TW201401365A - 處理室內零件的冷卻方法、處理室內零件冷卻程式及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是在於提供一種不使基板處理裝置的構成形成複雜，可迅速冷卻處理室內零件之處理室內零件的冷卻方法。其解決手段是在對基板(G)實施乾式蝕刻處理的基板處理裝置(10)中，冷卻在由彼此可分離的基部(11a)及蓋部(11b)所構成的腔室(11)內配置的平台(12)時，將腔室(11)內的壓力調整成大氣壓，使蓋部(11b)從基部(11a)分離，而於腔室(11)的側壁部的全周形成開放部(11d)，使腔室(11)內及大氣連通，利用排氣系(14)在腔室(11)內形成氣流，當平台(12)的溫度被判定成60℃以下時，使排氣系(14)的作動停止，而令腔室(11)內的氣流停止。

Description

處理室內零件的冷卻方法、處理室內零件冷卻程式及記憶媒體
本發明是有關處理室內零件的冷卻方法，處理室內零件冷卻程式，及記憶媒體。
對基板實施所望的電漿處理例如乾式蝕刻處理的基板處理裝置是在被減壓的腔室(處理室)內所配置的平台(載置台)載置基板，在腔室內將基板暴露至由處理氣體所產生的電漿。因此，在電漿處理中，基板會從電漿受熱而溫度上昇，載置基板的平台也會藉由來自電漿的直接入熱或來自基板的熱傳達而溫度上昇。
並且，近年來有將基板形成高溫而實施電漿處理的手法被開發，對應於此，平台是內藏加熱器，該加熱器是將平台加熱至260℃。
可是，一般若重複電漿處理，則起因於處理氣體或基板上的處理對象物(例如氧化膜)的成分而生成的反應生成物會堆積於腔室內零件例如平台或淋浴頭，因此為了去除堆積後的反應生成物，必須定期地進行腔室內 零件的洗淨。又，由於電漿中的陽離子之濺射等，腔室內零件會消耗，因此必須定期性進行腔室內零件的更換。
為了進行基板處理裝置的腔室內零件的洗淨或更換，亦即進行維修，作業者必須從腔室內取出腔室內零件，但如上述般，因為腔室內零件成為高溫，所以必須考量作業者的安全，而於維修前冷卻腔室內零件。
例如，在專利文獻1所示的載置台構造中，用以使冷媒流動於載置台的冷媒通路會形成於內部，在冷卻載置台時，可藉由在冷媒通路流動冷媒來比較快速冷卻。
可是，近年來，有關上述使基板形成高溫來實施電漿處理的方面，藉由對處理基板時的順序下工夫，可只用加熱器等的加熱手段來控制溫度，因此具備內部不具冷媒通路的平台之基板處理裝置漸增。如此的基板處理裝置是在冷卻平台時，在腔室內導入大氣之後放置所定時間。此情況，平台的熱會朝所被導入的大氣傳達，藉此平台的溫度會降低。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2010-219354號公報
然而，朝所被導入的大氣傳達平台的熱的方法是隨著時間的經過，所被導入的大氣會藉由熱的傳達而溫度上昇，因此平台的熱的傳達效率會降低，對平台的冷卻需要長時間。
為了促進平台的冷卻，雖也可考量在平台的內部形成冷媒通路，但基板處理裝置的構成會變得複雜，且成本會上昇。特別是因為維修的頻率並不那麼高，所以只為了維修前的冷卻而形成冷媒通路，其對價效果差。
本發明的目的是在於提供一種不使基板處理裝置的構成形成複雜，可迅速冷卻處理室內零件之處理室內零件的冷卻方法，處理室內零件冷卻程式，及記憶媒體。
為了達成上述目的，請求項1記載的處理室內零件的冷卻方法，係於對基板實施所定的處理的基板處理裝置的處理室內配置的處理室內零件的冷卻方法，其特徵係具備：壓力調整步驟，其係將前述處理室內的壓力調整成大氣壓；處理室內開放步驟，其係將前述處理室的側壁部的至少一部分開放而使前述處理室內及大氣連通；氣流形成步驟，其係利用將前述處理室內排氣的排氣裝置來把前述大氣的流動形成於前述處理室內； 溫度判定步驟，其係判定前述處理室內零件的溫度是否為所定的溫度以下；及氣流停止步驟，其係於前述溫度判定步驟判定前述處理室內零件的溫度為所定的溫度以下時，停止前述排氣裝置的作動，而使前述大氣的流動停止。
