TW201426996A - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光顯示裝置包含基板、第一電極與電洞傳輸層、發光材料層以及電子傳輸層與第二電極,其中基板中定義至少三個畫素區域,第一電極與電洞傳輸層形成於基板上,發光材料層,形成於每一畫素區域中的電洞傳輸層上,以及電子傳輸層與第二電極形成於發光材料層上。光輔助傳輸層係形成於畫素區域其中之一的對應位置處的發光材料層上,以及由電子傳輸材料形成。因此,本發明提供一種高解析度的有機發光顯示裝置,可解決電荷的不平衡問題,並且具有卓越的光輸出效率與提高使用壽命。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
作為一種新型的平面顯示裝置,有機發光顯示裝置係為自發光顯示裝置,比液晶顯示裝置具有更好的視角與對比度。此外,因為有機發光顯示裝置不需要分離的背光單元,可使得有機發光顯示裝置輕薄,因此與液晶顯示裝置及其他平面顯示裝置相比,有機發光顯示裝置具有卓越的功率消耗。另外,有機發光顯示裝置被低直流電壓驅動,響應時間快,且製造成本低。
有機發光顯示裝置中,電子與電洞分別從陰極與陽極注入的發光材料層內,注入的電子與電洞組合的激子從激態移位到基態時,發射光線。這種情況下,有機發光顯示裝置的類型依照光線的發射方向被分類為頂部發光型、底部發光型以及雙發射型,以及依照驅動方式被分類為被動矩陣式與主動矩陣式。
尤其地,有機發光顯示裝置包含形成於每一第一紅色畫素區域(P1)、綠色畫素區域(P2)以及藍色畫素區域(P3)中的第一電極(陽極)、電洞傳輸層、發光材料層、電子傳輸層以及第二電極(陰極)。發光材料層包含紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案或者藍色有機發光圖案。
具有這種配置的有機發光顯示裝置中,當電壓被施加到第一與第二電極時,電洞透過電洞傳輸層移動到發光材料層,電子透過電子傳輸層移動到發光材料層,電洞與電子在發光材料層中結合,從而發射光線。這種情況下,畫素區域具有不同波長的光線,因此,為了調整期望的色純度(color purity)與強度,應該調整光程(optical distance)。通常,各畫素區域中的電洞傳輸層被形成以包含不同的厚度,調整這些電洞傳輸層的厚度則影響電洞的移動特性。
然而,當電洞的移動特性劣化時,則出現發光材料層的電荷不平衡,因此影響裝置的光輸出效率與使用壽命特性。
為此原因,考慮到電洞的移動特性,需要各種有機發光顯示裝置的製造方法,以增強光輸出效率與使用壽命。
因此,本發明在於提供一種有機發光顯示裝置及其製造方法,實質上避免習知技術之限制與缺陷所導致的一或多個問題。
本發明一方面在於提供一種高解析度的有機發光顯示裝置,可解決電荷的不平衡問題,並且具有卓越的光輸出效率與提高使用壽命。
本發明其他的優點、目的和特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述,並且本發明其他的優點、目的和特徵對於本領域的普通技術人員來說,可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其它優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份,得以實現和獲得。
為了獲得本發明的這些目的和其他特徵,現對本發明作具體化和概括性的描述,本發明提供的一種有機發光顯示裝置包含:基板,其中定義至少三個畫素區域;第一電極與電洞傳輸層,形成於基板上;發光材料層,形成於每一畫素區域中的電洞傳輸層上;以及電子傳輸層與第二電極,形成於發光材料層上,光輔助傳輸層係形成於畫素區域其中之一的對應位置處的發光材料層上,以及由電子傳輸材料形成。
依照本發明的另一方面,一種有機發光顯示裝置的製造方法包含:在其中定義至少三個畫素區域的基板上全部形成第一電極;在第一電極上形成電洞傳輸層;在第一畫素區域的對應位置處的電洞傳輸層上形成第一光輔助傳輸層;在第一光輔助傳輸層上形成第一發光材料層,在第二畫素區域對應的位置處的電洞傳輸層上形成第二發光材料層,以及在第三畫素區域對應的位置處的電洞傳輸層上形成第三發光材料層;在第二發光材料層上形成第二光輔助傳輸層;在第一發光材料層、第二光輔助傳輸層以及第三發光材料層上形成電子傳輸層;以及該電子傳輸層上形成第二電極。
本發明的另一方面,一種有機發光顯示裝置的製造方法包含:在其中定義至少三個畫素區域的基板上全部形成第一電極;在第一電極上形成電洞傳輸層;在第二畫素區域對應的位置處的電洞傳輸層上形成第二光輔助傳輸層;在第一畫素區域對應的位置處的電洞傳輸層上形成第一發光材料層,在第三畫素區域的對應位置處的電洞傳輸層上形成第三發光材料層,以及在第二光輔助傳輸層上形成第二發光材料層;在第一發光材料層上形成第一光輔助傳輸層;在第一光輔助傳輸層、第二發光材料層 以及第三發光材料層上形成電子傳輸層;以及在電子傳輸層上形成第二電極。
依照本發明的另一方面,一種有機發光顯示裝置的製造方法包含:在其中定義至少三個畫素區域的基板上全部形成第一電極;在第一電極上形成電洞傳輸層;在第一到第三畫素區域對應的各個位置處的電洞傳輸層上形成第一到第三光輔助傳輸層;在第一畫素區域對應的位置處的第一發光材料層上形成第一光輔助傳輸層;在第二畫素區域對應的位置處的第二發光材料層上形成第二光輔助傳輸層;在第一光輔助傳輸層、第二光輔助傳輸層以及第三發光材料層上形成電子傳輸層;以及在電子傳輸層上形成第二電極。
