CN106531896B - 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106531896B
CN106531896B CN201611147443.9A CN201611147443A CN106531896B CN 106531896 B CN106531896 B CN 106531896B CN 201611147443 A CN201611147443 A CN 201611147443A CN 106531896 B CN106531896 B CN 106531896B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lumo
homo
pixel area
light
mobility
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611147443.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106531896A (zh
Inventor
程爽
滨田
牛晶华
王湘成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianma Microelectronics Co Ltd
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianma Microelectronics Co Ltd, Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd filed Critical Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201611147443.9A priority Critical patent/CN106531896B/zh
Priority to CN201810715844.2A priority patent/CN108807493B/zh
Publication of CN106531896A publication Critical patent/CN106531896A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106531896B publication Critical patent/CN106531896B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置,该有机发光显示器件包括:第一电极、光学补偿层、发光层和第二电极;红色像素区域所对应的第一光学补偿区域的μCR、HOMOCR和LUMOCR中的至少一种参数满足:9*10‑5cm2/V·s≤μCR≤1*10‑3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;绿色像素区域所对应的第二光学补偿区域的μCG、HOMOCG和LUMOCG中的至少一种参数满足:6*10‑5cm2/V·s≤μCG≤5*10‑4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;蓝色像素区域所对应的第三光学补偿区域的μCB、HOMOCB和LUMOCB中的至少一种参数满足:1*10‑5cm2/V·s≤μCB≤5*10‑4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。本发明实施例中任意一种不同发光颜色的像素区域所对应的光学补偿区域的材料特征参数符合限定条件,均能够控制该发光颜色像素区域所对应的发光区域的发光中心位置,达到改善该发光颜色像素区域的视角色偏的效果。

Description

有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术,尤其涉及一种有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置。
背景技术
顶发射有机发光显示器件的正负极之间构成了微腔结构,微腔结构具有微腔效应,例如对微腔结构发射波长处即发光中心有光强度增加效应,对发射峰光谱有窄化作用同时还可以改变发射峰波长,还能够调整发射峰值波长、强度和发射峰的半高宽,即顶发射有机发光显示器件的微腔效应能够提高色纯度、发光效率和发光强度。而微腔长度是微腔结构的重要参数,那么微腔长度是影响顶发射有机发光显示器件微腔效应的重要因素。
基于不同发光颜色的本征发射波长不同,顶发射有机发光显示器件中不同发光颜色所对应的微腔长度不同,从而顶发射有机发光显示器件的不同发光颜色能够达到近似的色纯度、发光效率和发光强度等微腔效应效果。具体的,红光的本征发射波长大于绿光的本征发射波长,绿光的本征发射波长大于蓝光的本征发射波长,则红光所对应的微腔长度通常大于绿光和蓝光所对应的微腔长度。
然而,微腔长度较长的情况下,受微腔效应影响器件容易产生大的视角色偏,现有有机发光显示器件在60°视角下的视角色偏已超过0.06。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置,以解决现有有机发光显示器件的视角色偏大的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种有机发光显示器件,该有机发光显示器件包括:
依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极,所述发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;
光学补偿层,位于所述第一电极和所述发光层之间且所述光学补偿层与所述发光层直接接触,所述光学补偿层包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,
所述红色像素区域所对应的第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
所述绿色像素区域所对应的第二光学补偿区域的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
所述蓝色像素区域所对应的第三光学补偿区域的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。
第二方面,本发明实施例还提供了一种有机发光显示器件的制造方法,应用于如上所述的有机发光显示器件,该制造方法包括:
形成第一电极;
在所述第一电极上形成发光层,其中,所述发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;
在所述发光层上形成第二电极;
还包括:在形成所述发光层之前,形成光学补偿层,其中,所述光学补偿层包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,
所述红色像素区域所对应的第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
所述绿色像素区域所对应的第二光学补偿区域的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
所述蓝色像素区域所对应的第三光学补偿区域的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。
第三方面,本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括如上所述的有机发光显示器件。
本发明实施例提供的有机发光显示器件具有多个像素区域,所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种;当R像素区域所对应的第一光学补偿区域的μCR、HOMOCR和LUMOCR中的至少一种参数满足其所对应的条件时,能够减小有机发光显示器件中R像素区域的视角色偏;当G像素区域所对应的第二光学补偿区域的μCG、HOMOCG和LUMOCG中的至少一种参数满足其所对应的条件时,能够减小有机发光显示器件中G像素区域的视角色偏;当B像素区域所对应的第三光学补偿区域的μCB、HOMOCB和LUMOCB中的至少一种参数满足其所对应的条件时,能够减小有机发光显示器件中B像素区域的视角色偏。显然,本发明实施例中任意一种不同发光颜色的像素区域所对应的光学补偿区域的材料特征参数符合限定条件,均能够控制有机发光显示器件中该发光颜色像素区域所对应的发光区域的发光中心位置,达到有效改善该发光颜色像素区域的视角色偏的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A是本发明实施例提供的有机发光显示器的示意图;
图1B是图1A沿A-A'的剖视图;
图2A~图2D是本发明一个实施例提供的多种有机发光显示器件的示意图;
