JP2022105302A - 温度変化が伴われる雰囲気に提供される基板支持部材の水平測定用基板型センサー、これを利用した水平測定方法、及び非一時的コンピュータ読出し媒体 - Google Patents

温度変化が伴われる雰囲気に提供される基板支持部材の水平測定用基板型センサー、これを利用した水平測定方法、及び非一時的コンピュータ読出し媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】超臨界流体を利用して基板（例えば、ウエハ）を処理するために高温及び高圧の雰囲気を提供するベッセルの内部に位置される基板支持部材のアイドル状態と工程進行の中で水平状態を測定することができる水平測定用基板型センサー及びこれを利用した水平測定方法を提供する。【解決手段】本発明は基板型センサーを利用する水平測定方法を提供する。一実施形態において、前記基板型センサーを第１角度に前記支持部材に位置させる第１段階と、前記第１段階で前記センサーから収集されたデータを第１データに受信する第２段階と、前記基板型センサーを前記第１角度と異なる第２角度に前記支持部材に位置させる第３段階と、前記第３段階で前記センサーから収集されたデータを第２データに受信する第４段階と、前記第１データ及び前記第２データを比較して前記支持部材が水平であるか否かを判断する。【選択図】図５

Description

本発明は温度変化が伴われる雰囲気に提供される基板支持部材の水平測定用基板型センサー及びこれを利用した水平測定方法に係る。
一般的に半導体素子はウエハのような基板から製造する。具体的に、半導体素子は蒸着工程、フォトリソグラフィー工程、蝕刻工程等を遂行して基板の上部面に微細な回路パターンを形成して製造される。
基板は前記の工程を遂行しながら、前記回路パターンが形成された上部面に各種異物質が汚染されることによって、異物質を除去するために洗浄工程を遂行することができる。
最近には基板を洗浄する工程又は基板を現像する工程に超臨界流体が使用される。一例によれば、洗浄工程はイソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ；以下、ＩＰＡ）を通じて基板の上部面を洗浄した後、二酸化炭素（ＣＯ２）を超臨界状態に基板の上部面に供給して基板に残っているＩＰＡを除去する方式に進行されることができる。
超臨界流体を使用する工程には工程流体が高温及び高圧の超臨界相に維持されることができる処理空間を提供するベッセルが使用される。ベッセルの処理空間は、一例として二酸化炭素（ＣＯ２）を超臨界状態に基板の上部面に供給する場合に二酸化炭素の臨界温度及び臨界圧力以上に維持しなければならない。処理空間が臨界温度及び臨界圧力以上に維持される場合に処理空間に提供されたウエハを支持する基板支持部材によるウエハの水平状態が維持されないことができるが、現在ベッセル内部の基板支持部材によるウエハの水平状態を直接測定することができる方法はないことと本発明者は把握する。
国際特許公開第ＷＯ２０１６０３２２４１Ａ１号公報
本発明の一目的は超臨界流体を利用して基板（例えば、ウエハ）を処理するために高温及び高圧の雰囲気を提供するベッセルの内部に位置される基板支持部材のアイドル状態と工程進行の中で水平状態を測定することができる水平測定用基板型センサー及びこれを利用した水平測定方法を提供することにある。
本発明の一目的は超臨界流体を利用して基板（例えば、ウエハ）を処理するために高温及び高圧の雰囲気を提供するベッセルの内部に位置される基板支持部材のアイドル状態と工程進行の中で水平状態を測定することにおいて、０．１ｄｅｇ以下の単位に水平状態を測定することができる水平測定用基板型センサー及びこれを利用した水平測定方法を提供することにある。
本発明の一目的は超臨界流体を利用して基板を洗浄する時、洗浄効率を向上させることができる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明は温度変化が伴われる雰囲気に提供されて基板を支持する支持部材の水平を測定するための基板型センサーを提供する。一実施形態において、基板型センサーは、前記基板の形状を有する基才と、前記基才に提供され、３軸以上の加速度センサー又は６軸以上の慣性測定ユニット（ＩＭＵ）で構成される１つ以上のセンサーと、前記センサーから収集されたデータを受信する受信部と、前記１つ以上のセンサー及び前記受信部に電力を提供する電源部と、を含む。
一実施形態において、前記基材は前記基板の寸法と実質的に同一な物理的寸法を有することができる。
一実施形態において、前記センサーは複数が提供され、１つのセンサーを基準に他の１つのセンサーは前記基才の中心を基準に１８０°（ｄｅｇ）対向される位置に提供されることができる。
一実施形態において、前記受信部に受信された前記データを外部に送出する送出部をさらに含むことができる。
一実施形態において、前記支持部材は前記基板を前記支持部材の平面から所定の間隔離隔させる複数の支持ピンを含み、前記センサーは前記支持ピンの中でいずれか１つ以上に対応される位置に位置されることができる。
一実施形態において、前記センサーは露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させることができる。
また、本発明は基板型センサーを利用する水平測定方法を提供する。一実施形態において、前記基板型センサーを第１角度に前記支持部材に位置させる第１段階と、前記第１段階で前記センサーから収集されたデータを第１データに受信する第２段階と、前記基板型センサーを前記第１角度と異なる第２角度に前記支持部材に位置させる第３段階と、前記第３段階で前記センサーから収集されたデータを第２データに受信する第４段階と、を含み、前記第１データ及び前記第２データを比較して前記支持部材が水平であるか否かを判断する。
一実施形態において、前記センサーは前記６軸以上の慣性測定ユニット（ＩＭＵ）であり、前記第１データ及び前記第２データは各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、前記第１データ及び前記第２データの比較は、前記第１データの要素と前記第２データの要素の同一性を比較することであり、前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇に含まれれば、水平であると判断し、前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇で外れれば、傾いたことと判断することができる。
一実施形態において、前記センサーは前記６軸以上の慣性測定ユニット（ＩＭＵ）であり、前記第１データ及び前記第２データは各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、前記第１データは（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１、Ｌｅｖｅｌ Ｙ１）の要素を含み、
前記第２データは（Ｌｅｖｅｌ Ｘ２、Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）の要素を含み、前記センサーは露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配はプロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって（Ｌｅｖｅｌ Ｘａ、Ｌｅｖｅｌ Ｙａ）を含む要素として算出され、前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は１８０°（ｄｅｇ）である場合に、前記Ｌｅｖｅｌ Ｘａは（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１－Ｌｅｖｅｌ Ｘ２）／２であり、前記Ｌｅｖｅｌ Ｙａは（Ｌｅｖｅｌ Ｙ１－Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）／２で算出されることができる。
一実施形態において、前記第１データは（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の要素を含み、前記第２データは（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の要素を含み、前記第１データ及び前記第２データの比較は前記第１データの要素と前記第２データの要素の同一性を比較することであり、前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇に含まれれば、水平であると判断し、前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇で外れれば、傾いたことと判断することができる。
一実施形態において、前記基板型センサーは、前記センサーは複数が提供され、１つのセンサーを基準に他の１つのセンサーは前記基才の中心を基準に１８０°（ｄｅｇ）対向される位置に提供されることであり、前記第１データ及び前記第２データは前記１つのセンサーと前記他の１つのセンサーから各々受信し、前記１つのセンサーから受信された前記第１データ及び前記第２データを比較して前記支持部材が水平であるか否かを判断し、前記他の１つのセンサーから受信された前記第１データ及び前記第２データを比較して前記１つのセンサーから導出された判断の有効性を検証することができる。
一実施形態において、前記支持部材は超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理装置の高圧ベッセルに提供されることであり、前記支持部材は前記基板を前記支持部材の平面から所定の間隔離隔させる複数の支持ピンを含み、前記第１角度及び前記第２角度で前記センサーが前記支持ピンの中でいずれか１つ以上に対応される位置に位置されるようにすることができる。
一実施形態において、前記支持部材は前記高圧ベッセルの上部に固定されて提供され、複数の据え置き台と、前記据え置き台と前記高圧ベッセルの上部を連結する複数の固定ロードを含み、前記支持ピンは前記据え置き台の上面に形成されることができる。
一実施形態において、前記第１データは（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の中でＸ１及びＹ１要素を含み、前記第２データは（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の中でＸ２及びＹ２の要素を含み、前記センサーは露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、固有誤差は（Ｘ３、Ｙ３、Ｚ３）の中でＸ３及びＹ３の要素を含み、前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配はプロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって（ｘ、ｙ、ｚ）の中でｘ及びｙを含む要素として算出され、前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は１８０°（ｄｅｇ）である場合に、前記ｘは（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、前記ｙは（Ｙ１－Ｙ２）／２で算出されることができる。
一実施形態において、前記第１データは（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の要素を含み、前記第２データは（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の要素を含み、前記センサーは露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、固有誤差は（Ｘ３、Ｙ３、Ｚ３）の要素を含み、前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配はプロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって（ｘ、ｙ、ｚ）で算出され、前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は１８０°（ｄｅｇ）である場合に、前記ｘは（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、前記ｙは（Ｙ１－Ｙ２）／２であり、前記ｚは
Figure 2022105302000002
で算出されることができる。
また、本発明はプロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体を提供する。一実施形態に係るプロセッサは、基板型センサーを第１角度に前記支持部材に位置させて収集された第１データと、前記第１角度と異なる第２角度に前記支持部材に位置させて収集された第２データを比較して前記支持部材が水平であるか否かを導出する。
一実施形態において、前記第１データ及び前記第２データは各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、前記第１データ及び前記第２データの比較は、前記第１データの要素と前記第２データの要素の同一性を比較することであり、前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇に含まれれば、水平であると判断し、前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇で外れれば、傾いたことと判断することができる。
一実施形態において、前記第１データ及び前記第２データは各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、前記第１データは（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１、Ｌｅｖｅｌ Ｙ１）の要素を含み、前記第２データは（Ｌｅｖｅｌ Ｘ２、Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）の要素を含み、前記センサーは露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配はプロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって（Ｌｅｖｅｌ Ｘａ、Ｌｅｖｅｌ Ｙａ）を含む要素として算出され、前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は１８０°（ｄｅｇ）である場合に、前記Ｌｅｖｅｌ Ｘａは（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１－Ｌｅｖｅｌ Ｘ２）／２であり、前記Ｌｅｖｅｌ Ｙａは（Ｌｅｖｅｌ Ｙ１－Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）／２で算出することができる。
