TW201410650A - 有機電致發光元件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種長壽命之有機電致發光元件,其係於陽極與陰極之間至少具備發光層者,且該發光層含有包含特定結構之聯三伸苯衍生物之第一主體材料、包含具有咔唑衍生物結構及含氮雜芳環兩者之化合物之第二主體材料、及發光材料。
Description
本發明係關於一種有機電致發光元件。
若對有機電致發光元件(以下,亦有時稱為有機EL元件)印加電壓,則電洞自陽極、又電子自陰極分別被注入至發光層中。然後,於發光層中,所注入之電洞與電子再結合而形成激子。此時,根據電子自旋之統計項,單重態激子及三重態激子以25%:75%之比例生成。按照發光原理進行分類之情形時,螢光型係使用利用單重態激子之發光,因此認為有機EL元件之內部量子效率之極限為25%。另一方面,已知磷光型係使用利用三重態激子之發光,因此由單重態激子高效地進行態間交差之情形時,內部量子效率可提高至100%。
先前,於有機EL元件中,對應螢光型及磷光型之發光機制而完成最佳之元件設計。特別是關於磷光型之有機EL元件,已知根據其發光特性,單純地轉用螢光元件技術無法獲得高性能之元件。通常認為其理由如下所述。
首先,磷光發光為利用三重態激子之發光,因此發光層所使用之化合物之能隙不能變大。其原因在於:一種化合物之單重態能量(係指最低激發單重態與基態之能量差)之值通常大於該化合物之三重態能量(係指最低激發三重態與基態之能量差)之值。
因此,為將磷光發光性摻雜材料之三重態能量高效地封入元件內,首先,必須對發光層使用具有較磷光發光性摻雜材料之三重態能
量大之三重態能量的主體材料。進而,設置鄰接於發光層之電子傳輸層及電洞傳輸層時,必須亦對電子傳輸層及電洞傳輸層使用具有較磷光發光性摻雜材料大之三重態能量的化合物。如上所述,基於先前之有機EL元件之元件設計思想之情形時,致使將與螢光型之有機EL元件所使用之化合物相比具有更大能隙之化合物用於磷光型之有機EL元件中,而有機EL元件整體之驅動電壓上升。
又,用於螢光元件中之耐氧化性或耐還原性較高之烴系化合物係π電子雲之展開較大,因此能隙較小。因此,磷光型之有機EL元件中,難以選擇此種烴系之化合物,而選擇含有氧或氮等雜原子之有機化合物,其結果為,存在磷光型之有機EL元件與螢光型之有機EL元件相比壽命較短的問題。
進而,磷光發光性摻雜材料之三重態激子之激子衰減速度與單重態激子相比非常長,該情況亦對元件性能造成較大影響。即,關於來自單重態激子之發光,因與發光有關之衰減速度較快,故難以發生激子向發光層之周邊層(例如,電洞傳輸層或電子傳輸層)之擴散,可期待高效之發光。另一方面,關於來自三重態激子之發光,因自旋禁阻且衰減速度較慢,故容易發生激子向周邊層之擴散,而自特定之磷光發光性化合物以外發生熱能失活。即,與螢光型之有機EL元件相比,電子及電洞之再結合區域之控制更為重要。
根據如上所述之理由,於磷光型之有機EL元件之高性能化中,必需與螢光型之有機EL元件不同之材料選擇及元件設計。
作為此種磷光型之有機EL元件用材料,自先前起,顯示較高之三重態能量、且作為電洞傳輸性材料而已知之咔唑衍生物被用作有用之磷光主體材料。
專利文獻1及2中記載有如下情況:使用於2個咔唑連結而成之雙咔唑骨架上導入有含氮雜環基之化合物作為磷光型之有機EL元件之
發光層中的主體材料。專利文獻1及2中記載之化合物採取如下之分子設計:藉由對電洞傳輸性之咔唑骨架導入缺電子性之含氮雜環基而取得電荷傳輸之平衡。然而,於使用專利文獻1及2中記載之化合物之有機EL元件中,長壽命化成為技術性課題。
關於使有機EL元件長壽命化之搭配,專利文獻3中揭示有藉由在發光層中混合複數種主體材料而獲得長壽命化的情況,且對混合之各種主體材料之組合進行研究。又,專利文獻4中記載有如下情況:於有機EL元件之發光層中,作為複數種主體材料,將聯三伸苯化合物與吲哚咔唑化合物組合使用。
然而,對於有機EL元件期望進一步之長壽命化。
[專利文獻1]WO2011/132683號公報
[專利文獻2]WO2011/132684號公報
[專利文獻3]WO2011/155507號公報
[專利文獻4]WO2011/136755號公報
本發明之課題在於提供一種長壽命之有機電致發光元件。
本發明者等人為達成上述目的而反覆進行銳意研究,結果發現,使用特定結構之聯三伸苯衍生物作為發光層之第一主體,並使用具有咔唑衍生物結構及含氮雜芳環兩者之化合物作為該發光層之第二主體,藉此發光層中之載子平衡提高,發光層中之極性部位之比率減少,故可實現有機EL元件之長壽命化;以至完成本發明。
即,本發明係提供以下之發明者。
1.一種有機電致發光元件,其特徵在於:其係於陽極與陰極之間至少具備發光層者,且該發光層含有下述式(A)所表示之第一主體材料、下述式(1)所表示之第二主體材料、及發光材料,
[式(A)中,L表示單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~30之2價芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之2價雜環基、成環碳數5~30之伸環烷基、或者該等基連結而成之基;R1、R2、R3、R4及R5分別獨立地表示經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基、胺基、或鹵素原子;於存在複數個R1、R2、R3、R4及R5之情形時,複數個R1、R2、R3、R4及R5各自相互可相同亦可不同;又,相鄰之R1~R5亦可相互鍵結而形成環;X表示S、O、或NR6;R6表示經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取
代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基;n1及n4分別獨立地表示0~3之整數;n2、n3及n5分別獨立地表示0~4之整數]
[式(1)中,Z1表示a上所縮合之下述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構;Z2表示b上所縮合之下述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構;其中,Z1和Z2中之至少任一者由下述式(1-1)表示;M1為經取代或未經取代之成環原子數5~30之含氮雜芳環,L1表示單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~30之2價芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之2價雜環基、或者該等基連結而成之基;k表示1或2]
[上述式(1-1)中,c表示縮合於上述式(1)之a或b;於上述(1-2)中,d、e及f中之任一者表示縮合於上述式(1)之a或b;於上述式(1-1)及(1-2)中,X11表示硫原子、氧原子、或CR19R20;R11~R20分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基;又,相鄰之R11~R20亦可相互鍵結而形成環]。
2.如上述1之有機電致發光元件,其中上述第二主體材料由下述式(2)表示,
[式(2)中,Z1表示a上所縮合之上述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構;Z2表示b上所縮合之上述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構;其中,Z1和Z2中之至少任一者由上述式(1-1)表示;
L1與上述式(1)中之L1同義;X12~X14分別獨立地為氮原子、CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子,X12~X14中之至少1者為氮原子;Y11~Y13分別獨立地表示CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子;R31分別獨立地表示鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基;於存在複數個R31之情形時,複數個R31相互可相同亦可不同,又,相鄰之R31亦可相互鍵結而形成環;k表示1或2,n表示0~4之整數;上述式(1-1)中之c縮合於上述式(2)之a或b,上述式(1-2)中之d、e及f中之任一者縮合於上述式(2)之a或b]。
3.如上述1或2之有機電致發光元件,其中上述第二主體材料由下述式(3)表示,
[式(3)中,L1與上述式(1)中之L1同義;X12~X14分別獨立地為氮原子、CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子,X12~X14中之至少1者為氮原子;Y11~Y13分別獨立地表示CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子;R31分別獨立地表示鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基;於存在複數個R31之情形時,複數個R31相互可相同亦可不同,又,相鄰之R31亦可相互鍵結而形成環;n表示0~4之整數;R41~R48分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基;又,相鄰之R41~R48亦可相互鍵結而形成環]。
