TW201414035A - 有機發光裝置及其製備方法 - Google Patents
有機發光裝置及其製備方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201414035A TW201414035A TW102119500A TW102119500A TW201414035A TW 201414035 A TW201414035 A TW 201414035A TW 102119500 A TW102119500 A TW 102119500A TW 102119500 A TW102119500 A TW 102119500A TW 201414035 A TW201414035 A TW 201414035A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- emitting device
- organic light
- electrode
- layer
- disposed
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003341 7 membered heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006539 C12 alkyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000003975 aryl alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 claims description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 125
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本發明係關於一種有機發光裝置及其製備方法,且本發明之有機發光裝置包括:一基板;一第一電極配置於該基板上;一有機材料層配置於該第一電極上;一第二電極圖案配置於該有機材料層上以及包括兩個以上彼此隔開的金屬層;以及一熔線層配置於該第二電極圖案之一上表面的一整個區域中並介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中。
Description
本發明係關於一種有機發光裝置及其製備方法。
本發明係主張於2012年5月31日向KIPO所提出之韓國專利申請第10-2012-0058923號之優先權,其揭示內容全數併入本發明以供參考。
有機發光裝置係由兩個相對的電極以及具有似半導體性質(semiconductor-like properties)的多層有機材料薄膜插入於其間所構成。具有該結構的有機發光裝置利用一現象以藉由有機材料將電能轉換為光能,此現象即為有機發光現象。具體而言,當電壓施加在兩電極結構(有機材料層係配置於一陽極與一陰極間)之間時,來自該陽極的電洞以及來自該陰極的電子將會注入至有機材料層中。當所注入的電洞與電子彼此相遇而形成一激子時,激子將放光而再次回到基態。
在上述有機發光裝置中,由有機材料層產生的光線將透過一透光電極而射出,而該有機發光裝置可代表性地分類為一頂部發光型、一底部發光型以及一雙面發光
型。在該頂部發光或底部發光型的例子中,兩個電極中的一者須為一透光電極,而在該雙面發光型的例子中,兩個電極皆須為透光電極。
關於上述有機發光裝置,由Kodak Co.,Ltd.開始已有許多研究發表,當使用多層結構時,可在一低電壓下驅動裝置,近年來,使用有機發光裝置的天然色顯示器裝置已與手機連接並進行商品化。
此外最年研究已著手將一磷光材料代替現有的螢光材料,以應用於有機發光裝置上,並改善其增進效率,且可預期在不久的將來能使該裝置取代現有照明。
為了將該有機發光裝置應用為照明,該裝置需要高亮度來驅動而不像現有的自然色顯示器,並且可維持如同現有照明一致的亮度。為了充分地增進該有機發光裝置的亮度,需要在一大面積下進行發光,而為了在一大面積下執行發光,需要使用一高驅動電流。此外,為了在該大面積下維持一致的亮度,需要將上述高電流一致地注入至具有大面積的裝置。
一般而言,該有機發光裝置的一正極材料通常可使用具有一大功率的金屬氧化物,然而,金屬氧化物的導電率相對不高,因此,當在具有一小顯示面積的有機EL或LCD中使用此種金屬氧化物時將不會有問題,但是當在在用於一照明設備的大面積有機EL中使用該金屬氧化物,則由於高電流所導致的電壓下降很高,因此使得電流無法一致地注入發光表面,故該裝置的發光非一致性地存在,
例如,僅於其中一電極電連接至一驅動電路的鄰近部分發光,而在其他區域可能存在微弱的發光或可能沒有發光存在。
同時,該有機發光裝置的一負極材料通常可使用具有一低功率的金屬或其合金。上述金屬材料本身具有高導電率,但當有機材料裝置需要透明電極時,則形成薄膜的金屬將會降低其導電率。因此,即使在此例子中,由於電流非一致地注入發光表面,故該裝置的發光可沒能沒有一致地存在。
因此,為了使用一有機發光裝置作為照明裝置,需要藉由降低電極的電阻來使具有大面積的裝置中存在高亮度。
本發明已致力於提供一種具有一大面積的有機發光裝置,當電性短路在發光區域的一部分中發生時,該有機發光裝置可藉由包括一熔線而自動地阻擋來自連續流動之具有一預定值以上的過多電流。
