JP2016146416A - 基板処理方法および基板処理システム - Google Patents

基板処理方法および基板処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP2016146416A
JP2016146416A JP2015022818A JP2015022818A JP2016146416A JP 2016146416 A JP2016146416 A JP 2016146416A JP 2015022818 A JP2015022818 A JP 2015022818A JP 2015022818 A JP2015022818 A JP 2015022818A JP 2016146416 A JP2016146416 A JP 2016146416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
measurement
acceleration
measurement substrate
behavior
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015022818A
Other languages
English (en)
Inventor
宮城 雅宏
Masahiro Miyagi
雅宏 宮城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2015022818A priority Critical patent/JP2016146416A/ja
Publication of JP2016146416A publication Critical patent/JP2016146416A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】2つの保持部間における基板の受け渡し動作の軽微な異常までをも確実に検出ことができる基板処理方法および基板処理システムを提供する。
【解決手段】加速度センサーを搭載した測定用基板SWを基板載置部から搬送ロボット30に受け渡し、そのときに測定用基板SWに作用する加速度を加速度センサーが測定することによって受け渡し時の測定用基板SWの挙動を検知する。測定用基板SWに作用する加速度を加速度センサー12で測定して測定用基板SWの挙動を検知しているため、作業者による目視では見逃すような軽微な基板受け渡し動作の異常までをも確実に検出することができる。その結果、異常の程度が増大して受け渡し時に基板が割れる等の重大な障害が発生する前に、異常の原因を排除して重大な障害の発生を未然に防止することができる。
【選択図】図5

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板(以下、単に「基板」と称する)を2つの保持部間で受け渡すときの当該基板の挙動を検知する基板処理方法および基板処理システムに関する。
従来より、半導体デバイスなどの製造工程においては、基板に対して洗浄、成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、熱処理等の種々の処理を行っている。一般的には、これらの諸処理は、各処理を実行する処理ユニット(例えば、洗浄処理ユニット、熱処理ユニット等)に対して搬送ロボットが基板を順次に搬送することによって進行する。特許文献1には、振動センサを備えた測定用ウエハを用いて基板搬送時の異常を検知する技術が開示されている。
特開2006−310349号公報
搬送ロボットによって処理ユニットに基板を搬送する際には、2つの保持部間での基板の受け渡しが必ず発生する。例えば、搬送ロボットが洗浄処理ユニットに基板を搬入する際には、基板を保持する搬送ロボットが洗浄処理ユニットのスピンチャックに当該基板を渡すこととなる。逆に、搬送ロボットが洗浄処理ユニットから基板を搬出する際には、基板を保持するスピンチャックから搬送ロボットが基板を受け取ることとなる。
このような2つの保持部間での基板の受け渡し時に、保持部材の摩耗や保持部材の駆動機構に障害が生じていると受け渡し動作が異常動作となる。受け渡し動作に異常があると処理結果に影響を与えるだけでなく、異常を放置して異常の程度が増大した場合には、受け渡し時に基板が破損するおそれもある。
しかしながら、従来においては、2つの保持部間で基板を受け渡すときの当該基板の挙動を検知する手法は存在せず、受け渡し動作の異常は作業者の目視等によって確認する以外になかった。作業者による目視では軽微な受け渡し動作の異常までをも確実に検出することは困難である。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、2つの保持部間における基板の受け渡し動作の軽微な異常までをも確実に検出ことができる基板処理方法および基板処理システムを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の発明は、基板の受け渡し時に当該基板の挙動を検知する基板処理方法において、加速度センサーを備えた測定用基板を第1の保持部から第2の保持部に受け渡す受渡工程と、前記第2の保持部に前記測定用基板を渡したときに、前記測定用基板に作用する加速度を前記加速度センサーが測定することによって前記測定用基板の挙動を検知する検知工程と、を備えることを特徴とする。
また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理方法において、前記測定用基板に前記加速度センサーを複数設けることを特徴とする。
また、請求項3の発明は、請求項1または請求項2の発明に係る基板処理方法において、前記加速度センサーの測定結果に基づいて前記測定用基板の挙動に異常が検出されたときに、前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形より前記異常の原因を推定する原因推定工程をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項4の発明は、請求項1から請求項3のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形を表示する表示工程さらに備えることを特徴とする。
また、請求項5の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記検知工程では、前記受渡工程にて前記測定用基板の摺動移動をともなうときの前記測定用基板の挙動を検知することを特徴とする。