4.如上述1至3中任一項之有機電致發光元件,其中上述第二主體
材料由下述式(4)表示,
[式(4)中,L1與上述式(1)中之L1同義;X12~X14分別獨立地為氮原子、CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子,X12~X14中之至少1者為氮原子;Y11~Y13分別獨立地表示CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子;R31分別獨立地表示鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基;於存在複數個R31之情形時,複數個R31相互可相同亦可不同,又,相鄰之R31亦可相互鍵結而形成環;
n表示0~4之整數;L2及L3分別獨立地表示單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~30之2價芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之2價雜環基、成環碳數5~30之伸環烷基、或者該等基連結而成之基;R51~R54分別獨立地表示鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基;於存在複數個R51之情形時,複數個R51相互可相同亦可不同,又,相鄰之R51亦可相互鍵結而形成環;於存在複數個R52之情形時,複數個R52相互可相同亦可不同,又,相鄰之R52亦可相互鍵結而形成環;於存在複數個R53之情形時,複數個R53相互可相同亦可不同,又,相鄰之R53亦可相互鍵結而形成環;於存在複數個R54之情形時,複數個R51相互可相同亦可不同,又,相鄰之R54亦可相互鍵結而形成環;M2表示經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基;p及s分別獨立地表示0~4之整數,q及r分別獨立地表示0~3之整數]。
5.如上述2至4中任一項之有機電致發光元件,其中R31之至少1者為經氰基取代之成環碳數6~30之芳香族烴基。
6.如上述1至5中任一項之有機電致發光元件,其中於式(A)中,X為S或O。
7.如上述1至6中任一項之有機電致發光元件,其中上述發光材料含有作為選自銥(Ir)、鋨(Os)及鉑(Pt)中之金屬原子之鄰位金屬化錯合物的磷光發光材料。
8.如上述7之有機電致發光元件,其中上述磷光發光材料之發光峰波長為490nm以上且700nm以下。
根據本發明,可提供一種長壽命之有機電致發光元件。
1‧‧‧有機電致發光元件
2‧‧‧基板
3‧‧‧陽極
4‧‧‧陰極
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電洞注入/傳輸層
7‧‧‧電子注入/傳輸層
10‧‧‧有機薄膜層(發光單元)
圖1係表示本發明之有機EL元件之一例之概略剖面圖。
本發明之有機電致發光元件(以下,有時簡稱為「有機EL元件」)之特徵在於:於陽極與陰極之間至少具備發光層,且該發光層含有下述式(A)所表示之第一主體材料、下述之式(1)所表示之第二主體材料、及發光材料。
[式(A)中,
L表示單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~30之2價芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之2價雜環基、成環碳數5~30之伸環烷基、或者該等基連結而成之基。
R1、R2、R3、R4及R5分別獨立地表示經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基、胺基、或鹵素原子。
於存在複數個R1、R2、R3、R4及R5之情形時,複數個R1、R2、R3、R4及R5各自相互可相同亦可不同。又,相鄰之R1~R5亦可相互鍵結而形成環。
X表示S、O、或NR6。
R6表示經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基。
n1及n4分別獨立地表示0~3之整數。
n2、n3及n5分別獨立地表示0~4之整數]。
n1及n4分別較佳為0~2之整數,n2、n3及n5分別較佳為0~2之整數。
上述X較佳為S或O。
作為上述R1~R6所示之成環碳數6~30之芳香族烴基,可列舉非
縮合芳香族烴基及縮合芳香族烴基,更具體而言,可列舉:苯基、萘基、菲基、聯苯基、聯三苯基(terphenyl)、聯四苯基、茀蒽基、聯三苯基(triphenylenyl)、菲基、茀基、螺茀基、9,9-二苯基茀基、9,9'-螺二[9H-茀]-2-基、9,9-二甲基茀基、苯并[c]菲基、苯并[a]聯三苯(triphenylenyl)基、萘并[1,2-c]菲基、萘并[1,2-a]聯三苯(triphenylenyl)基、二苯并[a,c]聯三苯(triphenylenyl)基、苯并[b]茀蒽基等,較佳為苯基、萘基、聯苯基、聯三苯基(terphenyl)、菲基、聯三苯基(triphenylenyl)、茀基、螺二茀基、茀蒽基,進而較佳為苯基、1-萘基、2-萘基、聯苯-2-基、聯苯-3-基、聯苯-4-基、菲-9-基、菲-3-基、菲-2-基、聯三伸苯-2-基、9,9-二甲基茀-2-基、螢蒽-3-基。
作為上述L所示之成環碳數6~30之2價芳香族烴基,可列舉使上述成環碳數6~30之芳香族烴基中所列舉之基為2價而成者,較佳為伸苯基、伸聯苯基(biphenylene)、伸聯三苯基(terphenylene)、茀二基。
作為上述R1~R6所示之成環原子數5~30之雜環基,可列舉非縮合雜環基及縮合雜環基,更具體而言,可列舉由吡咯環、異吲哚環、苯并呋喃環、異苯并呋喃環、二苯并噻吩環、異喹啉環、喹喏啉環、啡啶環、啡啉環、吡啶環、吡環、嘧啶環、嗒環、三環、吲哚環、喹啉環、吖啶環、吡咯啶環、二烷環、哌啶環、啉環、哌環、咔唑環、呋喃環、噻吩環、唑環、二唑環、苯并唑環、噻唑環、噻二唑環、苯并噻唑環、三唑環、咪唑環、苯并咪唑環、吡喃環、二苯并呋喃環、苯并[c]二苯并呋喃環及該等之衍生物形成之基等,較佳為由二苯并呋喃環、咔唑環、二苯并噻吩環及該等之衍生物形成之基,進而較佳為二苯并呋喃-2-基、二苯并呋喃-4-基、9-苯基咔唑-3-基、9-苯基咔唑-2-基、二苯并噻吩-2-基、二苯并噻吩-4-基。
作為上述L所示之成環原子數5~30之2價雜環基,可列舉使上述成環原子數5~30之雜環基中所列舉之基為2價而成者。
作為上述L所示之成環原子數5~30之伸環烷基,可列舉:伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基等。
作為上述R1~R6所示之碳數1~30之烷基之例,可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、1-甲基戊基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基、金剛烷基等,較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、環戊基、環己基。
作為上述R1~R6所示之碳數2~30之烯基之例,可列舉:乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1,3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、苯乙烯基、2,2-二苯基乙烯基、1,2-二苯基乙烯基、1-甲基烯丙基、1,1-二甲基烯丙基、2-甲基烯丙基、1-苯基烯丙基、2-苯基烯丙基、3-苯基烯丙基、3,3-二苯基烯丙基、1,2-二甲基烯丙基、1-苯基-1-丁烯基、3-苯基-1-丁烯基等。
作為上述R1~R6所示之碳數2~30之炔基之例,可列舉乙炔基、丙炔基等。
作為上述R1~R6所示之成環碳數6~30之芳烷基之例,可列舉:苄基、2-苯基丙-2-基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基-第三丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、對甲基苄基、間甲基苄基、鄰甲基苄基、對氯苄基、間氯苄基、鄰氯苄基、對溴苄基、間溴苄基、鄰溴苄基、對碘苄基、間碘苄基、鄰碘苄基、對羥基苄基、間羥基苄基、鄰羥基苄基、對胺基苄基、間胺基苄基、鄰胺基苄基、對硝基苄基、間硝基苄
基、鄰硝基苄基、對氰基苄基、間氰基苄基、鄰氰基苄基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯基異丙基等。
作為上述R1~R5所示之碳數1~30之烷氧基之例,可列舉具有上述烷基之例作為烷氧基之烷基部位之例。
