TW201427208A - 光束產生裝置 - Google Patents

Abstract

一種光束產生裝置，包括雷射光源、散斑抑制模組、光均勻化模組以及驅動單元。雷射光源輸出雷射光束。散斑抑制模組包括第一柱狀透鏡、擴散器以及第二柱狀透鏡，其中擴散器位於雷射光束於第一柱狀透鏡與第二柱狀透鏡之間的傳遞路徑上。光均勻化模組配置於來自第二柱狀透鏡的雷射光束的傳遞路徑上。驅動單元驅使擴散器相對雷射光束運動，以使從第二柱狀透鏡出射的雷射光束在第一方向上的光束參數乘積比值相對於在第二方向上的光束參數乘積比值之比值大於2，其中第一方向實質上垂直於第二方向。

Description

光束產生裝置

本發明是有關於一種光束產生裝置。

雷射光束具有良好的準直性、高的功率以及光強度，因此雷射光束產生裝置在現代工業上有著很廣泛的應用，諸如實驗室用的高準直光源、簡報時所用的雷射筆、讀取或燒錄光碟時所採用的雷射光源、雷射滑鼠所採用的雷射光源、各種量測儀器的雷射光源、顯示領域的雷射光源、光纖通訊中的雷射源、甚至是生醫領域之儀器的雷射光源等。

由於雷射光源所發出的雷射光束具有高同調性，因此當雷射光束照射不平滑的物體表面(例如透鏡、反射器等)時，來自物體表面之雷射光束產生干涉(interference)，而於被照射面上產生散斑(speckle)。散斑是一種不規則的雜訊狀圖案(例如是不規則的亮暗雜點)，其會導致被照射面上的照度不均勻，造成應用此雷射光源的裝置的光學品質下降。

本發明之一實施例提供一種光束產生裝置，包括雷射光源、散斑抑制模組、光均勻化模組以及驅動單元。雷射光源輸出雷射光束。散斑抑制模組包括第一柱狀透鏡、擴散器以及第二柱狀透鏡。第一柱狀透鏡配置於雷射光束的 傳遞路徑上。擴散器配置於來自第一柱狀透鏡的雷射光束的傳遞路徑上。第二柱狀透鏡配置於來自擴散器的雷射光束的傳遞路徑上。光均勻化模組配置於來自第二柱狀透鏡的雷射光束的傳遞路徑上。驅動單元驅使擴散器相對雷射光束運動，以使從第二柱狀透鏡出射的雷射光束在第一方向上的光束參數乘積比值相對於在第二方向上的光束參數乘積比值之比值大於2，其中第一方向實質上垂直於第二方向。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A為本發明一實施例之光束產生裝置的上視示意圖。圖1B為圖1A之光束產生裝置的側面示意圖。請參照圖1A及圖1B，本實施例之光束產生裝置100包括雷射光源110、散斑抑制模組120、光均勻化模組130以及驅動單元140。雷射光源110輸出雷射光束B1。在本實施例中，雷射光束B1例如是脈衝雷射光束。

本實施例之光束產生裝置100還可包括擴束單元150配置於雷射光束B1的傳遞路徑上，且位於雷射光源110與散斑抑制模組120之間，其中通過擴束單元150後的雷射光束B2的直徑例如是在10至20毫米之間。此外，本實施例之雷射光束B1的波長例如是落在100奈米至1000微米的範圍內。然而，本實施例不用以限定雷射光束B1 的波長範圍或是雷射光束B2的直徑範圍。

散斑抑制模組120主要功能是將入射的雷射光束B2進行能量的重新分布。散斑抑制模組120包括第一柱狀透鏡122、擴散器124以及第二柱狀透鏡126。第一柱狀透鏡122配置於雷射光束B2的傳遞路徑上，雷射光束B2經過第一柱狀透鏡122後，形成雷射光束B3。擴散器124配置於來自第一柱狀透鏡122的雷射光束B3的傳遞路徑上，雷射光束B3經過擴散器124後，形成雷射光束B4。第二柱狀透鏡126配置於來自擴散器124的雷射光束B4的傳遞路徑上，雷射光束B4經過第二柱狀透鏡126後，形成雷射光束B5。

光均勻化模組130配置於來自第二柱狀透鏡126的雷射光束B5的傳遞路徑上。驅動單元140耦接至擴散器124，並驅使擴散器124相對雷射光束B3運動，以調變從第二柱狀透鏡126出射的雷射光束B5在不同方向上的光束參數乘積比值(M square,M²)。在本實施例中，驅動單元140為致動器，例如為馬達或其他適當的致動器，其可驅使擴散器124運動。