图3A~3C是本发明实施例提供的不同发光中心位置下,R像素区域、G像素区域和B像素区域的发光亮度和视角色偏的变化图;
图4A~图4C是本发明另一个实施例提供的多种有机发光显示器件的示意图;
图5是本发明再一个实施例提供的多种有机发光显示器件的示意图;
图6是本发明又一个实施例提供的有机发光显示器件的流程图;
图7A~图7D是本发明又一个实施例提供的有机发光显示器件的制造流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将参照本发明实施例中的附图,通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1A所示为本发明实施例提供的有机发光显示器的示意图,图1B是图1A沿A-A的剖视图。该有机发光显示器包括下基板10和上基板20,位于下基板10上的TFT11阵列、阳极12、R像素区域所对应的光学补偿层13R和发光层14R、G像素区域所对应的光学补偿层13G和发光层14G、B像素区域所对应的光学补偿层13B和发光层14B、以及阴极15。该有机发光显示器的光学补偿层能够用于调节微腔长度,进而改善视角色偏。该有机发光显示器的发光机理是,以发红光为例,给R像素区域所对应的阳极12上施加正电压以及给阴极15上施加负电压,阳极12产生的空穴注入到与其对应的发光层14R中,阴极15产生的电子也注入到相应的发光层14R;注入到发光层14R中的电子和空穴复合产生激子,激子辐射跃迁使得发光层14R发红光。
为了清楚描述本发明的技术方案,在下述实施例中仅以有机发光显示器的局部结构为例进行描述和说明。
如图2A~图2D所示,为本发明一个实施例提供的多种不同的有机发光显示器件的示意图。本实施例提供的有机发光显示器件包括:依次层叠设置的第一电极110、发光层120和第二电极130,发光层120包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域R、绿色像素区域G和蓝色像素区域B中的至少一种;光学补偿层140,位于第一电极110和发光层120之间且光学补偿层140与发光层120直接接触,光学补偿层140包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,红色像素区域R所对应的第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
绿色像素区域G所对应的第二光学补偿区域的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
蓝色像素区域B所对应的第三光学补偿区域的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。
本实施例中有机发光显示器件包括多个像素区域,所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种。如图2A和图2B示出了所述多个像素区域包括三种不同发光颜色的像素区域,即R像素区域、G像素区域和B像素区域;如图2C示出了所述多个像素区域包括两种不同发光颜色的像素区域,例如G像素区域和B像素区域;如图2D示出了所述多个像素区域包括一种不同发光颜色的像素区域,例如R像素区域。本领域技术人员可以理解,有机发光显示器件包括但不限于以上示例,在其他可选实施例中有机发光显示器件可以包括R像素区域和B像素区域,或者,仅包括B像素区域等,在本发明中不进行具体限制。
在本实施例中光学补偿层140包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,R像素区域所对应的光学补偿区域定义为第一光学补偿区域,G像素区域所对应的光学补偿区域定义为第二光学补偿区域,B像素区域所对应的光学补偿区域定义为第三光学补偿区域。光学补偿层140位于第一电极110和发光层120之间,具体的,以图1B为例,第一光学补偿区域为位于发光层14R和阳极12之间且直接接触发光层14R的光学补偿层13R;第二光学补偿区域为位于发光层14G和阳极12之间且直接接触发光层14G的光学补偿层13G;第三光学补偿区域为位于发光层14B和阳极12之间且直接接触发光层14B的光学补偿层13B。
本实施例中有机发光显示器件可选为顶发射有机发光显示器件。该有机发光显示器件中第一电极110和第二电极130之间的结构构成微腔结构,即位于第一电极110和第二电极130之间的光学补偿层140和发光层120共同构成了微腔结构,光学补偿层140可作为微腔长度调节的厚度调整层,微腔结构具有微腔效应。为了使不同发光颜色的像素区域达到近似的微腔效应效果,现有的有机发光显示器件中不同发光颜色的像素区域所对应的微腔长度不同,而微腔长度较长会使器件容易产生大的视角色偏,则本实施例中在与光学补偿层140和发光层120分别邻接的两个膜层的载流子(电子和空穴)注入平衡的情况下,通过调整不同发光颜色像素区域所对应的光学补偿区域的材料特征参数来改善相应发光颜色像素区域的视角色偏。具体的,本实施例中通过调整光学补偿区域的迁移率μC、HOMO能级HOMOC和LUMO能级LUMOC中至少一种材料特征参数,控制载流子的平衡,进而控制相应发光颜色像素区域所对应的发光区域的发光中心位置,从而通过控制发光中心位置达到改善该发光颜色像素区域视角色偏的效果。
如图3A~3C所示为本发明实施例提供的不同发光中心位置下,R像素区域、G像素区域和B像素区域的发光亮度和视角色偏值。具体的,图3A示出了红光波长峰值为610nm下的不同发光中心位置与发光亮度、视角色偏的对应关系;图3B示出了绿光波长峰值为530nm下的不同发光中心位置与发光亮度、视角色偏的对应关系;图3C示出了蓝光波长峰值为460nm下的不同发光中心位置与发光亮度、视角色偏的对应关系。其中,发光亮度是指正视角(0°)位置的发光亮度,本实施例与下述任意实施例中视角色偏均指与正视角(0°)夹角60°位置的视角色偏;发光层120的发光中心位置采用百分比来表征,将发光层120面向光学补偿层140的一侧表面位置表征为发光中心位置为0%,将发光层120面向第二电极130的一侧表面位置表征为发光中心位置为100%。
为了便于描述,图3A~图3C所对应的数据如下表1所示,其中效率百分比(%)具体是指当前发光中心位置下的发光效率与该发光颜色的最大发光效率的比值,以R像素区域在0%发光中心位置的效率百分比(%)为例,即在0%发光中心位置下红光发光效率是红光最大发光效率的95.70%。
由图3A~图3C,以及上表1可知,R像素区域的发光中心位置处于40%~60%时,R像素区域的视角色偏较小且效率百分比较大,即视角色偏和效率百分比均为相对较优的数值,则R像素区域的色偏小且发光效率高,显示效果好;G像素区域的发光中心位置处于60%~80%时,G像素区域的视角色偏较小且效率百分比较大,即视角色偏和效率百分比均为相对较优的数值,则G像素区域的色偏小且发光效率高,显示效果好;B像素区域的发光中心位置处于70%~90%时,B像素区域的视角色偏较小且效率百分比较大,即视角色偏和效率百分比均为相对较优的数值,则B像素区域的色偏小且发光效率高,显示效果好。
对于R像素区域所对应的第一光学补偿区域,可以通过控制R像素区域所对应的发光区域的发光中心位置来改善R像素区域的视角色偏。具体的,R像素区域所对应的第一光学补偿区域的μCR、HOMOCR和LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV时,可控制R像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于40%~60%,此时R像素区域的视角色偏最高不超过0.0392,R像素区域的发光效率百分比最高可达98.38%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的R像素区域的视角色偏。
对于G像素区域所对应的第二光学补偿区域,可以通过控制G像素区域所对应的发光区域的发光中心位置来改善G像素区域的视角色偏。具体的,G像素区域所对应的第二光学补偿区域的μCG、HOMOCG和LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV时,可控制G像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于60%~80%,此时G像素区域的视角色偏最高不超过0.0325,G像素区域的发光效率百分比最高可达100%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的G像素区域的视角色偏。
对于B像素区域所对应的第三光学补偿区域,可以通过控制B像素区域所对应的发光区域的发光中心位置来改善B像素区域的视角色偏。具体的,B像素区域所对应的第三光学补偿区域的μCB、HOMOCB和LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV时,可控制B像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于70%~90%,此时B像素区域的视角色偏最高不超过0.0224,B像素区域的发光效率百分比最高可达98.61%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的B像素区域的视角色偏。
