TW201405169A - 照明光學元件及照明光學元件的設計方法 - Google Patents

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Abstract

本發明說明揭露一種用於EUV投影曝光系統(1)的照明光學元件(23)的瞳琢面(11)到場琢面(7)的配置的設計方法，其考量在不同長度尺寸的一影像瞳中對應強度分佈的變化。

Description

照明光學元件及照明光學元件的設計方法
本發明係關於一種用於EUV投影曝光系統的照明光學元件的設計方法。本發明更關於所述照明光學元件、照明系統、及具有所述照明光學元件的EUV投影曝光系統。最後，本發明係關於一種製造所述結構構件的方法及利用此製造方法製造的結構構件。
一種用於EUV投影曝光系統的照明光學構件已公開記載於WO 2009/132 756 A1以及WO 2010/037 453 A1中。
本發明之一目的提供一種具有改善光學性質的照明光學元件的設計方法。
根據本發明，此目的之達成係藉由一種用於EUV投影曝光系統的照明光學構件的設計方法，其包含以下步驟：提供一照明光學構件，其包含具有多個場琢面的場琢面鏡及具有多個瞳琢面的瞳琢面鏡；選擇至少一瞳琢面至各個場琢面的一配置，以形成具照明輻射的一物像場照射的複數個照射通道；定義一優質函數以將一評估值(assessment value)指配予該選擇的配置；定義一目標予該優質函數的一數值，定義不同長度尺寸的一些至少兩個環境予各個瞳琢面，其中該優質函數包含一加權的項目之總和，該等項目對應在各個瞳琢面的不同的環境中照明輻射從全部的瞳琢面被導引至該物像場的一總強度，以及將該配置最佳化使得該優質函數的該 數值落入該目標的範圍中。
所述設計照明光學構件之方法的步驟之一是將一瞳琢面鏡的瞳琢面配置給一場琢面鏡的場琢面。
根據本發明，應瞭解的是，將所述瞳琢面配置給場琢面對於所述照明光學構件的光學性質有重要的影響。通常是為了考量用於該投影曝光系統的有限數目的已知結構而設計此配置。然而，應瞭解的是，此配置並不必然地導致充分良好的成像結果，尤其是對於額外新穎的結構。根據本發明，提供一種將瞳琢面配置至場琢面的改良方法。根據本發明之一態樣，此改良方法之達成可透過考慮從各個瞳琢面的不同長度尺寸的至少兩個環境(surrounding)之物像場的照明所對應強度貢獻的加權總和。藉由考量不同長度尺寸面積的貢獻，可將該成像瞳(imaging pupil)的總體性質(例如遠心率(telecentricity)和橢圓率(ellipticity))以及其局部性質最佳化。
應瞭解的是，基於一種經常存在於各個場琢面的場依存性，所述成像瞳總會具有局部的變異，特別是從理論上最佳設計的局部變異。例如，基於實用的目的而非合適的目的將一照明系統的成像瞳設計成完全點對稱性。然而應瞭解的是，不僅局部地考量局部的性質且考量更多總體性質，將所述的瞳設計最佳化對該等照明光學構件的光學性質是具有優勢的。所述設計為了給出敘述性的解釋而將該瞳中局部太高的強度至少部分地補償給該局部環境中過低的強度。一既定長度尺寸的環境所相關的殘留誤差在此至少部分地由下一個較大的環境所補償。
該優質函數包括一加權的項目之總和，該等項目對應在各個瞳琢面的至少兩個、特別是至少三個、特別是至少四個、特別是至少五個不同環境中，照明輻射從全部的瞳琢面被導引至該物像場的一總和強度。考量一較大數目的環境會導致較大的改善，考量一較小數目的環境會導致一比較容易的最佳化方法。
將所述環境係定義成局部環境，各個瞳琢面的最小的環境僅包含該瞳琢面本身，較大的環境包括連續地較大數目的瞳琢面。
根據本發明之一態樣，將各個瞳琢面的環境定義成包含一既 定數目的瞳琢面，其為該對應瞳琢面的n個最接近的鄰伴。