可以理解的是,如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明,並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧電洞注入層
130‧‧‧電洞傳輸層
132‧‧‧光輔助傳輸層
134‧‧‧光輔助傳輸層
136‧‧‧光輔助傳輸層
140‧‧‧發光材料層
142‧‧‧第一發光材料層
144‧‧‧第二發光材料層
146‧‧‧第三發光材料層
150‧‧‧電子傳輸層
160‧‧‧第二電極
170‧‧‧封蓋層
P1‧‧‧畫素區域
P2‧‧‧畫素區域
P3‧‧‧畫素區域
第1圖為本發明實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
第2圖為習知技術的有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
第3圖為比較例子與例子1到3的使用壽命特性的比較示意圖。
第4圖到第7圖本發明其他實施例的有機發光顯示裝置的示意圖。
以下,將結合圖式部份對本發明的較佳實施方式作詳細說明。其中這些圖式部份中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。 以下描述中,當相關的已知功能或配置的詳細描述被判定為沒有必要混淆本發明的重點時,則不提供這些詳細描述。
第1圖為根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的剖面示意圖。
如第1圖所示,基板(圖中未表示)中定義複數個畫素區域,例如P1至P3,有機發光顯示裝置包含順序堆疊於基板上的第一電極(陽極)110、電洞注入層120、電洞傳輸層130、複數個光輔助傳輸層132與134、發光材料層140、電子傳輸層150、第二電極(陰極)160以及封蓋層170。本文中,發光材料層140包含第一發光材料層142、第二發光材料層144以及第三發光材料層146。
本發明的特徵在於,另一光輔助傳輸層(例如,光輔助傳輸層134)與放置於電洞傳輸層與發光材料層之間的光輔助傳輸層(例如,光輔助傳輸層132)具有相同的種類,此另一光輔助傳輸層(例如,光輔助傳輸層134)係被放置於發光材料層與電子傳輸層之間,以及由電子傳輸材料形成。
雖然圖中未表示,有機發光顯示裝置中,複數條閘極線與複數條資料線以及複數條電源線被放置於基板(圖中未表示)上,其中複數條閘極線與複數條資料線在兩者之間的交叉處定義複數個畫素區域(例如,P1到P3),複數條電源線平行於閘極線與資料線中的各自的對應線而延伸。開關薄膜電晶體以及驅動薄膜電晶體被放置於每一畫素區域P1到P3中,其中開關薄膜電晶體連接對應的閘極線與資料線,驅動薄膜電晶體連接開關薄膜電晶體。本文中,驅動薄膜電晶體連接第一電極110。
實施例中,有機發光顯示裝置包含有機層,有機層位於第一電極110與面對第一電極110的第二電極160之間。有機層包含電洞注入層120、電洞傳輸層130、第一光輔助傳輸層132、第二光輔助傳輸層134、發光材料層140(包含第一發光材料層142、第二發光材料層144以及第三發光材料層146)以及電子傳輸層150。本文中,第一發光材料層142由能夠發射紅色光線的有機材料形成,第二發光材料層144由能夠發射綠色光線的有機材料形成,以及第三發光材料層146由能夠發射藍色光線的有機材料形成。
第一電極110在每一紅色、綠色、藍色以及白色畫素區域中形成板狀且位於基板(圖中未表示)上。第一電極110係為反射電極,例如可具有多層結構,包含透明導電材料層(具有高功函數)例如氧化銦錫(ITO)與反射材料層例如銀或銀合金。
電洞注入層120與電洞傳輸層130係形成於第一電極110上且位於畫素區域P1到P3對應的各自位置中。電洞傳輸層130被稱為共同層,以及可不提供電洞注入層120。電洞注入層120與電洞傳輸層130的厚度為大於100到1,200埃,但是考慮到電洞注入特性與電洞傳輸特性可加以調整。
電洞傳輸層130便於傳送電洞到發光材料層,此外允許(陰極產生的)電子被僅僅傳送到發光材料層的發光區域,由此增加發光效率。就是說,電洞傳輸層130能夠平滑地傳輸電洞,以及可由N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine(NPD)、N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine(TPD)、4-(9H- carbazol-9-yl)-N,N-bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-benzenamine(TCTA)、4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl(CBP)、s-TAD,或者4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine(MTDATA)形成,但是本發明的精神與保護範圍並非限制於此。
