CN105789092B - 基片处理设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基片处理设备，涉及显示领域，能够解决了现有工艺腔室的拐角气体流通性差，温度不均匀，造成基板四角位置出现Embossing Mura的问题。本发明的基片处理设备，包括：工艺腔室，所述工艺腔室在气体流通性差的位置开设有气孔，所述气孔为进气孔或排气孔。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种基片处理设备。
背景技术
目前显示设备制造领域，经常需要用到一些带有工艺腔室的设备例如成膜设备和干法刻蚀设备，目前对于工艺腔室的设计仅为简单的单通道闭合回路，热循环及热能利用率状态较差，对产品质量也有一定的影响。
例如，Embossing Mura(电极位置显示不均)为阵列基板制作过程中常见的一种不良，其主要产生原因为：由于干法刻蚀设备的工艺腔室内的四个拐角气体流通性差，温度不均匀，这极易造成基板四角位置出现Embossing Mura。
发明内容
本发明提供一种基片处理设备，解决了现有工艺腔室的拐角气体流通性差，温度不均匀，造成基板四角位置出现Embossing Mura的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种基片处理设备，包括：工艺腔室，所述工艺腔室在气体流通性差的位置开设有气孔，所述气孔为进气孔或排气孔。
可选地，所述工艺腔室在靠近气体流通的进气方向且气体流通性差的位置开设有进气孔，在靠近出气方向且气体流通性差的位置开设有排气孔。
可选地，所述工艺腔室为矩形，所述进气孔分别设置在靠近进气方向的两个拐角处，所述排气孔分别设置在靠近出气方向的两个拐角处。
进一步地，所述基片处理设备，还包括：位于所述工艺腔室外部的气体循环系统，其进气端与所述工艺腔室的排气孔相通，其出气端与所述工艺腔室的进气孔相通。
可选地，所述气体循环系统，包括：压强传感器，用于测量气体通道内的气体压强；气体压强调节装置，用于调节气体通道内的气体压强；控制单元，与所述压强传感器、所述气体压强调节装置相连接，用于控制气体压强调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体压强与所述进气孔处的气体压强一致。
进一步地，所述气体循环系统，还可包括：温度传感器，用于测量气体通道内的气体温度；气体温度调节装置，用于调节气体通道内的气体温度；所述控制单元，还与所述温度传感器、所述气体温度调节装置相连接，用于控制气体温度调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体温度与所述进气孔处的温度一致。
所述工艺腔室为干法刻蚀设备的电极腔室，所述气体压强调节装置包括鼓风机和控制阀。
进一步地，如果气体参与所述工艺腔室内的反应时，所述气体循环系统，还可包括：组分传感器，用于测量气体通道内的气体组分；供气装置，用于提供所述工艺腔室工作时所需的气体；所述控制单元，还与所述组分传感器、所述供气装置相连，用于控制供气装置，使所述气体循环系统出气端的气体组分与所述工艺腔室设定的工作气体的组分一致。
可选地，所述基片处理设备为成膜设备或干法刻蚀设备。
本发明提供一种基片处理设备，其工艺腔室在气体流通性差的位置(例如工艺腔室的拐角处)开设有气孔，所述气孔可以为进气孔或排气孔，通过气孔与外界进行气体交换，可改善该处的气体的流动性，进而解决温度不均的问题。本发明可用于干刻设备，改善拐角处气体流动性差、温度不均的问题，避免基板四角位置出现Embossing Mura。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为传统干法刻蚀设备的电极腔室的示意图；
图2为本发明实施例提供的干法刻蚀设备的电极腔室的示意图；
图3为本发明实施例提供的干法刻蚀设备的示意图一；
图4为本发明实施例提供的气体循环系统的结构框图；
图5为本发明实施例提供的干法刻蚀设备的示意图二。
附图标记
10-进气口，20-出气口，11-进气孔，12-排气孔，13-气体循环系统，
131-压强传感器，132-温度传感器，133-控制单元，134-气体压强调节装置，
