TW201418516A - 處理設備與清潔方法 - Google Patents

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Takao Hashimoto
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Applied Materials Inc
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

本發明一般係提供一種具有遮覆框支撐件之處理腔體，遮覆框支撐件導引清潔氣體流至腔體之角落。遮覆框支撐件係沿著部分之腔體牆配置，因此遺留角落成空著的狀態。在清潔期間，遮覆框係以置於基板支撐件與遮覆框支撐件上之方式配置。因此，沿著腔體牆流動之清潔氣體係由遮覆框支撐件阻擋，且由於遮覆框支撐件沒有延伸到角落，清潔氣體係迫使到角落。

Description

處理設備與清潔方法
本發明之實施例一般是有關於一種處理腔體及清潔方法。
基板處理腔體係提供多種功能。通常，當沉積介電層於基板上時，來自沉積製程之殘餘物係收集於處理腔體之牆及其他表面上。此些沉積物可能變得易碎且汙染基板之表面。因為腔體通常係為整合工具之一部分以快速地處理基板，維護並清潔腔體基本上係需要最少的時間。為了減少汙染的可能性且因而改善腔體之產能，有效且及時地腔清潔腔體之表面係需要的。
目前，用於自腔體之表面移除含矽或碳沉積物之機制包括遠程電漿清潔(remote plasma clean)、即時射頻電漿清潔(in situ RF plasma clean)、或射頻輔助遠程電漿清潔(RF-assisted remote plasma clean)。具有含氟氣體之遠距電漿可用於清潔腔體表面。舉例來說，清潔氣體NF3可用於遠距地點燃成為電漿且來自電漿之自由基(radicals)係導引至腔體內，以蝕刻掉沉積於腔體表面上之膜。
然而，由於自由基在腔體內流動的方式，腔體表面之清潔率係不均勻。因此，一種改善之設備及清潔方法係需要，以增加處理腔體之清潔率。
本發明一般係提供一種具有遮覆框支撐件之處理腔體，遮覆框支撐件導引清潔氣體流至腔體之角落。遮覆框支撐件係沿著部分之腔體牆配置，因此遺留角落成空著的狀態。在清潔期間，遮覆框係以置於基板支撐件與遮覆框支撐件上之方式配置。因此，沿著腔體牆流動之清潔氣體係由遮覆框支撐件阻擋，且由於遮覆框支撐件沒有延伸到角落，清潔氣體係迫使到角落。
於一實施例中，一種處理設備係揭露。此處理設備包括一腔體主體，具有一內部，此內部係由數個牆定義，此些牆之至少一者具有一貫穿其之開口；一第一遮覆框支撐件，自此些牆之一第一牆延伸且具有一第一長度，第一長度係少於第一牆之長度；一第二遮覆框支撐件，自此些牆之一第二牆延伸且具有一第二長度，第二長度係少於第二牆之長度；一第三遮覆框支撐件，自此些牆之一第三牆延伸且具有一第三長度，第三長度係少於第三牆之長度；以及一第四遮覆框支撐件，自此些牆之一第四牆延伸且具有一第四長度，第四長度係少於第四牆之長度。
於另一實施例中，一種處理設備係揭露。此處理設備包括一腔體主體，具有一內部，此內部係由數個牆定義，此些牆之一第一牆具有一第一長度，此些牆形成數個角落。此處理設 備亦包括數個遮覆框支撐件，此些遮覆框支撐件包括一第一遮覆框支撐件，第一遮覆框支撐件具有一第二長度，且第一遮覆框支撐件係沿著第一牆的第一長度貼附於第一牆。第二長度係少於第一長度，且第一遮覆框支撐件係以沿著第一牆之第一長度的方式定位，使得第一遮覆框支撐件係不接觸此些角落。
於另一實施例中，一種清潔方法係揭露。此清潔方法包括設置一遮覆框於一處理腔體內之數個遮覆框支撐件之頂部上；升起一基板支撐件至一位置，使得遮覆框接觸基板支撐件及此些遮覆框支撐件；以及於處理腔體內流動一清潔氣體。
100‧‧‧腔體
102‧‧‧牆
104‧‧‧底部
106‧‧‧製程容積
108‧‧‧開口
109‧‧‧真空幫浦
110‧‧‧噴頭
111‧‧‧氣體通道
112‧‧‧背板
114‧‧‧懸架
120‧‧‧氣體源
122‧‧‧射頻電力源
124‧‧‧遠程電漿源
130‧‧‧基板支撐件
131‧‧‧接地帶
132‧‧‧基板接收表面
133‧‧‧遮覆框
134‧‧‧軸部
136‧‧‧舉升系統
138‧‧‧舉栓
139‧‧‧加熱及/或冷卻元件
140‧‧‧基板
142‧‧‧氣體排氣口
144‧‧‧橋組件
146‧‧‧錨定螺栓
148‧‧‧支撐環
150‧‧‧螺栓
