TW201404997A - 具有經紫外光（ｕｖ）處理低發射率塗層的窗片及製造該窗片的方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之某些實施例係有關於一用於窗片中之經塗覆之物件，該經塗覆之物件包括由一基材(例如，玻璃基材)所支撐之低發射率(低E)塗層，其中該低E塗層係暴露至紫外光(UV)輻射下，以改良該塗層之電性、光學級/或熱阻隔性質及因此改良該經塗覆之物件之電性、光學級/或熱阻隔性質。該低E塗層包括至少一紅外光(IR)反射層或包括位於且直接與一接觸/晶種層所接觸的銀，該接觸/晶種層為金屬氧化物諸如氧化鋅及/或錫酸鋅之接觸/晶種層或包含金屬氧化物諸如氧化鋅及/或錫酸鋅之接觸/晶種層。將該低E塗層暴露至UV輻射，例如，自UV燈及/或UV雷射所放射者，得以選擇性加熱該接觸/晶種層，該接觸/晶種層反過來將該熱能轉移至鄰近的IR反射層。該含銀層之加熱改良該銀層之電性、光學及/或熱阻隔性質。該經UV處理之經塗覆物件，具有改良之性質，可被用於單片或絕緣玻璃(IG)窗口單元之中。

Description

具有經紫外光(UV)處理低發射率塗層的窗片及製造該窗片的方法 發明領域
本發明之某些實施例係有關於一用於窗片中之經塗覆之物件，該經塗覆之物件包括由一基材(例如，玻璃基材)所支撐之低發射(低E)塗層，其中該低E塗層係故意暴露至紫外光(UV)輻射下，以改良該塗層之電性、光學及/或熱阻隔性質及因此改良該經塗覆之物件之電性、光學及/或熱阻隔性質。該低E塗層包括至少一包含銀或實質上包含銀之紅外光(IR)反射層，該含銀層係位於(例如，以濺鍍生長於其上)且直接與包含氧化鋅及/或錫酸鋅的一接觸/種晶層直接接觸。該IR反射層及接觸/晶種層可位於該低E塗層中之介電層之間。將該低E層暴露至UV輻射，例如，自UV燈及/或UV雷射所放射者，得以選擇性加熱該接觸/晶種層(例如，氧化鋅及/或錫酸鋅之接觸/晶種層)，其反過來將該熱能轉移至鄰近的銀IR反射層或含銀IR反射層。該含銀層之加熱改良該銀層之電性、光學及/或熱阻隔性質。例如，由將該低E層暴露至UV輻射所造成之此該以銀為主之層的加熱增加該以銀為主之層的導電性(降低其電阻)並反過來增加其阻隔(例如，反射)不欲之IR輻射的能 力。作為一個實例，由將該低E層暴露至UV輻射所造成之該以銀為主之層的加熱增加該以銀為主之層的可見光穿透性，藉此改良其光學性質。該經UV處理之經塗覆物件，具有改良之電性、熱阻隔性，及/或光學性質，可被用於單片或絕緣玻璃(IG)窗口單元之中，諸如用於辦公大樓及/或公寓建築的建築窗片、住宅的窗片、冷凍庫門的窗片，及/或車輛的窗片。
發明背景
IG窗片單元為習知技藝。例如，見U.S.專利第6,632,491、6,014,872、5,800,933、5,784,853；5,557,462；5,514,476；5,308,662；5,306,547；及5,156,894號，全部被併入此處作為參考。一IG窗片單元典型包括被以至少一間隔件及/或封件彼此分隔之至少第一及第二基材。該等經分隔隔離基材之基材之間的間隙或間隔於不同例子中，可或不被以氣體(例如，氬氣)填充，及/或被抽氣至一小於大氣壓的壓力。太陽能控制塗層，諸如低E塗層，有時被與IG單元一同使用以阻隔IR射線到達一建築的外部，該建築外部上設置有該IG窗片。
