TW201405185A - 光電混合基板 - Google Patents

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Yuichi Tsujita
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Abstract

本發明提供一種光電混合基板，其光學元件的安裝性優異且撓性亦佳。該光電混合基板係包括電路基板以及光波導者，該電路基板係在絕緣層的表面上形成有光學元件安裝用焊墊，該光波導係以其第1包覆層與該電路基板的上述絕緣層背面相接觸的狀態形成，其中，在上述絕緣層與上述第1包覆層之間、與上述光學元件安裝用焊墊相對應的部分係設有金屬層，該金屬層的屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上且厚度設定在10μm~25μm的範圍內。

Description

光電混合基板 發明領域
本發明係有關於一種將光波導和電路基板層疊而成的光電混合基板。
發明背景
在最近的電子設備等中，隨著傳輸資訊量的增加，除了電佈線以外，還採用光佈線。作為這樣的電子設備，例如，如圖6所示，提出有一種光電混合基板，該光電混合基板是在撓性基板51的表面上形成電佈線52構成撓性電路基板E0，並於該撓性電路基板E0的上述撓性基板51背面(與電佈線52的形成面相反那一側的面)，層疊由環氧樹脂等構成的光波導(光佈線)W0(下包覆層56、芯57以及上包覆層58)而構成(例如，參照專利文獻1)。
然而，由於撓性電路基板E0和光波導W0都較薄且具有撓性，因此，在將光學元件安裝於上述光電混合基板的撓性電路基板E0的情況下，在其安裝時的載荷的作用下，上述撓性電路基板E0和光波導W0均會變形。因此，不易安裝，且安裝時的操作性較差。並且，由於上述變形之故，恐將導致光傳播損失變大。
另一方面，作為光電混合基板，如圖7所示，提出有一種在上述撓性電路基板E0與光波導W0之間整面設有不鏽鋼層M0的光電混合基板(例如，參照專利文獻2)。在該光電混合基板中，由於上述不鏽鋼層M0作為加強材料發揮作用而對安裝光學元件時的載荷導致的變形進行抑制，因此，光學元件的安裝性優異，且上述變形導致的光傳播損失也較小。
專利文獻1：日本特開2011-48150號公報
專利文獻2：日本特開2009-265342號公報
發明概要
另外，最近，要求上述電子設備等的小形化，連帶上述光電混合基板也要求能在小空間內使用。因此，需要使光電混合基板具有撓性以將其收納在小空間內。然而，就上述那樣整面設有不鏽鋼層M0的光電混合基板(參照圖7)而言，其不鏽鋼層M0會妨礙撓性化。在該點上還有改進的餘地。
本發明是鑒於這樣的情況而做成的，其目的在於提供一種光學元件的安裝性優異且撓性也優異的光電混合基板。
為了達到上述目的，本發明的光電混合基板採用如下結構：光電混合基板係包括電路基板以及光波導者， 該電路基板係在絕緣層的表面上形成有光學元件安裝用焊墊，該光波導係以其包覆層與該電路基板的上述絕緣層背面相接觸的狀態形成；其中，在上述絕緣層與上述包覆層之間、與上述光學元件安裝用焊墊相對應的部分係設有金屬層，該金屬層的屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上且厚度設定在10μm~25μm的範圍內。
本發明的光電混合基板的金屬層並未整面設置，而是設置於與光學元件安裝用焊墊相對應的部分，因此撓性優異。而且，由於該金屬層的屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上且厚度設定在10μm~25μm的範圍內，因此本發明的光電混合基板能夠謀求薄形化並抑制在將光學元件安裝在上述光學元件安裝用焊墊上時電路基板和光波導的變形，使光學元件的安裝性優異。另外，藉由抑制上述變形，能夠減少該變形所導致的光傳播損失。
尤其是，在上述金屬層的形成材料為不鏽鋼的情況下，由於對熱的耐伸縮性優異，因此能夠形成為品質可靠性較高的光電混合基板。