160‧‧‧耦接支撐件
162、306、406‧‧‧遮覆框支撐件
206‧‧‧腔體主體
208、310、410、530‧‧‧幫浦間隙
308‧‧‧腔體牆
402、404‧‧‧長度
508‧‧‧第一遮覆框支撐件
510‧‧‧第一牆
512‧‧‧第二遮覆框支撐件
514‧‧‧第二牆
516‧‧‧第三遮覆框支撐件
518‧‧‧第三牆
520‧‧‧第四遮覆框支撐件
522‧‧‧第四牆
A、B‧‧‧長度
為了可詳細地了解本發明上述之特性，簡要摘錄於上之本發明更特有的說明可參照實施例，一些實施例係繪示於所附之圖式中。然而，值得注意的是，由於本發明可承認其他等效實施例，所附之圖式僅為本發明之代表性實施例，因此並非用以限制本發明之範圍。
第1圖繪示根據本發明一實施例之具有遮覆框支撐件之處理腔體之剖面圖。
第2圖繪示根據一實施例之具有基板支撐件及遮覆框之處理腔體的上視圖。
第3圖繪示遮覆框支撐件、遮覆框及基板支撐件之透視圖。
第4圖繪示根據本發明一實施例之遮覆框支撐件、 遮覆框及基板支撐件之透視圖。
第5圖繪示根據本發明一實施例之具有基板支撐件及具有遮覆框支撐件之遮覆框之處理腔體的上視圖。
第6A圖繪示根據本發明一實施例之在清潔位置中之基板支撐件的側視圖。
第6B圖繪示根據本發明一實施例之在處理位置中之基板支撐件的側視圖。
第6C圖繪示根據本發明一實施例之在較低位置中之基板支撐件的側視圖。
為了便於了解，在可行之處，相同的參考編號係使用來表示通用於圖式之相同的元件。可預期的是，揭露於一實施例中之元件可在無需特別說明的情況下，有助益地使用於其他實施例中。
本發明一般係提供一種具有遮覆框支撐件之處理腔體，遮覆框支撐件導引清潔氣體流至腔體之角落。遮覆框支撐件係沿著部分之腔體牆配置，因此遺留角落成空著的狀態。在清潔期間，遮覆框係以置於基板支撐件與遮覆框支撐件上之方式配置。因此，沿著腔體牆流動之清潔氣體係由遮覆框支撐件阻擋，且由於遮覆框支撐件沒有延伸到角落，清潔氣體係迫使到角落。
本發明係說明性描述於下方使用於處理系統中，處理系統例如是電漿輔助化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)系統，此PECVD系統取自美商業凱科技(AKT America)股份有限公司，其為位於加州聖塔克拉拉之應用材料公司(Applied Materials)之子公司。然而，應理解的是，本發明在其他系統架構中具有效用，包括由其他製造商所販售之系統架構。
第1圖繪示根據本發明一實施例之PECVD設備之剖面圖。設備包括腔體100，在腔體100中，一或多個膜可沉積於基板140上。如第1圖中所示，基板係位於較低位置中，處理不會在此發生。此設備可用於處理一或多個基板，包括半導體基板、平面顯示器基板、及太陽能板基板。
腔體100一般係包括數個牆102、底部104、噴頭(showerhead)110、及基板支撐件或基座(susceptor)130，牆102、底部104、噴頭110、及基板支撐件或基座130決定一製程容積(process volume)。製程容積106係藉由一開口108而具有通道，使得基板140可傳送至腔體100內或出腔體100外。基板支撐件130包括基板接收表面132，用以支撐基板140。一或多個軸部134可耦接於舉升系統136，以升起或降低基板支撐件130。舉栓138可移動地設置貫穿基板支撐件130，以移動基板140至基板接收表面132且自基板接收表面132移動基板140。基板支撐件130亦可包括加熱及/或冷卻元件139，以保持基板支撐件130於所需之溫度。基板支撐件130亦可包括接地帶131，以於基板支撐件130之周圍提供RF接地。設置於基板接收表面132上之基 板140的上表面與噴頭110之間的空間可介於約400mil與約1200mil之間。於一實施例中，此空間可介於約400mil與約800mil之間。
噴頭110藉由懸架114可在其周圍耦接於背板112。噴頭110亦可藉由一或數個耦接支撐件160耦接於背板112，以有助於避免下彎(sag)及/或控制噴頭110之平直度(straightness)/曲率。於一實施例中，十二個耦接支撐件160可用於耦接噴頭110於背板112。耦接支撐件160可包括固定機構，例如是螺帽及螺栓組件。中央耦接機構可額外地及/或二擇一地耦接背板112於噴頭110。中央耦接機構可圍繞支撐環148(說明於下)且自橋組件懸吊。在再另一實施例中，耦接支撐件160可包括固定件，鎖入噴頭110中。固定件可具有溝槽開口，用以容置耦接於背板112之桿。此桿可以真空密封(vacuum seal)的方式來耦接於背板112。
