TW201409792A - 封裝片、用其製造有機發光顯示裝置之方法及有機發光顯示裝置 - Google Patents
封裝片、用其製造有機發光顯示裝置之方法及有機發光顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201409792A TW201409792A TW102112752A TW102112752A TW201409792A TW 201409792 A TW201409792 A TW 201409792A TW 102112752 A TW102112752 A TW 102112752A TW 102112752 A TW102112752 A TW 102112752A TW 201409792 A TW201409792 A TW 201409792A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sheet
- glass
- weight
- tin
- encapsulating
- Prior art date
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 21
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 13
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 8
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- GCFDVEHYSAUQGL-UHFFFAOYSA-J fluoro-dioxido-oxo-$l^{5}-phosphane;tin(4+) Chemical class [Sn+4].[O-]P([O-])(F)=O.[O-]P([O-])(F)=O GCFDVEHYSAUQGL-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract description 4
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
- B32B3/04—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by at least one layer folded at the edge, e.g. over another layer ; characterised by at least one layer enveloping or enclosing a material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/23—Sheet including cover or casing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24851—Intermediate layer is discontinuous or differential
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
在一態樣中，係提供一種封裝片、使用此封裝片的製造有機發光顯示裝置之方法、以及有機發光顯示裝置。封裝片包含載體膜；以及形成在載體膜上的第一片體，其中第一片體包含錫氟玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃與磷酸鹽玻璃中的至少一種。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年8月28日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2012-0094443號之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
本所述之技術係有關於一種封裝片、使用此封裝片其製造有機發光顯示裝置之方法、以及有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置可在視角、對比性、反應速度以及電力消耗上具有極好的特性，且係擴展其應用範圍到個人可攜式裝置，例如MP3播放器或移動式電話、以及電視(TV)。
而且，因為其自發光特性，有機發光顯示裝置不需要額外的光源，所以可降低有機發光顯示裝置之厚度與重量。
然而，有機發光顯示裝置可能會由於濕氣滲透而劣化，如此，阻隔外部濕氣與氧氣滲透至有機發光顯示裝置是非常重要的。
本實施例係提供一種具有極好的濕氣與氧氣阻隔性質的封裝片、使用此封裝片製造有機發光顯示裝置的方法、以及有機發光顯示裝置。
一些實施例係提供一種封裝片，包含﹕載體膜；以及形成在載體膜上的第一片體，其中第一片體包含錫氟玻璃(tin fluorophosphates glass)、硫系玻璃(chalcogenide glass)、碲酸鹽玻璃(tellurite glass)、硼酸鹽玻璃(borate glass)與磷酸鹽玻璃(phosphate glass)中的至少一種。
在一些實施例中，封裝片可進一步包含在載體膜與第一片體之間的第二片體，其中第二片體包含鎢。
在一些實施例中，封裝片可進一步包含額外的複數個第一片體以及額外的複數個第二片體，每一第一片體係與每一第二片體係交替地堆疊。在一些實施例中，至少一第一片體包含錫氟玻璃，而錫氟玻璃包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
在一些實施例中，封裝片可進一步包含在載體膜與第一片體之間的第三片體，其中第三片體可圖案化成條紋，而第三片體可包含鎢。
在一些實施例中，第一片體包含錫氟玻璃，而錫氟玻璃可包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。在一些實施例中，額外的第一片體包含錫氟玻璃，而錫氟玻璃包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
一些實施例係提供一種製造有機發光顯示裝置的方法，此方法包含﹕在基板上形成有機電致發光單元；將包含載體膜與第一片體的封裝片設置在有機電致發光單元上的載體膜上；加熱封裝片以形成由第一片體形成的封裝層；以及將載體膜與封裝層分離，其中第一片體係以低液相溫度材料形成，而低液相溫度材料可包含錫氟玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃與磷酸鹽玻璃的至少一種。在一些實施例中，封裝片包含錫氟玻璃。