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電佈線
2a‧‧‧光學元件安裝部
2b‧‧‧電極部
3‧‧‧焊墊
4‧‧‧覆蓋層
5‧‧‧光徑部
6‧‧‧第1包覆層
7‧‧‧芯
7a‧‧‧光反射面
8‧‧‧第2包覆層
51‧‧‧撓性基板
52‧‧‧電佈線
56‧‧‧下包覆層
57‧‧‧芯
58‧‧‧上包覆層
E‧‧‧電路基板
E0‧‧‧撓性電路基板
M‧‧‧金屬層
M1‧‧‧金屬片材
M0‧‧‧不鏽鋼層
M1‧‧‧金屬片材
W，W0‧‧‧光波導
圖1示意性表示本發明的光電混合基板的第1實施形態，圖1(a)是光電混合基板的縱剖視圖，圖1(b)是光電混合基板的俯視圖。
圖2(a)~圖2(e)是示意性表示上述光電混合基板的製造方法中電路基板的製作程序和金屬層的製作程序之說明 圖。
圖3(a)~圖3(d)是示意性表示上述光電混合基板的製造方法中光波導的製作程序之說明圖。
圖4是示意性表示本發明的光電混合基板的第2實施形態之縱剖視圖。
圖5是示意性表示本發明的光電混合基板的第3實施形態之俯視圖。
圖6是示意性表示習知光電混合基板的縱剖視圖。
圖7是示意性表示另一習知光電混合基板的縱剖視圖。
用以實施發明之形態
接著，根據附圖詳細說明本發明的實施形態。
圖1(a)是示意性表示本發明的光電混合基板的第1實施形態之縱剖視圖，圖1(b)是光電混合基板的俯視圖。此外，在圖1(b)中，為了使上述光電混合基板的光學元件安裝用焊墊3與金屬層M的配置清楚，僅圖示了光學元件安裝用焊墊3、金屬層M以及芯7等的一部分結構。該實施形態的光電混合基板包括電路基板E以及光波導W，該電路基板E係在具有透光性的絕緣層1的表面上具有電佈線2，該電佈線2形成有光學元件安裝用焊墊3；該光波導W係以其第1包覆層(下包覆層)6與該電路基板E的上述絕緣層1背面相接觸的狀態形成；且該光電混合基板整體上形成為帶狀。並且，在上述絕緣層1與上述第1包覆層6之間、與上述光學元件安裝用焊墊3相對應的部分設有金屬層M。該金屬 層M的屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上且厚度設定在10μm~25μm的範圍內。
此外，該實施形態中，在上述帶狀的光電混合基板的長向上各端部，以沿著其長向排列的狀態形成有兩個光學元件安裝用焊墊3，與此相對應地，金屬層M也以沿著長向排列的狀態設有兩個。其中，靠端部側的金屬層M係朝不太涉及光電混合基板的撓性的端部方向延伸設置，且該延伸設置部分與上述電佈線2的接地用電極部2b相接觸。另外，上述兩個金屬層M之間的部分成為位於被安裝在上述光學元件安裝用焊墊3上的光學元件與芯7的光反射面(45°傾斜面)7a間之光徑部5。
上述光電混合基板並非整面設置金屬層M，而是在與光學元件安裝用焊墊3相對應的部分等限定性地設有金屬層M，因此，上述光電混合基在沒有設置上述金屬層M的大部分處具有優異的撓性且能夠謀求輕量化。而且，由於上述金屬層M的屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上且厚度設定在10μm~25μm的範圍內，因此上述光電混合基板能夠謀求薄形化並抑制在將光學元件安裝在上述光學元件安裝用焊墊3上時電路基板E和光波導W的變形，使光學元件的安裝性優異。
另外，上述金屬層M還具有阻斷使光傳播效率變差的水分自第1包覆層6的兩端側面(圖1(a)、(b)的左右兩端面)向光徑部5中滲透的作用。即，上述光電混合基板能夠在實現撓性化、輕量化、薄形化的同時防止水分向光徑部5 中滲透以致光傳播效率變差的情況。
進一步詳細說明，如上所述，上述電路基板E包括具有透光性的絕緣層1和形成在絕緣層1表面的電佈線2。該電佈線2包括光學元件安裝部2a以及接地用電極部2b，該光學元件安裝部2a係可供光學元件安裝用焊墊3形成，該接地用電極部2b係貫穿上述絕緣層1而與背面的金屬層M相接觸。並且，上述光學元件安裝用焊墊3暴露，而上述電佈線2經覆蓋層4覆蓋而受到絕緣保護。