作為上述R1~R5所示之碳數6~30之芳氧基之例,可列舉具有上述芳香族烴基之例作為芳氧基之芳基部位之例。
作為上述R1~R5所示之碳數3~30之烷基矽烷基之例,可列舉:三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丁基矽烷基、二甲基乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙烯基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二甲基丙基矽烷基、二甲基丁基矽烷基、二甲基第三丁基矽烷基、二乙基異丙基矽烷基、苯基二甲基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、二苯基第三丁基矽烷基、三苯基矽烷基等,較佳為三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙烯基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基。
作為上述R1~R5所示之成環碳數6~30之芳基矽烷基之例,例如可列舉:苯基二甲基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、二苯基第三丁基矽烷基、三苯基矽烷基等。
作為上述R1~R5所示之鹵素原子,例如可列舉:氟、氯、溴、碘等,較佳為氟。
作為上述及下述之「經取代或未經取代」及「可具有取代基」之情形的任意之取代基,可列舉:鹵素原子(氟、氯、溴、碘)、氰基、碳數1~20(較佳為1~6)之烷基、碳數3~20(較佳為5~12)之環烷基、碳數1~20(較佳為1~5)之烷氧基、碳數1~20(較佳為1~5)之鹵烷基、碳數1~20(較佳為1~5)之鹵烷氧基、碳數1~10(較佳為1~5)之烷基矽烷基、成環碳數6~30(較佳為6~18)之芳香族烴基、成環碳數6~30(較佳為6~18)之芳氧基、碳數6~30(較佳為6~18)之芳基矽
烷基、碳數7~30(較佳為7~20)之芳烷基、及成環原子數5~30之(較佳為5~18)雜芳基。
作為可用作上述任意之取代基之碳數1~20之烷基的具體例,可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、1-甲基戊基等。
作為可用作上述任意之取代基之碳數3~20之環烷基的具體例,可列舉:環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基、金剛烷基等。
作為可用作上述任意之取代基之碳數1~20之烷氧基的具體例,可列舉烷基部位為上述烷基之基。
作為可用作上述任意之取代基之碳數1~20之鹵烷基的具體例,可列舉上述烷基之一部分或全部之氫原子經鹵素原子取代之基。
作為可用作上述任意之取代基之碳數1~20之鹵烷氧基的具體例,可列舉上述烷氧基之一部分或全部之氫原子經鹵素原子取代之基。
作為可用作上述任意之取代基之碳數1~10之烷基矽烷基的具體例,可列舉:三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丁基矽烷基、二甲基乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、乙烯基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二甲基丙基矽烷基、二甲基丁基矽烷基、二甲基第三丁基矽烷基、二乙基異丙基矽烷基等。
作為可用作上述任意之取代基之成環碳數6~30之芳香族烴基的具體例,可列舉與上述L及R1~R6所示之芳香族烴基相同者。
作為可用作上述任意之取代基之成環碳數6~30之芳氧基的具體例,可列舉芳基部位為上述芳香族烴基之基。
作為可用作上述任意之取代基之碳數6~30之芳基矽烷基的具體
例,可列舉:苯基二甲基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、二苯基第三丁基矽烷基、三苯基矽烷基等。
作為可用作上述任意之取代基之碳數7~30之芳烷基的具體例,可列舉:苄基、2-苯基丙-2-基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基-第三丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基、1-吡咯基甲基、2-(1-吡咯基)乙基、對甲基苄基、間甲基苄基、鄰甲基苄基、對氯苄基、間氯苄基、鄰氯苄基、對溴苄基、間溴苄基、鄰溴苄基、對碘苄基、間碘苄基、鄰碘苄基、對羥基苄基、間羥基苄基、鄰羥基苄基、對胺基苄基、間胺基苄基、鄰胺基苄基、對硝基苄基、間硝基苄基、鄰硝基苄基、對氰基苄基、間氰基苄基、鄰氰基苄基、1-羥基-2-苯基異丙基、1-氯-2-苯基異丙基等。
作為可用作上述任意之取代基之成環原子數5~30之雜芳基的具體例,可列舉與上述L及R1~R6所示之雜環基相同者。
作為上述任意之取代基,較佳為氟原子、氰基、碳數1~20之烷基、成環碳數6~30之芳香族烴基、成環原子數5~30之雜芳基,更佳為氟原子、苯基、萘基、聯苯基、聯三苯基(terphenyl)、菲基、聯三苯基(triphenylenyl)、茀基、螺二茀基、茀蒽基、由二苯并呋喃環、咔唑環、二苯并噻吩環及該等之衍生物形成之基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、環戊基、環己基。
上述任意之取代基亦可進而具有取代基,其具體例與上述任意之取代基相同。
再者,於本說明書中,「經取代或未經取代之碳數a~b之X基」之表述中之「碳數a~b」表示X基未經取代之情形的碳數,並不包括
X基經取代之情形之取代基之碳數。
又,於本發明中,所謂氫原子,包括中子數不同之同位素,即氕(protium)、氘(deuterium)、氚(tritium)。
以下,記載第一主體材料之具體例,但本發明之化合物並不限定於下述化合物。
本發明之有機EL元件之發光層所含有之第二主體材料為下述式(1)所表示的化合物。藉由將上述式(A)所表示之第一主體材料與下述式(1)所表示之第二主體材料組合而用於發光層,可謀求有機EL元件之長壽命化。
[式(1)中,Z1表示a上所縮合之下述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構。Z2表示b上所縮合之下述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構。其中,Z1和Z2中之至少任一者由下述式(1-1)表示。
M1為經取代或未經取代之成環原子數5~30之含氮雜芳環,L1表示單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~30之2價芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之2價雜環基、成環碳數5~30之伸環烷基、或者該等基連結而成之基。
k表示1或2]。
[上述式(1-1)中,c表示縮合於上述式(1)之a或b。
於上述式(1-2)中,d、e及f中之任一者表示縮合於上述式(1)之a或b。
於上述式(1-1)及(1-2)中,X11表示硫原子、氧原子、或CR19R20。
R11~R20分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔
基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基。
又,相鄰之R11~R20亦可相互鍵結而形成環]。
上述式(1)中M1所表示之「含氮雜芳環」中含有吖環。
作為上述式(1)中M1所表示之含氮雜芳環,可列舉:吡啶、嘧啶、吡、三、氮丙啶、氮雜吲哚、吲哚、咪唑、吲哚、異吲哚、吲唑、嘌呤、喋啶、β-咔啉、萘啶、喹喏啉、三聯吡啶、聯吡啶、吖啶、啡啉、啡、咪唑并吡啶等,特佳為吡啶、嘧啶、三,又,上述式(1)較佳為下述式(2)所表示之結構。
[式(2)中,Z1表示a上所縮合之上述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構。Z2表示b上所縮合之上述式(1-1)或(1-2)所表示之環結構。其中,Z1和Z2中之至少任一者由上述式(1-1)表示。
L1與上述式(1)中之L1同義。
X12~X14分別獨立地為氮原子、CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子,X12~X14中之至少1者為氮原子。
Y11~Y13分別獨立地表示CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子。
R31分別獨立地表示鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之
碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基。
於存在複數個R31之情形時,複數個R31相互可相同亦可不同,又,相鄰之R31亦可相互鍵結而形成環。
k表示1或2,n表示0~4之整數。