該等環境的替換性定義亦可透過幾何圖案、尤其是歐幾里德距離的方式定義出。於此實例中，所述環境可為圓形。
根據本發明之一態樣，該優質函數考量該成像瞳的性質。該優質函數可特別地考量該成像瞳由預先定義的對稱性偏差。由此，可降低所謂的覆蓋的一給定散焦(defocus)。
根據本發明之一態樣，該優質函數考量該成像瞳從一平頂瞳的偏差。
根據本發明另一態樣，該優質函數考量該成像瞳基於不同光源之間差異所造成的變異。該照明光學構件相對獨立於所述光源及其性質可由此達到最佳化。此造成該照明光學構件具更廣泛地可利用性。此特別地改善了該照明光學構件相對光源變異的寬裕度。
根據本發明另一態樣，在不同的環境中該優質函數對相對應加權之貢獻可由在這些環境中該等瞳琢面數目的一函數所決定。因此可調整該成像瞳局部和總體性質的相對重要性。
該優質函數的權重可特別地被決定，而使得相比較小環境的項目，對應較大環境的項目已經被配置成具有較大的權重。另可替選地，亦可選擇將較大環境的權重相繼地減少。所述優質函數可將在一環境中的該成像瞳的一些所欲成像性質的一絕對偏差定量化，或者將一相對偏差定量化。倘若使用一絕對偏差，則較大的環境本質上已經具有較大的權重。
根據本發明之一態樣，從不同環境該優質函數對應貢獻的所述權重項目係由該瞳琢面至該場琢面的一給定配置的依存性所決定。尤其是，可選定從該瞳琢面至該場琢面的一第一配置且分別地以各個該等項目的一逆向未加權的貢獻而決定對應於從不同環境該優質函數貢獻的加權項目。由此，則可解釋在不同長度尺寸上該瞳中具不同的強度分布變異。
本發明的另一目的在於改良一EUV投影曝光系統的照明光學構件。
根據本發明，此目的之達成可藉由一EUV投影曝光系統的 一照明光學構件，其包含具有複數個場琢面的一場琢面鏡及具有複數個瞳琢面的一瞳琢面鏡，其中提供由該等瞳琢面中的至少一個至各個場琢面的一配置，以形成供一成像場以照明輻射照明的複數個照明通道，其中各個照明通道導致該成像場的照明的一特定強度貢獻，其中該等瞳琢面至該等場琢面的該配置會使得一優質函數包含一加權的項目之總和，該等項目對應在各個瞳琢面的至少兩個不同環境中照明輻射從全部的瞳琢面被導引至該物像場的一總強度，此加權的項目之總和具有一數值落入一預先定義的目標中。
所述照明光學構件尤其是可根據具有以上揭露特徵的方法所設計，此亦具有相應的優點。
本發明的更進一步目的在於改良一種用於EUV投影曝光系統的一照明光學構件、一EUV投影曝光系統、一製造微結構元件的方法以及由此方法所製造的微米結構元件。
這些目的之達成可藉由一EUV投影曝光系統的一照明光學系統，其包括根據本發明之一照明光學構件及產生照明輻射的一照明光源、一EUV投影曝光系統包括根據本發明之一照明光學構件及一成像光學構件以將一物像場成像於一成像場，一製造微結構元件的方法包括以下步驟：提供一晶圓，於其上至少部分地塗佈具光敏材料的一層，提供一光罩，其具有所欲成像的結構，提供上述揭露的一EUV投影曝光系統，藉助該EUV投影曝光系統將至少部分的該光罩投影至該晶圓的該層的一區域上，以及透過上述方法製造一微米結構元件。
以上揭露參考該照明光學構件及其設計的方法伴隨許多優點。該光源可以是一EUV光源，所生成輻射具有一波長其範圍介於5nm和30nm之間。該投影曝光系統係用以微影製造微米結構或奈米結構元件。
1‧‧‧微影投影曝光系統
2‧‧‧光源
3‧‧‧EUV照明光
4‧‧‧集光器
5‧‧‧中介聚焦面
6‧‧‧場琢面鏡
7‧‧‧場琢面
8、8a、8b‧‧‧場琢面群
9‧‧‧中介空間
10‧‧‧瞳琢面鏡
11‧‧‧瞳琢面
12、13、14‧‧‧EUV鏡
15‧‧‧穿透式光學系統
16‧‧‧物像平面
17‧‧‧光罩
18‧‧‧物像場
19‧‧‧投影光學系統
20‧‧‧成像場
21‧‧‧成像平面
22‧‧‧晶圓
23‧‧‧照明光學系統
24‧‧‧圓形板
U1(pfx1)‧‧‧環境
