TW201407167A - 刀片狀微探針結構及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種刀片狀微探針結構及其製作方法，該方法包含電鍍種子層形成步驟、第一刀片狀結構製作步驟、第二刀片狀結構製作步驟、去除光阻步驟以及載板及電鍍種子層移除步驟，首先在載板上形成電鍍種子層，接著分別以形成圖案化光阻層、電鍍及研磨的方式形成第一刀片狀結構及第二刀片狀結構，其中第二圖案化光阻層與第一圖案化光阻層形狀不同，最後去光阻、載板以及電鍍種子層而形成刀片狀微探針結構。

Description

刀片狀微探針結構及其製作方法

本發明係涉及一種刀片狀微探針結構(blade type micro probe)之製造方法及其結構，本發明適合應用於積體電路及電子元件測試用之探針。

在測試高性能電氣裝置，如VLSI及ULSI電路時，必須使用高性能的探針(probe)。探針卡是應用在積體電路(IC)尚未封裝前，對裸晶以探針做功能測試，篩選出不良品、再進行之後的封裝工程。因此，是積體電路製造中對製造成本影響相當大的重要製程。簡言之，探針卡是一測試機台與晶圓間之介面，每一種測試元件至少需一片相對應之探針卡，而測試的目的是使晶圓切割後良品進入下一封裝製程並避免不良品繼續加工造成浪費。

傳統上，如美國專利第4,757,256號所揭露之環氧樹脂環式探針卡(epoxy ring probe card)，因這類具有少量、多樣及彈性製造的優點，至今仍是業界廣泛能接受的技術。這類探針卡的製造方式是以人工逐根擺放的方式組裝探針，然為製作細間距(fine pitch)、高針數(high pin counts)必須以三度空間、多層方式擺放探針，如此使得每根探針受力狀況不一致，需經常維修。另一類是懸臂樑式微探針，如美國專利第6,072,190號、第2007/0024298 A1等，這類探針以製程方式一次製作所有探針，具高精度、細間距及高腳數等特點，但無法維修或更換受損的探針。

有鑑於此，需要一種能夠保有習用技術之優點，同時克服上述缺點，並滿足未來高腳數、細間距測試需求的探針結構。

本發明的主要目的在於提供一種刀片狀微探針結構，該刀片狀微探針結構包含第一刀片狀結構以及第二刀片狀結構。該第一刀片狀結構包含第一懸臂部、第一連接部以及第一基座部，第一懸臂部為一長條狀，且高度小於該第一連接部及該第一基座部，從平板狀的該第一連接部的一側延伸出，第一基座部用以連接至外部的電氣轉換基板，而與測試機台連接，為一平板狀，從該第一連接部的另一側延伸出。

該第二刀片狀結構包含第二懸臂部、第二連接部、第二基座部、尖針座以及接觸部。第二連接部及第二基座部的形狀與位置與該第一連接部以及第一基座部相同，該第二懸臂部基本上形狀與該第一懸臂部相同，但較第一懸臂部及第三懸臂部長，尖針座設置於該第二懸臂部從該第二連接部向外延伸的末端上，從高度方向向上延伸。接觸部設置於該尖針座上，從高度方向向上凸出，用以與晶片之接觸墊接觸。

更進一步地，可以在該第二刀片狀結構的另一側形成與該第一刀狀結構相同的第三刀狀結構，而形成層疊結構。

本發明的主要目的在於提供一種刀片狀微探針結構的製作方法，該方法包含電鍍種子層形成步驟、第一刀片狀結構製作步驟、第二刀片狀結構製作步驟、去除光阻步驟以及載板及電鍍種子層移除步驟，首先在載板上形成電鍍種子層，接著分別以形成圖案化光阻層、電鍍及研磨的方式形成第一刀片狀結構、第二刀片狀結構，其中第二圖案化光阻層與第一圖案化光阻層形狀不同，最後去光阻、載板以及電鍍種子層而形成刀片狀微探針結構。

