TW201417082A - 自我偵測電荷分享模組 - Google Patents
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Abstract
一種自我偵測電荷分享模組,用於一液晶顯示器中,包含有:至少一偵測單元,用來偵測驅動複數個資料線之複數個運算放大器之複數個輸入電壓及該複數個資料線之複數個輸出電壓,以產生複數個偵測結果;以及至少一電荷分享單元,用來於該複數個偵測結果指示該複數個輸入電壓中至少一第一輸入電壓與至少一第二輸入電壓之電壓變化方向相反且趨近時,導通該複數個資料線中至少一相對應第一資料線及至少一相對應第二資料線之連結;其中,該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓於電壓變化後維持各別極性。
Description
本發明係指一種自我偵測電荷分享模組,尤指一種可自我偵測資料線電壓變化趨勢動態進行電荷分享,以提升省電效能的自我偵測電荷分享模組。
液晶顯示器具有外型輕薄、耗電量少以及無輻射污染等特性,已被廣泛地應用在電腦系統、行動電話、個人數位助理(PDA)等資訊產品上。液晶顯示器的工作原理係利用液晶分子在不同排列狀態下,對光線具有不同的偏振或折射效果,因此可經由不同排列狀態的液晶分子來控制光線的穿透量,進一步產生不同強度的輸出光線,及不同灰階強度的紅、綠、藍光。
請參考第1圖,第1圖為習知一薄膜電晶體(Thin Film Transistor,TFT)液晶顯示器10之示意圖。液晶顯示器10包含一液晶顯示面板(LCD Panel)100、一時序控制器(timing controller)102、一源極驅動器104(source driver)以及一閘極驅動器(gate driver)106。液晶顯示面板100係由兩基板(Substrate)構成,而於兩基板間填充有液晶材料(LCD layer)。一基板上設置有複數條資料線(Data Line)110、複數條垂直於資料線110的掃描線(Scan Line,或稱閘線,Gate Line)112以及複數個薄膜電晶體114,而於
另一基板上設置有一共用電極(Common Electrode)用來提供一共用電壓Vcom。為便於說明,第1圖中僅顯示四個薄膜電晶體114,實際上,液晶顯示面板100中每一資料線110與掃描線112的交接處(Intersection)均連接有一薄膜電晶體114,亦即薄膜電晶體114係以矩陣的方式分佈於液晶顯示面板100上,每一資料線110對應於薄膜電晶體液晶顯示器10之一行(Column),而掃描線112對應於薄膜電晶體液晶顯示器10之一列(Row),且每一薄膜電晶體114係對應於一像素(Pixel)。此外,液晶顯示面板100之兩基板所構成的電路特性可視為一等效電容116。
習知薄膜電晶體液晶顯示器10的驅動原理詳述如下。首先,時序控制器102產生相關於顯示影像的資料訊號及驅動液晶顯示面板100所需之控制訊號和時脈訊號。源極驅動器104和閘極驅動器106依據時序控制器102傳來之訊號而對不同的資料線110及掃描線112產生輸入訊號,因而控制薄膜電晶體114的導通及等效電容116兩端的電位差,並進一步地改變液晶分子的排列以及相對應的光線穿透量。舉例來說,閘極驅動器106對掃描線112輸入一脈波使薄膜電晶體114導通,因此源極驅動器104所輸入資料線110的訊號可經由薄膜電晶體114而輸入等效電容116,因此達到控制相對應像素之灰階(Gray Level)狀態。另外,透過控制源極驅動器104輸入至資料線110的訊號大小,可產生不同的灰階大小。
在薄膜電晶體液晶顯示器10中,若一直使用正電壓不斷地驅動
液晶分子會降低液晶分子對光線的偏振或折射效果,因而使畫面顯示的品質惡化,同樣地,若是一直使用負電壓不斷地驅動液晶分子亦會降低液晶分子對光線的偏振或折射效果。因此,為了保護液晶分子不受驅動電壓的破壞,須使用正負電壓交互的方式來驅動液晶分子。此外,液晶顯示面板100除了包含一等效電容116外,電路本身還會產生寄生電容(Parasite Capacitor),所以當同樣的影像於液晶顯示面板100上顯示過久時,寄生電容會因為儲存電荷而產生殘影現象(Residual Image Effect),更會影響後續畫面的顯示,所以亦必須利用正負電壓交互的方式來驅動液晶分子以改善寄生電容對影像輸出的影響,如欄反轉(Column Inversion)、點反轉(Dot Inversion)、列反轉(Line Inversion)等驅動方式。
然而,當驅動液晶顯示面板100的電壓極性開始反轉之際,共用電壓Vcom驅動電路與源極驅動器之電流消耗最大,故此時也是液晶顯示器10負載最大的時間。因此,一般會使用電荷分享(charge sharing)的機制來重複利用電荷並減少等效電容116充電至預期電位所需的時間,進而降低功率消耗。在液晶顯示器10中,源極驅動器104可透過控制兩相鄰資料線間之電晶體開關元件,平均分配電荷來達到電荷分享的效果。
請參考第2圖,第2圖為第1圖所示之液晶顯示器10在點反轉驅動下,一奇數之資料線CH_ODD與其相鄰之一偶數之資料線CH_EVEN之電位變化示圖。在第2圖中,橫軸代表時間,縱軸代
表電壓準位,輸出至等效電容116之驅動電壓的最大及最小值分別由VDD和VGND來表示,而在電荷分享後每一資料線之電位由Vavg來表示。若液晶分子以正極性驅動,則輸出至等效電容116之驅動電壓Vp需介於共同電壓Vcom和最大驅動電壓VDD之間;反之,液晶分子以負極性驅動,則輸出至等效電容116之驅動電壓Vn需介於共同電壓Vcom和最小驅動電壓VGND之間。