また、請求項6の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記検知工程では、前記受渡工程にて前記測定用基板を複数のチャックピンにて把持するときの前記測定用基板の挙動を検知することを特徴とする。
また、請求項7の発明は、請求項1から請求項4のいずれかの発明に係る基板処理方法において、前記検知工程では、前記受渡工程にて前記測定用基板の昇降移動をともなうときの前記測定用基板の挙動を検知することを特徴とする。
また、請求項8の発明は、基板の受け渡し時に当該基板の挙動を検知する基板処理システムにおいて、加速度センサーを備えた測定用基板と、前記測定用基板を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部から前記測定用基板を受け取って保持する第2の保持部と、前記第1の保持部から前記第2の保持部に前記測定用基板を渡したときに、前記測定用基板に作用する加速度を前記加速度センサーによって測定して得た測定結果に基づいて前記測定用基板の挙動を検知する検知手段と、を備えることを特徴とする。
また、請求項9の発明は、請求項8の発明に係る基板処理システムにおいて、前記測定用基板に前記加速度センサーを複数設けることを特徴とする。
また、請求項10の発明は、請求項8または請求項9の発明に係る基板処理システムにおいて、前記加速度センサーの測定結果に基づいて前記測定用基板の挙動に異常が検出されたときに、前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形より前記異常の原因を推定する原因推定手段をさらに備えることを特徴とする。
また、請求項11の発明は、請求項8から請求項10のいずれかの発明に係る基板処理システムにおいて、前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形を表示する表示手段さらに備えることを特徴とする。
請求項1から請求項7の発明によれば、第1の保持部から第2の保持部に測定用基板を渡したときに、測定用基板に作用する加速度を加速度センサーが測定することによって測定用基板の挙動を検知するため、2つの保持部間における作業者による目視では見逃すような軽微な基板受け渡し動作の異常までをも確実に検出することができる。
特に、請求項2の発明によれば、測定用基板に加速度センサーを複数設けるため、より詳細に測定用基板の挙動を検知することができる。
請求項8から請求項11の発明によれば、第1の保持部から第2の保持部に測定用基板を渡したときに、測定用基板に作用する加速度を加速度センサーによって測定して得た測定結果に基づいて測定用基板の挙動を検知するため、2つの保持部間における作業者による目視では見逃すような軽微な基板受け渡し動作の異常までをも確実に検出することができる。
特に、請求項9の発明によれば、測定用基板に加速度センサーを複数設けるため、より詳細に測定用基板の挙動を検知することができる。
本発明に係る基板処理方法において使用する測定用基板を示す平面図である。 加速度測定モジュールの構成を示すブロック図である。 基板載置部および搬送ロボットの概略構成を示す図である。 制御部の機能ブロック図である。 搬送ロボットの支持部の上に測定用基板を載置させた時点の状態を示す図である。 プッシュピンが測定用基板の端縁部に当接した時点の状態を示す図である。 測定用基板の端縁部が先端ガイドに突き当たった状態を示す図である。 正常に測定用基板が受け渡されたときの加速度の波形を示す図である。 測定用基板の挙動が異常であった場合における加速度の波形の一例を示す図である。 測定用基板の挙動が異常であった場合における加速度の波形の他の例を示す図である。 第2実施形態の測定用基板および把持チャックを示す図である。 第3実施形態のリフト機構を示す図である。 測定用基板の他の例を示す平面図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
<第1実施形態>
図1は、本発明に係る基板処理方法において使用する測定用基板SWを示す平面図である。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
測定用基板SWには加速度測定モジュール10が搭載されている。第1実施形態では、測定用基板SWの表面中心部に1個の加速度測定モジュール10が搭載されている。加速度測定モジュール10を除く測定用基板SW自体は、一般的なシリコンの半導体ウェハーと同様の形状(円形)および質量を有するものであり、通常のシリコン半導体ウェハーをそのまま転用しても良い。測定用基板SWの形状および質量を通常の基板と同じにすることにより、通常の処理対象となる基板を受け渡すときの当該基板の挙動を測定用基板SWによって検知することができる。
図2は、加速度測定モジュール10の構成を示すブロック図である。図2に示すように、加速度測定モジュール10は、制御回路11、加速度センサー12、メモリ13等を1チップに集積したワンチップマイコンである。加速度測定モジュール10は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)であっても良い。加速度センサー12は、加速度測定モジュール10に作用する加速度を検知するセンサーである。加速度センサー12は、XYZの3軸方向についての加速度を検知することができる。
メモリ13は、加速度センサー12によって検知された加速度を時系列で保持する。制御回路11は、加速度測定モジュール10の全体を制御しており、加速度センサー12による測定の開始・終了を制御するとともに検知された加速度をメモリ13に格納する。
第1実施形態においては、上記の測定用基板SWを基板載置部から搬送ロボットに渡すときの測定用基板SWの挙動を検知する。図3は、基板載置部および搬送ロボットの概略構成を示す図である。基板載置部20は、3本の支持ピン21を備えており、それら3本の支持ピン21によって測定用基板SWを支持する第1の保持部である。3本の支持ピン21は、昇降動作などの特段の動作を行うものではなく、固定設置されているものである。このような基板載置部20は、例えば2つの搬送ロボット間で基板の受け渡しを行うために介在する受渡パスとして用いられている。