本發明提供一種有機發光裝置,包括:一基板;一第一電極配置於該基板上;一有機材料層配置於該第一電極上;一第二電極圖案配置於該有機材料層上以及包括兩個以上彼此隔開的金屬層;以及一熔線層配置於該第二電極圖案之一上表面的一整個區域中並介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中。
此外,本發明提供一種有機發光裝置,包括:
一基板;一第一電極配置於該基板上;一有機材料層配置於該第一電極上;以及一第二電極配置於該有機材料層上,其中該第二電極之至少一些區域的厚度不同於該第二電極之其他區域的厚度。
此外,本發明提供一種有機發光裝置,包括:一基板;一第一電極配置於該基板上;一有機材料層配置於該第一電極上;一第二電極圖案配置於該有機材料層上以及包括由下列式1所表示之一化合物;以及一熔線層配置於該第二電極圖案之一上表面的一整個區域中並介於該第二電極圖案之間的空隙中。
在式1中,R1至R6係彼此相同或相異且各自獨立地為氫、一鹵素原子、腈(-CN)、硝基(-NO2)、磺醯基(-SO2R)、亞碸(-SOR)、磺胺(-SO2NR)、磺酸酯(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯(-COOR)、醯胺(-CONHR或-CONRR')、一經取代或未經取代之直鏈或支鏈的C1至C12烷氧基、一經取代或未經取代之直鏈或支鏈的C1至C12烷基、一經取代或未經取代之直鏈或
支鏈的C2至C12烯基、一經取代或未經取代之芳香族或非芳香族的雜環、一經取代或未經取代之芳基、一經取代或未經取代之單或雙芳基胺、或一經取代或未經取代之芳烷基胺,其中R及R'係各自獨立地為一經取代或未經取代之C1至C60烷基、一經取代或未經取代之芳基、或一經取代或未經取代之5-至7-員雜環。
此外,本發明提供一種顯示器裝置,其包括該有機發光裝置。
此外,本發明提供一種照明裝置,包括該有機發光裝置。
此外,本發明提供一種製備有機發光裝置的方法,該方法包括:1)形成一第一電極於一基板上;2)形成一有機材料層於該第一電極上;3)形成兩個以上彼此隔開的金屬層於該有機材料層上;以及4)形成一熔線層於該金屬層之一上表面的一整個區域中並介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中。
本發明之有機發光裝置包括一在一第二電極上的熔線層,藉此當過多的電流產生於一特定的有機發光單元時,該第二電極與該熔線層彼此接觸的一部分會自動地斷路,藉此阻止整個有機發光裝置電性短路。
10‧‧‧第一電極
20‧‧‧有機材料層
30‧‧‧第二電極圖案
40‧‧‧熔線層
圖1係一垂直剖面圖,說明本發明一示範性實施例之一有機發光裝置,其包括一熔線層。
圖2係一俯視圖,說明作本發明一示範性實施例之一有機發光裝置,其包括一熔線層。
圖3係一視圖,說明該有機發光裝置的一部分電性短路之型態。
下文將詳細地說明本發明。
一般而言,一有機發光裝置具有一結構,其中兩個電極具有一面對彼此的大面積,以及一藉由電流發光的有機材料層形成於其間。電流施予至該電極的邊緣,流向該電極的中央,穿經一有機材料,並放電至面對該電極的其他電極。此時,當該電流自該電極的邊緣流至該電極的中央,電壓下降與該電極的電阻成比例地發生。由於由該電極的電阻所導致的能量消耗與該電壓下降發生一樣地多,該有機發光裝置的能量效率減低。
此外,由於在該兩個電極之間所形成的電場變化,該有機材料的發光量視該電極的位置而變化,而就外觀來說視該位置而在亮度上的差異不佳,並且不利地影響該裝置的穩定性。因此,在該有機發光裝置中,需要以依設計來最小化這些問題。
用於該有機發光裝置的透明電極係透明的且
可使光穿透,與一金屬電極相較之下具有一非常高的電阻。因此,當試圖將該有機發光裝置實施於一大面積下,由於該透明電極的高電阻,在大發光面積之間的電壓分配會不一致,因此,在一大面積上獲得具有一致亮度的發光會有問題存在。一般為了解決該問題所使用的方法是將金屬的輔助電極安裝至該透明電極上或下。當獲得一個一致的電壓分配於一大面積上,為了確保透明性,故將一金屬輔助電極製造為具有一盡可能地薄的晶格形狀,為了提升透明性,故使用一將該晶格的周期增加至盡可能地長之方法。然而,具有一晶格形狀的金屬輔助電極之方法不僅具有製程的複雜度增加之問題,亦具有製程問題,其中當一輔助電極形成於一透明電極上,因為高度關係,故要將一有機材料一致地堆疊至要配置於該輔助電極上。
此外,在具有一大面積的有機發光裝置中,其包括複數個有機發光像素,當過多的電流流至在該些複數個有機發光像素中的一部分有機發光像素中時,將會發生例如一電性短路的缺陷,而使缺陷在具有一大面積的整個有機發光裝置中發生。
因此,本發明已致力於提供一種具有一大面積的有機發光裝置,當一電性短路在一發光區域的一部分中發生,該有機發光裝置可藉由包括一熔線於該有機發光裝置中,自動地阻擋來自連續流動之具有一預定值以上的過多電流。
依據本發明的示範性實施例之有機發光裝置
包括:一基板;一第一電極配置於該基板上;一有機材料層配置於該第一電極上;一第二電極圖案配置於該有機材料層上以及包括兩個以上彼此隔開的金屬層;以及一熔線層配置於該第二電極圖案之一上表面的一整個區域中且介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中。
在本發明之有機發光裝置中,該金屬層可包括Al、Ag、Ca、Mg、Au、Mo、Ir、Cr、Ti、Pd、及其合金中的一或多者,然不以此為限。
在依據本發明之有機發光裝置中,介於該第二電極圖案的金屬層之間的空隙可為自10μm至300μm,然不以此為限。
