TW201404539A - 氮化鋁基板之研磨拋光方法 - Google Patents
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Abstract
一種氮化鋁基板之研磨拋光方法，係將未經研磨拋光加工之氮化鋁基板開始研磨加工，先進行初步之粗磨加工，以除去其粗糙表面，使其具有較平整之基本研磨面，再進行進一步之中磨加工，最後，進行一細磨加工，以完成研磨加工，然後，將前述完成研磨加工後之氮化鋁基板開始拋光加工，先進行一細拋加工，使其具有一基本之拋光面，然後進行一精拋加工，以完成拋光加工，並使該氮化鋁基板具有粗糙度量測數值Ra(μm)0.01μm以下之平整光滑表面，此研磨拋光方法亦可應用於雙面加工。
Description
本發明是有關於氮化鋁基板之研磨拋光方法，特別是指一種可有效提昇表面平整度及細緻度，以增加與相關熱源之結合性、增進整體散熱效果之研磨拋光方法。
氮化鋁基板由於具有較佳的熱傳導特性，因此已逐漸被廣泛應用於各種具有散熱需求之場合；但由於氮化鋁基板具有硬度高、結構不緊密之特性，因此針對其進行研磨拋光之加工較為不易，且加工後之鏡面效果較差；同時，其一般研磨拋光加工所需之時間較久，不符合經濟效益，此為目前氮化鋁基板於研磨拋光加工上所碰到之瓶頸，亦為相關業者所亟待努力之課題。
有鑑於習見氮化鋁基板之研磨拋光加工有上述缺點，發明人乃針對該些缺點研究改進之道，終於有本發明產生。
本發明之主要目的在於提供一種氮化鋁基板之研磨拋光方法，其可有效提昇加工後表面之平整度及細緻度，進而增加與相關熱源之結合性，增進整體散熱效果。
本發明為達成上述目的及功效，其所採行的技術手段包括：一「粗磨」步驟，係將未經研磨拋光加工之氮化鋁基板開始研磨加工，首先進行初步之粗磨加工，以除去其粗糙表面，使其具有較平整之基本研磨面；一「中磨」步驟，將前述經粗磨加工後之氮化鋁基板進行進一步之中磨加工；一「細磨」步驟，將前述經中磨加工後之氮化鋁基板再進行一細磨加工，以完成研磨加工；一「細拋」步驟，
將前述完成研磨加工後之氮化鋁基板開始拋光加工，先進行一細拋加工，使其具有一基本之拋光面；一「精拋」步驟，將前述經細拋加工後之氮化鋁基板進行一精拋加工，以完成拋光加工，並使該氮化鋁基板具有平整光滑之表面。
依上述方法，其中該完成拋光加工之氮化鋁基板具有鏡面級表面。
依上述方法，其中該鏡面級表面之粗糙度量測數值係為Roughness,Ra(μm)0.01μm以下。
至於本發明之詳細構造、應用原理、作用與功效，則參照下列依附圖所作之說明即可得到完全的瞭解。
請參第1圖所示，可知本發明之操作方法主要包括：一「粗磨」S11步驟、一「中磨」S12步驟、一「細磨」S13步驟、一「細拋」S14步驟及一「精拋」S15步驟；其中該「粗磨」S11步驟，係於開始研磨加工過程中，將未經研磨拋光加工之氮化鋁(Aluminium nitride，即AlN)基板先進行初步之粗磨加工，以較粗糙之研磨工具除去其粗糙表面，使其具有較平整之基本研磨面，再執行一「中磨」S12步驟，以中等粗糙之研磨工具進行中磨加工，將前述經粗磨加工後之氮化鋁基板表面進一步細緻化，並再以一「細磨」S13步驟，將前述經中磨加工後之氮化鋁基板再以較細緻之研磨工具進行一細磨加工，並藉以完成研磨加工；然後由一「細拋」S14步驟開始拋光加工過程，將前述完成研磨加工後之氮化鋁基板開始拋光加工，先以細緻之拋光工具進行一細拋
加工，使其具有一基本之拋光面，最後，以一「精拋」S15步驟，以最精緻之拋光工具將前述經細拋加工後之氮化鋁基板進行最後一道精拋加工，並完成拋光加工過程。
本發明之上述氮化鋁基板經過研磨加工過程及拋光加工過程後，可使該氮化鋁基板具有鏡面級之平整光滑表面，其粗糙度量測數值係為Roughness,Ra(μm)0.01μm以下；於實際應用上，與傳統材質(藍寶石)相較，該氮化鋁基板經研磨拋光後之鏡面級表面在高倍數顥微鏡下其表面呈現完整分子結構狀而非複雜不規則之皺折狀，因此可得到上述極佳之表面粗糙度量測數值，藉以與相關之熱源(如：LED晶片)產生極佳之結合接觸狀態，進而以提升其整體散熱效能；而在實際應用上，經由上述流程所加工後之氮化鋁基板，其亦可應用於其它各種被動元件和太陽能產品之散熱導熱介面。
由上所述可知，本發明氮化鋁基板之研磨拋光方法確實具有提昇表面平整度及細緻度、增進整體散熱效果之功效，確已具有產業上之利用性、新穎性及進步性。
惟以上所述者，僅為本發明之一較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍。即凡依本創作申請專利範圍所作之均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。
S11‧‧‧粗磨
S12‧‧‧中磨
S13‧‧‧細磨
S14‧‧‧細拋
S15‧‧‧精拋
第1圖係本發明之操作流程圖。
S11‧‧‧粗磨
S12‧‧‧中磨
S13‧‧‧細磨
S14‧‧‧細拋
S15‧‧‧精拋
Claims (3)
- 一種氮化鋁基板之研磨拋光方法，其至少包括：一「粗磨」步驟，係將未經研磨拋光加工之氮化鋁基板開始研磨加工，首先進行初步之粗磨加工，以除去其粗糙表面，使其具有較平整之基本研磨面；一「中磨」步驟，將前述經粗磨加工後之氮化鋁基板進行進一步之中磨加工；一「細磨」步驟，將前述經中磨加工後之氮化鋁基板進行一細磨加工，以完成研磨加工；一「細拋」步驟，將前述完成研磨加工後之氮化鋁基板開始拋光加工，先進行一細拋加工，使其具有一基本之拋光面；一「精拋」步驟，將前述經細拋加工後之氮化鋁基板進行一精拋加工，以完成拋光加工，並使該氮化鋁基板具有平整光滑之表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之氮化鋁基板之研磨拋光方法，其中該完成拋光加工之氮化鋁基板具有鏡面級表面。
- 如申請專利範圍第2項所述之氮化鋁基板之研磨拋光方法，其中該鏡面級表面之粗糙度量測數值係為Roughness,Ra(μm)0.01μm以下。
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| TW101126697A TW201404539A (zh) | 2012-07-25 | 2012-07-25 | 氮化鋁基板之研磨拋光方法 |
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| TW101126697A TW201404539A (zh) | 2012-07-25 | 2012-07-25 | 氮化鋁基板之研磨拋光方法 |
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Family Applications (1)
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| TW101126697A TW201404539A (zh) | 2012-07-25 | 2012-07-25 | 氮化鋁基板之研磨拋光方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI767776B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-06-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 晶圓的加工方法 |
| CN115139191A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-10-04 | 歌尔光学科技有限公司 | 光学镜片模仁的抛光方法 |
| TWI783054B (zh) * | 2017-11-08 | 2022-11-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 磨削裝置 |
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2012
- 2012-07-25 TW TW101126697A patent/TW201404539A/zh unknown
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