氣體源120可耦接於背板112，以經由在背板112中之氣體排氣口142及噴頭110中的氣體通道111提供氣體到基板接收表面132。真空幫浦109可耦接於腔體100，以控制製程容積106所需之壓力。射頻(RF)電力源122耦接於背板112及/或噴頭110，以提供RF電力至噴頭110。RF電力在噴頭110及基板支撐件130之間產生電場，使得電漿可自噴頭110及基板支撐件130之間的氣體產生。多種頻率可使用，例如是介於約0.3MHz與約200MHz之間的頻率。於一實施例中，RF電力源係提供於13.56MHz之頻率。
遠程電漿源124亦可耦接於氣體源120與背板112之間，遠程電漿源124例如是感應式耦合之遠程電漿源。在處理基板期間，清潔氣體可提供到遠程電漿源124，使得遠程電漿產生且提供到清潔腔體元件。清潔氣體可進一步藉由提供至噴頭之RF電力源122激發。合適之清潔氣體包括NF3、F2、與SF6，但不限於此些氣體。
背板112可藉由橋組件144支撐。一或多個錨定螺栓(anchor bolt)146可從橋組件144向下延伸至支撐環148。支撐環148可藉由一或多個螺栓150耦接於背板112。支撐環148可以實質上位於背板112之中心的方式耦接於背板112。背板112之中心係為在沒有支撐環148的情況中具有最少支撐的區域。因此，支撐背板112之中心區域可減少及/或避免背板下彎。
遮覆框133可置於基板140的周圍上。當基板支撐件130係降低時，遮覆框133可置於遮覆框支撐件162上。於一實施例中，遮覆框支撐件162可包括相同於腔體之材料。於另一實施例中，遮覆框支撐件162可包括介電材料。於另一實施例中，遮覆框支撐件162可包括不鏽鋼。於另一實施例中，遮覆框支撐件162可包括鋁。遮覆框133可減少在基板140之邊緣的沉積與減少未被基板140覆蓋之基板支撐件130之區域上之沉積。當基板140最初插入腔體內時，遮覆框133可置於遮覆框支撐件162上。當基板支撐件130升起至處理位置時，遮覆框133可藉由基板140及基板支撐件130升起而離開遮覆框支撐件162。
在清潔製程期間，遮覆框133可置於遮覆框支撐件162上，且基板接收表面132係升起至其接觸遮覆框133之高度而沒有抬起遮覆框133來離開遮覆框支撐件162。
第2圖繪示在腔體內之基板支撐件與遮覆框之上視圖。遮覆框133係設置於基板支撐件130之頂部上。幫浦間隙208係形成於遮覆框133與腔體主體206之間，用以讓清潔氣體通過。清潔氣體可為NF3、SF6、C2F6、HCl或其組合。於一實施例中，清潔氣體NF3遠距地點燃成電漿且來自電漿的自由基係導入至腔體內，以蝕刻掉沉積在基板支撐件130、遮覆框133、及腔體牆之表面上的膜。真空幫浦109抽引自由基往腔體100之底部。自由基到達基板支撐件130且導往腔體牆，因為自由基無法通過固體之基板支撐件130。真空幫浦抽引自由基通過幫浦間隙208至基板支撐件130之下方的區域。自由基係在第2圖內之箭頭所示之方向中流動。流至腔體之角落的自由基的總量係少於流至側邊之自由基的總量，因此儘管其他表面係為乾淨的狀態，遮覆框133及腔體100之角落可能不會完全地被清潔。
第3圖繪示具有遮覆框133設置於其上之遮覆框支撐件306之透視圖。在清潔期間，遮覆框133置於基板支撐件130與遮覆框支撐件306上。遮覆框支撐件306包括數個塊件，自腔體牆308延伸，且各塊件與下一個塊件分隔。當遮覆框133係設置於遮覆框支撐件306與基板支撐件130上時，數個幫浦間隙310係因此存在於相鄰塊件之間。因此，相較於流向角落，更多清潔 氣體自由基係流向側邊。
第4圖繪示根據本發明一實施例之遮覆框支撐件406之透視圖。於一實施例中，遮覆框支撐件406包括單一個塊件，自腔體牆308延伸。遮覆框支撐件406可以介電材料、不鏽鋼、或鋁製成，且具有長度402，長度402少於腔體牆308之長度404。遮覆框支撐件406係定位，使得數個幫浦間隙410介於遮覆框支撐件406之兩端與相鄰於腔體牆308之牆之間。於一實施例中，遮覆框支撐件406係位於腔體牆308之中央，所以此些幫浦間隙410在沿著腔體牆308處具有相同之長度。因此，清潔氣體自由基係抽引通過幫浦間隙410至設置於基板支撐件130之下方的真空幫浦。自由基係均勻地導引到腔體之角落，因此改善了遮覆框133之角落的清潔率。
