位置。例如，本發明的系統可使用CAD描繪圖，在樣本206上找到一組件或元件，例如一積體電路的位置。該CAD描繪圖表示出樣本內的電路設計，並標示其中的組件及元件在電路中如何連接，CAD描繪圖所標示的位置，可能例如是一組件或一元件於樣本206上，或其部分上的位置。

根據本發明一實施例，該控制電路202可設置成可調整探針204對樣本206上之施力，以及該探針204在該CAD描繪圖上，並及在所接收到的三維座標系統中之移動。例如有一CAD資料庫220雖未與該探針連結，但已儲存用以生產待測樣本的CAD設計資料，即可用以取得該樣本的拓樸資料與設計資料，用以產生供該探針使用的導航資料。舉例言之，NEXS軟體套件是由美國加州費利蒙的DCG系統公司提供，就可用來提供CAD描繪圖，以供探針裝置從資料庫220中直接讀取，並對物理設計資料與邏輯設計資料作交互套圖。該NEXS套件可讀取積體電路(IC)設計中之LEF(Library Exchange Format)及DEF(Design Exchange Format)檔案，例如其GDS2檔案，以得知其物理層布局，及其邏輯電路的Netlist，並將其內容與作交互相關性分析，以產生CAD描繪圖。

在本發明一實施例中，該特性預分析工具212可選用的透過一資料庫通訊鏈結210連接至一CAD資料庫220，用以代替或附加在連結該特性預分析工具與該奈米探針裝置203的通訊鏈結208。該資料庫通訊鏈結210可為任何形式的通訊鏈結，包括本說明書所述的任一形式。在這種實施例中，該特性預分析工具是設置成可傳輸所產生的三維座標值至該CAD資料庫220。此外，也可將奈米探針裝置203設置成可從一CAD資料庫220取得或接收根據3個或3個以上的基準標記所設定的三維座標值。

圖3表示根據本發明一實施例之樣本分析方法流程圖，該分析方法包括將探針定位之步驟。在本發明一實施例中，一個系統包括本說明書所述之系統，設置成可執行分析一樣本之方法，該方法包括將一探針定位的步驟。該方法包括：使用本說明書所述方法，對一樣本作特性分析，以產生根據至少3個基準標記所設定的三維座標值，如圖3之方塊302所示。如方塊304所顯示，該系統根據該三維座標值及該至少3個基準標記，將該樣本定位。該方法亦包括根據該三維座標及該至少3個基準標記，移動定位至該樣本上之一位置，如方塊306所顯示。於方塊308所示步驟，該方法選用性的包括移轉該樣本至一準備工具，該準備工具設置成可根據所產生之三維座標值及該至少3個基準標記，使用包括本說明書所述之技術，移動定位至一或多個位置。如方塊310所顯示，該方法可能選用性的包括移轉該樣本至一特性分析工具，該特性分析工具建置成可根據所產生之三維座標值及該至少3個基準標記，使用本說明書所述之技術，移動定位至一或多個位置。

以上說明內容是在描述本發明之特定例示性實施例。但從以上說明顯然可能產生各種修改及變化。因此本專例說明書及圖式應屬說明性質，而非限制性質。

Claims

一種執行樣本探測之系統，包括：一拓樸顯微鏡(topographic microscope)，建置以：接收一樣本根據至少3個基準標記設定的三維座標值；接收該樣本放置於一保持器內；及根據該至少3個基準標記及該三維座標值，移動定位至該樣本上之至少一位置。
如申請專利範圍第1項之系統，進一步包含一三維顯微鏡，建置以產生該樣品根據該至少3個基準標記設定之三維座標值。
如申請專利範圍第2項之系統，其中該三維顯微鏡為一光學顯微鏡。
如申請專利範圍第1項之系統，其中該拓樸顯微鏡為一掃描探針顯微鏡。
如申請專利範圍第1項之系統，其中該拓樸顯微鏡為一原子力顯微鏡。
如申請專利範圍第1項之系統，其中該基準標記標示於該保持器上。
如申請專利範圍第1項之系統，其中該基準標記標示於該樣本上。
如申請專利範圍第1項之系統，進一步包含一準備工具，建置成可接收該樣本放置於一保持器內，並建置成可依據該至少3個基準標記及該三維座標值，移動定位至該樣本上之該至少一個位置。
如申請專利範圍第1項之系統，其中該拓樸顯微鏡進一步設置成可根據一電腦輔助設計描繪圖，移動定位至該樣本上之該至少一位置。
一執行樣本探測之方法，包括：對一樣本作特性分析以產生根據至少3個基準標記所設定的三維座標值；根據該至少3個基準標記，定位該樣本；及根據該三維座標值及該至少3個基準標記，移動定位至該樣本上之一位置。
如申請專利範圍第10項之方法，其中該對該樣本作特性分析以產生根據至少3個基準標記設定的三維座標值之步驟，係使用三維光學顯微鏡加以執行。
如申請專利範圍第10項之方法，進一步包含使用一掃描探針顯微鏡，根據該三維座標值，對該樣本作特性分析的步驟。
如申請專利範圍第12項之方法，其中該樣本係放置於一保持器內。
如申請專利範圍第13項之方法，進一步包含移轉該樣本至一特性分析工具之步驟，該特性分析工具建置成可根據該三維座標及該至少3個基準標記，移動定位至該樣本上之至少該位置。
如申請專利範圍第10項之方法，其中該定位該樣本之步驟係進一步根據一電腦輔助設計描繪圖。
如申請專利範圍第15項之方法，進一步包含移轉該樣本至一準備工具之步驟，該準備工具設置成根據該三維座標及該至少3個基準標記，移動定位至該樣本上之至少該位置。
如申請專利範圍第16項之方法，其中該至少3個基準標記均位於該保持器上。
如申請專利範圍第10項之方法，其中該定位及移動定位步驟，均以一特性分析工具執行；該特性分析工具為選自一接觸式原子力顯微鏡、一掃描式電容顯微鏡及一磁力成像工具中之一種。
一種執行樣本探測之系統，包含：一三維顯微鏡，設置以產生一樣本根據至少3個基準標記設定之三維座標值；及一拓樸顯微鏡，設置以：接收該樣本根據至少3個基準標記設定的三維座標值；接收該樣本放置於一保持器內；及根據該至少3個基準標記及該三維座標值，移動定位至該樣本上之至少一位置。
如申請專利範圍第19項之系統，進一步包含一準備工具，設置成可接收放置於該保持器之該樣本，並設置成可根據該至少3個基準標記及該三維座標，移動定位至該樣本上之至少該位置。