於玻璃上之濺鍍沉積薄膜太陽能控制(例如，低E)塗層為習知技藝。例如，見U.S.專利第8,173,263、8,142,622、8,124,237、8,101,278、8,017,243、7,998,320、7,964,284、7,897,260、7,879,448、7,858,191、7,267,879、6,576,349、7,217,461、7,153,579、5,800,933、5,837,108、 5,557,462、6,014,872、5,514,476、5,935,702、4,965,121、5,563,734、6,030,671、4,898,790、5,902,505、3,682,528號，皆被併入此處作為參考。低E塗層之濺鍍沉積於接近室溫下，不使用故意經加熱之基材，因非經加熱真空塗覆器之較低花費、高沉積速率、沉積間之能源節省及低維護為有益的。
一經濺鍍沉積之低E塗層通常包括數個層體，包括直接沉積於一材料之接觸/晶種層上的銀層，該材料為諸如氧化鋅或錫酸鋅(ZnSnOx)。該銀於適當的厚度具有於可見光範圍之穿透率，以及於光譜之IR範圍內的反射率。該接觸/晶種層及該銀上之層體的沉積條件決定了該銀之光學及電性性質，諸如太陽能熱增益係數、放射率、薄片電阻，及穿透率。室溫濺鍍沉積薄銀層之品質為不佳的，且常常需要熱處理以改良該銀之光學及電性性質至可接受的等級。該種熱處理(HT)典型地於一對流烘箱中完成，例如，與用於回火產品之玻璃回火組合而進行。然而，亦有非回火及非經回火產品，其並不具有於回火過程中加入銀至HT所具有的優點。
得以改良經濺鍍沉積之銀層的品質為所欲者，例如，於低E塗層之中，不須將包括該塗層之該經塗覆物件進行熱回火程序。藉由IR輻射改良該低E塗層中之室溫經濺鍍沉積之銀的品質之企圖被證明有問題的，因為該IR輻射之多數若被暴露自該玻璃之塗層側將由該銀反射，或若暴露自該經塗覆物件之玻璃側於到達該塗層前，首先被該玻璃 所吸收並可能於溫度升高至足以改良該銀品質之等級前損傷該玻璃基材。被發現的是，根據本發明之某些例示實施例，UV暴露對於改良經濺鍍沉積之銀層(例如，於低E塗層中者)的品質為高度有益的。例如，該經塗覆物件(例如，其上具有一低E塗層者之玻璃基材)可被由該塗層側曝曬，因此該UV係部分被塗層吸收而不損傷該玻璃基材，且該UV之多數得以通過該(等)銀層而不於其可展現該所欲加熱前被反射，該等加熱係藉由將其它得以將熱轉移至銀之層體加熱，以改良銀之光學及電性性質。因此，於本發明之某些例示實施例中，低E塗層之UV曝曬可被用以有效地改良以銀為主之層體之光學及/或電性性質，並因此亦改良該整體塗層之該等性質，諸如太陽能熱增益係數、穿透率、薄片電阻，即可見穿透率之一或多者。
發明概要
本發明之某些實施例係有關於用於窗片中之包括一低發射(低E)之經塗覆物件，其中該低E塗層係故意暴露至強烈之紫外光(UV)輻射，為了改良該塗層以及因此改良該經塗覆物件之電性、熱阻隔姓，及/或光學性質。該低E塗層可包括至少一包含或實質包含銀之紅外光(IR)反射層，其中該含銀層係位於(例如，藉由濺鍍生長於其上)一包含或實質上包含一材料之接觸/晶種層並與一包含或實質上包含一材料之接觸/晶種層相接觸，該材料諸如氧化鋅及/或錫酸鋅。該IR反射層及接觸/晶種層可位於該低E塗層中 之介電質之間。將該低E塗層暴露至UV輻射，例如，自一UV燈及/或UV雷射所放射者，得以選擇性加熱接觸/晶種層(例如，氧化鋅及/或錫酸鋅之接觸/晶種層)，其反過來將該熱能轉移至該鄰近之IR反射銀層或包括銀之IR反射層。該含銀層之此加熱，藉由由接觸/晶種層之UV吸收所產生之熱及所造成之熱產生，改良該銀層之電性、光學及/或熱阻隔性質。例如，由將該低E塗層曝曬至UV輻射所造成之該以銀為主之層的加熱增加該以銀為主之層的導電性(降低其電阻)，並反過來增加其阻隔(例如，反射)不欲之IR輻射的能力。作為另一個實例，將該低E塗層曝曬至UV輻射所造成之該以銀為主之層的加熱增加該以銀為主之層地可見光穿透率，藉此改良其光學性質。於某些例示實施例中，該整個塗層或實質上整個塗層(對於從上方所視之區域)係暴露至UV輻射，因此該整個或實質上整個以銀為主之層對於電性、光學及/或熱阻隔性質被改良。