請求項2記載的處理室內零件的冷卻方法，係於請求項1記載的處理室內零件的冷卻方法中，前述處理室內開放步驟係將前述處理室的側壁部予以連續性開放於全周。
請求項3記載的處理室內零件的冷卻方法，係於請求項2記載的處理室內零件的冷卻方法中，前述處理室係由構成可分割的蓋部及基部所構成，在前述處理室內開放步驟中，前述蓋部係從前述基部分離，前述蓋部離前述基部的間距為40mm以上且100mm以下。
請求項4記載的處理室內零件的冷卻方法，係於請求項3記載的處理室內零件的冷卻方法中，前述蓋部自前述基部的分離係只藉由前述蓋部的移動，或前述基部的移動，或前述蓋部及前述基部的移動來實現。
請求項5記載的處理室內零件的冷卻方法，係於申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之處理室內零件的冷卻方法中，前述處理室內零件為載置前述基板且具有加熱機構的高溫載置台。
為了達成上述目的，請求項6記載的處理室內零件冷卻程式，係使處理室內零件的冷卻方法實行於電 腦的處理室內零件冷卻程式，該處理室內零件的冷卻方法係於對基板實施所定的處理的基板處理裝置的處理室內配置的處理室內零件的冷卻方法，其係具備：壓力調整步驟，其係將前述處理室內的壓力調整成大氣壓；處理室內開放步驟，其係將前述處理室的側壁部的至少一部分開放而使前述處理室內及大氣連通；氣流形成步驟，其係利用將前述處理室內排氣的排氣裝置來把前述大氣的流動形成於前述處理室內；溫度判定步驟，其係判定前述處理室內零件的溫度是否為所定的溫度以下；及氣流停止步驟，其係於前述溫度判定步驟判定前述處理室內零件的溫度為所定的溫度以下時，停止前述排氣裝置的作動，而使前述大氣的流動停止，其特徵為至少具有：處理室內開放模組，其係實行前述處理室內開放步驟；氣流形成模組，其係實行前述氣流形成步驟；溫度判定模組，其係實行前述溫度判定步驟；及氣流停止模組，其係實行前述氣流停止步驟。
請求項7記載的處理室內零件冷卻程式，係於請求項6記載的處理室內零件冷卻程式中，前述氣流形成模組係於前述處理室內開放模組實行前述處理室內開放步驟的期間，或實行之後，從前述處理室內開放模組叫出 來實行前述氣流形成步驟。
為了達成上述目的，請求項8記載的電腦可讀取的記憶媒體，其特徵為儲存請求項6或7記載的處理室內零件冷卻程式。
若根據本發明，則在處理室內的壓力被調整成大氣壓之後，處理室的側壁部的至少一部分會被開放而連通處理室內及大氣，在處理室內形成大氣的流動，更換被傳達處理室內零件的熱之大氣，因此處理室內零件的周圍的大氣的溫度的上昇會被抑制，處理室內零件的熱的傳達效率的降低會被抑制。其結果，可快速冷卻處理室內零件。並且，為了處理室內零件的冷卻促進，不需要在處理室內零件的內部形成冷媒通路，因此不會有使基板處理裝置的構成形成複雜的情形。
G‧‧‧基板
L‧‧‧開口量
L1‧‧‧開放量
S‧‧‧處理空間
V3‧‧‧閥
W‧‧‧晶圓
10，30‧‧‧基板處理裝置
11，31，36，39，42‧‧‧腔室
11a‧‧‧基部
11b‧‧‧蓋部
11d‧‧‧開放部
12‧‧‧平台
14‧‧‧排氣系
16‧‧‧加熱器
19‧‧‧溫度感測器
27‧‧‧DP
32‧‧‧基座
33，37，40‧‧‧閘閥
34，38，41‧‧‧連通孔
圖1是概略表示實行本發明的實施形態的處理室內零件的冷卻方法的基板處理裝置的構成的剖面圖。
圖2是用以說明圖1的腔室的分割的情況的圖，圖2(A)是表示腔室被分割時的剖面圖，圖2(B)是表示腔室被分割時的立體圖。
圖3是作為圖1的基板處理裝置所實行的處理室內零 件的冷卻方法之平台的冷卻處理的流程圖。
圖4是概略表示實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法之基板處理裝置的第1變形例的構成的剖面圖。
圖5是表示圖4的連通孔被開放時的剖面圖。
圖6是概略表示實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法之基板處理裝置的第2變形例的構成的立體圖。
