TW201364B - - Google Patents

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TW201364B TW081102437A TW81102437A TW201364B TW 201364 B TW201364 B TW 201364B TW 081102437 A TW081102437 A TW 081102437A TW 81102437 A TW81102437 A TW 81102437A TW 201364 B TW201364 B TW 201364B
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Description

Λ 6 Π 6 201364
本發明傜概括鼷於在一晶片處理条統内,在處理站之 間轉移半導體晶片之裝置,本發明尤指能在晶片處理条統 内,在各處理站確定並修正晶片定位誤差之晶片轉移裝置 Ο 一般而言,在半導體晶片上生産積體霉路時,此等晶 片係儲存於一卡匣晶片座並在其上予以輸送,晶片在其上 置於貼近間開,平行之水平槽口内。晶片之處理需要將晶 片自卡匣座抽出,一次一個,並轉移至晶Η處理機。此種 晶Κ處理機可包括若千處理組件,諸如光阻塗佈機、顯影 機、晶片擦洗機或烘烤组件等。在晶片處理完成後,使晶 片回至另一卡匣座,以自處理装'置取出。 經濟部中央楳準扃员工消费合作社印製 可使用置中錐匾完成晶片在諸値別處理站之置中,置 中錐體接觸晶Κ之邊緣,並致使晶片沿錐體表面及位於處 理站之夾頭表面滑動,俾使晶Μ定位於夾頭上。或者,可 使用彈簧型指以阽接晶片之邊緣,致使晶片藉滑動作用定 位於夾頭上。在任一上述方法,如果晶片在其周邊有供在 各處理站定位目的之平面部份或凹口,刖晶片在夾頭上之 真正質量置中如非不可能,也是很難達成。 在任何晶片處理条統,使撖粒污染減至最少為極其重 要,因為此等檝粒可能裂解成破壞隨後蝕刻於晶片上之電 路。為防止撖粒汚染,必要使晶片表面及邊緣之磨耗及( 或)切削減至最少。因此,晶片對置中錐體或在支承表面 上之任何滑動運動必須減至最少或予以消除,並且與晶片 81. 2. 20,000 (請先閲請背而之注意事項#填寫本14 本紙張尺度边用中Β國家楳準(CNS) Τ4規格(210x297公;¢) 201364 經濟部中央楳準局β工消费合作社印製 五、發明説明(/) 邊緣之接觸必須為最少並搔為輕柔。再者,任何之處理或 轉移裝置睡該需要最少之活動组成部份,以減少所産生之 可能污染處理區域之微粒數。 在晶Μ處理系统,宜於使晶片在處理組件内置中於莫 空夾頭上,致使晶片之質量中心與真空夾頭之幾何中心重 合。不規律諸如在晶片4绨上供定位目的之平面部份或凹 口之夾雜,可能使晶片之質量中心不同於其幾何中心。因 為處理組件内之真空夾頭能以約為10, 〇〇〇rpm ( 轉/分鐘)之高速旋轉,故晶Μ之質量中心應與夾頭之幾 何中心重合,以使晶片在處理操作時之振動減至最少。現 有之晶片處理糸統並不適當提供在處理组件内使晶片準確 定位於可旋轉之真空夾頭上,而使晶片之質量中心與夾頭 之幾何中心重合。在晶片不以高速旋轉之其他情況,往往 宜於不管晶片周邊上之平面部份及凹口,並以幾何方式使 晶片置中於夾頭上。 本發明對於在晶片處理条統内,使晶Η定位於以高速 旋轉之真空夾頭上,致使晶片之質量中心與夾頭之幾何中 心重合,而晶片與夾頭之間無任何滑動蓮動之問題提供一 項解答。在處理組件不利用高速旋轉之情形,本發明提供 晶片在組件内之幾何式置中。上述之質置置中及幾何置中 為利用位於一轉移哲末绱之既測器所完成,此轉移背朝向 鄰接晶片之邊緣,以在其上有晶片之夾頭旋轉時,産生一 輸出信號。上述輸出信號配合關連之軟龌.確定一界定夾 -A -_;_ 本紙張尺度遑用中as家樣毕(CNS)IM規格(210x297公*) S1. 2. 