於某些例示實施例中，該接觸/晶種層之能帶隙使得該接觸/晶種層比該塗層中之其它層吸收更多UV輻射，並因此為產生熱之主要層體。強烈UV曝曬造成該接觸/晶種層及以銀為主之層於經曝曬之部分加熱。將該接觸/晶種層加熱造成該鄰近之銀層亦於該經UV曝曬之區域加熱，因此物理性改變於該等區域中之銀層，使其緻密化並造成該銀層於經曝曬之區域變得更為導電且對於可見光更為透明。該UV處理可於該整個低E塗層被沉積於該基材之後、及/或於該接觸/晶種層及該含銀層被沉積但其它上覆層被沉積前之時或之後進行。該經UV處 理之經塗覆物件，具有經改良之電性、光學及/或熱阻隔性質，可被用於單片或絕緣玻璃(IG)窗口單元之中，諸如用於辦公大樓及/或公寓建築的建築窗片、住宅的窗片、冷凍庫門的窗片，及/或車輛的窗片。
於某些例示實施例中，提供製造用於窗片之一經塗覆物件的方法，該方法包含：具備包括一基材之一經塗覆物件，該基材支撐包含至少一層體之塗層，該至少一層體包含銀位於包含金屬氧化物且可吸收紫外光(UV)輻射之層體上；將UV輻射自至少一UV源導向該塗層並將該塗層暴露於UV輻射，以降低該塗層之片電阻及/或增加該塗層之可見穿透率。
於本發明之某些例示實施例中，提供製造用於窗片之一經塗覆物件的方法，該方法包含：具備包括一玻璃基材之一經塗覆物件，該基材支撐一塗層(例如，低E塗層)包含至少一實質金屬層(例如，以Au或Ag為主之層)直接位於及與一包含金屬氧化物(該金屬氧化物具有自3.2至3.4eV之能帶隙)直接接觸；將UV輻射自至少一UV源導向該塗層並將該塗層暴露於UV輻射，以降低該塗層之片電阻及/或增加該塗層之可見穿透率。
1‧‧‧基材
3‧‧‧基材
5‧‧‧塗層
7‧‧‧介電質
9‧‧‧晶種/接觸層
11‧‧‧IR反射層
13‧‧‧接觸層
15‧‧‧介電質
20‧‧‧輻射源
21‧‧‧UV輻射
26‧‧‧間隔件
27‧‧‧間隔/間隙
圖1為用於製造一用於窗片之經塗覆物件之技術之截面視圖，該技術係根據本發明之一例示實施例。
圖2為使用至少圖1之技術所製造之絕緣玻璃(IG)窗片單元的部分截面視圖。
較佳實施例之詳細說明
現在特別參照伴隨之圖式，該等圖式之相似參照編號表示該等數個視圖中之相似部分。
參照圖1-2，本發明之某些例示實施例隙有關於包括一低發射(低E)塗層5於一基材(例如，玻璃基材)1上用於窗片中的經塗覆物件，其中該低E塗層5係故意暴露至強烈紫外光(UV)輻射21，以改良該塗層及藉此改良該經塗覆物件之電性、熱阻隔性，及/或光學性質。一輻射源20可被用於將該塗層暴露至由其所放射之UV輻射。於某些例示實施例中，該輻射源20可為用於放射UV輻射21之一紫外光(UV)雷射及/或燈，諸如一UV準分子或UV固態雷射。該低E塗層5可包括至少一金屬及/或實質金屬紅外線(IR)反射層11，該紅外線(IR)反射層11包含或實質上包含銀，其中該含銀層11係位於(例如，藉由濺鍍生長於其上)一接觸/晶種層9上並與其直接接觸，該接觸/晶種層9包含或實質上包含一材料諸如氧化鋅、氧化錫，及/或錫酸鋅。該IR反射層11及接觸/晶種層9可位於該低E層中之介電質7及15之間。暴露該低E塗層5至UV輻射21，例如，自一UV燈及/或UV雷射20所放射者，使得以選擇性加熱該接觸/晶種層9(例如，氧化鋅、氧化錫，及/或錫酸鋅)，其反過來將該熱能轉移至該鄰近IR反射銀層11或包括銀之IR反射層。該含銀層11之加熱，係藉由由該接觸/晶種層之UV吸收所產生之熱，以及造成之熱生成，改良該銀層之電性、光學， 及/或熱阻隔性質。例如，由將該低E層5暴露至UV輻射21所造成之該以銀為主之層11的加熱增加該以銀為主之層11的導電性(降低其電阻)並反過來增加其阻擋(例如，反射)不欲之IR輻射的能力。作為一個實例，由將該低E層暴露至UV輻射21所造成之該以銀為主之層11的加熱增加該以銀為主之層的可見穿透性，藉此改良其光學性質。