一実施形態において、前記第１データは（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の中でＸ１及びＹ１要素を含み、前記第２データは（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の中でＸ２及びＹ２の要素を含み、前記支持部材による勾配は（ｘ、ｙ、ｚ）の中でｘ及びｙを含む要素として算出され、前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は１８０°（ｄｅｇ）である場合に、前記ｘは（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、前記ｙは（Ｙ１－Ｙ２）／２で算出することができる。
一実施形態において、前記第１データは（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の要素を含み、前記第２データは（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の要素を含み、前記支持部材による勾配は（ｘ、ｙ、ｚ）で算出され、前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は１８０°（ｄｅｇ）である場合に、前記ｘは（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、前記ｙは（Ｙ１－Ｙ２）／２であり、前記ｚは
Figure 2022105302000003
 で算出することができる。
一実施形態において、前記センサーが露出される温度に応じて発生する固有の固有誤差は（Ｘ３、Ｙ３、Ｚ３）の要素を含み、前記ｘは（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、前記ｙは（Ｙ１－Ｙ２）／２であり、前記ｚは
Figure 2022105302000004
 で算出することができる。
本発明の一実施形態によれば、超臨界流体を利用して基板を処理するために高温及び高圧の雰囲気を提供するベッセルの内部に位置される基板支持部材のアイドル状態と工程進行の中で水平状態を測定することができる。
本発明の一実施形態によれば、超臨界流体を利用して基板を処理するために高温及び高圧の雰囲気を提供するベッセルの内部に位置される基板支持部材のアイドル状態と工程進行の中で水平状態を測定することにおいて、０．１ｄｅｇ以下の単位に水平状態を測定することができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。
本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。 図１の液処理装置の一実施形態を概略的に示す図面である。 図１の超臨界処理装置の一実施形態を概略的に示す図面である。 図３の超臨界処理装置に提供される基板支持部材の一実施形態を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る基板型センサーの平面図である。 図５の本発明の一実施形態に係る基板型センサーの斜視図である。 ＩＭＵが温度に応じて測定値が変化する例示的な図面を示したことであって、（ａ）グラフは第１ＩＭＵの温度変化に応じた測定値変化の例示であり、（ｂ）グラフは第２ＩＭＵの温度変化に応じた測定値変化の例示である。 本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００を利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時を説明する。 本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００を利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持できない状態の一例として、支持部材にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。 本発明の他の実施形態に係る基板型センサーの平面図である。 図１０の実施形態に係る基板型センサーの斜視図である。 図１０の実施形態に係る基板型センサーを利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時を説明する。 図１０の実施形態に係る基板型センサーを利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持できない状態の一例として、支持部材にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。 本発明の一実施形態に係る概念を説明するための座標軸である。 本発明の他の実施形態に係る概念を説明するための座標軸である。 図１の超臨界処理装置の他の実施形態を概略的に示す図面であって、ベッセルが開いた状態を示す断面図である。 図１６の実施形態に係る超臨界処理装置のベッセルが閉じた状態を示す断面図である。
以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
用語“及び／又は”は該当列挙された項目の中でいずれか１つ及び１つ以上のすべての組合を含む。また、本明細書で“連結される”という意味はＡ部材とＢ部材が直接連結される場合のみならず、Ａ部材とＢ部材との間にＣ部材が介在されてＡ部材とＢ部材が間接連結される場合も意味する。
本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。
図１は本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。
図１を参照すれば、基板処理システムはインデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そして制御器３０を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１の方向９２とし、上部から見る時、第１の方向９２と垂直になる方向を第２方向９４とし、第１の方向９２及び第２方向９４と全て垂直になる方向を第３方向９６とする。
インデックスモジュール１０はウエハＷが収納された容器８０からウエハＷを処理モジュール２０に搬送し、処理モジュール２０で処理が完了されたウエハＷを容器８０に収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向９４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２（ｌｏａｄｐｏｒｔ）とインデックスフレーム１４を有する。インデックスフレーム１４を基準にロードポート１２は処理モジュール２０の反対側に位置される。ウエハＷが収納された容器８０はロードポート１２に置かれる。ロードポート１２は複数に提供されることができ、複数のロードポート１２は第２方向９４に沿って配置されることができる。
容器８０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器８０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２に置かれることができる。
インデックスフレーム１４にはインデックスロボット１２０が提供される。インデックスフレーム１４内には長さ方向が第２方向９４に提供されたガイドレール１４０が提供され、インデックスロボット１２０はガイドレール１４０上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット１２０はウエハＷが置かれるハンド１２２を含み、ハンド１２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド１２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド１２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
処理モジュール２０はバッファユニット２００、搬送装置３００、液処理装置４００、そして超臨界装置５００を含む。バッファユニット２００は処理モジュール２０に搬入されるウエハＷと処理モジュール２０から搬出されるウエハＷが一時的に留まる空間を提供する。液処理装置４００はウエハＷ上に液を供給してウエハＷを液処理する液処理工程を遂行する。超臨界処理装置５００はウエハＷ上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。搬送装置３００はバッファユニット２００、液処理装置４００、そして超臨界処理装置５００の間にウエハＷを搬送する。
搬送装置３００はその長さ方向が第１の方向９２に提供されることができる。バッファユニット２００はインデックスモジュール１０と搬送装置３００との間に配置されることができる。液処理装置４００と超臨界処理装置５００は搬送装置３００の側部に配置されることができる。液処理装置４００と搬送装置３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。超臨界処理装置５００と搬送装置３００は第２方向９４に沿って配置されることができる。バッファユニット２００は搬送装置３００の一端に位置されることができる。
一例によれば、液処理装置４００は搬送装置３００の両側に配置され、超臨界処理装置５００は搬送装置３００の両側に配置され、液処理装置４００は超臨界処理装置５００よりバッファユニット２００にさらに近い位置に配置されることができる。搬送装置３００の一側で液処理装置４００は第１の方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。また、搬送装置３００の一側で超臨界処理装置５００は第１方向９２及び第３方向９６に沿って各々ＣＸＤ（Ｃ、Ｄは各々１又は１より大きい自然数）が提供されることができる。上述したことと異なりに、搬送装置３００の一側には液処理装置４００のみが提供され、その他側には超臨界処理装置５００のみが提供されることができる。
搬送チャンバー３００は搬送ロボット３２０を有する。搬送装置３００内には長さ方向が第１の方向９２に提供されたガイドレール３４０が提供され、搬送ロボット３２０はガイドレール３４０上で移動可能に提供されることができる。搬送ロボット３２０はウエハＷが置かれるハンド３２２を含み、ハンド３２２は前進及び後進移動、第３方向９６を軸とした回転、そして第３方向９６に沿って移動可能に提供されることができる。ハンド３２２は複数が上下方向に離隔されるように提供され、ハンド３２２は互いに独立的に前進及び後進移動することができる。
バッファユニット２００はウエハＷが置かれるバッファ２２０を複数に具備する。バッファ２２０は第３方向９６に沿って相互間に離隔されるように配置されることができる。バッファユニット２００は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と背面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送装置３００と対向する面である。インデックスロボット１２０は前面を通じてバッファユニット２００に接近し、搬送ロボット３２０は背面を通じてバッファユニット２００に接近することができる。
図２は図１の液処理装置４００の一実施形態を概略的に示す図面である。図２を参照すれば、液処理装置４００はハウジング４１０、カップ４２０、支持ユニット４４０、液供給ユニット４６０、そして昇降ユニット４８０を有する。ハウジング４１０は大体に直方体形状に提供される。カップ４２０、支持ユニット４４０、そして液供給ユニット４６０はハウジング４１０内に配置される。
カップ４２０は上部が開放された処理空間を有し、ウエハＷは処理空間内で液処理される。支持ユニット４４０は処理空間内でウエハＷを支持する。液供給ユニット４６０は支持ユニット４４０に支持されたウエハＷ上に液を供給する。液は複数の種類に提供され、ウエハＷ上に順次的に供給されることができる。昇降ユニット４８０はカップ４２０と支持ユニット４４０との間の相対高さを調節する。
一例によれば、カップ４２０は複数の回収筒４２２、４２４、４２６を有する。回収筒４２２、４２４、４２６は各々基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。各々の回収筒４２２、４２４、４２６は支持ユニット４４０を囲むリング形状に提供される。液処理工程が進行する時、ウエハＷの回転によって飛散される前処理液は各回収筒４２２、４２４、４２６の流入口４２２ａ、４２４ａ、４２６ａを通じて回収空間に流入される。一例によれば、カップ４２０は第１回収筒４２２、第２回収筒４２４、そして第３回収筒４２６を有する。第１回収筒４２２は支持ユニット４４０を囲むように配置され、第２回収筒４２４は第１回収筒４２２を囲むように配置され、第３回収筒４２６は第２回収筒４２４を囲むように配置される。第２回収筒４２４に液が流入する第２流入口４２４ａは第１回収筒４２２に液が流入する第１流入口４２２ａより上部に位置され、第３回収筒４２６に液が流入する第３流入口４２６ａは第２流入口４２４ａより上部に位置されることができる。
支持ユニット４４０は支持板４４２と駆動軸４４４を有する。支持板４４２の上面は大体に円形に提供され、ウエハＷより大きい直径を有することができる。支持板４４２の中央部にはウエハＷの背面を支持する支持ピン４４２ａが提供され、支持ピン４４２ａはウエハＷが支持板４４２から一定距離離隔されるようにその上端が支持板４４２から突出されるように提供される。支持板４４２の縁部にはチャックピン４４２ｂが提供される。チョクピン４４２ｂは支持板４４２から上部に突出されるように提供され、ウエハＷが回転される時、ウエハＷが支持ユニット４４０から離脱されないようにウエハＷの側部を支持する。駆動軸４４４は駆動器４４６によって駆動され、ウエハＷの底面中央と連結され、支持板４４２をその中心軸を基準に回転させる。