如上所述，在光電混合基板的各端部，上述金屬層M設於絕緣層1與第1包覆層6之間、分別與兩個光學元件安裝用焊墊3相對應的部分。並且，從謀求光電混合基板的薄形化並抑制在將光學元件安裝於上述光學元件安裝用焊墊3上時電路基板E和光波導W的變形的觀點考慮，上述金屬層M的屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上且厚度設定在10μm~25μm的範圍內。若該金屬層M的厚度小於10μm，雖然能夠進一步謀求薄形化，但不能充分地對安裝光學元件時的上述變形進行抑制，會導致安裝強度降低或光學元件的位置精度降低。反之，若金屬層M的厚度大於25μm，雖然能夠充分抑制上述變形，但由於第1包覆層6以覆蓋上述金屬層M的狀態形成，因此該第1包覆層6變厚，從而光電混合基板的撓性變得不充分。
上述光波導W包括：上述第1包覆層(下包覆層)6、以規定圖案形成於該第1包覆層6表面的芯7、以及以覆蓋了該芯7的狀態形成於上述第1包覆層6表面的第2包覆 層(上包覆層)8。並且，上述第1包覆層6以覆蓋上述金屬層M且進入填埋上述光徑部5的狀態形成，其背面(與芯7的形成面相反那一側的面)與上述電路基板E的絕緣層1相接觸。並且，在芯7的長向上兩端部，芯7對應上述光徑部5的部分形成為相對於芯7的長向呈45°傾斜的傾斜面。該傾斜面成為反射光而使光能夠在安裝於上述光學元件安裝用焊墊3的光學元件與芯7之間傳播的光反射面7a。即，在該光反射面7a處，芯7的折射率大於位在該光反射面7a外側的空氣的折射率，因此，當來自發光元件(光學元件)的光或在芯7內傳播過來的光到達上述光反射面7a時，該光的大部分被反射而將光徑轉變90°。
此外，由於上述光徑部5形成在由環氧樹脂等樹脂構成的第1包覆層6中，因此具有吸濕性。由於在濕度較高的環境下使用或長期使用等，外部氣體中的水分會自第1包覆層6的外周側面滲透到光徑部5中，若第1包覆層6處於該光徑部5中之部分的吸濕量過多，則該光徑部5中的光傳播效率會變差。對於此問題，在此實施形態中乃如上所述，以金屬層M防止了水分向光徑部5中滲透。
接著，說明上述光電混合基板的製造方法(參照圖2(a)~圖2(e)、圖3(a)~圖3(d))。
首先，準備用以形成上述金屬層M的金屬片材M1(參照圖2(a))。作為該金屬片材M1(金屬層M)的金屬材料，可以列舉出屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上的不鏽鋼、鈦、各種合金等。另外，上述金屬片材M1的厚度設定 在與上述金屬層M的厚度相同的10μm~25μm的範圍內。
接著，如圖2(a)所示，在上述金屬片材M1的表面上塗敷由聚醯亞胺樹脂等構成的感光性絕緣樹脂，並利用光刻法形成預定圖案的絕緣層1。此實施形態中，為了形成與金屬層M(金屬片材M1)相接觸的接地用電極部2b，在絕緣層1的長向上兩端部形成孔部1a，用以使金屬片材M1之對應上述接地用電極部2b的表面部分暴露。此外，上述絕緣層1的厚度設定在3μm~40μm的範圍內。
接著，如圖2(b)所示，利用例如半加成法形成上述電佈線(包括光學元件安裝部2a和接地用電極2b)2。在該方法中，首先，在上述絕緣層1的表面上，利用濺鍍或非電解電鍍等形成由銅或鉻等構成的金屬膜(未圖示)。該金屬膜成為進行後面的電解電鍍時的晶種層(作為形成電解電鍍層的基底的層)。接下來，在由上述金屬片材M1、絕緣層1以及晶種層構成的層疊體的兩面上層壓感光性抗蝕劑(未圖示)，再於形成有上述晶種層的一側的感光性抗蝕劑上，利用光刻法形成上述電佈線2的圖案的孔部，使上述晶種層的表面部分暴露於該孔部的底部。接著，藉由電解電鍍，在上述晶種層暴露於上述孔部的底部的表面部分層疊形成由銅等構成的電解電鍍層。然後，利用氫氧化納水溶液等剝離上述感光性抗蝕劑。之後，利用軟蝕刻去除晶種層之未形成有上述電解電鍍層的部分。由剩餘的晶種層和電解電鍍層構成的層疊部分即為上述電佈線2。此外，上述電佈線2的厚度設定在5μm~35μm的範圍內。