於某些例示實施例中，該整個或實質上整個塗層(對於由上方所見之區域)係暴露至UV輻射，因此該整個或實質上整個以銀為主之層11對於電性、光學及/或熱阻隔性質被改良。於某些例示實施例中，該接觸/晶種層9之能帶隙使得該接觸/晶種層9比於該塗層中之任何其它層(7、11、13、15)吸收更多UV輻射，並因此其為產生熱之主要層。強烈UV曝曬造成該接觸/晶種層9及以銀為主之層11於經曝曬之部分加熱。將該接觸/晶種層9加熱造成該鄰近之銀層11亦於該經UV曝曬之區域加熱，因此物理性改變於該等區域中之銀層11，使其緻密化並造成該銀層11於經曝曬之區域變得更為導電且對於可見光更為透明。來自來源20之UV輻射得以選擇性加熱該接觸/晶種層9(其可為一半導體)，並接著將該熱能轉移至鄰近以銀為主之層11(和IR輻射相反，IR輻射將於玻璃上被大部分浪費)。該晶種/接觸層9之良好選擇為氧化鋅或錫酸鋅半導體，該半導體具有自約3.15至3.45之能帶隙，更佳自3.2至3.4eV，其導致該接觸/晶種層9吸收短於364-387nm之UV波長。例如，於355nm之放射線，常見於準分子及固態UV雷射，係由此等晶種/接觸層 材料所吸收，但係由玻璃1不良地吸收(僅有高至15%之355nmUV輻射被玻璃吸收)，因此該玻璃未因此而被顯著的加熱。該UV處理可於該整個低E塗層5被沉積於基材上之後進行，及/或於其它上覆層13及15被沉積之前，該接觸/晶種層9及該含銀層11被沉積的時候或之後進行。該用於經由UV曝曬而改良以銀為主之層11的品質之能量為該造成實質上相同改變的所需能量之分率，該改變係於在一傳統對流爐中之熱回火程序當中加熱該經塗覆之物件(其中該能量之主要部分係浪費於加熱該玻璃上)。將被認可的是，於本發明之某些例示實施例中，該UV曝曬並未將該支撐塗層5之玻璃基材1熱回火。因此，於本發明之某些例示實施例中，該玻璃基材1未被熱回火。
該經UV處理之經塗覆物件，具有經改良之電性、光學及/或熱阻隔性質，可被用於單片或絕緣玻璃(IG)窗口單元之中，諸如用於辦公大樓及/或公寓建築的建築窗片、住宅的窗片、冷凍庫門的窗片，及/或車輛的窗片。於IG窗片單元實施例中(例如，見圖2)，該IG窗片單元包括彼此隔開之第一及第二基材(例如，玻璃基材)1及3，其中該基材1支撐經UV處理太陽能塗層5，諸如一低發射(低E)塗層。於單片窗片實施例中，一基材(例如，玻璃基材)1支撐經UV處理之塗層5。
經由UV曝曬改良銀之品質而不需於熱回火程序中，於典型對流爐中加熱該支撐塗層5的玻璃1有許多優點。玻璃基材1之加熱(例如，於熱回火程序中，於典型對 流爐中加熱)係與將某些可擴散之元素諸如鈉及鉀自玻璃瀝濾有關。當移動至玻璃表面，此等元素可能妥協(compromise)該玻璃及/或塗層的品質且於某些情況下於長久的時間造成腐蝕。因此，希望得以在不需顯著的加熱支撐該塗層5之玻璃基材1之下經由UV21加熱該銀11。因此，該(等)UV源20可被設置於該塗層5所在之玻璃基材的相同側，以當該晶種/接觸層9吸收顯著量之UV輻射時，於該UV輻射到達該玻璃基材1之前，進一步降低該玻璃之加熱。根據本發明之某些實例，可能的話，該玻璃1可於UV曝曬之前及/或之後熱回火，被指出的是，由於該UV曝曬，熱回火對於改良該銀之品質不是必要的。更甚者，若該銀品質可藉由UV而改良而不是必須需要熱回火，則回火及未回火低E產品可實質上使用相同配方或層疊而製造；於此案例中，對於未回火產品之銀品質之改良可藉由此處所討論之UV曝曬而完成，而對於回火產品之銀品質的改良可藉由對流回火及/或藉由非熱(例如，化學性)回火及此處所討論之UV曝曬而完成。更甚者，藉由UV曝曬，銀品質之改良可使用相較於對流加熱諸如熱回火之部分能量而達成。