一例によれば、液供給ユニット４６０は第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６を有する。第１ノズル４６２は第１液をウエハＷ上に供給する。第１液はウエハＷ上に残存する膜や異物を除去する液であり得る。第２ノズル４６４は第２液をウエハＷ上に供給する。第２液は第３液によく溶解される液である。例えば、第２液は第１液に比べて第３液にさらによく溶解される液である。第２液はウエハＷ上に供給された第１液を中和させる液であり得る。また、第２液は第１液を中和させ、同時に第１液に比べて第３液によく溶解される液である。一例によれば、第２液は水である。第３ノズル４６６は第３液をウエハＷ上に供給する。第３液は超臨界処理装置５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であり得る。例えば、第３液は第２液に比べて超臨界処理装置５００で使用される超臨界流体によく溶解される液であり得る。一例によれば、第３液は有機溶剤である。有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。一例によれば、超臨界流体は二酸化炭素である。第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６は互いに異なるアーム４６１に支持され、これらのアーム４６１は独立的に移動されることができる。選択的に、第１ノズル４６２、第２ノズル４６４、そして第３ノズル４６６は同一なアームに装着されて同時に移動されることができる。
昇降ユニット４８０はカップ４２０を上下方向に移動させる。カップ４２０の上下移動によってカップ４２０とウエハＷとの間の相対高さが変更される。これによって、ウエハＷに供給される液の種類に応じて前処理液を回収する回収筒４２２、４２４、４２６が変更されるので、液を分離回収することができる。上述したことと異なりに、カップ４２０は固定設置され、昇降ユニット４８０は支持ユニット４４０を上下方向に移動させることができる。
図３は図１の超臨界処理装置５００の一実施形態を概略的に示す図面である。一実施形態によれば、超臨界処理装置５００は超臨界流体を利用してウエハＷ上の液を除去する。超臨界処理装置５００はベッセル５２０、支持部材５４０、流体供給ユニット５６０、そして遮断プレート５８０を含む。
ベッセル５２０は超臨界工程が遂行される処理空間５０２を提供する。ベッセル５２０は上部ベッセル５２２（ｕｐｐｅｒ ｂｏｄｙ）と下部ベッセル５２４（ｌｏｗｅｒ ｂｏｄｙ）を有し、上部ベッセル５２２と下部ベッセル５２４は互いに組み合わせて上述した処理空間５０２を提供する。上部ベッセル５２２は下部ベッセル５２４の上部に提供される。上部ベッセル５２２はその位置が固定され、下部ベッセル５２４はシリンダーのような駆動部材５９０によって昇下降されることができる。下部ベッセル５２４が上部ベッセル５２２から離隔されれば、処理空間５０２が開放され、この時、ウエハＷが搬入又は搬出される。工程を進行する時には下部ベッセル５２４が上部ベッセル５２２に密着されて処理空間５０２が外部から密閉される。超臨界処理装置５００はヒーター５７０を有する。一例によれば、ヒーター５７０はベッセル５２０の壁内部に位置される。一実施形態において、ヒーター５７０はベッセル５２０をなす上部ベッセル５２２及び下部ベッセル５２４の中でいずれか１つ以上に提供されることができる。ヒーター５７０はベッセル５２０の処理空間５０２内に供給された流体が超臨界状態を維持するようにベッセル５２０の処理空間５０２を加熱する。処理空間５０２は超臨界流体による雰囲気が形成される。
支持部材５４０はベッセル５２０の処理空間５０２内でウエハＷを支持する。支持部材５４０は固定ロード５４２と据え置き台５４４を含む。固定ロード５４２は上部ベッセル５２２の底面から下に突出されるように上部ベッセル５２２に固定設置されることができる。固定ロード５４２はその長さ方向が上下方向に提供されることができる。固定ロード５４２は複数に提供され、互いに離隔されるように位置されることができる。固定ロード５４２はこれらによって囲まれた空間にウエハＷが搬入又は搬出される時、ウエハＷが固定ロード５４２と干渉しないように配置される。各々の固定ロード５４２には据え置き台５４４が結合される。据え置き台５４４は固定ロード５４２の下端から地面に対して水平である方向に延長される。一実施形態において、据え置き台５４４は支持されるウエハＷの下面を支持するようにウエハＷの下端周辺を支持可能な形状に延長される。
流体供給ユニット５６０はベッセル５２０の処理空間５０２に工程流体を供給する。一例によれば、工程流体は超臨界状態に処理空間５０２に供給されることができる。これと異なりに、工程流体はガス状態に処理空間５０２に供給され、処理空間５０２内で超臨界状態に相変化されることができる。一例によれば、流体供給ユニット５６０はメーン供給ライン５６２、上部分岐ライン５６４、そして下部分岐ライン５６６を有する。上部分岐ライン５６４と下部分岐ライン５６６はメーン供給ライン５６２から分岐される。上部分岐ライン５６４は上部ベッセル５２２に結合されて支持部材５４０に置かれるウエハＷの上部で洗浄流体を供給する。一例によれば、上部分岐ライン５６４は上部ベッセル５２２の中央に結合される。下部分岐ライン５６６は下部ベッセル５２４に結合されて支持部材５４０に置かれるウエハＷの下部で洗浄流体を供給する。一例によれば、下部分岐ライン５６６は下部ベッセル５２４の中央に結合される。下部ベッセル５２４には排気ユニット５５０が結合される。ベッセル５２０の処理空間５０２内の超臨界流体は排気ユニット５５０を通じてベッセル５２０の外部に排気される。
ベッセル５２０の処理空間５０２内には遮断プレート５８０（ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）が配置されることができる。遮断プレート５８０は円板形状に提供されることができる。遮断プレート５８０はベッセル５２０の底面から上部に離隔されるように支持台５８２によって支持される。支持台５８２はロード形状に提供され、相互間に一定距離離隔されるように複数が配置される。上部から見る時、遮断プレート５８０は下部分岐ライン５６６の吐出口及び排気ユニット５５０の流入口と重畳されるように提供されることができる。遮断プレート５８０は下部分岐ライン５６６を通じて供給された洗浄流体がウエハＷに向かって直接吐出されてウエハＷが破損されることを防止することができる。
図４は図３の超臨界処理装置に提供される支持部材５４０の一実施形態を示す斜視図である。図４を参照して一実施形態に係る支持部材５４０に対してより詳細に説明する。
支持部材５４０は固定ロード５４２と据え置き台５４４を含む。固定ロード５４２は上部ベッセル５２２の底面から下に突出されるように上部ベッセル５２２に固定設置されることができる。固定ロード５４２はその長さ方向が上下方向に提供されることができる。一実施形態によれば、固定ロード５４２は複数が提供され、互いに離隔されるように位置されることができる。一実施形態において、固定ロード５４２は第１固定ロード５４２ａ、第２固定ロード５４２ｂ、第３固定ロード５４２ｃ、第４固定ロード５４２ｄを含む。据え置き台５４４は複数が提供され、互いに離隔されるように位置されることができる。一実施形態において、据え置き台５４４は第１据え置き台５４４ａ、第２据え置き台５４４ｂを含む。第１固定ロード５４２ａと第２固定ロード５４２ｂは第１据え置き台５４４ａと結合される。第３固定ロード５４２ｃと第４固定ロード５４２ｄは第２据え置き台５４４ｂと結合される。第１固定ロード５４２ａと第２固定ロード５４２ｂは相互隣接するように位置され、第３固定ロード５４２ｃと第４固定ロード５４２ｄは相互隣接するように位置される。第１固定ロード５４２ａと第３固定ロード５４２ｃのとの間はウエハＷが通過されることができる幅で形成される。
第１据え置き台５４４ａは所定の中心角を有する円弧形状に提供されることができる。第１据え置き台５４４ａの上面には第１支持ピン５４６ａと第２支持ピン５４６ｂが所定の間隔離隔されて提供される。第１支持ピン５４６ａと第２支持ピン５４６ｂは第１据え置き台５４４ａの上面で所定の高さに突出されて形成される。第１支持ピン５４６ａと第２支持ピン５４６ｂの離隔距離は長く提供されるほど、ウエハＷの支持が安定的に行われるが、これは設計に応じて異なりに設定されることができる。
第２据え置き台５４４ｂは所定の中心角を有する円弧形状に提供されることができる。第２据え置き台５４４ｂの上面には第３支持ピン５４６ｃと第４支持ピン５４６ｄが所定の間隔離隔されて提供される。第３支持ピン５４６ｃと第４支持ピン５４６ｄは第２据え置き台５４４ｂの上面で所定の高さに突出されて形成される。第３支持ピン５４６ｃと第４支持ピン５４６ｄの離隔距離は長く提供されるほど、ウエハＷの支持が安定的に行われるが、これは設計に応じて異なりに設定されることができる。
第１支持ピン５４６ａ、第２支持ピン５４６ｂ、第３支持ピン５４６ｃ、そして第４支持ピン５４６ｄはウエハＷを据え置き台５４４がなす平面から所定の間隔離隔させる。支持ピン５４６はウエハＷと据え置き台５４４が接触する面積を減らすことによって、ウエハＷと据え置き台５４４の接触によるウエハＷの汚染を減らす。一実施形態によって、支持ピン５４６は第１支持ピン５４６ａ、第２支持ピン５４６ｂ、第３支持ピン５４６ｃ、第４支持ピン５４６ｄとして４つが提供されることを説明したが、支持ピン５４６はウエハＷを据え置き台５４４がなす平面から所定の間隔離隔させることができれば、本説明で例示することと異なる数に提供されることもできる。支持ピン５４６は高温及び高圧の環境で変形なく、維持されなければならない。一実施形態において、支持ピン５４６は据え置き台５４４と同一な素材で提供されることができる。
上述した構造によって、ベッセル５２０の処理空間５０２に搬入されたウエハＷはその縁領域が据え置き台５４４の支持ピン５４６の上に置かれ、ウエハＷの上面全体領域、ウエハＷの底面の中で中央領域、そしてウエハＷの底面の中で縁領域の一部は処理空間５０２に供給された工程流体に露出される。
ウエハＷを支持する支持ピン５４６は端部の高さが一定しなければならない。支持ピン５４６の各々の高さは据え置き台５４４の水平の可否、固定ロード５４２と上部ベッセル５２２との結合程度に応じて変わることができる。また、ベッセル５２０の開放過程で下部ベッセル５２４の昇下降運動によって支持ピン５４６の最上端の高さが異なるになることができる。上述した理由の他に、様々な理由によってよって支持ピン５４６の最上端の高さが異なるになることができる。しかし、支持ピン５４６の最上端の高さが同一であるように設定すれば、支持ピン５４６の上端に支持されるウエハＷが水平に維持されることができる。支持ピン５４６の最上端の高さが同一であるか否かは水滴ゲージを通じて測定することができるが、これは誤差範囲が大きいだけでなく、工程が進行される中に支持ピン５４６の最上端の高さが同一であるか否かが確認することができない。
図５は本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００の平面図である。図６は図５の本発明の一実施形態に係る基板型センサーの斜視図である。図５及び図６を参照して、一実施形態に係る基板型センサー６００を説明する。本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００を使用する場合、ウエハＷが支持部材５４０によって水平に支持されることができるかを測定することができる。例えば、基板型センサー６００は支持ピン５４６の最上端の高さ差を０．１ｄｅｇ以下の単位に測定することができ、工程が進行される中に支持ピン５４６の最上端の高さが同一であるかを確認することができる。
基板型センサー６００は基才６１０を含む。基才６１０は処理される基板の寸法と実質的に同一であるか、或いは類似な物理的寸法を有するように提供される。実質的に同一であるか、或いは類似であることは処理される基板の寸法と完全に同一ではなくとも、基板型センサー６００が基板と同一な環境に与えられた時、通常の技術者が基板型センサー６００によって形成される条件が基板が処理される時の条件と同一であることと看做す程度を意味する。
基板型センサー６００は１つ以上のセンサーを含む。センサーは３軸以上の加速度センサー又は６軸以上のＩＭＵ（Ｉｎｅｒｔｉａ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕｎｉｔ；慣性測定ユニット）で提供される。
加速度センサーは公知の技術として、地球の重力加速度を基準に事物がどのくらいの力を受けているかを測定するセンサーである。加速度センサーは重力加速度をＸ、Ｙ、Ｚ軸に成分を分解して各軸のサイズを表示する。加速度センサーはＸ、Ｙ、Ｚ値のベクトル和で重力加速度を示すことができる。加速度センサーの値は停止された状態でも特定の値を有するので、傾いた程度を把握することができる。加速度センサーを利用して勾配を測定することにおいて、ｘ軸に対する勾配はａｒｃｔａｎ（ｘ／ｚ）で表現されることができ、ｙ軸に対する勾配はａｒｃｔａｎ（ｙ／ｚ）で表現されることができる。
６軸以上のＩＭＵ（以下では、‘ＩＭＵ’とする）は公知技術として、３軸加速度センサーに加えて３軸ジャイロセンサーを含むことである。３軸ジャイロセンサーは角速度を測定する。６軸以上のＩＭＵは図１４から参照されるように、ロール（Ｒｏｌｌ、以下では、Ｌｅｖｅｌ Ｘ）、ピッチ（Ｐｉｔｃｈ；以下では、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）及びヨー（Ｙａｗ）を計算する。公知されたＩＭＵにおいて、ジャイロセンサーの最終値がドリフトされる現象を補正するために３軸地磁気センサーが適用されることができる。