由此可知,有机发光显示器件中任意一种发光颜色的像素区域所对应的光学补偿区域,其组成材料的至少一种材料特征参数满足其所对应的限定条件时,能够减小有机发光显示器件中该发光颜色的像素区域的视角色偏。
需要说明的是,现有的有机发光显示器件受微腔效应影响,在微腔长度较长的情况下容易产生大的视角色偏,其中视角色偏大于0.06。显然,微腔长度减小能够达到减小视角色偏的效果,具体的通过调整微腔长度可以使得峰值波长移动从而减小视角色偏,然而调整微腔长度会使器件的波长峰值发生变化,进而影响器件的色坐标,色坐标用于表征器件的发光颜色,色坐标发生变化会导致器件的发光颜色产生偏差。而本实施例中直接采用调整光学补偿层的迁移率、HOMO能级和LUMO能级的方式达到减小视角色偏的效果,无需调整微腔长度且不会影响器件色坐标,因此本发明实施例提供的有机发光显示器件能够在不改变波长峰值的情况下直接达到减小视角色偏的效果。
示例性的,在上述技术方案的基础上,可选所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种;第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:5*10-4cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;第二光学补偿区域的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:1*10-4cm2/V·s≤μCG≤3*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;第三光学补偿区域的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:8*10-5cm2/V·s≤μCB≤1*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。
需要说明的是,当第一光学补偿区域的HOMOCR和LUMOCR中的至多两种,以及μCR满足第一光学补偿区域所对应的参数条件时,可控制R像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于45%~60%,此时R像素区域的视角色偏最高不超过0.0388,R像素区域的发光效率百分比最高可达98.28%。当第二光学补偿区域的HOMOCG和LUMOCG中的至多两种,以及μCG满足第二光学补偿区域所对应的参数条件时,可控制G像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于65%~75%,此时G像素区域的视角色偏最高不超过0.0317,G像素区域的发光效率百分比最高可达99.80%。当第三光学补偿区域的HOMOCB和LUMOCB中的至多两种,以及μCB满足第三光学补偿区域所对应的参数条件时,可控制B像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于76%~87%,此时B像素区域的视角色偏最高不超过0.0223,B像素区域的发光效率百分比最高可达98.00%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的R像素区域、G像素区域和B像素区域中至少一种发光颜色像素区域的视角色偏。
示例性的,在上述技术方案的基础上,可选第一电极110的组成材料为金属Ag或金属Ag合金,第二电极130的组成材料为氧化铟锡或氧化铟锌。本领域技术人员可以理解,第一电极和第二电极的组成材料有多种,包括但不限于以上示例,相关从业人员可根据产品所需自行选取形成第一电极和第二电极的组成材料,在本发明中不进行具体限制。
示例性的,在上述技术方案的基础上,可选所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种;发光层120包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应所述多个像素区域,R像素区域所对应的第一发光区域的客体材料包含磷光材料;G像素区域所对应的第二发光区域的客体材料包含磷光材料;B像素区域所对应的第三发光区域的客体材料包含荧光材料。
第一发光区域的客体材料和第二发光区域的客体材料均包含磷光材料,具有发光效率高且寿命长的优势。第三发光区域的客体材料包含荧光材料,具有寿命长的优势。本领域技术人员可以理解,第一发光区域和/或第二发光区域的客体材料也可以包含荧光材料,第三发光区域的客体材料也可以包含磷光材料,相关从业人员可根据产品所需自行选取第一、第二和第三发光区域的客体材料,在本发明中不进行具体限制。
第一、第二和第三发光区域中还分别包含主体材料,本领域技术人员可以理解,第一发光区域的主体材料的三线态能级T1HR大于其客体材料的三线态能级T1DR;第二发光区域的主体材料的三线态能级T1HG大于其客体材料的三线态能级T1DG;第三发光区域的主体材料的三线态能级T1HB大于其客体材料的三线态能级T1DB。发光区域中主体材料和客体材料的能级符合上述条件,则发光区域中主体材料的三线态激子能量能够向客体材料的三线态激子能量转移。此外发光区域中主体材料和客体材料还需要满足:主体材料的发射光谱和客体材料的吸收光谱要有一定的重叠。在上述条件满足的情况下,发光区域能够实现电致发光。
示例性的,在上述技术方案的基础上,可选有机发光显示器件的所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域。则在本实施例中第一光学补偿区域的厚度大于第二光学补偿区域的厚度,第二光学补偿区域的厚度大于第三光学补偿区域的厚度;具体的可选第一光学补偿区域的厚度大于或等于85nm且小于或等于100nm,第二光学补偿区域的厚度大于或等于40nm且小于或等于55nm,第三光学补偿区域的厚度大于或等于15nm且小于或等于25nm。在本实施例中还可选R像素区域所对应的第一发光区域的厚度大于或等于28nm且小于或等于33nm;G像素区域所对应的第二发光区域的厚度大于或等于18nm且小于或等于24nm;B像素区域所对应的第三发光区域的厚度大于或等于18nm且小于或等于23nm。
红光的本征发射波长约为615~620nm,绿光的本征发射波长约为530~540nm,蓝光的本征发射波长约为460~470nm,因此有机发光显示器件中R像素区域所对应的微腔长度大于G像素区域所对应的微腔长度,G像素区域所对应的微腔长度大于B像素区域所对应的微腔长度。在本实施例中第一电极110和第二电极130之间的光学补偿层140和发光层120构成了微腔结构,则可通过调节光学补偿区域和/或发光区域的厚度而得到所需的微腔长度。本领域技术人员可以理解,光学补偿区域和/或发光区域的厚度参数包括但不限于以上范围,以及有机发光显示器件包括任意一种发光颜色的像素区域时,相关从业人员可根据产品所需自行设置光学补偿区域和/或发光区域的厚度。
需要说明的是,当第一光学补偿区域的μCR、HOMOCR和LUMOCR中的至少一种,以及厚度满足第一光学补偿区域所对应的参数条件时,可控制R像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于32%~67%,此时R像素区域的视角色偏最高不超过0.0398,R像素区域的发光效率百分比最高可达98.38%。当第二光学补偿区域的μCG、HOMOCG和LUMOCG中的至少一种,以及厚度满足第二光学补偿区域所对应的参数条件时,可控制G像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于51%~88%,此时G像素区域的视角色偏最高不超过0.0341,G像素区域的发光效率百分比最高可达100%。当第三光学补偿区域的μCB、HOMOCB和LUMOCB中的至少一种,以及厚度满足第三光学补偿区域所对应的参数条件时,可控制B像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于59%~96%,此时B像素区域的视角色偏最高不超过0.0265,B像素区域的发光效率百分比最高可达99.45%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的R像素区域、G像素区域和B像素区域中至少一种发光颜色像素区域的视角色偏。