上述式(1-1)中之c縮合於上述式(2)之a或b,上述式(1-2)中之d、e及f中之任一者縮合於上述式(2)之a或b]。
此處,作為於上述式(2)中之a、b上縮合有上述式(1-1)及(2-2)的化合物,可列舉下述式所表示者。
上述式(1)、(2)所表示之化合物進而更佳為下述式(3)所表示者,特佳為下述式(4)所表示者。
[式(3)中,L1與上述式(1)中之L1同義。
X12~X14分別獨立地為氮原子、CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子,X12~X14中之至少1者為氮原子。
Y11~Y13分別獨立地表示CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子。
R31與上述式(2)中之R31同義。
於存在複數個R31之情形時,複數個R31相互可相同亦可不同,又,相鄰之R31亦可相互鍵結而形成環。
n表示0~4之整數。
R41~R48分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代
或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基。
又,相鄰之R41~R48亦可相互鍵結而形成環]。
[式(4)中,L1與上述式(1)中之L1同義。
X12~X14分別獨立地為氮原子、CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子,X12~X14中之至少1者為氮原子。
Y11~Y13分別獨立地表示CH、或者與R31或L1鍵結之碳原子。
R31與上述式(2)中之R31同義。
於存在複數個R31之情形時,複數個R31相互可相同亦可不同,又,相鄰之R31亦可相互鍵結而形成環。
n表示0~4之整數。
L2及L3分別獨立地表示單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~30之2價芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之2價雜環基、成環碳數5~30之伸環烷基、或者該等基連結而成之基。
R51~R54分別獨立地表示鹵素原子、氰基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷基、經取代或未經取
代之碳數2~30之烯基、經取代或未經取代之碳數2~30之炔基、經取代或未經取代之碳數3~30之烷基矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳基矽烷基、經取代或未經取代之碳數1~30之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳烷基、或者經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳氧基。
於存在複數個R51之情形時,複數個R51相互可相同亦可不同,又,相鄰之R51亦可相互鍵結而形成環。
於存在複數個R52之情形時,複數個R52相互可相同亦可不同,又,相鄰之R52亦可相互鍵結而形成環。
於存在複數個R53之情形時,複數個R53相互可相同亦可不同,又,相鄰之R53亦可相互鍵結而形成環。
於存在複數個R54之情形時,複數個R51相互可相同亦可不同,又,相鄰之R54亦可相互鍵結而形成環。
M2表示經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數5~30之雜環基。
p及s分別獨立地表示0~4之整數,q及r分別獨立地表示0~3之整數]。
於上述式(2)~(4)中,R31之至少1者較佳為經取代或未經取代之成環碳數6~30之芳香族烴基,更佳為經氰基取代之成環碳數6~30之芳香族烴基。作為經氰基取代之成環碳數6~30之芳香族烴基,較佳為經氰基取代之苯基、經氰基取代之萘基、經氰基取代之菲基、經氰基取代之二苯并呋喃基、經氰基取代之二苯并噻吩基、經氰基取代之聯苯基、經氰基取代之聯三苯基(terphenyl)、經氰基取代之9,9-二苯基茀基、經氰基取代之9,9'-螺二[9H-茀]-2-基、經氰基取代之9,9'-二甲基茀基、或者經氰基取代之聯三苯基(triphenylenyl)。
上述式(1)~(4)、(1-1)及(1-2)中,M2、R11~R20、R31、R41~R48
及R51~R54所表示之各基之例與上述式(A)之R1~R6所表示之化合物處已說明之基相同。
作為上述式(1)~(4)中之L1~L3所表示之成環碳數6~30之2價芳香族烴基、成環原子數5~30之2價雜環基,可列舉對應於上述式(A)之L所表示之化合物處已說明之基之2價的基。
作為上述式(1)~(4)中任一者所表示之化合物之例,可列舉以下。再者,以下之結構式中,其末端未記載化學式(CN、苯環等)之鍵表示甲基。
本發明之有機EL元件亦可具有電洞傳輸層、發光層、間隔層、及障壁層等,該等亦可含有與上述之第一主體材料或第二主體材料相同之化合物。
又,作為發光層含有之發光材料,可列舉螢光發光材料及磷光發光材料,較佳為磷光發光材料。
本發明之有機EL元件可為螢光或磷光發光型之單色發光元件,亦可為螢光/磷光混合型之白色發光元件,可為具有單獨之發光單元之簡易型,亦可為具有複數個發光單元之串聯型,其中,較佳為磷光發光型。此處,所謂「發光單元」,係指含有一層以上之有機層、其中一層為發光層、且可藉由所注入之電洞與電子再結合而進行發光的
最小單位。
因此,作為簡易型有機EL元件之代表性元件構成,可列舉以下之元件構成。
又,上述發光單元亦可為具有複數層磷光發光層或螢光發光層之積層型,該情形時,為防止磷光發光層中生成之激子向螢光發光層擴散,各發光層之間可具有間隔層。將發光單元之代表性層構成示於以下。
(a)電洞傳輸層/發光層(/電子傳輸層)
(b)電洞傳輸層/第一磷光發光層/第二磷光發光層(/電子傳輸層)
(c)電洞傳輸層/磷光發光層/間隔層/螢光發光層(/電子傳輸層)
(d)電洞傳輸層/第一磷光發光層/第二磷光發光層/間隔層/螢光發光層(/電子傳輸層)
(e)電洞傳輸層/第一磷光發光層/間隔層/第二磷光發光層/間隔層/螢光發光層(/電子傳輸層)
(f)電洞傳輸層/磷光發光層/間隔層/第一螢光發光層/第二螢光發光層(/電子傳輸層)
(g)電洞傳輸層/電子障壁層/發光層(/電子傳輸層)
(h)電洞傳輸層/發光層/電洞障壁層(/電子傳輸層)
(i)電洞傳輸層/螢光發光層/三重態障壁層(/電子傳輸層)
上述各磷光或螢光發光層可設為分別顯示互不相同之發光色者。具體而言,於上述積層發光層(d)中,可列舉電洞傳輸層/第一磷光發光層(紅色發光)/第二磷光發光層(緑色發光)/間隔層/螢光發光層(藍色發光)/電子傳輸層之層構成等。
再者,於各發光層與電洞傳輸層或間隔層之間,亦可適當設置電子障壁層。又,於各發光層與電子傳輸層之間,亦可適當設置電洞
障壁層。藉由設置電子障壁層或電洞障壁層,可將電子或電洞封入發光層內,提高發光層中之電荷之再結合機率,從而提高發光效率。
作為串聯型有機EL元件之代表性元件構成,可列舉以下之元件構成。
此處,作為上述第一發光單元及第二發光單元,例如可分別獨立地選擇與上述之發光單元相同者。
上述中間層通常亦被稱為中間電極、中間導電層、電荷產生層、去電子層、連接層、中間絕緣層,可使用向第一發光單元供給電子、向第二發光單元供給電洞之公知之材料構成。
圖1中表示本發明之有機EL元件之一例之概略構成。有機EL元件1具有:基板2、陽極3、陰極4、及配置於該陽極3與陰極4之間之發光單元10。發光單元10具有發光層5,該發光層5包含含有上述第一主體材料、第二主體材料、及發光材料之至少1層。於發光層5與陽極3之間亦可形成電洞注入/傳輸層6等,於發光層5與陰極4之間亦可形成電子注入/傳輸層7等。又,亦可分別於發光層5之陽極3側設置電子障壁層,於發光層5之陰極4側設置電洞障壁層。藉此,可將電子或電洞封入發光層5中,而提高發光層5中之激子之生成機率。
再者,於本說明書中,將與螢光摻雜劑組合之主體稱為螢光主體,將與磷光摻雜劑組合之主體稱為磷光主體。螢光主體與磷光主體並非僅由分子結構區分。即,所謂磷光主體,表示構成含有磷光摻雜劑之磷光發光層之材料,並不表示無法用作構成螢光發光層之材料。螢光主體亦相同。
本發明之有機EL元件係於透光性基板上進行製作。透光性基板為支持有機EL元件之基板,較佳為400nm~700nm之可見光區域之
光之透過率為50%以上且平滑的基板。具體而言,可列舉玻璃板、聚合物板等。作為玻璃板,尤其可列舉使用鈉鈣玻璃、含鋇/鍶之玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等作為原料而成者。又,作為聚合物板,可列舉使用聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚硫醚、聚碸等作為原料而成者。