20,000 (請先閲讀背ΛΙΠ之注意事項Λ-蜞寫本 201364 Λ 6 Π 6 五、發明説明 (η) 頭旋轉中心與晶片®量中心間置中誤差之距離及方向之向 量。其上有晶片之夾頭然後旋轉變址一角度,以使上述置 中誤差向置在隨後轉移背輸送晶片時,與一近似其霣置中 心所通過之弓形路徑之線對準。晶片然後自真空夾頭轉移 至轉移臂,並移動通過上述弓形路徑,固而在晶片随後置 於夾頭上時,晶片之質量中心與夾頭之旋轉中心重合。以 此方式,晶片之S量中心將會與夾頭之旋轉中心重合,因 而在其上有晶片之夾頭旋轉時,使晶片之振動減至最少。 (請先閲讀背而之注意事項#蜞寫本! 經濟部中央標準局β工消费合作杜印製 口 理 在頭 定 真差 晶片所 凹處Η夾 確 定誤 有晶心 或片 晶之 站 界中 上在中 份晶 將Η理 一置 其一量 部。在 内晶 處。定間 許與質 面成供 統承♦ 在置確心 允量Μ 平逹提 糸支 置位置中 置向晶 像式為 理與 裝對装量 装差以 好方的 處片 此相此質 此誤近 心 同目。Η晶 ,之 •片 ,置, 中相要置晶在 置心置晶 置中時 何以主装在站 裝中裝之 装使上 幾像之之供理 供轉供上 供以頭 之中明中提處 提旋提其 提,夾 片置發置為在 為頭為於 為度於 晶何本站的而 的夾的置。的角置 算幾 ,理目 , 。目空目已量目一並 計之述處一置動一真一與向一址送 睡片所在另裝邏另對另心之另變輸 軟晶上片之之動之心之中向之轉 « 之 ,以晶明中滑明中明轉方明旋移 連外據將發置何發5發旋及發頭轉 藺在根内本站任本質本頭離本夾被 了存 統 理無 片 夾距 之後 除不 条 處間 晶 空之 片随 81. 2. 20,000 本《張尺度遑用中Β Β家樣孕(CNS)甲4規格(210Χ297公*) Λ 6 Β6 201364 五、發明说明(^//)
(請先閲請背而之注意事項典堝寫本A 通過之弓形路徑之線對準。 在下列說明過程中,配合附圖,將會更明白本發明之 其他諸多目的及優點。 在附圖中,採用相同數字在所有圖中檫示相同之部份 圖1為一晶片處理糸統之部份剖面正視圖,示在各處 理組件内之真空夾頭以及在相鄰組件間傳遞晶片之轉移臂 〇 圔2為圖1中所示之装置之頂視平面圖。 圖3至5示使連接夾頭旋轉中心及晶片質置中心之向 量與一在晶片随後被轉移臂輸送並置於夾頭上時,近似晶 片質量中心所通過之弓形路徑之線對準所需要之各種角旋 轉。 經濟部屮央橾準局员工消费合作社印製 現謓參照附圖,其中諸圃示為供說明本發明較佳實施 例的目的,而非意為限制其中所説明之本發明,圖1為本 發明之晶Κ處理条統之部份剖面正視圈,而圖2為其頂視 平面圖。如此,晶片處理裝置包括一卡匣座10容纳多齒 朝向為成II置關偽之晶片1 2。卡匣座1 0藉托架1 6安 裝至機器之框架14,或則可容纳於一設於框架内之升降 室(未示)内,俾容許卡匣座可在垂直方向變址。以數字 1 8概括所示之變址組件設於靠近卡匣座1 0並包括一晶 片拾取臂20及一對準夾頭22。晶片拾取臂20由一托 架24所支承,並可在一設於其上之槽口26内在水平方 S1. 2. 20,000 木紙張尺度遑用中ΒΒ家楳準(CHS) 1Μ規格(210X297公;¢) β/ι 0 4 Λ 2 6 經濟部中央標準局β工消费合作社印製 五、發明説明(_f) 向滑動或移動。托加24及晶片拾取臂20為可在垂直方 向移動,允許晶片拾取背20可與卡匣座1〇上之毎一晶 片對準。或則,如果卡匣座1〇容纳於一升降室内,由於 升降室提供使晶片1 2與晶片拾取臂2 0對準所裔之垂直 蓮動,故晶片拾取臂20之蓮動將會限於水平方向,在任 一情形,當托架24及晶片拾取臂20為在其儲存或中性 位置時(圖1中點線所示)•則在對準夾頭22為在其升 高之位置時,二者均位於夾頭22下面。當晶片拾取臂2 0正由卡匣座10取圖一晶片12時,晶片拾取臂20在 水平方向之運動為在一位於對準夾頭2 2上表面上方之平 面。