TW201427067A - 具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法 - Google Patents

Abstract

一種具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法，其中發光二極體元件包括發光二極體元件基板、發光二極體晶粒及透光封裝層，而發光二極體元件基板則包括基板本體、側邊電極、致能迴路及厚膜反射層，在製作過中，需在一片區分出多個基板本體的基片上，鑽出多個貫穿基板本體的側面穿孔，並於基板的上表面及側面穿孔的壁面濺鍍及電鍍致能迴路及側邊電極，再將厚膜反射層由上方遮蔽側邊電極，其中厚膜反射層更形成有一個高分子基材及平坦反射材料，並利用平坦反射材料的反光結構，提升發光二極體晶粒的發光效率。

Description

具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法

本發明係關於一種具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法，尤其是一種提升出光效率的發光二極體元件及其製造方法。

目前發光二極體(LED)已相當普及，LED組件不僅體積小、反應時間快、使用壽命長、亮度不易衰減、且耐震動，因此LED組件漸漸取代包括顯示器背光光源、照相機閃光燈、交通號誌、車頭及車尾燈，甚至逐漸有取代照明燈泡的趨勢。

其中，單一波長LED需要透過調色來產生出白光：例如藍光LED照射黃色螢光材料，激發黃色螢光，混合兩色的光形成肉眼所見認知的白光。其製作的方法是利用螢光材料覆蓋至LED晶體上，透過螢光材料的LED光色混成白光。因此，LED基板的混光技術包含膠狀螢光材料的附著加工，為能提供人類視覺上所認知的白光光源，已有業者提出如圖1所示之結構，在陶瓷基板40上一體化地燒結形成一個杯狀部44，杯狀部44中自然形成向內凹陷的容置空間440；LED晶粒1則是以覆晶方式成型於一個基板上，並且將基板與LED晶粒1一同放置於一個模具中，從而將含有螢光粉的膠均勻成型在LED晶粒1的外表面上，形成一層完整包覆LED晶粒1的螢光層2，最後進行封裝，形成一層包覆LED晶粒1及螢光層2的封裝層3。

但是製作出的發光二極體元件受致能並發光時，其部分反射光10會被封裝層3反射至杯狀部44的上表面，然而杯狀部44表層不具有反射的結構，使得光無法進行再反射，發光效率也因此受到影響。而且成型LED晶粒的過程，通常是在一片晶圓上同時規劃成型例如兩萬顆LED晶粒，最後再將佈局好電路的晶圓分離為眾多的晶粒，因此在分離的過程中，往往會有一定比例的晶粒，其邊界並非完全筆直，而是有部分凹凸的部分存在。 上述習知技術在將晶粒覆晶固定於基板上後，需要將LED晶粒1反向置入模具中，藉以成型包覆該LED晶粒1的螢光層2，此時，一旦LED晶粒邊界有所突出，將造成製作上的困難，無謂降低產品良率而提昇製造成本。

另方面，為能輕易的製作側邊電極，更有如圖2所示的習知技術，是在尚未裁切的基片4’上，先區分出多個基板40’的範圍，並在每個基板40’與基板40’間，預先形成多個貫穿基片4’的孔洞48，，並以網版印刷的方式，在基板40’正面壓印出正面的電極42’以供二極體晶粒導電連接，隨後再將晶粒焊接至例如其中一個正面的電極42’上，以及焊接導線。最後點螢光膠封裝晶粒及導線，為避免螢光膠流入孔洞48’內而阻斷未來的側邊電極與正面的電極42’間順利連結，此時業者會再度以網版印刷方式，將黏稠的玻璃膠3’預先由基板40’的正面封住孔洞48’的上端，藉以避免黏稠度較低的螢光膠流入。

隨後，經由切割基片4’，使圖中左右相連的基板40’分離，孔洞48’因而由側面暴露，再從側面在孔洞48’處形成電極46’，使其與正面的電極42’以及基板背面的電極(圖未示)連結，完成上下電路的導通。但是如圖3所示，即使玻璃膠3’的黏稠度較高，仍有部分機率會佔據孔洞48’上端，讓形成的側邊電極46’無法順利導接至正面的電極42’，便會造成預定導接的迴路中斷，使得製作出的發光二極體元件成為無法發光或發光效果較差的不良品，良率因而不佳。