本发明实施例提供的有机发光显示器件具有多个像素区域,所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种;当R像素区域所对应的第一光学补偿区域的μCR、HOMOCR和LUMOCR中的至少一种参数满足其所对应的条件时,能够减小有机发光显示器件中R像素区域的视角色偏;当G像素区域所对应的第二光学补偿区域的μCG、HOMOCG和LUMOCG中的至少一种参数满足其所对应的条件时,能够减小有机发光显示器件中G像素区域的视角色偏;当B像素区域所对应的第三光学补偿区域的μCB、HOMOCB和LUMOCB中的至少一种参数满足其所对应的条件时,能够减小有机发光显示器件中B像素区域的视角色偏。显然,本发明实施例中任意一种不同发光颜色的像素区域所对应的光学补偿区域的材料特征参数符合限定条件,均能够控制有机发光显示器件中该发光颜色像素区域所对应的发光区域的发光中心位置,达到有效改善该发光颜色像素区域的视角色偏的效果。
示例性的,在上述技术方案的基础上,本发明实施例的有机发光显示器件中位于第一电极110和第二电极130之间的光学补偿层140和发光层120共同构成了微腔结构,微腔结构具有微腔效应。微腔长度较长会使器件容易产生大的视角色偏,则本实施例中在与光学补偿层140和发光层120分别邻接的两个膜层的载流子(电子和空穴)注入平衡的情况下,可选通过调整不同发光颜色像素区域所对应的发光区域的材料特征参数来改善相应发光颜色像素区域的视角色偏。具体的,本实施例中通过调整发光区域的迁移率μE、HOMO能级HOMOE和LUMO能级LUMOE中至少一种材料特征参数,控制相应发光颜色像素区域所对应的发光区域的发光中心位置,从而通过控制发光中心位置达到改善该发光颜色像素区域视角色偏的效果。
本领域技术人员可以理解,本发明中在与光学补偿层140和发光层120分别邻接的两个膜层的载流子(电子和空穴)注入平衡的情况下,可通过调整光学补偿区域和/或发光区域的至少一种材料特征参数来控制相应发光颜色像素区域的发光中心位置,从而改善相应发光颜色像素区域的视角色偏。
可选所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种;R像素区域所对应的第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;G像素区域所对应的第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;B像素区域所对应的第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV。
需要说明的是,当第一发光区域的μER、HOMOER和LUMOER中的至少一种参数满足第一发光区域所对应的参数条件时,可控制第一发光区域的发光中心位置处于42%~57%,此时R像素区域的视角色偏最高不超过0.0390,R像素区域的发光效率百分比最高可达98.34%。当第二发光区域的μEG、HOMOEG和LUMOEG中的至少一种参数满足第二发光区域所对应的参数条件时,可控制第二发光区域的发光中心位置处于63%~77%,此时G像素区域的视角色偏最高不超过0.0320,G像素区域的发光效率百分比最高可达99.88%。当第三发光区域的μEB、HOMOEB和LUMOEB中的至少一种参数满足第三发光区域所对应的参数条件时,可控制第三发光区域的发光中心位置处于75%~82%,此时B像素区域的视角色偏最高不超过0.0222,B像素区域的发光效率百分比最高可达96.97%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的R像素区域、G像素区域和B像素区域中至少一种发光颜色像素区域的视角色偏。
可选所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:1*10-4cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:9*10-5cm2/V·s≤μEG≤2*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:5*10-5cm2/V·s≤μEB≤9*10-5cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV。
需要说明的是,当第一发光区域的HOMOER和LUMOER中的至多两种,以及μER满足第一发光区域所对应的参数条件时,可控制第一发光区域的发光中心位置处于49%~55%,此时R像素区域的视角色偏最高不超过0.0386,R像素区域的发光效率百分比最高可达98.20%。当第二发光区域的HOMOEG和LUMOEG中的至多两种,以及μEG满足第二发光区域所对应的参数条件时,可控制第二发光区域的发光中心位置处于63%~74%,此时G像素区域的视角色偏最高不超过0.0320,G像素区域的发光效率百分比最高可达99.88%。当第三发光区域的HOMOEB和LUMOEB中的至多两种,以及μEB满足第三发光区域所对应的参数条件时,可控制第三发光区域的发光中心位置处于70%~79%,此时B像素区域的视角色偏最高不超过0.0220,B像素区域的发光效率百分比最高可达96.29%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的R像素区域、G像素区域和B像素区域中至少一种发光颜色像素区域的视角色偏。
可选所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,-0.1eV≤HOMOCR-HOMOER≤0.3eV,0.05eV≤LUMOCR-LUMOER≤0.5eV;第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,-0.3eV≤HOMOCG-HOMOEG≤0eV,-0.1eV≤LUMOCG-LUMOEG≤0.7eV;第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10- 4cm2/V·s,-0.5eV≤HOMOCB-HOMOEB≤0.2eV,0.4eV≤LUMOCB-LUMOEB≤0.55eV。
需要说明的是,R像素区域对应的第一光学补偿区域和第一发光区域的HOMO能级差值和LUMO能级差值满足R像素区域所对应的参数条件时,直接接触的第一光学补偿区域和第一发光区域之间能级匹配,降低了空穴跃迁的势垒,便于空穴注入第一发光区域,提高了红光发光效率。G像素区域对应的第二光学补偿区域和第二发光区域的HOMO能级差值和LUMO能级差值满足G像素区域所对应的参数条件时,直接接触的第二光学补偿区域和第二发光区域之间能级匹配,降低了空穴跃迁的势垒,便于空穴注入第二发光区域,提高了绿光发光效率。B像素区域对应的第三光学补偿区域和第三发光区域的HOMO能级差值和LUMO能级差值满足B像素区域所对应的参数条件时,直接接触的第三光学补偿区域和第三发光区域之间能级匹配,降低了空穴跃迁的势垒,便于空穴注入第三发光区域,提高了蓝光发光效率。
需要说明的是,当第一光学补偿区域和第一发光区域的HOMO能级和LUMO能级中的至少一种满足R像素区域所对应的参数条件时,可控制R像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于47%~54%,此时R像素区域的视角色偏最高不超过0.0387,R像素区域的发光效率百分比最高可达98.23%。当第二光学补偿区域和第二发光区域的HOMO能级和LUMO能级中的至少一种满足G像素区域所对应的参数条件时,可控制G像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于68%~73%,此时G像素区域的视角色偏最高不超过0.0312,G像素区域的发光效率百分比最高可达99.68%。当第三光学补偿区域和第三发光区域的HOMO能级和LUMO能级中的至少一种满足B像素区域所对应的参数条件时,可控制B像素区域所对应的发光区域的发光中心位置处于75%~82%,此时B像素区域的视角色偏最高不超过0.0222,B像素区域的发光效率百分比最高可达96.97%。与现有有机发光显示器件的超过0.06的视角色偏相比,本实施例有效减小了有机发光显示器件的R像素区域、G像素区域和B像素区域中至少一种发光颜色像素区域的视角色偏。
在上述任意实施例的基础上,本发明实施例还提供了一种有机发光显示器件,本实施例的有机发光显示器件与上述任意实施例所述的有机发光显示器件的区别在于,本实施例的有机发光显示器件还包括:第一功能层和/或第二功能层。为了便于描述,可选在图2B所示有机发光显示器件的基础上对本实施例的多种有机发光显示器件进行图示,如图4A所示的有机发光显示器件还包括第一功能层150,或者如图4B所示的有机发光显示器件还包括第二功能层160,或者如图4C所示的有机发光显示器件还包括第一功能层150和第二功能层。