第5圖繪示根據本發明一實施例之基板支撐件與具有遮覆框支撐件之遮覆框的上視圖。如第5圖中所示，腔體主體206具有由數個牆所定義之內部。於一實施例中，第一遮覆框支撐件508自此些牆之第一牆510延伸，且具有第一長度，第一長度少於第一牆之長度。於一些實施例中，第一遮覆框支撐件508係定位，使得數個間隙係介於第一遮覆框支撐件508之數端與相鄰於第一牆510之牆之間。
第二遮覆框支撐件512自此些牆之第二牆514延伸，且具有第二長度，第二長度少於第二牆514之長度。於一些實施例中，第二遮覆框支撐件512係定位，使得數個間隙係介於 第二遮覆框支撐件512之數端與相鄰於第二牆514之牆之間。
第三遮覆框支撐件516自此些牆之第三牆518延伸，且具有第三長度，第三長度少於第三牆518之長度。於一些實施例中，第三遮覆框支撐件516係定位，使得數個間隙係介於第三遮覆框支撐件516之數端與相鄰於第三牆518之牆之間。
第四遮覆框支撐件520自此些牆之第四牆522延伸，且具有第四長度，第四長度少於第四牆522之長度。於一些實施例中，第四遮覆框支撐件520係定位，使得數個間隙係介於第四遮覆框支撐件520之數端與相鄰於第四牆522之牆之間。
基於第5圖之配置，只有數個幫浦間隙530係位在處理腔體之角落，清潔氣體自由基可流動通過此些幫浦間隙530而到位於基板支撐件130之下方的區域。因為遮覆框133係設置於基板支撐件130與第一遮覆框支撐件508、第二遮覆框支撐件512、第三遮覆框支撐件516、及第四遮覆框支撐件520上，所有的自由基必須通過幫浦間隙530。因此，幫浦間隙530係位於處理腔體之角落且迫使清潔氣體自由基沿著腔體牆流向腔體之角落，使得腔體之角落將有效地清潔。
於一實施例中，第一遮覆框支撐件508係位於第一牆510之中央，而留有具有長度「A」之間隙在第一遮覆框支撐件508之兩端。第二遮覆框支撐件512亦位於第二牆514之中央，因此留有具有長度「B」之間隙在第二遮覆框支撐件512之兩端。於一實施例中，第一牆510與第三牆518具有相同之長度，且第 一遮覆框支撐件508與第三遮覆框支撐件516具有相同之長度。第二牆514與第四牆522具有相同之長度，且第二遮覆框支撐件512與第四遮覆框支撐件520具有相同之長度。因此，四個幫浦間隙530具有相同之面積。如第5圖中之箭頭所示，清潔氣體自由基係均勻地導引至幫浦間隙530，因而改善了沉積在遮覆框133之角落上之膜的清潔率。
第6A圖繪示根據本發明一實施例之位於清潔位置中的基板支撐件130之側視圖。為了讓清潔氣體流向處理腔體之角落，遮覆框133可阻擋基板支撐件130與遮覆框支撐件406間的間隙。在清潔期間，遮覆框133係設置於遮蓋框支撐件406之頂部上。基板支撐件130係繪示在清潔位置中，使得遮覆框133接觸基板支撐件130與遮覆框支撐件406。清潔氣體自由基係導引至處理腔體內。在一實施例中，清潔氣體包括NF3。遮覆框133阻擋介於基板支撐件130和遮覆框支撐件406之間的間隙，迫使自由基往處理腔體之角落。在一實施例中，處理腔體具有四個牆，此些牆具有四個遮覆框支撐件406從此四個牆延伸。遮覆框支撐件406阻擋清潔氣體沿著牆之長度流動，且導引清潔氣體流向此四個角落。
第6B圖繪示根據本發明一實施例之在處理位置中之基板支撐件130之側視圖。在基板處理期間，具有基板(未繪示於圖式中)設置於其上的基板支撐件130係升起至一位置，使得遮覆框133係和遮覆框支撐件406分隔。遮覆框133係由基板支撐 件130舉起，因此處理氣體可經由介於遮覆框133和腔體牆間的間隙來流經基板支撐件130與遮覆框支撐件406間形成的間隙。因此，處理氣體並不會被迫使至處理腔體之角落。
第6C圖繪示根據本發明一實施例之基板支撐件130在用於基板之插入或移除之較低位置中的側視圖。基板支撐件130係降低至一位置，此位置係在遮覆框支撐件406之下方，使得遮覆框133係置於遮覆框支撐件406上，因此在遮覆框133和基板支撐件130之間建立一間隙。此間隙係讓氣體沿著腔體牆之長度流動通過。在此配置中，氣體係不會被迫使到處理腔體的角落，無論是清潔或處理氣體。
下方之表格表示根據一實施例之遮覆框在清潔時間的功效。於一實施例中，SiN膜係沉積於數個基板上，沉積之後係為清潔製程，在清潔製程期間，在遮覆框之角落監測蝕刻終點(etching endpoint)。針對蝕刻時間，根據本發明其中一個實施例之遮覆框支撐件與傳統之遮覆框支撐件係相互比較。在腔體之四個區域、S/V(第一側)、S/V(第二側)、Win(第一側)及Win(第二側)之清潔時間係進行記錄。全部之清潔時間係自傳統之遮覆框支撐件的547秒減少至根據一實施例之遮覆框支撐件的315秒，表示減少了42%。