搬送ロボット30は、ハンド31、先端ガイド32、プッシュピン33および本体部34を備える。ハンド31は、本体部34に固定設置されている。ハンド31の上面には基板の裏面に直接接触して支持するピン状の支持部35が4本立設されている(図3および図5〜図7参照)。支持部35の材質は好ましくは樹脂系材料である。先端ガイド32はハンド31の先端に固定設置されている。一方、プッシュピン33は、ハンド31の基端側に設けられている。プッシュピン33は、本体部34に内蔵された駆動機構によって、図3の矢印AR3にて示すように、進退移動可能とされている。ハンド31の支持部35の上に測定用基板SWを支持した後、プッシュピン33が前進(図3の紙面上左側に向けて移動)することによって、測定用基板SWを支持部35の上に支持した状態で測定用基板SWの端縁部をプッシュピン33と先端ガイド32とによって把持することができる。これにより、搬送ロボット30は、測定用基板SWを保持する第2の保持部となりうる。また、搬送ロボット30の本体部34は、図示省略の駆動機構によって昇降動作、スライド移動動作、および、旋回動作が可能とされている。
制御部40は、搬送ロボット30の動作を制御する。制御部40のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部40は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどを備えて構成される。制御部9のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって、搬送ロボット30が制御部9に制御されて基板載置部20と搬送ロボット30との基板の受け渡し動作が行われる。
また、制御部40は、測定用基板SWの加速度測定モジュール10と接続するためのインターフェイスを備える。制御部40は、加速度測定モジュール10のメモリ13に保持されているデータを読み出してRAMや磁気ディスク等の記憶部に格納する。
図4は、制御部40の機能ブロック図である。原因推定部41は、制御部40のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって制御部40内に実現される機能処理部である。詳細については後述するが、原因推定部41は加速度測定モジュール10のメモリ13から読み出された加速度データに基づいて測定用基板SWの挙動異常の原因を推定する。
制御部40は、さらに表示部42を備える。表示部42は、例えば液晶ディスプレイ等にて構成されており、加速度測定モジュール10のメモリ13から読み出されて制御部40の記憶部に格納された加速度データを表示する。
次に、基板載置部20から搬送ロボット30に測定用基板SWが受け渡されるときの測定用基板SWの挙動を検知する処理動作について説明する。測定用基板SWは基板載置部20の3本の支持ピン21によって裏面より支持されている。搬送ロボット30は、昇降動作および前進移動を行うことによって、ハンド31を3本の支持ピン21に支持されている測定用基板SWの下方に進出させる。そして、搬送ロボット30が上昇動作を行うことにより、3本の支持ピン21に支持されていた測定用基板SWをハンド31の支持部35の上に載置させる。その後、測定用基板SWを支持部35の上に支持した状態で測定用基板SWの端縁部をプッシュピン33が押圧すると、測定用基板SWが支持部35の上を摺動しつつ先端ガイド32に向かって移動する。この結果、測定用基板SWが先端ガイド32とプッシュピン33との間に挟持されて、搬送ロボット30への測定用基板SWの固定が完了する。このようにして、測定用基板SWを保持する基板載置部20から搬送ロボット30に測定用基板SWが渡される。
測定用基板SWが搬送ロボット30に渡される時点においては、既に加速度センサー12による測定は開始されている。加速度センサー12によって測定された加速度は、制御回路11によって一定間隔でサンプリングされて、測定時刻とともに時系列でメモリ13に格納される。
図5は、搬送ロボット30の支持部35の上に測定用基板SWを載置させた時点の状態を示す図である。搬送ロボット30が基板載置部20から測定用基板SWを載置する前には、プッシュピン33が後退しており、プッシュピン33と先端ガイド32との間隔は測定用基板SWの径よりも大きくなっている。よって、図5に示すように、搬送ロボット30のハンド31の上に測定用基板SWを載置させた時点では、プッシュピン33および先端ガイド32のいずれも測定用基板SWと接触していない。
ハンド31の上に測定用基板SWを載置させた後、制御部40が搬送ロボット30に対してクローズ命令を発令する。クローズ命令とは、プッシュピン33を前進させて閉じる命令である。制御部40からのクローズ命令を受け取った搬送ロボット30の本体部34はプッシュピン33の前進を開始する。なお、制御部40からクローズ命令が発せられてからプッシュピン33が前進を開始するまでには不可避的に若干のタイムラグが発生する。
図5に示す状態からプッシュピン33が前進すると、やがてプッシュピン33が測定用基板SWの端縁部に当接する。図6は、プッシュピン33が測定用基板SWの端縁部に当接した時点の状態を示す図である。プッシュピン33は、測定用基板SWの端縁部に当接した後もさらに前進を続ける。これによって、測定用基板SWがプッシュピン33によって図6の矢印AR6にて示す向きに押される。このとき、測定用基板SWはプッシュピン33から矢印AR6に示す向きの力を受けることとなり、このことは測定用基板SWに矢印AR6に示す向きの加速度が生じるのと同義である。
また、測定用基板SWはプッシュピン33に押されることによって、矢印AR6に示す向きへの移動を開始する。このとき、測定用基板SWは、ハンド31の支持部35に沿って摺動移動することとなる。従って、測定用基板SWには矢印AR6とは逆向きに摺動抵抗も作用する。その結果、プッシュピン33からの押圧力とハンド31に対する摺動抵抗との合計の力が測定用基板SWに作用することとなり、その力を測定用基板SWの質量で除した加速度が測定用基板SWに生じている。
図6に示す状態からプッシュピン33がさらに前進すると、やがて測定用基板SWの端縁部(プッシュピン33が接触しているのとは反対側の端縁部)が先端ガイド32に突き当たる。図7は、測定用基板SWの端縁部が先端ガイド32に突き当たった状態を示す図である。測定用基板SWの先端部が先端ガイド32に突き当たることによって、測定用基板SWは先端ガイド32から図7の矢印AR7に示す向きの力を受けて摺動移動を停止する。すなわち、測定用基板SWの停止時には、測定用基板SWに矢印AR7に示す向きの加速度が生じることとなる。