所述光束參數乘積比值是指：實際的雷射光束的光束參數乘積(Beam Parameter Product,BPP)與在相同波長下的理想的高斯光束(ideal Gaussian beam)的光束參數乘積的比值。光束參數乘積比值(M²)的定義如下： 其中W _m 為雷射光束之光束腰(指雷射光束之最窄處)之半 徑，而θ _m 為雷射光束之發散角(半角)。理想的高斯光束的光束參數乘積比值為1。意即，當一雷射光源之光束參數乘積比值(M²)越接近1時，則代表實際的雷射光束的能量分布越接近理想的高斯光束的能量分布。換言之，此時的雷射光束具有良好的品質以及高同調性。

以下將以圖2A及圖2B做進一步的說明。圖2A為圖1A中散斑抑制模組120的放大示意圖，而圖2B為圖1B中散斑抑制模組120的放大示意圖。請同時參照圖2A及圖2B，第一柱狀透鏡122的曲面以及第二柱狀透鏡126的曲面在第一方向X上不彎曲(繪示於圖2A)，且在第二方向Y上彎曲(繪示於圖2B)。在本實施例中，第一方向X例如是實質上垂直於第二方向Y。

此外，本實施例之第一柱狀透鏡122的曲面例如是朝向該雷射光源110(繪示於圖1B)，且第二柱狀透鏡126的曲面例如是朝向光均勻化模組130(繪示於圖1B)。進一步來說，第一柱狀透鏡122的曲面與第二柱狀透鏡126的曲面在第二方向Y上係為對稱設置，但並不以此為限。

請參照圖2B，通過第一柱狀透鏡122的雷射光束B3在第一柱狀透鏡122與第二柱狀透鏡126之間具有光束腰A(即雷射光束B3之最窄處)，且在本實施例中，擴散器124位於光束腰A與第二柱狀透鏡126之間。此外，在光束腰A處的雷射光束B3的截面為線型截面，且此線型截面沿著第一方向X延伸。

詳言之，擴散器124例如是具有面向第一柱狀透鏡122 的多個微結構124a，且這些微結構124a的頂部與光束腰A相隔距離d。圖3A繪示圖2A及圖2B之擴散器124的上視示意圖。請參照圖3A，本實施例之擴散器的微結構124a例如是呈週期性排列的一維結構，其中微結構124a例如是沿第二方向Y延伸，且沿第一方向X排列。當然，本發明之微結構124a的實施型態並不限於此。圖3B及圖3C繪示擴散器之微結構的其他實施型態。請參照圖3B，擴散器的微結構124b也可以是呈週期性排列的二維結構，其中微結構124b例如是陣列分佈。圖3C為擴散器的側視示意圖。請參照圖3C，擴散器的微結構124c還可以是呈不規則排列的二維結構。或者，圖3A中的微結構124a與圖3B中的微結構124b也可以是呈現隨機排列。

在本實施例中，透過散斑抑制模組120之擴散器124相對雷射光束B3運動，可調變從第二柱狀透鏡126出射的雷射光束B5在不同方向上的光束參數乘積比值。藉此改善散斑現象，而具有亮度均勻的線型光斑10。以下將以圖1B及圖2B進行更詳細的說明。

請參照圖1B及圖2B，驅動單元140驅使擴散器124相對雷射光束B3運動。具體而言，擴散器124可以是旋轉或是來回平移振動。在本實施例中，使用如圖3A所示之擴散器124，且擴散器124例如是沿第一方向X來回平移振動，但本發明不限於此。在另一實施例中，擴散器124也可以是沿其他方向來回平移振動或旋轉。舉例而言，使用如圖3B的擴散器124，擴散器124可以是以一旋轉軸(未 繪示)為軸來旋轉，而此旋轉軸例如是平行於雷射光束B3之中心軸O。另外，使用如圖3C所示的擴散器124，擴散器124沿第一方向X來回平移振動也可達到與上述實施例相似的效果。又或者，擴散器124可以在光束腰A與第二柱狀透鏡126之間沿雷射光束B3的傳遞方向來回前後振動。此外，圖3C中的擴散器124還可以是以一旋轉軸(未繪示)為軸來旋轉，而此旋轉軸例如是平行於雷射光束B3之中心軸O。