在依據本發明之有機發光裝置中,該熔線層可利用一熔點小於該金屬層的金屬來形成。此外,該熔線層可包括與該金屬層的材料相同的材料。
更具體而言,該熔線層可包括Al、Ca、Mg、Ag、銦(In)以及諸如此類等中的一或多者,然不以此為限。
此外,當該熔線層包括與該金屬層的材料相同的材料時,可將該有機發光裝置設計為使得將該熔線層形成為比該金屬層還薄,且當過多的電流存在時該熔線層部分會短路。
藉由利用一陰影遮罩(shadow mask)並透過一沉積製程,該熔線層可形成為覆蓋該第二電極圖案的金屬層的形式。該熔線層的厚度可為自10nm至100μm,然不以此為限。
該第二電極圖案的金屬層及該熔線層之間的一厚度差可為10nm至100nm。當該厚度差小於10nm,介於該些第二電極圖案之間的電連接可能不穩定。
較佳的是,該金屬層包括Al,且該熔線層包括一或多個擇自由下列所組成之群組:Al、Ag、Ca、Mg、以及In,然本發明並不以此為限。
在本發明之有機發光裝置中,較佳的是,該第二電極圖案的金屬層包括Ag,且該熔線層包括Ca,然本發明並不以此為限。
至少一部分的該熔線層可具有與該有機材料層接觸的一結構。亦即,配置於一介於彼此隔開的金屬層之間的區域之至少一部分的該熔線層可具有一與該有機材料層接觸的結構。
此外,該熔線層的表面形態可不僅包括一平面形式,亦例如包括曲面與不平坦的形式。該熔線層配置於該有圖案的第二電極之一上表面的一整個區域且介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中,並且用於電連接該有圖案的第二電極。
此外,至少一部分的該熔線層可包括具有一電性短路之形式的結構。亦即,在本發明中,即使當在大面積的有機發光裝置中發生短路而導致缺陷發生時,除了其中缺陷發生的有機發光單元之外,其他的有機發光單元仍可正常地操作。
此外,依據本發明的另一個示範性實施例之一
有機發光裝置包括:一基板;一第一電極配置於該基板上;一有機材料層配置於該第一電極上;以及一第二電極配置於該有機材料層上,其中該第二電極之至少一些區域的厚度不同於該第二電極之其他區域的厚度。
在該第二電極中相對薄的區域可供作為上述熔線層。
該第二電極中相對較薄的區域及該其他區域之間的厚度差可為10nm至100nm。當該厚度差小於10nm,介於該些第二電極圖案之間的電連接可能會不穩定。
該第二電極可包括Al、Ag、Ca、Mg、Au、Mo、Ir、Cr、Ti、Pd、其合金以及諸如此類等中的一或多者,然不以此為限。
此外,依據本發明的又另一個示範性實施例之一有機發光裝置包括:一基板;一第一電極配置於該基板上;一有機材料層配置於該第一電極上;一第二電極圖案配置於該有機材料層上以及包括由式1所表示之化合物;以及一熔線層配置於該第二電極圖案之一上表面的一整個區域中且介於該電極圖案之間的空隙中。
在本發明中,可使用下列式1-1至1-6的化合物來示範式1的化合物,然不以此為限。
[式1-1]
[式1-4]
[式1-6]
式1的其他例子、或合成方法及各種不同的特性係描述於美國專利申請第2002-0158242號,以及美國專利號Nos.6,436,559與4,780,536,而這些文件的內容全部併入本發明說明書中。
在本發明之有機發光裝置中,在所屬技術領域中所習知者可用來作為該基板而沒有限制。更具體而言,可使用一硬基板,例如玻璃、SiO2與一矽晶圓,或者可使用一薄膜基板,例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚亞醯氨(PI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、以及環烯烴聚合物(COP),但該基板不以此為限。
在依據本發明之有機發光裝置中,該第一電極可為一透明電極。
更具體而言,該第一電極可包括一透明導電材料,例如銦錫氧化物(ITO)、IZO、ZnO以及SnO2,然不以此為限。
該第一電極可藉由利用像是濺鍍或電子束蒸鍍(PVD)的一物理氣相沉積(PCD)方法而形成,以將一金屬、
一具有導電性的金屬氧化物、一其合金以及諸如此類等沉積於一基板上。
在本發明之有機發光裝置中,可額外地包括一輔助電極於該第一電極上。該輔助電極係用於增進該第一電極的電阻,並且可藉由沉積一或多個擇自由下列所組成之群組來形成:一導電密封劑以及一金屬。更具體而言,該輔助電極可包括Cr、Mo、Al、Cu、其合金以及諸如此類等,然不以此為限。
本發明之有機發光裝置可應用於一用於照明的有機發光裝置,然不以此為限。
本發明之有機發光裝置包括在該第二電極上的該熔線層,藉此當過多的電流產生於一特定的有機發光單元,其中該第二電極與該熔線層彼此接觸的一部分會自動地斷路,藉此阻止整個有機發光裝置電性短路。
此外,當過多的電流產生於一特定的有機發光單元,而因而使整個有機發光裝置電性短路,可藉由一額外的沉積製程來形成該第二電極、該熔線層以及諸如此類等,藉此可更容易地修復該有機發光裝置的缺陷。
在依據本發明之有機發光元件中,具有較少層的該有機材料層之製造不僅可藉由使用各種不同聚合物材料的沉積方法,亦可藉由一溶劑製程,例如,一方法,像是旋轉塗佈、浸漬塗佈、刮刀塗佈、網印、噴墨印刷或一熱轉印方法。
該有機材料層可具有一經堆疊的結構,其中該
有機材料層包括一發光層,以及更包括一或多者擇自於一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層以及一電子注入層。