圖1為用於製造根據本發明之一例示實施例的窗片之技術的截面圖。如圖1中所示，此處提供一包括一玻璃基材1之經塗覆物件，該玻璃基材1支撐一太陽能控制塗層8。雖然基材1較佳為玻璃，其可為其它材料。可被提供於基材1上之太陽能處理/控制塗層(例如，低E塗層)5被敘 述於U.S.專利第8,173,263、8,142,622、8,124,237、8,101,278、8,017,243、7,998,320、7,964,284、7,897,260、7,879,448、7,858,191、7,267,879、6,576,349、7,217,461、7,153,579、5,800,933、5,837,108、5,557,462、6,014,872、5,514,476、5,935,702、4,965,121、5,563,734、6,030,671、4,898,790、5,902,505、3,682,528號，皆被併入此處作為參考。於某些例示實施例中，該太陽能處理塗層5可具有不大於0.12，更佳不大於0.10之發射率(En)，以及不大於10ohms/平方，更佳不大於8ohms/平方之電阻(Rs)。當然，此處之太陽能處理塗層(例如，低E塗層)5並非被限制為此等特定塗層，且任何其它適合得以阻隔IR輻射之量的太陽能處理塗層也可被使用。此處之太陽能處理塗層5可被以任何適合的方式沉積於基材1上，包括但不限於濺鍍(例如，於接近室溫下)、汽相沉積，及/或任何其它適合之技術。
一低E塗層典型包括至少一銀之IR反射層或包含銀之IR反射層11被包夾於至少一下部介電質7及一上不介電質15之間。圖1中之低E塗層5的實例可包括，例如，一二氧化鈦或氮化矽下部介電層或含二氧化鈦或氮化矽之下部介電層7、一氧化鋅(例如，ZnO)、鋅鋁氧化物、錫酸鋅(例如，ZnSnO)、氧化錫及/或其組合或包含上述之下部接觸/晶種層9、銀或金IR反射層或包含銀或金之IR反射層11，Ni及/或Cr(例如，NiCr、NiCrOx、NiOx或類似物)或包含其之上部接觸層13，其係位於該以銀為主之層11之上且 與其直接接觸，及氮化矽及/或氧化錫之上部接觸層或包含氮化矽及/或氧化錫之上部接觸層13。該以金屬氧化物為主之接觸/晶種層9可可擇地以諸如Al、Ni或Ti之材料摻雜。於某些例示實施例中，介電層15可由一氧化錫或包含氧化錫之下部層及氮化矽及/或氮氧化矽或包含其之上部層。可擇地，氧化鋅或包含氧化鋅之上覆層可被以任何合適之方式沉積，諸如於接近室溫下藉由濺鍍。雖然顯示於圖1之低E塗層5僅具有一個銀或包含銀之IR反射層11，亦希望其它可被用於塗層5之低E塗層可包括數個以銀為主之IR反射層，如上述之一些專利案中所顯示及/或敘述者。當該塗層具有由對應晶種層所形成之兩個以銀為主之層體，如圖1所示，當該(等)UV源20位於該玻璃之塗層側，接著該最上部銀層比該下部銀層實現更多的品質改良，因該上部銀層下之晶種/接觸層在UV到達該較低銀層之晶種/接觸層前，該上部銀層吸收顯著之量的UV，然而，依據UV處理之強度及期間，該等銀層兩者可實現品質的改良，因一些UV將到達該下部銀層以及該下部晶種/接觸層。
一或多個輻射源20被提供以將該塗層5之實質全部區域(由上方所視)暴露至UV輻射。例如，於圖1實施例中，該來源20可為一或多個UV燈，其主要放射UV輻射朝向該經塗覆物件及/或一或多個UV雷射主要放射UV輻射朝向該經塗覆之物件。於某些例示實施例中，該UV可包括或為於自約300-400nm之範圍中的輻射，或自約 300-380nm。於某些例示實施例中，該來源20係位於該玻璃基材1之塗層5之側，以降低該玻璃基材1本身於曝曬期間加熱的量(即，該玻璃並非故意以該來源20加熱)。自該來源放射之該UV輻射21造成於該塗層5中之該接觸/晶種層9及/或以銀為主之層11加熱。例如，該晶種層9吸收該UV輻射且所產生之接觸/晶種層9之加熱造成至少該鄰近含銀(或金)之IR反射層11亦於該經暴露之區域加熱，因此物理性的改變至少該銀層11，因而變得更為緻密且使得該銀層11變得更為導電性及對於可見光更為透明。該UV覆曬造成該塗層5為下列之一或兩者：(i)具有降低至少1ohm/sq之其電阻(Rs)的下降，及/或(ii)具有增加至少1%之可見光穿透率。例如，若該塗層之片電阻於該UV曝曬之前為9ohms/平方，於該UV曝曬之後，該塗層將具有不大於8ohms/平方之片電阻。