U1(pfx2)‧‧‧環境
U2(pfx1)‧‧‧環境
U2(pfx2)‧‧‧環境
U3(pfx1)‧‧‧環境
U3(pfx2)‧‧‧環境
U4(pfx1)‧‧‧環境
U4(pfx2)‧‧‧環境
U5(pfx1)‧‧‧環境
U5(pfx2)‧‧‧環境
藉由以下圖示的輔助本發明實施例更詳細地揭露如下，其中： 圖1顯示一種用於微影的投影曝光系統，其示義地且關聯性地沿子午線切面方向顯示一照明光學系統；圖2顯示一場琢面鏡的一琢面排列的平面圖，其根據圖1所示之投影曝光系統的照明光學構件；圖3顯示一瞳琢面鏡的一琢面排列的平面圖，其根據圖1所示之投影曝光系統的照明光學構件；圖4顯示一場琢面鏡的琢面排列的進一步配置，其相似於圖2的視圖；圖5顯示一照明光學構件的照明瞳的強度分布的示意表示圖，其中將兩個瞳琢面配置至各個場琢面；圖6a至圖6e顯示相似於圖5的成像瞳的示意表示圖，該成像瞳具有兩個點對稱設置瞳琢面的不同環境；圖7a至圖7c顯示已顯示於圖6a至圖6e的三個環境的示意表示圖；圖8a至圖8c顯示相似於圖7a至圖7c的視圖以表現在本實例中基於該優質函數而考量四個不同瞳琢面的環境；圖9a至圖9c顯示根據本發明該配置對於作為一散焦功能的覆蓋的影響的示例圖表；以及圖10a和10b顯示依賴場點和傾斜度而決定使用的兩個不同的輻射光源所相關的關鍵維度的差異的示例的代表圖表。
一種微影投影曝光系統1係用以製造一微米結構的(microstructured)或奈米結構的(nanostructured)半導體結構構件。一光源2發出EUV輻射，用以在波長範圍例如介於5nm至30nm照射。所述光源2可為一氣體放電產生電漿源(簡稱GDPP源)或一雷射產生電漿源(簡稱LPP源)。基於同步輻射加速器的一輻射源亦可使用於所述光源2。例如，本技術領域具有通常知識者將會發現此類型的光源已揭露於美國專利案號US 6,859,515 B2。EUV照明光或照明輻射3係用以在該投影曝光系統1中照射或成像。在離開光源2後，所述EUV照明光3首先行進穿過一集光器4，此集光器4例如是從習知技術得知的一種具有多層結構的相互套疊式的集光器，或者可選擇的替代方案為一種橢球面形成的集光器。一對應的集光器可從歐洲專利申請案號EP 1 225 481 A中得知。在經過集光器4之後，所述EUV照明光3行進穿過一中介聚焦面5，此中介聚焦面5可用以將所述EUV照明光3分離出不想要的輻射或粒子部分。在經過該中介聚焦面後，所述EUV照明光3照射在一場琢面鏡6上。
為了使位置上的關係方便描述，在各個實例的圖式中首先使用笛卡爾總體的xyz-座標系統(Cartesian global xyz-coordinates system)繪示。於圖1中的x軸與所繪示平面垂直且離開此平面。於圖1中的y軸指向其右方，其z軸指向圖1的上方。
為了使該投影曝光系統1的個別光學元件在位置上的關係方便描述，在各個實例的後續圖式中亦可使用一笛卡爾局部的xyz-或xy-座標系統。所述個別的局部的xy-座標系統跨越該光學元件的一個別的主要排列平面，例如一反射平面，此外並無其他描述。該總體的xyz-座標系統與該局部的xyz-或xy-座標系統的x軸彼此間相互平行。該局部的xyz-或xy-座標系統的個別的y軸與該總體的xyz-座標系統的y軸具有一角度，其對應該個別光學元件相對該x軸的一傾斜角。
圖2透過實例顯示該場琢面鏡6的多個場琢面7的琢面排列。該等場琢面7為矩形且在各個實例中具有同樣的x/y長寬比。該x/y長寬比可例如是12/5、25/4、或104/8。
該等場琢面7具體說明該場琢面鏡6的一反射琢面並且被歸類成四欄，其分別具有六到八個場琢面群8a、8b。於各個實例中，所述場琢面群8a具有七個場琢面7。於各個實例中，兩個中央的場琢面欄的兩個增額邊緣的場琢面群8b具有四個場琢面7。該場琢面鏡6的琢面排列具有多個中介空間9介於兩個中央的琢面欄之間以及介於第三和第四的琢面列之間，在該等中介空間中該場琢面鏡6透過該集光器4的握持阻礙而遮蔽。