光輔助傳送層包含第一光輔助傳輸層132與第二光輔助傳輸層134,更可包含第三光輔助傳輸層136。
這種情況下,光輔助傳輸層係形成於綠色畫素區域P2的對應位置處的第二發光材料層144上。就是說,依照本發明,第一到第三光輔助傳輸層132、134以及136至少其一形成於至少一個畫素區域的對應位置處的發光材料層上。本文中,當光輔助傳輸層取決於每一畫素區域被放置於發光材料層與電子傳輸層之間時,光輔助傳輸層並非被提供於電洞傳輸層與發光材料層之間。就是說,這代表光輔助傳輸層完成電子傳輸功能,而非電洞傳輸功能,以及並非調整發光材料層與電洞傳輸層間的光程而是調整發光材料層與電子傳輸層間的光程。
每一第一光輔助傳輸層132與第二光輔助傳輸層134具有大約100到1100埃的厚度。本文中,第二光輔助傳輸層134的厚度可被形成為小於第一光輔助傳輸層132的厚度,但是本發明的精神與保護範圍並非限制於此。
第一光輔助傳輸層132與第二光輔助傳輸層134係由與電子傳輸層150相同的材料形成。特別地,第一光輔助傳輸層132與第二光輔助傳輸層134包含從tris(8-hydroxyquinolino)aluminum(Alq3)、PBD、TAZ、spiro-PBD、BAlq以及SAlq中選擇的一或多個。此外,第一光輔助 傳輸層132與第二光輔助傳輸層134單獨由與發光材料層140的主體相同的材料、蒽衍生物(anthracene derivative)或者二唑衍生物(oxadiazole derivative)形成,或者形成為與8一羥基喹啉鋰(LiQ)的組合。
發光材料層140包含第一發光材料層142、第二發光材料層144以及第三發光材料層146,形成於第一到第三畫素區域P1到P3各自對應的位置。就是說,第一發光材料層142係形成於與第一畫素區域P1對應的位置,第二發光材料層144形成於與第二畫素區域P2對應的位置,以及第三發光材料層146形成於與第三畫素區域P3對應的位置。第一到第三發光材料層142、144以及146各自的厚度為大約100到400埃,但是本發明的精神與保護範圍並非限制於此。
發光材料層140包含主體與摻雜物。此外,發光材料層140可包含發射紅色、綠色、藍色或者白色光線的材料,以及可由磷光或螢光材料形成。
本文中,當發光材料層140發射紅色光線時,發光材料層可包含具有carbazole biphenyl(CBP)或者1,3-bis(carbazol-9-yl)(mCP)的主體材料,此主體材料可為包含摻雜物的磷光材料以及包含PBD:Eu(DBM)3(Phen)或者苝(perylene)的螢光材料,其中摻雜物包含從PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylaetonate iridium、PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium)、PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium),或者另外的PtOEP(octaethylporphyrin platinum)中選擇的一或多個,但是並非限制於此。
當發光材料層140發射綠色光線時,發光材料層包含具有 CBP或mCP的主體材料,可為包含Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)的摻雜物材料的磷光材料以及包含Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)的螢光材料,但是並非限制於此。
當發光材料層140發射藍色光線時,發光材料層140包含具有CBP或者mCP的主體材料,此主體材料可為包含(4,6-F2ppy)2Irpic或L2BD111的磷光材料。
另一方面,此主體材料可為包含從spiro-DPVBi、spiro-6P、二苯乙烯基苯(distyryl benzene;DSB)、PFO基聚合物以及PPV基聚合物中選擇的一種的螢光材料,但是並非限制於此。
電子傳輸層150係形成於全部畫素區域P1到P3的對應位置處的發光材料層或者光輔助傳輸層上,由此被稱為共同層。電子傳輸層150的厚度為大約200到400埃,但是考慮到電子傳輸特性可加以調整。電子傳輸層150可用作電子傳輸與注入層,但是電子注入層可分離地形成於電子傳輸層150上。
電子傳輸層150包含從tris(8-hydroxyquinolino)aluminum(Alq3)、PBD、TAZ、spiro-PBD、BAlq與SAlq中選擇的一或多個,但是本發明的精神與保護範圍並非限制於此。此外,電子傳輸層150係透過蒸發法(evaporation method)或者旋轉塗佈法(spin coating method)被形成。
第二電極160係形成於電子傳輸層150上。例如,第二電極160由鎂與銀的合金(Mg:Ag)形成,具有半透射(semi-transmissive)特性。就是說,發光材料層140所發射的光線透過第二電極160被傳送到外部,因為第二電極160具有半透射特性,其中部份光線再次被傳送到第 一電極110。