對準夾頭2 2為可旋轉並可垂直移動。在對準夾·頭2 2内設有出口 (表示),允許宾空通過至其上表面,俾使 晶片1 2固著至夾頭22。 晶片處理组件30及32位於靠近變址組件18。處 理组件3 0及3 2可為若干處理組件諸如塗佈機、顯影機 、或擦洗機組件之任何一種。晶片處理組件30及32設 有一可旋轉真空夾頭34,正予處理之晶片位於此夾頭上 。在宾空夾頭34内設有出口 (未示),允許真空通過至 其上表面,俥在處理時使晶片1 2固著至夾頭34。對準 夾頭22、真空夾頭34及晶片12大致為圔形構形,並 且晶Μ 1 2之直徑為大於每一上述夾頭之直徑。 處理组件4 0及4 2分別位於變址組件1 8與晶片處 理組件30之間及處理组件30與32之間,並控制轉移 -7 -__;_ (請先閲讀背而之注意事項办填寫本< 各紙張尺度逍用中β困家榣準(CNS) Ή規格(210X297公;Ϊ) 81. 2. 20,000 ο 2 ο 6 » 經濟部中央摞準局员工消费合作杜印製 五、發明説明(1;) 臂4 4及4 6繞一位於其一端之摑軸點4 8之各別旋轉。 轉移臂44及46之旋轉為在水平平面。轉移臂44及4 6相反端之上表面50設有一出口52,通過此出口供給 真空,侔使晶片1‘2固著轉移臂44及46,以完成晶片 1 2分別在變址組件1 8與處理组件3 0之間及處理组件 3 0與處理組件3 2之間之轉移。轉移鹫44及46靠近 接觸晶片1 2之末端之底面設有一凹座,一威测器54位 於此凹座内。在對準夾頭22或真空夾項34使晶片12 旋轉時,威測器54提供一表示晶片1 2邊緣相對於感測 器54之位置之輸出信號。上述輸出信號配合軟讎甩以如 下文所述,確定晶片1 2在對準夾頭2 2及真空夾頭34 上之位置。 威測器5 4可為一種非接觸,位置測量型電容威測器 ,諸如 Capacitec 型號 HPL — 7074 — 0020 — X ,或類似者。謓予察知,可利用其他非接觸感測器,諸如 光束斷開或反光感测器,以確定晶片幾何中心或晶片質量 中心相對於對準夾頭2 2或真空夾頭3 4幾何中心之位置 〇 在操作上,使托架24及晶片拾取管20自其儲存或 中性位置(圜1中點線所示)垂直向上移動至一高度,致 使晶片拾取《2 0靠近位於卡匡座1 0上將行予以處理之 晶片1 2。使晶片拾取管20水平移動,自卡匣座1 〇取 回晶Η 1 2並輸送此晶片,俥使其位於對準夾頭2 2上方 (請先閲讀背而之注意事項#蜞寫本|< 本紙張尺度边用中a Β家標毕(CNS)肀4規格(210x297公龙) S1. 2. 20,000 201364 經濟部屮央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明((y) 。使對準夾頭22升高(画1中之黏線位置),並使托架 24及晶片拾取臂20降低為靠近對準夾頭22,允許晶 Η 1 2轉移至夾頭2 2。通過對準夾頭2 2上之出口施加 真空,俾使晶片12固著至其上表面。托架24及晶片拾 取背2 0垂真向下移動至其在對準夾頭2 2下面之儲存或 中性位置。然後使轉移醫44繞其植軸點48旋轉,俥鄰 接對準夾頭22上之晶片1 2。轉移習44之上表面50 約在對準夾頭22之上表面下方1/16吋。使對準夾頭 22旋轉,同時位於轉移暂44内並鄰接其外端之感測器 54檢側晶片1 2邊緣相對於轉移臂44之位置,並産生 一表示上述位置之霣壓。經由各種軟鱧技術,計算求得一 界定對準夾頭22中心與晶片12幾何中心間置中誤差之 距離及方向之向量。然後使其上有晶片12之對準夾頭2 2旋轉變址一角度,以使上述置中誤差向置與一在晶片1 2隨後被轉移臂44輸送時,近似其中心所通過之弓形路 徑之線對準。然後使對準夾頭22降低,以將晶片12轉 移至轉移臂44之外端。晶片12被固著至轉移背44之 外端,以供藉通過出口 52施加至晶片1 2底面靠近其一 邊緣之真空輸送之目的。