測定用基板SWの端縁部が先端ガイド32に突き当たることにより、プッシュピン33と先端ガイド32とによって測定用基板SWが把持されることとなる。これによって、測定用基板SWが搬送ロボット30に保持され、基板載置部20から搬送ロボット30への測定用基板SWの受け渡しが完了する。
プッシュピン33が測定用基板SWに当接して測定用基板SWが摺動移動を開始してから先端ガイド32に突き当たって移動を停止するまでの間に測定用基板SWに作用した加速度は、測定用基板SWに搭載された加速度測定モジュール10の加速度センサー12によって測定されている。加速度センサー12によって測定された加速度は、制御回路11によって一定間隔でサンプリングされて、測定時刻とともに時系列でメモリ13に格納される。取得された加速度データは測定終了後に加速度測定モジュール10に接続された制御部40によって読み出される。
図8から図10に示すのは、加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形の例である。これらの波形は、加速度センサー12によって測定された加速度を時系列でプロットすることによって得られる。図8には、基板載置部20から搬送ロボット30に正常に測定用基板SWが受け渡されたときの加速度の波形を示す。時刻t0に制御部40が搬送ロボット30にクローズ命令を発令すると、時刻t1にプッシュピン33が前進を開始する。そして、時刻t2にプッシュピン33が測定用基板SWの端縁部に当接する(図6)。この瞬間から測定用基板SWには図6の矢印AR6に示す向きの加速度が作用する。さらに、時刻t3に測定用基板SWが先端ガイド32に突き当たって測定用基板SWの移動が停止する(図7)。この瞬間に測定用基板SWには図7の矢印AR7に示す向きの加速度が作用する。
基板載置部20から搬送ロボット30に正常に測定用基板SWが受け渡されて保持されたときには、加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形は図8のようになる。換言すれば、加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形が図8のようになれば、基板載置部20から搬送ロボット30に測定用基板SWを受けたしたときの測定用基板SWの挙動が正常であったこととなる。すなわち、図8に示す波形は、受け渡し時の測定用基板SWの挙動が正常であるか異常であるかを判定するための基準波形(リファレンス)となり得るものである。よって、例えば、メンテナンス時等に、基板載置部20から搬送ロボット30に正常に測定用基板SWが受け渡されて測定用基板SWの挙動が正常である場合の図8に示す如き加速度の波形を予め取得して制御部40の記憶部に記憶部に保持しておくのが好ましい。
制御部40は、例えば搬送ロボット30の検査時等に基板載置部20から搬送ロボット30に測定用基板SWが受け渡されたときに加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形から測定用基板SWの挙動を検知する。具体的には、取得された加速度の経時変化を示す波形と図8に示す基準波形との差分が所定の閾値未満である場合には制御部40は測定用基板SWの挙動は正常であると判定する。この場合、基板載置部20から搬送ロボット30に正常に測定用基板SWが受け渡されたと推定される。
一方、取得された加速度の経時変化を示す波形と図8に示す基準波形との差分が所定の閾値以上である場合には制御部40は測定用基板SWの挙動が異常であると判定する。基板載置部20から搬送ロボット30に測定用基板SWを受け渡すときに測定用基板SWの挙動が異常になる原因としては、プッシュピン33の摩耗によるすり減りや本体部34に内蔵されたプッシュピン33の駆動機構の障害等が考えられる。
測定用基板SWの挙動が異常である場合には、制御部40の原因推定部41(図4参照)が異常原因の推定を行う。図9は、受け渡し時の測定用基板SWの挙動が異常であった場合における加速度の波形の一例を示す図である。同図において、点線で示すのは、正常に測定用基板SWが受け渡されたときの加速度の波形、すなわち図8に示した基準波形である。また、図9に実線で示すのは、検査時等に基板載置部20から搬送ロボット30に測定用基板SWを受け渡したときに加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形(以下、「実測波形」とする)である。
図9に示す例では、実測波形の形状自体は基準波形と同じであるものの、実測波形は基準波形よりも時間が遅れている(つまり、位相がずれている)。このように実測波形の位相が基準波形からずれる原因は、プッシュピン33の動作自体は正常であるものの、プッシュピン33が摩耗によりすり減ってクローズ命令が発令されてからプッシュピン33が測定用基板SWの端縁部に当接するまでの時間が正常時よりも長くなったことによるものと考えられる。よって、原因推定部41は、図9のように実測波形の位相が基準波形に対してずれている場合には、測定用基板SWの挙動異常の原因をプッシュピン33の摩耗と推定する。
また、図10は、受け渡し時の測定用基板SWの挙動が異常であった場合における加速度の波形の他の例を示す図である。図9と同様に、図10においても点線で示すのは基準波形であり、実線で示すのは実測波形である。図10に示す例では、実測波形は基準波形に対して時間の遅れはないものの、加速度のピーク値が基準波形と異なっている(つまり、波形の振幅が異なっている)。このように実測波形の振幅が基準波形と異なる原因は、測定用基板SWがハンド31の支持部35に対して摺動するときのひっかかりであると考えられる。よって、原因推定部41は、図10のように実測波形の振幅が基準波形と異なっている場合には、測定用基板SWの挙動異常の原因をハンド31によるひっかかりであると推定する。
制御部40の表示部42は、基板載置部20から搬送ロボット30に測定用基板SWが受け渡されたときに加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形(図8〜図10に例示した波形)を表示する。また、表示部42は、受け渡し時の測定用基板SWの挙動が異常であった場合には、原因推定部41によって推定された異常の原因を表示するようにしても良い。