ＩＭＵのようなセンサーは温度変化に敏感に反応して測定値が変化して誤差が発生する。一例として、ＩＭＵは温度が上昇すれば、測定値が共に上昇する。一例として、ＩＭＵは温度が上昇すれば、測定値が共に減少する。図７はＩＭＵが温度に応じて測定値が変化する例示的な図面を示したことであって、（ａ）グラフは第１ＩＭＵの温度変化に応じた測定値変化の例示であり、（ｂ）グラフは第２ＩＭＵの温度変化に応じた測定値変化の例示である。図７の（ａ）グラフ及び（ｂ）グラフを参照すれば、第１ＩＭＵが第２ＩＭＵに比べて温度に対する測定値変化量が大きい。本発明の実施形態によれば、このような温度上昇にしたがう測定誤差にも拘らず、ウエハＷが支持部材５４０によって水平に支持されることができるかを測定することができる。
基板型センサー６００に提供されるセンサーは第１センサー６２１を含む。さらに、第２センサー６２２をさらに含むことができる。第１センサー６２１及び第２センサー６２２は６軸以上のＩＭＵである。第１センサー６２１と第２センサー６２２は互いに基板型センサー６００のセンターＣを基準に対向される位置に位置されることができる。第１センサー６２１と第２センサー６２２は基板型センサー６００の縁に位置されることができる。一実施形態において、第１センサー６２１と第２センサー６２２は各々支持ピン５４６の上部に位置されるように配置されることができる。より詳細に第１センサー６２１は第１支持ピン５４６ａの上部に位置され、第２センサー６２２は第４支持ピン５４６ｄの上部に位置されることができる。第１センサー６２１と第２センサー６２２が基板型センサー６００のセンターＣを基準になす角度は１８０°（ｄｅｇ）であり得る。
基板型センサー６００は中央モジュール６３０を含む。中央モジュール６３０は第１センサー６２１及び／又は第２センサー６２２からデータを受信する通信部、データを格納する格納部、データを送出する送信部、各構成に電力を提供する電源部を含むことができる。第１センサー６２１と中央モジュール６３０は第１センサー６２１が取得したデータを中央モジュール６３０が受信可能に連結されることができる。第２センサー６２２と中央モジュール６３０は第２センサー６２２が取得したデータを中央モジュール６３０が受信可能に連結されることができる。送信部は無線通信モジュールで提供されることができる。送信部から送出されたデータを通じて外部に提供された装置で後述する演算が行われることができる。又は中央モジュール６３０に演算部が提供され、演算部で後述する演算が遂行されて送信部を通じて支持部材５４０によって発生する勾配を外部の装置に送出することができる。
図８は本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００を利用して支持部材５４０がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時を説明する。図９は本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００を利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持できない状態の一例として、支持部材にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。図８と図９を参照して基板型センサー６００を利用した支持部材の水平測定方法を説明する。
一実施形態によれば、基板型センサー６００は第１角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第１段階と、第２角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第２段階を含む。第２角度は第１角度から１８０°（ｄｅｇ）回転された状態である。図８の（ａ）と図９の（ａ）は第１段階にしたがう勾配測定状態を図示し、図８の（ｂ）と図９の（ｂ）は第２段階にしたがう勾配測定状態を図示する。基板型センサー６００が第１角度で第２角度に回転されることは超臨界処理装置５００の外部に提供されるアライナーを通じて行われることができる。例えば、バッファユニット２００に基板を整列するアライナーを含んで基板型センサー６００を回転することができる。回転された基板型センサー６００は搬送ロボット３２０が移送して支持部材５４０に位置させることができる。
第１段階にしたがって基板型センサー６００が第１角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第１支持ピン５４６ａの上部に、第２センサー６２２は第４支持ピン５４６ｄの上部に位置されることができる。第２段階にしたがって基板型センサー６００が第２角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第４支持ピン５４６ｄの上部に、第２センサー６２２は第１支持ピン５４６ａの上部に位置されることができる。第１センサー６２１と第２センサー６２２の位置は、ただ一例であり、上述した位置に限定しようとすることではない。但し、センサーが支持ピン５４６の上部に位置される時、支持部材５４０による水平状態が最も正確に導出されることができることと本発明者は把握する。しかし、複数の支持ピン５４６は設計に応じて本発明の実施形態とは異なる位置に提供されることができるので、第１角度にしたがうセンサーの位置は通常の技術常識を考慮して適切に変形されることができる。
第１センサー６２１と第２センサー６２２は温度に応じて測定値が変化されることができる。上述して説明したように、これはＩＭＵの本質的な特徴である。本発明の一実施形態によれば、基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で勾配を測定し、第２角度に提供された状態で勾配を測定することによって温度に応じる測定値変化にも拘らず、水平状態を測定することができる。
一例として、第１温度（常温より高温）であって、例えば７０℃内外の温度雰囲気を仮定する。仮に、７０℃内外の温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６４°、０．４２°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６１°、０．４３°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
水平状態でＺｅｒｏ－ｃａｌｉｂｒａｔｉｏｎされたＩＭＵの値は（０．００°、０．００°）である時、図８で図示される支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には、第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（０．６４°、０．４２°）であり、第２センサー６２２が（０．６１°、０．４３°）である。そして、第２段階にしたがう基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（０．６４°、０．４２°）であり、第２センサー６２２が（０．６１°、０．４３°）である。ウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値は各センサーの固有誤差のみが存在するので、Ｖ１－Ｖ２が（０．００°、０．００°）に導出される結果、これは水平状態であると判断される。但し、本発明の実施形態では（０．００°、０．００°）という数学的な値で表現したが、実質的に（０．００°、０．００°）で看做す状態であれば、水平状態であると判断される。例えば、（±０．０５°、±０．０５°）の範囲は水平であることと看做すことと評価すれば、数学的に（０．００°、０．００°）ではなくとも水平状態であると判断する。
表で比較すれば、下の表１の通りである。
Figure 2022105302000005
 図９で図示される支持部材５４０にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。７０℃内外の第１温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６４°、０．４２°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６１°、０．４３°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。基板型センサー６００が第１角度に提供された状態でθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標は（０．０７°、－０．０５°）であると仮定する。第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（０．７１°、０．３７°）であり、第２センサー６２２が（０．６８°、０．３８°）である。そして、第２段階にしたがって、基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（０．５４°、０．４８°）であり、第２センサー６２２が（０．５７°、０．４７°）である。測定値はウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値が存在し、さらに各センサー間の固有誤差がベクトル和で加えて測定される。したがって、第１センサー６２１の場合、Ｖ１－Ｖ２が（０．００°、０．００°）ではないことと導出される結果、これは水平状態ではないことと判断されることができる。
表で比較すれば、下の表２の通りである。
Figure 2022105302000006
第１段階の第１角度の第１センサー６２１の位置は、第２段階で基板型センサー６００を１８０°回転した第２角度では第２センサー６２２の位置になる。そして、第１段階の第１角度の第２センサー６２２の位置は、第２段階で基板型センサー６００を１８０°回転した第２角度では第１センサー６２１の位置になる。
そして、第２角度での第１センサー６２１と第２センサー６２２の測定値はセンサーの方向が逆になることによって、傾斜値θが（－０．０７、０．０５）に測定されて測定値の一部を構成する。即ち、Ｖ１＝（Ｌｅｖｅｌ Ｘ固有誤差、Ｌｅｖｅｌ Ｙ固有誤差）＋（０．０７°、－０．０５°）であり、Ｖ２＝（Ｌｅｖｅｌ Ｘ固有誤差、Ｌｅｖｅｌ Ｙ固有誤差）＋（－０．０７°、＋０．０５°）であるので、（Ｖ１－Ｖ２）／２の計算式から傾斜値θが求められることができる。実施形態によれば、θ＝（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（０．０７°、－０．０５°）である。
他の観点から見れば、測定される位置を基準に傾斜値を測定することができる。
Figure 2022105302000007
本発明の他の観点によれば、傾斜値は｛（ａ１－ａ２）＋（ｂ１－ｂ２）｝／４を通じて算出されることができる。図５乃至図９で説明する基板型センサー６００のセンサーは第１センサー６２１のみでも同一な結果を得ることができるが、第２センサー６２２が提供されることによって有効性検証が可能である。また、第１センサー６２１と第２センサー６２２を利用して導出された傾斜値の平均を通じてより高い正確度の傾斜値を算出することができる。
図１０は本発明の他の実施形態に係る基板型センサー１６００の平面図である。図１１は図１０の実施形態に係る基板型センサー１６００の斜視図である。図１０及び図１１を参照して、他の実施形態に係る基板型センサー１６００を説明する。基板型センサー１６００を使用する場合、ウエハＷが支持部材５４０によって水平に支持されることができるかを測定することができる。例えば、基板型センサー１６００は支持ピン５４６の最上端の高さ差を０．１ｄｅｇ以下の単位に測定することができ、工程が進行される中に支持ピン５４６の最上端の高さが同一であるかを確認することができる。
基板型センサー１６００は１つ以上のセンサーを含む。センサーはＩＭＵで提供される。基板型センサー６００に提供されるセンサーは第１センサー６２１と第２センサー６２２を含む。さらに、第３センサー６２３と第４センサー６２４をさらに含むことができる。第１センサー６２１、第２センサー６２２、第３センサー６２３、及び第４センサー６２４はＩＭＵである。
第１センサー６２１と第２センサー６２２は互いに基板型センサー６００のセンターＣを基準に対向される位置に位置されることができる。第１センサー６２１と第２センサー６２２は基板型センサー６００の縁に位置されることができる。一実施形態において、第１センサー６２１と第２センサー６２２は各々支持ピン５４６の上部に位置されるように配置されることができる。より詳細に第１センサー６２１は第１支持ピン５４６ａの上部に位置され、第２センサー６２２は第４支持ピン５４６ｄの上部に位置されることができる。第１センサー６２１と第２センサー６２２が基板型センサー６００のセンターＣを基準になす角度は１８０°（ｄｅｇ）であり得る。
第３センサー６２３と第４センサー６２４は互いに基板型センサー６００のセンターＣを基準に対向される位置に位置されることができる。第３センサー６２３と第４センサー６２４は基板型センサー６００の縁に位置されることができる。一実施形態において、第３センサー６２３と第４センサー６２４は各々支持ピン５４６の上部に位置されるように配置されることができる。より詳細に第３センサー６２３は第２支持ピン５４６ｂの上部に位置され、第４センサー６２４は第３支持ピン５４６ｃの上部に位置されることができる。第３センサー６２３と第４センサー６２４が基板型センサー６００のセンターＣを基準になす角度は１８０°（ｄｅｇ）であり得る。
基板型センサー１６００は中央モジュール６３０を含む。中央モジュール６３０は第１センサー６２１、第２センサー６２２、第３センサー６２３、及び／又は第４センサー６２４からデータを受信する通信部、データを格納する格納部、データを送出する送信部、各構成に電力を提供する電源部を含むことができる。第１センサー６２１と中央モジュール６３０は第１センサー６２１が取得したデータを中央モジュール６３０が受信可能に連結されることができる。第２センサー６２２と中央モジュール６３０は第２センサー６２２が取得したデータを中央モジュール６３０が受信可能に連結されることができる。第３センサー６２３と中央モジュール６３０は第３センサー６２３が取得したデータを中央モジュール６３０が受信可能に連結されることができる。第４センサー６２４と中央モジュール６３０は第４センサー６２４が取得したデータを中央モジュール６３０が受信可能に連結されることができる。送信部は無線通信モジュールで提供されることができる。送信部から送出されたデータを通じて外部に提供された装置で後述する演算が行われることができる。又は中央モジュール６３０に演算部が提供され、演算部で後述する演算が遂行されて送信部を通じて支持部材５４０によって発生する勾配を外部の装置に送出することができる。