在本實施例中，在作用時間t內雷射光束B3的中心軸O掃過的微結構124a的數量為M，且擴散器124的平均運動速率v如下式所示：

擴散器124的平均運動速率v正比於數量M與節距p的乘積除以作用時間t。在本實施例中，雷射光束B3的脈波重複頻率與擴散器124被雷射光束B3照射處的平均運動速率的比值例如是小於或等於500。詳言之，本實施例之光束產生裝置100還可包括控制單元190電性連接至雷射光源110與驅動單元140，以使雷射光束B3的脈波重複頻率與擴散器124被雷射光束B3照射處的平均運動速率相搭配。如此，可確保每一個脈波皆與擴散器124充分作用，而得以調變從第二柱狀透鏡126出射的雷射光束B5在不同方向上的光束參數乘積比值。在另一實施例中，雷射光源110也可以是連續波式(continuous wave)的雷射光源。如此，則沒有雷射光束B3的脈波重複頻率與擴散 器124被雷射光束B3照射處的平均運動速率相搭配的問題。

進一步而言，本實施例從第二柱狀透鏡126出射的雷射光束B5在第一方向X上的光束參數乘積比值M_x ²相對於在第二方向Y上的光束參數乘積比值M_y ²之比值M_x ²/M_y ²例如是大於2。舉例而言，本實施例之雷射光束B5在第一方向X上的光束參數乘積比值M_x ²例如是大於10，且雷射光束B5在第二方向Y上的光束參數乘積比值M_y ²例如是小於2。

圖4A及圖4B為擴散器在未相對雷射光束運動下，於第一方向上及第二方向上的雷射光束強度相對於雷射光束中心軸的位置的曲線。圖5為擴散器相對雷射光束運動下，於第一方向上的雷射光束強度相對於雷射光束中心軸的位置的曲線。

請參照圖4A及圖4B，在擴散器未相對雷射光束運動下，雷射光束於第一方向上的光束參數乘積比值相似於雷射光束於第二方向上的光束參數乘積比值。意即，雷射光束在第一方向上以及在第二方向上具有相似的光強度相對於位置關係，且此光強度相對於位置關係例如接近於高斯分佈。

請參照圖5，在擴散器相對雷射光束運動下，雷射光束在第一方向上的光束參數乘積比值有了改變。特別是圖5之雷射光束的光強度在大於50%時，比圖4A之雷射光束的光強度相對於位置的波峰平坦，且圖5之雷射光束的光強度半高寬(Full Width at Half Maximum,FWHM)也比 圖4A之雷射光束的光強度半高寬來的大。此外，在第二方向上，擴散器相對雷射光束運動之情形下，仍舊能維持接近於如圖4B的高斯分布。換言之，本實施例可透過擴散器相對雷射光束運動來改變雷射光束在第一方向上的光束參數乘積比值，藉此使通過散斑抑制模組的雷射光束在第一方向上的光強度分布更為均勻。

請再次參照圖1A及圖1B，本實施例之雷射光束B2在經過散斑抑制模組120後所產生之雷射光束B5，其均勻度U例如是如下式所示： 其中，k ₁為比例常數，N為脈波的數量。雷射光束B5的均勻度U正比於雷射光束B3照射在擴散器124上之作用寬度D與擴散器124的平均運動速率v的乘積。也就是說，透過適量地增加擴散器124的平均運動速率v或是增加雷射光束B3照射在擴散器124上的作用寬度D，本實施例之雷射光束B5的均勻度U可得以提升，進而使線型光斑10之散斑現象獲得改善。

光均勻化模組130主要將入射的雷射光束B5改變形狀為線型。本實施例之光均勻化模組130包括第一柱狀透鏡陣列132以及第二柱狀透鏡陣列134。第一柱狀透鏡陣列132配置於來自第二柱狀透鏡126的雷射光束B5的傳遞路徑上，雷射光束B5經過第一柱狀透鏡陣列132後，形成雷射光束B6。第二柱狀透鏡陣列134配置於來自第一柱狀透鏡陣列132的雷射光束B6的傳遞路徑上。