第1実施形態においては、加速度測定モジュール10を搭載した測定用基板SWを実際に基板載置部20から搬送ロボット30に受け渡し、そのときに測定用基板SWに作用した加速度を加速度センサー12が測定することによって受け渡し時の測定用基板SWの挙動を検知している。測定用基板SWに作用する加速度を加速度センサー12で測定して測定用基板SWの挙動を検知しているため、作業者による目視では見逃すような軽微な基板受け渡し動作の異常までをも確実に検出することができる。その結果、異常の程度が増大して受け渡し時に基板が割れる等の重大な障害が発生する前に、異常の原因を排除(例えば、プッシュピン33や支持部35の交換)して重大な障害の発生を未然に防止することができる。
また、第1実施形態では、測定用基板SWの挙動が異常である場合には、加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形を解析することによって、異常原因の推定を行っている。測定用基板SWの挙動が異常である場合には、異常が発生していると予想される部位を重点的に調査して異常の原因を早急に究明する必要があるが、加速度の経時変化を示す波形から異常原因の推定を行えば、迅速に異常原因の特定して対策を講じることができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図11は、第2実施形態の測定用基板SWおよび把持チャックを示す図である。第1実施形態では、測定用基板SWの表面中心部に1個の加速度測定モジュール10を搭載していたのに対して、第2実施形態においては、測定用基板SWの表面の異なる位置に2個の加速度測定モジュール10を搭載している。第1実施形態と同様に、加速度測定モジュール10を除く測定用基板SW自体は、一般的なシリコンの半導体ウェハーと同様の形状(円形)および質量を有するものであり、通常のシリコン半導体ウェハーをそのまま転用しても良い。また、各加速度測定モジュール10の構成も第1実施形態と同じである(図2参照)。
第2実施形態においては、かかる測定用基板SWを搬送ロボットから把持チャックに渡すときの測定用基板SWの挙動を検知する。搬送ロボットとしては基板を保持して搬送する公知の種々のものを採用することができ、例えば第1実施形態の搬送ロボット30であっても良い。また、図11に示す制御部40も第1実施形態と同様の要素である。
把持チャック50は、3本のチャックピンを備えており、それらのうちの1本が固定ピン51であり、残りの2本が可動ピン52である。このような把持チャック50は、例えば基板を水平姿勢で保持して回転させるためのスピンチャックとして用いられるものであり、典型的には固定ピン51および可動ピン52は円板形状のスピンベース上に設けられる。固定ピン51は当該スピンベースに固定して立設されている。一方の可動ピン52は、図示省略の駆動機構によって図11中の矢印のように移動可能にスピンベースに取り付けられている。各可動ピン52は測定用基板SWの端縁部に当接する把持位置と当該端縁部から離隔した解除位置との間で移動する。2本の可動ピン52か把持位置に移動すると1本の固定ピン51と2本の可動ピン52とによって測定用基板SWが把持される。2本の可動ピン52が把持位置から解除位置に移動すると、測定用基板SWの端縁部から離隔して把持が解除される。
第2実施形態においては、搬送ロボットから把持チャック50に測定用基板SWを受け渡して把持するときに、測定用基板SWに作用する加速度を2個の加速度センサー12が測定することによって測定用基板SWの挙動を検知している。搬送ロボットから把持チャック50に正常に測定用基板SWが受け渡されて把持されるときには、2本の可動ピン52が同時に測定用基板SWの端縁部に当接して同じ力にて固定ピン51に向けて測定用基板SWを押し付ける。従って、測定用基板SWの異なる位置に設けられた2個の加速度測定モジュール10の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形も同一となる。
ところが、2本の可動ピン52のいずれかが摩耗していたような場合には、2本の可動ピン52が異なるタイミングにて測定用基板SWの端縁部に当接する。そうすると、測定用基板SWは、まず最初に当接した可動ピン52から押圧された後に、残る一方の可動ピン52から押圧されることとなる。このようになると、測定用基板SWの異なる位置に設けられた2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形も異なることとなる。
従って、制御部40は、例えば把持チャック50の検査時等に、把持チャック50に測定用基板SWが渡されたときに2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形を比較することにより、測定用基板SWの挙動を検知することができる。具体的には、2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形の差分が所定の閾値未満である場合には、制御部40は測定用基板SWの挙動は正常であり、把持チャック50に測定用基板SWが正常に把持されたと判定する。
一方、2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形の差分が所定の閾値以上である場合には、制御部40は測定用基板SWの挙動が異常であり、2本の可動ピン52に障害が生じていると判定する。
第2実施形態においては、2個の加速度センサー12を設けた測定用基板SWを用いることにより、複数の可動ピン52によって異なる方向から測定用基板SWを把持するときの測定用基板SWの挙動を検知することができる。換言すれば、2個の加速度センサー12を設けた測定用基板SWを用いることにより、受け渡し時における測定用基板SWの二次元平面内での挙動を検知して受け渡し動作の異常を検出することができる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図12は、第3実施形態のリフト機構を示す図である。第3実施形態においても、第2実施形態と同様に、測定用基板SWの表面の異なる位置に2個の加速度測定モジュール10を搭載している。第1実施形態では受け渡し時における測定用基板SWの摺動を伴う直線移動の挙動を検知し、第2実施形態では測定用基板SWの二次元平面内での挙動を検知していたが、第3実施形態においては測定用基板SWの三次元空間内での挙動を検知する。より具体的には、2個の加速度測定モジュール10を搭載した測定用基板SWを搬送ロボットからリフト機構に渡すときの測定用基板SWの挙動を検知する。
搬送ロボットとしては基板を保持して搬送する公知の種々のものを採用することができ、例えば第1実施形態の搬送ロボット30であっても良い。また、図12に示す制御部40も第1実施形態と同様の要素である。