該接觸/晶種層9(例如，氧化鋅及/或錫酸鋅或含氧化鋅及/或錫酸鋅者)可具有自約3.0至3.45eV之能帶隙，更佳為自約3.15至3.45eV，再更佳為自約3.2至3.4eV，且最佳為約3.2eV，且因為此能帶隙，該接觸/晶種層9吸收自該來源20之UV輻射21(例如，約355nm及/或約308nm)並加熱。該晶種層9可為一半導體或介電質。至少層體11中之銀於該晶加熱層體9之附近的該UV曝曬區域變得被加熱且於該(等)經加熱區域物理性的改變，而更為緻密且變得更為導電性(較低電阻)，對於可見光及/或不同顏色更為透明。因此，當該UV被該晶種/接觸層9吸收，及熱能接著釋 放至至少該鄰近以銀(或金)為主之層11或可能至其它於該層疊中之層體時，該層疊之特性被產生。因此，該IR反射銀層11之物理及光學性質藉由UV曝曬而被改變。該經曝曬之區域將因此具有一較高可見光穿透率及晶改良之IR阻隔性。
圖1顯示於該整個塗層5被沉積(例如，濺鍍沉積)於基材1之後，該塗層5之曝曬；然而亦可進行該UV曝曬已於層體11被沉積之後(及/或於層體11之沉積期間)但於層體13及/或15被沉積之前，立即將至少層體9及11予以曝曬。且於本發明之不同例示實施例中，該UV曝曬可以或不被於一真空腔體中進行。該圖1之單片經塗覆物件，於如圖1所示及上述而經曝曬後，可接著被用為單片窗片或是可與至少一或多個如圖2所示之玻璃基材一起被用於一IG窗片單元中。
圖2為根據本發明之一例示實施例之一IG窗片單元一部分的截面圖，其中該IG窗片單元包括該經參照圖1所製造之UV處理之經塗覆物件。如圖2所示，該IG窗片單元包括第一基材1及第二基材3(例如，兩者可為玻璃基材)，其彼此互相以一或多個邊緣密封件及間隔件26所間隔。可擇地，一陣列或間隔件(未顯示)可被於一窗片之視區中提供於該等基材之間，以將該等基材彼此間隔，如於一真空IG窗片單元之中。該(等)間隔件26、其它間隔件，及/或邊緣密封件使該等兩個基材1及3彼此分隔，因此該等基材不會彼此接觸，而其間界定一間隔/間隙27。於該 等基材1、3之間的該間隔/間隙27於某些例示實施例中可被降壓至一低於大氣之壓力，及/或於某些例示實施例中被以氣體(例如，Ar)所填充。或是，該等基材1、3之間的間隔27不須被以氣體填充及/或不須被降壓至低壓。於某些例示實施例中，可於間隔中放置箔片或其它輻射反射薄片。於本發明之某些例示實施例中，當基材1及/或3為玻璃時，各個玻璃基材可為鈉鈣矽酸鹽(soda-lime-silica)型玻璃，或其它適合型式之玻璃，且可為，例如自約1至10mm厚。如上所述根據圖1之該經UV處理之塗層5，可被連續形成於橫越該支撐基材之實質上整體，且可位於基材1之一內部側以面對該間隙/間隔27，如圖2所示，或可位於基材3之內部側以面對該間隙/間隔27。塗層5(例如，低E塗層)阻隔(即，反射及/或吸收)IR輻射之某些量且預防其到達該建築物之內部。熟習此藝者希望塗層5之IR阻隔/反射層11不將所有IR輻射阻隔，而僅需要阻隔IR輻射之顯著的部分。
就現存之IR阻隔/塗層(即，太陽能處理塗層)5以觀，根據本發明之某些例示實施例的IG窗片單元，如圖2所示，可具有下列太陽能特性(例如，該經塗覆之玻璃基材1為實質上透明之1-6mm厚的鈉鈣矽酸鹽玻璃基材，較佳為自約2至3.2mm厚，且該其它鈉鈣矽酸鹽玻璃基材3係實質上透明的且為自約1-6mm厚，更佳自約2至3.2mm厚)。於下列表1中，RgY為來自該窗片/建築之外側或外部之可見光反射率(即，自太陽所在之處)，且RfY為自該內 部側之可見光反射率(例如，自該建築內部中)。