進一步地，還可以在該第第二刀片狀結構製作方法之後，以相同的方式製作出成與該第一刀狀結構相同的第三刀狀結構。

進一步地，第一刀片狀結構、第二刀片狀結構、第三刀片狀結構製作的製作方法還可以另一種方式替代，其方式包含製作圖案化光阻層、鍍覆第一金屬層、去除圖案化光阻層、鍍覆 第二金屬層以及研磨，而形成由下至上堆疊的第一金屬圖案層及第一刀片狀結構、第二金屬圖案層及第二刀片狀結構，以及第三金屬圖案層及第三刀片狀結構，其中第二金屬圖案層與第一金屬圖案層形狀不同，而第三金屬圖案層與第一金屬圖案層形狀相同。最後以不與第一刀片狀結構、第二刀片狀結構及第三刀片狀結構反應的蝕刻液去除第一金屬圖案層、第二金屬圖案層以及第三金屬圖案層，再移除載板及電鍍種子層而得到刀片狀微探針結構。

本發明刀片狀微探針結構及其製作方法的特點在結構上，能夠具有擺放容易、容易更換且滿足高腳數、細間距之積體電路及電子元件的測試需求，另外，在製作方法上簡單，而能夠大量製造，降低製程成本。

以下配合圖式及元件符號對本創作之實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

參閱第一圖，本發明刀片狀微探針結構第一實施例的立體圖。如第一圖所示，本發明刀片狀微探針結構1包含一第一刀片狀結構10以及一第二刀片狀結構20，該第一刀片狀結構10附接於該第二刀片狀結構20，該第一刀片狀結構10包含一第一懸臂部11、一第一連接部13以及一第一基座部15，第一懸臂部11為一長條狀，且高度小於該第一連接部13及該第一基座部15，從平板狀的該第一連接部13的一側延伸出，第一基座部15為一平板狀，從該第一連接部13的另一側延伸出用以連接至外部的電氣轉換基板，而與測試機台連接(未顯示)。

該第二刀片狀結構20包含一第二懸臂部21、一第二連接部23、一第二基座部25、一尖針座27以及一接觸部29。該第二基座部25之位置與該第一基座部15相同，兩者緊密附接，該第二懸臂部21與該二連接部23分別與該第一懸臂部11及該第一連接部13附接，該第二懸臂部21基本上形狀與 該第一懸臂部11均為長條狀，但該第二懸臂部21較該第一懸臂部11長，高度可以相同或不同，該二連接部23與該第一連接部13的長度相同，高度可以相同或不同。尖針座27設置於該第二懸臂部21從該第二連接部23向外延伸的末端上，從高度方向向上延伸。接觸部29設置於該尖針座27上，從高度方向向上凸出，用以與晶片之接觸墊(未顯示)接觸。

參閱第二A圖至第二D圖，本發明刀片狀微探針結構第一實施例之變化的立體圖。如第二A圖及第二B所示，為了調整機械性質，可以在該第一懸臂部11及該第二懸臂部21的位置形成至少一槽孔40，該至少一槽孔40可以如第二A圖所示，貫穿該第一懸臂部11及該第二懸臂部21，也可以如第二B圖所示，僅形成在該第一懸臂部11上。如第二C圖所示，該第二懸臂部21及該第二連接部23的高度，可以高於該第一懸臂部11及該第一連接部13。如第二D圖所示，進一步可以在該第一基座部15及該第二基座部25上形成一固定槽60，配合相關機構設計用以固定並連接外部的電氣轉換基板。

參閱第三圖，本發明刀片狀微探針結構第二實施例的立體圖。如第三圖所示，本發明刀片狀微探針結構1除了包含第一實施例的第一刀片狀結構10以及第二刀片狀結構20外，更包含一第三刀片狀結構30。第三刀片狀結構30與第一刀片狀結構10實質上具有相同的形狀，分別在該第二刀片狀結構20的兩側與該第二刀片狀結構20貼附，而形成三層疊合的結構。第三刀片狀結構30包含第三懸臂部31、第三連接部33以及第三基座部35，其形狀分別與第一刀片狀結構10的第一懸臂部11、第一連接部13以及第一基座部15相同，在此不在贅述。本發明刀片狀微探針結構1的總厚度在10~100um的範圍內，且一第一刀片狀結構10、一第二刀片狀結構20、一第三刀片狀結構30由金、銅、鎳、鎳-錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或是錫鉛合金所製成。