在該場琢面鏡6上反射後，該EUV照明光3分離成多條光束或部分捆的光束，其指定給個別的場琢面7，照射在一瞳琢面鏡10上。
圖3顯示該瞳琢面鏡10的多個圓瞳琢面11的一例示的琢面排列。該等瞳琢面11係排列成環繞位於彼此內部琢面環的中心。將該等瞳琢面11的至少一個指定給由該等場琢面7所反射該EUV照明光3的各個部分捆光束，以致在各個實例中，被照射的一對琢面，其具有該等場琢面7的其中一個和該等瞳琢面11的其中一個，具體說明了與該EUV照明光3的相關的部分捆光束的一物像場照明通道。由該等瞳琢面11至該等場琢面7的該通道向指定(channel-wise assignment)之發生端視該投影曝光系統1所欲的照明而決定。
該等場琢面7係透過該瞳琢面鏡10(相較於圖1)和包含三個EUV鏡12、13、14的一在後的穿透光學系統而成像於該投影曝光系統1的一物像平面16上。該EUV鏡14係配置成一掠入射鏡(grazing incidence mirror)。一光罩17排列在該物像平面16中，透過該光罩17以該EUV照明光3照明一照明場形式的一照明區域，該照明場與該投影曝光系統1的光徑下游投影光學系統19的一物像場18一致。該等物像場照明通道在該物像場18中重疊。該EUV照明光3係由該光罩17反射。
該投影光學系統19將該物像平面16中該物像場18成像於該成像平面21中該成像場20。一晶圓22排列於此成像平面21中，該晶圓承載一光敏感層，當利用該投影曝光系統1實施投影曝光將該光敏感層曝光。在投影曝光過程中，以同步輻射的方式在y方向掃描該光罩17及該晶圓22。該投影曝光系統1配置一掃描器。該掃描方向於下文中稱為物像錯置方向(object displacement direction)。
為了實施投影曝光，提供該光罩17及該晶圓22，該晶圓22承載對該EUV照明光3具光敏感的一鍍層。接著，藉由該投影曝光系統1的協助使該光罩17的至少一部分投影到該晶圓22上。最後，將受到該EUV照明光3曝光的該光敏感層顯影於該晶圓22上。依此方式，可製造一微米結構的或一奈米結構的元件，例如是半導體晶片。
所述穿透式光學系統15的該場琢面鏡6、該瞳琢面鏡10、及該等鏡12-14皆為該投影曝光系統1的照明光學系統23的元件。該照明光學系統23與該光源2共同構成該投影曝光系統1的一照明系統。
該場琢面鏡6為該照明光學系統23的一第一琢面鏡。該等場琢面7為該照明光學系統23的第一琢面。
該瞳琢面鏡10為該照明光學系統23的一第二琢面鏡。該等瞳琢面11為該照明光學系統23的第二琢面。
圖4顯示一場琢面鏡6的進一步配置。那些在前揭中已根據圖2參考該場琢面鏡6而描述的元件所對應的元件具有相同的元件符號，並且在此限度內僅會敘述與根據圖2參考該場琢面鏡6的元件有不同的部分。根據圖4的該場琢面鏡6具有含多個曲面場琢面7的一場琢面排列。這些場琢面7係排列於一個具有複數個場琢面群8的五個欄的整體中。該場琢面排列係寫入該場琢面鏡的一圓形板24的一圓形限制中。
根據圖4實施例的該等場琢面7全部都具有相同面積及相同的x方向的寬度對y方向的高度的比值，此比值對應根據圖2配置的該等場琢面7的x/y長寬比。
在各個實例中，藉由一物像場照明通道可精確地將該瞳琢面鏡10的該等瞳琢面11中的兩個指定給分別對應的該場琢面鏡6的各個該等場琢面7。該瞳琢面鏡10因而具有兩倍的瞳琢面11數目相較於該場琢面鏡6所具有的場琢面7。
視該等場琢面7的結構的機械傾斜能力而定，藉由個別的物像場照明通道該瞳琢面鏡10的大於兩個瞳琢面11可指定給該等場琢面7的其中一個。該等場琢面7可然後被迫置於一對應數目的照明傾斜位置。