図１２は図１０の実施形態に係る基板型センサー１６００を利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時を説明する。図１３は図１０の実施形態に係る基板型センサー１６００を利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持できない状態の一例として、支持部材にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。図１２と図１３を参照して基板型センサー１６００を利用した支持部材５４０の水平測定方法を説明する。
一実施形態によれば、基板型センサー１６００は第１角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第１段階と、第２角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第２段階を含む。第２角度は第１角度から１８０°（ｄｅｇ）回転された状態である。図１２の（ａ）と図１３の（ａ）は第１段階にしたがう勾配測定状態を図示し、図１２の（ｂ）と図１３の（ｂ）は第２段階にしたがう勾配測定状態を図示する。基板型センサー１６００が第１角度で第２角度に回転されることは超臨界処理装置５００の外部に提供されるアライナーを通じて行われることができる。例えば、バッファユニット２００に基板を整列するアライナーを含んで基板型センサー１６００を回転することができる。回転された基板型センサー１６００は搬送ロボット３２０が移送して支持部材５４０に位置させることができる。
第１段階にしたがって基板型センサー１６００が第１角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第１支持ピン５４６ａの上部に、第２センサー６２２は第４支持ピン５４６ｄの上部に位置されることができる。そして、第３センサー６２３は第２支持ピン５４６ｂの上部に、第４センサー６２４は第３支持ピン５４６ｃの上部に位置されることができる。
第２段階にしたがって基板型センサー６００が第２角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第４支持ピン５４６ｄの上部に、第２センサー６２２は第１支持ピン５４６ａの上部に位置されることができる。そして、第３センサー６２３は第３支持ピン５４６ｃの上部に、第４センサー６２４は第２支持ピン５４６ｂの上部に位置されることができる。
第１センサー６２１、第２センサー６２２、第３センサー６２３、及び第４センサー６２４の位置は、ただ一例であり、上述した位置に限定しようとすることではない。但し、センサーが支持ピン５４６の上部に位置される時支持部材５４０による水平状態が最も正確に導出されることができることと本発明者は把握する。しかし、複数の支持ピン５４６は設計に応じて本発明の実施形態とは異なる位置に提供されることができるので、第１角度にしたがうセンサーの位置は通常の技術常識を考慮して適切に変形されることができる。
第１センサー６２１、第２センサー６２２、第３センサー６２３、及び第４センサー６２４は温度に応じて測定値が変化されることができる。上述して説明したこれはＩＭＵの本質的な特徴である。本発明の一実施形態によれば、基板型センサー１６００が第１角度に提供された状態で勾配を測定し、第２角度に提供された状態で勾配を測定することによって温度にしたがう測定値変化にも拘らず、水平状態を測定することができる。
一例として、第１温度（常温より高温）であって、例えば７０℃内外の温度雰囲気を仮定する。仮に、７０℃内外の温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６４°、０．４２°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６１°、０．４３°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
第３センサー６２３が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６２°、０．４３°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第４センサー６２４が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６５°、０．４２°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
水平状態でＩＭＵの値は（０．００°、０．００°）である時、図１２で図示される支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には、第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（０．６４°、０．４２°）であり、第２センサー６２２が（０．６１°、０．４３°）であり、第３センサー６２３が（０．６２°、０．４３°）であり、第４センサー６２４が（０．６５°、０．４２°）である。そして、第２段階にしたがう基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（０．６４°、０．４２°）であり、第２センサー６２２が（０．６１°、０．４３°）であり、第３センサー６２３が（０．６２°、０．４３°）であり、第４センサー６２４が（０．６５°、０．４２°）である。ウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値は各センサーの固有誤差のみが存在するので、Ｖ１－Ｖ２が全て（０．００°、０．００°）で導出される結果、これは水平状態に判断される。但し、本発明の実施形態では（０．００°、０．００°）という数学的な値で表現したが、実質的に（０．００°、０．００°）で看做す状態であれば、水平状態であると判断される。例えば、（±０．０５°、±０．０５°）の範囲は水平であることと看做すことと評価すれば、数学的に（０．００°、０．００°）ではなくとも水平状態であると判断する。
表で比較すれば、下の表４の通りである。
Figure 2022105302000008
図１３で図示される支持部材５４０にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。７０℃内外の第１温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６４°、０．４２°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６１°、０．４３°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。第３センサー６２３が７０℃内外の温度（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６２°、０．４３°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第４センサー６２４が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｌｅｖｅｌ Ｘ、Ｌｅｖｅｌ Ｙ）座標で（０．６５°、０．４２°）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
基板型センサー１６００が第１角度に提供された状態でθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標は（０．０７°、－０．０５°）であると仮定する。第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（０．７１°、０．３７°）であり、第２センサー６２２が（０．６８°、０．３８°）であり、第３センサー６２３が（０．６９°、０．３８°）であり、第４センサー６２４が（０．７２°、０．３７°）である。そして、第２段階にしたがう基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（０．５７°、０．４７°）であり、第２センサー６２２が（０．５４°、０．４８°）であり、第３センサー６２３が（０．５５°、０．４８°）であり、第４センサー６２４が（０．５８°、０．４７°）である。ウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値が存在し、さらに各センサー間の固有誤差がベクトル和に加えられる。したがって、第１センサー６２１、第２センサー６２２、第３センサー６２３、及び／又は第４センサー６２４のＶ１－Ｖ２が（０．００°、０．００°）ではないことと導出される結果、これは水平状態ではないことと判断されることができる。
表で比較すれば、下の表５の通りである。
Figure 2022105302000009
第１段階の第１角度の第１センサー６２１の位置は、第２段階で基板型センサー６００を１８０°回転した第２角度では第２センサー６２２の位置になる。そして、第１段階の第１角度の第２センサー６２２の位置は、第２段階で基板型センサー６００を１８０°回転した第２角度では第１センサー６２１の位置になる。そして、第１段階の第１角度の第３センサー６２３の位置は、第２段階で基板型センサー６００を１８０°回転した第２角度では第４センサー６２４の位置になる。そして、第１段階の第１角度の第４センサー６２４の位置は、第２段階で基板型センサー６００を１８０°回転した第２角度では第３センサー６２３の位置になる。そして、第２角度での第１センサー６２１と第２センサー６２２の測定値はセンサーの方向が逆になることによって、傾斜値θが（－０．０７、０．０５）に測定されて測定値の一部を構成する。即ち、Ｖ１＝（Ｌｅｖｅｌ Ｘ固有誤差、Ｌｅｖｅｌ Ｙ固有誤差）＋（０．０７°、－０．０５°）であり、Ｖ２＝（Ｌｅｖｅｌ Ｘ固有誤差、Ｌｅｖｅｌ Ｙ固有誤差）＋（－０．０７°、＋０．０５°）であるので、（Ｖ１－Ｖ２）／２の計算式から傾斜値θが求まれることができる。実施形態によれば、θ＝（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（０．０７°、－０．０５°）である。
他の観点から見れば、測定される位置を基準に傾斜値を測定することができる。
Figure 2022105302000010
本発明の他の観点によれば、傾斜値は｛（ａ１－ａ２）＋（ｂ１－ｂ２）｝／４及び｛（ｃ１Ｘ－ｃ２Ｘ）＋（ｄ１Ｘ－ｄ２Ｘ）｝／４を通じて算出されることができる。また、第１センサー６２１と第２センサー６２２と第３センサー６２３と第４センサー６２４を利用して導出された傾斜値の平均を通じてより高い正確度の傾斜値を算出することができる。下ではその他の実施形態に係る傾斜値算出方法を説明する。
他の実施形態によれば、基板型センサー６００に提供されるセンサーは３軸加速度センサーである。再び図８乃至図１２を参照して本発明の他の実施形態に係る傾斜値算出方法を説明する。
図８は本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００を利用して支持部材５４０がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時を説明する。図９は本発明の一実施形態に係る基板型センサー６００を利用して支持部材がウエハを水平に支持することができるかを測定する方法を説明することであって、支持部材がウエハを水平に支持できない状態の一例として、支持部材にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。図８と図９を参照して基板型センサー６００を利用した支持部材の水平測定方法を説明する。
一実施形態によれば、基板型センサー６００は第１角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第１段階と、第２角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第２段階を含む。第２角度は第１角度から１８０°（ｄｅｇ）回転された状態である。図８の（ａ）と図９の（ａ）は第１段階にしたがう勾配測定状態を図示し、図８の（ｂ）と図９の（ｂ）は第２段階にしたがう勾配測定状態を図示する。基板型センサー６００が第１角度で第２角度に回転されることは超臨界処理装置５００の外部に提供されるアライナーを通じて行われることができる。例えば、バッファユニット２００に提供されて基板を整列するアライナーを利用して基板型センサー６００を回転することができる。回転された基板型センサー６００は搬送ロボット３２０が移送して支持部材５４０に位置させることができる。
第１段階にしたがって基板型センサー６００が第１角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第１支持ピン５４６ａの上部に、第２センサー６２２は第４支持ピン５４６ｄの上部に位置されることができる。第２段階にしたがって基板型センサー６００が第２角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第４支持ピン５４６ｄの上部に、第２センサー６２２は第１支持ピン５４６ａの上部に位置されることができる。第１センサー６２１と第２センサー６２２の位置は、ただ一例であり、上述した位置に限定しようとすることではない。但し、センサーが支持ピン５４６の上部に位置される時支持部材５４０による水平状態が最も正確に導出されることができることと本発明者は把握する。しかし、複数の支持ピン５４６は設計に応じて本発明の実施形態とは異なる位置に提供されることができるので、第１角度にしたがうセンサーの位置は通常の技術常識を考慮して適切に変形されることができる。
第１センサー６２１と第２センサー６２２は温度に応じて測定値が変化されることができる。上述して説明したように、これは加速度センサーの本質的な特徴である。本発明の一実施形態によれば、基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で勾配を測定し、第２角度に提供された状態で勾配を測定することによって温度に応じる測定値変化にも拘らず、水平状態を測定することができる。