參閱第四A圖至第四D圖，本發明刀片狀微探針結構第 二實施例之變化的立體圖。如第四A圖及第四B所示，為了調整機械性質，可以在該第一懸臂部11、該第二懸臂部21以及該第二懸臂部33的位置形成至少一槽孔40，該至少一槽孔40可以如第四A圖所示，貫穿該第一懸臂部11、該第二懸臂部21以及第三懸臂部31，也可以如第四B圖所示，僅對稱地形成在該第一懸臂部11及第三懸臂部31上，以該第二懸臂部21作為間隔。如第四C圖所示，該第二懸臂部21及該第二連接部23的高度，可以高於該第一懸臂部11、該第三懸臂部31及該第一連接部13、第三連接部33。如第四D圖所示，進一步可以在該第一基座部15、該第二基座部25以及該第三基座部35上形成一開槽60，用以連接外部的電氣轉換基板。

參閱第五圖，本發明刀片狀微探針結構之製作方法第一實施例的流程圖。如第五圖所述，第一實施例的刀片狀微探針結構之製作方法S1包含電鍍種子層形成步驟S10、第一刀片狀結構製作步驟S20、第二刀片狀結構製作步驟S30、去除光阻步驟S40以及載板及電鍍種子層移除步驟S50。第一刀片狀結構製作步驟S20包含第一圖案化光阻層形成步驟S21、第一金屬鍍層步驟S23以及第一研磨步驟S25；第二刀片狀結構製作步驟S30與第一刀片狀結構製作步驟S20相同地分別包含第二圖案化光阻層形成步驟S31、第二金屬鍍層步驟S33以及第二研磨步驟S35，以下將藉由第一實施例的刀片狀微探針結構之製作方法S1將配合第六A圖至第六H圖詳細解釋。

第六A圖至第六H圖為第一實施例的刀片狀微探針結構之製作方法的逐步剖面示意圖。如第六A圖所示，電鍍種子層形成步驟S10是在一載板100上形成一電鍍種子層150，形成電鍍種子層150的方式可以為無電鍍、蒸鍍或是濺鍍，而電鍍種子層150的材料可以為金、鉻、鈦、銅、鎢的至少其中之一，較佳為下部為鉻、上部為金(Cr under Au，Cr/Au)的雙層結構、下部為鈦、上部為金(Ti under Au，Ti/Au)的雙層結構、下部為鈦、上部為銅(Ti under Cu，Ti/Cu)的雙層結構、下部為鈦 鎢合金、上部為金(Ti-W under Au，Ti-W/Au)的雙層結構，雙層結構中下部的厚度約為50-200A、上部的厚度約為500~2000A。

如第六B圖所示，第一圖案化光阻層形成步驟S21是在電鍍種子層150上以影像轉移方式形成一第一圖案化光阻層210，接著如第六C圖所示，第一金屬鍍層步驟S23在電鍍種子層150及第一圖案化光阻層210上以電鍍的方式形成一金屬層300，金屬層300填滿該第一圖案化光阻層210的空缺處，該金屬層300的材料為金、銅、鎳、鎳-錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或是錫鉛合金。最後如第六D圖所示，第一研磨步驟S25是研磨及拋光方式，將金屬層300研磨與其與第一圖案化光阻層210齊平，而使填入空缺處的金屬層300形成第一刀片狀結構10，研磨或拋光的方式可以為機械研磨(mechanical lapping)、拋光(polishing)或是化學機械研磨(chemical mechanical polishing，CMP)。

接著如第六E圖至第六F圖所示，第二刀片狀結構製作步驟S30係利用與第一刀片狀結構製作步驟S20相同的方法在第二圖案化光阻層230的空缺處形成第二刀片狀結構20，而該第二圖案化光阻層230與該第一圖案化光阻層210形狀不同，而該第二刀片狀結構20與第一刀片狀結構10的材料依據機械強度的要求可相同或不同。

如第六G圖所示，去除光阻步驟S40係以溶劑或電漿灰化方式，將第一圖案化光阻層210及第二圖案化光阻層230去除，接著如第六H圖所示，載板及電鍍種子層移除步驟S60是將載板100移除，並以蝕刻方式將電鍍種子層150移除，從而釋放包含第一刀片狀結構10及第二刀片狀結構20的刀片狀微探針結構，其中蝕刻電鍍種子層150的蝕刻液，並不與刀片狀微探針結構反應。