注意到的是，某些參數可藉由調整層體厚度而調準。例如，藉由增加該以銀為主之層11之厚度，即/或藉由提供該塗層額外之以銀為主之層，片電阻可被降低且可見光穿透率可被降低。於某些例示實施例中，於圖1-5之實施例中的塗層5可具有不大於10ohms/平方的片電阻，更佳不大於8ohms/平方，且最佳不大於6ohms/平方。
於本發明之某些例示實施例中，此處提供製造用於一穿片中之經塗覆物件，該方法包含：具備包括一基材之經塗覆物件，該基材支撐一塗層，該塗層包含至少一包含銀之層體，該層體直接位於含有可吸收紫外光(UV)輻射之金屬氧化物的接觸層上並與其直接接觸；將UV輻射自至少一UV源導向該塗層並將該塗層暴露於UV輻射以降低該塗層之片電阻及/或增加該塗層之可見光穿透率。
於前個段落之方法中，該UV源可包括至少一UV放射燈。
於前述兩個段落之任一者的方法中，該UV源可包含至少一UV放射雷射。
於前述三個段落之任一者的方法中，該將塗層暴露至UV雷射可降低該塗層之電阻至少1ohms/平方，更佳至少約1.5或2ohms/平方。
於前述四個段落之任一者的方法中，該包含金屬氧化物之層體可具有自約3.2至3.4eV之能帶隙。
於前述五個段落之任一者的方法中，該包含金屬氧化物之層體可包含氧化鋅。
於前述六個段落之任一者的方法中，該包含金屬氧化物之層體可包含錫酸鋅。
於前述七個段落之任一者的方法中，該塗層可為一低E塗層。
於前述八個段落之任一者的方法中，該塗層於該UV曝曬後，可具有不大於10ohms/平方之片電阻(Rs)。
於前述九個段落之任一者的方法中，該將塗層暴露至UV輻射可增加該經塗覆物件之可見光穿透率至少1%，更佳至少約1.5至2%。
於前述十個段落之任一者的方法中，該經塗覆物件於該曝曬後可具有至少約50%之可見光穿透率。
於前述十一個段落之任一者的方法中，該基材可為一玻璃基材。
於前述十二個段落之任一者的方法中，該方法可進一步包含，於該曝曬後，將該基材與其上之塗層耦合至另一基材以製造一絕緣玻璃(IG)窗片單元。
於前述十三個段落之任一者的方法中，自該來 源放射之輻射可實質上包含UV輻射。
於前述十四個段落之任一者的方法中，該塗層可進一步包含一包含(a)Ni及/或Cr之氧化物的層體，該層體位於該包含銀之層體之上並與其直接接觸，及/或(b)一包含位於該包含銀之層之上的氮化矽之介電層。
於前述十五個段落之任一者中，該來源及該塗層可位於該基材之同一側上。
如此處所使用的，該“上(on)”、“由...支撐(supported by)”及類似用語並非意欲表示兩個元件直接鄰接於彼此，除非特別指明。換言之，一第一層可被表示為“位於一第二層上”或“由第二層所支撐”，即使其之間具有一或多個層體。
雖然本發明係與被認為是最為實務性且最佳之實施例相關聯而敘述，須被了解的是，本發明被非被限制至所揭示之實施例，相反地，係意欲涵蓋於所附之申請專利範圍的精神及範圍之中所包括的各種改良及相等之配置。
20‧‧‧輻射源
21‧‧‧UV輻射

Claims (20)

  1. 一種製造用於一窗片之經塗覆物件的方法，該方法包含：具備一包括一基材之經塗覆物件，該基材支撐一包含至少一包含銀之層體的塗層，該包含銀之層體直接位於一包含可吸收紫外光(UV)輻射之金屬氧化物之層體上並與其直接接觸；自至少一UV源將UV輻射導向該塗層，並將該塗層暴露至UV輻射以降低該塗層之片電阻及/或增加該塗層之可見光穿透率。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該UV源包含至少一UV放射燈。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該UV源包含至少一UV放射雷射。