其上有晶片1 2之轉移背44予 以旋轉通過上述弓形路徑,使晶片12幾何中心對準於與 變址组件18關連之對準夾頭2 2之旋轉中心。然後使與 爱址组件1 8關連之對準夾頭22升高,以將晶片1 2自 轉移臂44轉移至對準夾頭2 2。如果希望,可進行另外 —— _- ---- 本紙張尺度遑用中曲《家標準(CNS)甲4規格(210x297公龙) S1. 2. 20,000 (請先閲讀背而之注意事項再项寫本一^ 201364 Λ 6 Β6 經濟部中央標準局员工消費合作杜印製 五、發明説明(^) 之處理,諸如使晶片旋轉以使其周邊上之平面部份或凹口 定向。如果希望,也可使轉移鹭44旋轉至一在變址组件 18與晶片處理組件30間之中性位置,並使對準夾頭2 2降低進入受址組件1 8。 為了將晶片12自爱址組件18鞞移至晶片處理组件 30,對準夾頭22予以升高(圔1中之點線位鞏),因 而使其上表面略橄高於鹌移暂44之上表面。然後使轉移 鹫44繞擓軸點48自其在變址组件18與晶片處理组件 3 0間之中性位置旋轉至一在變址組件1 8靠近對準夾頭 22之位置。使轉移臂44位於晶Μ 1 2下面,並使對準 夾頭22降低,以將晶片12轉移至轉移臂44之外端。 晶片12被固箸至轉移習44之下端,以供藉通過出口5 2施加至晶片1 2底面靠近其邊緣之真空输送之目的。然 後使轉移管44繞其揠軸黏48旋轉,俾靠近與晶片處理 組件30闋連之真空夾頭34並在其上方。與處理組件3 0關連之真空夾頭34予以升高(圖1中之點線位置), 致使晶Η 1 2自轉移臂44轉移至真空夾頭34。通過設 於真空夾頭34上之出口供給真空,俾將晶片12固著至 夾頭34之上表面。使真空夾頭34旋轉,同時位於轉移 臂44内之威測器54用以檢測晶片12邊緣相對於轉移 臂44之位置。越測器54産生一表示晶Η 12邊緣,或 晶片上之對準平面部份或凹口相對於威潮器54之位置之 霄壓。經由各種軟S技術,計算求得一界定真空夾頭34 (請先閲讀背而之注意事項#填寫本< 本《•張尺度遑用中曲β家楳準(CNS) 1» 4規格(210x297公龙) S1. 2. 20,000
/(vu yC* 五、發明説明() 之旋轉中心與晶Η 1 2之質量中心間置中誤差之距離及方 向之向量。然後使其上有晶片12之真空夾頭34旋轉變 址一角度,以使上述置中誤差向量與一在晶Η 1 2随被轉 移臂44輪送時,近似其質量中心所通過之弓形路徑之線 對準。然後使與處理組件30關連之真空夾頭34降低, 以將晶Μ 1 2轉移至轉移臂4 4之外端。晶片1 2被固蓿 至轉移臂44之外端,以供藉通過出口施加至晶片12底 面靠近其一邊緣之輿空输送之目的。然後使其上有晶片1 2之轉移薄44旋轉通過上述弓形路徑,俥使晶片12之 質量中心與處理組件3 0之真空夾頭34之旋轉中心對準 。然後使與處理組件3 0蘭連之真空夾頭34升高(圖1 中之點線位置),以将晶片12自轉移臂44轉移至夾頭 34。如果希望,可使轉移臂44旋轉至其在變址組件1 8與處理组件30間之中性位置,並使與處理組件30鼷 連之真空夾頭34降低進入組件3 0,以開始晶片12之 處理。 經濟部中央標準/rye工消費合作社印製 (請先閲請背面之注念事項再塡寫本頁) •裝· 線_ 現參照圈3至圖5,例示出有關每一例所需之旋轉變 址之四種狀況,以便使置中誤差向量對準於一條近似於當 晶片12随後為轉移臂44所輪送時,晶片12所行經之 弓形路徑之一線。於逭些圖之中,真空夾頭34之旋轉中 心,晶Η 1 2之質量中心,與為晶片1 2所行經之弓形路 徑,於晶片12為轉移臂44所輪送時.偽分別標示為6 ◦、62與64。在園3中,上逑向量之方向係不同於近 -11- 本紙張又度適用中固國家標準(CNS>甲4规格(210 X 297公釐) 81.9.20,000