再次參照第五圖，在第二刀片狀結構製作步驟S30後進一步可以包含一第三刀片狀結構製作步驟S60，以形成第三刀狀 結構30，第三刀片狀結構製作步驟S60如同第一刀狀結構製作步驟S20包含第三圖案化光阻層形成步驟S61、第三金屬鍍層步驟S63以及第三研磨步驟S65，其詳細的示意圖，如第七A圖到第七B圖所示。

如第七A及第七B圖所示，利用如第一刀片狀結構製作步驟S20相同的方式，在先形成第三圖案化光阻層250後，在的第三圖案化光阻層250空缺處鍍層、研磨形成第三刀片狀結構30。接著再如第七C圖所示，去除第一圖案化光阻層210、第二圖案化光阻層230以及第三圖案化光阻層250；最後如第七D圖所示，進行載板及電鍍種子層移除步驟S50將載板100移除，並以蝕刻方式將電鍍種子層150移除，從而釋放出具有第一刀片狀結構10、第二刀片狀結構20以及第三刀片狀結構30的刀片狀微探針結構，其中第三刀片狀結構30與第一刀片狀結構10該及第二刀片狀結構20的材料依據機械強度的要求可相同或不同。

參閱第八圖，本發明刀片狀微探針結構之製作方法第二實施例的流程圖。如第八圖所述，第二實施例的刀片狀微探針結構之製作方法S2包含電鍍種子層形成步驟S10、第一刀片狀結構製作步驟S70、第二刀片狀結構製作步驟S80、蝕刻步驟S100以及載板及電鍍種子層移除步驟S50。電鍍種子層形成步驟S10及載板及電鍍種子層移除步驟S50與第一實施例相同，在此不在贅述。第一刀片狀結構製作步驟S70包含第一圖案化光阻層形成步驟S71、第一金屬鍍層步驟S73、第一圖案化光阻層去除步驟S75、第二金屬鍍層步驟S77以及研磨步驟S79，本發明刀片狀微探針結構之製作方法第二實施例將參照第九A圖至第九H圖詳細說明。

如第九A圖所示，第一圖案化光阻層形成步驟S71是在電鍍種子層150上以影像轉移方式形成一第一圖案化光阻層210，如第九B圖所示，第一金屬鍍層步驟S73是在電鍍種子層150及第一圖案化光阻層210以電鍍方式形成一第一金屬層 310，該第一金屬層310的材料為銅，接著如第九C圖所示，第一圖案化光阻層去除步驟S75是以溶劑或電漿灰化方式，將第一圖案化光阻層210去除。如第九D圖所示，第二金屬鍍層步驟S77是以電鍍方式，在第一金屬層310以及去除第一圖案化光阻層210而顯露出的在電鍍種子層150上形成一第二金屬層320，該第二金屬層填滿原先第一圖案化光阻層210的位置，且該第二金屬層320的材料為鎳、鎳-錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或是錫鉛合金。最後該研磨步驟S79是對於該第一金屬層310及該第二金屬層320進行研磨，如第九E圖所示，而使得第一金屬層310形成第一金屬圖案層410，而第二金屬層320形成為第一刀片狀結構10。第一金屬圖案層410及第一刀片狀結構10的表面共平面。

如第九F圖所示，依照如第一刀片狀結構製作步驟S70的方式完成第二刀片狀結構製作步驟S80，而在第一金屬圖案層410及第一刀片狀結構10上形成第二金屬圖案層420及第二刀片狀結構20，接著如第九G圖所示，蝕刻步驟S90是將第一金屬圖案層410及第二金屬圖案層420以蝕刻液移除，該蝕刻液並不與該第一刀片狀結構10及該第二刀片狀結構20起反應，最後如第九H圖所示，如同製作方法第一實施例，進行載板及電鍍種子層移除步驟S50，將載板100移除並以蝕刻方式將電鍍種子層150移除，從而將具有該第一刀片狀結構10及該第二刀片狀結構20的刀片狀微探針結構釋放出，其中蝕刻電鍍種子層150的蝕刻液，並不與該刀片狀微探針結構反應。