假設以點反轉方式來驅動液晶顯示器10之液晶顯示面板100,則在第2圖中,當一正極性驅動週期結束時,一奇數之資料線CH_ODD上等效電容的電位Vp相等於最大驅動電壓VDD,而相鄰之一偶數之資料線CH_EVEN上等效電容的電位Vn相等於最小驅動電壓VGND,且Vcom=0.5VDD、VGND=0。在下一個驅動週期之前,習知之液晶顯示器10首先會導通耦接於兩相鄰資料線之間的電晶體開關元件,以進行電荷分享,中和在前一驅動週期結束時存於液晶電容內之電荷。因此,奇數之資料線CH_ODD上等效電容的電位會從電位Vp被拉至Vavg。相同地,偶數之資料線CH_EVEN上等效電容的電位會從電位Vn被拉至Vavg。當Vp及Vn分別相等於最大驅動電壓VDD及最小驅動電壓VGND時,Vavg=Vcom=0.5VDD。於下一個驅動週期時,奇數之資料線CH_ODD由正極性驅動轉至負極性,源極驅動器102透過電荷共享,對奇數之資料線CH_ODD進行預先放電。因此,僅需提供一壓差△V=-0.5VDD來驅動液晶分子,以達到控制相對應像素之灰階狀態。相同地,於下一個驅動週期時,偶數之資料線CH_EVEN由負極性驅動轉至正極
性,源極驅動器102透過電荷共享,對偶數之資料線CH_EVEN進行預先充電。因此,僅需提供一壓差△V=0.5VDD來驅動液晶分子以達到控制相對應像素之灰階狀態。
然而,在習知技術中,電荷分享技術利用數位訊號(即極性反轉訊號)控制具有不同電壓極性之資料線於電壓極性翻轉時進行電荷分享已達省電,此電荷分享方式僅侷限於極性翻轉時才能省電,因此無法於現今電壓大小改變而極性未改變之應用中進行電荷分享以達到省電的效果。有鑑於此,習知技術實有改進之必要。
因此,本發明之主要目的即在於提供一種自我偵測電荷分享模組,尤指一種可自我偵測資料線電壓變化趨勢動態進行電荷分享,以提升省電效能的自我偵測電荷分享模組。
本發明揭露一種自我偵測電荷分享模組,用於一液晶顯示器中,包含有:至少一偵測單元,用來偵測驅動複數個資料線之複數個運算放大器之複數個輸入電壓及該複數個資料線之複數個輸出電壓,以產生複數個偵測結果;以及至少一電荷分享單元,用來於該複數個偵測結果指示該複數個輸入電壓中至少一第一輸入電壓與至少一第二輸入電壓之電壓變化方向相反且趨近時,導通該複數個資料線中至少一相對應第一資料線及至少一相對應第二資料線之連結;其中,該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓於電壓
變化後維持各別極性。
請參考第3圖,第3圖為本發明實施例一液晶顯示器(liquid crystal display device)30之示意圖。如第3圖所示,液晶顯示器30包含有運算放大器OP1、OP2、開關SW1、SW2、資料線CH1、CH2、負載LD1、LD2、一自我偵測電荷分享模組300,自我偵測電荷分享模組300包含有一偵測單元302以及一電荷分享單元304。簡單來說,運算放大器OP1、OP2之輸出端耦接於負輸入端形成一負回授結構,因此可將輸出端之電壓鎖定於正輸入端所接收之輸入電壓Vin1、Vin2,使得開關SW1、SW2根據於一控制訊號S導通時,可驅動資料線CH1、CH2使輸出至負載LD1、LD2(即耦接於資料線CH1、CH2之等效電容)之輸出電壓Vout1、Vout2達到與輸入電壓Vin1、Vin2相同準位。
在此結構下,偵測單元302可偵測驅動資料線CH1、CH2之運算放大器OP1、OP2之輸入電壓Vin1、Vin2及資料線CH1、CH2之輸出電壓Vout1、Vout2,以產生一偵測結果DET予電荷分享單元304,因此電荷分享單元304可於偵測結果DET指示輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2之電壓變化方向相反且趨近時,導通資料線CH1、CH2之連結,以將負載LD1、LD2上的電荷進行分享。在此情況下,自我偵測電荷分享模組300除了可如習知電荷分享技術在輸入電壓Vin1、Vin2極性反轉之情況下進行電荷分享,亦可於輸入電壓Vin1、
Vin2於電壓變化後仍維持各別極性之情況下進行電荷分享。如此一來,本發明可自我偵測資料線CH1、CH2電壓變化趨勢動態進行電荷分享,以提升省電效能。
詳細來說,請參考第4圖,第4圖為第3圖所示之輸入電壓Vin1~Vin2為不同極性且輸入電壓Vin1~Vin2之電壓變化方向趨近一中間電壓VM時,液晶顯示器30進行電荷分享之示意圖。如第4圖所示,當輸入電壓Vin1由高準位往中間電壓VM變化(往負方向變化)及輸入電壓Vin2由低準位往中間電壓VM變化(往正方向變化)而趨近時(輸入電壓Vin1可為正極性而輸入電壓Vin2可為負極性,即資料線CH1、CH2可為相鄰資料線或一者為奇數資料線而另一者為偶數資料線),控制訊號S會指示開關SW1、SW2分別切斷運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結,然後自我偵測電荷分享模組300導通資料線CH1、CH2之連結,以將負載LD1、LD2上的電荷進行分享,使得輸出電壓Vout1、Vout2先經由電荷分享向中間電壓VM趨近後,再由控制訊號S指示開關SW1、SW2分別導通運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結以將輸出電壓Vout1、Vout2驅動至與輸入電壓Vin1、Vin2相同準位。如此一來,本發明可於輸入電壓Vin1~Vin2為不同極性且輸入電壓Vin1~Vin2之電壓變化方向趨近一中間電壓VM(輸入電壓Vin1~Vin2仍維持原本各別極性)之情況下,進行電荷分享,以提升省電效能。
另一方面,請參考第5圖,第5圖為第3圖所示之輸入電壓Vin1