作為一能夠形成該電洞注入層的材料,具有高功率的材料係較佳的,藉此可促進電洞注入該有機材料層中。可用於本發明之該電洞注入材料的具體例子包括:一金屬,例如釩、鉻、銅、鋅以及金,或其合金;一金屬氧化物,例如氧化鋅、氧化銦、銦錫氧化物(ITO),以及銦鋅以化物(IZO);一金屬與氧化物的組合,例如ZnO:Al或SnO2:Sb;一導電聚合物,例如聚(3-甲噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧)噻吩](PEDT)、聚吡咯以及聚苯胺,以及諸如此類等,然本發明並不以此為限。
能夠形成該電子注入層的材料,較佳為具有一低功率的材料,藉此電子通常是容易地注入該有機材料層。該電子注入材料的具體例子包括:一金屬,例如鎂、、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫以及鉛,或其合金;一多層結構材料,例如LiF/Al或LiO2/Al,以及諸如此類等,且可使用與該電洞注入電極材料相同的材料,然本發明並不以此為限。
能夠形成該發光層的材料,較佳為能夠藉由分別接收並且再結合來自該電洞傳輸層的電洞、及來自該電子傳輸層的電子,而於一可見光區域下發光,並且較佳為具有螢光與磷光之高量子效率的材料,具體的例子包括:8-羥基-喹啉鋁錯合物(Alq3);咔唑類化合物;二聚苯乙烯化
合物;BAlq;10-羥基苯并喹啉-金屬化合物;苯并噁唑類、苯并噻唑類以及苯并咪唑類化合物;聚(p-苯撐乙烯)(PPV)類聚合物;螺旋化合物;聚芴以及紅螢烯;磷光發光體CBP[[4,4'-雙(9-咔唑基)聯苯基];以及諸如此類等,然不以此為限。
此外,為了增進螢光或磷光特性,該發光材料可額外包括一磷光摻雜劑或一螢光摻雜劑。該磷光摻雜劑的具體例子包括ir(ppy)(3)[fac三(2-苯吡啶)銥]、F2Irpic[銥(III)雙(4,6,-di-氟苯基-吡啶-N,C2)吡啶甲酸],以及諸如此類等。該螢光摻雜劑可為所屬技術領域中所習知者。
對能夠形成該電子傳輸層的材料來說,其適合材料為可成功地接受來自電子注入層的電子,並將該些電子傳輸至該發光層,且對於電子具有高移動性,具體的例子包括8-羥基-喹啉的鋁錯合物;包括Alq3的錯合物;有機基化合物;羥基黃酮-金屬錯合物;以及諸如此類等,然不以此為限。
此外,該有機材料層可具有一形式,其中該有機材料層摻雜有一金屬,然不以此為限。
本發明有機發光裝置可更包括形成在該基板上的一絕緣層圖案。該絕緣層圖案可用來區別在具有一大面積的該有機發光裝置中的像素,並且可使用所屬技術領域中所習知的材料及方法來形成。
此外,用於製備依據本發明的一示範性實施例之該有機發光裝置的方法包括1)形成一第一電極於一基板
上,2)形成一有機材料層於該第一電極上,3)形成兩個以上彼此隔開的金屬層於該有機材料層上,以及4)形成一熔線層於該金屬層之一上表面的一整個區域中且介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中。
在該用於製備依據本發明之有機發光裝置中,該熔線層可包括熔點小於該金屬層的金屬。更具體而言,該熔線層可包括Al、Ca、Mg、Ag、銦(In)以及諸如此類等中的一或多者,然不以此為限。
此外,該金屬層及該熔線層可包括相同的材料。
下文將透過圖式來更詳細地說明本發明。
下列圖1與2分別說明依據本發明的一示範實施例之一有機發光裝置。
更具體而言,圖1係一垂直剖面圖,說明一有機發光裝置包括一第一電極10、一有機材料層20、一第二電極圖案30以及一熔線層40。
圖2係一俯視圖,說明該有機發光裝置包括該第一電極10、該有機材料層20、該第二電極圖案30以及該熔線層40。
圖3係一視圖,說明該有機發光裝置的一部分電性短路之型態。
如圖3所示,即使當在具有一大面積之該有機發光裝置的一部分中發生缺陷,在相關技藝中整個有機發光裝置可能無法使用,但由於本發明於一第二電極上包括
一熔線層,因此當過多電流存在時,僅在一特定的有機發光像素上電性短路,藉此防止整個有機發光裝置缺陷。此外,可於發生缺陷的該有機發光像素中再次利用一額外的沉積製程來形成該熔線層以及諸如此類等,藉此可更容易地修復該有機發光裝置的缺陷。
本發明之有機發光裝置可包括一光汲取層結構。
在本發明中,該有機發光裝置可更包括一介於該基板及該第一電極之間的內部光汲取層。此外,該有機發光裝置可更包括一外部光汲取層,其位於一與該基板之配置有該第一電極於其上之一表面相反的表面上。
在本發明中,該內部光汲取層或該外部光汲取層不特別限制,只要該層具有一結構,其中可誘導光散射以增進該有機發光裝置的光汲取效率。更具體而言,該光汲取層可具有一結構,其中散射粒子係分散於一黏合劑中。
此外,該光汲取層可藉由一方法,例如旋轉塗佈、棒式塗佈、狹縫塗佈以及諸如此類等,而直接形成於一基材上,或者可藉由一製造一以一薄膜型式的層之方法以及將該層貼附來形成。
在本發明中,該有機發光裝置係一可撓性有機發光裝置。在此情況下,該基材包括一可撓性材料。例如,可能可以使用一具有一撓性薄膜型式玻璃,以及具有一具有塑膠或薄膜型式的基板。
該塑膠基板的材料不特別限制,但通常可使用以一單層或複數層型式之一PET、PEN、PI以及諸如此類等的薄膜。
此外,本發明提供一種顯示器裝置,包括該有機發光裝置。
此外,本發明提供一種照明裝置,包括該有機發光裝置。
如上所述,本發明之有機發光裝置包括在一第二電極上的熔線層,藉此當過多的電流產生於一特定的有機發光單元,其中該第二電極與該熔線層彼此接觸的一部分會自動地斷路,藉此阻止整個有機發光裝置電性短路。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