詳言之，第一柱狀透鏡陣列132包括多個第一微柱狀透鏡132a，每一第一微柱狀透鏡132a沿著第二方向Y延伸，且這些第一微柱狀透鏡132a沿著第一方向X排列。第二柱狀透鏡陣列134包括多個第二微柱狀透鏡134a，每一第二微柱狀透鏡134a沿著第二方向Y延伸，且這些第二微柱狀透鏡134a沿著第一方向X排列。在本實施例中，第一微柱狀透鏡132a的曲面以及第二微柱狀透鏡134a的曲面例如是朝向散斑抑制模組120。

另外，本實施例之光束產生裝置100還可包括聚光透鏡160以及第三柱狀透鏡170。聚光透鏡160配置於來自光均勻化模組130的雷射光束B7的傳遞路徑上，且位於光均勻化模組130與第三柱狀透鏡170之間。在本實施例中，聚光透鏡160可以是柱狀透鏡。此外，聚光透鏡160的曲面在第一方向X上彎曲(請參照圖1A)，且在第二方向Y上不彎曲(請參照圖1B)。第三柱狀透鏡170配置於來自聚光透鏡160的雷射光束B8的傳遞路徑上。在本實施例中，第三柱狀透鏡170的曲面在第一方向X上不彎曲(請參照圖1A)，且在第二方向Y上彎曲(請參照圖1B)。在本實施例中，聚光透鏡160係用以將雷射光束B7於第一方向X疊加為長軸L的光斑，第三柱狀透鏡170係用以將雷射光束B8於第二方向Y上縮小為短軸W的光斑。

此外，在本實施例中，第三柱狀透鏡170的曲面朝向散斑抑制模組120。然而，在其他實施例中，第三柱狀透鏡170的曲面也可以是背對散斑抑制模組120。第三柱狀 透鏡170匯聚來自聚光透鏡160的雷射光束B8，以輸出雷射光束B9，並於被照射物180(或是欲加工之物件)上形成線型光斑10。換言之，光束產生裝置100例如為線型光束產生裝置100。

雷射光束B5入射於光均勻化模組130、聚光透鏡160以及第三柱狀透鏡170，藉以進一步提升其均勻度或改變長短軸的比值L/W，以產生線型光斑10。其中，線型光斑10的長軸長度為L，且線型光斑10的短軸長度為W，其中L/W滿足下式：L/W=k ₂ p/d

其中，k ₂為比例常數。L/W正比於p/d。換言之，線型光斑10的長短軸的比值L/W會隨著增加這些微結構124a的節距p或是縮減這些微結構124a的頂部與光束腰A相隔的距離d而增加。當線型光斑10的長短軸的比值L/W增加時，例如是線型光斑10的長軸長度L不變，而線型光斑10的短軸長度W減少。如此，可提升線型光斑10單位面積下的能量。又或者，當線型光斑10的長短軸的比值L/W增加時，例如是在線型光斑10的短軸長度W不變下，長軸長度L增加。如此，可提升線型光斑10的照射長度，進而增加光束產生裝置100的應用範疇。

舉例而言，光束產生裝置100可應用於銦錫氧化物的改質。目前市售的電容式觸控面板的感測電極的材料多是以銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)為主，其中銦錫氧化物的耐久性、耐候性以及阻值的穩定性會影響電容式觸 控面板的品質甚巨。由於結晶型的銦錫氧化物具有良好之耐久性、耐候性以及阻值的穩定性，因此一般工業及電腦或較高階的電子產品會選用結晶型的銦錫氧化物作為感測電極的材料。然而，全結晶的銦錫氧化物薄膜價格相對昂貴，因此若直接購置全結晶的銦錫氧化物薄膜來製作感測電極會增加製作觸控面板的成本，而不利於商業上的競爭。

利用本實施例之光束產生裝置100所產生之線型光斑10照射非結晶的銦錫氧化物，可將非結晶的銦錫氧化物結晶化(crystalize)。如此，除了可提升觸控面板的耐久性，也可避免購置全結晶的銦錫氧化物薄膜而造成製作觸控面板的成本的增加。此外，透過調變微結構124a的節距p或是縮減微結構124a的頂部與光束腰相隔的距離d，本實施例之線型光斑10在單位面積下可具有相對高的能量或是具有相對長的照射長度。因此，應用本實施例之光束產生裝置100所產生之線型光斑10來晶化銦錫氧化物薄膜，可提升銦錫氧化物薄膜單位面積下的晶化程度，或者是可提升單位時間下銦錫氧化物薄膜的晶化面積。當利用光束產生裝置100所產生之線型光斑10來對銦錫氧化物薄膜進行改良時，線型光斑10的長軸長度L可以是大於或等於銦錫氧化物薄膜的寬度，且銦錫氧化物薄膜可以沿著實質上垂直於線型光斑10的長軸的方向移動而通過線型光斑10。當銦錫氧化物薄膜通過線型光斑10且經冷卻後，即可完成改質。