~Vin2為相同極性且輸入電壓Vin1~Vin2之電壓變化方向相反時,液晶顯示器30進行電荷分享之示意圖。如第5圖所示,當輸入電壓Vin1由高準位往低準位變化(往負方向變化)及輸入電壓Vin2由低準位往高準位變化(往正方向變化)而先趨近再達到目標準位時(輸入電壓Vin1、Vin2可同為正極性或負極性,即資料線CH1、CH2為相間隔資料線,如兩者皆為奇數資料線或偶數資料線),控制訊號S會指示開關SW1、SW2分別切斷運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結,然後自我偵測電荷分享模組300導通資料線CH1、CH2之連結,以將負載LD1、LD2上的電荷進行分享,使得輸出電壓Vout1、Vout2先經由電荷分享到達穩定電壓後,再由控制訊號S指示開關SW1、SW2分別導通運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結以將輸出電壓Vout1、Vout2驅動至與輸入電壓Vin1、Vin2相同準位。如此一來,本發明可於輸入電壓Vin1~Vin2為相同極性且輸入電壓Vin1~Vin2之電壓變化方向相反(輸入電壓Vin1~Vin2仍維持原本各別極性)之情況下,進行電荷分享,以提升省電效能。
值得注意的是,本發明之主要精神在於可自我偵測資料線電壓變化趨勢動態進行電荷分享,因此除了可在輸入電壓極性反轉之情況下進行電荷分享,亦可於輸入電壓於電壓變化後仍維持各別極性之情況下進行電荷分享,進而更加提升省電效能。本領域具通常知識者當可據以進行修飾或變化,而不限於此。舉例來說,第3圖所繪示之自我偵測電荷分享模組300係偵測對應於兩條資料線CH1、
CH2之輸入電壓Vin1、Vin2及輸出電壓Vout1、Vout2,再決定是否進行電荷分享,但在其它實施例中,亦可偵測對應於複數條資料線之複數個輸入電壓及輸出電壓,再將可進行電荷分享之資料線透過一共用匯流排(common bus)進行電荷分享。
詳細來說,請參考第6圖,第6圖為本發明實施例另一液晶顯示器60之示意圖。如第6圖所示,液晶顯示器60包含有運算放大器OP1~OPx、開關SW1~SWx、資料線CH1~CHx、負載LD1~LDx、自我偵測電荷分享模組600,自我偵測電荷分享模組600包含有偵測單元DU1~DUx、電荷分享單元CSU1~CSUx以及一共用匯流排Cs。液晶顯示器60與液晶顯示器30部分相似,因此作用相似之元件及訊號以相同符號表示,運算放大器OP3~OPx、開關SW3~SWx、資料線CH3~CHx、負載LD3~LDx與運算放大器OP1~OP2、開關SW1~SW2、資料線CH1~CH2、負載LD1~LD2之運作大致相同,可參考以上敘述。
液晶顯示器60與液晶顯示器30之主要差別在於偵測單元DU1~DUx可分別偵測相對應資料線CH1~CHx之輸入電壓Vin1~Vinx及輸出電壓Vout1~Voutx,以產生偵測結果DET1~DETx予電荷分享單元CSU1~CSUx,使得電荷分享單元CSU1~CSUx可於偵測結果DET1~DETx指示輸入電壓Vin1~Vinx中至少一第一輸入電壓與至少一第二輸入電壓之電壓變化方向相反且趨近時,導通至少一相對應第一資料線及至少一相對應第二資料線與共用匯流排Cs之連
結,以進行電荷分享。如此一來,本發明可任意將兩組輸入電壓具有相反轉態方向且趨近之至少一資料線之負載進行電荷分享。
舉例來說,當輸入電壓Vin1~Vin2如第4圖進行變化且另一輸入電壓Vin3與輸入電壓Vin1具有相同變化時,電荷分享單元CSU1~CSU3可導通資料線CH1~CH3與共用匯流排Cs之連結,以將負載LD1、LD3與負載LD2上的電荷進行分享。值得注意的是,當第4圖所示輸入電壓為不同極性且電壓變化方向趨近一中間電壓VM之情形與當第5圖所示輸入電壓為相同極性且電壓變化方向相反之情形同時存在時,由於在第4圖所示輸入電壓變化驅勢之情形下進行較多電荷分享,因此電荷分享單元CSU1~CSUx可優先將具有第4圖所示輸入電壓變化驅勢之資料線耦接於共用匯流排Cs進行分享以提升較多省電效能。
具體而言,請參考第7圖,第7圖為第6圖所示之偵測單元DU1~DU2及電荷分享單元CSU1~CSU2之詳細示意圖。如第7圖所示,偵測單元DU1包含有比較器COM1~COM4以及及閘(AND gate)A1~A2,偵測單元DU2包含有比較器COM2、COM4~COM6以及及閘A3~A4,其中,偵測單元DU1與偵測單元DU2共用比較器COM2、COM4。電荷分享單元CSU1包含有電荷分享開關CSW1~CSW2,而電荷分享單元CSU2包含有電荷分享開關CSW3~CSW4。如第7圖左半部之結構所示,比較器COM1包含一負輸入端用來接收輸入電壓Vin1,以及一正輸入端用來接收輸出電壓Vout1,比較器COM2
包含一正輸入端用來接收輸出電壓Vout1,以及一負輸入端用來接收輸出電壓Vout2,比較器COM5包含一正輸入端用來接收輸入電壓Vin2,以及一負輸入端用來接收輸出電壓Vout2,及閘A1之輸入端耦接於比較器COM1、比較器COM2與比較器COM5之輸出端以及控制訊號S之一反向訊號,電荷分享開關CSW1根據及閘A1之偵測結果DET1,導通輸出電壓Vout1與共用匯流排Cs之連結(即導通資料線CH1與共用匯流排Cs之連結),而電荷分享開關CSW3根據及閘A3之偵測結果DET3,導通輸出電壓Vout2與共用匯流排Cs之連結(即導通資料線CH2與共用匯流排Cs之連結)。