接著對該照明光學系統23一設計方法進行描述，該照明光學系統亦可稱為照明光學構件。設計該照明光學系統23的主要步驟為選擇對該等瞳琢面11至該等場琢面7的配置形成照明該物像場18的多個照明通道。該配置乃致使該等瞳琢面11的至少其中一個配置至各個該等場琢面7。假如該等場琢面7為可傾斜的，則具有兩個或更多的瞳琢面11可配置 給各個該等場琢面7。尤其是，配置給各個該等場琢面7的瞳琢面11的數目對應該等場琢面7的傾斜位置的數目。
各個照明通道導引至照明該物像場18的一特定強度分布。為了說明之便，圖5示意地顯示與該等不同的瞳琢面11有關的該等照明通道的強度分布。在此，在一成像瞳中強度上的不同亦可示意地以符號的不同面積表示。該等符號的位置表示該等瞳琢面11的位置。更有甚者，該等空心符號對應在一第一傾斜位置中該等瞳琢面11的一第一次集至該等場琢面7的配置，而該等實心的符號對應在一第二傾斜位置中該等瞳琢面11的一第二次集至該等場琢面7的配置。
根據本發明，該方法可同樣地應用於具場琢面7的照明光學系統23，其中該等場琢面為不可傾斜的或具有多於兩個傾斜位置。
如圖5中所顯示，各個場琢面7導引至一照明通道，其對該物像場18的照明具有一特定強度貢獻。該等不同的照明通道尤其可具有不同的強度貢獻，尤其是對該物像場18的照明具有不同的強度貢獻。
根據本發明，定義一優質函數以指定一指定值給從該瞳琢面11至該場琢面7的所選擇的配置。該優質函數的細節將於下文中描述。
再者，將該優質函數的一數值定義予一目標。
將至少兩個環境Ul(pf)的一數目1定義予各個瞳琢面(pf)11。在圖6a至圖6e中顯示不同環境Ul(pf)的例示表述為1l5。在圖6a至圖6e中，顯示在第一位置x1的第一瞳琢面pfx1和在第二位置x2的第二瞳琢面pfx2的該等環境U，第二位置x2與第一位置x1為點對稱。
將各個瞳琢面11的該等環境Ul(pfi)定義成包括該瞳琢面11的一預定的數目n(l)，其為n個最靠近該等瞳琢面11的鄰伴。
另可替選地，根據幾何而可將該環境定義成，尤其是在與一特定瞳琢面11相距一預定歐幾里德距離的範圍內包含所有的瞳琢面11。
該等環境可包含對應該等場琢面7的不同傾斜位置的多個瞳琢面11。此允許找出一配置，對於該等場琢面7的全部可能的傾斜位置將產生該照明系統的良好性能。
藉由該等n個最靠近的鄰伴所定義的該等環境U導致在該瞳琢面鏡10上一方柵中的該等瞳琢面11的排列所對應更多或更少的環境。
透過幾何定義該等環境U，歐幾里德距離將導致圓弧的，尤其是圓形的環境。
藉助於一優質函數，可完成對該瞳琢面11至該場琢面7的該配置的估計，該優質函數包括一加權的項目之總和，該項目對應在各個瞳琢面11的不同長度尺寸1的環境Ul(pf)之中照明輻射3從所有的瞳琢面11被導引至成像場18的全部強度Il pf(x)。在此，Il pf(x)表示在成像場18中在該場點x上環境Ul(pf)的範圍內從所有與該等瞳琢面(pf)11的照明通道有關的照明輻射3的掃描積分總強度。
該優質函數可重寫成：
在此，該條件f可採取不同的函數形式如以下概括所述。因此根據本發明，從該優質函數可估計對不同長度尺寸的條件f，該長度尺寸係以參數1表示。此外，該估計同樣地考慮到各個瞳琢面11及各個場點x。
對應於從不同的環境U貢獻至該優質函數的該等項目以權重gl加權。這些權重係由在個別的環境Ul中瞳琢面11的數目的函數所決定。尤其是，該優質函數的該等權重gl的決定致使較大環境Ul2已配置較大的權重相較於較小環境Ul1配置較小權重。
該等權重gl的可能數值可由以下步驟決定：基於對各個長度尺寸1的該瞳琢面11至該場琢面7的第一配置，而決定該優值函數的一數值，亦即x，包括將該等不同的瞳琢面pf計算總合及將該物像場積分，該權重gl可由此數值的逆值(inverse value)而決定。