リフト機構60は、複数本(少なくとも3本)のリフトピン61およびプレート62を備える。プレート62は、基板を載置する板状部材であり、例えばヒータ等の加熱機構を内蔵したホットプレートまたは水冷管等の冷却機構を内蔵したクールプレートである。複数本のリフトピン61は、図示省略の駆動機構によって図12中の矢印に示すように昇降される。リフトピン61が下降したときには、リフトピン61の先端がプレート62内に埋入する。一方、リフトピン61が上昇したときには、リフトピン61の先端がプレート62の上面から突出することとなる。
搬送ロボットがプレート62の上方に測定用基板SWを保持した状態にてリフトピン61が上昇すると、その測定用基板SWがリフトピン61によって突き上げられ、搬送ロボットからリフト機構60に測定用基板SWが受け渡される。第3実施形態においては、複数本のリフトピン61が測定用基板SWを突き上げて保持するときに、測定用基板SWに作用する加速度を2個の加速度センサー12が測定することによって測定用基板SWの挙動を検知している。複数本のリフトピン61が正常に測定用基板SWを突き上げて受け取るときには、それら複数本のリフトピン61が同時に測定用基板SWの裏面に当接して測定用基板SWを突き上げる。従って、搬送ロボットに水平姿勢で保持されていた測定用基板SWは水平姿勢のまま複数本のリフトピン61によって突き上げられることとなり、測定用基板SWの異なる位置に設けられた2個の加速度測定モジュール10の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形も同一となる。
ところが、複数本のリフトピン61のうちのいずれかが摩耗していたような場合には、複数本のリフトピン61が異なるタイミングにて測定用基板SWの裏面に当接する。そうすると、測定用基板SWは、まず最初に当接したリフトピン61によって突き上げられた後に、他のリフトピン61によって突き上げられることとなる。このようになると、測定用基板SWが水平姿勢から傾いた傾斜姿勢で突き上げられ、測定用基板SWの異なる位置に設けられた2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形も異なることとなる。具体的には、最初に当接したリフトピン61に近い位置に設けられた加速度センサー12の波形の方がより早く大きな振幅を示す。
従って、制御部40は、例えばリフト機構60の検査時等に、リフト機構60に測定用基板SWが渡されたときに2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形を比較することにより、測定用基板SWの挙動を検知することができる。具体的には、2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形の差分が所定の閾値未満である場合には、制御部40は測定用基板SWの挙動は正常であり、搬送ロボットからリフト機構60に測定用基板SWが正常に受け渡されたと判定する。
一方、2個の加速度センサー12によって取得された加速度の経時変化を示す波形の差分が所定の閾値以上である場合には、制御部40は測定用基板SWの挙動が異常であり、リフト機構60にリフトピン61の摩耗等の障害が生じていると判定する。
第3実施形態においては、2個の加速度センサー12を設けた測定用基板SWを用いることにより、複数本のリフトピン61によって測定用基板SWを突き上げて保持するときの測定用基板SWの挙動を検知することができる。換言すれば、2個の加速度センサー12を設けた測定用基板SWを用いることにより、昇降移動をともなう受け渡し時における測定用基板SWの三次元空間内での挙動を検知して受け渡し動作の異常を検出することができる。
<変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第1実施形態では測定用基板SWの表面中心部に1個の加速度測定モジュール10を搭載し、第2実施形態では測定用基板SWの表面の異なる位置に2個の加速度測定モジュール10を搭載していたが、これらに限定されるものではなく、測定用基板SWに3個以上の加速度測定モジュール10を搭載するようにしても良い。
図13は、測定用基板SWの他の例を示す平面図である。図13に示す例では、測定用基板SWの表面の異なる位置に8個の加速度測定モジュール10が搭載されている。8個の加速度測定モジュール10は、測定用基板SWの外周と同心円上に等間隔(45°間隔)にて配置されている。各加速度測定モジュール10の構成および測定用基板SW自体は第1実施形態と同じである。
図13に示すような多数の加速度測定モジュール10を搭載した測定用基板SWを用いて受け渡し時の挙動を検知すれば、第2,3実施形態と比較して測定用基板SWの位置による加速度の差異をより詳細に測定することができる。よって、受け渡し時における測定用基板SWの挙動をより精密に解析することができる。測定用基板SWに搭載する加速度測定モジュール10の個数はさらに多くても良く、加速度測定モジュール10の数が多いほどより詳細な検知が可能となるものの、挙動の解析は複雑になる。また、測定用基板SWに搭載された複数の加速度測定モジュール10のうちの一部のみを使用して加速度の測定を行うようにしても良い。
また、第3実施形態においては、測定用基板SWを搬送ロボットからリフト機構に渡すときの測定用基板SWの挙動を検知していたが、これに代えて、基板保持のための凹部を備えた落とし込みトレイに搬送ロボットから測定用基板SWを渡すときのその測定用基板SWの挙動を検知するようにしても良い。この場合であっても、昇降移動をともなう受け渡し時における測定用基板SWの三次元空間内での挙動を検知して受け渡し動作の異常を検出することができる。
さらに、本発明に係る技術は、上記の例以外にも第1の保持部から第2の保持部に基板を受け渡すときの当該基板の挙動を検知するのに適用することができる。第1の保持部および第2の保持部は基板を保持可能なものであれば良く、単に基板を載置しているだけの載置部(例えば、第1実施形態の基板載置部20やキャリアなど)および基板を能動的に保持する機構(例えば、いわゆるチャック機構など)の双方が含まれる。
10 加速度測定モジュール
12 加速度センサー
20 基板載置部
30 搬送ロボット
40 制御部
41 原因推定部
42 表示部
50 把持チャック
60 リフト機構
SW 測定用基板

Claims (11)