圖7是概略表示實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法之基板處理裝置的第3變形例的構成的立體圖。
圖8是概略表示實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法之基板處理裝置的第4變形例的構成的立體圖。
以下，一邊參照圖面，一邊說明有關本發明的實施形態。
圖1是概略表示實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法之基板處理裝置的構成的剖面圖。本基板處理裝置10是例如配置於等級1000~10000的無塵室內，且例如對第4.5代以後的FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板(以下簡稱「基板」)G實施所望的電漿處理，例如乾式蝕刻處理。
在圖1中，基板處理裝置10是具備：方形的腔室(處理室)11、及配置於腔室11內的下部的平台12(處理室內零件，高溫載置台)、及與平台12對向而配置於腔室11內的上部的淋浴頭13、及將腔室11內排氣 的排氣系14(排氣裝置)。
腔室11是構成可分割成上下，具有構成下部的基部11a及構成上部的蓋部11b。蓋部11b是構成可藉由升降機(未圖示)來從基部11a分離。並且，腔室11是具有例如即使是第4.5代以後的基板也可充裕收容的大小，例如長度是1.5m，寬度是1.5m，高度是1.2m，較理想是長度為1.4m，寬度為1.3m，高度為1.0m。
平台12是由藉由支柱部15來支撐的平板狀構件所構成，在內部具有加熱器16(加熱機構)，載置基板G。加熱器16是經由給電路17來連接至加熱器單元18，加熱器單元18是控制往加熱器16的給電量，調整藉由加熱器16來加熱的平台12的溫度。並且，平台12具有測定該平台12的溫度的溫度感測器19，溫度感測器19是被連接至溫度感測器單元20。溫度感測器單元20是根據來自溫度感測器19的訊號來測定平台12的溫度。而且，平台12經由匹配器21來連接高頻電源22，高頻電源22往平台12供給高頻電力。平台12是以藉由未圖示接地線所接地的淋浴頭13作為對向電極來往平台12及淋浴頭13之間的處理空間S施加高頻電力而使產生電場。藉由此電場，使從淋浴頭13供給的處理氣體電漿化，產生電容耦合電漿。
淋浴頭13是由與平台12大致同大小的板狀構件所構成，在內部具有緩衝室23、及連通該緩衝室23及處理空間S的多數個氣體孔24。在緩衝室23連接來自 外部的處理氣體供給管25，該處理氣體供給管25往緩衝室23供給的處理氣體是經由各氣體孔24來導入至處理空間S。
排氣系14是渦輪分子泵(Turbo Molecular Pump)(以下稱為「TMP」)26及乾式泵(Dry Pump)(以下稱為「DP」)27串聯構成，具有：連接處理室內及TMP26的排氣流路28a、連接TMP26及DP27的排氣流路28b、將TMP26旁通而直接連接處理室內及DP27的排氣流路28c。排氣流路28a，28b，28c是分別具有可遮斷的閥V1，V2，V3。
圖2是用以說明圖1的腔室的分割的情況的圖，圖2(A)是表示腔室被分割時的剖面圖，圖2(B)是表示腔室被分割時的立體圖。
在圖2(A)及圖2(B)中，基部11a及蓋部11b的接縫11c是形成於腔室11的側壁部的全周，藉由升降機來使蓋部11b從基部11a分離時，在腔室11的側壁部的全周形成有開放部11d。此時，經由開放部11d來連通腔室11內及無塵室的大氣。基部11a之至側壁的接縫11c的高度是在全周為相同，開放部11d之從內壁側端部到平台12的距離是在全周大致相同，例如200mm程度。
升降機是可自由設定蓋部11b之離基部11a的間距，可將開放部11d的開口量L設定成任意的值。並且，升降機亦可從基部11a的上方來完全拿掉蓋部11b。