尤其，即使LED元件有特定的規劃發光方向，但LED晶粒的發光未必侷限於上述方向，許多發光都會由四面八方四散而出，使得組裝至基板後，會有部分發光被基板吸收、或漫反射至規劃發光方向以外，甚至部分發光被外部的封裝結構介面向內反射回基板，而被基板或基板上的其他結構所吸收，造成發光元件的發光率不佳，甚至因為光能被吸收，無謂地轉換為熱能，增高發光元件的操作溫度，更進一步使發光效率劣化。

即使許多業者想要增加基板表面的反射率，也多受限於基板表面必須 設置電路，不能短路，以致於無法以常見的金屬鍍膜的方式處理。因此，如何在基板上設計出一種能令反射回來的光能再次進行二次反射出，令發光二極體元件的發光效率能得以提升；且螢光膠的檔止結構的製過過程中具有可依LED晶粒的外觀結構而調整改變，並且可令螢光膠能得以均勻成型在LED晶粒表面，使發光色彩均一；同時簡化側邊電極的製作程序；以及確保側邊電極與正面的電極間導接關係，提升整體製造良率，這都會是本案所要重視的焦點。

本發明之一目的在提供一種可使發光二極體出光效率提升的發光二極體元件。

本發明之另一目的在提供一種使LED晶粒外表之螢光層均勻平坦、使LED元件各不同位置所發之光的波長分佈均勻之發光二極體元件。

本發明之再一目的在提供一種具有易於改變規劃尺寸之擋止牆、故可因應客戶需求而提供多樣產品之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板。

本發明之又一目的在提供一種具有擋止牆，使得LED晶粒置入時不受晶粒邊界不整齊所限制的發光二極體元件基板。

本發明之再一目的在提供一種批次製造時，可輕易設置側邊電極的的發光二極體元件製造方法。

本發明之再一目的在提供一種可以確保側邊電極和正面的電極間導接良好，提升產品良率的發光二極體元件製造方法。

依照本發明揭露的一個具有厚膜反射層的發光二極體元件基板，是供發光二極體晶粒設置，該發光二極體元件基板包括：一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個成型於上述兩端緣之一並呈凹陷的側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個供上述發光二 極體晶粒安裝的安裝區，且上述側邊電極被導接至該致能迴路；及一個設置於至少該上表面的厚膜反射層，包括：一層高分子基材，由上方遮蔽上述側邊電極；及一層設置在該高分子基材表面的平坦反射材料。

依照本發明揭露的一個具有厚膜反射層的發光二極體元件，包括：一片發光二極體元件基板，包括一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個成型於上述兩端緣之一並呈凹陷的側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個供上述發光二極體晶粒安裝的安裝區，且上述側邊電極被導接至該致能迴路；一個設置於至少該上表面的厚膜反射層，包括：一層高分子基材，由上方遮蔽上述側邊電極，其中該高分子基材形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的擋止牆，以及該擋止牆與該基板本體共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間；及一層設置在該高分子基材表面的平坦反射材料；其中發光二極體元件還包括至少一個安裝於上述安裝區、並被導接至上述致能迴路的發光二極體晶粒；及一層完整覆蓋該發光二極體晶粒的透光封裝層。

依照本發明揭露的一種具有厚膜反射層的發光二極體元件的製造方法，是供至少一個具有一組致能端部的發光二極體晶粒設置，並將一片基片預先區劃成複數個基板本體，前述各基板本體分別具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣，其中該發光二極體元件的製造方法包括下列步驟：a)分別在前述各基板本體對應前述端緣位置形成複數個貫穿前述上下表面的側面穿孔；b)分別將多個具有一個安裝區的致能迴路佈局在前述各基板本體上表面，並至少分別在前述兩端緣之一及對應該端緣的側面穿孔設置一個導接該對應致能迴路並呈凹陷的側邊電極；c)將一個高分子基材設置於各前述上表面，從上方遮蔽各前述側邊電極， 其中每一上述高分子基材分別形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的擋止牆，並與各上述對應基板本體共同形成有使各上述對應安裝區被暴露的容置空間；及d)在該高分子基材表面設置一層平坦反射材料，與該高分子基材結合為一層厚膜反射層。