亦可能的是，以一隨機的瞳琢面11至場琢面7的配置為開始，決定如以上所述的權重gl的一第一、主要數值，實施一最佳化的配置且在以上最佳化之後決定該權重gl的該數值。從而，由一初始步驟可決定該權重gl。原則上可多次地重複此步驟。
在該優質函數中對於該條件f，可存在多數不同函數形式。該條件f的明確的函數形式有賴於該選擇，其中該影像瞳的參數將被該優質函數所考慮。
該優質函數可考慮該影像瞳從預定義的系統性質的偏差。於此情況下，該條件f可具有以下函數形式：
於此公式中，q[pf]表示該瞳琢面11，該瞳琢面11位於該瞳琢面pf點對稱位置(請參閱圖6a至圖6e及圖Figs.7a至圖7c)。在此，符號∥．∥可表示在此之間項目的絕對值。
除了指數4之外，亦可取代使用指數2或其他偶數指數。有了此優質函數的定義，不同的瞳琢面11至場琢面7的配置將可指派給不同的估計值。根據本發明，直到該優質函數的數值落入一預定義目標的範圍中，該瞳琢面11至場琢面7的配置為最佳化的。對於該配置的最佳化，可使用不同的演算法。尤其是，該瞳琢面11至場琢面7的配置可周期性地排列。大體而言，透過運用一適當的排列可產生各個可能的配置，該排列的長度等於該等場琢面7的數目。因此，最佳化的意義為找到最佳的或者至少一個優良的排列。倘若使用較短的排列週期，亦即僅有一個小的該等場琢面7的次集的該配置被排列一次，則該最佳化運算將非常快地收斂。此次集元素的數目其本身可為一隨機數，大於或等於2但遠小於該等場琢面7的數目。亦可能的是，在該優質函數的數值被估算出來之前，即運用數個所述的排列。
該優質函數亦可考量從一平頂瞳至該成像瞳的偏差。此為一特殊情況，嘗試將兩個光源之間的差異最小化，因此可參考於下文中所描述的後續主題。
另可替選地，該優質函數可考量基於不同光源之間的差異所造成的一成像瞳變異。於此實例中，該條件f可具有以下的函數形式：
在此，LS1表示一第一光源2，LS2表示一第二光源2。例如，該第一光源可為一所謂的GDPP-EUV-源以及該第二光源可為一所謂的LPP-EUV-源。這些光源導致一不同的遠場照明且因而導致與該等瞳琢面11的一給定的配置相關的該等瞳的差異。該最佳化的原理考量不同長度尺寸的環境，並與以上的描述相同。
該照明光學構件23的改良設計對成像性質的效果已明確地顯示於圖9a至圖9c及圖10a和10b中。
圖9a顯示將該等瞳琢面11至該等場琢面7的標準配置(空心符號)和本發明的一配置(影線符號)的該重疊的數值用於一散焦的數值。用於該等散焦之一的數值的該等不同的符號相應於不同的場點x。圖9a顯示具有16nm傾斜度(pitch)及一y-偶極-照明的一結構的一實例。圖9b顯示對於x-偶極-照明的相應結果。圖9c顯示一環狀照明設置的結果。該等圖式顯示根據本發明的照明光學構件由於設計上所造成顯著的改善。
同樣地，圖10顯示對該等瞳琢面11至該等場琢面7的標準配置獨立於該場點x及該傾斜度在使用一LPP-EUV-源和一GDPP-EUV-源的關鍵維度ΔCD的差異。圖10b顯示對根據本發明的一配置的相應結果。可觀察到的是，根據本發明的該配置導致一顯著的改善。因此，即使光源被換成GDPP-源，有了根據本發明的該配置，可使用設計用於一LPP-源的一光罩。
11‧‧‧瞳琢面
U3(pfx2)‧‧‧環境
U3(pfx3)‧‧‧環境

Claims (12)