然後，如圖2(c)所示，對上述光學元件安裝部2a以外的部分施加光罩，並在該光學元件安裝部2a的表面形成由金或鎳等構成的電解電鍍層，從而形成光學元件安裝用焊墊3。之後，去除上述光罩。
接著，如圖2(d)所示，在使上述光學元件安裝用焊墊3暴露的狀態下對電佈線2的一部分塗敷由聚醯亞胺樹脂等構成的感光性絕緣樹脂，並利用光刻法形成覆蓋層4。此外，上述覆蓋層4的厚度設定在3μm~40μm的範圍內。這樣一來，在上述金屬片材M1的表面上形成了電路基板E。
接著，在由上述金屬片材M1和電路基板E構成的層疊體的兩面上層壓感光性抗蝕劑(未圖示)，之後在上述金屬片材M1背面側(與電路基板E相反側的面側)的感光性抗蝕劑中與上述金屬層M以外的部分相對應的部分，利用光刻法形成孔部，使上述金屬片材M1的背面部分暴露於該孔部的底部(在圖中為上表面)。
然後，如圖2(e)所示，使用與該金屬片材M1的金屬材料相應的蝕刻用水溶液(例如，若為不鏽鋼層則使用氯化鐵水溶液)進行蝕刻，將上述金屬片材M1之暴露於上述孔部底部的部分去除，從而形成上述金屬層M，並使上述絕緣層1暴露於該去除痕跡的底部(在圖中是上表面)。之後，利用氫氧化納水溶液等剝離上述感光性抗蝕劑。
然後，為了在上述電路基板E的背面(在圖中是下表面)形成光波導W(參照圖3(d))，首先，如圖3(a)所示，以覆蓋上述金屬層M的方式在上述絕緣層1的背面塗敷第1包 覆層(下包覆層)6的形成材料、即感光性環氧樹脂等感光性樹脂，之後利用輻射線對該塗敷層進行曝光使其固化，從而形成為第1包覆層6。上述第1包覆層6的厚度(距金屬層M的背面的厚度)設定在5μm~60μm的範圍內。此外，在形成光波導W時(在形成上述第1包覆層6、下述芯7以及下述第2包覆層(上包覆層)8時)，使上述金屬層M的背面朝向上方。
接下來，如圖3(b)所示，在上述第1包覆層6的表面(在圖中是下表面)上，利用光刻法形成預定圖案的芯7。該芯7的厚度設定在20μm~200μm的範圍內，寬度設定在20μm~200μm的範圍內。作為上述芯7的形成材料，例如可以列舉出與上述第1包覆層6相同的感光性樹脂，並使用折射率比上述第1包覆層6和下述第2包覆層8(參照圖3(c))的形成材料的折射率大的材料。該折射率的調整譬如可藉由選擇上述第1包覆層6、芯7以及第2包覆層8的各形成材料的種類、或調整組成比例來進行。
接著，如圖3(c)所示，利用光刻法以覆蓋上述芯7的方式在上述第1包覆層6的表面(在圖中是下表面)形成第2包覆層8。該第2包覆層8的厚度(距第1包覆層6的表面的厚度)為上述芯7的厚度以上且設定在400μm以下。作為上述第2包覆層8的形成材料，可舉與上述第1包覆層6相同的感光性樹脂為例。
然後，如圖3(d)所示，藉由雷射加工或使用刀尖角度為90°的旋轉刀等進行的切削加工等，將光波導W之對應上述光徑部5(在圖中位於下方)的部分(兩端部)形成為相 對於芯7的長向傾斜45°的傾斜面。並且，該傾斜面中芯7的部分作為光反射面7a而發揮作用。這樣一來，在上述電路基板E的背面即形成了光波導W。這樣一來，獲得了圖1(a)、(b)所示的光電混合基板。
圖4是示意性表示本發明的光電混合基板的第2實施形態之縱剖視圖。在該實施形態中，並未如圖1(a)、(b)所示的第1實施形態般將靠端部側的金屬層M向端部方向延伸設置，而是在光學元件安裝用焊墊3的下方形成有上述電佈線2的接地用電極部2b，並使該接地用電極部2b與上述金屬層M相接觸。除此之外的部分與圖1(a)、(b)所示的第1實施形態相同，並對相同的部分標註相同的元件符號。
在該實施形態的光電混合基板中，由於靠端部側的金屬層M沒有向端部方向延伸設置，因此，光電混合基板的兩端部也具有撓性。