在此結構下,當輸出電壓Vout1大於輸入電壓Vin1(往負方向變化)、輸出電壓Vout2小於輸入電壓Vin2(往正方向變化)、輸出電壓Vout1大於輸出電壓Vout2(輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位)且控制訊號S為低準位控制開關SW1、SW2切斷運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結時,閘A1、A3之偵測結果DET1、DET3為高準位以控制電荷分享開關CSW1、CSW3導通輸出電壓Vout1、Vout2與共用匯流排Cs之連結以進行電荷分享。
相似地,如第7圖右半部之結構所示,比較器COM3包含一負輸入端用來接收輸出電壓Vout1,以及一正輸入端用來接收輸入電壓Vin1,比較器COM4包含一正輸入端用來接收輸出電壓Vout2,以及一負輸入端用來接收輸出電壓Vout1,比較器COM6包含一正輸入端
用來接收輸出電壓Vout2,以及一負輸入端用來接收輸入電壓Vin2,及閘A2之輸入端耦接於比較器COM3、比較器COM4與比較器COM6之輸出端以及控制訊號S之反向訊號,電荷分享開關CSW2根據及閘A2之偵測結果DET2,導通輸出電壓Vout1與共用匯流排Cs之連結,而電荷分享開關CSW4根據及閘A4之偵測結果DET4,導通輸出電壓Vout2與共用匯流排Cs之連結。
在此結構下,當輸出電壓Vout1小於輸入電壓Vin1(往正方向變化)、輸出電壓Vout2大於輸入電壓Vin2(往負方向變化)且輸出電壓Vout1小於輸出電壓Vout2(輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位)且控制訊號S為低準位控制開關SW1、SW2切斷運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結時,閘A2、A4之偵測結果DET2、DET4為高準位以控制電荷分享開關CSW2、CSW2導通輸出電壓Vout1、Vout2與共用匯流排Cs之連結以進行電荷分享。換言之,第7圖左半部及右半部之結構分別用來導通兩種輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2之電壓變化方向相反且趨近之情形。依此類推,偵測單元DU3~DUx、電荷分享單元CSU3~CSUx亦可以與偵測單元DU1~DU2、電荷分享單元CSU1~CSU2相似之結構實現。如此一來,本發明可利用比較器結構對輸入電壓及輸出電壓進行偵測,以任意將兩組輸入電壓具有相反轉態方向且趨近之至少一資料線之負載耦接至共用匯流排Cs進行電荷分享。
另一方面,請參考第8圖,第8圖為第3圖所示之偵測單元302
以及電荷分享單元304之詳細示意圖。如第8圖所示,偵測單元302包含有比較器COM7~COM12以及及閘A5~A6,電荷分享單元304包含有電荷分享開關CSW5~CSW6。如第8圖左半部之結構所示,比較器COM7包含一負輸入端用來接收輸入電壓Vin1,以及一正輸入端用來接收輸出電壓Vout1,比較器COM8包含一正輸入端用來接收輸出電壓Vout1,以及一負輸入端用來接收輸出電壓Vout2,比較器COM9包含一正輸入端用來接收輸入電壓Vin2,以及一負輸入端用來接收輸出電壓Vout2,及閘A5之輸入端耦接於比較器COM7、比較器COM8與比較器COM9之輸出端以及控制訊號S之反向訊號,電荷分享開關CSW5根據及閘A5之偵測結果DET,導通輸出電壓Vout1與輸出電壓Vout2之連結(即導通資料線CH1、CH2之連結)。
在此結構下,當輸出電壓Vout1大於輸入電壓Vin1(往負方向變化)、輸出電壓Vout2小於輸入電壓Vin2(往正方向變化)、輸出電壓Vout1大於輸出電壓Vout2(輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位)且控制訊號S為低準位控制開關SW1、SW2切斷運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結時,閘A5之偵測結果DET為高準位以控制電荷分享開關CSW5導通輸出電壓Vout1、Vout2之連結以進行電荷分享。
相似地,如第8圖右半部之結構所示,比較器COM10包含一負輸入端用來接收輸出電壓Vout1,以及一正輸入端用來接收輸入電壓
Vin1,比較器COM11包含一正輸入端用來接收輸出電壓Vout2,以及一負輸入端用來接收輸出電壓Vout1,比較器COM12包含一正輸入端用來接收輸出電壓Vout2,以及一負輸入端用來接收輸入電壓Vin2,及閘A6之輸入端耦接於比較器COM10、比較器COM11與比較器COM12之輸出端以及控制訊號S之反向訊號,電荷分享開關CSW6根據及閘A6之偵測結果DET,導通輸出電壓Vout1與輸出電壓Vout2之連結。
在此結構下,當輸出電壓Vout1小於輸入電壓Vin1(往正方向變化)、輸出電壓Vout2大於輸入電壓Vin2(往負方向變化)、輸出電壓Vout1小於輸出電壓Vout2(輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位)且控制訊號S為低準位控制開關SW1、SW2切斷運算放大器OP1、OP2與資料線CH1、CH2之連結時,閘A6之偵測結果DET為高準位以控制電荷分享開關CSW6導通輸出電壓Vout1、Vout2之連結以進行電荷分享。換言之,第8圖左半部及右半部之結構分別用來導通兩種輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2之電壓變化方向相反且趨近之情形。如此一來,本發明可利用比較器結構對輸入電壓及輸出電壓進行偵測,以將兩組輸入電壓具有相反轉態方向且趨近之資料線之負載進行電荷分享。
此外,請參考第9圖,第9圖為第6圖所示之偵測單元DU1~DU4及電荷分享單元CSU1~CSU4之另一詳細示意圖。如第9圖所示,偵測單元DU1、CSU1共同包含有電晶體MP1~MP2、MN1~