10‧‧‧第一電極
20‧‧‧有機材料層
30‧‧‧第二電極圖案
40‧‧‧熔線層
Claims (26)
- 一種有機發光裝置,包括:一基板;一第一電極,係配置於該基板上;一有機材料層,係配置於該第一電極上;一第二電極圖案,係配置於該有機材料層上且包括兩個以上彼此隔開的金屬層;以及一熔線層,係配置於該第二電極圖案之一上表面的一整個區域中且介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中該金屬層包括一或多個選自由:Al、Ag、Ca、Mg、Au、Mo、Ir、Cr、Ti、Pd、及其合金所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中該熔線層包括熔點小於該金屬層的一金屬。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中該金屬層及該熔線層包括相同的材料。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光裝置,其中該熔線層的厚度小於該金屬層的厚度。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中該金屬層及該熔線層之間的厚度差係10nm至100nm。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中該熔線層包括一或多個選自由:Al、Ag、Ca、Mg、以及In所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中該金屬層包括Ag,且該熔線層包括Ca。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中至少一部分的該熔線層與該有機材料層相接觸。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置,其中至少一部分的該熔線層包括一具有一電性短路之形式的結構。
- 一種有機發光裝置,包括:一基板;一第一電極,係配置於該基板上;一有機材料層,係配置於該第一電極上;以及一第二電極,係配置於該有機材料層上,其中該第二電極之至少一些區域的厚度不同於該第二電極之其他區域的厚度。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機發光裝置,其中該第二電極包括一或多個選自由:Al、Ag、Ca、Mg、Au、Mo、Ir、Cr、Ti、Pd、及其合金所組成之群組。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機發光裝置,其中該第二電極中相對較薄的區域及該其他區域之間的厚度差係10nm至100nm。
- 一種有機發光裝置,包括:一基板;一第一電極,係配置於該基板上;一有機材料層,係配置於該第一電極上; 一第二電極圖案,係配置於該有機材料層上以及包括一由下列式1所表示之化合物;以及一熔線層,係配置於該第二電極圖案之一上表面的一整個區域中以及介於該第二電極圖案之間的空隙中:
- 如申請專利範圍第1、11、及14項中任一項所述之有機發光裝置,其中該基板係選自由:玻璃、SiO2、一矽晶圓、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚亞醯氨(PI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、以及環烯烴聚合物(COP)所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1、11、及14項中任一項所述之有機發光裝置,其中該第一電極包括一或多個選自由:銦錫氧化物(ITO)、IZO、ZnO、以及SnO2所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1、11、及14項中任一項所述之有機發光裝置,更包括:一輔助電極,係配置於該第一電極上。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光裝置,其中該輔助電極包括一或多個選自由:Cr、Mo、Al、Cu、及其合金所組成之群組。
- 如申請專利範圍第1、11、及14項中任一項所述之有機發光裝置,更包括:一內部光汲取層,係配置於該基板及該第一電極之間,或一外部光汲取層,係配置於一與該基板之配置有該第一電極於其上之一表面的相反表面上。
- 如申請專利範圍第1、11、及14項中任一項所述之有機發光裝置,其中該有機發光裝置係一可撓性有機發光裝置。
- 一種顯示器裝置包括如申請專利範圍第1、11、及14項中任一項所述之有機發光裝置。
- 一種照明裝置包括如申請專利範圍第1、11、及14項中任一項所述之有機發光裝置。
- 一種製備有機發光裝置的方法,該方法包括:1)形成一第一電極於一基板上;2)形成一有機材料層於該第一電極上;3)形成兩個以上彼此隔開的金屬層於該有機材料層上;以及4)形成一熔線層於該金屬層之一上表面的一整個區域中且介於彼此隔開的金屬層之間的空隙中。
- 如申請專利範圍第23項所述之方法,其中該熔線層包括熔點小於該金屬層的一金屬。
- 如申請專利範圍第23項所述之方法,其中該金屬層及該熔線層包括相同的材料。