在基板處理裝置10中，從淋浴頭13往處理空間S導入的處理氣體會藉由在處理空間S所產生的電場來激發而成為電漿。電漿中的陽離子是朝基板G拉進來而對基板G物理性地實施蝕刻處理，且電漿中的自由基是到達基板G而對基板G化學性地實施蝕刻處理。並且，在乾式蝕刻處理中，特別是為了促進化學性蝕刻，加熱器16會將平台12例如加熱至260℃。
基板處理裝置10的各構成零件，例如升降機、加熱器單元18、溫度感測器單元20、TMP26、DP27或閥V1，V2，V3是被連接至基板處理裝置10所具備的控制部(未圖示)，控制部的CPU會按照對應於所定的處理的程式來控制各構成零件的動作。
圖3是作為圖1的基板處理裝置所實行的處理室內零件的冷卻方法之平台的冷卻處理的流程圖。本處理是在實行平台12的洗淨或更換等的維修之前，基板處理裝置10的控制部的CPU會按照平台冷卻程式(處理室內零件冷卻程式)來實行。
在圖3中，首先，加熱器單元18會停止往加熱器16的給電，中止加熱器16之平台12的加熱(步驟S31)，閥V1，V2，V3會被關閉而遮斷各排氣流路28a，28b，28c，藉此中斷排氣系14之腔室11內的排氣(步驟S32)，而且，從淨化氣體供給管(未圖示)或處理氣體供給管25等往腔室11內，自無塵室導入大氣來將腔室11內的壓力調整成大氣壓(步驟S33)(壓力調 整步驟)。熱會從高溫的平台12來傳達至所被導入的大氣，平台12附近的大氣(在圖2(A)中是以虛線表示)的溫度會上昇。
其次，藉由升降機來使蓋部11b從基部11a分離，而於腔室11的側壁部的全周形成開放部11d，更將開放部11d的開口量L例如調整成40mm以上且100mm以下，較理想是60mm以上且80mm以下(步驟S34)(處理室內開放步驟)，閥V3會被開啟，DP27會經由排氣流路28c來開始腔室11內的排氣(步驟S35)(氣流形成步驟)。此時，在腔室11內形成氣流(在圖2(A)中是以箭號表示)，自高溫的平台12傳達熱的大氣是藉由DP27來從腔室11內排出，新的大氣會從無塵室經由開放部11d來流入腔室11內，熱會從平台12來傳達至該新的大氣。在利用DP27之腔室11內的大氣的排出繼續的期間，重複新的大氣的流入、及往該流入的大氣之來自平台12的熱的傳達、以及被傳達熱的大氣的排出。亦即，被傳達平台12的熱的大氣會更換，平台12的熱會持續被奪取，因此平台12的溫度會迅速地降低。
其次，溫度感測器單元20會判別藉由溫度感測器19所測定的平台12的溫度例如是否形成60℃以下(步驟S36)(溫度判定步驟)。之所以將判別基準設為60℃，是因為若是60℃以下，則即使作業者接觸平台12也不會燙傷。
步驟S36的判別的結果，當平台12的溫度未 到達60℃以下時(在步驟S36是NO)，回到步驟S35，繼續被傳達平台12的熱之大氣的更換。另一方面，當平台12的溫度到達60℃以下時(在步驟S36是YES)，關閉閥V3，使腔室11內的氣流停止，停止被傳達平台12的熱之大氣的更換(步驟S37)(氣流停止步驟)。
其次，升降機會從基部11a的上方完全拿掉蓋部11b，將包含平台12的腔室11內的零件開放至無塵室的大氣(步驟S38)，結束本處理。
另外，實行上述平台的冷卻處理的平台冷卻程式是具有：將腔室11內的壓力調整成大氣壓的壓力調整模組、及使蓋部11b從基部11a分離的處理室內開放模組、及開啟閥V3在腔室11內形成氣流的氣流形成模組、及判別平台12的溫度是否形成60℃以下的溫度判定模組，及關閉閥V3使腔室11內的氣流停止的氣流停止模組，原則上各模組是以此順序來實行所對應的處理，但例如亦可在處理室內開放模組使蓋部11b從基部11a分離的期間，氣流形成模組從處理室內開放模組叫出來，開啟閥V3，在腔室11內形成氣流。
藉由圖3的平台的冷卻處理，腔室11內的壓力被調整成大氣壓之後，蓋部11b會離開基部11a，形成開放部11d，腔室11內及無塵室的大氣會連通，在腔室11內形成氣流，替換被傳達平台12的熱的大氣，因此平台12的周圍的大氣的溫度的上昇會被抑制，平台12的熱的傳達效率的降低會被抑制。其結果，可快速冷卻平台 12。並且，為了平台12的冷卻促進，不必在平台12的內部形成冷媒通路，因此不會使基板處理裝置10的構成形成複雜的情形。