本实施例中第一功能层150位于第一电极110和光学补偿层140之间,第一功能层150至少包括空穴传输层且空穴传输层与光学补偿层140直接接触,第二功能层160位于发光层120和第二电极130之间,第二功能层160至少包括电子传输层且电子传输层与发光层120直接接触。第一功能层150用于增强第一电极110的空穴注入和传输至发光层120的能力,第二功能层160用于增强第二电极130的电子注入和传输至发光层120的能力,因此能够提高载流子复合效率且平衡载流子的注入和传输。具体的,第一功能层150中空穴传输层能够阻挡发光层120中的激子向第一电极110的方向跃迁,第二功能层160中电子传输层能够阻挡发光层120中的激子向第二电极130的方向跃迁。则空穴传输层和/或电子传输层能够将激子限定在发光层120中,从而提高发光层120的发光效率。
本领域技术人员可以理解,在其他可选实施例中第一功能层还可包括空穴注入层和电子阻挡层中的至少一种,则第一功能层还能够使空穴跃迁时所跨越的能级障碍最小,和/或,在其他可选实施例中第二功能层还可包括电子注入层和空穴阻挡层中的至少一种,则第二功能层还能够使电子跃迁时所跨越的能级障碍最小。
本实施例中有机发光显示器件中第一电极110和第二电极130之间的结构构成微腔结构,以图4C所示有机发光显示器件为例,第一功能层150、光学补偿层140、发光层120和第二功能层160共同构成了微腔结构。本实施例中有机发光显示器件中R像素区域所对应的微腔长度大于G像素区域所对应的微腔长度,G像素区域所对应的微腔长度大于B像素区域所对应的微腔长度,则可通过调节第一功能层、第二功能层、光学补偿区域和/或发光区域的厚度而得到所需的微腔长度。
本实施例中可选空穴传输层的厚度大于或等于80nm且小于或等于120nm,电子传输层的厚度大于或等于32nm且小于或等于50nm。本领域技术人员可以理解,空穴传输层和/或电子传输层的厚度参数包括但不限于以上范围,相关从业人员可根据产品所需自行设置空穴传输层和/或电子传输层的厚度。
本实施例提供的有机发光显示器件,在与光学补偿层140和发光层120分别邻接的两个膜层的载流子(电子和空穴)注入平衡的情况下,通过调整不同发光颜色像素区域所对应的光学补偿区域和/或发光区域的材料特征参数来改善相应发光颜色像素区域的视角色偏,具体过程与上述任意实施例相似,在此不再赘述。
在上述任意实施例的基础上,可选有机发光显示器件还包括:第一基板,位于第一电极背离发光层的一侧表面上,第一基板为刚性基板或柔性基板。为了便于描述,可选在图4C所示有机发光显示器件的基础上对本实施例的有机发光显示器件进行图示,如图4所述该有机发光显示器件包括第一基板170。
在本实施例中第一基板170可选为柔性基板,相应的有机发光显示器件为柔性有机发光显示器件,柔性有机发光显示器件具有低功耗和可弯曲等特性,适用于各种显示设备,尤其适用于可穿戴式显示设备。本实施例中可选柔性基板的材质为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂,本领域技术人员可以理解,柔性基板的材质包括但不限于以上材质,任意一种可作为柔性基板的材质均落入本发明的保护范围。本领域技术人员可以理解,第一基板包括但不限于柔性基板,在其他可选实施例中第一基板还可选为刚性基板,相应的提供了刚性有机发光显示器件,该类有机发光显示器件也具有广泛的应用领域,在本发明中不再赘述和说明。相关从业人员可以根据产品所需自行选取第一基板材质。
为了对本发明实施例提供的有机发光显示器件的性能进行详细描述,在本实施例中提供了一个有机发光显示器件,如图2D所示该有机发光显示器件包括多个像素区域,所述多个像素区域至少包含R像素区域。具体的,与光学补偿层140和发光层120分别邻接的两层膜层的载流子(电子和空穴)注入平衡的情况下,有机发光显示器件Q1~Q3的R像素区域所对应的第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR,以及,第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER满足下述条件:μCR=7*10-4cm2/V·s,μER=4*10-4cm2/V·s,HOMOCR-HOMOER=0.2eV,LUMOCR-LUMOER=0.3eV。
对比例中与光学补偿层和发光层分别邻接的两层膜层的载流子(电子和空穴)注入平衡的情况下,有机发光显示器件D1~D3的R像素区域所对应的第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR,以及,第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER满足下述条件:μCR=1*10-4cm2/V·s,μER=9*10-5cm2/V·s,HOMOCR-HOMOER=-0.35eV,LUMOCR-LUMOER=-0.1eV。
采用上述限定条件制造的有机发光显示器件Q1~Q3和D1~D3,经过测试后得出:Q1的R像素区域所对应的发光区域的视角色偏为0.034,Q2的R像素区域所对应的发光区域的视角色偏为0.038,Q3的R像素区域所对应的发光区域的视角色偏为0.033;D1的R像素区域所对应的发光区域的视角色偏为0.073,D2的R像素区域所对应的发光区域的视角色偏为0.064,D3的R像素区域所对应的发光区域的视角色偏为0.062。
显然,对比例的有机发光显示器件的视角色偏均超过0.06,本实施例的有机发光显示器件的视角色偏均低于0.04,本实施例的有机发光显示器件具有低的视角色偏。
在上述技术方案的基础上,本发明又一个实施例还提供一种有机发光显示器件的制造方法,该制造方法应用于如上任意实施例所述的有机发光显示器件,如图6和图7A~图7D所示该制造方法包括:
步骤210、如图7A所示在第一基板100上形成第一电极110。
本实施例所示的第一基板100为预先制造好的阵列基板,设置有多个TFT。在本实施例中可选第一基板100为柔性基板或刚性基板。在本实施例中可选第一电极110的组成材料为金属或金属合金,例如镁银合金、银金属、银镱合金或银稀土金属合金,第一电极110作为有机发光显示器件的阳极。本领域技术人员可以理解,第一电极的组成材料包括但不限于上述示例,相关从业人员可根据产品所需自行选取第一电极的组成材料。
步骤230、如图7C所示在第一电极110上形成发光层,其中,发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种。本实施例中可选所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域,则发光层包括R像素区域对应的第一发光区域120R、G像素区域对应的第二发光区域120B和B像素区域对应的第三发光区域120G。
在本实施例中可选R像素区域所对应的第一发光区域120R的客体材料包含磷光材料,G像素区域所对应的第二发光区域120G的客体材料包含磷光材料;B像素区域所对应的第三发光区域120B的客体材料包含荧光材料。第一发光区域120R的组成材料还包括第一主体材料,第一主体材料可选为单种或多种主体材料形成,可选该主体材料为咔唑类化合物。第二发光区域120G的组成材料还包括第二主体材料,第二主体材料可选为单种或多种主体材料形成,可选该主体材料为咔唑类化合物。第三发光区域120B的组成材料还包括第三主体材料,第三主体材料可选为单种或多种主体材料形成,可选该主体材料为芳香族化合物。任意一种发光区域的组成材料包含多种主体材料时,可预先将多种主体材料混合之后再对混合主体材料进行蒸镀,或者直接将多种主体材料同时进行蒸镀。任意一种发光区域的组成材料包含多种客体材料时,可预先将多种客体材料混合之后再对混合客体材料进行蒸镀,或者直接将多种客体材料同时进行蒸镀。
本实施例中有机发光显示器件的所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域;可选R像素区域所对应的第一发光区域120R的厚度大于或等于28nm且小于或等于33nm;G像素区域所对应的第二发光区域120G的厚度大于或等于18nm且小于或等于24nm;B像素区域所对应的第三发光区域120B的厚度大于或等于18nm且小于或等于23nm。
需要说明的是,有机发光显示器件包括多种发光颜色的像素区域时,需要依次分别蒸镀不同发光颜色的像素区域所对应的发光区域,例如可按照R像素区域、G像素区域和B像素区域的顺序依次形成第一发光区域120R、第二发光区域120G和第三发光区域120B。
步骤240、如图7D所示在发光层上形成第二电极130。
在本实施例中可选第二电极130的组成材料为ITO或IZO,第二电极130作为有机发光显示器件的阴极。本领域技术人员可以理解,第二电极的组成材料包括但不限于上述示例,相关从业人员可根据产品所需自行选取第二电极的组成材料。
该制造方法还包括:
步骤220、如图7B所示在形成发光层之前,形成光学补偿层,其中,光学补偿层包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,
R像素区域所对应的第一光学补偿区域140R的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
G像素区域所对应的第二光学补偿区域140G的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