再次參照第八圖，在第二刀片狀結構製作步驟S80之後，進一步包含一第三刀片狀結構製作步驟S100，以形成第三刀片狀結構，如第十A圖所示，依照如第一刀片狀結構製作步驟S70的方式完成第三刀片狀結構製作步驟S100，在第二金屬圖案層420及第二刀片狀結構20上形成第三金屬圖案層430及第三刀片狀結構30，之後才進行蝕刻步驟S90，如第十B 圖所示，將第一金屬圖案層410、第一金屬圖案層420以及第三金屬圖案層430以蝕刻液移除，該蝕刻液並不與該第一刀片狀結構10、該第二刀片狀結構20及第三刀片狀結構30起反應，最後如第十C圖所示，進行載板及電鍍種子層移除步驟S50，將載板100移除並以蝕刻方式將電鍍種子層150移除，從而得到具有該第一刀片狀結構10、該第二刀片狀結構20以及該第三刀片狀結構30的刀片狀微探針結構，其中該第三金屬圖案層430與該第一金屬圖案層410形狀相同，而該第二金屬圖案層420與該第一金屬圖案層210形狀不同，第二金屬圖案層420及第三金屬圖案層430與第一金屬圖案層410的材料相同，該第二刀片狀結構20及第三刀片狀結構30、第一刀片狀結構10的材料依據機械強度的要求可相同或不同。

本發明刀片狀微探針結構及其製作方法的特點在每一刀片狀微探針結構相當均一，使得每一探針在測試過程中受力是一致，克服傳統環氧樹脂環式探針卡以三度空間擺放受力不一致的缺點。另外，在製作方法上簡單，而能夠大量製造，降低製程成本，且這探針相當微小可滿足高腳數、細間距半導體測試需求。

以上所述者僅為用以解釋本發明之較佳實施例，並非企圖據以對本發明做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之發明精神下所作有關本發明之任何修飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖保護之範疇。