MN2,偵測單元DU2、CSU2共同包含有電晶體MP1~MP2、MN1~MN2,其中,電晶體MP1~MP4為P型金氧半場效應電晶體(metal oxide semiconductor field-effect transistor,MOSFET),而電晶體MN1~MN4為N型金氧半場效應電晶體。如第9圖左半部之結構所示,電晶體MP1之一閘極耦接於輸入電壓Vin1,一源極耦接於輸出電壓Vout1,電晶體MN1之一閘極耦接於輸出電壓Vout1,一源極耦接於共用匯流排Cs,一汲極耦接於電晶體MP1之一源極,電晶體MN3之一閘極耦接於輸入電壓Vin2,一源極耦接於一輸出電壓Vout2,電晶體MP3之一閘極耦接於輸出電壓Vout2,一源極耦接於共用匯流排Cs,一汲極耦接於電晶體MN3之一汲極(閘極、源極以及汲極可分別視為一控制端、一第一端以及一第二端)。
在此結構下,當輸出電壓Vout1減去一門檻電壓(threshold voltage)Vt大於輸入電壓Vin1(即Vout1-Vt>Vin1,往負方向變化)、輸出電壓Vout2小於輸入電壓Vin2減去門檻電壓Vt(即Vin2-Vt>Vout2,往正方向變化)、輸出電壓Vout1減去門檻電壓Vt大於共用匯流排Cs之一共用電壓VcomVcs且輸出電壓Vout2小於共用電壓VcomVcs減去門檻電壓Vt時(即Vout1-Vt>Vcs且Vcs-Vt>Vout2,輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位),電晶體MP1、MN1、MN3、MP3導通輸出電壓Vout1、Vout2與共用匯流排Cs之連結(即導通資料線CH1、CH2與共用匯流排Cs之連結)以進行電荷分享,而於輸出電壓Vout1、Vout2趨近至與共用電壓VcomVcs之差小於門檻電壓Vt時,電晶體MP3、MN1關閉以停止
電荷分享。
相似地,如第9圖右半部之結構所示,電晶體MN2之一閘極耦接於輸入電壓Vin1,一源極耦接於輸出電壓Vout1,電晶體MP2之一閘極耦接於輸出電壓Vout1,一源極耦接於共用匯流排Cs,一汲極耦接於電晶體MN2之一汲極,電晶體MP4之一閘極耦接於輸入電壓Vin2,一源極耦接於一輸出電壓Vout2,電晶體MN4之一閘極耦接於輸出電壓Vout2,一源極耦接於共用匯流排Cs,一汲極耦接於電晶體MP4之一汲極(閘極、源極以及汲極可分別視為一控制端、一第一端以及一第二端)。
在此結構下,當輸入電壓Vin1減去一門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout1(即Vin1-Vt>Vout1,往正方向變化)、輸出電壓Vout2減去門檻電壓Vt大於輸入電壓Vin2(即Vout2-Vt>Vin2,往負方向變化)、共用電壓VcomVcs減去門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout1且輸出電壓Vout2減去門檻電壓Vt大於共用電壓VcomVcs時(即Vcs-Vt>Vout1且Vout2-Vt>Vcs,輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位),電晶體MN2、MP2、MP4、MN4導通輸出電壓Vout1、Vout2與共用匯流排Cs之連結(即導通資料線CH1、CH2與共用匯流排Cs之連結)以進行電荷分享,而於輸出電壓Vout1、Vout2趨近至與共用電壓VcomVcs之差小於門檻電壓Vt時,電晶體MP2、MN4關閉以停止電荷分享。換言之,第9圖左半部及右半部之結構分別用來導通兩種輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2之電壓變化方向相
反且趨近之情形。
依此類推,偵測單元DU3~DUx、電荷分享單元CSU3~CSUx亦可以與偵測單元DU1~DU2、電荷分享單元CSU1~CSU2相似之結構實現,因此可獨立自我動態偵測是否進行電荷共享並自行結束,不需要額外控制訊號。如此一來,本發明可利用電晶體開關結構對輸入電壓及輸出電壓進行偵測,以任意將兩組輸入電壓具有相反轉態方向且趨近之至少一資料線之負載耦接至共用匯流排Cs進行電荷分享。
再者,請參考第10圖,第10圖為第3圖所示之偵測單元302以及電荷分享單元304之另一詳細示意圖。偵測單元302以及電荷分享單元304共同包含有電晶體MP5~MP7、MN5~MN7,其中,電晶體MP5~MP7為P型金氧半場效應電晶體,而電晶體MN5~MN7為N型金氧半場效應電晶體。如第10圖左半部之結構所示,電晶體MP5之一閘極耦接於輸入電壓Vin1,一源極耦接於輸出電壓Vout1,電晶體MN6之一閘極耦接於輸出電壓Vout1,一汲極耦接於電晶體MP5之一汲極,電晶體MN7之一閘極耦接於輸入電壓Vin2,一源極耦接於一輸出電壓Vout2,一汲極耦接於電晶體MN6之一源極(閘極、源極以及汲極可分別視為一控制端、一第一端以及一第二端)。
在此結構下,當輸出電壓Vout1減去門檻電壓Vt大於輸入電壓
Vin1(即Vout1-Vt>Vin1,往負方向變化)、輸出電壓Vout2小於輸入電壓Vin2減去門檻電壓Vt(即Vin2-Vt>Vout2,往正方向變化)且輸出電壓Vout1減去門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout2時(即Vout1-Vt>Vout2,輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位),電晶體MP5、MN6、MN7導通輸出電壓Vout1、Vout2之連結(即導通資料線CH1、CH2之連結)以進行電荷分享,而於輸出電壓Vout1、Vout2之差小於門檻電壓Vt時,電晶體MN6關閉以停止電荷分享。