在圖3的平台的冷卻處理中，是在腔室11的側壁部的全周形成開放部11d，亦即連續性地開放，因此大氣會從腔室11的側壁部的全周流入，可防止腔室11內的氣流偏倚，進而可防止平台12被偏倚冷卻。
並且，在圖3的平台的冷卻處理中，形成開放部11d時的開口量L為40mm以上且100mm以下，因此可確保流入的大氣的流量，可促進大氣的更換，進而可確實地防止平台12的熱的傳達效率降低。可防止往腔室11內流入的大氣的流速降低，進而可確實地進行腔室11內的氣流的形成。而且，若開口量L為100mm以下，則作業者的手臂無法容易進入，因此可減少作業者觸及高溫的平台12而燙傷的危險性，且因為開口量L並不那麼大，所以來自平台12的輻射熱不易到達腔室11的外部的零件或裝置，可防止腔室11的外部的零件或裝置因熱而故障、劣化。
並且，在圖3的平台的冷卻處理中，在腔室11的側壁部的全周形成開放部11d之前，腔室11內的壓力會被調整成大氣壓，因此在形成開放部11d時，不會在外部的無塵室與腔室11內產生壓力差，不會有大氣急劇地往腔室11內流入的情形。其結果，不會有堆積於腔室11內的底部等的粒子等被捲起的情形，進行可防止粒子 多量地往平台12附著。
另外，平台12的冷卻用的大氣的更換時，無塵室的大氣中的粒子等多少會進入腔室11內，也會有往平台12附著之虞，但平台12的冷卻用的大氣的更換的實行後，維修時平台12是被洗淨或更換，所以往平台12附著的粒子會被除去。因此，在維修後的乾式蝕刻處理中不會有粒子從平台12往基板G轉印之虞。並且，譬如，即使粒子從平台12往基板G轉印，也會因為形成於基板G的配線的寬度是例如最小也為3μm程度，所以即使大小1μm以下的粒子附著，也不會成為從基板G製造的FPD狀態不佳的原因。
實行上述圖3的平台的冷卻處理的基板處理裝置並非限於對圖1所示那樣的大型的FPD用的基板G實施所望的電漿處理的基板處理裝置10，亦可為對半導體裝置用的晶圓W實施所望的電漿處理的基板處理裝置。
圖4是概略表示實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法的基板處理裝置的第1變形例的構成的剖面圖。本基板處理裝置30是例如配置於等級1000~10000的無塵室內，且對例如半徑為300mm~450mm的晶圓W實施乾式蝕刻處理。另外，基板處理裝置30的構成是與基板處理裝置10的構成基本上相同，僅各部的大小或名稱等相異，因此以下省略具有同機能、名稱的構成零件的說明。
在圖4中，基板處理裝置30是具備：圓筒形狀的腔室31(處理室)、及配置在腔室31內的下部的基座32(處理室內零件，高溫載置台)、及與基座32對向而配置於腔室31內的上部的淋浴頭13、及將腔室31內排氣的排氣系14(排氣裝置)。
腔室31是具有：可沿著側壁部滑動的閘閥33、及使腔室31內與無塵室的大氣連通的連通孔34，閘閥33是藉由滑動來開閉連通孔34。
基座32是由圓柱狀的導電性構件所構成，表面全部以絶縁體所覆蓋，且經由給電路17來連接至加熱器單元18，在內部具有加熱器16(加熱機構)。加熱器單元18是在於調整藉由加熱器16來加熱的基座32的溫度。並且，基座32是具有溫度感測器19，溫度感測器單元20是根據來自溫度感測器19的訊號來測定基座32的溫度。而且，基座32是經由匹配器21來連接高頻電源22，往基座32供給的高頻電力是在基座32及淋浴頭13之間的處理空間S使電場產生。在基座32的上部形成有靜電吸附晶圓W的靜電吸盤(未圖示)，且以能夠包圍被靜電吸附的晶圓W的周圍之方式配置有環狀的聚焦環35。
圖5是表示圖4的連通孔被開放時的剖面圖。
在圖5中，連通孔34是設於側壁部的一部分，被開放時，腔室31內及無塵室的大氣會連通。閘閥 33是可自由設定滑動量，可將連通孔34的開放量L1設定成任意的值。
在基板處理裝置30，乾式蝕刻處理中，尤其為了促進化學性蝕刻，加熱器16會將基座32例如加熱至260℃。