由於本案所揭露之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法，是利用平坦反射材料的反光特性，供發光二極體晶粒發出的光被反射回來時，能夠再次反射出，增加發光效率，而高分子基材則可以是光阻膜曝光顯影的疊層，由於是以光學方式成型，因此尺寸能夠達到符合預期的精準程度，亦不需針對不同尺寸分別準備特定的不同模具，使得尺寸與形狀的彈性不會受限。

而且在批次的製作過程中，可在尚未切割的基片上先形成複數個貫穿的側面穿孔，有助於側邊電極的設置，無需再透過額外的側邊電極設置程序，簡化整體作業流程；另方面，由於高分子基材是以整片覆蓋在基板的表面，受到高分子基材整片張力的支撐，令高分子基材只會保持在能遮蔽住側面穿孔的開口處，而不會侵入至側面穿孔內，使得側邊電極能夠更容易的被設置在側面穿孔內，增加生產良率，進而達成上述所有之目的。

有關本發明之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚呈現；此外，在各實施例中，相同之元件，將以相似之標號表示。

本案之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法的第一較佳實施例，其製作流程如圖4的流程圖所示，首先如步驟101與圖5及圖6所示，係在一片基片66預先區劃成複數彼此連結的複數基板本體60，並分別具有一個上表面601、一個下表面602、兩個側面603及兩個端緣604，其中側面603分別連接上表面601及下表面602，再於步驟102與圖7所示， 於每個基板本體60的端緣604方向之間，以工具鑽出多個貫穿上表面601及下表面602的側面穿孔600，再如步驟103與圖8，在各基板本體60的上表面601、側面穿孔600壁面及下表面602同時濺鍍一層種子層610。

接下來如步驟104及圖9所示，在位於上表面601及下表面602的種子層610上，壓印一層犧牲光阻層620，並以一個具有預定圖案的光罩7設置在犧牲光阻層620表面，隨即曝光，令被光照射到的犧牲光阻層620部分固化，再將受犧牲光阻層620遮蓋且未固化部分顯影去除，剩下種子層610再來如步驟105及一併參考圖9及圖10，以電鍍的方式將種子層610未被犧牲光阻層620遮敝到的部份增厚，並將剩下的犧牲光阻層620去除，而原先被犧牲光阻層遮敝而未被增厚的種子層610則是用化學蝕刻方式去除，即形成一個致能迴路65，及一個導接該對應致能迴路65並呈凹陷的側邊電極61，其中致能迴路65是佈局在上表面601，並形成有一個安裝區6010，側邊電極61則是成型於端緣604，並延伸至對應的側面603。

步驟106如圖11所示，於上表面601壓印一層例示為光阻膜621的高分子基材，並於步驟107將另一組光罩7覆蓋於光阻膜621上進行曝光，使光阻膜621裸露部分被固化，隨後將未被固化的光阻膜621進行顯影去除，形成如圖12所示的光阻膜621具有一個如預定的環繞形狀，若壓印的光阻膜621未達預定厚度時，步驟108再如圖13所示，於已經顯影的光阻膜621上，增加壓印另一層光阻膜622，重複上述的曝光與顯影流程，直到如圖14所示的累加光阻膜621、622達成預定厚度。

再如步驟109，並如圖15所示，在基板本體60的上表面601及光阻膜622上再設置一層遮罩板628，其中遮罩板628更形成有多個槽孔6280，可供對應光阻膜622的位置，接下來如步驟110，於槽孔6280對應的光阻膜622表面另形成一個金屬材質之種子層，再如步驟111，以電鍍的方式令種子層增厚，再將遮罩板628移除，即如圖16所示，形成一層例示為平坦反射材料的金屬反射薄膜層625，並與光阻膜621、622共同構成一層厚膜反 射層62。

而側邊電極61及側邊穿孔600更可被光阻膜621、622從上方所遮蔽，其中光阻膜621、622更如圖17所示形成多個擋止牆629，而擋止牆629是呈環繞安裝區6010分佈，並與對應的基板本體60共同形成有一個容置空間，使上述對應的安裝區6010被暴露出。

由於厚膜反射層62是以整片覆蓋，受到厚膜反射層62整片張力的支撐，使得厚膜反射層62只會保持在能遮蔽住側面穿孔600的開口處，而不會侵入至側面穿孔600內，在此階段若再進行電鍍增厚作業，由於側面穿孔600內呈通暢且沒有阻隔物，增厚的迴路不會受到阻隔物的阻擋而影響整體的導電性，並形成一片尚未裁切的發光二極體元件基板6。