相似地,如第10圖右半部之結構所示,電晶體MN5之一閘極耦接於輸入電壓Vin1,一源極耦接於輸出電壓Vout1,電晶體MP6之一閘極耦接於輸出電壓Vout1,電晶體MP7之一閘極耦接於輸入電壓Vin2,一源極耦接於一輸出電壓Vout2,一汲極耦接於電晶體MP6之一源極(閘極、源極以及汲極可分別視為一控制端、一第一端以及一第二端)。
在此結構下,當輸入電壓Vin1減去一門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout1(即Vin1-Vt>Vout1,往正方向變化)、輸出電壓Vout2減去門檻電壓Vt大於輸入電壓Vin2(即Vout2-Vt>Vin2,往負方向變化)且輸出電壓Vout2減去門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout1時(即Vout2-Vt>Vout1,輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位),電晶體MN5、MP6、MP7導通輸出電壓Vout1、Vout2之連結(即導通資料線CH1、CH2之連結)以進行電荷分享,而於
輸出電壓Vout1、Vout2之差小於門檻電壓Vt時,電晶體MP6關閉以停止電荷分享。換言之,第10圖左半部及右半部之結構分別用來導通兩種輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2之電壓變化方向相反且趨近之情形。如此一來,本發明可利用電晶體開關結構對輸入電壓及輸出電壓進行偵測,以將兩組輸入電壓具有相反轉態方向且趨近之資料線之負載進行電荷分享。
除此之外,請參考第11圖,第11圖為第3圖所示之偵測單元302以及電荷分享單元304之更一詳細示意圖。偵測單元302以及電荷分享單元304共同包含有電晶體MP8~MP10、MN8~MN10,其中,電晶體MP8~MP10為P型金氧半場效應電晶體,而電晶體MN8~MN10為N型金氧半場效應電晶體。如第10圖左半部之結構所示,電晶體MP8之一閘極耦接於輸入電壓Vin1,一源極耦接於輸出電壓Vout1,電晶體Mp9之一閘極耦接於輸出電壓Vout2,一源極耦接於電晶體MP8之一汲極,電晶體MN10之一閘極耦接於輸入電壓Vin2,一源極耦接於一輸出電壓Vout2,一汲極耦接於電晶體MP9之一汲極(閘極、源極以及汲極可分別視為一控制端、一第一端以及一第二端)。
在此結構下,當輸出電壓Vout1減去門檻電壓Vt大於輸入電壓Vin1(即Vout1-Vt>Vin1,往負方向變化)、輸出電壓Vout2小於輸入電壓Vin2減去門檻電壓Vt(即Vin2-Vt>Vout2,往正方向變化)且輸出電壓Vout1減去門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout2時(即Vout1-Vt>
Vout2,輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位),電晶體MP8、MP9、MN10導通輸出電壓Vout1、Vout2之連結(即導通資料線CH1、CH2之連結)以進行電荷分享,而於輸出電壓Vout1、Vout2之差小於門檻電壓Vt時,電晶體MP9關閉以停止電荷分享。
相似地,如第11圖右半部之結構所示,電晶體MN8之一閘極耦接於輸入電壓Vin1,一源極耦接於輸出電壓Vout1,電晶體MN9之一閘極耦接於輸出電壓Vout2,一源極耦接於電晶體MN8之一汲極,電晶體MP10之一閘極耦接於輸入電壓Vin2,一源極耦接於一輸出電壓Vout2,一汲極耦接於電晶體MN9之一汲極(閘極、源極以及汲極可分別視為一控制端、一第一端以及一第二端)。
在此結構下,當輸入電壓Vin1減去一門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout1(即Vin1-Vt>Vout1,往正方向變化)、輸出電壓Vout2減去門檻電壓Vt大於輸入電壓Vin2(即Vout2-Vt>Vin2,往負方向變化)且輸出電壓Vout2減去門檻電壓Vt大於輸出電壓Vout1時(即Vout2-Vt>Vout1,輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2趨近或先趨近再達到目標準位),電晶體MN8、MN9、MP10導通輸出電壓Vout1、Vout2之連結(即導通資料線CH1、CH2之連結)以進行電荷分享,而於輸出電壓Vout1、Vout2之差小於門檻電壓Vt時,電晶體MN9關閉以停止電荷分享。換言之,第11圖左半部及右半部之結構分別用來導通兩種輸入電壓Vin1與輸入電壓Vin2之電壓變化方向相反且趨近
之情形(第11圖與第10圖所示結構之主要差異在於第11圖中電晶體MP9、MN9與第10圖相對應位置之電晶體MN6、MP6為不同型且電晶體MP9、MN9之閘極耦接於輸出電壓Vout2而非輸出電壓Vout1)。如此一來,本發明可利用電晶體開關結構對輸入電壓及輸出電壓進行偵測,以將兩組輸入電壓具有相反轉態方向且趨近之資料線之負載進行電荷分享。
值得注意的是,上述第9圖至第11圖之實施例中係以金氧半場效應電晶體實現偵測單元DU1~DUx及電荷分享單元CSU1~CSUx以偵測電壓並進行開關控制,但在其它實施例中,偵測單元DU1~DUx及電荷分享單元CSU1~CSUx亦可以雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor,BJT)、接合場效電晶體(junction field effect transistor,JFET)等半導體電晶體或可當開關之元件實現,而門檻電壓Vt以不同元件實施時可能為0V。