一例として、第１温度（常温より高温）であって、例えば７０℃内外の温度雰囲気を仮定する。仮に、７０℃内外の温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（１、１、－１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．８、０．７、－１．１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
水平状態で加速度センサーの値は（０、０、－９．８）である時、図８で図示される支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には、第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（１、１、－１０．８）であり、第２センサー６２２が（０．８、０．７、－１０．９）である。そして、第２段階にしたがう基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（１、１、－１０．８）であり、第２センサー６２２が（０．８、０．７、－１０．９）である。ウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値はＺ値に該当する値と、各センサーの固有誤差のみが存在するので、Ｖ１－Ｖ２が全て（０、０、０）で導出される結果、これは水平状態に判断される。但し、本発明の実施形態では（０、０、０）という数学的な値で表現したが、実質的に（０、０、０）であることと看做す状態であれば、水平状態に判断される。例えば、（±０．０５、±０．０５、±０．０５）のの範囲は水平であることと看做すことと評価すれば、数学的に（０、０、０）ではなくとも水平状態であると判断する。
表で比較すれば、下の表７の通りである。
Figure 2022105302000011
図９で図示される支持部材５４０にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。７０℃内外の第１温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（１、１、－１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．８、０．７、－１．１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
基板型センサー６００が第１角度に提供された状態でθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標は（２、０．５、－９．５６）であると仮定する。第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（３、１．５、－１０．３）であり、第２センサー６２２が（２．８、１．２、－１０．４）である。そして、第２段階にしたがう基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（－１、０．５、－１０．３）であり、第２センサー６２２が（－１．２、０．２、－１０．４）である。ウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値が存在し、さらに各センサー間の固有誤差がベクトル和に加えられる。したがって、第１センサー６２１の場合、Ｖ１－Ｖ２が（２．８、１．２、０）であり、第２センサー６２２の場合、Ｖ１－Ｖ２が（２．８、１、０）で導出される結果、これは水平状態ではないことと判断されることができる。
表で比較すれば、下の表８の通りである。
Figure 2022105302000012
 （Ｖ１－Ｖ２）／２を通じて第１角度に提供された状態でのθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標のＸ値とＹ値を分かる。（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（ｘ、ｙ、０）である。したがって、支持部材が水平状態ではないことと判断される場合、数式を通じて傾いた方向を判断することができる。本実施形態で、（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（ｘ、ｙ、０）＝（２、０．５、０）である。ここで、加速度センサーで利用する加速度のｇ値は地球の重力加速度である点を考慮する時、極座標系を利用して計算すれば、平面に対する勾配θのｚ値は、図１５を通じて参照されたようにｘ値とｙ値を分かっているので、ｇ＊ｓｉｎ（ａ）の値に求めることができる。他の方法としてはピタゴラスの定理を利用して、
Figure 2022105302000013
 を通じて求めることができる。重力方向を考慮すれば、ｚ値は
Figure 2022105302000014
 で求められる。したがって、加速度センサーを利用して基板型センサー６００が第１角度に提供された状態でθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標が
Figure 2022105302000015
 として求めることができる。
また、（Ｖ１＋Ｖ２）／２を通じて（Ｘ値の固有誤差、Ｙ値の固有誤差、Ｖ１（又はＶ２）のＺ値）が導出されることができる。例えば、本例において、第１センサー６２１の場合に、（Ｖ１＋Ｖ２）／２＝（１、１、－１０．３）であり、第２センサー６２２の場合に、（Ｖ１＋Ｖ２）／２＝（０．８、０．７、－１０．４）である。さらに、Ｚ値の固有誤差は、Ｖ１（Ｚ）又はＶ２（Ｚ）と傾いた値のｚ値である
Figure 2022105302000016
 の差を通じて計算することができる。
図５乃至図９で説明する基板型センサー６００のセンサーは第１センサー６２１のみでも同一な結果を得ることができるが、第２センサー６２２が提供されることによって有効性検証が可能である。
続いて、図１０を通じて参照される本発明の他の実施形態に係る基板型センサー１６００によって傾斜値を測定する他の実施形態に係る方法を図１２と図１３を参照して説明する。基板型センサー１６００は１つ以上のセンサーを含む。センサーは３軸以上の加速度センサーで提供される。
一実施形態によれば、基板型センサー１６００は第１角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第１段階と、第２角度に提供された状態で支持部材５４０の勾配を測定する第２段階を含む。第２角度は第１角度から１８０°（ｄｅｇ）回転された状態である。図１２の（ａ）と図１３の（ａ）は第１段階にしたがう勾配測定状態を図示し、図１２の（ｂ）と図１３の（ｂ）は第２段階にしたがう勾配測定状態を図示する。基板型センサー１６００が第１角度で第２角度に回転されることは超臨界処理装置５００の外部に提供されるアライナーを通じて行われることができる。例えば、バッファユニット２００に提供されて基板を整列するアライナーを利用して基板型センサー１６００を回転することができる。回転された基板型センサー１６００は搬送ロボット３２０が移送して支持部材５４０に位置させることができる。
第１段階にしたがって基板型センサー１６００が第１角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第１支持ピン５４６ａの上部に、第２センサー６２２は第４支持ピン５４６ｄの上部に位置されることができる。そして、第３センサー６２３は第２支持ピン５４６ｂの上部に、第４センサー６２４は第３支持ピン５４６ｃの上部に位置されることができる。
第２段階にしたがって基板型センサー６００が第２角度に提供された状態によれば、第１センサー６２１は第４支持ピン５４６ｄの上部に、第２センサー６２２は第１支持ピン５４６ａの上部に位置されることができる。そして、第３センサー６２３は第３支持ピン５４６ｃの上部に、第４センサー６２４は第２支持ピン５４６ｂの上部に位置されることができる。
第１センサー６２１、第２センサー６２２、第３センサー６２３、及び第４センサー６２４の位置は、ただ一例であり、上述した位置に限定しようとすることではない。但し、センサーが支持ピン５４６の上部に位置される時、支持部材５４０による水平状態が最も正確に導出されることができることと本発明者は把握する。しかし、複数の支持ピン５４６は設計に応じて本発明の実施形態とは異なる位置に提供されることができるので、第１角度にしたがうセンサーの位置は通常の技術常識を考慮して適切に変形されることができる。
第１センサー６２１、第２センサー６２２、第３センサー６２３、及び第４センサー６２４は温度に応じて測定値が変化されることができる。上述して説明したように、これは加速度センサーの本質的な特徴である。本発明の一実施形態によれば、基板型センサー１６００が第１角度に提供された状態で勾配を測定し、第２角度に提供された状態で勾配を測定することによって温度にしたがう測定値変化にも拘らず、水平状態を測定することができる。
一例として、第１温度（常温より高温）であって、例えば７０℃内外の温度雰囲気を仮定する。仮に、７０℃内外の温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（１、１、－１）くらいの固有誤差が発生すると仮定する。第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．８、０．７、－１．１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。第３センサー６２３が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．６、０．７、－１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第４センサー６２４が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．５、０．８、－１．２）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
水平状態で加速度センサーの値は（０、０、－９．８）である時、図１２で図示される支持部材がウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には、第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（１、１、－１０．８）であり、第２センサー６２２が（０．８、０．７、－１０．９）であり、第３センサー６２３が（０．６、０．７、－１０．８）であり、第４センサー６２４が（０．５、０．８、－１１）である。そして、第２段階にしたがう基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（１、１、－１０．８）であり、第２センサー６２２が（０．８、０．７、－１０．９）であり、第３センサー６２３が（０．６、０．７、－１０．８）であり、第４センサー６２４が（０．５、０．８、－１１）である。ウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値はＺ値に該当する値と、各センサーの固有誤差のみが存在するので、Ｖ１－Ｖ２が全て（０、０、０）で導出される結果、これは水平状態に判断される。但し、本発明の実施形態では（０、０、０）という数学的な値で表現したが、実質的に（０、０、０）であることと看做す状態であれば、水平状態に判断される。例えば、（±０．０５、±０．０５、±０．０５）のの範囲は水平であることと看做すことと評価すれば、数学的に（０、０、０）ではなくとも水平状態であると判断する。
表で比較すれば、下の表９の通りである。
Figure 2022105302000017
図１３で図示される支持部材５４０にウエハが支持される場合、θくらい傾く時を説明する。７０℃内外の第１温度雰囲気で第１センサー６２１が（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（１、１、－１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。第２センサー６２２が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．８、０．７、－１．１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。第３センサー６２３が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．６、０．７、－１）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。そして、第４センサー６２４が７０℃内外の温度雰囲気で（Ｘ、Ｙ、Ｚ）ベクトル座標で（０．５、０．８、－１．２）くらいの固有誤差が発生することと仮定する。
基板型センサー１６００が第１角度に提供された状態でθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標は（２、０．５、－９．３）であると仮定する。第１段階にしたがう基板型センサー６００が第１角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ１は、第１センサー６２１が（３、１．５、－１０．３）であり、第２センサー６２２が（２．８、１．２、－１０．４）であり、第３センサー６２３が（－２．６、４、－１０、３）であり、第４センサー６２４が（－２．７、４．１、－１０．５）である。そして、第２段階にしたがう基板型センサー６００が第２角度に提供された状態で測定された測定値Ｖ２は、第１センサー６２１が（－１、０．５、－１０．３）であり、第２センサー６２２が（－１．２、０．２、－１０．４）であり、第３センサー６２３が（３．８、－２．６、－１０．３）であり、第４センサー６２４が（３．７、－２．５、－１０．５）である。ウエハを水平に支持することができる状態に提供される時には実質的に測定される値が存在し、さらに各センサー間の固有誤差がベクトル和に加えられる。したがって、第１センサー６２１の場合、Ｖ１－Ｖ２が（２．８、１．２、０）であり、第２センサー６２２の場合、Ｖ１－Ｖ２が（２．８、１、０）であり、第３センサー６２３の場合、Ｖ１－Ｖ２が（－６．４．－６．６、０）であり、第４センサー６２４の場合、Ｖ１－Ｖ２が（－６．４．－６．６、０）で導出される結果、これは水平状態ではないことと判断されることができる。