有機EL元件之陽極承擔將電洞注入電洞傳輸層或發光層中之作用,使用具有4.5eV以上之功函數者較為有效。作為陽極材料之具體例,可列舉:氧化銦錫合金(ITO)、氧化錫(NESA)、氧化銦鋅、金、銀、鉑、銅等。陽極可藉由以蒸鍍法或濺鍍法等方法使該等電極物質形成薄膜而製作。於自陽極擷取來自發光層之發光之情形時,較佳為使陽極之可見光區域之光之透過率大於10%。又,陽極之薄片電阻較佳為數百Ω/□以下。陽極之膜厚雖亦取決於材料,但通常於10nm~1μm、較佳為10nm~200nm之範圍內進行選擇。
陰極承擔將電子注入至電子注入層、電子傳輸層或發光層中之作用,較佳為由功函數較小之材料形成。陰極材料並無特別限定,具體而言,可使用銦、鋁、鎂、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、鋁-鋰合金、鋁-鈧-鋰合金、鎂-銀合金等。陰極亦與陽極相同地,可藉由利用蒸鍍法或濺鍍法等方法形成薄膜而製作。又,亦可根據需要而自陰極側擷取發光。
發光層為具有發光功能之有機層,由1層或複數層形成,其中1層如上述般含有第一主體材料、第二主體材料及發光材料。
發光層包含複數層之情形時,關於上述以外之發光層,於採用摻雜系統之情形時,含有主體材料與摻雜材料。此時,主體材料主要
具有促進電子與電洞之再結合、並將激子封入發光層內的功能,摻雜材料具有使由再結合而獲得之激子高效地發光之功能。
於磷光元件之情形時,主體材料主要具有將摻雜劑中生成之激子封入發光層內之功能。
發光層中之第一主體材料與第二主體材料之含有比率並無特別限定,可進行適當調整,較佳為以質量比計為第一主體材料:第二主體材料=1:99~99:1之範圍內,更佳為10:90~90:10之範圍內。
本實施形態之有機EL元件將上述式(A)所表示之第一主體材料與上述式(1)所表示之第二主體材料進行組合而用於發光層,藉此可謀求有機EL元件之長壽命化。可認為其原因在於:將特定之第一主體材料與第二主體材料混合,藉此發光層中之載波平衡提高,發光層中之極性部位之比率減少,藉此取得進一步長壽命化之效果。
上述發光層亦可採用藉由加入二種以上量子產率較高之摻雜材料而各摻雜劑發光的雙摻雜劑。具體而言,可列舉藉由共蒸鍍主體、紅色摻雜劑及緑色摻雜劑而使發光層共用化而實現黃色發光的態樣。
上述發光層藉由設為積層複數層發光層而成之積層體,可使電子與電洞蓄積於發光層界面,使再結合區域集中於發光層界面,而提高量子效率。
向發光層之電洞注入容易度與電子注入容易度亦可不同,又,發光層中之電洞與電子之遷移率所表示之電洞傳輸能力與電子傳輸能力亦可不同。
發光層例如可藉由蒸鍍法、旋轉塗佈法、LB法(Langmuir Blodgett Method,朗謬-布洛傑法)等公知之方法而形成。又,亦可藉由將溶劑中溶解有樹脂等之黏合劑與材料化合物之溶液利用旋轉塗佈法等進行薄膜化,而形成發光層。
發光層較佳為分子堆積膜。所謂分子堆積膜,係指由氣相狀態
之材料化合物沈積而形成之薄膜,或由溶液狀態或液相狀態之材料化合物固體化而形成之膜,通常該分子堆積膜與利用LB法形成之薄膜(分子累積膜)可根據凝聚結構、高次結構之差異、或由此引起之功能上之差異進行區分。
發光層中之第一主體材料與第二主體材料之含有比率並無特別限定,可進行適當調整,較佳為以質量比計為第一主體材料:第二主體材料=1:99~99:1之範圍內,更佳為10:90~90:10之範圍內。
形成發光層之磷光摻雜劑(磷光發光材料)為可由三重激發態進行發光之化合物,只要由三重激發態進行發光則無特別限定,較佳為含有選自Ir、Pt、Os、Au、Cu、Re及Ru中之至少1種金屬與配位子之有機金屬錯合物。上述配位子較佳為具有鄰位金屬鍵。就磷光量子產率較高而可進一步提高發光元件之外部量子效率方面而言,較佳為含有選自Ir、Os及Pt中之金屬原子之金屬錯合物,更佳為銥錯合物、鋨錯合物、鉑錯合物等金屬錯合物,特別是鄰位金屬化錯合物更佳,進而較佳為銥錯合物及鉑錯合物,特佳為鄰位金屬化銥錯合物。
磷光摻雜劑於發光層中之含量並無特別限制,可根據目的適當進行選擇,例如較佳為0.1~70質量%,更佳為1~30質量%。若磷光摻雜劑之含量為0.1質量%以上,則獲得充分之發光,若為70質量%以下,則可避免濃度淬滅。
將作為磷光摻雜劑之較佳有機金屬錯合物之具體例示於以下。
磷光摻雜材料可單獨使用,亦可併用2種以上。
發光層所含有之磷光摻雜材料之發光波長並無特別限定,但發光層所含有之上述磷光摻雜材料中之至少1種較佳為發光波長之峰值為490nm以上且700nm以下,更佳為490nm以上且650nm以下。
磷光主體為具有藉由將磷光摻雜劑之三重態能量高效地封入發光層內而使磷光摻雜劑高效地發光之功能的化合物。本發明之有機
EL元件亦可根據上述目的適當選擇上述第一主體材料及第二主體材料以外之化合物作為磷光主體。
亦可將上述第一主體材料及第二主體材料與該等以外之化合物併用作同一發光層內之磷光主體材料,於存在複數層發光層之情形時,亦可使用上述第一主體材料及第二主體材料作為其中一層發光層之磷光主體材料,並使用上述第一主體材料或第二主體材料以外之化合物作為另一層發光層之磷光主體材料。又,上述第一主體材料及第二主體材料亦可用於發光層以外之有機層。
上述第一主體材料及第二主體材料以外之化合物中,作為磷光主體較佳之化合物的具體例,可列舉:咔唑衍生物、三唑衍生物、唑衍生物、二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、經胺基取代之查耳酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、矽氮烷衍生物、芳香族三級胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二亞甲基系化合物、卟啉系化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、聯苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二醯亞胺衍生物、亞茀基甲烷衍生物、二苯乙烯吡衍生物、萘苝等之雜環四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羥喹啉衍生物之金屬錯合物或金屬酞菁、以苯并唑或苯并噻唑為配位子之金屬錯合物所代表之各種金屬錯合物聚矽烷系化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等導電性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚茀衍生物等高分子化合物等。上述第一主體材料及第二主體材料以外之磷光主體可單獨使用,亦可併用2種以上。作為具體例,可列舉如下所述之化合物。
發光層之膜厚較佳為5~50nm,更佳為7~50nm,進而較佳為10~50nm。若為5nm以上,則容易形成發光層,若為50nm以下,則可避免驅動電壓之上升。
本發明之有機EL元件亦較佳為於陰極與發光單元之界面區域具有供電子性摻雜劑。根據此種構成,謀求有機EL元件之發光亮度之提高及長壽命化。此處,所謂供電子性摻雜劑,係指含有功函數3.8eV以下之金屬者,作為其具體例,可列舉選自鹼金屬、鹼金屬錯合物、鹼金屬化合物、鹼土金屬、鹼土金屬錯合物、鹼土金屬化合物、稀土金屬、稀土金屬錯合物、及稀土金屬化合物等中之至少一種。
作為鹼金屬,可列舉:Na(功函數:2.36eV)、K(功函數:2.28eV)、Rb(功函數:2.16eV)、Cs(功函數:1.95eV)等,特佳為功函數為2.9eV以下者。該等中較佳為K、Rb、Cs,進而較佳為Rb或Cs,最佳為Cs。作為鹼土金屬,可列舉:Ca(功函數:2.9eV)、Sr(功函數:2.0eV~2.5eV)、Ba(功函數:2.52eV)等,特佳為功函數為2.9eV以下者。作為稀土金屬,可列舉:Sc、Y、Ce、Tb、Yb等,特佳為功函數為2.9eV以下者。
作為鹼金屬化合物,可列舉Li2O、Cs2O、K2O等鹼金屬氧化物,
LiF、NaF、CsF、KF等鹼金屬鹵化物等,較佳為LiF、Li2O、NaF。作為鹼土金屬化合物,可列舉BaO、SrO、CaO及該等混合而成之BaxSr1-xO(0<x<1)、BaxCa1-xO(0<x<1)等,較佳為BaO、SrO、CaO。作為稀土金屬化合物,可列舉:YbF3、ScF3、ScO3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3等,較佳為YbF3、ScF3、TbF3。
作為鹼金屬錯合物、鹼土金屬錯合物、稀土金屬錯合物,只要為分別含有鹼金屬離子、鹼土金屬離子、稀土金屬離子之至少一者作為金屬離子者,則無特別限定。又,配位子方面,較佳為羥喹啉、苯并羥喹啉、吖啶醇、菲啶酮、羥基苯基唑、羥基苯基噻唑、羥基二芳基二唑、羥基二芳基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯并三唑、羥基氟硼烷、聯吡啶、啡啉、酞菁、卟啉、環戊二烯、β-二酮類、甲亞胺類、及該等之衍生物等,但並不限定於該等。
作為供電子性摻雜劑之添加形態,較佳為於界面區域形成為層狀或島狀。作為形成方法,較佳為如下方法:一面利用電阻加熱蒸鍍法蒸鍍供電子性摻雜劑,一面同時蒸鍍形成界面區域之有機化合物(發光材料或電子注入材料),而使供電子性摻雜劑分散於有機化合物中。分散濃度以莫耳比計為有機化合物:供電子性摻雜劑=100:1~1:100,較佳為5:1~1:5。