B像素区域所对应的第三光学补偿区域140B的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。
可选有机发光显示器件的所述多个像素区域包含R像素区域、G像素区域和B像素区域;第一光学补偿区域140R的厚度大于或等于85nm且小于或等于100nm,第二光学补偿区域140G的厚度大于或等于40nm且小于或等于55nm,第三光学补偿区域140B的厚度大于或等于15nm且小于或等于25nm。
本实施例中有机发光显示器件包括多种发光颜色的像素区域时,需要依次分别蒸镀不同发光颜色的像素区域所对应的光学补偿区域,例如可按照R像素区域、G像素区域和B像素区域的顺序依次形成第一光学补偿区域140R、第二光学补偿区域140G和第三光学补偿区域140B。其中第一光学补偿区域140R的μCR、HOMOCR和LUMOCR中的至少一种参数满足所对应的条件,第二光学补偿区域140G的μCG、HOMOCG和LUMOCG中的至少一种参数满足所对应的条件,第三光学补偿区域140B的μCB、HOMOCB和LUMOCB中的至少一种参数满足所对应的条件。也可选第一、第二和第三光学补偿区域中的至少一种光学补偿区域的材料特征参数满足其所对应的条件。
示例性的,可选所述多个像素区域包含R红色像素区域、G像素区域和B像素区域中的至少一种;
R像素区域所对应的第一发光区域120R的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:
4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;
G像素区域所对应的第二发光区域120G的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;
B像素区域所对应的第三发光区域120B的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV。
需要说明的是,第一电极110、发光层、第二电极130和光学补偿层可以采用热蒸镀法、或电子束沉积法、或分子束外延法、或气相外延法、或化学气相沉积法、或热阻丝蒸镀法形成。相关从业人员可根据产品、生产设备等工艺条件自行选取制造有机发光显示器件中各个膜层结构的工艺方法,在本发明中不进行具体限制。本领域技术人员可以理解,有机发光显示器还可以包括上基板等结构,在此不再赘述。
本发明实施例提供的有机发光显示器件,任意一种不同发光颜色的像素区域所对应的光学补偿区域的材料特征参数符合限定条件,均能够控制有机发光显示器件中该发光颜色像素区域所对应的发光区域的发光中心位置,达到有效改善该发光颜色像素区域的视角色偏的效果。
本发明实施例还提供一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置包括如上任意实施例所述的有机发光显示器件。该有机发光显示装置可以是顶发光结构,即发光层发出的光线通过第二电极的一侧表面射出。
本实施例提供的有机发光显示装置,其发光层可以由彩色发光材料形成,例如R像素区域所对应的第一发光区域由红色发光材料形成,G像素区域所对应的第二发光区域由绿色发光材料形成,B像素区域所对应的第三发光区域由蓝色发光材料形成。但在其它实施例中还可选发光层由白色发光材料形成,以及有机发光显示装置还包括第一发光区域对应设置的红色滤光膜则第一发光区域发出的白光经红色滤光膜后形成红光,第二发光区域对应设置的绿色滤光膜则第二发光区域发出的白光经绿色滤光膜后形成绿光,第三发光区域对应设置的蓝色滤光膜则第三发光区域发出的白光经蓝色滤光膜后形成蓝光。
本实施例提供的有机发光显示装置,可应用在穿戴式智能手环中,也可应用在智能手机、平板电脑等显示器领域。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (15)

1.一种有机发光显示器件,其特征在于,包括:
依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极,所述发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;
光学补偿层,位于所述第一电极和所述发光层之间且所述光学补偿层与所述发光层直接接触,所述光学补偿层包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,
所述红色像素区域所对应的第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
所述绿色像素区域所对应的第二光学补偿区域的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
所述蓝色像素区域所对应的第三光学补偿区域的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV;
所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;
所述红色像素区域所对应的第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:
4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;
所述绿色像素区域所对应的第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;
所述蓝色像素区域所对应的第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV;
所述第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,-0.1eV≤HOMOCR-HOMOER≤0.3eV,0.05eV≤LUMOCR-LUMOER≤0.5eV;
所述第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,-0.3eV≤HOMOCG-HOMOEG≤0eV,-0.1eV≤LUMOCG-LUMOEG≤0.7eV;
所述第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,-0.5eV≤HOMOCB-HOMOEB≤0.2eV,0.4eV≤LUMOCB-LUMOEB≤0.55eV。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;
所述第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:5*10-4cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
所述第二光学补偿区域的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:1*10-4cm2/V·s≤μCG≤3*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
所述第三光学补偿区域的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:8*10-5cm2/V·s≤μCB≤1*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域;
所述第一光学补偿区域的厚度大于或等于85nm且小于或等于100nm,所述第二光学补偿区域的厚度大于或等于40nm且小于或等于55nm,所述第三光学补偿区域的厚度大于或等于15nm且小于或等于25nm。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;
所述第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:1*10-4cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;
所述第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:9*10-5cm2/V·s≤μEG≤2*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;
所述第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:5*10-5cm2/V·s≤μEB≤9*10-5cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域至少包含所述红色像素区域;
所述第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数,以及,所述第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数,满足下述条件:
μCR=7*10-4cm2/V·s,μER=4*10-4cm2/V·s,HOMOCR-HOMOER=0.2eV,LUMOCR-LUMOER=0.3eV。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域;
所述红色像素区域所对应的第一发光区域的厚度大于或等于28nm且小于或等于33nm;
所述绿色像素区域所对应的第二发光区域的厚度大于或等于18nm且小于或等于24nm;
所述蓝色像素区域所对应的第三发光区域的厚度大于或等于18nm且小于或等于23nm。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;
所述红色像素区域所对应的第一发光区域的客体材料包含磷光材料;
所述绿色像素区域所对应的第二发光区域的客体材料包含磷光材料;
所述蓝色像素区域所对应的第三发光区域的客体材料包含荧光材料。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,还包括:第一功能层和/或第二功能层;
所述第一功能层位于所述第一电极和所述光学补偿层之间,所述第一功能层至少包括空穴传输层且所述空穴传输层与所述光学补偿层直接接触,所述第二功能层位于所述发光层和所述第二电极之间,所述第二功能层至少包括电子传输层且所述电子传输层与所述发光层直接接触。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述空穴传输层的厚度大于或等于80nm且小于或等于120nm,所述电子传输层的厚度大于或等于32nm且小于或等于50nm。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示器件,其特征在于,还包括:第一基板,位于所述第一电极背离所述发光层的一侧表面上,所述第一基板为刚性基板或柔性基板。
11.根据权利要求1-10任一项所述的有机发光显示器件,其特征在于,所述有机发光显示器件为顶发射有机发光显示器件。
12.一种有机发光显示器件的制造方法,应用于如权利要求1-11任一项所述的有机发光显示器件,其特征在于,该制造方法包括:
形成第一电极;
在所述第一电极上形成发光层,其中,所述发光层包括多个发光区域,所述多个发光区域分别对应多个像素区域,所述多个像素区域包含红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域中的至少一种;
在所述发光层上形成第二电极;
还包括:在形成所述发光层之前,形成光学补偿层,其中,所述光学补偿层包括多个光学补偿区域,所述多个光学补偿区域与所述多个像素区域分别对应设置,
所述红色像素区域所对应的第一光学补偿区域的迁移率μCR、HOMO能级HOMOCR和LUMO能级LUMOCR中的至少一种参数满足下述条件:
9*10-5cm2/V·s≤μCR≤1*10-3cm2/V·s,4.8eV≤HOMOCR≤5.8eV,1.0eV≤LUMOCR≤2.4eV;
所述绿色像素区域所对应的第二光学补偿区域的迁移率μCG、HOMO能级HOMOCG和LUMO能级LUMOCG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μCG≤5*10-4cm2/V·s,4.5eV≤HOMOCG≤5.7eV,1.25eV≤LUMOCG≤2.65eV;
所述蓝色像素区域所对应的第三光学补偿区域的迁移率μCB、HOMO能级HOMOCB和LUMO能级LUMOCB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μCB≤5*10-4cm2/V·s,5.4eV≤HOMOCB≤6.1eV,1.8eV≤LUMOCB≤2.4eV;
所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中的至少一种;
所述红色像素区域所对应的第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:
4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,4.9eV≤HOMOER≤5.3eV,2.0eV≤LUMOER≤2.4eV;
所述绿色像素区域所对应的第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:
6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,5.3eV≤HOMOEG≤5.9eV,2.0eV≤LUMOEG≤3.3eV;
所述蓝色像素区域所对应的第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:
1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,5.6eV≤HOMOEB≤6.2eV,2.5eV≤LUMOEB≤3.0eV;
所述第一发光区域的迁移率μER、HOMO能级HOMOER和LUMO能级LUMOER中的至少一种参数满足下述条件:4*10-5cm2/V·s≤μER≤9*10-4cm2/V·s,-0.1eV≤HOMOCR-HOMOER≤0.3eV,0.05eV≤LUMOCR-LUMOER≤0.5eV;
所述第二发光区域的迁移率μEG、HOMO能级HOMOEG和LUMO能级LUMOEG中的至少一种参数满足下述条件:6*10-5cm2/V·s≤μEG≤5*10-4cm2/V·s,-0.3eV≤HOMOCG-HOMOEG≤0eV,-0.1eV≤LUMOCG-LUMOEG≤0.7eV;
所述第三发光区域的迁移率μEB、HOMO能级HOMOEB和LUMO能级LUMOEB中的至少一种参数满足下述条件:1*10-5cm2/V·s≤μEB≤1*10-4cm2/V·s,-0.5eV≤HOMOCB-HOMOEB≤0.2eV,0.4eV≤LUMOCB-LUMOEB≤0.55eV。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域;
所述第一光学补偿区域的厚度大于或等于85nm且小于或等于100nm,所述第二光学补偿区域的厚度大于或等于40nm且小于或等于55nm,所述第三光学补偿区域的厚度大于或等于15nm且小于或等于25nm。
14.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,所述多个像素区域包含所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域;
所述红色像素区域所对应的第一发光区域的厚度大于或等于28nm且小于或等于33nm;
所述绿色像素区域所对应的第二发光区域的厚度大于或等于18nm且小于或等于24nm;
所述蓝色像素区域所对应的第三发光区域的厚度大于或等于18nm且小于或等于23nm。
15.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-11任一项所述的有机发光显示器件。
CN201611147443.9A 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置 Active CN106531896B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611147443.9A CN106531896B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN201810715844.2A CN108807493B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611147443.9A CN106531896B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810715844.2A Division CN108807493B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106531896A CN106531896A (zh) 2017-03-22
CN106531896B true CN106531896B (zh) 2018-08-10

Family

ID=58342212