當清潔時間減少時，清潔氣體之總量需求亦減少。因此，製造成本亦縮減，而產生較低之基板成本。於一實施例中，基板係為液晶顯示面板。
總而言之，腔體清潔時間可藉由導引清潔氣體至處理腔體之角落來縮減。改良之遮覆框支撐件係用以阻擋介於基板支撐件與沿著腔體牆之遮覆框之間的幫浦間隙，僅餘留角落係開放的。在清潔期間，基板支撐件係抬起置一位置，此位置係遮覆框接觸遮覆框支撐件和基板支撐件之位置。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者 為準。
130‧‧‧基板支撐件
133‧‧‧遮覆框
206‧‧‧腔體主體
208、530‧‧‧幫浦間隙
508‧‧‧第一遮覆框支撐件
510‧‧‧第一牆
512‧‧‧第二遮覆框支撐件
514‧‧‧第二牆
516‧‧‧第三遮覆框支撐件
518‧‧‧第三牆
520‧‧‧第四遮覆框支撐件
522‧‧‧第四牆
A、B‧‧‧長度

Claims (14)

  1. 一種處理設備，包括：一腔體主體，具有一內部，該內部係由複數個牆定義，該些牆之至少一者具有一貫穿其之開口；一第一遮覆框支撐件，自該些牆之一第一牆延伸且具有一第一長度，該第一長度係少於該第一牆之長度；一第二遮覆框支撐件，自該些牆之一第二牆延伸且具有一第二長度，該第二長度係少於該第二牆之長度；一第三遮覆框支撐件，自該些牆之一第三牆延伸且具有一第三長度，該第三長度係少於該第三牆之長度；以及一第四遮覆框支撐件，自該些牆之一第四牆延伸且具有一第四長度，該第四長度係少於該第四牆之長度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之處理設備，其中該第一遮覆框支撐件係定位，以有複數個介於該第一遮覆框支撐件之兩端與相鄰於該第一牆之該些牆之間的間隙。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之處理設備，其中該第二遮覆框支撐件係定位，以有複數個介於該第二遮覆框支撐件之兩端與相鄰於該第二牆之該些牆之間的間隙。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之處理設備，其中該第三遮覆框支撐件係定位，以有複數個介於該第三遮覆框支撐件之兩端與相鄰於該第三牆之該些牆之間的間隙。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之處理設備，其中該第四遮覆 框支撐件係定位，以有複數個介於該第四遮覆框支撐件之兩端與相鄰於該第四牆之該些牆之間的間隙。
  6. 一種處理設備，包括：一腔體主體，具有一內部，該內部係由複數個牆定義，該些牆之一第一牆具有一第一長度，該些牆形成複數個角落；以及複數個遮覆框支撐件，包括一第一遮覆框支撐件，該第一遮覆框支撐件具有一第二長度，該第一遮覆框支撐件係沿著該第一牆的該第一長度貼附於該第一牆，該第二長度係少於該第一長度，且該第一遮覆框支撐件係以沿著該第一牆之該第一長度的方式定位，使得該第一遮覆框支撐件係不接觸該些角落。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之處理設備，其中該第一遮覆框支撐件係沿著該第一牆之該第一長度中央地定位。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之處理設備，其中該些牆更包括一第二牆，該第二牆具有一第三長度。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之處理設備，其中該第一長度等同於該第三長度。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之處理設備，其中該些牆包括四個牆，且該些遮覆框支撐件包括四個遮覆框支撐件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之處理設備，其中一第二、第三、及第四遮覆框支撐件係分別沿著一第二、第三、及第四牆之長度貼附並沿著各該牆之長度定位，使得該些遮覆框支撐件係不接觸該些角落。