將供電子性摻雜劑形成為層狀之情形時,將作為界面之有機層之發光材料或電子注入材料形成為層狀後,利用電阻加熱蒸鍍法單獨蒸鍍還原摻雜劑,較佳為以層之厚度0.1nm~15nm形成。將供電子性摻雜劑形成為島狀之情形時,將作為界面之有機層之發光材料或電子注入材料形成為島狀後,利用電阻加熱蒸鍍法單獨蒸鍍供電子性摻雜劑,較佳為以島之厚度0.05nm~1nm形成。
本發明之有機EL元件中,主成分與供電子性摻雜劑之比率以莫
耳比計,較佳為主成分:供電子性摻雜劑=5:1~1:5,進而較佳為2:1~1:2。
電子傳輸層為形成於發光層與陰極之間之有機層,具有將電子自陰極向發光層傳輸之功能。電子傳輸層由複數層構成之情形時,存在將鄰近陰極之有機層定義為電子注入層之情況。電子注入層具有將電子高效地自陰極注入至有機層單元中之功能。
作為電子傳輸層所使用之電子傳輸性材料,可較佳地使用於分子內含有1個以上雜原子之芳香族雜環化合物,特佳為含氮環衍生物。又,作為含氮環衍生物,較佳為具有含氮6員環或5員環骨架之芳香族環、或具有含氮6員環或5員環骨架之縮合芳香族環化合物。
作為該含氮環衍生物,例如較佳為下述式(AA)所表示之含氮環金屬螯合錯合物。
式(AA)中之R2~R7分別獨立地為氫原子、鹵素原子、羥基、胺基、碳數1~40之烴基、碳數1~40之烷氧基、碳數6~50之芳氧基、烷氧羰基、或者成環碳數5~50之芳香族雜環基,該等亦可經取代。
作為鹵素原子,例如可列舉:氟、氯、溴、碘等。
作為亦可經取代之胺基之例,可列舉:烷基胺基、芳基胺基、芳烷基胺基。
烷基胺基及芳烷基胺基表示為-NQ1Q2。Q1及Q2分別獨立地表示碳數1~20之烷基或碳數7~30之芳烷基。Q1及Q2之一者亦可為氫原子。
芳基胺基表示為-NAr1Ar2,Ar1及Ar2分別獨立地表示碳數6~50之非縮合芳香族烴基或縮合芳香族烴基。Ar1及Ar2之一者亦可為氫原子。
碳數1~40之烴基包括烷基、烯基、環烷基、芳基、及芳烷基。
烷氧羰基表示為-COOY',Y'表示碳數1~20之烷基。
式(AA)中之M為鋁(Al)、鎵(Ga)或銦(In),較佳為In。
式(AA)中之L為下述式(A')或(A")所表示之基。
式(A')中,R8~R12分別獨立地為氫原子、或者經取代或未經取代之碳數1~40之烴基,相互鄰接之基亦可形成環狀結構。又,上述式(A")中,R13~R27分別獨立地為氫原子、或者經取代或未經取代之碳數1~40之烴基,相互鄰接之基亦可形成環狀結構。
式(A')及式(A")之R8~R12及R13~R27所示之碳數1~40之烴基與上述式(A)中之R2~R7所示之烴基相同。又,作為R8~R12及R13~R27之
相互鄰接之基形成環狀結構之情形的2價基,可列舉:四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、二苯基甲烷-2,2'-二基、二苯基乙烷-3,3'-二基、二苯基丙烷-4,4'-二基等。
作為電子傳輸層所使用之電子傳遞性化合物,較佳為8-羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物、二唑衍生物、含氮雜環衍生物。作為上述8-羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物之具體例,可使用含有奧辛(oxine)(通常為8-羥喹啉(8-quinolinol)或8-羥基喹啉(8-hydroxyquinoline))之螯合物之金屬螯合類咢辛化合物,例如三(8-羥喹啉)鋁。並且,作為二唑衍生物,可列舉下述者。
上述式中,Ar17、Ar18、Ar19、Ar21、Ar22及Ar25分別表示經取代或未經取代之碳數6~50之芳香族烴基或縮合芳香族烴基,Ar17與Ar18、Ar19與Ar21、Ar22與Ar25相互可相同亦可不同。作為芳香族烴基或縮合芳香族烴基,可列舉:苯基、萘基、聯苯基、蒽基、苝基、芘基等。作為該等之取代基,可列舉碳數1~10之烷基、碳數1~10之烷氧基或氰基等。
Ar20、Ar23及Ar24分別表示經取代或未經取代之碳數6~50之2價芳香族烴基或縮合芳香族烴基,Ar23與Ar24相互可相同亦可不同。作為2價芳香族烴基或縮合芳香族烴基,可列舉:伸苯基、伸萘基、伸
聯苯基、伸蒽基、伸苝基、伸芘基等。作為該等之取代基,可列舉碳數1~10之烷基、碳數1~10之烷氧基或氰基等。
該等電子傳遞性化合物可較佳地使用薄膜形成性良好者。並且,作為該等電子傳遞性化合物之具體例,可列舉下述者。
作為電子傳遞性化合物之含氮雜環衍生物可列舉如下含氮化合物:其為包含具有以下之式之有機化合物之含氮雜環衍生物,且並非金屬錯合物。例如,可列舉含有下述式(B)所示之骨架之5員環或6員環、或下述式(C)所示之結構者。
上述式(C)中,X表示碳原子或氮原子。Z1以及Z2分別獨立地表示
可形成含氮雜環之原子群。
含氮雜環衍生物進而較佳為具有包含5員環或6員環之含氮芳香多環族的有機化合物。進而,於此種具有複數個氮原子之含氮芳香多環族之情形時,較佳為具有上述式(B)與(C)或上述式(B)與下述式(D)組合而成之骨架的含氮芳香多環有機化合物。
上述之含氮芳香多環有機化合物之含氮基例如選自以下之式所表示之含氮雜環基。
上述各式中,R為碳數6~40之芳香族烴基或縮合芳香族烴基、碳數3~40之芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基、碳數1~20之烷基、或者碳數1~20之烷氧基,n為0~5之整數,n為2以上之整數時複數個R相互可相同亦可不同。
進而,作為較佳之具體化合物,可列舉下述式(D1)所表示之含氮雜環衍生物。
HAr-L1-Ar1-Ar2 (D1)
上述式(D1)中,HAr為經取代或未經取代之碳數3~40之含氮雜環基,L1為單鍵、經取代或未經取代之碳數6~40之芳香族烴基或縮合芳香族烴基、或者經取代或未經取代之碳數3~40之芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基,Ar1為經取代或未經取代之碳數6~40之2價芳香族烴基,Ar2為經取代或未經取代之碳數6~40之芳香族烴基或縮合芳香族烴基、或者經取代或未經取代之碳數3~40之芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基。
上述式(D1)中之HAr例如選自下述之群。
上述式(D1)中之L1例如選自下述之群。
上述式(D1)中之Ar1例如選自下述式(D2)、式(D3)之芳基蒽基。
上述式(D2)、式(D3)中,R1~R14分別獨立地為氫原子、鹵素原子、碳數1~20之烷基、碳數1~20之烷氧基、碳數6~40之芳氧基、經取代或未經取代之碳數6~40之芳香族烴基或縮合芳香族烴基、或者經取代或未經取代之碳數3~40之芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基,Ar3為經取代或未經取代之碳數6~40之芳香族烴基或縮合芳香族烴基、或者經取代或未經取代之碳數3~40之芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基。
上述式(D1)中之Ar2例如選自下述之群。
作為電子傳遞性化合物之含氮芳香多環有機化合物除上述以外,亦可較佳地使用下述化合物。
上述式(D4)中,R1~R4分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之脂肪族基、經取代或未經取代之碳數3~20之脂肪族式環基、經取代或未經取代之碳數6~50之芳香族環基、經取代或未經取代之碳數3~50之雜環基,X1、X2分別獨立地表示氧原子、硫原子、或二氰基亞甲基。
又,作為電子傳遞性化合物,亦可較佳地使用下述化合物。
上述式(D5)中,R1、R2、R3及R4為相互相同或不同之基,且為下述式(D6)所表示之芳香族烴基或縮合芳香族烴基。
上述式(D6)中,R5、R6、R7、R8及R9為相互相同或不同之基,且為氫原子、飽和或不飽和之碳數1~20之烷氧基、飽和或不飽和之碳數1~20之烷基、胺基、或碳數1~20之烷基胺基。R5、R6、R7、R8及R9之至少1者為氫原子以外之基。
進而,電子傳遞性化合物亦可為含有該含氮雜環基或含氮雜環衍生物之高分子化合物。
本發明之有機EL元件之電子傳輸層特佳為含有至少1種下述式(E)~(G)所表示之含氮雜環衍生物。
(式(E)~式(G)中,Z1、Z2及Z3分別獨立地為氮原子或碳原子。
R1及R2分別獨立地為經取代或未經取代之成環碳數6~50之芳基、經取代或未經取代之成環原子數5~50之雜芳基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之鹵烷基或者經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基。
n為0~5之整數,n為2以上之整數時複數個R1相互可相同亦可不同。又,鄰接之2個R1彼此亦可相互鍵結而形成經取代或未經取代之
烴環。
Ar1為經取代或未經取代之成環碳數6~50之芳基、或者經取代或未經取代之成環原子數5~50之雜芳基。