- 如申請專利範圍第23項所述之方法,其中該熔線層包括一或多個選自由:Al、Ag、Ca、Mg、以及In所組成之群組。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120058923 | 2012-05-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201414035A true TW201414035A (zh) | 2014-04-01 |
TWI601323B TWI601323B (zh) | 2017-10-01 |
Family
ID=49673661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102119500A TWI601323B (zh) | 2012-05-31 | 2013-05-31 | 有機發光裝置及其製備方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9444057B2 (zh) |
EP (1) | EP2752909B1 (zh) |
JP (2) | JP6163544B2 (zh) |
KR (2) | KR20130135184A (zh) |
CN (2) | CN103999250A (zh) |
TW (1) | TWI601323B (zh) |
WO (1) | WO2013180545A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106463643A (zh) * | 2014-05-13 | 2017-02-22 | 乐金显示有限公司 | 有机发光装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014223495A1 (de) * | 2014-11-18 | 2016-05-19 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung mit Schmelzsicherung |
KR20160083408A (ko) | 2014-12-31 | 2016-07-12 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈 |
US9537103B1 (en) * | 2015-08-14 | 2017-01-03 | Luminescence Technology Corporation | Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same |
US9865671B2 (en) | 2015-09-03 | 2018-01-09 | Industrial Technology Research Institute | Organic light-emitting device |
US9923135B2 (en) | 2015-11-23 | 2018-03-20 | Industrial Technology Research Institute | Light-emitting assembly |
KR101967023B1 (ko) | 2016-03-30 | 2019-04-09 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
CN112419980B (zh) * | 2020-12-15 | 2021-08-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780536A (en) | 1986-09-05 | 1988-10-25 | The Ohio State University Research Foundation | Hexaazatriphenylene hexanitrile and its derivatives and their preparations |
US6713955B1 (en) * | 1998-11-20 | 2004-03-30 | Agilent Technologies, Inc. | Organic light emitting device having a current self-limiting structure |
JP3571977B2 (ja) | 1999-11-12 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
US6953947B2 (en) | 1999-12-31 | 2005-10-11 | Lg Chem, Ltd. | Organic thin film transistor |
KR100377321B1 (ko) | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
US6791114B2 (en) * | 2001-07-12 | 2004-09-14 | Intel Corporation | Fused passive organic light emitting displays |
KR20030026424A (ko) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광소자와 그 제조방법 |