接著進一步進行發光二極體元件基板上進行後續加工，製作出本案之發光二極體元件，接續步驟112，並如圖18所示，將發光二極體晶粒8安裝至容置空間中的安裝區6010上，本例中之發光二極體晶粒8的二電極端中，其一是形成在發光二極體晶粒8的底部並接致能迴路65，另一電極則形成在發光二極體晶粒8發光面的導電端，由導線81電氣連接至與致能迴路65斷開的側邊電極61；再於步驟113一併參考如圖19所示，將含有螢光材質之液態膠體的螢光材質膠體9注入擋止牆629內之容置空間中，直到完全覆蓋住發光二極體晶粒8，由於螢光材質膠體9是黏稠膠體，因此即使擋止牆629之間留有空隙，螢光材質膠體9也不會輕易從空隙流出，待螢光材質膠體9厚度均勻時，使其固化，令發光二極體晶粒8發出的光穿透螢光材質膠體9即可改變，例如將黃色的螢光材質膠體9覆蓋發出藍色的發光二極體晶粒8，即可產生出白光。

步驟114進行封裝作業，如圖20所示，將尚未被分離的諸多發光二極體元件基板6所構成的完整基材共同置入一個模具50中，模具50內形成有複數分別對應各發光二極體元件基板6的預定形狀模穴，並向模穴中注入透明材質樹脂，經過一定時間後將模具50卸除，即會在各發光二極體元 件基板6上形成一個預定形狀之封裝透光層5，並完整覆蓋住發光二極體晶粒8、擋止牆629、及固化後的螢光材質膠體9；最後再於步驟115以例如工具切割或雷射切割，令發光二極體元件基板6分離，製成如圖21所示具有厚膜反射層之發光二極體元件。

由於有金屬反射薄膜層的存在，一旦LED晶粒所發的光束被封裝透光層的介面向內反射回來，就可以再被金屬反射薄膜層再次反射向外，讓整體發光可以更有效率，並且降低不必要的操作溫度，尤其金屬反射薄膜是設置在光阻膜之上，不會造成基板表面電路的短路，可以解決目前的困難。

當然，本例之側邊電極亦可如圖22所示，分別設置在兩個端緣604位置，令基板本體60的上表面601部分暴露而形成安裝區6010，供發光二極體晶粒8貼附安裝，且發光二極體晶粒8的二電極端，則都是形成在發光面的方向，是以導線81分別電氣連接至兩側的側邊電極61，同樣能製作出具有厚膜反射層之發光二極體元件。

本案之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法的第二較佳實施例，如圖23所示，在本例中，設置在光阻膜622’的表面平坦反射材料例示為一層光反射油墨層625’，其中光反射油墨層625’更可例示為一種白色的塗料，並以印刷的方式壓印在光阻膜622’的表面，亦可達到同樣的反光效果，而本例之封裝透光層5’更可例示為一層掺有螢光材質的螢光透光層5’，使得發光二極體晶粒8’被封裝後即可同樣達到改變發光顏色的效果。

本案之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法的第三較佳實施例，如圖24及圖25所示，在本例中，擋止牆629”的內緣是呈圓弧狀，而發光二極體晶粒8”的二電極端則是形成於晶粒底面，因此本例之發光二極體晶粒8”可利用覆晶技術，將錫球先附著於發光二極體晶粒8”的電極端，再利用高週波將發光二極體晶粒8”焊接於致能迴路65”與斷開的側邊電極61”，而螢光材質膠體9”在本例中則是例示為螢光粉末，並以噴粉的方 式附著於發光二極體晶粒8”表面。

另方面，在本例中，如果要發光二極體元件產生出白光，亦可將三種不同發光顏色的發光二極體晶粒(R.G.B)設置在擋止牆之內，今三個發光二極體晶粒發出的光彼此混色而轉換為白光，便可以不需要再額外在發光二極體晶粒上覆蓋一層螢光材質膠體。

本發明之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法，是利用平坦反射材料的反光特性，令發光二極體元件發射出的光即使有部分被反射回來，仍可再次進行二次反射出，使得發光效率能得以提升，另方面，擋止牆是以光阻膜曝光顯影疊層所製成，並於基板成型後才設置形成於基板上，精度尺寸相當符合預期，誤差可限制在10 μm以下，且以後製過程在例如陶瓷基板上成型，可以提供絕佳之製造彈性，完全配合市場需求。