Ar2為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之鹵烷基、經取代或未經取代之碳數1~20之烷氧基、經取代或未經取代之成環碳數6~50之芳基、或者經取代或未經取代之成環原子數5~50之雜芳基。
其中,Ar1、Ar2中之任一者為經取代或未經取代之成環碳數10~50之縮合芳香族烴環基、或者經取代或未經取代之成環原子數9~50之縮合芳香族雜環基。
Ar3為經取代或未經取代之成環碳數6~50之伸芳基、或者經取代或未經取代之成環原子數5~50之伸雜芳基。
L1、L2及L3分別獨立地為單鍵、經取代或未經取代之成環碳數6~50之伸芳基、或者經取代或未經取代之成環原子數9~50之2價縮合芳香族雜環基)。
作為成環碳數6~50之芳基,可列舉:苯基、萘基、蒽基、菲基、稠四苯基、基、芘基、聯苯基、聯三苯基、甲苯基、茀蒽基、茀基等。
作為成環原子數5~50之雜芳基,可列舉:吡咯基、呋喃基、噻吩基、矽雜環戊二烯基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、咪唑基、嘧啶基、咔唑基、硒吩基、二唑基、三唑基、吡基、嗒基、三基、喹喏啉基、吖啶基、咪唑[1,2-a]吡啶基、咪唑[1,2-a]嘧啶基等。
作為碳數1~20之烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等。
作為碳數1~20之鹵烷基,可列舉上述烷基之1個或2個以上之氫
原子經選自氟、氯、碘及溴中之至少1種鹵素原子取代而獲得之基。
作為碳數1~20之烷氧基,可列舉具有上述烷基作為烷基部位之基。
作為成環碳數6~50之伸芳基,可列舉自上述芳基去除1個氫原子而獲得之基。
作為成環原子數9~50之2價縮合芳香族雜環基,可列舉自上述作為雜芳基而記載之縮合芳香族雜環基去除1個氫原子而獲得之基。
電子傳輸層之膜厚並無特別限定,較佳為1nm~100nm。
又,作為可鄰接於電子傳輸層而設置之電子注入層之構成成分,除含氮環衍生物以外作為無機化合物,較佳為使用絕緣體或半導體。若電子注入層包含絕緣體或半導體,則可有效地防止電流之洩漏而提高電子注入性。
作為此種絕緣體,較佳為使用選自由鹼金屬硫屬化物、鹼土金屬硫屬化物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物所組成之群中之至少1種金屬化合物。若電子注入層包含該等鹼金屬硫屬化物等,則可進一步提高電子注入性,較佳。具體而言,作為較佳之鹼金屬硫屬化物,例如可列舉:Li2O、K2O、Na2S、Na2Se及Na2O,作為較佳之鹼土金屬硫屬化物,例如可列舉:CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。又,作為較佳之鹼金屬之鹵化物,例如可列舉:LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。又,作為較佳之鹼土金屬之鹵化物,例如可列舉:CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物或氟化物以外之鹵化物。
又,作為半導體,可列舉含有Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn之至少1種元素的氧化物、氮化物或氮氧化物等之單獨一種或者二種以上的組合。又,構成電子注入層之無機化合物較佳為微晶或非晶質之絕緣性薄膜。若電子注入層包含
該等絕緣性薄膜,則形成更為均質之薄膜,因此可減少暗點等像素缺陷。再者,作為此種無機化合物,可列舉:鹼金屬硫屬化物、鹼土金屬硫屬化物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物等。
使用此種絕緣體或半導體之情形時,其層之較佳厚度為0.1nm~15nm左右。又,本發明中之電子注入層亦較佳為含有上述之供電子性摻雜劑。
電洞傳輸層為形成於發光層與陽極之間之有機層,具有將電洞自陽極向發光層傳輸之功能。電洞傳輸層由複數層所構成之情形時,存在將鄰近陽極之有機層定義為電洞注入層之情況。電洞注入層具有將電洞自陽極高效地注入至有機層單元中之功能。
作為形成電洞傳輸層之其他材料,可較佳地使用芳香族胺化合物,例如下述式(H)所表示之芳香族胺衍生物。
上述式(H)中,Ar1~Ar4表示經取代或未經取代之成環碳數6~50之芳香族烴基或縮合芳香族烴基、經取代或未經取代之成環原子數5~50之芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基、或者該等芳香族烴基或縮合芳香族烴基與芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基鍵結而成之基。
又,於上述式(H)中,L表示經取代或未經取代之成環碳數6~50之芳香族烴基或縮合芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數5~50之芳香族雜環基或縮合芳香族雜環基。
將式(H)之化合物之具體例記載於以下。
又,下述式(J)之芳香族胺亦可較佳地用於電洞傳輸層之形成。
於上述式(J)中,Ar1~Ar3之定義與上述式(H)之Ar1~Ar4之定義相同。於以下記載式(J)之化合物之具體例,但並不限定於該等。
本發明之有機EL元件之電洞傳輸層可設為第1電洞傳輸層(陽極側)與第2電洞傳輸層(陰極側)之2層結構,亦可設為第1電洞傳輸層(陽極側)與第2電洞傳輸層(中間)與第3電洞傳輸層(陰極側)之3層結構。
電洞傳輸層之膜厚並無特別限定,較佳為10~200nm。
於本發明之有機EL元件中,亦可於電洞傳輸層或第1電洞傳輸層之陽極側接合含有受體材料之層。藉此,期待驅動電壓之下降及製造成本之降低。
作為上述受體材料,較佳為下述式(K)所表示之化合物。
(上述式(K)中,R21~R26相互可相同亦可不同,分別獨立地表示氰基、-CONH2、羧基、或-COOR27(R27表示碳數1~20之烷基或碳數3~20之環烷基)。其中,R21及R22、R23及R24、以及R25及R26之1對或2對以上亦可一起形成-CO-O-CO-所示之基)。
作為R27,可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、環戊基、環己基等。
含有受體材料之層之膜厚並無特別限定,較佳為5~20nm。
於上述之電洞傳輸層或電子傳輸層中,如日本專利第3695714號說明書所記載般,可利用施體性材料之摻雜(n)或受體性材料之摻雜(p)而調整載子注入能力。
作為n摻雜之代表例,可列舉於電子傳輸材料中摻雜Li或Cs等金屬之方法,作為p摻雜之代表例,可列舉於電洞傳輸材料中摻雜F4TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基對醌二甲烷)等受體材料之方法。
上述所謂間隔層,係例如於積層螢光發光層與磷光發光層之情形時,為使磷光發光層中生成之激子不擴散至螢光發光層中、或調整載子平衡而設置於螢光發光層與磷光發光層之間的層。又,間隔層亦可設置於複數層磷光發光層之間。
間隔層設置於發光層間,故較佳為兼具電子傳輸性與電洞傳輸性之材料。又,為防止鄰接之磷光發光層內之三重態能量之擴散,三重態能量較佳為2.6eV以上。作為間隔層所使用之材料,可列舉與上述之電洞傳輸層所使用之材料相同者。
本發明之有機EL元件較佳為於鄰接於發光層之部分具有電子障壁層、電洞障壁層、三重態障壁層等障壁層。此處,所謂電子障壁層,為防止電子自發光層向電洞傳輸層洩漏之層,所謂電洞障壁層,為防止電洞自發光層向電子傳輸層洩漏之層。
三重態障壁層具有如下功能:防止發光層中生成之三重態激子向周邊之層擴散,並將三重態激子封入發光層內,藉此抑制三重態激子於發光摻雜劑以外之電子傳輸層之分子上的能量失活。
於設置三重態障壁層之情形時,推測,於磷光元件中,將發光層中之磷光發光性摻雜劑之三重態能量設為ET d、且將用作三重態障壁層之化合物之三重態能量設為ET TB時,若為ET d<ET TB之能量大小關係,則能量關係上,磷光發光性摻雜劑之三重態激子被封閉(無法向其他分子遷移),於該摻雜劑上發光以外之能量失活路徑被切斷,而可高效率地發光。其中,於ET d<ET TB之關係成立但其能量差△ET=ET TB-ET d較小之情形時,可認為,於實際之元件驅動環境即室溫左右之環境下,三重態激子可利用周邊之熱能以吸熱方式超越該能量差△ET而向其他分子遷移。特別是磷光發光之情形與螢光發光相比激子
壽命較長,因此相對容易顯現吸熱性激子遷移過程之影響。相對於室溫之熱能,該能量差△ET越大越佳,進而較佳為0.1eV以上,特佳為0.2eV以上。
又,構成三重態障壁層之材料之電子遷移率於電場強度0.04~0.5MV/cm之範圍中,較理想為10-6cm2/Vs以上。作為有機材料之電子遷移率之測定方法,已知有時飛法(Time of Flight)等幾種方法,但此處係指利用阻抗分光法而決定之電子遷移率。
電子注入層於電場強度0.04~0.5MV/cm之範圍中較理想為10-6cm2/Vs以上。其原因在於:藉此促進電子自陰極向電子傳輸層之注入,進而亦促進電子向鄰接之障壁層、發光層之注入,而可於更低電壓下進行驅動。
繼而,使用實施例對本發明更為詳細地進行說明,但本發明並不限定於下述實施例。