在一些實施例中，封裝片可進一步包含在載體膜與第一片體之間的第二片體。
在一些實施例中，該方法進一步包含形成額外的複數個第一片體以及額外的複數個第二片體，每一第一片體係交替地形成在每一第二片體上。
在一些實施例中，第二片體可包含鎢。
在一些實施例中，當封裝片加熱至一溫度時，低液相溫度材料與鎢可彼此反應。在一些實施例中，加熱溫度可為200°C或低於200°C。在一些實施例中，加熱之溫度可從約150°C至200°C。
在一些實施例中，封裝片可進一步包含在載體膜與第一片體之間的中間層。
在一些實施例中，第一片體包含錫氟玻璃，而錫氟玻璃可包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷光(P)、3至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
在一些實施例中，施加至封裝片之加熱溫度可為200°C或低於200°C。
一些實施例係提供一種有機發光顯示裝置，包含﹕基板；有機電致發光單元；以及密封有機電致發光單元的封裝層，其中封裝層係以玻璃材料形成，而玻璃材料包含錫氟玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃與磷酸鹽玻璃中的至少一種。
在一些實施例中，封裝層可進一步包含鎢，而所包含的鎢係0.1至15重量%。
10．．．有機發光顯示裝置
100．．．有機電致發光單元
101．．．基板
102．．．絕緣層
103．．．閘極絕緣層
104．．．層間介電層
105．．．鈍化層
106．．．像素定義層
107．．．主動層
108．．．閘極電極
109．．．源極/汲極電極
110．．．像素電極
111．．．有機發光層
112．．．對面電極
200．．．封裝層
200A、200B、200C．．．封裝片
210．．．載體膜
220．．．第一片體
230．．．第二片體
235．．．第三片體
P．．．部分
OLED．．．有機發光二極體
M1．．．驅動薄膜電晶體
藉由參考附圖詳細描述例示性實施例將使本複數個實施例之其他特性與優勢將變成更清楚明顯，其中﹕
第1圖係為根據本實施例之一態樣的有機發光顯示裝置的剖面圖；
第2圖係為第1圖中之P部分之放大圖；
第3圖至第5圖係形成第1圖之封裝層的封裝片之透視圖；以及
第6圖至第8圖係繪示製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
第1圖係為根據本實施例之一態樣的有機發光顯示裝置的剖面圖；
第2圖係為第1圖中之P部分之放大圖；
第3圖至第5圖係形成第1圖之封裝層的封裝片之透視圖；以及
第6圖至第8圖係繪示製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
現在，本發明將在下文中參閱其中顯示本發明之說明性實施例之附圖而更完整地描述。然而，本發明可體現成許多不同形式而不應受限於上述實施例而解釋；相反地，提供此些實施例是為了使本說明書將徹底且完整，且將充分傳遞本發明之範疇予本技術領域具有通常知識者。於整份說明書中相似之編號係參考相似之元件。
應理解的是雖然在此能使用第一與第二之用語描述各種元件，但是這些元件不應被這些用語所限制。這些用語僅用於一元件與另一元件之間的區別。如此，在未脫離此揭露之教示下，以下討論的第一元件可被稱為第二元件，而同樣地，第二元件可被稱為第一元件。
在此所用之術語係僅為描述特定實施例之目的而不視為對本發明的限制。當在此使用時，除非文中另行明確地表示，否則「一(a)」、「一(an)」、「此(the)」等單數型式亦旨在包含複數型式。應理解的是，當用語“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)，”用於說明書中時，係指明所述特性、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但是不排除一個或更多其他特性、整數、步驟、操作、元件、構件及/或及其群組的存在或增添。
當在此所使用，“及/或”之用語包含相關聯的所列項目之一個或更多個之任意結合或所有的結合。當表述如「至少一個(at least one of)」前綴於元件列表時，係修飾整個元件列表而非修飾列表中之個別元素。
下文中，揭露將參考附圖以詳細說明本發明的實施例。
第1圖係為根據實施例之有機發光顯示裝置10的剖面圖，以及第2圖係為第1圖中之P部分之放大圖。
請參閱第1圖與第2圖，根據實施例之有機發光顯示裝置10包含基板101、形成在基板101上的有機電致發光單元100、以及密封有機電致發光單元100的封裝層200。
在一些實施例中，為了增加有機發光顯示裝置10之可撓性，基板101可用玻璃材料形成，或可用塑膠材料形成，例如壓克力、聚酰亞胺(polyimide)、聚碳酸脂（polycarbonate）、聚酯（polyester）或聚酯薄膜（mylar）。而且，用於避免雜質離子分散、避免濕氣或外部空氣滲透、以及可平坦化表面的絕緣層102可形成在基板101之上表面上。
在一些實施例中，有機電致發光單元100可包含驅動薄膜電晶體(TFT)M1以及形成在基板101上的有機發光二極體（OLED），如第2圖所示。同時，第2圖係顯示前發光型之有機電致發光單元100作為舉例；然而，本實施例並不因此而受限制，有機電致發光單元100可具有背發光型結構或是不同於第2圖之構造的其他各種結構。
在一些實施例中，驅動薄膜電晶體M1之主動層107可用半導體材料形成，且閘極絕緣層103可設置以覆蓋主動層107。在一些實施例中，主動層107可用無機半導體材料形成，例如非晶矽或多晶矽，或是用有機半導體材料形成。
在一些實施例中，閘極電極108可形成在閘極絕緣層103上，且層間介電層104可形成以覆蓋閘極電極108。在一些實施例中，源極/汲極電極109可形成在層間介電層104上，且鈍化層105與像素定義層106可依序地形成以覆蓋源極/汲極電極109。
在一些實施例中，閘極電極108與源極/汲極電極109可用金屬形成，例如鋁、鉬、金、銀、鉑/鈀、或銅。在一些實施例中，可使用含有上述金屬粉末的樹脂膏，或可使用導電性聚合物以形成閘極電極108與源極/汲極電極109。