因此,第一電極110(用作反射電極)與第二電極160間完成重複反射。這被稱為微腔效應(micro-cavity effect)。就是說,光線在陽極(係為第一電極110)與係為第二電極160的陰極之間的腔室中重複反射,從而增加發光效率。
這種情況下,第一到第三發光材料層142、144與146各自發射的光線具有不同的波長,因此,腔室的厚度「d」被定義為第一電極110與第二電極160之間的距離,腔室的厚度「d」被設置為不同。就是說,綠色畫素區域P2的厚度「d」小於紅色畫素區域P1的厚度「d」,大於藍色畫素區域P3的厚度「d」,其中紅色畫素區域P1發射具有最長波長的紅色光線,藍色畫素區域P3發射具有最短波長的藍色光線。
因此,本發明調整光輔助傳輸層的厚度,因此第一電極110與第二電極160之間的距離在畫素區域P1到P3處形成為不同。就是說,第二畫素區域P2的對應位置處形成的第二光輔助傳輸層134的厚度係形成為小於第一畫素區域P1的對應位置處形成的第一光輔助傳輸層132的厚度。
封蓋層(capping layer)170增加了光線萃取效果,以及保護有機發光顯示裝置避免外部雜質與氧化。封蓋層170係由形成電洞傳輸層130的材料、形成電子傳輸層150的材料以及紅色、綠色與藍色光線的第一到第三發光材料層142、144與146的主體材料其中之一形成,可以不提供封蓋層170。
如上所述,本發明實施例的有機發光顯示裝置可保持光輸 出效率與色彩特性,以及實現高品質影像。
以下描述本發明實施例的有機發光顯示裝置與比較例子的特性評價。然而,以下的例子1到3僅僅是舉例說明本發明,本發明並非限制於以下的例子1到3。
第2圖為習知技術的有機發光顯示裝置的剖面示意圖,第3圖為比較例子與例子1到3的使用壽命特性的比較示意圖。
如第2圖所示,比較例子係關於習知技術的有機發光顯示裝置,其中第一光輔助傳輸層132係形成於電洞傳輸層130與第一發光材料層142間,第二光輔助傳輸層134形成於電洞傳輸層130與第二發光材料層144間。
特別地,習知技術的有機發光顯示裝置具有頂部發射型,以及具有以下結構,其中放置陽極、電洞注入層(HATCN,50埃)、電洞傳輸層(NPD,1100埃)、第一光輔助傳輸層(NPD,400埃)、第二光輔助傳輸層(NPD,850埃)、發光材料層(紅色、綠色及藍色發光材料)、電子傳輸層(Alq3,360埃)、陰極(Mg:Ag=10:1,140埃)以及封蓋層(NPD,6500埃)。
另一方面,例子1係關於具有第1圖結構的有機發光顯示裝置,以及具有以下結構,其中第二光輔助傳輸層134被放置於比較例子的習知技術有機發光顯示裝置中的第二發光材料層144與電子傳輸層150之間。這種情況下,第二光輔助傳輸層134使用與電子傳輸材料相同的材料。此外,例子2的有機發光顯示裝置被形成以具有與例子1相同的結構,但是第二光輔助傳輸層134由與發光材料層的主體相同的材料形成。此外, 例子3的有機發光顯示裝置被形成以具有與例子1相同的結構,但是第二光輔助傳輸層134由二唑衍生物形成。
因此,如第3圖所示,可看出與比例例子相比,例子1到3提高了使用壽命特性。
第4圖到第7圖為本發明其他實施例的有機發光顯示裝置的示意圖。
第4圖表示一種結構,其中具有第1圖結構的有機發光顯示裝置中的第一光輔助傳輸層132與第二光輔助傳輸層134被改變形成位置。就是說,第4圖的結構中,第一光輔助傳輸層132形成於紅色畫素區域P1對應位置處的第一發光材料層142上,第二光輔助傳輸層134形成於綠色畫素區域P2對應位置處的電洞傳輸層130上。
第5圖表示一種結構,其中具有第1圖結構的有機發光顯示裝置中第一光輔助傳輸層132被改變形成位置。就是說,第5圖的結構中,第一光輔助傳輸層132形成於紅色畫素區域P1對應位置處的第一發光材料層142上。
第6圖表示一種結構,其中具有第1圖結構的有機發光顯示裝置中,第一光輔助傳輸層132與第二光輔助傳輸層134被改變形成位置,額外形成第三光輔助傳輸層136。就是說,第6圖的結構中,第一光輔助傳輸層132係形成於紅色畫素區域P1對應位置處的電洞傳輸層130上,第二光輔助傳輸層134形成於綠色畫素區域P2對應位置處的電洞傳輸層130上,以及第三光輔助傳輸層136形成於藍色畫素區域P3的對應位置處的第三發光材料層146上。
第7圖表示一種結構,其中第三光輔助傳輸層136額外形成於具有第5圖的結構的有機發光顯示裝置中。就是說,第7圖的結構中,其中第一光輔助傳輸層132係形成於紅色畫素區域P1對應位置處的第一發光材料層142上,第二光輔助傳輸層134形成於綠色畫素區域P2的對應位置處的第二發光材料層144上,以及第三光輔助傳輸層136形成於藍色畫素區域P3的對應位置處的第三發光材料層146上。
接下來,詳細描述本發明實施例的有機發光顯示裝置(請參考第1圖)的製造方法。
首先,在其中定義第一到第三畫素區域P1到P3的基板上形成第一電極110,然後電洞注入層120與電洞傳輸層130係使用精細金屬遮罩(fine metal mask;FMM)形成於第一腔室中。透過在第一電洞傳輸層130的材料上摻雜P型摻雜物例如F4-TCNQ與TCAQ,形成電洞注入層120,但是本發明的精神與保護範圍並非限制於此。
接下來,第一光輔助傳輸層132透過使用精細金屬遮罩形成於紅色畫素區域P1對應位置處的電洞傳輸層130上,然後形成第一到第三發光材料層142、144與146。