並且，基板處理裝置30也實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法。具體而言，若中斷排氣系14之腔室31內的排氣，且將腔室31內的壓力調整成大氣壓，則雖高溫的基座32附近的大氣(在圖5中是以虛線表示)的溫度會上昇，但若閘閥33將連通孔34開放而使該連通孔34的開放量L1例如調整成40mm以上且100mm以下，較理想是60mm以上且80mm以下，開始腔室31內的排氣，則會在腔室31內形成氣流(在圖5中是以箭號表示)，替換被傳達基座32的熱的大氣。而且，當基座32的溫度到達60℃以下時，使腔室31內的氣流停止，停止被傳達基座32的熱的大氣的更換。
亦即，基板處理裝置30在實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法時也是在腔室31內形成氣流來持續奪取基座32的熱，因此基座32的溫度會迅速降低。因此，在實行本實施形態的處理室內零件的冷卻方法時，腔室31的側壁部不需要於全周連續性地開放，只要至少一部分例如連通孔34被開放即可。
但，於全周不連續性地開放腔室的側壁時，如圖6所示般，若為方形的腔室36，則在各側面設置可 用閘閥37開閉的連通孔38，使藉由從各連通孔38往腔室36內流入的大氣所形成的氣流各向同性地到達平台為理想，又，如圖7所示般，若為圓筒形的腔室39，則在側面於周方向以等間隔設置可藉由閘閥40來開閉的連通孔41，使藉由從各連通孔41往腔室39內流入的大氣所形成的氣流各向同性地到達基座為理想。藉此，可防止平台或基座被偏倚冷卻。
並且，在圖6的腔室36或圖7的腔室39中，氣流未從各連通孔38或各連通孔41來各向同性地到達平台或基座時，個別地調整各連通孔38或各連通孔41的開放量來調整從各連通孔38或各連通孔41流入的大氣的量為理想。
而且，亦可如圖8所示般，藉由上部被開放的框體43及被載置於該框體43的上部的蓋44來構成腔室42，使該蓋44從框體43例如分離40mm以上且100mm以下程度，而於腔室42內形成氣流。
以上，有關本發明是利用上述實施形態來說明，但本發明並非限於上述實施形態。例如，上述實施形態的處理室內零件的冷卻方法是冷卻平台12或基座32，但被冷卻的腔室內零件並非限於該等，例如亦可為淋浴頭，且在感應耦合電漿裝置是亦可為隔絕感應耦合用的線圈天線與處理室之間的介電質窗，且在利用微波的電漿裝置亦可為導入微波的介電質窗。
並且，上述的基板處理裝置10是在腔室11 中僅蓋部11b移動而從基部11a分離，但亦可僅基部11a移動而從蓋部11b分離，或亦可基部11a及蓋部11b皆移動而彼此分離。
而且，可實現上述實施形態的處理室內零件的冷卻方法的基板處理裝置所實行的電漿處理也不限於乾式蝕刻處理，例如亦可為成膜處理，該基板處理裝置亦可不是電漿處理，而是實行退火處理等的高溫處理者。
本發明的目的亦可藉由將記錄實現上述實施形態的機能的軟體程式之記憶媒體供應給電腦等，電腦的CPU讀出儲存於記憶媒體的程式例如上述的平台冷卻程式來執行而達成。
此情況，從記憶媒體讀出的程式本身會實現上述實施形態的機能，程式及記憶該程式的記憶媒體是構成本發明。
並且，用以供給程式的記憶媒體是例如可為RAM、NV-RAM、軟碟(註冊商標)、硬碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光碟、磁帶、非揮發性的記憶卡、及其他的ROM等記憶上述程式者。或者，上述程式亦可從連接至網際網路、商用網路、或局部區域網路等之未圖示的其他電腦或資料庫等來下載而供應給電腦。
而且，藉由執行電腦的CPU所讀出的程式，不僅上述實施形態的機能會被實現，且亦包含在CPU上 運作的OS(操作系統)等會根據該程式的指示來進行實際的處理的一部分或全部，藉由該處理來實現上述實施形態的機能時。
甚至，亦包含從記憶媒體讀出的程式在被寫入至插入電腦的機能擴充板或連接至電腦的機能擴充單元所具備的記憶體之後，該機能擴充板或機能擴充單元所具備的CPU等會根據該程式的指示來進行實際的處理的一部分或全部，藉由該處理來實現上述實施形態的機能時。