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810715844.2A Active CN108807493B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN201611147443.9A Active CN106531896B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810715844.2A Active CN108807493B (zh) 2016-12-13 2016-12-13 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN108807493B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108807493A (zh) * 2016-12-13 2018-11-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275514B (zh) * 2017-06-15 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及其制备方法、显示装置
CN109873087B (zh) * 2017-12-01 2021-09-03 上海和辉光电股份有限公司 一种像素结构及显示面板
WO2019109258A1 (zh) * 2017-12-05 2019-06-13 深圳市柔宇科技有限公司 一种高色域oled器件
CN108574052B (zh) * 2018-03-02 2021-06-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板及显示装置
CN108649132B (zh) * 2018-05-16 2020-05-01 云谷(固安)科技有限公司 有机发光显示器件
CN109346500B (zh) * 2018-06-29 2020-12-01 云谷(固安)科技有限公司 一种有机电致发光装置
CN109728064B (zh) * 2019-01-08 2021-04-23 云谷(固安)科技有限公司 可拉伸显示面板及显示装置
JP2021179492A (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN111863902B (zh) * 2020-07-21 2023-06-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板制备方法和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103904103A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN104538559A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光装置
CN105390619A (zh) * 2014-08-22 2016-03-09 乐金显示有限公司 有机发光装置及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102016072B1 (ko) * 2012-12-28 2019-08-30 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102081248B1 (ko) * 2013-06-05 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103971643B (zh) * 2014-05-21 2016-01-06 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光二极管像素电路及显示装置
CN108807493B (zh) * 2016-12-13 2020-09-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103904103A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN105390619A (zh) * 2014-08-22 2016-03-09 乐金显示有限公司 有机发光装置及其制造方法
CN104538559A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108807493A (zh) * 2016-12-13 2018-11-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN106531896A (zh) 2017-03-22
CN108807493B (zh) 2020-09-22
CN108807493A (zh) 2018-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106531896B (zh) 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN106531769B (zh) 一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法
EP3144972B1 (en) Novel oled display architecture
JP4408382B2 (ja) 有機発光表示装置
US9184420B2 (en) Digitized OLED light source
DE112012001413B4 (de) Organisches Elektrolumineszenz-Element und Beleuchtungskörper
CN105006525B (zh) 白色有机发光装置
TWI667785B (zh) 有機電致發光器件及顯示裝置
CN106653806A (zh) 一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法
DE10341756A1 (de) Organische Elektrolumineszensvorrichtung und Verfahren ihrer Herstellung
CN107611276B (zh) 有机发光二极管和显示面板
CN106159101B (zh) 一种有机电致发光器件及显示装置
KR20120043606A (ko) 백색 유기 발광 소자
CN104466022B (zh) 一种有机发光二极管显示器件及其制备方法
CN107104129A (zh) Oled器件制造方法、oled器件及显示面板
CN106784354A (zh) 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN108886856A (zh) 有机el显示装置和有机el显示装置的制造方法
CN102169965B (zh) 一种oled器件及其制法
CN101123298A (zh) 一种结构优化的白光有机电致发光器件
CN106856205A (zh) 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN1438829A (zh) 有机电激发光装置及其制作方法
CN102779950B (zh) 一种有机发光二极管
KR101259532B1 (ko) 2종의 유기층을 이용하는 백색 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
CN108023022A (zh) 一种有机电致发光器件及电子设备
US20220238834A1 (en) Light-emitting component and method for manufacturing the same, display substrate and display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211028

Address after: No.8, liufangyuan Henglu, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee after: WUHAN TIANMA MICRO-ELECTRONICS Co.,Ltd.

Patentee after: Wuhan Tianma Microelectronics Co.,Ltd. Shanghai Branch

Patentee after: Tianma Micro-Electronics Co.,Ltd.

Address before: Room 509, building 1, No. 6111, Longdong Avenue, Pudong New Area, Shanghai, 200120

Patentee before: SHANGHAI TIANMA AM-OLED Co.,Ltd.

Patentee before: Tianma Micro-Electronics Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right