五、發明説明() 經濟部中央標準々員工消費合作社印製 似上述弓形路徑64線之方向,其僳相差一小於90度之 任意角。在圈4中,上述方向相差90°而在圔5中,方 向相差大於90° 。方向差異在180°與360°之間 可導出相似之圖。由此諸豳可看出,如果真空夾頭34及 轉移臂44均限制為僅在一方向(順畤鏟方向或逆時鐘方 向)旋轉,其上有晶片1 2之真空夾頭3 4所必須旋轉變 址之角度可最大達3 6 0° 。如果真空夾頭34或轉移管 44之一可在二方向(順時鐘方向及逆時鐘方向)移轉, 則其上有晶片12之真空夾頭34所必須旋轉費址之角度 可最大逹1 8 0° 。如果真空夾頭34及轉移臂44均可 在二方向(順時鐘方向及逆時鐘方向)移動,則其上有晶 片12之真空夾頭34所必須旋轉變址之角度可最大達9 理轉 0 ,處 1置 ο 後 處 864HHS1 之 片 145 晶晶質 座件 晶件蕾器與成之 匣組 至組移測於達上 卡理 蠹址轉戚對 ,4 與處 傅變用之相動 3 一後 ο 自利内後蓮頭 及最 32 但以隨轉夾 件於 件 1 * 端 6 旋空 組置 組片序外 4 之真 址中 理晶程 6管4 之 受統 處述之 4 移 3 連 之条 片所同臂轉頭關 似理 晶才相移之夾 2 相處 自剛 ο 轉 2 空 3 8 Η 2 與 3 於 1 真件 1 晶 1 用件位 Η 之組 件在 Η 利組藉晶連理 組可 晶可理係有關處 址座 將,處-上 2 Η 變匣 了 2Μ 形其 3 晶 與卡 。為 3 晶情藉件與 一之 。件至此及組在。 似 ο 組移在以理 2 中 相 -------------------------裝------#------線 (請先閲讀背面之注&事項再瑱寫本頁) 本紙張又度適用中國因家標準(CNS)甲4规格(210 X 297公釐〉 81.9.20,000 —1
13&4 Α6 Β6 五、發明説明() 。上述變址組件之操作將與變址組件18者相似,並將用 以保證在處理芫成後,使晶片適當定位,以供插入S—卡 匣座内,固而在插入過程中使晶Η之損壞減至最小。 由以上所述,本發明顯然具有優於先前技蕕之很多優 點。例如,由於晶片在對準夾頭或真空夾頭上之置中不涉 及滑動蓮動,故不産生可能污染晶Η之撖粒。另外,本發 明之装置需要最少之外加機構或組成部份俾完成晶片之轉 移。因此,本發明之置中裝置在處理平面上方需要顯着較 少之空間。再者,本發明能使晶片在可旋轉之真空夾頭上 幾何及(或)質量置中。比較而言,先前技S装置一般為 能以幾何方式或藉質量置中使晶片置中於夾頭上。 (請先閲筇背面之注念事項再項寫本頁) -丨裝- 訂· --線· 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)甲4现格(210 X 297公釐) 81.9.20,000

Claims (1)

  1. 7 7 7 7 A B c D 六 月 之 中 置 含 包 置 裝 間 一 之第 ) 自 2 可 3 為 ,置 ο 装 3 移 , 轉 2 該 2 , \1/ 站 2 諸4及 在,以 内 ο 統 4 置 糸 {位 理置二 處装第 片之至 晶 Μ 轉 在晶旋 移置 轉位 示轉 表旋 1 可 生為 産片 置晶 裝及 定站 確該 該 , ,號 置信 裝之 之置 置位 位之 Η 站 晶該 定於 確對 站相 1 片 在晶 述 上 第所 至站 送述 輸上 置於 位對 一 相 第片 述晶 上與 自 心 置中 裝之 移站 轉述 述上 上及 被片 片晶 晶使 在 , 以時 ,置 址位 變二 在 , 於時 用置 括位 包二 S第 ,至 置送 装輸 之置 項位 1 一 第第 。圔述 準範上 對利自 際專置 實謓装 徑申移 路據轉 形根述 弓 .上 之 2 被 過 片 通 晶 2 置 5 裝 ί 之 置項 装 2 之第 置圔 装範 移利 轉專 述謗 上申 至據 著根 固 . 片 3 晶 使 著 固 述 上 中 其 空至 宾加 述施 上 } 中 2 。