1‧‧‧刀片狀微探針結構

10‧‧‧第一刀片狀結構

11‧‧‧第一懸臂部

13‧‧‧第一連接部

15‧‧‧第一基座部

20‧‧‧第二刀片狀結構

21‧‧‧第二懸臂部

23‧‧‧第二連接部

25‧‧‧第二基座部

27‧‧‧尖針座

29‧‧‧接觸部

30‧‧‧第三刀片狀結構

31‧‧‧第三懸臂部

33‧‧‧第三連接部

35‧‧‧第三基座部

40‧‧‧槽孔

60‧‧‧開槽

100‧‧‧載板

150‧‧‧電鍍種子層

210‧‧‧第一圖案化光阻層

230‧‧‧第二圖案化光阻層

250‧‧‧第三圖案化光阻層

300‧‧‧金屬層

310‧‧‧第一金屬層

320‧‧‧第二金屬層

410‧‧‧第一金屬圖案層

420‧‧‧第二金屬圖案層

430‧‧‧第三金屬圖案層

S1‧‧‧刀片狀微探針結構之製作方法

S2‧‧‧刀片狀微探針結構之製作方法

S10‧‧‧電鍍種子層形成步驟

S20‧‧‧第一刀片狀結構製作步驟

S21‧‧‧第一圖案化光阻層形成步驟

S23‧‧‧第一金屬鍍層步驟

S25‧‧‧第一研磨步驟

S30‧‧‧第二刀片狀結構製作步驟

S31‧‧‧第二圖案化光阻層形成步驟

S33‧‧‧第二金屬鍍層步驟

S35‧‧‧第二研磨步驟

S40‧‧‧第三刀片狀結構製作步驟

S40‧‧‧去除光阻步驟

S50‧‧‧載板及電鍍種子層移除步驟

S61‧‧‧第三圖案化光阻層形成步驟

S63‧‧‧第三金屬鍍層步驟

S65‧‧‧第三研磨步驟

S70‧‧‧第一刀片狀結構製作步驟

S71‧‧‧第一圖案化光阻層形成步驟

S73‧‧‧第一金屬鍍層步驟

S75‧‧‧第一圖案化光阻層去除步驟

S77‧‧‧第二金屬鍍層步驟

S79‧‧‧研磨步驟

S80‧‧‧第二刀片狀結構製作步驟

S90‧‧‧蝕刻步驟

S100‧‧‧第三刀片狀結構製作步驟

第一圖為本發明刀片狀微探針結構第一實施例的立體圖。

第二A圖至第二D圖為本發明刀片狀微探針結構第一實施例之變化的立體圖。

第三圖為本發明刀片狀微探針結構第二實施例的立體圖。

第四A圖至第四D圖為本發明刀片狀微探針結構第二實施例之變化的立體圖。

第五圖為本發明刀片狀微探針結構之製作方法第一實施例的流程圖。

第六A圖至第六H圖、第七A圖至第七D圖為第一實施例的刀片狀微探針結構之製作方法的逐步剖面示意圖。

第八圖為本發明刀片狀微探針結構之製作方法第二實施例的流程圖。

第九A圖至第九H圖、第十A圖至第十C圖為第二實施例的刀片狀微探針結構之製作方法的逐步剖面示意圖。

S1‧‧‧刀片狀微探針結構之製作方法

S10‧‧‧電鍍種子層形成步驟

S20‧‧‧第一刀片狀結構製作步驟

S21‧‧‧第一圖案化光阻層形成步驟

S23‧‧‧第一金屬鍍層步驟

S25‧‧‧第一研磨步驟

S30‧‧‧第二刀片狀結構製作步驟

S31‧‧‧第二圖案化光阻層形成步驟

S33‧‧‧第二金屬鍍層步驟

S35‧‧‧第二研磨步驟

S40‧‧‧去除光阻步驟

S50‧‧‧載板及電鍍種子層移除步驟

S60‧‧‧第三刀片狀結構製作步驟

S61‧‧‧第三圖案化光阻層形成步驟

S63‧‧‧第三金屬鍍層步驟

S65‧‧‧第三研磨步驟

Claims (36)