在一些實施例中，閘極絕緣層103、層間介電層104、鈍化層105以及像素定義層106可用絕緣物質形成且形成有單層結構或多層結構，以及可用有機材料、無機材料或有機材料/無機材料之化合物形成。
在一些實施例中，雖然未顯示在第2圖，開關薄膜電晶體與儲存電容可透過與驅動薄膜電晶體M1相同之製程形成。然而，驅動薄膜電晶體M1之堆疊結構不限於上述結構，而可使用有各種結構的薄膜電晶體。
在一些實施例中，有機發光二極體根據電流之流入而發出紅色光、綠色光與藍色光以顯示預設影像資訊，而可包含可連接至驅動薄膜電晶體M1之源極電極/汲極電極109之其中一個的像素電極110、形成以覆蓋全部像素的對面電極112、安置在像素電極110與對面電極112之間並用以發光的有機發光層111。
在一些實施例中，封裝層200可形成以完全地覆蓋有機電致發光單元100，以防止外部濕氣與氧氣滲透至有機電致發光單元100。
在一些實施例中，封裝層200可用玻璃材料形成，從而有效地避免外部濕氣與氧氣滲透。在一些實施例中，封裝層200可用低液相溫度材料形成。在一些實施例中，封裝層200可包含錫氟玻璃(tin fluorophosphates glass)、硫系玻璃(chalcogenide glass)、碲酸鹽玻璃(tellurite glass)、硼酸鹽玻璃(borate glass)以及磷酸鹽玻璃(phosphate glass)中的至少一種。在一些實施例中，封裝層200可具有極好的濕氣與氧氣阻隔性能，如此，可增加有機發光顯示裝置100之使用壽命。
在一些實施例中，封裝層200 可進一步包含鎢。在一些實施例中，當增加鎢，可製造更多穩定與均勻的玻璃。如此，可改進封裝層之化學耐久性。
在一些實施例中，封裝層200之熔點可為200°C或小於200°C。在一些實施例中，封裝層200之熔點可為從約150°C至200°C。在一些實施例中，可避免有機電致發光單元100之每一構件之因為加熱造成的損害，而當加熱以形成封裝層200時，封裝層200可輕易地形成。
第3圖至第5圖係顯示形成第1圖之封裝層200的封裝片的透視圖。
請參閱第3圖，封裝片200A可包含載體膜210以及形成在載體膜210之表面上的第一片體220。
在一些實施例中，載體膜210可用選自有極好的熱穩定性與機械穩定性之聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate）、聚酯（polyester）、聚丙烯（polyacryl）、聚環氧（polyepoxy）、聚乙烯（polyethylene）、以及聚本乙烯（polystyrene）所組成之群組中的材料形成，或是可用玻璃材料形成。
在一些實施例中，第一片體220可用低液相溫度材料形成，例如，錫氟玻璃(tin fluorophosphates glass)、硫系玻璃(chalcogenide glass)、碲酸鹽玻璃(tellurite glass)、硼酸鹽玻璃(borate glass)以及磷酸鹽玻璃(phosphate glass)中的至少一種。例如，錫氟玻璃可包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
在一些實施例中，可使用沉積法、氣相沉積法、塗佈方法、旋轉塗佈法、濺射方法、旋轉方法或雷射燒蝕法(laser ablation method)，在載體膜210上形成低液相溫度材料之薄膜以形成第一片體220。
雖然在第3圖中未顯示，中間層(圖中未顯示)可進一步形成在載體膜210與第一片體220之間。在一些實施例中，當以第一片體220形成封裝層200時，中間層(圖中未顯示)可使封裝層200(參見第1圖)容易地與載體膜210分離。
在一些實施例中，第4圖之封裝片200B進一步包含在第一片體220與載體膜210之間的第二片體230。在一些實施例中，第二片體230可為含有鎢之層，例如，第二片體230可包含H2WO3或三氧化鎢(WO3)。
如上所述，如果第二片體230進一步形成，當加熱封裝片200B以形成封裝層200(參見第1圖)時，低液相溫度材料與鎢彼此反應以形成穩定與均勻的玻璃。在一些實施例中，在低液相溫度材料與鎢之間的反應可為擴散反應。因此，可進一步改進封裝層200(參見第1圖)之化學耐久性。
在一些實施例中，複數個第一片體220與複數個第二片體230可堆疊，而為了改進反應性，複數個第一片體220與複數個第二片體230可彼此交替地堆疊。在一些實施例中，由於與低液相溫度材料反應，所以包含在封裝層200(參見第1圖)的鎢可為約0.1至15重量%。
在一些實施例中，第5圖所示之封裝片200C可進一步包含在第一片體220與載體膜210之間的第三片體235。在一些實施例中，第三片體235可用與第4圖所示之第二片體230相同的材料形成。在一些實施例中，第三片體235可在載體膜210上圖案化。例如，第三片體235可在載體膜210上形成條紋圖樣；然而，本實施例並不因此受限制。在一些實施例中，第三片體235可形成為點狀圖樣或格子狀圖樣。
在一些實施例中，當加熱封裝片200C以形成封裝層200(參見第1圖)時，第一片體220之低液相溫度材料與在第三片體235中的鎢可彼此反應以形成穩定與均勻的玻璃。在一些實施例中，上述反應可為擴散反應。在一些實施例中，第三片體235可在載體膜210上圖案化，所以可容易地調整包含在封裝層200(參見第1圖)中的鎢之總量。
第6圖至第8圖係繪示製造第1圖之有機發光顯示裝置之方法的剖面圖。
請參閱第6圖至第8圖，有機電致發光單元100可形成在基板101上，如第6圖所示，然後封裝片200A可位於有機電致發光單元100上。
在一些實施例中，有機電致發光單元100可具有第2圖所示之結構。在一些實施例中，有機電致發光單元100可具有此技術領域中已熟知之各種結構。
在一些實施例中，封裝片200A，其中載體膜100係面朝向上，係位於有機電致發光單元100上。
在一些實施例中，當封裝片200A加熱時，封裝片200A可融化以接觸有機電致發光單元100之上表面與側表面以及基板101之部分上表面，如第5圖所示。
在一些實施例中，第一片體220可用低液相溫度材料形成，例如錫氟玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃以及磷酸鹽玻璃，因此第一片體220之熔點係為200°C或低於200°C。在一些實施例中，第一片體220之熔點可從約150°C至200°C。因此，第一片體220可融化以形成封裝層200(參見第8圖)而不因加熱而損壞有機電致發光單元100中的每一構件。
接著，如第8圖所示，融化第一片體220以形成封裝層200之後，載體膜210可被分離移除。在一些實施例中，載體膜210可用物理性方式移除。