而且在批次的製作過程中，可在尚未切割的基片上先形成複數個貫穿的側面穿孔，使得側邊電極可在尚未切割基片的階段，便可設置在基板本體的端緣，並延伸至對應的側面，簡化整體作業流程；再者，厚膜反射層是以整片覆蓋在基板的表面，由於受到厚膜反射層整片張力的支撐，令厚膜反射層只會保持在能遮蔽住側面穿孔的開口處，而不會侵入至側面穿孔內，沒有阻隔物的側面穿孔內便呈通暢，因此再次進行電鍍增厚作業時仍可保持迴路的導電性，使得生產良率有所提升，進而達成上述所有之目的。

惟以上所述者，僅本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

1‧‧‧LED晶粒

10‧‧‧部分反射光

2‧‧‧螢光層

3‧‧‧封裝層

3’‧‧‧玻璃膠

4’‧‧‧基片

40‧‧‧陶瓷基板

44‧‧‧杯狀部

440‧‧‧容置空間

40’‧‧‧基板

42’‧‧‧電極

46’‧‧‧側邊電極

48’‧‧‧孔洞

5、5’‧‧‧封裝透光層

50‧‧‧模具

60‧‧‧基板本體

61、61”‧‧‧側邊電極

62‧‧‧厚膜反射層

601‧‧‧上表面

602‧‧‧下表面

603‧‧‧側面

604‧‧‧端緣

600‧‧‧側面穿孔

610‧‧‧種子層

628‧‧‧遮罩板

6290‧‧‧槽孔

620‧‧‧犧牲光阻層

65、65”‧‧‧致能迴路

66‧‧‧基片

6010‧‧‧安裝區

621、622、622’‧‧‧光阻膜

625‧‧‧金屬反射薄膜層

625’‧‧‧光反射油墨層

629、629”‧‧‧擋止牆

7‧‧‧光罩

8、8’、8”‧‧‧發光二極體晶粒

81‧‧‧導線

9、9”‧‧‧螢光材質膠體

6‧‧‧發光二極體元件基板

圖1是一種習知技術的發光二極體元件結構的側視圖；圖2是另一種習知技術的發光二極體元件結構的側視圖；圖3是圖2之發光二極體元件結構之側邊電極受阻斷的側視圖；圖4是本案之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法的 第一較佳實施例的製作流程圖；圖5是本案之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板尚未切割的俯視圖；圖6是圖7之發光二極體元件基板的側視圖；圖7是圖8之發光二極體元件基板開設有多個側面穿孔的側視圖；圖8是圖7之發光二極體元件基板的上表面、下表面及側面穿孔的壁面濺鍍一層種子層的側視圖；圖9是圖8之發光二極體元件基板位於上表面的種子層設置一層犧牲光阻層及光罩的側視圖；圖10是圖9之發光二極體元件的種子層電鍍增厚及蝕刻成致能迴路及側邊電極的側視圖；圖11是圖10之發光二極體元件的上表面附著一層光阻膜及光罩的側視圖；圖12是圖11之光阻膜曝光及顯影後形成一個預定形狀的側視圖；圖13是圖12之光阻膜上再附著另一層光阻膜的側視圖；圖14是圖13之光阻膜相互疊加增厚的側視圖；圖15是圖14之光阻膜表面再設置一層遮罩板的側視圖；圖16是圖15之光阻膜與金屬反射薄膜層共同構成一層厚膜反射層的側視圖；圖17是圖16之發光二極體元件基板設置厚膜反射層的俯視圖；圖18是圖17之發光二極體元件基板設置有發光二極體晶粒，並連接導線至側邊電極的側視圖；圖19是圖18之擋止牆內設置螢光材質膠體的側視圖；圖20是圖19之發光二極體元件基板設置一層封裝透光層的側視圖；圖21是圖20之發光二極體元件基板彼此分離，並完成發光二極體元件的側視圖； 圖22是圖21之發光二極體元件的發光二極體晶粒是連接兩條導線至對應的側邊電極的側視圖；圖23是本案之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法的第二較佳實施例的側視圖；圖24是本案之具有厚膜反射層的發光二極體元件基板、元件及製法的第三較佳實施例的側視圖；及圖25是圖24之發光二極體元件的立體圖。