1. 一種刀片狀微探針結構，包含：一第一刀片狀結構，具有一第一懸臂部、一第一連接部以及一第一基座部，第一懸臂部為長條狀，且高度小於該第一連接部及該第一基座部，從平板狀的該第一連接部的一側延伸出，該第一基座部為一平板狀，從該第一連接部的另一側延伸出，用以連接至外部的一電氣轉換基板；以及一第二刀片狀結構，具有一第二懸臂部、一第二連接部、一第二基座部、一尖針座以及一接觸部，該第二懸臂部、該第二連接部及該第二基座部分別附貼該第一懸臂部、該第一連接部以及該第一基座部，該第二基座部的形狀與位置以及該第一基座部相同，該第二懸臂部為長條形，較該第一懸臂部，該尖針座設置於該第二懸臂部從該第二連接部向外延伸的末端上，從高度方向向上延伸，該接觸部設置於該尖針座上，從高度方向向上凸出，用以與一晶片之接觸墊接觸。
2. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，進一步包含一第三刀片狀結構，該第三刀片狀結構具有一第三懸臂部、一第三連接部以及一第三基座部，其形狀分別與該第一懸臂部、該第一連接部以及該第一基座部相同，其中該第一刀片狀結構與該第三刀片狀結構分別在該第二刀片狀結構的兩側與該第二刀片狀結構緊密疊合。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之刀片狀微探針結構，刀片狀微探針結構的厚度在10~100um的範圍。
4. 如申請專利範圍第2項所述之刀片狀微探針結構，其中該第一刀片狀結構、該第二刀片狀結構以及該第三刀片狀結構的材料為金、銅、鎳、鎳-錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或是 錫鉛合金。
5. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，其中該第一刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
6. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，其中該第一刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料不同。
7. 如申請專利範圍第2項所述之刀片狀微探針結構，其中該第三刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
8. 如申請專利範圍第2項所述之刀片狀微探針結構，其中該第三刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
9. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，進一步在該第一懸臂部、該第二懸臂部在遠離該尖針座的位置各具有至少一槽孔，並且該第一懸臂部及該第二懸臂部的該槽孔彼此聯通。
10. 如申請專利範圍第2項所述之刀片狀微探針結構，進一步在該第一懸臂部、該第二懸臂部以及第三懸臂部在遠離該尖針座的位置各具有至少一槽孔，並且該第一懸臂部及該第二懸臂部的該至少一槽孔彼此聯通。
11. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，進一步在該第一懸臂部具有至少一槽孔。
12. 如申請專利範圍第2項所述之刀片狀微探針結構，進一步在該第一懸臂部及第三懸臂部具有至少一槽孔，在該第一懸臂部該至少一槽孔及該第三懸臂部的該至少一槽孔位置對 稱，以該第二懸臂部相護間隔。
13. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，進一步在該第一基座部及該第二基座部上形成一開槽。
14. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，進一步在該第一基座部及該第二基座部及該第三基座部上形成一固定槽。
15. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，其中該第二連接部及該第二懸臂部的高度等同於該第一連接部及該第一懸臂部。
16. 如申請專利範圍第1項所述之刀片狀微探針結構，其中該第二連接部及該第二懸臂部的高度高於該第一連接部及該第一懸臂部。
17. 如申請專利範圍第2項所述之刀片狀微探針結構，其中該第二連接部及該第二懸臂部的高度等分別同於該第一連接部及該第三連接部，與該第一懸臂部及該第三懸臂部。
18. 如申請專利範圍第2項所述之刀片狀微探針結構，其中該第二連接部及該第二懸臂部的高度等高於該第一連接部及該第三連接部，與該第一懸臂部及該第三懸臂部。
19. 一種刀片狀微探針結構之製作方法，包含：一電鍍種子層形成步驟，在一載板上形成一電鍍種子層；一第一刀片狀結構製作步驟，包含一第一圖案化光阻層形成步驟、一第一金屬鍍層步驟以及一第一研磨步驟，該第一圖案化光阻層形成步驟係在該電鍍種子層形成一第一圖案化 光阻層，該第一金屬鍍層步驟鍍覆一金屬層，該金屬層填滿在該第一圖案化光阻層中的空缺處，該第一研磨步驟係將該金屬層研磨與其與該第一圖案化光阻層齊平，而使填該第一圖案化光阻層之空缺處的該金屬層形成為一第一刀片狀結構；一第二刀片狀結構製作步驟，包含一第二圖案化光阻層形成步驟、一第二金屬鍍層步驟以及一第二研磨步驟，其方法分別與該第一圖案化光阻層形成步驟、該第一金屬鍍層步驟以及該第一研磨步驟相同，而在該第一圖案化光阻層及該第一刀片狀結構上形成一第二圖案化光阻層及一第二刀片狀結構，其中該第二圖案化光阻層與該第一圖案化光阻層形狀不同；一去除光阻步驟，以一溶劑或一電漿灰化方式將該第一圖案化光阻層及該第二圖案化光阻層去除；以及一載板及電鍍種子層移除步驟，是將該載板移除，並以蝕刻方式將該電鍍種子層移除，從而釋放出具有該第一刀片狀結構及該第二刀片狀結構的一刀片狀微探針結構，其中蝕刻該電鍍種子層的蝕刻液，並不與刀片狀微探針結構反應。