接下來,第二光輔助傳輸層134係透過使用精細金屬遮罩形成於第二發光材料層144上。
最後,不使用精細金屬遮罩順序形成電子傳輸層150、第二電極160以及封蓋層170。
說明書中,已經舉例了頂部發射型的有機發光顯示裝置,但是本發明的精神與保護範圍並非限制於此。本發明可被應用到各種類型例如底部發射型、雙發射型、串聯型(tandem type)等有機發光顯示裝置。
依照本發明,用以調整光程的光輔助傳輸層形成於發光材料層與電子傳輸層之間,因此可調整光程,以及解決發光材料的電荷部平衡問題。此外,光輸出效率卓越,並且可提高使用壽命特性。
因此,本發明的有機發光顯示裝置可實現高解析度。
雖然本發明的實施例揭露如上所述,然並非用以限定本發明,任何熟習相關技藝者,在不脫離本發明的精神和範圍內,舉凡依本發明申請範圍所述的形狀、構造、特徵及數量當可做些許的變更,因此本發明的專利保護範圍須視本說明書所附的申請專利範圍所界定者為準。
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧電洞注入層
130‧‧‧電洞傳輸層
132‧‧‧光輔助傳輸層
134‧‧‧光輔助傳輸層
140‧‧‧發光材料層
142‧‧‧第一發光材料層
144‧‧‧第二發光材料層
146‧‧‧第三發光材料層
150‧‧‧電子傳輸層
160‧‧‧第二電極
170‧‧‧封蓋層
P1‧‧‧畫素區域
P2‧‧‧畫素區域
P3‧‧‧畫素區域

Claims (17)

  1. 一種有機發光顯示裝置,包含:一基板,其中定義至少三個畫素區域;一第一電極與一電洞傳輸層,形成於該基板上;一發光材料層,形成於每一畫素區域中的該電洞傳輸層上;以及一電子傳輸層與一第二電極,形成於該發光材料層上,其中一光輔助傳輸層係形成於畫素區域至少其一的對應位置處的該發光材料層上,以及由一電子傳輸材料形成。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該光輔助傳輸層更形成於該電洞傳輸層與該發光材料層之間。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該光輔助傳輸層由與該電子傳輸層相同的材料形成。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該光輔助傳輸層由與該發光材料層之主體相同的材料形成。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該光輔助傳輸層單獨由一蒽衍生物(anthracene derivative)或者一二唑衍生物(oxadiazole derivative)形成,或者形成為與8-羥基喹啉鋰(LiQ)的組合。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中該第一電極係為包含銀合金的一反射電極。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置,其中, 該第一電極為一反射電極,以及該第二電極具有一半透射特性。
  8. 一種有機發光顯示裝置的製造方法,包含:在其中定義至少三個畫素區域的一基板上全部形成一第一電極;在該第一電極上形成一電洞傳輸層;在一第一畫素區域的對應位置處的該電洞傳輸層上形成一第一光輔助傳輸層;在該第一光輔助傳輸層上形成一第一發光材料層,在一第二畫素區域對應的位置處的該電洞傳輸層上形成一第二發光材料層,以及在一第三畫素區域對應的位置處的該電洞傳輸層上形成一第三發光材料層;在該第二發光材料層上形成一第二光輔助傳輸層;在該第一發光材料層、該第二光輔助傳輸層以及該第三發光材料層上形成一電子傳輸層;以及在該電子傳輸層上形成一第二電極。
  9. 一種有機發光顯示裝置的製造方法,包含:在其中定義至少三個畫素區域的一基板上全部形成一第一電極;在該第一電極上形成一電洞傳輸層;在一第二畫素區域對應的位置處的該電洞傳輸層上形成一第二光輔助傳輸層; 在一第一畫素區域對應的位置處的該電洞傳輸層上形成一第一發光材料層,在一第三畫素區域的對應位置處的該電洞傳輸層上形成一第三發光材料層,以及在該第二光輔助傳輸層上形成一第二發光材料層;在該第一發光材料層上形成一第一光輔助傳輸層;在該第一光輔助傳輸層、該第二發光材料層以及該第三發光材料層上形成一電子傳輸層;以及在該電子傳輸層上形成一第二電極。
  10. 一種有機發光顯示裝置的製造方法,包含:在其中定義至少三個畫素區域的一基板上全部形成一第一電極;在該第一電極上形成一電洞傳輸層;在第一到第三畫素區域對應的各個位置處的該電洞傳輸層上形成第一到第三光輔助傳輸層;在該第一畫素區域對應的位置處的該第一發光材料層上形成一第一光輔助傳輸層;在該第二畫素區域對應的位置處的該第二發光材料層上形成一第二光輔助傳輸層;在該第一光輔助傳輸層、該第二光輔助傳輸層以及該第三發光材料層上形成一電子傳輸層;以及在該電子傳輸層上形成一第二電極。
  11. 如請求項8到10所述之有機發光顯示裝置的製造方法, 更包含在形成該電洞傳輸層前,在該第一電極上形成一電洞注入層。
  12. 如請求項8到10所述之有機發光顯示裝置的製造方法,更包含在該第三畫素區域對應的位置處的該第三發光材料層上形成一第三光輔助傳輸層。