JP2004296154A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 電極とその製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004311638A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
US7012585B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-03-14 | Eastman Kodak Company | OLED apparatus having improved fault tolerance |
EP1794255B1 (en) * | 2004-08-19 | 2016-11-16 | LG Chem, Ltd. | Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same |
JP2007207569A (ja) * | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Tohoku Pioneer Corp | 光デバイス、および光デバイスの製造方法 |
WO2007114536A1 (en) | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Daewoo Electronics Corporation | Organic electroluminescence device and method for manufacturing same |
US8513878B2 (en) * | 2006-09-28 | 2013-08-20 | Fujifilm Corporation | Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode |
KR20080063611A (ko) * | 2007-01-02 | 2008-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 소자 |
WO2008099315A2 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Large area light emitting diode light source |
DE102008013031B4 (de) | 2008-03-07 | 2019-07-25 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
DE102008019048B4 (de) * | 2008-04-15 | 2012-03-01 | Novaled Ag | Lichtemittierendes organisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen sowie Anordnung mit mehreren lichtemittierenden organischen Bauelementen |
KR20100096924A (ko) | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 기판 제조방법 |
WO2010107249A2 (ko) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 이의 제조방법 |
JP2011060680A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Seiko Epson Corp | 照明装置及び電子機器 |
KR101084266B1 (ko) | 2009-09-23 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 조명 장치 |
KR101065409B1 (ko) * | 2009-11-04 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 조명 장치 |
JP5363953B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2013-12-11 | 日東電工株式会社 | 長尺電極基板およびその製造方法 |
EP2398086A1 (en) * | 2010-06-17 | 2011-12-21 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Opto-electric device and method of manufacturing thereof |
-
2013
- 2013-05-31 JP JP2015514925A patent/JP6163544B2/ja active Active
- 2013-05-31 CN CN201380004407.5A patent/CN103999250A/zh active Pending
- 2013-05-31 TW TW102119500A patent/TWI601323B/zh active
- 2013-05-31 WO PCT/KR2013/004860 patent/WO2013180545A1/ko active Application Filing