  12. 一種清潔方法，包括：設置一遮覆框於一處理腔體內之複數個遮覆框支撐件之頂部上；升起一基板支撐件至一位置，使得該遮覆框接觸該基板支撐件及該些遮覆框支撐件；以及於該處理腔體內流動一清潔氣體。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該清潔氣體係為NF3。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該些遮覆框支撐件阻擋該清潔氣體沿著該處理腔體之複數個牆之一長度流動且導引該清潔氣體流向由該些牆所形成之複數個角落。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170081757A1 (en) * 2015-09-23 2017-03-23 Applied Materials, Inc. Shadow frame with non-uniform gas flow clearance for improved cleaning
CN105789092B (zh) * 2016-03-25 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 基片处理设备
US10280510B2 (en) * 2016-03-28 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with non-uniform gas flow clearance
CN110899271B (zh) * 2018-09-17 2021-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 远程等离子源的调整装置及远程等离子源清洗系统
JP7385023B2 (ja) * 2019-09-26 2023-11-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理用支持体ブラケット装置および方法
CN111074236A (zh) * 2019-12-27 2020-04-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种化学气相沉积装置
KR20210125155A (ko) * 2020-04-07 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조방법
CN113838730B (zh) * 2020-06-08 2024-05-14 中微半导体设备(上海)股份有限公司 气体遮挡环、等离子体处理装置及调控聚合物分布的方法
KR20220167018A (ko) * 2021-06-11 2022-12-20 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 세정 방법
US11846019B2 (en) 2021-10-01 2023-12-19 Applied Materials, Inc. One-body shadow frame support with flow controller
CN113930747A (zh) * 2021-10-19 2022-01-14 浙江泰嘉光电科技有限公司 一种实施气相沉积法工艺的高速清洁的cvd腔室结构
CN114411114B (zh) * 2021-12-28 2023-09-01 江苏微导纳米科技股份有限公司 镀膜装置及载物机构
CN114737167B (zh) * 2022-02-23 2024-01-19 明德润和机械制造(天津)有限公司 一种镀膜腔清洁机构

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05156455A (ja) * 1991-12-02 1993-06-22 Hitachi Ltd 成膜装置
US5352294A (en) 1993-01-28 1994-10-04 White John M Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support
JPH10251859A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Kokusai Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置に於けるガスクリーニング方法