135-气体温度调节装置，136-控制阀，137-鼓风机。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例
本发明实施例提供一种基片处理设备，包括：工艺腔室，所述工艺腔室在气体流通性差的位置开设有气孔，所述气孔为进气孔或排气孔。
本实施例在工艺腔室气体流通性差的位置开设气孔，该些气孔可以为进气孔，也可以为排气孔，还可以是部分气孔设为进气孔，部分气孔设为排气孔。此外，本实施例的气孔可以是在工艺腔室原有进气口和出气口的基础上额外增设的，用以解决某些位置(例如工艺腔室的拐角处)气体流通性差、温度不匀的问题；也可以是参照图2所示，工艺腔室不再设进气口和出气口，改为在气体流通性差的一些位置开设气孔(可以为一个或多个)并设为进气孔11，在另一些气体流通性差的位置开设气孔并设为排气孔12，工作气体从各进气孔进入，从各排气孔排出，也可以解决某些位置气体流通性差、温度不匀的问题，同时实现工作气体的供给、排出。
可选地，上述工艺腔室具体可在靠近气体流通的进气方向且气体流通性差的位置开设有进气孔，在靠近出气方向且气体流通性差的位置开设有排气孔。设计好工艺腔室的气体流通方向后，在靠近进气方向气体流通性差的位置开设进气孔，在靠近出气方向气体流通性差的位置开设有排气孔，进气孔、排气孔均不限于一个。工作气体从各进气孔进入，从各排气孔派出，与外界进行气体交换，可以避免某些位置气体流通性差、温度不匀的问题。
本实施例方案可以避免由于工艺腔室某些位置气体流通性差、温度不匀导致的产品不同位置工艺不一致的问题，适用于任何包含工艺腔室的设备，如成膜设备或干法刻蚀设备。用于成膜设备，可以增加膜层厚度以及膜质量的一致性；用于干法刻蚀设备，可以增加刻蚀均匀性，解决阵列基板制作过程中的Embossing Mura不良。
参照图3所示(图中以干法刻蚀设备为例)，上述基片处理设备还可进一步包括：位于工艺腔室外部的气体循环系统13，其进气端与工艺腔室的排气孔12相通，其出气端与工艺腔室的进气孔11相通。通过气体循环系统13，工作气体的循环利用，气体由各进气孔11进入，排气孔12排出，经外部管道循环，由拐角进气孔位置再次进入，避免了进气方向的死角形成。同时，当气体在腔室内运动后排出时，将腔室内靠近出气方向的死角改为排气孔12设计，减少出气方向上的空气流通死角，上述所有气体在腔室外进行气体交换以及气体性质控制，以保证腔室内部各位置的气流稳定，特别是拐角位置不存在阻碍，可保持腔室内部温度的一致性，排出的气体经过腔室外管道循环，再次进入腔室内，实现新一轮循环。
具体而言，如图4所示，气体循环系统13包括：压强传感器131，用于测量气体通道内的气体压强；气体压强调节装置134，用于调节气体通道内的气体压强；控制单元133，与压强传感器131、气体压强调节装置134相连接，用于控制气体压强调节装置134，使气体循环系统出气端的气体压强与进气孔11处的气体压强一致。气体循环系统13还可进一步包括：温度传感器132，用于测量气体通道内的气体温度；气体温度调节装置135，用于调节气体通道内的气体温度；控制单元133还与温度传感器132、气体温度调节装置135相连接，用于控制气体温度调节装置135，使气体循环系统出气端的气体温度与进气孔11处的温度一致。上述的气体通道指气体循环系统13的气体通道。
通过外部气体循环系统13对气体压强、温度进行监控并调节，即可实现气体的循环利用并保证进入气流的稳定性及均匀性。上述的气体温度调节装置135与温度传感器132可以是一体化结构，亦可以独立设置；同样地，气体压强调节装置134与压强传感器131可以是一体化结构，也可以独立设置。上述的气体温度调节装置135可以为加热装置，气体压强调节装置134可以为压缩装置。
进一步地，如果气体参与工艺腔室内的反应时，气体排出时可能气体组分已经发生变化，此时需要通过气体循环系统对缺少的气体组分进行补充，因此气体循环系统还可包括：组分传感器(图中未示出)，用于测量气体通道内的气体组分；供气装置，用于根据组分传感器提供的气体通道内的气体组分以及设定的工作气体组分，向工艺腔室提供工作时所需的气体；控制单元133，还与组分传感器、供气装置相连，用于控制供气装置，使气体循环系统出气端的气体组分与工艺腔室设定的工作气体的组分一致，既能节省工作气体又能保证腔室内气体组分正常，反应可以正常进行。
为了本领域技术人员更好的理解本发明实施例提供的技术方案，下面以干法刻蚀设备为例，对本发明提供的基片处理设备进行详细说明。