- 2013-05-31 CN CN201811150412.8A patent/CN109390495A/zh active Pending
- 2013-05-31 US US14/360,168 patent/US9444057B2/en active Active
- 2013-05-31 KR KR1020130063130A patent/KR20130135184A/ko active Application Filing
- 2013-05-31 EP EP13797970.4A patent/EP2752909B1/en active Active
-
2015
- 2015-12-21 KR KR1020150183137A patent/KR101882184B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-04-05 JP JP2017074992A patent/JP2017143074A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106463643A (zh) * | 2014-05-13 | 2017-02-22 | 乐金显示有限公司 | 有机发光装置 |
TWI610484B (zh) * | 2014-05-13 | 2018-01-01 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 有機發光裝置 |
US9978983B2 (en) | 2014-05-13 | 2018-05-22 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
CN106463643B (zh) * | 2014-05-13 | 2018-06-08 | 乐金显示有限公司 | 有机发光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130135184A (ko) | 2013-12-10 |
CN103999250A (zh) | 2014-08-20 |
JP2017143074A (ja) | 2017-08-17 |
JP6163544B2 (ja) | 2017-07-12 |
TWI601323B (zh) | 2017-10-01 |
US20140306214A1 (en) | 2014-10-16 |
CN109390495A (zh) | 2019-02-26 |
EP2752909A4 (en) | 2015-07-08 |
US9444057B2 (en) | 2016-09-13 |
EP2752909B1 (en) | 2021-07-14 |
WO2013180545A1 (ko) | 2013-12-05 |
EP2752909A1 (en) | 2014-07-09 |
JP2015521361A (ja) | 2015-07-27 |
KR101882184B1 (ko) | 2018-07-26 |
KR20160002641A (ko) | 2016-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI601323B (zh) | 有機發光裝置及其製備方法 | |
US9035420B2 (en) | Organic light emitting device, display apparatus and illumination apparatus comprising the organic light emitting device, and method for preparing the same | |
US10164207B2 (en) | Organic light-emitting device and method for manufacturing same | |
TW201414034A (zh) | 有機發光裝置及其製備方法 | |
TW201526330A (zh) | 有機發光裝置 | |
KR20130135186A (ko) | 플렉서블 전극 및 이의 제조방법 | |
KR101410576B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
KR20130135185A (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
KR101806940B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
TWI568052B (zh) | 用於製造有機發光裝置之方法 | |
KR101677425B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
KR20230008951A (ko) | 다기능 단일 정공층을 구비한 저전압 구동 고효율 유기발광소자 | |
KR20150037025A (ko) | 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 | |
KR20150024189A (ko) | 플렉서블 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법 |