合成例1(中間物1之合成)
於氬氣流下,依序加入2-硝基-1,4-二溴苯(11.2g,40mmol)、苯基硼酸(4.9g,40mmol)、四(三苯基膦)鈀(1.39g,1.2mmol)、甲苯(120mL)、2M碳酸鈉水溶液(60mL),進行8小時加熱回流。
將反應夜冷卻至室溫後,分離有機層,於減壓下蒸餾去除有機溶劑。利用矽膠管柱層析法精製獲得之殘渣,而獲得中間物1(6.6g,
產率59%)。藉由FD-MS(場解吸質譜,field desorption mass spectrum)之分析而鑑定為中間物1。
合成例2(中間物2之合成)
於氬氣流下,依序加入中間物1(6.6g,23.7mmol)、三苯基膦(15.6g,59.3mmol)、鄰二氯苯(24mL),於180℃下加熱8小時。
將反應夜冷卻至室溫後,利用矽膠管柱層析法進行精製,而獲得中間物2(4g,產率68%)。藉由FD-MS之分析而鑑定為中間物2。
合成例3(中間物3之合成)
於中間物1之合成中,使用中間物2代替2-硝基-1,4-二溴苯,使用9-苯基-9H-咔唑-3-基硼酸代替苯基硼酸,以相同之方法進行合成。藉由FD-MS之分析而鑑定為中間物3。
合成例4(中間物4之合成)
於中間物1之合成中,使用2,4,6-三氯嘧啶代替2-硝基-1,4-二溴苯,以相同之方法進行合成。藉由FD-MS之分析而鑑定為中間物4。
合成例5(中間物5之合成)
於中間物1之合成中,使用中間物4代替2-硝基-1,4-二溴苯,使用4'-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼烷-2-基)聯苯-4-甲腈代替苯基硼酸,以相同之方法進行合成。藉由FD-MS之分析而鑑定為中間物5。
合成例6(H2-1之合成)
於氬氣流下,依序加入中間物3(4.1g,10mmol)、中間物5(3.5g,12mmol)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0.183g,0.20mmol)、三-第三丁基鏻四氟硼酸鹽(0.15g,0.52mmol)、第三丁醇鈉(1.9g,20mmol)、無水二甲苯(50mL),進行8小時加熱回流。
將反應夜冷卻至室溫後,分離有機層,於減壓下蒸餾去除有機溶劑。利用矽膠管柱層析法精製獲得之殘渣,而獲得化合物H2-1。
關於獲得之化合物,將FD-MS之測定結果示於以下。
FDMS,calcd for C53H33N5=739,found m/z=739(M+)
於異丙醇中對25mm×75mm×厚度1.1mm之附ITO透明電極(厚度77nm)之玻璃基板(Geomatec股份有限公司製造)進行5分鐘超音波清洗,此後進行30分鐘UV臭氧清洗。
將清洗後之附透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板固持器上,首先於形成有透明電極線一側之面上以覆蓋上述透明電極之方式蒸鍍下述電子接受性(受體)化合物HI-1,形成膜厚5nm之化合物HI-1膜。於該化合物HI-1膜上,蒸鍍作為第1電洞傳輸材料之下述芳香族胺衍生物(化合物HT-1),形成膜厚65nm之第1電洞傳輸層。繼第1電洞傳輸層之成膜後,蒸鍍作為第2電洞傳輸材料之下述芳香族胺衍生物(化合物HT-2),形成膜厚10nm之第2電洞傳輸層。
進而,於該第2電洞傳輸層上,共蒸鍍作為主體材料之下述表1所記載之第一主體材料及第二主體材料、與作為磷光發光材料之下述化合物Ir(bzq)3,形成膜厚25nm之磷光發光層。發光層內之化合物Ir(bzq)3之濃度為10.0質量%,第一主體材料之濃度為45.0質量%,第二主體材料之濃度為45.0質量%。該共蒸鍍膜作為發光層而發揮功能。
然後,繼該發光層成膜後,以膜厚35nm而使下述化合物ET-1成膜。該化合物ET-1膜作為電子傳輸層而發揮功能。
繼而,以LiF製作電子注入性電極(陰極)並以成膜速度0.1埃/min將膜厚製成1nm。於該LiF膜上蒸鍍金屬Al,以膜厚80nm形成金屬陰極而製作有機EL元件。
以下,表示實施例及比較例中使用之化合物。
藉由直流電流驅動而使獲得之有機EL元件發光,根據電流驅動(電流密度10mA/cm2)與電壓求出外部量子效率(EQE)。進而,求出初期亮度10,000cd/m2下之80%壽命(於定電流驅動下,亮度降低至初期亮度之80%的時間)。將結果示於表1。
使用表1所記載之第一主體材料與第二主體材料作為發光層之主
體材料而形成發光層,除此以外,以與實施例1相同之方式製作有機EL元件。
以與實施例1相同之方式進行獲得之有機EL元件之發光特性評價。將其結果示於表1。
根據表1可知,將式(A)所表示之第一主體材料即化合物H1-1、與式(1)所表示之第二主體材料即化合物H2-1或H2-2組合而用作發光層之主體材料(輔主體)的實施例1~2之有機EL元件,其發光效率良好。進而,實施例1~2之有機EL元件相對於使用吲哚咔唑化合物作為第二主體之比較例1、或未使用第二主體之比較例2的有機EL元件,長壽命化。
於異丙醇中對25mm×75mm×厚度1.1mm之附ITO透明電極(厚度130nm)之玻璃基板(Geomatec股份有限公司製造)進行5分鐘超音波清洗,此後進行30分鐘UV臭氧清洗。
將清洗後之附透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板固持器上,首先於形成有透明電極線一側之面上以覆蓋上述透明電
極之方式蒸鍍下述電子接受性(受體)化合物HI-1,形成膜厚5nm之化合物HI-1膜。於該化合物HI-1膜上,蒸鍍作為第1電洞傳輸材料之下述芳香族胺衍生物(化合物HT-3),形成膜厚90nm之第1電洞傳輸層。繼第1電洞傳輸層之成膜後,蒸鍍作為第2電洞傳輸材料之下述芳香族胺衍生物(化合物HT-4),形成膜厚35nm之第2電洞傳輸層。繼第2電洞傳輸層之成膜後,蒸鍍作為第3電洞傳輸材料之下述芳香族胺衍生物(化合物HT-5),形成膜厚10nm之第3電洞傳輸層。
進而,於該第3電洞傳輸層上,共蒸鍍作為主體材料之下述表2所記載之第一主體材料及第二主體材料、與作為磷光發光材料之下述化合物Ir(Ph-ppy)3,形成膜厚40nm之磷光發光層。發光層內之化合物Ir(Ph-ppy)3之濃度為5.0質量%,第一主體材料之濃度為47.5質量%,第二主體材料之濃度為47.5質量%。該共蒸鍍膜作為發光層而發揮功能。
然後,繼該發光層成膜後,共蒸鍍下述化合物ET-2(50質量%)與下述8-羥基喹啉鋰(Liq)(50質量%),形成膜厚36nm之電子傳輸層。
於該電子傳輸層上蒸鍍金屬Al,以膜厚80nm形成金屬陰極而製作有機EL元件。
以下,表示實施例及比較例中使用之化合物。
藉由直流電流驅動使獲得之有機EL元件發光,根據電流驅動(電流密度10mA/cm2)與電壓求出外部量子效率(EQE)。進而,求出初期亮度10,000cd/m2下之80%壽命(於定電流驅動下,亮度下降至初期亮度之80%之時間)。將結果示於表2。
使用表2所記載之第一主體材料與第二主體材料作為發光層之主體材料而形成發光層,除此以外,以與實施例3相同之方式製作有機
EL元件。
以與實施例3相同之方式進行獲得之有機EL元件之發光特性評價。將其結果示於表2。
根據表2可知,將式(A)所表示之第一主體材料即化合物H1-1、與式(1)所表示之第二主體材料即化合物H2-2或H2-3組合而用作發光層之主體材料(輔主體)的實施例3~4之有機EL元件,其發光效率良好。進而,實施例3~4之有機EL元件相對於未使用第一主體之比較例3及4之有機EL元件,長壽命化。
於本說明書中,於各化合物之各基之說明中列舉有較佳之基,即便並無任何事先說明,亦表示該較佳之基彼此之組合亦較佳,各基之較佳者可自由地組合。同樣地,較佳之數值範圍等認為較佳之全部記載亦可自由地選擇或自由地組合。
本發明之有機EL元件可較佳地用作電視、行動電話、或個人電腦等之顯示裝置、或者照明或車輛用燈具之發光裝置等電子機器。例如,亦可用作呈深紅色發光之面狀發光機器,其中,主要用於熱負載較高之車載用途(尾燈、刹車燈等)。
Claims (8)
- 一種有機電致發光元件,其特徵在於:其係於陽極與陰極之間至少具備發光層者,且該發光層含有下述式(A)所表示之第一主體材料、下述式(1)所表示之第二主體材料、及發光材料,
- 如請求項1之有機電致發光元件,其中上述第二主體材料由下述式(2)表示,
- 如請求項1或2之有機電致發光元件,其中上述第二主體材料由下述式(3)表示,
- 如請求項1至3中任一項之有機電致發光元件,其中上述第二主體材料由下述式(4)表示,
- 如請求項2至4中任一項之有機電致發光元件,其中R31之至少1者為經氰基取代之成環碳數6~30之芳香族烴基。
- 如請求項1至5中任一項之有機電致發光元件,其中於式(A)中,X為S或O。
- 如請求項1至6中任一項之有機電致發光元件,其中上述發光材料含有作為選自銥(Ir)、鋨(Os)及鉑(Pt)之金屬原子之鄰位金屬化錯合物的磷光發光材料。
- 如請求項7之有機電致發光元件,其中上述磷光發光材料之發光峰波長為490nm以上且700nm以下。
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