在習知技術中,電荷分享技術利用數位訊號(即極性反轉訊號)控制具有不同電壓極性之資料線於電壓極性翻轉時進行電荷分享已達省電,此電荷分享方式僅侷限於極性翻轉時才能省電,因此無法於現今電壓大小改變而極性未改變之應用中進行電荷分享以達到省電的效果。相較之下,本發明可自我偵測資料線電壓變化趨勢動態進行電荷分享,因此除了可在輸入電壓極性反轉之情況下進行電荷分享,亦可於輸入電壓於電壓變化後仍維持各別極性之情況下進行電荷分享,進而更加提升省電效能。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10、30、60‧‧‧液晶顯示器
100‧‧‧液晶顯示面板
102‧‧‧時序控制器
104‧‧‧源極驅動器
106‧‧‧閘極驅動器
110、CH_ODD、CH_EVEN‧‧‧資料線
112‧‧‧掃描線
114‧‧‧薄膜電晶體
116‧‧‧等效電容
300、600‧‧‧自我偵測電荷分享模組
302、DU1~DUx‧‧‧偵測單元
304、CSU1~CSUx‧‧‧電荷分享單元
Vcom‧‧‧共同電壓
VDD、VGND、Vavg‧‧‧電位
OP1~OPx‧‧‧運算放大器
SW1~SWx‧‧‧開關
CH1~CHx‧‧‧資料線
LD1~LDx‧‧‧負載
S‧‧‧控制訊號
Vin1~Vinx‧‧‧輸入電壓
Vout1~Voutx‧‧‧輸出電壓
DET、DET1~DETx‧‧‧偵測結果
VM‧‧‧中間電壓
Cs‧‧‧共用匯流排
COM1~COM12‧‧‧比較器
A1~A6‧‧‧及閘
CSW1~CSW6‧‧‧電荷分享開關
MP1~MP10、MN1~MN10‧‧‧電晶體
第1圖為習知一薄膜電晶體液晶顯示器之示意圖。
第2圖為第1圖所示之液晶顯示器在點反轉驅動下,一奇數之資料線與其相鄰之一偶數之資料線之電位變化示圖。
第3圖為本發明實施例一液晶顯示器之示意圖。
第4圖為第3圖所示之兩輸入電壓為不同極性且兩輸入電壓之電壓變化方向趨近一中間電壓時,液晶顯示器進行電荷分享之示意圖。
第5圖為第3圖所示之兩輸入電壓為相同極性且兩輸入電壓之電壓變化方向相反時,液晶顯示器進行電荷分享之示意圖。
第6圖為本發明實施例另一液晶顯示器之示意圖。
第7圖為第6圖所示之兩偵測單元及兩電荷分享單元之詳細示意圖。
第8圖為第3圖所示之一偵測單元以及一電荷分享單元之詳細示意圖。
第9圖為第6圖所示之四個偵測單元及四個電荷分享單元之另一詳細示意圖。
第10圖為第3圖所示之偵測單元以及電荷分享單元之另一詳細示意圖。
第11圖為第3圖所示之偵測單元以及電荷分享單元之更一詳細示意圖。
30‧‧‧液晶顯示器
300‧‧‧自我偵測電荷分享模組
302‧‧‧偵測單元
304‧‧‧電荷分享單元
OP1、OP2‧‧‧運算放大器
SW1、SW2‧‧‧開關
CH1、CH2‧‧‧資料線
LD1、LD2‧‧‧負載
S‧‧‧控制訊號
Vin1、Vin2‧‧‧輸入電壓
Vout1、Vout2‧‧‧輸出電壓
DET‧‧‧偵測結果
Claims (22)
- 一種自我偵測電荷分享模組,用於一液晶顯示器(liquid crystal display device)中,包含有:至少一偵測單元,用來偵測驅動複數個資料線之複數個運算放大器之複數個輸入電壓及該複數個資料線之複數個輸出電壓,以產生複數個偵測結果;以及至少一電荷分享單元,用來於該複數個偵測結果指示該複數個輸入電壓中至少一第一輸入電壓與至少一第二輸入電壓之電壓變化方向相反且趨近時,導通該複數個資料線中至少一相對應第一資料線及至少一相對應第二資料線之連結;其中,該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓於電壓變化後維持各別極性。
- 如請求項1所述之自我偵測電荷分享模組,其中至少一第一開關及至少一第二開關根據一控制訊號,切斷至少一相對應第一運算放大器與該至少一相對應第一資料線之連結及至少一相對應第二運算放大器與該至少一相對應第二資料線之連結。
- 如請求項1所述之自我偵測電荷分享模組,其中該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓為不同極性且該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓之電壓變化方向趨近一中間電壓。
- 如請求項1所述之自我偵測電荷分享模組,其中該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓為相同極性且該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓之電壓變化方向相反。
- 如請求項1所述之自我偵測電荷分享模組,其另包含一共用匯流排(common bus),耦接於該至少一電荷分享單元,而該至少一電荷分享單元於該至少一第一輸入電壓與該至少一第二輸入電壓之電壓變化方向相反且趨近時,導通該至少一相對應第一資料線及該至少一相對應第二資料線與該共用匯流排之連結。
- 如請求項5所述之自我偵測電荷分享模組,其中該至少一偵測單元中一偵測單元包含有:一第一比較器,包含一負輸入端用來接收該至少一第一輸入電壓當中一者,以及一正輸入端用來接收一相對應第一輸出電壓;一第二比較器,包含一正輸入端用來接收該第一輸出電壓,以及一負輸入端用來接收相對應該至少一第二輸入電壓當中一者之一第二輸出電壓;以及一第一及閘(AND gate),其輸入端耦接於該第一比較器與該第二比較器之輸出端以及一控制訊號之一反向訊號。