20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，進一步在第二刀片狀結構製作步驟包含一第三刀片狀結構製作步驟，該三刀片狀結構製作步驟包含一第三圖案化光阻層形成步驟、一第三金屬鍍層步驟以及一第三研磨步驟，其方法分別與該第一圖案化光阻層形成步驟、該第一金屬鍍層步驟以及該第一研磨步驟相同，而在該第二圖案化光阻層及該第二刀片狀結構上形成一第三圖案化光阻層及一第三刀片狀結構，其中該第三圖案化光阻層與該第一圖案化光阻層形狀相同，進而使得在該去除光阻步驟中，進一步將該第三圖案化光阻層去除，而在進行該載板及電鍍種子層移除步驟後，得到一具有該第一刀片狀結構、該第二刀片狀結構以及該第三刀狀結構的該刀片 狀微探針結構。
21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，該金屬層的材料為金、銅、鎳、鎳-錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或是錫鉛合金。
22. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該第一刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
23. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該第一刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料不同。
24. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該第三刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
25. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該第三刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
26. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該電鍍種子層的形成方式可以為無電鍍、蒸鍍或是濺鍍，而形成該電鍍種子層的材料可以為金、鉻、鈦、銅、鎢的至少其中之一，進一步為包含一上部金屬及一下部金屬的雙層結構。
27. 如申請專利範圍第26項所述之方法，其中該上部金屬為金或銅，該下部金屬為鉻、鈦或鈦鎢合金，該下部金屬的厚度約為50-200A、該上部金屬的厚度約為500~2000A。
28. 一種刀片狀微探針結構之製作方法，包含：一電鍍種子層形成步驟，在一載板上形成一電鍍種子層；一第一刀片狀結構製作步驟，包含一第一圖案化光阻層形成 步驟、一第一金屬鍍層步驟、一第一圖案化光阻層去除步驟、一第二金屬鍍層步驟以及一研磨步驟，該第一圖案化光阻層形成步驟是在該電鍍種子層形成一第一圖案化光阻層，該第一金屬鍍層步驟是在該電鍍種子層及該第一圖案化光阻層以電鍍方式形成一第一金屬層，該第一圖案化光阻層去除步驟是以溶劑或電漿灰化方式，將該第一圖案化光阻層去除，該第二金屬鍍層步驟是在該第一金屬層以及去除該第一圖案化光阻層而顯露出的該電鍍種子層上形成一第二金屬層，該第二金屬層填滿原先該第一圖案化光阻層的位置，該研磨步驟是對於該第一金屬層及該第二金屬層進行研磨，而使得該第一金屬層形成一第一金屬圖案層，而該第二金屬層形成為一第一刀片狀結構，且第一金屬圖案層及第一刀片狀結構的表面共平面；一第二刀片狀結構製作步驟，依照該第一刀片狀結構製作步驟的方式在該第一金屬圖案層及該第一刀片狀結構上形成一第二金屬圖案層及一第二刀片狀結構，其中該第二金屬圖案層的形狀與該第一金屬圖案層不同；一蝕刻步驟，將該第一金屬圖案層及該第二金屬圖案層以蝕刻液移除，該蝕刻步驟中的蝕刻液不與該第一刀片狀結構、該第二刀片狀結構起反應；以及一載板及電鍍種子層移除步驟，是將該載板移除，並以蝕刻方式將該電鍍種子層移除，從而釋放出具有該第一刀片狀結構及該第二刀片狀結構的一刀片狀微探針結構，其中蝕刻該電鍍種子層的蝕刻液，並不與該刀片狀微探針結構反應。
29. 如申請專利範圍第28項所述之方法，進一步在第二刀片狀結構製作步驟包含一第三刀片狀結構製作步驟，該第三刀片狀結構製作步驟，依照該第一刀片狀結構製作步驟的方式在該第二金屬圖案層及該第二刀片狀結構上形成一 第三金屬圖案層及一第三刀片狀結構，其中該第三金屬圖案層的形狀與該第一金屬圖案層相同，進而使得該蝕刻步驟中，同時將該第一金屬圖案層、該第二金屬圖案層及該第三金屬圖案層以蝕刻液移除，該蝕刻步驟中的蝕刻液不與該第三刀片狀結構起反應，並且而在進行該載板及電鍍種子層移除步驟後，得到一具有該第一刀片狀結構、該第二刀片狀結構以及該第三刀狀結構的該刀片狀微探針結構。
30. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該第一刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
31. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該第一刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料不同。
32. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該第三刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
33. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該第三刀片狀結構與該第二刀片狀結構的材料相同。
34. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該電鍍種子層的形成方式可以為無電鍍、蒸鍍或是濺鍍，而形成該電鍍種子層的材料可以為金、鉻、鈦、銅、鎢的至少其中之一，進一步為包含一上部金屬及一下部金屬的雙層結構。
35. 如申請專利範圍第34項所述之方法，其中該上部金屬為金或銅，該下部金屬為鉻、鈦或鈦鎢合金，該下部金屬的厚度約為50-200A、該上部金屬的厚度約為500~2000A。
36. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該第一金屬層的材料為銅，該第二金屬層的材料為鎳、鎳-錳合金、鎳鐵合金、鎳鈷合金或是錫鉛合金。