  1. 基板の受け渡し時に当該基板の挙動を検知する基板処理方法であって、
    加速度センサーを備えた測定用基板を第1の保持部から第2の保持部に受け渡す受渡工程と、
    前記第2の保持部に前記測定用基板を渡したときに、前記測定用基板に作用する加速度を前記加速度センサーが測定することによって前記測定用基板の挙動を検知する検知工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
  2. 請求項1記載の基板処理方法において、
    前記測定用基板に前記加速度センサーを複数設けることを特徴とする基板処理方法。
  3. 請求項1または請求項2記載の基板処理方法において、
    前記加速度センサーの測定結果に基づいて前記測定用基板の挙動に異常が検出されたときに、前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形より前記異常の原因を推定する原因推定工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形を表示する表示工程さらに備えることを特徴とする基板処理方法。
  5. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記検知工程では、前記受渡工程にて前記測定用基板の摺動移動をともなうときの前記測定用基板の挙動を検知することを特徴とする基板処理方法。
  6. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記検知工程では、前記受渡工程にて前記測定用基板を複数のチャックピンにて把持するときの前記測定用基板の挙動を検知することを特徴とする基板処理方法。
  7. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記検知工程では、前記受渡工程にて前記測定用基板の昇降移動をともなうときの前記測定用基板の挙動を検知することを特徴とする基板処理方法。
  8. 基板の受け渡し時に当該基板の挙動を検知する基板処理システムであって、
    加速度センサーを備えた測定用基板と、
    前記測定用基板を保持する第1の保持部と、
    前記第1の保持部から前記測定用基板を受け取って保持する第2の保持部と、
    前記第1の保持部から前記第2の保持部に前記測定用基板を渡したときに、前記測定用基板に作用する加速度を前記加速度センサーによって測定して得た測定結果に基づいて前記測定用基板の挙動を検知する検知手段と、
    を備えることを特徴とする基板処理システム。
  9. 請求項8記載の基板処理システムにおいて、
    前記測定用基板に前記加速度センサーを複数設けることを特徴とする基板処理システム。
  10. 請求項8または請求項9記載の基板処理システムにおいて、
    前記加速度センサーの測定結果に基づいて前記測定用基板の挙動に異常が検出されたときに、前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形より前記異常の原因を推定する原因推定手段をさらに備えることを特徴とする基板処理システム。
  11. 請求項8から請求項10のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
    前記加速度センサーによって取得された加速度の経時変化を示す波形を表示する表示手段さらに備えることを特徴とする基板処理システム。
JP2015022818A 2015-02-09 2015-02-09 基板処理方法および基板処理システム Pending JP2016146416A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015022818A JP2016146416A (ja) 2015-02-09 2015-02-09 基板処理方法および基板処理システム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015022818A JP2016146416A (ja) 2015-02-09 2015-02-09 基板処理方法および基板処理システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016146416A true JP2016146416A (ja) 2016-08-12

Family

ID=56686509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015022818A Pending JP2016146416A (ja) 2015-02-09 2015-02-09 基板処理方法および基板処理システム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016146416A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180091714A (ko) * 2017-02-06 2018-08-16 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱 툴과 선택가능하게 통합하는 스마트 진동 웨이퍼
JP2022520692A (ja) * 2018-12-03 2022-04-01 ラム リサーチ コーポレーション ピンリフター試験基板
JP2022105302A (ja) * 2020-12-31 2022-07-13 セメス カンパニー,リミテッド 温度変化が伴われる雰囲気に提供される基板支持部材の水平測定用基板型センサー、これを利用した水平測定方法、及び非一時的コンピュータ読出し媒体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310349A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造システム及び製造方法
US20080228430A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Wireless sensor for semiconductor processing systems