  1. 一種用於EUV投影曝光系統(1)的照明元件(23)的設計方法，包括下列步驟：a.提供一照明元件(23)具有i.一場琢面鏡(6)，其具有複數個場琢面(7)，及ii.一場瞳面鏡(10)，其具有複數個瞳琢面(11)；b.選擇該等瞳琢面(11)之至少其一配置各個該等場琢面(7)以形成複數個照明通道，其用於具照明輻射(3)的一物場(18)的照明；c.其中各個照明通道導致該物場(18)的照明的一特定強度貢獻；d.定義一優質函數以指定一評估值至該選定的配置；e.以該優質函數的一數值定義一目標；f.以各個瞳琢面(11)定義不同長度規模的至少兩個環境(Ul(pf))的一數目(1)；g.其中該優質函數包含加權的項目之總和，該等項目對應至照明輻射(3)的一總強度(I)，在各個瞳琢面(11)的該不同的環境(Ul(pf))之內從所有的瞳琢面(11)導向該物場(18)；h.最佳化該指向使得該優質函數的該數值落入該目標中。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其中各個瞳琢面(11)的該等環境(Ul(pf))被定義成包含一預定數目(n(l))的瞳琢面(11)，其為該對應的瞳琢面(11)的n個最接近的鄰伴。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該優質函數係考量從既定對稱性質所推導的一影像瞳。
  4. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該優質函數係考量從一平頂瞳所推導的一影像瞳。
  5. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該優質函數係考量基於不同光源之間差異的變化。
  6. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其中從不同的環境至該優質函數的貢獻所相應加權的項目之總和係決定成在這些環境中該等瞳琢面(11)數目的函數。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其中決定該優質函數的權重使得相較於那些配置較小環境的項目，相應較大環境的項目具有較大的權重。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述之方法，其中該等瞳琢面(11)至該等場琢面(7)的一第一配置被選定並且從不同環境至該優質函數所貢獻相應的項目加權被決定成每個這些項目個別地未加的權的貢獻的一逆轉。
  9. 一種用於一EUV投影曝光系統(1)的一照明光學構件(23)，包含：a.具有複數個場琢面(7)的一場琢面鏡(6)；及b.具有複數個瞳琢面(11)的一瞳琢面鏡(10)；c.其中提供至少一個該等瞳琢面(11)至各個場琢面(7)的一配置以形成用於具有照明輻射(3)的一物像場(18)的照明的複數個照明通道，i.其中各個照明場導致該物像場(18)的照明的一特定強度分佈；d.其中該等瞳琢面(11)至該等場琢面(7)的該配置使得一優質函數包括一加權的項目之總和，該等項目對應在各個瞳琢面(11)的兩個不同的環境(Ul(pf))之中該照明輻射(3)從全部的瞳琢面(11)被導引至成像場(18)的全部強度(I)，該加權的項目之總和具有一數值，其落入一預定的目標範圍中。
  10. 一種用於一EUV投影曝光系統(1)的一照明系統，包含：a.根據申請專利範圍第1項所述之照明光學構件(23)；及b.一照明光源(2)用以產生照明輻射(3)。
  11. 一種EUV投影曝光系統(1)包含：a.根據申請專利範圍第1項所述之照明光學構件(23)；及b.一成像光學構件(19)以將一物像場(18)成像於一成像場(20)中。
  12. 一種微米結構的元件的製造方法，包含以下步驟：- 提供一晶圓(22)，在其上方至少部分地塗佈一光敏感材料層；- 提供一光罩(17)，其具有欲被成像的結構；- 提供根據申請專利範圍第11項所述之EUV投影曝光系統(1)；- 透過EUV投影曝光系統(1)的輔助，該將該光罩(17)的至少一部分投影至該晶圓的該層的一區域上。
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