61‧‧‧側邊電極

62‧‧‧厚膜反射層

629‧‧‧擋止牆

8‧‧‧發光二極體晶粒

9‧‧‧螢光材質膠體

Claims (10)

1. 一個具有厚膜反射層的發光二極體元件基板，是供發光二極體晶粒設置，該發光二極體元件基板包括：一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣；至少一個成型於上述兩端緣之一並呈凹陷的側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個供上述發光二極體晶粒安裝的安裝區，且上述側邊電極被導接至該致能迴路；及一個設置於至少該上表面的厚膜反射層，包括：一層高分子基材，由上方遮蔽上述側邊電極；及一層設置在該高分子基材表面的平坦反射材料。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件基板，其中該平坦反射材料是一層光反射油墨層。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件基板，其中該平坦反射材料是一層金屬反射薄膜層。
4. 如申請專利範圍第1、2或3項所述之發光二極體元件基板，其中該高分子基材形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的擋止牆，以及該擋止牆與該基板本體共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間。
5. 一個具有厚膜反射層的發光二極體元件，包括：一片發光二極體元件基板，包括一片基板本體，具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣； 至少一個成型於上述兩端緣之一並呈凹陷的側邊電極；一個佈局在至少該上表面的致能迴路，該致能迴路至少包括一個供上述發光二極體晶粒安裝的安裝區，且上述側邊電極被導接至該致能迴路；一個設置於至少該上表面的厚膜反射層，包括：一層高分子基材，由上方遮蔽上述側邊電極，其中該高分子基材形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的擋止牆，以及該擋止牆與該基板本體共同形成一個使該安裝區被暴露的容置空間；及一層設置在該高分子基材表面的平坦反射材料；及至少一個安裝於上述安裝區、並被導接至上述致能迴路的發光二極體晶粒；及一層完整覆蓋該發光二極體晶粒的透光封裝層。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體元件，更包括一層設置在該容置空間內、介於上述發光二極體晶粒與該透光封裝層間的螢光材質膠體。
7. 一種具有厚膜反射層的發光二極體元件的製造方法，是供至少一個具有一組致能端部的發光二極體晶粒設置，並將一片基片預先區劃成複數個基板本體，前述各基板本體分別具有一個上表面、一個下表面、連接前述上下表面的兩側面及連接前述上下表面的兩端緣，其中該二極體元件的製造方法包括下列步驟：a)分別在前述各基板本體對應前述端緣位置形成複數個貫穿前述上下表面的側面穿孔；b)分別將多個具有一個安裝區的致能迴路佈局在前述各基板本體上表 面，並至少分別在前述兩端緣之一及對應該端緣的側面穿孔設置一個導接該對應致能迴路並呈凹陷的側邊電極；c)將一個高分子基材設置於各前述上表面，從上方遮蔽各前述側邊電極，其中每一上述高分子基材分別形成有至少部分環繞遮蔽該安裝區的擋止牆，並與各上述對應基板本體共同形成有使各上述對應安裝區被暴露的容置空間；及d)在該高分子基材表面設置一層平坦反射材料，與該高分子基材結合為一層厚膜反射層。
8. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體元件的製造方法，其中該步驟d)中設置厚膜反射層之步驟更包括下列次步驟：d1)在該厚膜反射層表面形成一個金屬材質之種子層；及d2)在該種子層上電鍍增厚、並形成一個金屬反射薄膜層。
9. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體元件的製造方法，其中該步驟d)中設置厚膜反射層之步驟更包括一個在該厚膜反射層表面印刷一層光反射油墨層的次步驟d1)。
10. 如申請專利範圍第7項所述之發光二極體元件的製造方法，更包括在步驟d)後的下列步驟：e)將前述發光二極體晶粒分別安裝在安裝區，並將前述發光二極體晶粒的致能端部分別導接至前述側邊電極及/或致能迴路；f)將含有螢光材質之液態膠體注入該擋止牆的容置空間並覆蓋前述發光二極體晶粒；g)設置一組具有複數個分別對應該等基板本體之預定形狀模穴的模具於 該基材上，並注入一透明材質，以形成複數個符合該等模穴預定形狀之封裝，完整覆蓋該等發光二極體晶粒、該等擋止牆、及該等固化後之含有螢光材質之膠體；及h)切割該基片，形成複數個發光二極體元件。