表で比較すれば、下の表１０の通りである。
Figure 2022105302000018
（Ｖ１－Ｖ２）／２を通じて第１角度に提供された状態でのθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標のＸ値とＹ値を分かる。（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（ｘ、ｙ、０）である。したがって、支持部材が水平状態ではないことと判断される場合、数式を通じて傾いた方向を判断することができる。本実施形態で、第１センサー６２１と第２センサー６２２を通じて導出される（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（ｘ、ｙ、０）＝（２、０．５、０）である。そして、第３センサー６２３と第４センサー６２４によって導出される（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（ｘ、ｙ、０）＝（－３．２、３．３、０）である。数値は異なってもこれは座標系の回転にしたがう差である。ここで、加速度センサーで利用する加速度のｇ値は地球の重力加速度である点を考慮する時、極座標系を利用して計算すれば、平面に対する勾配θのｚ値は、図１５を通じて参照されたようにｘ値とｙ値を分かっているので、ｇ＊ｓｉｎ（ａ）の値に求めることができる。他の方法としてはピタゴラスの定理を利用して、
Figure 2022105302000019
 を通じて求めることができる。重力方向を考慮すれば、ｚ値は
Figure 2022105302000020
 で求められる。したがって、加速度センサーを利用して基板型センサー６００が第１角度に提供された状態でθくらい傾いたことにしたがうベクトル座標が
Figure 2022105302000021
 として求めることができる。
また、（Ｖ１＋Ｖ２）／２を通じて（Ｘ値の固有誤差、Ｙ値の固有誤差、Ｖ１（又はＶ２）のＺ値）が導出されることができる。例えば、本例において、第１センサー６２１の場合に、（Ｖ１＋Ｖ２）／２＝（１、１、－１０．３）であり、第２センサー６２２の場合に、（Ｖ１＋Ｖ２）／２＝（０．８、０．７、－１０．４）である。そして、第３センサー６２３の場合に、（Ｖ１＋Ｖ２）／２＝（０．６、０．７、－１０．３）であり、第４センサー６２４の場合に（Ｖ１－Ｖ２）／２＝（ｘ、ｙ、０）＝（０．５、０．８、－１０．５）である。さらに、Ｚ値の固有誤差は、Ｖ１（Ｚ）又はＶ２（Ｚ）と傾いた値のｚ値である
Figure 2022105302000022
 の差を通じて計算することができる。
上述した実施形態及び数式は本発明の一実施形態に該当することである。通常の技術者であれば、本明細書に記載された発明の思想に基づいて、開示されない様々な数式及び実施形態を導出することができる。
図１６は図１の超臨界処理装置の他の実施形態を概略的に示す図面であって、ベッセルが開いた状態を示す断面図である。図１７は図１６の実施形態に係る超臨界処理装置のベッセルが閉じた状態を示す断面図である。図１６及び図１７を参照して本発明の他の実施形態を説明する。
基板処理装置５００ａはベッセル５２０、第１基板支持部５４０、第２基板支持部５８３、第１供給ポート５３１、第２供給ポート５３３、及び排気ポート５３２を含むことができる。
ベッセル５２０は基板を乾燥するための空間を提供することができる。前記空間は工程領域５０２及びバッファ領域５０４を含むことができる。工程領域５０２は基板Ｗの上面に対応される領域であり、バッファ領域５０４は基板Ｗの下部にある領域であり得る。ベッセル５２０は上部ベッセル５２２及び下部ベッセル５２４を含むことができる。上部ベッセル５２２は上部壁及び第１側壁を含むことができる。上部ベッセル５２２の上部壁はベッセル５２０の上部壁に提供されることができる。上部ベッセル５２２の第１側壁はベッセル５２０の側壁の一部に提供されることができる。下部ベッセル５２４は下部壁及び第２側壁を含むことができる。下部ベッセル５２４の下部壁はベッセル５２０の下部壁に提供されることができる。下部ベッセル５２４の前記第２側壁は前記チャンバーの側壁の一部に提供されることができる。
上部ベッセル５２２及び下部ベッセル５２４は駆動メカニズム（図示せず）によって相対的に移動することによって、ベッセル５２０を密閉させる閉鎖位置（図１５の図示）とチャンバーを開放させる開放位置（図１４の図示）との間を転換可能するように互いにかみ合って結合することができる。例えば、上部ベッセル５２２及び下部ベッセル５２４の中で少なくともいずれか１つは昇降ロード（図示せず）に沿って上下移動して互いに結合されるか、或いは分離されることができる。ベッセル５２０の開放位置で、基板Ｗがベッセル５２０の内部に／からローディング／アンローディングされることができる。ベッセル５２０の閉鎖位置で、基板Ｗの 超臨界 乾燥工程が遂行されることができる。
第１基板支持部５４０はベッセル５２０内に配置され、基板Ｗが前記チャンバー内にローディングされる時、基板Ｗを支持することができる。第１基板支持部５４０は図１４に図示されたように、ベッセル５２０の開放位置で基板Ｗが前記チャンバー内にローディング／アンローディングされる時、基板Ｗを支持することができる。第２基板支持部５８３はベッセル５２０内に配置され、基板Ｗがベッセル５２０内で処理される時、基板Ｗを支持することができる。第２基板支持部５８３は図１５に図示されたように、ベッセル５２０の閉鎖位置で基板Ｗ上に 超臨界流体工程を遂行する時、基板Ｗを支持することができる。
第１基板支持部５４０は上部ベッセル５２２の前記上部壁から延長して前記上部壁から第１距離くらい離隔された位置で基板Ｗを支持するための第１支持部材を含むことができる。第１基板支持部５４０はベッセル５２０の密閉位置で下部ベッセル５２４の前記下部壁から第１高さで基板Ｗを支持することができる。
ベッセル５２０の開放位置で前記チャンバー内に／からローディング／アンローディングされる基板Ｗは第１基板支持部５４０によって一時的に支持されることができる。第１基板支持部５４０によって支持される基板Ｗは、基板Ｗの上部面が上部ベッセル５２２の前記上部壁に向かい、基板Ｗの下部面は下部ベッセル５２４の下部面に向かうように支持されることができる。
基板処理装置５００ａは下部ベッセル５２４の下部壁及び第１基板支持部５４０の間に配置される遮断プレート５８０を含むことができる。遮断プレート５８０は下部ベッセル５２４の前記下部壁から既設定された距離くらい離隔されるように設置されることができる。遮断プレート５８０は支持ロード５８２によって下部ベッセル５２４の前記下部壁上に固定されることができる。遮断プレート５８０はバッファ領域５０４内で所定の空間を占める所定の厚さのプレートを含むことができる。遮断プレート５８０は第１供給ポート５３からの前記超臨界流体が基板Ｗの後面に直接噴射されることを遮断することができる。バッファ領域５０４の体積は遮断プレート５８０によって減少されることができる。バッファ領域５０４の体積は工程領域５０２の体積より小さいことができる。したがって、相対的に基板Ｗ下部のバッファ領域５０４に存在する超臨界流体の量は基板Ｗ上部の工程領域５０２に存在する超臨界流体の量より小いことができる。遮断プレート５８０は乾燥工程に使用される超臨界流体の量を減少させながらも、工程性能を維持するために基板Ｗの下部のバッファ空間内に構造物を配置することによって、前記バッファ空間を減少させることによって工程時間を減少させることができる。
第２基板支持部５８３は上部ベッセル５２２の上部壁から第２距離くらい離隔された位置で基板Ｗを支持する。第２支持部材は前記チャンバーの密閉位置で下部ベッセル５２４の前記下部壁から第１高さより大きい第２高さで基板Ｗを支持することができる。
第２基板支持部５８３は遮断プレート５８０上に配置され、基板Ｗを支持することができる。第２基板支持部５８３は遮断プレート５８０の上面から上部に延長する複数の第２支持突出部１５２を含むことができる。前記第２支持突出部は遮断プレート５８０上から上部に延長し、基板Ｗの中心領域と接触支持することができる。
第２基板支持部５８３は遮断プレート５８０上に配置されたが、これに制限されなく、第２基板支持部５８３は下部ベッセル５２４の前記下部壁から既設定された高さを有するように設置されることができる。
ベッセル５２０が開放される時、第２基板支持部５８３をなす第２支持突出部は下部ベッセル５２４と共に移動することができる。続いて、基板Ｗはベッセル５２０の内部にローディングされて第１基板支持部５４０の第１支持突出部上に安着されることができる。ベッセル５２０が閉鎖される時、第２基板支持部５８３をなす第２支持突出部は下部ベッセル５２４と共に上昇することができる。ベッセル５２０の閉鎖位置で第２基板支持部５８３をなす第２支持突出部は第１基板支持部５４０の第１支持突出部より大きい高さを有するので、基板Ｗは上昇する第２基板支持部５８３をなす第２支持突出部上に安着されることができる。続いて、第２基板支持部５８３によって支持された基板Ｗ上に 超臨界乾燥工程を遂行することができる。
図１４及び図１５で参照される他の実施形態に係る超臨界処理装置に本発明の実施形態に係る基板型センサー６００、１６００が提供されて第２基板支持部５８３の傾斜度を測定することができる。
また、本明細書において、本発明の一実施形態であって、超臨界処理装置に提供されて支持部材の水平を測定する事項を説明したが、温度変化が伴われる雰囲気の環境で高精度を要求する水平測定に応用されることができる。
また、本発明は特定の環境条件で測定を遂行するものであるので、加速度センサーが温度に敏感である事項を補正するために補正係数を使用する方法と比較して具体的な状況においてより測定精密度が高い。
上述して、高温環境で固有誤差が大きい場合を説明したが、常温及び低温でも水平測定が可能である。
上述して説明した基板型センサー６００、１６００によって測定された支持部材５４０による勾配はプロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって算出されることができる。
５４０ 支持部材
５４６ 支持ピン
６００ 基板型センサー
６１０ 基材
６２１ 第１センサー
６２２ 第２センサー
６３０ 中央モジュール
Ｃ センター

Claims (19)

  1. 温度変化が伴われる雰囲気に提供されて基板を支持する支持部材の水平を測定するための基板型センサーであって、
    前記基板の形状を有する基才と、
    前記基才に提供され、３軸以上の加速度センサー又は６軸以上の慣性測定ユニット（ＩＭＵ）で構成される１つ以上のセンサーと、
    前記センサーから収集されたデータを受信する受信部と、
    前記１つ以上のセンサー及び前記受信部に電力を提供する電源部と、を含む基板型センサー。
  2. 前記基才は、前記基板の寸法と実質的に同一な物理的寸法を有する請求項１に記載の基板型センサー。
  3. 前記センサーは、複数が提供され、１つのセンサーを基準に他の１つのセンサーは、前記基材の中心を基準に１８０°（ｄｅｇ）対向される位置に提供される請求項１に記載の基板型センサー。
  4. 前記受信部に受信された前記データを外部に送出する送出部をさらに含む請求項１に記載の基板型センサー。
  5. 前記支持部材は、前記基板を前記支持部材の平面から所定の間隔離隔させる複数の支持ピンを含み、
    前記センサーは、前記支持ピンの中でいずれか１つ以上に対応される位置に位置される請求項１に記載の基板型センサー。
  6. 前記センサーは、露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させる請求項１に記載の基板型センサー。
  7. 請求項１の基板型センサーを利用する水平測定方法であって、
    前記基板型センサーを第１角度に前記支持部材に位置させる第１段階と、
    前記第１段階で前記センサーから収集されたデータを第１データに受信する第２段階と、
    前記基板型センサーを前記第１角度と異なる第２角度に前記支持部材に位置させる第３段階と、
    前記第３段階で前記センサーから収集されたデータを第２データに受信する第４段階と、
    を含み、
    前記第１データ及び前記第２データを比較して前記支持部材が水平であるか否かを判断する水平測定方法。
  8. 前記センサーは、前記６軸以上の慣性測定ユニット（ＩＭＵ）であり、
    前記第１データ及び前記第２データは、各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、
    前記第１データ及び前記第２データの比較は、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素の同一性を比較することであり、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇に含まれれば、水平であると判断し、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇で外れれば、傾いたことと判断する請求項７に記載の水平測定方法。
  9. 前記センサーは、前記６軸以上の慣性測定ユニット（ＩＭＵ）であり、
    前記第１データ及び前記第２データは、各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、
    前記第１データは、（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１、Ｌｅｖｅｌ Ｙ１）の要素を含み、
    前記第２データは、（Ｌｅｖｅｌ Ｘ２、Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）の要素を含み、
    前記センサーは、露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、
    前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配は、プロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって（Ｌｅｖｅｌ Ｘａ、Ｌｅｖｅｌ Ｙａ）を含む要素として算出され、
    前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は、１８０°（ｄｅｇ）である場合に、