- 如請求項6所述之自我偵測電荷分享模組,其中至少一電荷分享單元中一電荷分享單元包含有一第一電荷分享開關,用來根 據該第一及閘之一第一偵測結果,導通該第一輸出電壓與該共用匯流排之連結。
- 如請求項6所述之自我偵測電荷分享模組,其中該至少一偵測單元中該偵測單元另包含有:一第三比較器,包含一負輸入端用來接收該第一輸出電壓,以及一正輸入端用來接收該至少一第一輸入電壓當中該者;一第四比較器,包含一正輸入端用來接收該第二輸出電壓,以及一負輸入端用來接收該第一輸出電壓;以及一第二及閘,其輸入端耦接於該第三比較器與該第四比較器之輸出端以及該控制訊號之該反向訊號。
- 如請求項8所述之自我偵測電荷分享模組,其中至少一電荷分享單元中該電荷分享單元另包含有一第二電荷分享開關,用來根據該第二及閘之一第二偵測結果,導通該第一輸出電壓與該共用匯流排之連結。
- 如請求項1所述之自我偵測電荷分享模組,其中該至少一偵測單元中一偵測單元包含有:一第五比較器,包含一負輸入端用來接收該至少一第一輸入電壓當中一者,以及一正輸入端用來接收一相對應第一輸出.電壓;一第六比較器,包含一正輸入端用來接收該至少一第二輸入電 壓當中一者,以及一負輸入端用來接收一相對應第二輸出電壓;一第七比較器,包含一正輸入端用來接收該第一輸出電壓,以及一負輸入端用來接收該第二輸出電壓;以及一第三及閘,其輸入端耦接於該第五比較器、該第六比較器與該第七比較器之輸出端以及一控制訊號之一反向訊號。
- 如請求項10所述之自我偵測電荷分享模組,其中至少一電荷分享單元中一電荷分享單元包含有一第三電荷分享開關,用來根據該第三及閘之一第三偵測結果,導通該第一輸出電壓與該第二輸出電壓之連結。
- 如請求項10所述之自我偵測電荷分享模組,其中該至少一偵測單元中該偵測單元另包含有:一第八比較器,包含一負輸入端用來接收該第一輸出電壓,以及一正輸入端用來接收該至少一第一輸入電壓當中該者;一第九比較器,包含一正輸入端用來接收該第二輸出電壓,以及一負輸入端用來接收該至少一第二輸入電壓當中該者;一第十比較器,包含一正輸入端用來接收該第二輸出電壓,以及一負輸入端用來接收該第一輸出電壓;一第四及閘,其輸入端耦接於該第八比較器、該第九比較器、該第十比較器之輸出端以及該控制訊號之該反向訊號。
- 如請求項12所述之自我偵測電荷分享模組,其中至少一電荷分享單元中該電荷分享單元包含有一第四電荷分享開關,用來根據該第四及閘之一第四偵測結果,導通該第一輸出電壓與該第二輸出電壓之連結。
- 如請求項5所述之自我偵測電荷分享模組,其包含有:一第一第一型電晶體,其一控制端耦接於該至少一第一輸入電壓當中一者,一第一端耦接於一相對應第一輸出電壓;一第一第二型電晶體,其一控制端耦接於該第一輸出電壓,一第一端耦接於該共用匯流排,一第二端耦接於該第一第一型電晶體之一第二端;一第二第二型電晶體,其一控制端耦接於該至少一第二輸入電壓當中一者,一第一端耦接於一相對應第二輸出電壓;以及一第二第一型電晶體,其一控制端耦接於該第二輸出電壓,一第一端耦接於該共用匯流排,一第二端耦接於該第二第二型電晶體之一第二端。
- 如請求項14所述之自我偵測電荷分享模組,其中該第一型電晶體為一P型金氧半場效應電晶體(metal oxide semiconductor field-effect transistor,MOSFET),而該第二型電晶體為一N型金氧半場效應電晶體,該控制端、該第一端以及該第二端分別為一閘極、一源極以及一汲極。
- 如請求項14所述之自我偵測電荷分享模組,其中該第一型電晶體為一N型金氧半場效應電晶體,而該第二型電晶體為一P型金氧半場效應電晶體,該控制端、該第一端以及該第二端分別為一閘極、一源極以及一汲極。
- 如請求項1所述之自我偵測電荷分享模組,其包含有:一第一第一型電晶體,其一控制端耦接於該至少一第一輸入電壓當中一者,一第一端耦接於一相對應第一輸出電壓;一第一第二型電晶體,其一控制端耦接於該第一輸出電壓,一第二端耦接於該第一第一型電晶體之一第二端;以及一第二第二型電晶體,其一控制端耦接於該至少一第二輸入電壓當中一者,一第一端耦接於一相對應第二輸出電壓,一第二端耦接於該第一第二型電晶體之一第一端。
- 如請求項17所述之自我偵測電荷分享模組,其中該第一型電晶體為一P型金氧半場效應電晶體,而該第二型電晶體為一N型金氧半場效應電晶體,該控制端、該第一端以及該第二端分別為一閘極、一源極以及一汲極。
- 如請求項17所述之自我偵測電荷分享模組,其中該第一型電晶體為一N型金氧半場效應電晶體,而該第二型電晶體為一P型金氧半場效應電晶體,該控制端、該第一端以及該第二端分別 為一閘極、一源極以及一汲極。
- 如請求項1所述之自我偵測電荷分享模組,其包含有:一第一第一型電晶體,其一控制端耦接於該至少一第一輸入電壓當中一者,一第一端耦接於一相對應第一輸出電壓;一第二第一型電晶體,其一控制端耦接於一相對應第二輸出電壓,一第一端耦接於該第一第一型電晶體之一第二端;以及一第一第二型電晶體,其一控制端耦接於該至少一第二輸入電壓當中一者,一第一端耦接於該第二輸出電壓,一第二端耦接於該第二第一型電晶體之一第二端。
- 如請求項20所述之自我偵測電荷分享模組,其中該第一型電晶體為一P型金氧半場效應電晶體,而該第二型電晶體為一N型金氧半場效應電晶體,該控制端、該第一端以及該第二端分別為一閘極、一源極以及一汲極。
- 如請求項20所述之自我偵測電荷分享模組,其中該第一型電晶體為一N型金氧半場效應電晶體,而該第二型電晶體為一P型金氧半場效應電晶體,該控制端、該第一端以及該第二端分別為一閘極、一源極以及一汲極。
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