  13. 如請求項12所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該第一到第三光輔助傳輸層係由與形成該電子傳輸層的材料相同的材料形成。
  14. 如請求項12所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該第一到第三光輔助傳輸層係由與發光材料層的主體相同的材料形成。
  15. 如請求項12所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該第一到第三光輔助傳輸層單獨由一蒽衍生物(anthracene derivative)或者一二唑衍生物(oxadiazole derivative)形成,或者形成為與8-羥基喹啉鋰(LiQ)的組合。
  16. 如請求項8到10所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中該第一電極係為包含銀合金的一反射電極。
  17. 如請求項8到10所述之有機發光顯示裝置的製造方法,其中,該第一電極為一反射電極,以及該第二電極具有半透射特性。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102129266B1 (ko) * 2014-04-30 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160031131A (ko) * 2014-09-11 2016-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US9570519B2 (en) * 2014-10-29 2017-02-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device with multi-organic layers
KR102299838B1 (ko) * 2014-10-31 2021-09-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
CN104600201A (zh) * 2015-01-30 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
KR102322083B1 (ko) * 2015-07-28 2021-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102380132B1 (ko) * 2015-09-22 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102467769B1 (ko) * 2015-12-15 2022-11-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
CN107785493B (zh) * 2016-08-29 2019-12-03 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光显示器件及显示装置
US10777103B2 (en) * 2016-09-28 2020-09-15 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus and method for manufacturing same
CN106449714B (zh) 2016-11-09 2019-12-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
CN106784363B (zh) * 2016-11-24 2018-11-09 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、电子设备以及制作方法
CN106531896B (zh) * 2016-12-13 2018-08-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
KR102551867B1 (ko) * 2018-05-29 2023-07-05 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112310324A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示用基板及其制备方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4068279B2 (ja) * 2000-02-23 2008-03-26 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100635056B1 (ko) * 2004-02-19 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 제조방법