圖5是示意性表示本發明的光電混合基板的第3實施形態之俯視圖。該實施形態中，在圖4所示的第2實施形態的光電混合基板的長向上各端部，於光電混合基板的寬度方向上再追加形成有兩個金屬層M，連同沿著長向排列的兩個金屬層M一起以金屬層M圍著光徑部5的狀態形成為四邊框狀。除此之外的部分與圖4所示的第2實施形態相同，並對相同的部分標註相同的元件符號。此外，在圖5中，為了使上述光電混合基板的光學元件安裝用焊墊3與金屬層M的配置清楚，僅圖示了光學元件安裝用焊墊3、金屬層M以及芯7等部分結構。
在該實施形態中，由於上述金屬層M在光學元件安裝用焊墊3的附近形成為四邊框狀，因此，該四邊框狀的金屬層M的剛性變高，能夠進一步抑制在將光學元件安裝在上述光學元件安裝用焊墊3上時電路基板E和光波導W的變形，從而使光學元件的安裝性變得更優異。
如上所述，上述光徑部5係形成在由感光性環氧樹脂等感光性樹脂構成的第1包覆層6中，因此具有吸濕性。由於在濕度較高的環境下使用、長期使用等，外部氣體中的水分會自第1包覆層6的外周側面滲透到光徑部5中，若第1包覆層6處於該光徑部5中之部分的吸濕量變得過多，則該光徑部5中的光傳播效率會變差。對此問題，在該實施形態中，由於上述光徑部5被四邊框狀的金屬層M包圍，因此能夠大體上完全防止水分向上述光徑部5中滲透，並能夠長期維持較高的光傳播效率。
接著，與比較例一併說明實施例。但是，本發明並不限定於實施例。
實施例
實施例1~實施例3、比較例1~比較例4
在上述第1實施形態中，將金屬層的種類和厚度以及第1包覆層(下包覆層)的厚度(距絕緣層的厚度)之設定如下述表1中所示。此外，對實施例1~實施例3、比較例1~比較例4均進行了以下設定：光電混合基板的長度為100mm，光電混合基板的寬度為30mm，絕緣層的厚度為5μm，芯的厚度為50μm，芯 的寬度為50μm，第2包覆層(上包覆層)的厚度(距第1包覆層表面的厚度)為60μm。
光學元件的安裝性
使用倒裝晶片貼合器將發光元件(ULM公司製造、ULM850-05-TT-C0101D)安裝在上述實施例1~實施例3和比較例1~比較例4的光電混合基板的光學元件安裝用焊墊上。然後，利用電子顯微鏡測定該安裝後的光學元件安裝用焊墊的變形量，將其變形量在5μm以下者視為安裝性優異並評價為○，將變形量超過5μm者視為安裝性較差並評價為×，且示出在下述表1中。
撓性
使上述實施例1~實施例3和比較例1~比較例4的光電混合基板在長向和寬度方向上彎曲多次。然後，將容易彎曲者評價為○，將難以彎曲者評價為×，並示出在下述表1中。
由上述表1的結果可知：在金屬層的0.2%耐力為170MPa以上且金屬層的厚度設定在10μm~25μm的範圍內的實施例1~實施例3，光學元件的安裝性和撓性優異，在上述範圍以外的比較例1~比較例4，光學元件的安裝性或撓性較差。
本發明的光電混合基板能夠應用於電子設備內的小空間中。
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電佈線
2a‧‧‧光學元件安裝部
2b‧‧‧電極部
3‧‧‧焊墊
4‧‧‧覆蓋層
5‧‧‧光徑部
6‧‧‧第1包覆層
7‧‧‧芯
7a‧‧‧光反射面
8‧‧‧第2包覆層
E‧‧‧電路基板
M‧‧‧金屬層
W‧‧‧光波導

Claims (2)

  1. 一種光電混合基板，係包括電路基板以及光波導者，該電路基板係在絕緣層的表面上形成有光學元件安裝用焊墊；該光波導係以其包覆層與該電路基板的上述絕緣層背面相接觸的狀態形成，該光電混合基板的特徵在於，在上述絕緣層與上述包覆層之間、與上述光學元件安裝用焊墊相對應的部分係設有金屬層，該金屬層的屈服應力或0.2%耐力為170MPa以上且厚度設定在10μm~25μm的範圍內。
  2. 如請求項1之光電混合基板，其中上述金屬層的形成材料係不鏽鋼。
TW102121933A 2012-07-13 2013-06-20 光電混合基板 TWI546578B (zh)

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6245569B2 (ja) * 2013-06-06 2017-12-13 日東電工株式会社 光電気混載基板