第6圖至第8圖係顯示可使用第3圖所示之封裝片200A形成封裝層200之實施例。在一些實施例中，可使用第4圖之封裝片200B或第5圖之封裝片200C來形成封裝層200。
在一些實施例中，第4圖與第5圖所示之封裝片200B與封裝片200C係分别地包含第二片體230與第三片體235，每一第二片體230與第三片體235係包含鎢，而使用第4圖之封裝片200B或第5圖之封裝片200C形成的封裝層200可包含更穩定且均勻的玻璃。如此，可進一步改進封裝層200之化學耐久性。
在一些實施例中，封裝層可使用有極好的濕氣與氧氣阻隔性質的玻璃材料來形成，如此，可增加有機發光顯示裝置之使用壽命。
雖然複數個該實施例已參考其例示性實施例而特別地顯示及描述，此技術領域中的通常知識者要理解的是在未脫離下列的申請專利範圍定義的本複數個實施例之精神與範圍下形式與細節的各種改變皆為可行。
200A．．．封裝片
210．．．載體膜
220．．．第一片體
Claims (19)
- 一種封裝片，包含﹕
一載體膜；以及
一第一片體，形成在該載體膜上，其中該第一片體包含錫氟玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃與磷酸鹽玻璃中的至少一種。 - 如申請專利範圍第1項所述之封裝片，進一步包含在該載體膜與該第一片體之間的一第二片體，其中該第二片體包含鎢。
- 如申請專利範圍第2項所述之封裝片，進一步包含額外的複數個第一片體與額外的複數個第二片體，其中每一該第一片體係與每一該第二片體交替地堆疊。
- 如申請專利範圍第3項所述之封裝片，其中至少一該第一片體包含錫氟玻璃，而該錫氟玻璃包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、3至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
- 如申請專利範圍第2項所述之封裝片，進一步包含在該載體膜與該第一片體之間的一第三片體，其中該第三片體係圖案化為條紋狀，且該第三片體包含鎢。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝片，其中該第一片體包含錫氟玻璃，而該錫氟玻璃包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、1至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
- 一種製造有機發光顯示裝置的方法，該方法包含﹕
在一基板上形成一有機電致發光單元；
設置一封裝片，該封裝片包含在該有機電致發光單元上的一載體膜以及在該載體膜上的一第一片體；
加熱該封裝片以形成由該第一片體形成的一封裝層；以及
將該載體膜與該封裝層分離，其中該第一片體係用一低液相溫度材料形成，而該低液相溫度材料係包含錫氟玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃以及磷酸鹽玻璃中的至少一種。 - 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該封裝片進一步包含在該載體膜與該第一片體之間的一第二片體。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法，進一步包含形成額外的複數個第一體以及額外的複數個第二片體，其中每一該第一片體係交替地形成在每一該第二片體上。
- 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一片體包含錫氟玻璃，而該錫氟玻璃包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、9至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
- 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該額外的第一片體包含錫氟玻璃，而該錫氟玻璃包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、9至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
- 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該第二片體包含鎢。
- 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該封裝片係加熱至該低液相溫度材料與該鎢會彼此反應的溫度。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該封裝片進一步包含在該載體膜與該第一片體之間的一中間層。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該第一片體包含錫氟玻璃，而該錫氟玻璃包含20至80重量%的錫(Sn)、2至20重量%的磷(P)、7至20重量%的氧氣(O)以及10至36重量%的氟(F)。
- 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中加熱該封裝片之溫度係為200°C或低於200°C。
- 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中加熱該封裝片之溫度係大約從150°C至200°C。
- 一種有機發光顯示裝置，包含﹕
一基板；
一有機電致發光單元；以及
一封裝層，係密封該有機電致發光單元，其中該封裝層係以一玻璃材料形成，而該玻璃材料係包含錫氟玻璃、硫系玻璃、碲酸鹽玻璃、硼酸鹽玻璃以及磷酸鹽玻璃中的至少一種。 - 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示裝置，其中該封裝層進一步包含鎢，而所包含之該鎢係0.1至15重量%。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120094443A KR101991863B1 (ko) | 2012-08-28 | 2012-08-28 | 봉지용 시트, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 유기 발광 디스플레이 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201409792A true TW201409792A (zh) | 2014-03-01 |