JP4925569B2 (ja) * 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
KR100721554B1 (ko) * 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20070058765A (ko) * 2005-12-05 2007-06-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계 발광소자
WO2007072275A2 (en) 2005-12-19 2007-06-28 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organic led device
TW200740955A (en) * 2006-04-20 2007-11-01 Wintek Corp Organic electroluminescent device
JP2008084910A (ja) 2006-09-26 2008-04-10 Canon Inc 有機el表示装置
JP2008130485A (ja) 2006-11-24 2008-06-05 Canon Inc 有機el素子アレイ
KR100829761B1 (ko) * 2007-05-16 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자
KR100957781B1 (ko) * 2007-08-24 2010-05-13 한국전자통신연구원 하이브리드 백색 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101396647B1 (ko) 2009-06-24 2014-05-16 주식회사 엘지화학 신규한 안트라센 유도체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기전자소자
KR101058109B1 (ko) * 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101073540B1 (ko) * 2009-12-04 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101065404B1 (ko) * 2009-12-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101182442B1 (ko) * 2010-01-27 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
KR101135536B1 (ko) * 2010-02-05 2012-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101213498B1 (ko) * 2010-10-25 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 장치
US9287339B2 (en) * 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101771581B1 (ko) * 2011-05-23 2017-08-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR101838270B1 (ko) * 2011-05-25 2018-03-14 삼성디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
KR20130006937A (ko) * 2011-06-27 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20130007307A (ko) * 2011-06-30 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9105860B2 (en) * 2011-06-30 2015-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
KR101810047B1 (ko) * 2011-07-28 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR101821739B1 (ko) * 2011-08-25 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101333138B1 (ko) * 2012-03-05 2013-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치의 제조 방법, 무기막 전사용 기판 및 유기 발광 장치

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