  4. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該將該塗層暴露至UV輻射降低該塗層之片電阻至少1ohm/平方。
  5. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該包含金屬氧化物之層體具有自約3.2至3.4eV之能帶隙。
  6. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該包含金屬氧化物之層體包含氧化鋅。
  7. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該包含金屬氧化物之層體包含錫酸鋅。
  8. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該塗層為一 低E塗層。
  9. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中於該UV曝曬後，該塗層具有不大於10ohms/平方之片電阻(Rs)。
  10. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該將該塗層暴露至UV輻射增加該經塗覆物件之可見光穿透率至少1%。
  11. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中於該UV曝曬後，該經塗覆物件具有至少約50%之可見光穿透率。
  12. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該基材為一玻璃基材。
  13. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，進一步包含，於該曝曬後，將該基材與其上之塗層耦合至另一基材以製造一絕緣玻璃(IG)窗片單元。
  14. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中自該來源放射之輻射實質上包含UV輻射。
  15. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該塗層進一步包含一包含Ni及/或Cr之氧化物的層體，該層體係位於該包含銀之層體之上且與其直接接觸。
  16. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該塗層進一步包含一包含氮化矽之介電層，該介電層位於該包含銀之層體之上。
  17. 如前述申請專利範圍之任一項的方法，其中該來源及該塗層係位於該基材之相同側。
  18. 一種製造用於一窗片之經塗覆物件的方法，該方法包 含：具備包括一玻璃基材之經塗覆物件，該玻璃基材支撐一包含至少一實質金屬層的塗層，該實質金屬層直接位於包含金屬氧化物之層體上並與其直接接觸，該金屬氧化物層具有自3.2至3.4eV之能帶隙；自至少一UV來源將UV輻射導向該塗層並將該塗層暴露至UV輻射以降低該塗層之片電阻並增加該塗層之可見光穿透率。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該UV源包含至少一UV放射燈及/或雷射。
  20. 如申請專利範圍第18或19項之方法，其中該將該塗層暴露至UV輻射降低該實質金屬層之片電阻至少一ohm/平方。
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