JP2010258425A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2012247348A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Sinfonia Technology Co Ltd リニアアクチュエータユニット検査装置、リニアアクチュエータユニット駆動装置及びこれを備えた制振装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006310349A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造システム及び製造方法
US20080228430A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Wireless sensor for semiconductor processing systems
JP2010258425A (ja) * 2009-03-30 2010-11-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
JP2012247348A (ja) * 2011-05-30 2012-12-13 Sinfonia Technology Co Ltd リニアアクチュエータユニット検査装置、リニアアクチュエータユニット駆動装置及びこれを備えた制振装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180091714A (ko) * 2017-02-06 2018-08-16 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱 툴과 선택가능하게 통합하는 스마트 진동 웨이퍼
JP2018129509A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体処理ツールとの随意の統合を伴うスマートバイブレーションウエハ
JP7262170B2 (ja) 2017-02-06 2023-04-21 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理ツールとの随意の統合を伴うスマートバイブレーションウエハ
KR102533845B1 (ko) * 2017-02-06 2023-05-17 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱 툴과 선택가능하게 통합하는 스마트 진동 웨이퍼
JP2022520692A (ja) * 2018-12-03 2022-04-01 ラム リサーチ コーポレーション ピンリフター試験基板
JP7341237B2 (ja) 2018-12-03 2023-09-08 ラム リサーチ コーポレーション ピンリフター試験基板
JP2022105302A (ja) * 2020-12-31 2022-07-13 セメス カンパニー,リミテッド 温度変化が伴われる雰囲気に提供される基板支持部材の水平測定用基板型センサー、これを利用した水平測定方法、及び非一時的コンピュータ読出し媒体
JP7346536B2 (ja) 2020-12-31 2023-09-19 セメス カンパニー,リミテッド 温度変化が伴われる雰囲気に提供される基板支持部材の水平測定用基板型センサー、これを利用した水平測定方法、及び非一時的コンピュータ読出し媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI418819B (zh) 探測系統之改良式定位方法及設備
TWI438452B (zh) Inspection device and inspection method
TWI444631B (zh) A detection device, a detection method and a recording medium
JP4996119B2 (ja) プローブの先端位置の検出方法、この方法を記録した記憶媒体、及びプローブ装置
TW200814217A (en) Probe end detection method, alignment method, recording medium recorded with method, and probe device
CN101581733A (zh) 探针装置和接触位置的修正方法
JP5987967B2 (ja) プロービング装置及びプローブコンタクト方法
JP2012089809A (ja) 保持部材の姿勢判定装置、その方法、基板処理装置及び記憶媒体
JP2005072143A (ja) プローブ装置
JP2016146416A (ja) 基板処理方法および基板処理システム
JP2013191741A (ja) プローブ装置及びプローブ装置のプローブカード装着方法
KR102264851B1 (ko) 포크 로봇 및 포크의 삽입 거리 산출 방법
US8706289B2 (en) Pre-aligner search
JP4646271B1 (ja) 半導体測定装置及び方法
US11835574B2 (en) Semiconductor testing apparatus for wafer probing testing and final packaged IC testing
JP2009295757A (ja) 保護テープ剥離方法と装置
KR20180013316A (ko) 반도체 소자 테스트 장치 및 방법
JP2008116354A (ja) 反り測定システム、成膜システム、及び反り測定方法
JP2017152688A (ja) 電気的導通を用いたエンドエフェクタ平坦度の検証
US9726719B2 (en) Semiconductor automatic test equipment
JP2008117968A (ja) プローバ
JP7446029B1 (ja) 部品検査装置
JP6157270B2 (ja) プローブ装置及びプローブ方法
JP2008053282A (ja) プローバ
JP6341693B2 (ja) 基板保持装置および基板検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180921

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181218

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190618