    前記Ｌｅｖｅｌ Ｘａは、（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１－Ｌｅｖｅｌ Ｘ２）／２であり、
    前記Ｌｅｖｅｌ Ｙａは、（Ｌｅｖｅｌ Ｙ１－Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）／２で算出されることができる請求項７に記載の水平測定方法。
  10. 前記基板型センサーは、
    前記センサーは、複数が提供され、１つのセンサーを基準に他の１つのセンサーは、前記基材の中心を基準に１８０°（ｄｅｇ）対向される位置に提供されることであり、
    前記第１データ及び前記第２データは、前記１つのセンサーと前記他の１つのセンサーから各々受信し、
    前記１つのセンサーから受信された前記第１データ及び前記第２データを比較して前記支持部材が水平であるか否かを判断し、
    前記他の１つのセンサーから受信された前記第１データ及び前記第２データを比較して前記１つのセンサーから導出された判断の有効性を検証する請求項７に記載の水平測定方法。
  11. 前記支持部材は、超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理装置の高圧ベッセルに提供されることであり、
    前記支持部材は、前記基板を前記支持部材の平面から所定の間隔離隔させる複数の支持ピンを含み、
    前記第１角度及び前記第２角度で前記センサーが前記支持ピンの中でいずれか１つ以上に対応される位置に位置されるようにする請求項７に記載の水平測定方法。
  12. 前記支持部材は、前記高圧ベッセルの上部に固定されて提供され、
    複数の据え置き台と、前記据え置き台と前記高圧ベッセルの上部を連結する複数の固定ロードを含み、
    前記支持ピンは、前記据え置き台の上面に形成される請求項１１に記載の水平測定方法。
  13. 前記第１データは、（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の要素を含み、
    前記第２データは、（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の要素を含み、
    前記第１データ及び前記第２データの比較は、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素の同一性を比較することであり、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇に含まれれば、水平であると判断し、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇で外れれば、傾いたことと判断する請求項７に記載の水平測定方法。
  14. 前記第１データは、（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の中でＸ１及びＹ１要素を含み、
    前記第２データは、（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の中でＸ２及びＹ２の要素を含み、
    前記センサーは、露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、固有誤差は、（Ｘ３、Ｙ３、Ｚ３）の中でＸ３及びＹ３の要素を含み、
    前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配は、プロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって、（ｘ、ｙ、ｚ）の中でｘ及びｙを含む要素として算出され、
    前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は、１８０°（ｄｅｇ）である場合に、
    前記ｘは、（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、
    前記ｙは（Ｙ１－Ｙ２）／２で算出されることができる請求項７に記載の水平測定方法。
  15. 前記第１データは、（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の要素を含み、
    前記第２データは、（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の要素を含み、
    前記センサーは、露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、固有誤差は、（Ｘ３、Ｙ３、Ｚ３）の要素を含み、
    前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配は、プロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって、（ｘ、ｙ、ｚ）で算出され、
    前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は、１８０°（ｄｅｇ）である場合に、
    前記ｘは、（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、
    前記ｙは、（Ｙ１－Ｙ２）／２であり、
    前記ｚは、
    Figure 2022105302000023
     で算出されることができる請求項７に記載の水平測定方法。
  16. プロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体において、前記プロセッサは、
    請求項１の基板型センサーを第１角度に前記支持部材に位置させて収集された第１データと、前記第１角度と異なる第２角度に前記支持部材に位置させて収集された第２データを比較して前記支持部材が水平であるか否かを導出する非一時的コンピュータ読出し媒体。
  17. 前記第１データ及び前記第２データは、各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、
    前記第１データ及び前記第２データの比較は、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素の同一性を比較することであり、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇に含まれれば、水平であると判断し、
    前記第１データの要素と前記第２データの要素が同一範疇で外れれば、傾いたことと判断する請求項１に記載の非一時的コンピュータ読出し媒体。
  18. 前記第１データ及び前記第２データは、各々Ｒｏｌｌ（Ｌｅｖｅｌ Ｘ）とＰｉｔｃｈ（Ｌｅｖｅｌ Ｙ）の要素を含み、
    前記第１データは、（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１、Ｌｅｖｅｌ Ｙ１）の要素を含み、
    前記第２データは、（Ｌｅｖｅｌ Ｘ２、Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）の要素を含み、
    前記センサーは、露出される温度に応じて変わる固有の誤差を発生させ、
    前記基板型センサーによって測定された前記支持部材による勾配は、プロセッサによって実行可能なプログラムコードを格納する非一時的コンピュータ読出し媒体によって（Ｌｅｖｅｌ Ｘａ、Ｌｅｖｅｌ Ｙａ）を含む要素として算出され、
    前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は、１８０°（ｄｅｇ）である場合に、
    前記Ｌｅｖｅｌ Ｘａは、（Ｌｅｖｅｌ Ｘ１－Ｌｅｖｅｌ Ｘ２）／２であり、
    前記Ｌｅｖｅｌ Ｙａは（Ｌｅｖｅｌ Ｙ１－Ｌｅｖｅｌ Ｙ２）／２で算出する請求項１６に記載の非一時的コンピュータ読出し媒体。
  19. 前記第１データは、（Ｘ１、Ｙ１、Ｚ１）の要素を含み、
    前記第２データは、（Ｘ２、Ｙ２、Ｚ２）の要素を含み、
    前記支持部材による勾配は、（ｘ、ｙ、ｚ）で算出され、
    前記第１角度を０°（ｄｅｇ）と定義する時、前記第２角度は、１８０°（ｄｅｇ）である場合に、
    前記ｘは、（Ｘ１－Ｘ２）／２であり、
    前記ｙは、（Ｙ１－Ｙ２）／２であり、
    前記ｚは、
    Figure 2022105302000024
     で算出する請求項１６に記載の非一時的コンピュータ読出し媒体。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102584512B1 (ko) * 2020-12-31 2023-10-05 세메스 주식회사 버퍼 유닛 및 온도 변화가 수반되는 기판 지지 부재의 수평 측정용 기판형 센서의 보관 방법
CN114812617B (zh) * 2022-07-01 2022-10-04 深圳市沃感科技有限公司 一种智能化倾角标定装置及其标定方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009012107A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Nec Electronics Corp 基板処理装置のための設置・搬送情報教示治具及び教示方法
JP2011209001A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Seiko Epson Corp 校正データ取得方法、加速度センサー出力補正方法及び校正データ取得システム
JP2011253844A (ja) * 2010-05-31 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP2016146416A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
US20200075369A1 (en) * 2018-09-04 2020-03-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101441777B1 (ko) * 2004-03-25 2014-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4607848B2 (ja) * 2006-10-27 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板受け渡し位置の調整方法及び記憶媒体
TWI379996B (en) * 2008-09-26 2012-12-21 Univ Hungkuang Electronic gradienter
US9021880B2 (en) * 2010-04-30 2015-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric three-axis gyroscope and stacked lateral overlap transducer (slot) based three-axis accelerometer
US9368340B2 (en) * 2014-06-02 2016-06-14 Lam Research Corporation Metallization of the wafer edge for optimized electroplating performance on resistive substrates
CN108139286B (zh) * 2016-03-10 2021-06-25 积水化学工业株式会社 半导体安装用粘结剂以及半导体传感器
KR101935951B1 (ko) * 2016-11-25 2019-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US10509052B2 (en) * 2017-02-06 2019-12-17 Lam Research Corporation Smart vibration wafer with optional integration with semiconductor processing tool
JP6941464B2 (ja) * 2017-04-07 2021-09-29 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置
KR101991309B1 (ko) * 2018-08-22 2019-06-20 주식회사 이도 지표면 변위 계측기
KR20200036631A (ko) * 2018-09-28 2020-04-07 세메스 주식회사 반도체 제조 설비 진단 시스템과 방법, 및 테스트용 웨이퍼
KR102222460B1 (ko) * 2019-06-10 2021-03-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009012107A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Nec Electronics Corp 基板処理装置のための設置・搬送情報教示治具及び教示方法
JP2011209001A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Seiko Epson Corp 校正データ取得方法、加速度センサー出力補正方法及び校正データ取得システム
JP2011253844A (ja) * 2010-05-31 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP2016146416A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理システム
US20200075369A1 (en) * 2018-09-04 2020-03-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data

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