Embossing Mura为一种阵列基板制作过程中常见的不良，主要产生原因为：干刻(Dry Etch)工序时使用的传统电极腔室如图1所示，呈矩形，只设有一个进气口10和一个出气口20，图中的箭头方向为气体的流通方向，可看出，由于传统电极腔室内四个拐角气体流通性差，容易导致拐角温度不均一，形成死角，极易造成基板上对应的四角位置出现Embossing Mura不良。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种干法刻蚀设备，其腔室如图2所示，在靠近进气方向的两个拐角处分别设置进气孔11，在靠近出气方向的两个拐角处分别设置排气孔12，图中的箭头方向为气体的流通方向。工作气体从各各进气孔11进入，从各排气孔12出，与外界进行气体交换，可以避免某些位置气体流通性差导致温度不匀的问题。
进一步地，所述干法刻蚀设备还可包括：位于工艺腔室外部的气体循环系统，如图5所示，气体循环系统具体包括控制单元133、鼓风机137和控制阀136，控制单元133通过气压、温度传感器监控气体的压强和温度，通过鼓风机137和控制阀136对气压进行补充，达到稳定气流的作用，保证进入腔室内部的气流气压稳定。
本实施例在设备腔室的四角位置设置气孔，并在腔室外设计循环系统，气体由死角位置设置的固定进气孔位置进入，经腔室内循环，并从死角位置设置的排气孔排出，在腔室外进行气体交换，经腔室外的鼓风机、控制单元等气压稳定装置的共同作用，稳定腔室内的气流，从而达到改善气体死角温度不均的情况，用于阵列基板干刻工艺中，可以改善目前显示产品在周边容易出现大面积Embossing Mura的问题。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种基片处理设备，包括：工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室在气体流通性差的位置开设有气孔，所述气孔为进气孔或排气孔；
所述工艺腔室在靠近气体流通的进气方向且气体流通性差的位置开设有进气孔，在靠近出气方向且气体流通性差的位置开设有排气孔；
所述工艺腔室为矩形，所述进气孔分别设置在靠近进气方向的两个拐角处，所述排气孔分别设置在靠近出气方向的两个拐角处。
2.根据权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于，还包括：位于所述工艺腔室外部的气体循环系统，其进气端与所述工艺腔室的排气孔相通，其出气端与所述工艺腔室的进气孔相通。
3.根据权利要求2所述的基片处理设备，其特征在于，所述气体循环系统，包括：
压强传感器，用于测量气体通道内的气体压强；
气体压强调节装置，用于调节气体通道内的气体压强；
控制单元，与所述压强传感器、所述气体压强调节装置相连接，用于控制所述气体压强调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体压强与所述进气孔处的气体压强一致。
4.根据权利要求3所述的基片处理设备，其特征在于，所述气体循环系统，还包括：
温度传感器，用于测量气体通道内的气体温度；
气体温度调节装置，用于调节气体通道内的气体温度；
所述控制单元，还与所述温度传感器、所述气体温度调节装置相连接，用于控制所述气体温度调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体温度与所述进气孔处的温度一致。
5.根据权利要求3或4所述的基片处理设备，其特征在于，所述工艺腔室为干法刻蚀设备的电极腔室，所述气体压强调节装置包括鼓风机和控制阀。
6.根据权利要求3或4所述的基片处理设备，其特征在于，如果气体参与所述工艺腔室内的反应时，所述气体循环系统还包括：
组分传感器，用于测量气体通道内的气体组分；
供气装置，用于提供所述工艺腔室工作时所需的气体；
所述控制单元，还与所述组分传感器、所述供气装置相连，用于控制所述供气装置，使所述气体循环系统出气端的气体组分与所述工艺腔室设定的工作气体的组分一致。
7.根据权利要求1-4任一项所述的基片处理设备，其特征在于，所述基片处理设备为成膜设备或干法刻蚀设备。
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