JP2014238491A (ja) * 2013-06-07 2014-12-18 日東電工株式会社 光電気混載モジュール
US9377595B2 (en) * 2013-12-11 2016-06-28 Stan C. Petrov Photoelectric conductive motherboard and modular system
JP6653857B2 (ja) * 2014-11-25 2020-02-26 日東電工株式会社 光電気混載基板およびその製法
JP2016156865A (ja) * 2015-02-23 2016-09-01 京セラ株式会社 光回路基板の製造方法
JP6959731B2 (ja) * 2016-11-30 2021-11-05 日東電工株式会社 光電気混載基板
EP3376099B1 (en) * 2017-03-17 2019-09-18 Lumileds Holding B.V. Led lighting arrangement
JP7359579B2 (ja) * 2019-07-05 2023-10-11 日東電工株式会社 光電気複合伝送モジュール

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3020085B2 (ja) * 1995-11-30 2000-03-15 株式会社日立製作所 異形断面形状三次元部品の製造方法
JP3559528B2 (ja) * 2001-01-29 2004-09-02 京セラ株式会社 光電気回路基板
CA2373344C (en) * 2001-02-28 2012-03-20 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Corrosion-resistant metallic member, metallic separator for fuel cell comprising the same, and process for production thereof
JP2005297018A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Fujitsu Ltd 剛性強化構造及びその製造方法
JP2006171398A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Hitachi Cable Ltd 光伝送モジュール
US7674987B2 (en) * 2007-03-29 2010-03-09 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed circuit board
JP5055193B2 (ja) * 2008-04-24 2012-10-24 日東電工株式会社 光電気混載基板の製造方法
JP2010266598A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Hitachi Cable Ltd 光配線部材
JP5293503B2 (ja) 2009-08-27 2013-09-18 日立化成株式会社 光電気フレキシブル配線板の製造方法
KR101067793B1 (ko) 2009-11-13 2011-09-27 삼성전기주식회사 연성 광기판 및 그 제조방법
JP2011192851A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Omron Corp 光伝送モジュール、電子機器、及び光伝送モジュールの製造方法
JP2012042731A (ja) * 2010-08-19 2012-03-01 Toshiba Corp フレキシブル光電配線板及びフレキシブル光電配線モジュール

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