上述程式的形態亦可由物件程式碼(Object Code)、藉由直譯器(interpreter)所執行的程式、被供給至OS的劇本資料(script data)等的形態所構成。
〔實施例〕
首先，在基板處理裝置10中實行乾式蝕刻處理時，藉由加熱器16來將平台12加熱至260℃，然後，實行圖3的平台的冷卻處理，測定平台12被冷卻至60℃的時間，只需要16小時(實施例)。另外，在實施例中，開放部11d的開口量L是被設定成45mm。
另一方面，與實施例同樣，在基板處理裝置10中藉由加熱器16來將平台12加熱至260℃，然後，在腔室11內導入大氣之後，不進行腔室11內的排氣，且不使蓋部11b從基部11a分離，放置腔室11不理，測定平台12被冷卻60℃的時間，需要48小時(比較例)。
因此，可知藉由實行圖3的平台的冷卻處 理，相較於放置腔室11不理時，可以3倍的速度來冷卻平台12。

Claims (8)

  1. 一種處理室內零件的冷卻方法，係於對基板實施所定的處理的基板處理裝置的處理室內配置的處理室內零件的冷卻方法，其特徵係具備：壓力調整步驟，其係將前述處理室內的壓力調整成大氣壓；處理室內開放步驟，其係將前述處理室的側壁部的至少一部分開放而使前述處理室內及大氣連通；氣流形成步驟，其係利用將前述處理室內排氣的排氣裝置來把前述大氣的流動形成於前述處理室內；溫度判定步驟，其係判定前述處理室內零件的溫度是否為所定的溫度以下；及氣流停止步驟，其係於前述溫度判定步驟判定前述處理室內零件的溫度為所定的溫度以下時，停止前述排氣裝置的作動，而使前述大氣的流動停止。
  2. 如申請專利範圍第1項之處理室內零件的冷卻方法，其中，前述處理室內開放步驟係將前述處理室的側壁部予以連續性開放於全周。
  3. 如申請專利範圍第2項之處理室內零件的冷卻方法，其中，前述處理室係由構成可分割的蓋部及基部所構成，在前述處理室內開放步驟中，前述蓋部係從前述基部分離，前述蓋部離前述基部的間距為40mm以上且100mm 以下。
  4. 如申請專利範圍第3項之處理室內零件的冷卻方法，其中，前述蓋部自前述基部的分離係只藉由前述蓋部的移動，或前述基部的移動，或前述蓋部及前述基部的移動來實現。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之處理室內零件的冷卻方法，其中，前述處理室內零件為載置前述基板且具有加熱機構的高溫載置台。
  6. 一種處理室內零件冷卻程式，係使處理室內零件的冷卻方法實行於電腦的處理室內零件冷卻程式，該處理室內零件的冷卻方法係於對基板實施所定的處理的基板處理裝置的處理室內配置的處理室內零件的冷卻方法，其係具備：壓力調整步驟，其係將前述處理室內的壓力調整成大氣壓；處理室內開放步驟，其係將前述處理室的側壁部的至少一部分開放而使前述處理室內及大氣連通；氣流形成步驟，其係利用將前述處理室內排氣的排氣裝置來把前述大氣的流動形成於前述處理室內；溫度判定步驟，其係判定前述處理室內零件的溫度是否為所定的溫度以下；及氣流停止步驟，其係於前述溫度判定步驟判定前述處理室內零件的溫度為所定的溫度以下時，停止前述排氣裝置的作動，而使前述大氣的流動停止， 其特徵為至少具有：處理室內開放模組，其係實行前述處理室內開放步驟；氣流形成模組，其係實行前述氣流形成步驟；溫度判定模組，其係實行前述溫度判定步驟；及氣流停止模組，其係實行前述氣流停止步驟。
  7. 如申請專利範圍第6項之處理室內零件冷卻程式，其中，前述氣流形成模組係於前述處理室內開放模組實行前述處理室內開放步驟的期間，或實行之後，從前述處理室內開放模組叫出來實行前述氣流形成步驟。
  8. 一種電腦可讀取的記憶媒體，其特徵為儲存如申請專利範圍第6或7項所記載的處理室內零件冷卻程式。
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