另外，本實施例透過適量地增加擴散器124的平均運動速率或是增加雷射光束B3照射在擴散器124上的作用 寬度D，可使光束產生裝置100所產生之線型光斑10的散斑現象獲得改善，進而使線型光斑10的亮度更為均勻。因此，應用本實施例之光束產生裝置100所產生之線型光斑10來晶化銦錫氧化物薄膜，可使得銦錫氧化物薄膜被結晶化地更為均勻，進而可提升觸控面板總體的穩定性。

圖6A及圖6B繪示擴散器在未相對雷射光束運動下，於第一方向上及第二方向上的線型光斑的強度相對於線型光斑中心軸上的位置的曲線。圖7A及圖7B繪示擴散器在相對雷射光束運動下，於第一方向上及第二方向上的線型光斑的強度相對於線型光斑中心軸上的位置的曲線。

從圖6A及圖6B可知，擴散器在未相對雷射光束運動下，呈現於被照射物上的線型光斑於第一方向上以及第二方向上的強度是雜亂的。意即，圖6A及圖6B實施例之線型光斑受到散斑現象的干擾而導致呈現於屏幕上的影像畫面的亮度不均均。相較之下，如圖7A及圖7B所示，擴散器在相對雷射光束運動下，於第一方向上的線型光斑強度較為均勻，且於第二方向上的線型光斑強度較為集中。也就是說，透過散斑抑制模組之擴散器相對雷射光束運動，可調變從第二柱狀透鏡出射的雷射光束在不同方向上的光束參數乘積比值。藉此改善線型光斑的散斑現象，而形成亮度均勻的線型光斑。

綜上所述，本發明之實施例將散斑抑制模組配置於雷射光源與光均勻化模組之間，並使散斑抑制模組之擴散器相對雷射光束運動，藉此提升在第一方向上的光束參數乘積比值相對於在第二方向上的光束參數乘積比值的比值。 如此，可使散斑現象獲得改善，進而使光束產生裝置所產生之線型光斑的強度較為均勻。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧光束產生裝置

110‧‧‧雷射光源

120‧‧‧散斑抑制模組

122‧‧‧第一柱狀透鏡

124‧‧‧擴散器

124a、124b、124c‧‧‧微結構

126‧‧‧第二柱狀透鏡

130‧‧‧光均勻化模組

132‧‧‧第一柱狀透鏡陣列

132a‧‧‧第一微柱狀透鏡

134‧‧‧第二柱狀透鏡陣列

134a‧‧‧第二微柱狀透鏡

140‧‧‧驅動單元

150‧‧‧擴束單元

160‧‧‧聚光透鏡

170‧‧‧第三柱狀透鏡

180‧‧‧被照射物

190‧‧‧控制單元

10‧‧‧線型光斑

A‧‧‧光束腰

B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8、B9‧‧‧雷射光束

d‧‧‧距離

p‧‧‧節距

O‧‧‧中心軸

D‧‧‧作用寬度

L‧‧‧長軸長度

W‧‧‧短軸長度

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

圖1A為本發明一實施例之光束產生裝置的上視示意圖。

圖1B為圖1A之光束產生裝置的側面示意圖。

圖2A為圖1A中散斑抑制模組的放大示意圖。

圖2B為圖1B中散斑抑制模組的放大示意圖。

圖3A繪示圖2A及圖2B之擴散器的上視示意圖。

圖3B及圖3C繪示擴散器之微結構的其他實施型態。

圖4A及圖4B為擴散器在未相對雷射光束運動下，於第一方向上及第二方向上的雷射光束強度-與雷射光束中心軸的位置的曲線。

圖5為擴散器相對雷射光束運動下，於第一方向上的雷射光束強度-與雷射光束中心軸的位置的曲線。

圖6A及圖6B繪示擴散器在未相對雷射光束運動下，於第一方向上及第二方向上的線型光斑強度-與線型光斑中心軸的位置的曲線。

圖7A及圖7B繪示擴散器在相對雷射光束運動下，於第一方向上及第二方向上的線型光斑強度-與線型光斑中 心軸的位置的曲線。

120‧‧‧散斑抑制模組

122‧‧‧第一柱狀透鏡

124‧‧‧擴散器

124a‧‧‧微結構

126‧‧‧第二柱狀透鏡

B2、B3、B4‧‧‧雷射光束

p‧‧‧節距

D‧‧‧作用寬度

X‧‧‧第一方向

Y‧‧‧第二方向

Claims (17)