| TWI587552B TWI587552B (zh) | 2017-06-11 |
Family
ID=50187964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102112752A TWI587552B (zh) | 2012-08-28 | 2013-04-10 | 封裝片及用其製造有機發光顯示裝置之方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8778713B2 (zh) |
| KR (1) | KR101991863B1 (zh) |
| CN (1) | CN103681753B (zh) |
| TW (1) | TWI587552B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102113175B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2020-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102314134B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2021-10-18 | 삼성전자 주식회사 | 집적회로 소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL66936C (zh) | 1946-03-04 | |||
| US4314031A (en) | 1980-06-17 | 1982-02-02 | Corning Glass Works | Tin-phosphorus oxyfluoride glasses |
| US5089446A (en) | 1990-10-09 | 1992-02-18 | Corning Incorporated | Sealing materials and glasses |
| US20030215582A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-11-20 | Eastman Kodak Company | Optical films prepared by coating methods |
| KR20050033984A (ko) * | 2003-10-07 | 2005-04-14 | 에스케이씨 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR100634960B1 (ko) | 2004-06-24 | 2006-10-17 | (주)모디스텍 | 유기 발광소자 봉지용 필름 및 이를 이용한 봉지방법 |
| KR100543131B1 (ko) | 2005-04-20 | 2006-01-20 | 주식회사 두산 | 유기전계발광소자의 봉지용 박막 필름 |
| US7829147B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-11-09 | Corning Incorporated | Hermetically sealing a device without a heat treating step and the resulting hermetically sealed device |
| US7722929B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-05-25 | Corning Incorporated | Sealing technique for decreasing the time it takes to hermetically seal a device and the resulting hermetically sealed device |
| US7615506B2 (en) | 2006-10-06 | 2009-11-10 | Corning Incorporated | Durable tungsten-doped tin-fluorophosphate glasses |
| KR20080051756A (ko) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100897132B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2009-05-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시패널 봉지장치 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| US20100283056A1 (en) * | 2008-03-06 | 2010-11-11 | Takuto Yasumatsu | Display apparatus, liquid crystal display apparatus, organic el display apparatus, thin-film substrate, and method for manufacturing display apparatus |
| KR100932938B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2009-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 제조방법 및 상기 기판을 구비하는 유기 발광디스플레이 장치 |
| JP5587312B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2014-09-10 | ニッタ株式会社 | 機能膜付粘着テープおよび機能膜の転写方法 |