其 5 空 ’ ί 真置口 之裝出 片之空 晶項m 至 3 之 加第上 施圍置 置範裝 装利移 移專轉 鞞請述 述申上 上據於 由根位 含 .一 包 4 過 置 通 裝 為 片 晶 <請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) .«濟#中央標準局貝工消#合作杜印製 為 站 述 上 中 其 置 装 之 項 TX 第 圍 範 利 專 請 Ψ 據 根 站 述 上 中 其 。置 站装 理之 處項 片 1 晶第 之圍 内範 統利 条專 理諳 處申 片據 晶 根 述 . 上 -6 在 自 心 置中 裝何 移幾 轉片 述晶 上定 被界 片 一 晶使 在 , 以時 , 置 址位 變二 轉第 旋至 可送 為輸 片置 晶位 及一 } 第 2 述 2 上 本纸張尺度速用中國國家樣準(CNS)甲4规格(210 X 297公釐) 201364 A7 B7 C7 D7 六、申請專利範園 與上述站旋轉中心間之距離及方向之向量與晶片相對於上 述站所通過之弓形路徑實際對準。 7. 根據申請專利範圍第1項之裝置,其中上述站( 22)及晶片(12)為可旋轉變址,以在晶片被上述轉 移裝置自上述第一位置輸送室第二位置時,使一界定晶片 質量中心與上述站旋轉中心間之距離及方向之向量與晶片 相對於上述站所通過之弓形路徑實際對準。 8. —種用於在晶片處理条统將晶片(12)置中之 裝置包含: 在晶片處理条統内在諸站之間轉移晶片之裝置,該轉 移装置為一可自第一位置旋轉至第二位置之轉移臂(44 ):以及 在一站確定晶片位置之裝置,該確定装置位於上述轉 移臂内並遒應上述晶片之旋轉産生一信號,該信號表示晶 片相對於該站之位置,該站及晶片為可旋轉變址,以在晶 片被上述轉移臂自上述第一位置輸送至第二位置時,使一 界定晶片質量中心與該站旋轉中心間之距離及方向之向量 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂· 2 0 1 準 ί 對片 際晶 實將 徑統 路条 形理 弓處 之片 過晶 通在 所於 站用 該 種 於一 對. 相 9 Κ 晶 與 中 置 :經濟部中央揉準房Λ工消费合作杜印« 含 包 置 裝 之 片 晶 移 轉 間 之 站 諸 在 内 統 fn: 理 處 Η , 晶 置在 裝 之 蟹 移 轉 之 置 位 二 第 至 轉 旋 置 位1 第 白 可1 為 置 装 移 及 以 轉4 該 4 本纸張Α度適用中®國家樣準(CNS)甲4说格(210 X 2耵公釐) A7公01364 經濟部中喪揉準局霣工消#合作杜印« B7 C7 D7_ 六、申請專利範团 在一站確定晶片位置之裝置(54),該確定裝置位 於上述轉移臂内並镳應上述晶片之旋轉産生一信號,該信 號表示晶片相對於該站之位置,該站及晶片為可旋轉箩址 ,以在晶片被上述轉移鹭自上述第一位置输送至第二位置 時,使一界定晶Η幾何中心舆該站旋轉中心間之距離及方 向之向置與晶片相對於該站所通過之弓形路徑實際對準。 10. —種在晶片處理条統將晶片(12)置中之方 法,包含下列步驟: 在晶片處理糸統内將一晶片置於一在晶片處理站之可 旋轉夾頭(2 2 )上; 使其上有晶Η之夾頭旋轉; ^應上述晶片之旋轉産生一信號,該信號表示晶片中 心相對於夾頭旋轉中心之位置; 自夾頭取下晶片; 移動晶片,致使其中心實際與夾頭之旋轉中心重合; 以及 更換夾頭上之晶片,致使晶片之上述中心實際與夾頭 之旋轉中心重合。 11. 根據申諸專利範圍第10項之方法,其中晶片 之上述中心為其幾何中心。 12. 根據申諳專利範圔第10項之方法,其中晶Η 之上述中心為其質量中心。 (請先聞讀背面之注意事項再蜞寫本頁) 裝· 訂. 本紙張尺度連用中國國家標準(CNS)甲4规格(210 X 2耵公釐〉
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