1. 一種光束產生裝置，包括：一雷射光源，輸出一雷射光束；一散斑抑制模組，包括：一第一柱狀透鏡，配置於該雷射光束的傳遞路徑上；一擴散器，配置於來自該第一柱狀透鏡的該雷射光束的傳遞路徑上；以及一第二柱狀透鏡，配置於來自該擴散器的該雷射光束的傳遞路徑上；一光均勻化模組，配置於來自該第二柱狀透鏡的該雷射光束的傳遞路徑上；以及一驅動單元，驅使該擴散器相對該雷射光束運動，以使從該第二柱狀透鏡出射的該雷射光束在一第一方向上的光束參數乘積比值相對於在一第二方向上的光束參數乘積比值之比值大於2，其中該第一方向實質上垂直於該第二方向。
2. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，其中該第一柱狀透鏡的曲面以及該第二柱狀透鏡的曲面在該第一方向上不彎曲，且在該第二方向上彎曲。
3. 如申請專利範圍第2項所述之光束產生裝置，其中該第一柱狀透鏡的曲面朝向該雷射光源，且該第二柱狀透鏡的曲面朝向該光均勻化模組。
4. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，其中 該雷射光束為一脈衝雷射光束，且該雷射光束的脈波重複頻率與該擴散器被該雷射光束照射處的平均運動速率的比值小於或等於500。
5. 如申請專利範圍第4項所述之光束產生裝置，更包括一控制單元，電性連接至該雷射光源與該驅動單元。
6. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，其中該雷射光束的波長是落在100奈米至1000微米的範圍內。
7. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，其中該驅動單元驅使該擴散器旋轉。
8. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，其中該驅動單元驅使該擴散器來回平移振動。
9. 如申請專利範圍第8項所述之光束產生裝置，其中該擴散器沿該第一方向來回平移振動。
10. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，其中該光均勻化模組包括：一第一柱狀透鏡陣列，配置於來自該第二柱狀透鏡的該雷射光束的傳遞路徑上；一第二柱狀透鏡陣列，配置於來自該第一柱狀透鏡陣列的該雷射光束的傳遞路徑上。
11. 如申請專利範圍第10項所述之光束產生裝置，其中該第一柱狀透鏡陣列包括多個第一微柱狀透鏡，每一該第一微柱狀透鏡沿著該第二方向延伸，該些第一微柱狀透鏡沿著該第一方向排列，該第二柱狀透鏡陣列包括多個第二微柱狀透鏡，每一該第二微柱狀透鏡沿著該第二方向延伸，且該些第二微柱狀透鏡沿著該第一方向排列。
12. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，該光束產生裝置更包括一聚光透鏡與一第三柱狀透鏡，該聚光透鏡配置於該雷射光束的傳遞路徑上，且位於該光均勻化模組與該第三柱狀透鏡之間。
13. 如申請專利範圍第12項所述之光束產生裝置，其中該雷射光束在經過該光均勻化模組、該聚光透鏡與該第三柱狀透鏡後產生出一線型光斑，該線型光斑的長軸長度為L，且該線型光斑的短軸長度為W，且該擴散器具有呈週期性排列的多個微結構，該雷射光束在該第一柱狀透鏡與該第二柱狀透鏡之間具有一光束腰，該擴散器位於該光束腰與該第二柱狀透鏡之間，該些微結構的頂部與該光束腰相隔一距離d，該些微結構的節距為p，其中L/W正比於p/d。
14. 如申請專利範圍第12項所述之光束產生裝置，其中該第三柱狀透鏡的曲面朝向該散斑抑制模組。
15. 如申請專利範圍第12項所述之光束產生裝置，其中該第三柱狀透鏡陣列的曲面在該第一方向上不彎曲，且在該第二方向上彎曲。
16. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，更包括：一擴束單元，配置於該雷射光束的傳遞路徑上，且位於該雷射光源與該散斑抑制模組之間。
17. 如申請專利範圍第1項所述之光束產生裝置，其中該雷射光源為一連續波式雷射光源。