| JP5733600B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2015-06-10 | 日本電気硝子株式会社 | 素子封止体の製造方法、及び素子封止体 |
| KR101084230B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101182449B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 봉지시트와 그것을 사용한 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
-
2012
- 2012-08-28 KR KR1020120094443A patent/KR101991863B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-02-27 US US13/779,410 patent/US8778713B2/en active Active
- 2013-04-10 TW TW102112752A patent/TWI587552B/zh active
- 2013-07-22 CN CN201310308331.7A patent/CN103681753B/zh active Active
-
2014
- 2014-06-24 US US14/313,861 patent/US9406906B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101991863B1 (ko) | 2019-06-24 |
| US20140065344A1 (en) | 2014-03-06 |
| US20140308487A1 (en) | 2014-10-16 |
| US9406906B2 (en) | 2016-08-02 |
| CN103681753A (zh) | 2014-03-26 |
| US8778713B2 (en) | 2014-07-15 |
| TWI587552B (zh) | 2017-06-11 |
| KR20140028363A (ko) | 2014-03-10 |
| CN103681753B (zh) | 2018-06-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9252388B2 (en) | Organic light emitting diode (OLED) display | |
| TWI620361B (zh) | 有機發光顯示裝置以及製造有機發光顯示裝置之方法 | |
| JP2020004739A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
| CN110137374B (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| US8952360B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US9257668B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display and method for manufacturing the same | |
| US8981362B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US9871223B2 (en) | Organic light emitting display device having multiple films | |
| TWI473317B (zh) | 可撓性主動元件陣列基板以及有機電激發光元件 | |
| TWI640803B (zh) | 功能性偏光膜及包括彼之有機發光顯示器設備 | |
| US9349996B2 (en) | Method of manufacturing capacitor, method of manufacturing organic light emitting display device including the capacitor, and organic light emitting display device manufactured by using the method | |
| KR101900363B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 | |
| US9054336B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| EP2819202A2 (en) | Barrier covered microlens films | |
| JP2015026597A (ja) | 有機発光表示装置の製造方法 | |
| KR20120138168A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 | |
| EP2790237A2 (en) | Flexible substrate, method of manufacturing the same, and organic light emitting diode display | |
| TWI587552B (zh) | 封裝片及用其製造有機發光顯示裝置之方法 | |
| TWI658621B (zh) | 有機發光顯示裝置 | |
| US20160133879A1 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| KR20160012167A (ko) | 광전자 컴포넌트를 생성하기 위한 방법 및 광전자 컴포넌트 | |
| TWI573260B (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| CN104347675B (zh) | 有机发光显示设备及其制造方法 | |
| TWI586018B (zh) | 有機發光元件及其製造方法 | |
| US8288182B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor and display device |