US6109206A (en) 1997-05-29 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for chamber cleaning
US6773562B1 (en) * 1998-02-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Shadow frame for substrate processing
US6810886B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Chamber cleaning via rapid thermal process during a cleaning period
JP3708940B2 (ja) * 2003-10-27 2005-10-19 株式会社東芝 Ｃｖｄ装置の反応室のコーティング方法
US20050252529A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Ridgeway Robert G Low temperature CVD chamber cleaning using dilute NF3
TWI279260B (en) * 2004-10-12 2007-04-21 Applied Materials Inc Endpoint detector and particle monitor
US20060090773A1 (en) 2004-11-04 2006-05-04 Applied Materials, Inc. Sulfur hexafluoride remote plasma source clean
US8281739B2 (en) * 2007-03-01 2012-10-09 Applied Materials, Inc. RF shutter
KR101046520B1 (ko) 2007-09-07 2011-07-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 ｐｅｃｖｄ 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어
US20090107955A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Tiner Robin L Offset liner for chamber evacuation
JP5086192B2 (ja) * 2008-07-01 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20100037823A1 (en) 2008-08-18 2010-02-18 Applied Materials, Inc. Showerhead and shadow frame
KR101641130B1 (ko) * 2008-10-09 2016-07-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대형 플라즈마 처리 챔버를 위한 ｒｆ 복귀 경로
US9382621B2 (en) * 2009-02-04 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Ground return for plasma processes
US8147614B2 (en) * 2009-06-09 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Multi-gas flow diffuser
US20110146577A1 (en) * 2009-12-22 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Showerhead with insulated corner regions
JP2011228546A (ja) * 2010-04-21 2011-11-10 Mitsubishi Electric Corp プラズマｃｖｄ装置およびそのクリーニング方法

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